JP2009253155A - Electrical component - Google Patents

Electrical component Download PDF

Info

Publication number
JP2009253155A
JP2009253155A JP2008101592A JP2008101592A JP2009253155A JP 2009253155 A JP2009253155 A JP 2009253155A JP 2008101592 A JP2008101592 A JP 2008101592A JP 2008101592 A JP2008101592 A JP 2008101592A JP 2009253155 A JP2009253155 A JP 2009253155A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
electrical component
film
substrate
protective film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008101592A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsuya Oguro
達也 大黒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2008101592A priority Critical patent/JP2009253155A/en
Publication of JP2009253155A publication Critical patent/JP2009253155A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Micromachines (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrical component which is provided with a MEMS variable capacitor having a high variable proportion. <P>SOLUTION: The electrical component includes a first electrode 12 which is formed on the major surface of a substrate 11 and whose first surface 12a on the other side of the substrate 11 is covered with an insulating film 13, a second electrode 14 which has a first surface 14a which is separated from and opposed to the first surface 12a of the first electrode 12 and is driven by an actuator part and a first protective film 15 which is formed on the first surface 14a of the second electrode 14 for preventing the first surface 14a of the second electrode 14 from being roughened by thermal hysteresis. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気部品に関する。   The present invention relates to an electrical component.

ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて形成された可変容量キャパシタは、可変比が大きい、歪が少ない、Ｑ値が大きい等の利点を有し、携帯機器のアンテナ整合回路などに有効である。   A variable capacitor formed using MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology has advantages such as a large variable ratio, low distortion, and a large Q value, and is effective for an antenna matching circuit of a portable device. .

従来、ＭＥＭＳ可変容量キャパシタは、基板上に形成された第１電極と、アクチュエータにより駆動される第２電極とを備え、第１電極および第２電極の一方の表面に形成された絶縁膜を介して第１電極と第２電極とを密着させることにより、大きな可変比を得ている(例えば、特許文献１参照。）。   2. Description of the Related Art Conventionally, a MEMS variable capacitor includes a first electrode formed on a substrate and a second electrode driven by an actuator, and an insulating film formed on one surface of the first electrode and the second electrode. By bringing the first electrode and the second electrode into close contact with each other, a large variable ratio is obtained (see, for example, Patent Document 1).

特許文献１に開示されたＭＥＭＳ可変容量キャパシタは、空洞の下部に位置する第１電極と、空洞の内部に位置する可動部と、可動部に結合される第２電極とを具備し、可動部として機能する絶縁層を介して第１電極と第２電極とが密着している。   The MEMS variable capacitance capacitor disclosed in Patent Document 1 includes a first electrode located at a lower part of a cavity, a movable part located inside the cavity, and a second electrode coupled to the movable part, and the movable part. The first electrode and the second electrode are in close contact with each other through the insulating layer functioning as

然しながら、特許文献１に開示されたＭＥＭＳ可変容量キャパシタは、ＭＥＭＳ可変容量キャパシタの製造工程およびＭＥＭＳ可変容量キャパシタをパッケージする工程における熱履歴に起因して、第１電極と第２電極との密着性が低下する問題がある。
そのため、高い可変比を有するＭＥＭＳ可変容量キャパシタが得られなくなる問題がある。
特開２００６−３２６８０６号公報 However, the MEMS variable capacitance capacitor disclosed in Patent Document 1 has the adhesion between the first electrode and the second electrode due to the thermal history in the manufacturing process of the MEMS variable capacitance capacitor and the process of packaging the MEMS variable capacitance capacitor. There is a problem that decreases.
Therefore, there is a problem that a MEMS variable capacitor having a high variable ratio cannot be obtained.
JP 2006-326806 A

本発明は、高い可変比を有するＭＥＭＳ可変容量キャパシタを備えた電気部品を提供する。   The present invention provides an electrical component comprising a MEMS variable capacitor having a high variable ratio.

本発明の一態様の電気部品は、基板の主面に形成され、前記基板と反対側の第１の面が絶縁膜で覆われた第１電極と、前記第１電極の前記第１の面と離間して対向する第１の面を有し、アクチュエータ部により駆動される第２電極と、前記第２電極の前記第１の面に形成され、熱履歴により前記第２電極の前記第１の面が粗面化するのを防止するための第１保護膜と、を具備することを特徴としている。   An electrical component of one embodiment of the present invention is formed on a main surface of a substrate, a first electrode having a first surface opposite to the substrate covered with an insulating film, and the first surface of the first electrode The first electrode of the second electrode is formed on the first surface of the second electrode and the second electrode driven by an actuator unit, and is formed by a thermal history. And a first protective film for preventing the surface from becoming rough.

本発明によれば、高い可変比を有するＭＥＭＳ可変容量キャパシタを備えた電気部品が得られる。   According to the present invention, an electrical component including a MEMS variable capacitor having a high variable ratio can be obtained.

以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

本発明の実施例に係る電気部品について図１乃至図５を用いて説明する。図１は電気部品を示す断面図、図２は電気部品の動作を比較例と対比して示す図で、図２（ａ）が本実施例を示す図、図２（ｂ）が比較例を示す図、図３乃至図５は電気部品の製造工程の要部を順に示す断面図である。   An electrical component according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 is a cross-sectional view showing an electrical component, FIG. 2 is a diagram showing the operation of the electrical component in comparison with a comparative example, FIG. 2 (a) is a diagram showing this embodiment, and FIG. 2 (b) is a comparative example. FIGS. 3 to 5 are cross-sectional views sequentially showing the main part of the manufacturing process of the electrical component.

図１に示すように、本実施例の電気部品１０は、ＭＥＭＳ技術を用いて形成された静電駆動型の可変容量キャパシタである。   As shown in FIG. 1, the electrical component 10 of the present embodiment is an electrostatic drive type variable capacitor formed by using MEMS technology.

