JP2009259114A - システム半導体装置 - Google Patents
システム半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009259114A JP2009259114A JP2008109460A JP2008109460A JP2009259114A JP 2009259114 A JP2009259114 A JP 2009259114A JP 2008109460 A JP2008109460 A JP 2008109460A JP 2008109460 A JP2008109460 A JP 2008109460A JP 2009259114 A JP2009259114 A JP 2009259114A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- command
- clock signal
- command buffer
- system memory
- queue
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 36
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 9
- 102100040862 Dual specificity protein kinase CLK1 Human genes 0.000 abstract description 22
- 101000749294 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK1 Proteins 0.000 abstract description 22
- 108091032917 Transfer-messenger RNA Proteins 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007562 laser obscuration time method Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 101100328957 Caenorhabditis elegans clk-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Power Sources (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
【課題】システムメモリが低消費電力モードに移行するとき、低消費電力モードへの移行用に使用されるエントリー以外のエントリーに対応するクロックの供給を停止させる。
【解決手段】メモリコントローラ12には、コマンドバッファ21、制御レジスタ22、バンクシーケンサ23、制御信号生成回路24、及びクロックゲーティング回路25が設けられる。通常モードのとき、クロックゲーティング回路25は入力されるDisableの制御信号Ssrに基づいてクロック信号CLK1をコマンドバッファ21に設けられるコマンドキュー31及びライトデータキュー32に出力する。通常モードから低消費電力モードへの移行のとき、入力される制御信号SsrがEnableとなり、クロックゲーティング回路25は1エントリーに対応するクロック信号CLK1以外、コマンドバッファ21への供給を停止する。
【選択図】図1
【解決手段】メモリコントローラ12には、コマンドバッファ21、制御レジスタ22、バンクシーケンサ23、制御信号生成回路24、及びクロックゲーティング回路25が設けられる。通常モードのとき、クロックゲーティング回路25は入力されるDisableの制御信号Ssrに基づいてクロック信号CLK1をコマンドバッファ21に設けられるコマンドキュー31及びライトデータキュー32に出力する。通常モードから低消費電力モードへの移行のとき、入力される制御信号SsrがEnableとなり、クロックゲーティング回路25は1エントリーに対応するクロック信号CLK1以外、コマンドバッファ21への供給を停止する。
【選択図】図1
Description
本発明は、システム半導体装置に関する。
半導体素子の微細化、高集積度化、低消費電力化の進展に伴い、データ処理装置、メモリコントローラ、及びデータ処理用のコントローラ等が内蔵されたシステム半導体装置が多数開発されている。データ処理装置はプロセッサ或いはマイクロプロセッサとも呼称され、システム半導体装置はSoC(System On a Chip)或いはシステムLSIとも呼称される(例えば、特許文献1参照。)。