電気部品１０は、基板１１の主面に形成され、基板１１と反対側の第１の面１２ａが絶縁膜１３で覆われた第１電極１２と、第１電極１２の第１の面１２ａと離間して対向する第１の面１４ａを有し、後述するアクチュエータ部により駆動される第２電極１４と、第２電極１４の第１の面１４ａに形成され、熱履歴により第２電極１４の第１の面１４ａが粗面化するのを防止するための第１保護膜１５と、を具備している。   The electrical component 10 is formed on the main surface of the substrate 11, the first electrode 12 having a first surface 12 a opposite to the substrate 11 covered with an insulating film 13, and the first surface 12 a of the first electrode 12 The first electrode 14a has a first surface 14a that is spaced apart and is opposed to the second electrode 14 that is driven by an actuator unit, which will be described later, and the first surface 14a of the second electrode 14. And a first protective film 15 for preventing the first surface 14a from being roughened.

アクチュエータ部は、第１電極１２の両側に離間して配置され、基板１１の主面から立設した導電性の一対の脚部１６ａ、１６ｂと、一対の脚部１６ａ、１６ｂの上端から基板１１と平行な方向に延伸し、先端が離間して対向する導電性の一対の腕部１７ａ、１７ｂと、第１電極１２と一対の脚部１６ａ、１６ｂとの間の基板１１の主面に形成された一対の第３電極１８ａ、１８ｂと、を具備している。   The actuator portions are arranged on both sides of the first electrode 12 so as to be separated from each other, and the pair of conductive legs 16a and 16b erected from the main surface of the substrate 11 and the substrate 11 from the upper ends of the pair of legs 16a and 16b. Is formed on the main surface of the substrate 11 between the pair of conductive arms 17a and 17b opposite to each other and the first electrode 12 and the pair of legs 16a and 16b. And a pair of third electrodes 18a and 18b.

第２電極１４は、対向する一対の腕部１７ａ、１７ｂの先端に、絶縁材１９ａ、１９ｂを介して結合されている。絶縁材１９ａ、１９ｂは、第２電極１４を腕部１７ａ、１７ｂの先端に結合するためのジョイントである。   The second electrode 14 is coupled to the tips of a pair of opposing arms 17a and 17b via insulating materials 19a and 19b. The insulating materials 19a and 19b are joints for connecting the second electrode 14 to the tips of the arm portions 17a and 17b.

基板１１は、例えばシリコン基板２０と、シリコン基板２０上に形成されたシリコン酸化膜２１とで構成されている。   The substrate 11 is composed of, for example, a silicon substrate 20 and a silicon oxide film 21 formed on the silicon substrate 20.

第１電極１２、第２電極１４、脚部１６ａ、１６ｂ、腕部１７ａ、１７ｂ、第３電極１８ａ、１８ｂ、は、例えばアルミニウムである。   The first electrode 12, the second electrode 14, the leg portions 16a and 16b, the arm portions 17a and 17b, and the third electrodes 18a and 18b are, for example, aluminum.

絶縁膜１３は、基板１１の主面上と、第１電極１２の両側面と、第３電極１８ａ、１８ｂの上面および両側面と、脚部１６ａ、１６ｂの両側面の下部とにも形成されている。   The insulating film 13 is also formed on the main surface of the substrate 11, both side surfaces of the first electrode 12, the upper surface and both side surfaces of the third electrodes 18a and 18b, and the lower portions of both side surfaces of the leg portions 16a and 16b. ing.

第２電極１４がアクチュエータ部により駆動されて第１電極１２に密着すると、第１電極１２と第２電極１４が絶縁膜１３からなる容量を介して接続された状態となる。
従って、絶縁膜１３は、比誘電率の大きな絶縁膜材料、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）、アルミニユム酸化膜（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、タンタル酸化膜（Ｔａ２Ｏ３）などが望ましい。 When the second electrode 14 is driven by the actuator portion and is in close contact with the first electrode 12, the first electrode 12 and the second electrode 14 are connected via a capacitor made of the insulating film 13.
Accordingly, the insulating film 13 is made of an insulating film material having a large relative dielectric constant, such as a silicon nitride film (SiN), an aluminum oxide film (Al 2 O 3 ), an aluminum nitride (AlN), a tantalum oxide film (Ta 2 O 3 ), etc. Is desirable.

第１保護膜１５は、高融点金属膜、高融点金属の化合物膜で、例えばチタン（Ｔｉ）／窒化チタン（ＴｉＮ）の積層膜である。   The first protective film 15 is a refractory metal film or a refractory metal compound film, for example, a laminated film of titanium (Ti) / titanium nitride (TiN).

アクチュエータ部を外部から保護し、アクチュエータ部の動作空間を確保するために、凹部を有する蓋体２２が、接着層（図示せず）を介して基板１１に固着され、空洞（以後、キャビティとも言う）２３が形成されている。   In order to protect the actuator portion from the outside and to secure an operation space of the actuator portion, a lid body 22 having a recess is fixed to the substrate 11 via an adhesive layer (not shown), and a cavity (hereinafter also referred to as a cavity). ) 23 is formed.

キャビティ２３内は、リンギングを抑制するために窒素あるいはアルゴンガスといった不活性ガスで充満されているか、高速動作を空気抵抗で阻害しないように低圧状態に保持されている。   The cavity 23 is filled with an inert gas such as nitrogen or argon gas in order to suppress ringing, or is kept at a low pressure so as not to impede high-speed operation with air resistance.

アルミニウムは、３００℃以上の熱履歴が加えられると、表面のアルミニウムが凝縮してヒロックが発生し、表面が粗面化することが知られている。
従って、電気部品１０の製造工程や、電気部品１０をパッケージする工程において、露出したアルミニウムの表面にヒロックが発生する。 It is known that when a heat history of 300 ° C. or higher is applied to aluminum, aluminum on the surface condenses to generate hillocks, and the surface becomes rough.
Accordingly, hillocks are generated on the exposed aluminum surface in the manufacturing process of the electrical component 10 and the packaging process of the electrical component 10.

具体的には、脚部１６ａ、１６ｂの上部、腕部１７ａ、１７ｂにヒロック２４ａ、２４ｂが発生する。第２電極１４の第１の面１４ａと反対の第２の面１４ｂにヒロック２５が発生する。   Specifically, hillocks 24a and 24b are generated on the upper portions of the leg portions 16a and 16b and on the arm portions 17a and 17b. A hillock 25 is generated on the second surface 14 b opposite to the first surface 14 a of the second electrode 14.

一方、第２電極１４の第１の面１４ａは、第１保護膜１５で覆われ、表面が露出していないので、ヒロックの発生を防止することが可能である。
即ち、第１保護膜１５は、表面のアルミニウムの凝縮およびマイグレーションを防止するバリア膜として機能している。 On the other hand, since the first surface 14a of the second electrode 14 is covered with the first protective film 15 and the surface is not exposed, generation of hillocks can be prevented.
That is, the first protective film 15 functions as a barrier film that prevents the condensation and migration of aluminum on the surface.

図２は電気部品１０の動作を比較例と対比して示す図で、図２（ａ）が本実施例を示す図、図２（ｂ）が比較例を示す図である。
ここで、比較例とは、第１保護膜１５を有しない電気部品１０を意味している。始めに、比較例について説明する。 2A and 2B are diagrams showing the operation of the electrical component 10 in comparison with the comparative example. FIG. 2A is a diagram showing the present embodiment, and FIG. 2B is a diagram showing the comparative example.
Here, the comparative example means the electrical component 10 that does not have the first protective film 15. First, a comparative example will be described.

図２（ｂ）に示すように、比較例の電気部品３０は、第２電極１４の第１の面１４ａが露出しているので、電気部品３０の製造工程や、電気部品３０をパッケージする工程において、露出した第１の面１４ａにもヒロック３１が発生する。   As shown in FIG. 2B, since the first surface 14a of the second electrode 14 is exposed in the electrical component 30 of the comparative example, the manufacturing process of the electrical component 30 and the process of packaging the electrical component 30 are performed. The hillock 31 is also generated on the exposed first surface 14a.

アクチュエータ部の脚部１６ａ、１６ｂと第３電極１８ａ、１８ｂとの間に直流電圧を印加すると、静電引力により腕部１７ａ、１７ｂは第３電極１８ａ、１８ｂに引き寄せられて第２電極１４が駆動され、第１電極１２と第２電極１４との距離が変化する。   When a DC voltage is applied between the leg portions 16a, 16b of the actuator portion and the third electrodes 18a, 18b, the arm portions 17a, 17b are attracted to the third electrodes 18a, 18b by electrostatic attraction, and the second electrode 14 is pulled. When driven, the distance between the first electrode 12 and the second electrode 14 changes.

然し、第２電極１４は、第１の面１４ａにヒロック３１が発生して粗面化しているので、第１電極１２と密着できなくなり、静電容量の可変比が小さくなる。   However, since the hillock 31 is generated on the first surface 14a and is roughened, the second electrode 14 cannot be brought into close contact with the first electrode 12, and the capacitance variable ratio becomes small.

一方、図２（ａ）に示すように、本実施例の電気部品１０は、第２電極１４の第１の面１４ａが第１保護膜１５で覆われ、ヒロックの発生を防止しているので、第２電極１４は第１電極１２と密着でき、静電容量の可変比が大きくなる。ここで、図２（ａ）においては、直流電圧を印加する回路図は省略している。   On the other hand, as shown in FIG. 2A, in the electrical component 10 of the present embodiment, the first surface 14a of the second electrode 14 is covered with the first protective film 15 to prevent the generation of hillocks. The second electrode 14 can be in close contact with the first electrode 12 and the variable ratio of capacitance increases. Here, in FIG. 2A, a circuit diagram for applying a DC voltage is omitted.

次に、電気部品１０の製造方法について説明する。図３乃至図５は電気部品の製造工程の要部を順に示す断面図である。   Next, a method for manufacturing the electrical component 10 will be described. 3 to 5 are cross-sectional views sequentially showing the main part of the electrical component manufacturing process.

始めに、図３（ａ）に示すように、基板１１の主面に、例えば真空蒸着法により厚さ１μｍ程度のアルミニウム膜を形成し、フォトリソグラフィー法によりパターニングして、第１電極１２、第３電極１８ａ、１８ｂ、脚部１６ａ、１６ｂの下部４０ａ、４０ｂを形成する。   First, as shown in FIG. 3A, an aluminum film having a thickness of about 1 μm is formed on the main surface of the substrate 11 by, for example, a vacuum deposition method, and is patterned by a photolithography method. The three electrodes 18a and 18b and the lower portions 40a and 40b of the leg portions 16a and 16b are formed.

次に、図３（ｂ）に示すように、第１電極１２、第３電極１８ａ、１８ｂ、脚部１６ａ、１６ｂの下部４０ａ、４０ｂを含む基板１１の主面上にコンフォーマルに、絶縁膜１３として、例えば例えば厚さ２００ｎｍのシリコン窒化膜と厚さ８ｎｍのアルミナ膜との積層膜を形成する。
即ち、基板１１の主面と、第１電極１２、第３電極１８ａ、１８ｂ、脚部１６ａ、１６ｂの下部４０ａ、４０ｂの上面および両側面とに絶縁膜１３を形成する。 Next, as shown in FIG. 3B, the insulating film is conformally formed on the main surface of the substrate 11 including the first electrode 12, the third electrodes 18a and 18b, and the lower portions 40a and 40b of the leg portions 16a and 16b. As 13, for example, a stacked film of a silicon nitride film having a thickness of 200 nm and an alumina film having a thickness of 8 nm is formed.
That is, the insulating film 13 is formed on the main surface of the substrate 11 and the upper surfaces and both side surfaces of the first electrode 12, the third electrodes 18a and 18b, and the lower portions 40a and 40b of the leg portions 16a and 16b.