特許文献1などに記載されるシステム半導体装置やシステムメモリなどが組み込まれた組み込みシステムでは、省面積化、低コスト化、低消費電力化が要求されている。従来、メモリコントローラを内蔵するシステム半導体装置では、システムメモリが通常モードから低消費電力モードに移行するとき、データ処理装置からのデータ転送のアクセスはメモリコントローラに設けられる制御レジスタに限定され、システムメモリへのアクセスは実行されない。ところが、メモリコントローラに設けられるコマンドキュー及びライトデータキューには必要とされる1エントリーに対応するクロック信号以外のクロック信号も入力される。このため、余分な電力が消費されるという問題点がある。
特開2007−108882号公報(頁22、図1及び2)
本発明は、システムメモリが低消費電力モードに移行するとき、低消費電力モードへの移行用に使用されるエントリー以外のエントリーに対応するクロックの供給を停止することができるシステム半導体装置を提供する。
本発明の一態様のシステム半導体装置は、データを格納する内蔵メモリ、演算ユニット、及びメモリ管理ユニットを有し、システムメモリへのアクセス要求を生成するデータ処理装置と、複数エントリーのコマンドキュー及びライトデータキューを備えるコマンドバッファと、データ転送を制御する制御レジスタと、前記制御レジスタから出力される制御信号とクロック信号が入力され、出力信号を前記コマンドバッファに出力するクロック信号供給停止手段とを有し、前記データ処理装置から前記システムメモリへのアクセス要求が入力され、前記システムメモリにデータ転送を行うメモリコントローラとを具備し、通常モードのとき、前記クロック信号停止手段が前記制御信号に基づいて前記クロック信号を前記コマンドバッファに出力し、低消費電力モードへの移行のとき、前記クロック信号停止手段が前記制御信号に基づいてコマンドキュー及びライトデータキューの1エントリーに対応するクロック信号を前記コマンドバッファに出力し、他のエントリーに対応するクロック信号の前記コマンドバッファへの供給を停止することを特徴とする。
本発明によれば、システムメモリが低消費電力モードに移行するとき、低消費電力モードへの移行用に使用されるエントリー以外のエントリーに対応するクロックの供給を停止することができるシステム半導体装置を提供することができる。
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
まず、本発明の実施例1に係るシステム半導体装置について、図面を参照して説明する。図1は組み込みシステム装置を示すブロック図である。本実施例では、システムメモリが低消費電力モードに移行するとき、低消費電力モードへの移行用に使用されるエントリー以外のエントリーに対応するクロックの供給を停止する手段としてクロックゲーティング回路をシステム半導体装置に設けている。
図1に示すように、組み込みシステム装置50には、システム半導体装置1とシステムメモリ2が設けられる。組み込みシステム装置50は、例えば、組み込まれた各種機器(例えば、オフィスの事務用機器など)に図示しないインターフェースを介して接続され、組み込まれた各種機器を統括制御する。
システム半導体装置1は、SoC(System On a Chip)或いはシステムLSIとも呼称される。システム半導体装置1には、データ処理装置11、メモリコントローラ12、インターフェースI/F1、及びインターフェースI/F2が設けられる。
データ処理装置11は、プロセッサ或いはマイクロプロセッサとも呼称される。データ処理装置11は、データを格納する内蔵メモリ、演算ユニット、メモリ管理ユニットなど(図示せず)を有し、周辺デバイスのメインエンジン(統括制御)として機能し、システムメモリ2へのアクセス要求をインターフェースI/F1を介してメモリコントローラ12に出力する。
メモリコントローラ12は、データ処理装置11とシステムメモリ2の間のデータ転送制御を行う。メモリコントローラ12は、インターフェースI/F2を介してシステムメモリ2に接続される。メモリコントローラ12には、コマンドバッファ21、制御レジスタ22、バンクシーケンサ23、制御信号生成回路24、及びクロックゲーティング回路25が設けられる。
システムメモリ2には、設計が容易となる同期回路で、連続したデータ列のアクセスに対してコストパフォーマンスが高く、大容量なSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)が使用される。なお、SDRAMの代わりに高速データ転送が可能なDDR(Double data Rate) SDRAMやDDR2 SDRAMなどを使用してもよい。
コマンドバッファ21は、インターフェースI/F1とバンクシーケンサ23の間に設けられ、システムメモリ2へのアクセス要求がデータ処理装置11から入力される。コマンドバッファ21には、複数のコマンドを格納することができるコマンドキュー31と複数のライトデータを格納することができるライトデータキュー32が設けられる。コマンドキュー31とライトデータキュー32には、複数のエントリー(例えば、レジスタ)が設けられる。
コマンドキュー31の1エントリーには、システムメモリ2のバースト単位に相当する1コマンドを格納することができる。ライトデータキュー32の1エントリーには、データ処理装置11及びインターフェースI/F2のデータ幅分のライトデータを格納することができる。