次に、図３（ｃ）に示すように、第１電極１２、第３電極１８ａ、１８ｂ、脚部１６ａ、１６ｂの下部４０ａ、４０ｂを含む基板１１の主面上に犠牲膜４１、例えば厚さ１０μｍ程度の感光性ポリイミド膜を形成する。   Next, as shown in FIG. 3C, a sacrificial film 41, for example, a thickness is formed on the main surface of the substrate 11 including the first electrode 12, the third electrodes 18a and 18b, and the lower portions 40a and 40b of the legs 16a and 16b. A photosensitive polyimide film having a thickness of about 10 μm is formed.

次に、図４（ａ）に示すように、犠牲膜４１上に、例えばスパッタリング法により厚さ１００ｎｍ程度のＴｉ／ＴｉＮ積層膜を形成し、フォトリソグラフィー法によりパターニングして、第１電極１２と対応する位置に第１保護膜１５を形成する。   Next, as shown in FIG. 4A, a Ti / TiN laminated film having a thickness of about 100 nm is formed on the sacrificial film 41 by sputtering, for example, and patterned by photolithography to form the first electrode 12 and The first protective film 15 is formed at the corresponding position.

次に、第１保護膜１５を含む犠牲膜４１上に、脚部１６ａ、１６ｂの下部４０ａ、４０ｂに対応する位置に開口を有するレジスト膜（図示せず）を形成し、レジスト膜をマスクとして、犠牲膜４１に酸素とＣＦ４の混合ガスを用いたプラズマ処理を施し、脚部１６ａ、１６ｂの下部４０ａ、４０ｂに到る貫通孔４２ａ、４２ｂを形成する。 Next, a resist film (not shown) having openings at positions corresponding to the lower portions 40a and 40b of the leg portions 16a and 16b is formed on the sacrificial film 41 including the first protective film 15, and the resist film is used as a mask. The sacrificial film 41 is subjected to plasma treatment using a mixed gas of oxygen and CF 4 to form through holes 42a and 42b reaching the lower portions 40a and 40b of the leg portions 16a and 16b.

次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜を、例えばアッシャーを用いて剥離した後、第１保護膜１５を含む犠牲膜４１上に、アルミニウム膜４３を形成し、貫通孔４２ａ、４２ｂを埋め込む。
貫通孔４２ａ、４２ｂに埋め込まれたアルミニウムは、脚部１６ａ、１６ｂの下部４０ａ、４０ｂに接続され、脚部１６ａ、１６ｂの上部となる。 Next, as shown in FIG. 4B, after the resist film is removed using, for example, an asher, an aluminum film 43 is formed on the sacrificial film 41 including the first protective film 15, and the through holes 42a, Embed 42b.
The aluminum embedded in the through holes 42a and 42b is connected to the lower portions 40a and 40b of the leg portions 16a and 16b and becomes the upper portions of the leg portions 16a and 16b.

次に、図４（ｃ）に示すように、アルミニウム膜４３をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、第２電極１４、アクチュエータ部の脚部１６ａ、１６ｂおよび腕部１７ａ、１７ｂを形成する。   Next, as shown in FIG. 4C, the aluminum film 43 is patterned by photolithography to form the second electrode 14, the leg portions 16a and 16b of the actuator portion, and the arm portions 17a and 17b.

次に、図５（ａ）に示すように、第２電極１４と、アクチュエータ部の腕部１７ａ、１７ｂを含む犠牲膜４１上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によりシリコン酸化膜（図示せず）を形成し、フォトリソグラフィー法によりパターニングして、絶縁材１９ａ、１９ｂを形成する。
これにより、分離された第２電極１４と、アクチュエータ部の腕部１７ａ、１７ｂとが絶縁材１９ａ、１９ｂを介して結合される。 Next, as shown in FIG. 5A, a silicon oxide film (not shown) is formed on the sacrificial film 41 including the second electrode 14 and the arm portions 17a and 17b of the actuator portion by, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. And insulating materials 19a and 19b are formed by patterning by photolithography.
As a result, the separated second electrode 14 and the arm portions 17a and 17b of the actuator portion are coupled via the insulating materials 19a and 19b.

絶縁材１９ａ、１９ｂは、第２電極１４と腕部１７ａ、１７ｂに結合するジョイントとして機能するので、機械的強度を維持するために緻密な膜であることが必要であり、そのためには、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する温度は３５０〜４００℃程度になる。   Since the insulating materials 19a and 19b function as a joint that couples to the second electrode 14 and the arm portions 17a and 17b, it is necessary to be a dense film in order to maintain the mechanical strength. The temperature for forming the silicon oxide film by the method is about 350 to 400 ° C.

このとき、表面が露出している第２電極１４の第２の面１４ｂに、表面のアルミニウムが凝縮してヒロック２５が発生する。
同様に、表面が露出している腕部１７ａ、１７ｂに、表面のアルミニウムが凝縮してヒロック２４ａ、２４ｂが発生する。
犠牲膜４１は、アルミニウムの凝集を抑える効果が少ないので、ヒロック２４ａ、２４ｂは、犠牲膜４１に接している腕部１７ａ、１７ｂの下面にも発生する。 At this time, aluminum on the surface condenses on the second surface 14b of the second electrode 14 whose surface is exposed, and hillocks 25 are generated.
Similarly, aluminum on the surface is condensed on the arm portions 17a and 17b whose surfaces are exposed, and hillocks 24a and 24b are generated.
Since the sacrificial film 41 has little effect of suppressing the aggregation of aluminum, the hillocks 24 a and 24 b are also generated on the lower surfaces of the arm portions 17 a and 17 b in contact with the sacrificial film 41.

一方、第２電極１４の第１の面１４ａは、第１保護膜１５で覆われているので、アルミニウムは凝集できず、ヒロックは発生しない。
これにより、第２電極の下面が粗面化するのを防止し、平坦面を維持することが可能である。 On the other hand, since the first surface 14a of the second electrode 14 is covered with the first protective film 15, aluminum cannot be aggregated and hillocks do not occur.
Thereby, it is possible to prevent the lower surface of the second electrode from being roughened and maintain a flat surface.

次に、図５（ｂ）に示すように、酸素とＣＦ４の混合ガスを用いて、基板温度１５０℃で１５分程度プラズマ処理を施し、犠牲膜４１エッチングする。
これにより、絶縁膜１３で覆われた第１電極１２と、アクチュエータ部により駆動される第２電極１４とを有するＭＥＭＳ可変容量キャパシタが得られる。 Next, as shown in FIG. 5B, plasma treatment is performed at a substrate temperature of 150 ° C. for about 15 minutes using a mixed gas of oxygen and CF 4 , and the sacrificial film 41 is etched.
Thereby, a MEMS variable capacitor having the first electrode 12 covered with the insulating film 13 and the second electrode 14 driven by the actuator unit is obtained.

次に、図１に示すように、アクチュエータ部を覆う蓋体２２を、接着層（図示せず）を介して基板１１に固着することにより、ＭＥＭＳ可変容量キャパシタを有する電気部品１０が完成する。   Next, as shown in FIG. 1, the lid 22 covering the actuator unit is fixed to the substrate 11 via an adhesive layer (not shown), thereby completing the electrical component 10 having the MEMS variable capacitance capacitor.

以上説明したように、本実施例の電気部品１０は、熱履歴により第２電極１４の第１の面１４ａが粗面化するのが防止するための第１保護膜１５を有している。
その結果、電気部品１０の製造工程や、電気部品１０をパッケージする工程において、第２電極１４の第１の面１４ａにヒロックが発生するのが防止され、平坦な面が維持される。
従って、高い可変比を有するＭＥＭＳ可変容量キャパシタを備えた電気部品１０が得られる。 As described above, the electrical component 10 of the present embodiment has the first protective film 15 for preventing the first surface 14a of the second electrode 14 from being roughened due to the thermal history.
As a result, hillocks are prevented from occurring on the first surface 14a of the second electrode 14 in the manufacturing process of the electrical component 10 and the packaging process of the electrical component 10, and a flat surface is maintained.
Therefore, the electrical component 10 provided with the MEMS variable capacitor having a high variable ratio is obtained.

ここでは、第２電極１４がアルミニウムである場合について説明したが、アルミニウムを主成分とする合金、例えばアルミニウムに少量のシリコンを添加したアルミニウム合金でも構わない。
また、熱履歴によってヒロックが発生する金属、例えば金、金ニッケル合金、または白金などでも同様である。 Although the case where the second electrode 14 is aluminum has been described here, an alloy containing aluminum as a main component, for example, an aluminum alloy obtained by adding a small amount of silicon to aluminum may be used.
The same applies to metals that generate hillocks due to thermal history, such as gold, gold-nickel alloy, or platinum.

第１保護膜１５が高融点金属Ｔｉ／ＴｉＮの積層膜である場合について説明したが、ＴｉまたはＴｉＮの単層膜でも構わない。
更に、その他の高融点金属、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびその他の高融点金属の化合物、例えばタングステンシリサイド（ＷＳｉ）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）などでも構わない。
種々検討した結果、第１の保護膜１５として、高融点金属（周期律表のVａ〜VIIａ族の金属）を中心として、概ね２０００℃以上の融点を有する材料が適している。 Although the case where the first protective film 15 is a laminated film of refractory metal Ti / TiN has been described, a single layer film of Ti or TiN may be used.
Furthermore, other refractory metals such as tungsten (W), molybdenum (Mo), and other refractory metal compounds such as tungsten silicide (WSi) and molybdenum silicide (MoSi) may be used.
As a result of various investigations, a material having a melting point of approximately 2000 ° C. or higher, centering on a high melting point metal (a metal of group Va to VIIa in the periodic table), is suitable as the first protective film 15.

更に、第２電極１４の第１の面１４ａが粗面化するのを防止できるものであればよく、絶縁膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２）なども可能である。 Furthermore, any insulating film such as a silicon oxide film (SiO 2 ), a silicon nitride film (SiN), or a silicon oxynitride film may be used as long as it can prevent the first surface 14a of the second electrode 14 from being roughened. (SiO x N y ), aluminum oxide film (Al 2 O 3 ), hafnium oxide film (HfO 2 ), and the like are also possible.

第１保護膜１５が絶縁膜の場合は、出来るだけ誘電率の高い膜であることが望ましい。これは、第１電極１２と第２電極１４が密着したときの電極間の距離が大きくなる、あるいは容量が直列に形成されるので最大容量が低下し、容量の可変比の低下を抑制するためである。
従って、目的の最大容量および容量の可変比が得られる範囲内において使用することが望ましい。 When the first protective film 15 is an insulating film, it is desirable that the film has a dielectric constant as high as possible. This is because the distance between the electrodes when the first electrode 12 and the second electrode 14 are in close contact with each other is increased, or the capacity is formed in series, so that the maximum capacity is reduced and the reduction in the variable ratio of the capacity is suppressed. It is.
Therefore, it is desirable to use within the range in which the target maximum capacity and the variable ratio of capacity can be obtained.

本発明の実施例２に係る電気部品について図６および図７を用いて説明する。図６は電気部品を示す断面図、図７は電気部品の製造工程の要部を示す断面図である。
本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
本実施例が実施例１と異なる点は、第２電極の第２の面に第２保護膜を形成したことにある。 An electrical component according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the electrical component, and FIG. 7 is a cross-sectional view showing the main part of the manufacturing process of the electrical component.
In the present embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, description thereof will be omitted, and different portions will be described.
The present embodiment is different from the first embodiment in that a second protective film is formed on the second surface of the second electrode.

即ち、図６に示すように、本実施例の電気部品５０は、第２電極１４の第２の面１４ｂに、熱履歴により第２電極１４の第２の面１４ｂが粗面化するのを防止するための第２保護膜５１、例えば第１保護膜１５と同じ材質の保護膜が形成されている。また、第２保護膜５１は第２電極１４の側面にも形成されている。   That is, as shown in FIG. 6, in the electrical component 50 of the present embodiment, the second surface 14b of the second electrode 14 is roughened by the thermal history on the second surface 14b of the second electrode 14. A second protective film 51 for preventing, for example, a protective film made of the same material as the first protective film 15 is formed. The second protective film 51 is also formed on the side surface of the second electrode 14.