ここでは、システムメモリ2にSDRAMを用いているので、複数エントリーのコマンドキュー31により、あるコマンドに対応するシステムメモリ2のライト/リードコマンドを発行する前に、後続のコマンドに対応するシステムメモリ2のプリチャージ/アクティブコマンドを発行することが可能となる。また、複数エントリーのライトデータキュー32の存在により、ライトバースト転送の性能を向上することができる。
制御レジスタ22は、コマンドバッファ21とクロックゲーティング回路25の間に設けられ、データ転送を制御し、メモリコントローラ12の動作を規定する複数のレジスタが設けられる。制御レジスタ22には、システムメモリ2がシステムメモリアクセス可能な通常モードか、或いはシステムメモリアクセスを行わないセルフリフレッシュ等の低消費電力モードであるかを管理するレジスタが設けられる。制御レジスタ22は、コマンドバッファ21へクロック信号CLK1を伝送するかどうかを制御する制御信号Ssrをクロックゲーティング回路25に出力する。
なお、通常モードでは、コマンドキュー31とライトデータキュー32の複数のエントリーがすべて動作するが、低消費電力モードモードでは一つのエントリーしか動作せず、他のエントリーは全く変化がないように制御される。
バンクシーケンサ23は、コマンドバッファ21と制御信号生成回路24の間に設けられ、システムメモリ2のバンク毎に対応するシーケンサが設けられ、シーケンサがそれぞれのバンク状態を管理している。
制御信号生成回路24は、バンクシーケンサ23とインターフェースI/F2の間に設けられ、システムメモリ2に対するデータ転送のコマンドとライトデータが入力され、システムメモリ2に対する制御信号を生成し、システムメモリアクセスを実現する。
クロックゲーティング回路25は、クロック信号供給停止手段として機能し、制御レジスタ22とコマンドバッファ21の間に設けられ、クロック信号CLK1と制御レジスタ22から出力される制御信号Ssrが入力され、制御信号Ssrに基づいてゲーティドクロック信号CLKGをコマンドバッファ21に設けられるコマンドキュー31及びライトデータキュー32に出力する。制御信号SsrがDisableのとき、クロック信号CLK1がクロックゲーティング回路25から出力される。制御信号SsrがEnableのとき、クロックゲーティング回路25からコマンドバッファ21へのクロック信号CLK1供給が停止される。
次に、データ処理装置のデータ転送について図2及び図3を参照して説明する。図2はシステムメモリへのデータ転送の流れを示す図、図3は制御レジスタへのデータ転送の流れを示す図である。
図2に示すように、データ処理装置11がシステムメモリ2に対して通常モードでのデータ転送を実行するとき、例えばライトデータ転送の場合、まずデータ処理装置11からコマンド及びライトデータがインターフェースI/F1を介してコマンドバッファ21に転送される。
次に、コマンド及びライトデータはコマンドバッファ21に設けられるコマンドキュー31及びライトデータキュー32を経由してバンクシーケンサ23に転送される。
続いて、コマンド及びライトデータは信号生成回路24へと転送され、信号生成回路24からインターフェースI/F2を介してシステムメモリ2に転送される。
図3に示すように、データ処理装置11が制御レジスタ22に対してデータ転送を実行するとき(低消費電力モードへの移行など)、例えばライトデータ転送の場合、データ処理装置11からコマンド及びライトデータがインターフェースI/F1を介してコマンドバッファ21に転送される。
そして、コマンド及びライトデータはコマンドバッファ21に設けられるコマンドキュー31及びライトデータキュー32を経由して制御レジスタ22に転送される。
次に、システムメモリの低消費電力モードについて図4及び図5を参照して説明する。図4は通常モードからセルフリフレッシュモードへの移行を示すタイミングチャート、図5はセルフリフレッシュモードから通常モードへの移行を示すタイミングチャートである。ここで、通常モードからセルフリフレッシュモードへの移行とセルフリフレッシュモードから通常モードへの移行の場合、コマンドキュー及びライトデータキューの1エントリーを使用することにより対応でき余分なエントリーを必要としない。低消費電力モードにはセルフリフレッシュモードの他にスリープモードやスタンバイモードなどがある。
図4に示すように、通常モードでは、制御レジスタ22からクロックゲーティング回路25に出力される制御信号SsrはDisableの“Low”レベルであり、クロック信号CLK1がコマンドバッファ21に設けられるコマンドキュー31及びライトデータキュー32に供給され、インターフェースI/F1にはコマンドA1などがデータ転送され、インターフェースI/F2にはコマンドA11などが転送される。