第１保護膜１５と、第２電極１４と、第２保護膜５１との３層構造にしたことにより、残留応力がバランスし、残留応力による反りの発生が防止されるので、第１電極１２と第２電極１４の密着性を更に高めることが可能である。   Since the three-layer structure of the first protective film 15, the second electrode 14, and the second protective film 51 balances the residual stress and prevents the warpage due to the residual stress, the first electrode 12 It is possible to further improve the adhesion of the second electrode 14.

更に、第２電極１４の第２の面１４ｂに、ヒロックが発生するのを防止することができることは言うまでも無い。   Furthermore, it goes without saying that hillocks can be prevented from occurring on the second surface 14 b of the second electrode 14.

即ち、図１に示す第２電極１４と第１保護膜１５の２層構造では、残留応力の違いによって反りが発生する。   That is, in the two-layer structure of the second electrode 14 and the first protective film 15 shown in FIG. 1, warpage occurs due to the difference in residual stress.

一方、アルミニウムの両側を同じ膜構造を有するＴｉ／ＴｉＮ積層膜で挟むことにより、膜の厚さ方向の残留応力がバランスし、残留応力による反りの発生を防止することが可能である。具体的にはＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／ＴｉＮという膜構造である。   On the other hand, by sandwiching both sides of aluminum with a Ti / TiN laminated film having the same film structure, it is possible to balance the residual stress in the thickness direction of the film and to prevent warping due to the residual stress. Specifically, the film structure is TiN / Ti / Al / Ti / TiN.

次に、電気部品５０の製造方法について説明する。図７は電気部品５０の製造工程の要部を示す断面図である。   Next, a method for manufacturing the electrical component 50 will be described. FIG. 7 is a cross-sectional view showing the main part of the manufacturing process of the electrical component 50.

図３および図４に示す工程に従って、第１電極１２、第１保護膜１５、第２電極１４、アクチュエータ部、犠牲膜４１を形成した後、図７（ａ）に示すように、第２電極１４の第２の面１４ｂにＴｉ／ＴｉＮの積層膜を形成し、フオトリソグラフィー法によりパターニングして第２保護膜５１を形成する。   After forming the first electrode 12, the first protective film 15, the second electrode 14, the actuator portion, and the sacrificial film 41 according to the steps shown in FIGS. 3 and 4, the second electrode is formed as shown in FIG. A Ti / TiN laminated film is formed on the second surface 14b of the film 14 and patterned by photolithography to form a second protective film 51.

第２保護膜５１の膜厚は、第１保護膜１５と、第２電極１４と、第２保護膜５１との３層構造膜の厚さ方向の残留応力のバランスを保つために、第１保護膜１５の膜厚と等しくすることが望ましい。   The thickness of the second protective film 51 is set to the first protective film 15, the second electrode 14, and the first protective film 51 in order to maintain the balance of the residual stress in the thickness direction of the three-layer structure film. It is desirable to make it equal to the film thickness of the protective film 15.

次に、図７（ｂ）に示すように、第２電極１４と、アクチュエータ部の腕部１７ａ、１７ｂを含む犠牲膜４１上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によりシリコン酸化膜（図示せず）を形成し、フォトリソグラフィー法によりパターニングして、絶縁材１９ａ、１９ｂを形成する。   Next, as shown in FIG. 7B, a silicon oxide film (not shown) is formed on the sacrificial film 41 including the second electrode 14 and the arm portions 17a and 17b of the actuator portion by, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. And insulating materials 19a and 19b are formed by patterning by photolithography.

このとき、表面が露出している腕部１７ａ、１７ｂに、表面のアルミニウムが凝縮してヒロック２４ａ、２４ｂが発生する。一方、表面が第２保護膜５１で覆われている第２電極１４の第２の面１４ｂには、ヒロックが発生しない。   At this time, aluminum on the surface is condensed on the arm portions 17a and 17b whose surfaces are exposed, and hillocks 24a and 24b are generated. On the other hand, no hillock is generated on the second surface 14 b of the second electrode 14 whose surface is covered with the second protective film 51.

次に、図５（ｂ）に示す工程に従って、犠牲膜４１をエッチングし、アクチュエータ部を覆う蓋体２２を、接着層を介して基板１１に固着することにより、図６に示すＭＥＭＳ可変容量キャパシタを有する電気部品５０が完成する。   Next, according to the process shown in FIG. 5B, the sacrificial film 41 is etched, and the lid 22 that covers the actuator portion is fixed to the substrate 11 through an adhesive layer, whereby the MEMS variable capacitor shown in FIG. The electric component 50 having the above is completed.

以上説明したように、本実施例の電気部品５０は、第２電極１４の第２の面１４ｂに形成された、第１保護膜１５と同じ材質の第２保護膜５１を具備している。
その結果、第２電極１４の第２の面１４ｂにヒロックの発生が防止されるとともに、第１保護膜１５と、第２電極１４と、第２保護膜５１との３層構造により、残留応力がバランスし、残留応力による反りの発生が防止される。
従って、第１電極１２と第２電極１４との密着性を、更に高めることができる利点がある。 As described above, the electrical component 50 of the present embodiment includes the second protective film 51 formed on the second surface 14 b of the second electrode 14 and made of the same material as the first protective film 15.
As a result, generation of hillocks on the second surface 14 b of the second electrode 14 is prevented, and the residual stress is achieved by the three-layer structure of the first protective film 15, the second electrode 14, and the second protective film 51. Are balanced, and warpage due to residual stress is prevented.
Therefore, there is an advantage that the adhesion between the first electrode 12 and the second electrode 14 can be further enhanced.

ここでは、第２保護膜５１として、第１保護膜１５と同じ材質の膜を用いる場合について説明したが、絶縁膜、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などを用いることも可能である。   Although the case where a film made of the same material as the first protective film 15 is used as the second protective film 51 has been described here, an insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film can also be used.

本発明の実施例３に係る電気部品について図８を用いて説明する。図８は電気部品を示す断面図である。本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。   An electrical component according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view showing an electrical component. In the present embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, description thereof will be omitted, and different portions will be described.

本実施例が実施例１と異なる点は、第２電極を一対の腕部の先端に直接結合したことにある。
即ち、図８に示すように、本実施例の電気部品６０は、腕部１７ａ、１７ｂに直接結合された第２電極１４を具備している。 The present embodiment is different from the first embodiment in that the second electrode is directly coupled to the tips of the pair of arms.
That is, as shown in FIG. 8, the electrical component 60 of the present embodiment includes the second electrode 14 directly coupled to the arm portions 17a and 17b.

これにより、第２電極１４が絶縁膜１９ａ、１９ｂを介して腕部１７ａ、１７ｂに結合されている場合に比べて、電気部品６０の製造工程を簡単化することが可能である。
ただし、第２電極１４はアクチュエータ部と絶縁されていないので、第２電極１４とアクチュエータ部とを同じ電位（ＧＮＤ）にして使用する場合に適する構造である。 Thereby, the manufacturing process of the electrical component 60 can be simplified as compared with the case where the second electrode 14 is coupled to the arm portions 17a and 17b via the insulating films 19a and 19b.
However, since the second electrode 14 is not insulated from the actuator portion, the second electrode 14 and the actuator portion have a structure suitable for use with the same potential (GND).

以上説明したように、本実施例の電気部品６０は、腕部１７ａ、１７ｂに直接結合された第２電極１４を具備している。これにより、電気部品６０の製造工程が簡単になる利点がある。   As described above, the electrical component 60 of the present embodiment includes the second electrode 14 that is directly coupled to the arm portions 17a and 17b. Thereby, there is an advantage that the manufacturing process of the electrical component 60 is simplified.

ここでは、第２電極１４の第２の面１４ｂが露出している場合について説明したが、図６に示すように第２の面１４ｂに第１保護膜１５と同じ材質の第２保護膜を形成しても構わない。また、熱膨張係数がアルミニウムより小さい絶縁膜を形成することも可能である。   Although the case where the second surface 14b of the second electrode 14 is exposed has been described here, a second protective film made of the same material as the first protective film 15 is formed on the second surface 14b as shown in FIG. It may be formed. It is also possible to form an insulating film having a smaller thermal expansion coefficient than aluminum.

上述した実施例においては、第２電極１５が直接または絶縁材１９ａ、１９ｂを介して腕部１７ａ、１７ｂに結合されたブリッジ状のアクチュエータ部について説明したが、第２電極１５がどちらか一方の腕部に直接または絶縁材を介して結合された片持ち梁状のアクチュエータ部であっても構わない。   In the above-described embodiment, the bridge-like actuator portion in which the second electrode 15 is coupled to the arm portions 17a and 17b directly or via the insulating materials 19a and 19b has been described. It may be a cantilever-like actuator unit coupled directly to the arm unit or via an insulating material.

ＭＥＭＳ可変容量キャパシタが静電駆動型である場合について説明したが、圧電駆動型のＭＥＭＳ可変容量キャパシタであっても構わない。
この場合は、一対の電極膜に挟まれた圧電膜を有する腕部を備えた圧電アクチュエータを形成する。 Although the case where the MEMS variable capacitor is an electrostatic drive type has been described, a piezoelectric drive type MEMS variable capacitor may be used.
In this case, a piezoelectric actuator having an arm portion having a piezoelectric film sandwiched between a pair of electrode films is formed.

また、第１電極１２の第１の面１２ａに形成された絶縁膜１３を除去し、第１電極１２と第２電極１４の第１の面１４ａに形成された第１保護膜１５とを直接密着させることにより、電気的にオンオフできるＭＥＭＳスイッチとすることも可能である。
これによれば、コンタクト抵抗の小さいＭＥＭＳスイッチが得られる利点がある。 Further, the insulating film 13 formed on the first surface 12a of the first electrode 12 is removed, and the first electrode 12 and the first protective film 15 formed on the first surface 14a of the second electrode 14 are directly connected. It is also possible to provide a MEMS switch that can be electrically turned on and off by being in close contact.
This has the advantage that a MEMS switch with low contact resistance can be obtained.

本発明の実施例１に係る電気部品を示す断面図。Sectional drawing which shows the electrical component which concerns on Example 1 of this invention. 本発明の実施例１に係る電気部品の動作を比較例と対比して示す図で、図２（ａ）が本実施例を示す図、図２（ｂ）が比較例を示す図。FIG. 2A is a diagram illustrating the operation of the electrical component according to the first embodiment of the present invention in comparison with a comparative example, FIG. 2A is a diagram illustrating the present embodiment, and FIG. 2B is a diagram illustrating the comparative example. 本発明の実施例１に係る電気部品の製造工程の要部を順に示す断面図。Sectional drawing which shows the principal part of the manufacturing process of the electrical component which concerns on Example 1 of this invention in order. 本発明の実施例１に係る電気部品の製造工程の要部を順に示す断面図。Sectional drawing which shows the principal part of the manufacturing process of the electrical component which concerns on Example 1 of this invention in order. 本発明の実施例１に係る電気部品の製造工程の要部を順に示す断面図。Sectional drawing which shows the principal part of the manufacturing process of the electrical component which concerns on Example 1 of this invention in order. 本発明の実施例２に係る電気部品を示す断面図。Sectional drawing which shows the electrical component which concerns on Example 2 of this invention. 本発明の実施例２に係る電気部品の製造工程の要部を順に示す断面図。Sectional drawing which shows the principal part of the manufacturing process of the electrical component which concerns on Example 2 of this invention in order. 本発明の実施例３に係る電気部品を示す断面図。Sectional drawing which shows the electrical component which concerns on Example 3 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０、３０、５０、６０ 電気部品
１１ 基板
１２ 第１電極
１２ａ、１４ａ 第１の面
１３ 絶縁膜
１４ 第２電極
１４ｂ 第２の面
１５ 第１保護膜
１６ａ、１６ｂ 脚部
１７ａ、１７ｂ 腕部
１８ａ、１８ｂ 第３電極
１９a、１９ｂ 絶縁材
２０ シリコン基板
２１ シリコン酸化膜
２２ 蓋体
２３ 空洞（キャビティ）
２４ａ、２４ｂ、２５、３１ ヒロック
４０ａ、４０ｂ 脚部の下部
４１ 犠牲膜
４２ａ、４２ｂ 貫通孔
４３ アルミニウム膜
５１ 第２保護膜 10, 30, 50, 60 Electrical component 11 Substrate 12 First electrode 12a, 14a First surface 13 Insulating film 14 Second electrode 14b Second surface 15 First protective film 16a, 16b Leg portions 17a, 17b Arm portion 18a , 18b Third electrodes 19a, 19b Insulating material 20 Silicon substrate 21 Silicon oxide film 22 Lid 23 Cavity
24a, 24b, 25, 31 Hillock 40a, 40b Lower leg portion 41 Sacrificial film 42a, 42b Through-hole 43 Aluminum film 51 Second protective film