次に、セルフリフレッシュモードなどの低消費電力モードの移行に必要な低消費電力モードエントリーコマンドAA1がデータ処理装置11からインターフェースI/F1に転送される。低消費電力モードエントリーコマンドAA1はコマンドバッファ21を経由して制御レジスタ22に転送される。制御レジスタ22は低消費電力モードエントリーコマンドAA1に応じて、クロックゲーティング回路25に出力する制御信号SsrをDisableの“Low”レベルからEnableの“High”レベルに変更する。
クロックゲーティング回路25は、Enableの制御信号Ssrに基づいて、コマンドキュー31及びライトデータキュー32の1エントリーに対応するクロック信号CLK1だけコマンドバッファ21に送信する。クロックゲーティング回路25は、Enableの制御信号Ssrに基づいて、他のエントリーに対応するクロック信号CLK1のコマンドバッファ21への供給を停止する。
コマンドバッファ21では、コマンドキュー31及びライトデータキュー32の1エントリーしかないものとして制御される。インターフェースI/F1よりも遅延して低消費電力モードエントリーコマンドAA1がインターフェースI/F2に転送され、システムメモリアクセスは行われない。
インターフェースI/F1において、低消費電力モードエントリーコマンドAA1以降に発行されるコマンドは、必ず特定の1エントリーに格納され、他のエントリーに格納されることは無い。インターフェースI/F2において、低消費電力モードエントリーコマンドAA1以降にシステムメモリアクセスコマンドが発行されることは無い。このため、システム半導体装置1及びシステムメモリ2での余分な電力の発生を抑制することができる。
図5に示すように、セルフリフレッシュモードなどの低消費電力モードのとき、インターフェースI/F1及びI/F2にはコマンドが転送されない。セルフリフレッシュモードなどの低消費電力モードから通常モードに移行するとき、インターフェースI/F1には、通常モードの復帰に必要な低消費電力モードエグジットコマンドBB1がデータ処理装置11から転送される。低消費電力モードエグジットコマンドBB1はコマンドバッファ21を経由して制御レジスタ22に転送される。制御レジスタ22は低消費電力モードエグジットコマンドBB1に応じて、クロックゲーティング回路25に出力する制御信号SsrをEnableの“High”レベルからDisableの“Low”レベルに変更する。
クロックゲーティング回路25は、Disableの制御信号Ssrが入力された後、Disableの制御信号Ssrに基づいて、コマンドキュー31及びライトデータキュー32の通常モードへの復帰に用いられるエントリーに対応するクロック信号CLK1をコマンドバッファ21に送信する。また、インターフェースI/F2よりも遅延して低消費電力モードエグジットコマンドBB1がインターフェースI/F2に転送され、システムメモリアクセスが行われる。低消費電力モードエグジットコマンドBB1が転送された後、インターフェースI/F1にはコマンドB2が転送され、インターフェースI/F2にはコマンドB12が転送される。
上述したように、本実施例のシステム半導体装置では、組み込みシステム装置50には、システム半導体装置1とシステムメモリ2が設けられる。システム半導体装置1には、データ処理装置11、メモリコントローラ12、インターフェースI/F1、及びインターフェースI/F2が設けられる。メモリコントローラ12には、コマンドバッファ21、制御レジスタ22、バンクシーケンサ23、制御信号生成回路24、及びクロックゲーティング回路25が設けられる。クロックゲーティング回路25は、制御レジスタ22とコマンドバッファ21の間に設けられ、クロック信号CLK1と制御レジスタ22から出力される制御信号Ssrが入力される。通常モードのとき、クロックゲーティング回路25は入力されるDisableの制御信号Ssrに基づいてクロック信号CLK1をコマンドバッファ21に設けられるコマンドキュー31及びライトデータキュー32に出力する。通常モードから低消費電力モードへの移行のとき、クロックゲーティング回路25に入力される制御信号SsrがEnableとなり、クロックゲーティング回路25はコマンドバッファ21へ1エントリーに対応するクロック信号CLK1以外信号の供給を停止する。
このため、通常モードから低消費電力モードへの移行のとき、必要とされる以外のクロック信号CLK1は供給されないので、システム半導体装置1では余分な電力が消費されないので消費電力を低減することができる。
なお、本実施例では、データ処理装置11に中央演算処理装置(CPU Central Processing Unit)機能を持たせているが、CPUを別個に設け、データ処理装置11にデータ処理機能のみ持たせてもよい。
次に、本発明の実施例2に係るシステム半導体装置について、図面を参照して説明する。図6は組み込みシステム装置を示すブロック図である。本実施例では、メモリコントローラの構成を変更している。
以下、実施例1と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
図6に示すように、組み込みシステム装置50aには、システム半導体装置1aとシステムメモリ2が設けられる。組み込みシステム装置50aは、例えば、組み込まれた各種機器に図示しないインターフェースを介して接続され、組み込まれた各種機器を統括制御する。
システム半導体装置1aは、SoC或いはシステムLSIとも呼称される。システム半導体装置1aには、データ処理装置11、メモリコントローラ12a、インターフェースI/F1、及びインターフェースI/F2が設けられる。
メモリコントローラ12aは、データ処理装置11とシステムメモリ2間のデータ転送制御を行う。メモリコントローラ12aには、コマンドバッファ21、制御レジスタ22、バンクシーケンサ23、制御信号生成回路24、及びスイッチ26が設けられる。
制御レジスタ22は、コマンドバッファ21へクロック信号を伝送するかどうかを制御する制御信号Ssraをスイッチ26に出力する。通常モードからセルフリフレッシュモードへの移行のとき、制御信号Ssraは、実施例1の制御信号Ssrの信号レベルの変化とは異なり、コマンドキュー31及びライトデータキュー32の1エントリーに対応するクロック信号CLK1がコマンドバッファ21に出力された後、Disableの“Low”レベルからEnableの“High”レベルに変更される。また、セルフリフレッシュモードから通常モードへの移行のとき、制御信号Ssraは、1エントリーに対応する分だけ遅延してEnableの“High”レベルからDisableの“Low”レベルに変更される。
スイッチ26は、SPDT(Single Pole Double Throw)スイッチであり、制御信号Ssraが入力され、ポール(pole)側はコマンドバッファ21のコマンドキュー31及びライトデータキュー32に接続され、スロー(Throw)側はクロック信号CLK1が伝送される信号線と低電位側電源(接地電位)Vssに接続される。スイッチ26は、制御信号Ssraに基づいて、クロック信号CLK1が伝送される信号線とコマンドキュー31及びライトデータキュー32の接続、或いは低電位側電源(接地電位)Vssとコマンドキュー31及びライトデータキュー32の接続のいずれかを選択し、信号S1をコマンドキュー31及びライトデータキュー32に出力する。
スイッチ26は、クロック信号供給停止手段として機能し、制御信号SsraがDisableの“Low”レベルのとき、クロック信号CLK1を信号S1としてコマンドキュー31及びライトデータキュー32に出力し、制御信号SsrがEnableの“High”レベルのとき、低電位側電源(接地電位)Vssレベルの信号S1をコマンドキュー31及びライトデータキュー32に出力する。
つまり、スイッチ26は、実施例1のクロックゲーティング回路25と同様な動作を行うこととなる。
上述したように、本実施例のシステム半導体装置では、組み込みシステム装置50aには、システム半導体装置1aとシステムメモリ2が設けられる。システム半導体装置1aには、データ処理装置11、メモリコントローラ12a、インターフェースI/F1、及びインターフェースI/F2が設けられる。メモリコントローラ12aには、コマンドバッファ21、制御レジスタ22、バンクシーケンサ23、制御信号生成回路24、及びスイッチ26が設けられる。スイッチ26は、制御レジスタ22とコマンドバッファ21の間に設けられ、クロック信号CLK1と制御レジスタ22から出力される制御信号Ssraが入力される。通常モードのとき、スイッチ26は入力されるDisableの制御信号Ssraに基づいてクロック信号CLK1をコマンドバッファ21に設けられるコマンドキュー31及びライトデータキュー32に出力する。通常モードから低消費電力モードへの移行のとき、スイッチ26は入力される制御信号SsraがEnableとなりコマンドバッファ21へは1エントリーに対応するクロック信号CLK1以外供給を停止する。
このため、通常モードから低消費電力モードへの移行のとき、必要とされる以外のクロック信号CLK1は供給されないので、システム半導体装置1aでは余分な電力が消費されないので消費電力を低減することができる。
本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更してもよい。
例えば、実施例では、システム半導体装置とシステムメモリの間をインターフェースを介して接続しているが、システム半導体装置とシステムメモリの間をシステムバスを介して接続してもよい。また、データ処理装置にユーザ定義が可能なコプロセッサなどを設けてもよい。
1、1a システム半導体装置
2 システムメモリ
11 データ処理装置
12、12a メモリコントローラ
21 コマンドバッファ
22 制御レジスタ
23 バンクシーケンサ
24 制御信号生成部
25 クロックゲーティング回路
26 スイッチ
31 コマンドキュー
32 ライトデータキュー
50、50a 組み込みシステム装置
CLK1 クロック信号
CLKG ゲーティドクロック信号
I/F1、I/F2 インターフェース
S1 信号
Ssr、Ssra 制御信号
Vss 低電位側電源(接地電位)
2 システムメモリ
11 データ処理装置
12、12a メモリコントローラ
21 コマンドバッファ
22 制御レジスタ
23 バンクシーケンサ
24 制御信号生成部
25 クロックゲーティング回路
26 スイッチ
31 コマンドキュー
32 ライトデータキュー
50、50a 組み込みシステム装置
CLK1 クロック信号
CLKG ゲーティドクロック信号
I/F1、I/F2 インターフェース
S1 信号
Ssr、Ssra 制御信号
Vss 低電位側電源(接地電位)
Claims (5)
- データを格納する内蔵メモリ、演算ユニット、及びメモリ管理ユニットを有し、システムメモリへのアクセス要求を生成するデータ処理装置と、
複数エントリーのコマンドキュー及びライトデータキューを備えるコマンドバッファと、データ転送を制御する制御レジスタと、前記制御レジスタから出力される制御信号とクロック信号が入力され、出力信号を前記コマンドバッファに出力するクロック信号供給停止手段とを有し、前記データ処理装置から前記システムメモリへのアクセス要求が入力され、前記システムメモリにデータ転送を行うメモリコントローラと、
を具備し、通常モードのとき、前記クロック信号停止手段が前記制御信号に基づいて前記クロック信号を前記コマンドバッファに出力し、低消費電力モードへの移行のとき、前記クロック信号停止手段が前記制御信号に基づいてコマンドキュー及びライトデータキューの1エントリーに対応するクロック信号を前記コマンドバッファに出力し、他のエントリーに対応するクロック信号の前記コマンドバッファへの供給を停止することを特徴とするシステム半導体装置。 - 前記メモリコントローラは、前記システムメモリのバンク毎にシーケンサが設けられ、それぞれのバンクの状態を管理するバンクシーケンサと、前記システムメモリに対するデータ転送のコマンドとライトデータが入力され、前記システムメモリを制御する信号を生成してシステムメモリアクセスを実現する制御信号生成回路とを具備することを特徴とする請求項1に記載のシステム半導体装置。
- 低消費電力モードから通常モードへの移行のとき、前記クロック信号停止手段が前記制御信号に基づいて前記クロック信号の前記コマンドバッファへの供給を再開することを特徴とする請求項1又は2に記載のシステム半導体装置。
- 前記クロック信号停止手段は、クロックゲーティング回路或いはSPDTスイッチであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のシステム半導体装置。
- 前記システムメモリは、SDRAM、DDR SDRAM、或いはDDR2 SDRAMであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のシステム半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008109460A JP2009259114A (ja) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | システム半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008109460A JP2009259114A (ja) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | システム半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009259114A true JP2009259114A (ja) | 2009-11-05 |
Family
ID=41386435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008109460A Pending JP2009259114A (ja) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | システム半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009259114A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9335951B2 (en) | 2012-08-29 | 2016-05-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device for reducing a write fail, a system including the same, and a method thereof |
US9465757B2 (en) | 2013-06-03 | 2016-10-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device |
-
2008
- 2008-04-18 JP JP2008109460A patent/JP2009259114A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9335951B2 (en) | 2012-08-29 | 2016-05-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device for reducing a write fail, a system including the same, and a method thereof |
US9465757B2 (en) | 2013-06-03 | 2016-10-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9916879B2 (en) | Semiconductor memory device and I/O control circuit therefor | |
KR100692345B1 (ko) | 프로세서 전력 상태들을 고려하는 메모리 제어기 | |
Branover et al. | Amd fusion apu: Llano | |
US8769332B2 (en) | Regional clock gating and dithering | |
US20120030396A1 (en) | Decoupled Memory Modules: Building High-Bandwidth Memory Systems from Low-Speed Dynamic Random Access Memory Devices | |
US20110264934A1 (en) | Method and apparatus for memory power management | |
JP3715716B2 (ja) | 半導体メモリ装置のクロック発生回路 | |
KR100806284B1 (ko) | 동적 전압 스케일링을 적용한 고효율 프로세서 | |
US20060152983A1 (en) | Memory device and method having low-power, high write latency mode and high-power, low write latency mode and/or independently selectable write latency | |
WO1999019874A1 (en) | Power control system for synchronous memory device | |
CN1989478A (zh) | 用于动态dll掉电和存储器自刷新的方法和装置 | |
JP2005135368A (ja) | 省電力制御回路及びその方法 | |
KR20220123512A (ko) | 메모리 컨텍스트 복원, 더블 데이터 레이트 메모리 트레이닝을 감소시킴으로써 시스템 온 칩의 부트 시간의 감소 | |
US10732697B2 (en) | Voltage rail coupling sequencing based on upstream voltage rail coupling status | |
CN118202319A (zh) | 电源电压下降期间的性能管理 | |
US8797811B2 (en) | Method and apparatus to reduce power consumption by transferring functionality from memory components to a memory interface | |
JP2008059300A (ja) | マイクロコンピュータ | |
KR20100064902A (ko) | 버퍼인에이블신호 생성회로 및 이를 이용한 입력회로 | |
US7000133B2 (en) | Method and apparatus for controlling power states in a memory device utilizing state information | |
JP2009259114A (ja) | システム半導体装置 | |
JP3942074B2 (ja) | データ入出力装置、メモリ・システム、データ入出力回路およびデータ入出力方法 | |
JP4716167B2 (ja) | データ処理方法およびデータ処理装置並びに画像形成装置 | |
US20190066777A1 (en) | Per-pin compact reference voltage generator | |
CN101425330A (zh) | 一种同步动态存储器的刷新控制模块 | |
KR102675356B1 (ko) | 메모리 모듈 전력 제어 장치 및 메모리 전력 제어 장치 |