Claims (5)

基板の主面に形成され、前記基板と反対側の第１の面に絶縁膜が形成された第１電極と、
前記第１電極の前記第１の面と離間して対向する第１の面を有し、アクチュエータ部により駆動される第２電極と、
前記第２電極の前記第１の面に形成され、熱履歴により前記第２電極の前記第１の面が粗面化するのを防止するための第１保護膜と、
を具備することを特徴とする電気部品。 A first electrode formed on a main surface of a substrate and having an insulating film formed on a first surface opposite to the substrate;
A second electrode having a first surface facing and spaced apart from the first surface of the first electrode and driven by an actuator unit;
A first protective film that is formed on the first surface of the second electrode and prevents the first surface of the second electrode from being roughened due to thermal history;
An electrical component comprising: 前記第２電極の前記第１の面と反対の第２の面に、残留応力により前記第２電極に反りが生じるのを防止するための第２保護膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気部品。   A second protective film for preventing the second electrode from warping due to residual stress is formed on a second surface of the second electrode opposite to the first surface. The electrical component according to claim 1. 前記アクチュエータ部が、前記第１電極の両側に離間して配置され、前記基板の主面から立設した導電性の一対の脚部と、前記一対の脚部の上端から前記基板と平行な方向に延伸し、先端が離間して対向する導電性の一対の腕部と、前記第１電極と前記一対の脚部との間の前記基板の主面に形成された一対の第３電極とを有し、
前記第２電極が、前記アクチュエータ部の前記一対の腕部の先端に、直接または絶縁材を介して結合されていることを特徴とする請求項１に記載の電気部品。 The actuator unit is disposed on both sides of the first electrode and spaced apart from each other, a pair of conductive legs standing from the main surface of the substrate, and a direction parallel to the substrate from the upper end of the pair of legs A pair of electrically conductive arm portions that are opposed to each other with a distal end apart from each other, and a pair of third electrodes formed on the main surface of the substrate between the first electrode and the pair of leg portions. Have
2. The electrical component according to claim 1, wherein the second electrode is coupled to the tips of the pair of arm portions of the actuator portion directly or via an insulating material. 前記第２電極がアルミニウム、アルミニウムを主成分とする合金、金、金ニッケル合金、白金のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の電気部品。   2. The electrical component according to claim 1, wherein the second electrode is one of aluminum, an alloy containing aluminum as a main component, gold, a gold-nickel alloy, or platinum. 前記第１または第２保護膜が、高融点金属、高融点金属の化合物、誘電体膜のいずれかであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気部品。   3. The electrical component according to claim 1, wherein the first or second protective film is any one of a refractory metal, a refractory metal compound, and a dielectric film.
JP2008101592A 2008-04-09 2008-04-09 Electrical component Pending JP2009253155A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008101592A JP2009253155A (en) 2008-04-09 2008-04-09 Electrical component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008101592A JP2009253155A (en) 2008-04-09 2008-04-09 Electrical component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009253155A true JP2009253155A (en) 2009-10-29

Family

ID=41313545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008101592A Pending JP2009253155A (en) 2008-04-09 2008-04-09 Electrical component

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009253155A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014529911A (en) * 2011-09-02 2014-11-13 キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッドＣａｖｅｎｄｉｓｈ Ｋｉｎｅｔｉｃｓ， Ｉｎｃ． MEMS variable capacitor with improved RF performance
JP2014212159A (en) * 2013-04-17 2014-11-13 アルプス電気株式会社 Variable capacitance capacitor
US9083309B2 (en) 2010-11-30 2015-07-14 Seiko Epson Corporation Microelectronic device and electronic apparatus
JP7443626B2 (en) 2020-08-04 2024-03-05 厚元技術（香港）有限公司 Variable capacitor based on MEMS structure

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9083309B2 (en) 2010-11-30 2015-07-14 Seiko Epson Corporation Microelectronic device and electronic apparatus
JP2014529911A (en) * 2011-09-02 2014-11-13 キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッドＣａｖｅｎｄｉｓｈ Ｋｉｎｅｔｉｃｓ， Ｉｎｃ． MEMS variable capacitor with improved RF performance
JP2014212159A (en) * 2013-04-17 2014-11-13 アルプス電気株式会社 Variable capacitance capacitor
JP7443626B2 (en) 2020-08-04 2024-03-05 厚元技術（香港）有限公司 Variable capacitor based on MEMS structure

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4495711B2 (en) Functional element and manufacturing method thereof
US8120178B2 (en) Tuning fork vibration device and method for manufacturing the same
JP2008140867A (en) Semiconductor device mixedly mounted with micro electro mechanical system sensor
JP4916715B2 (en) Electronic components
JP2008188711A (en) Semiconductor device manufacturing method
JP2008119817A (en) Mems device and its manufacturing method
JP2009253155A (en) Electrical component
WO2019221116A1 (en) Mems microphone
JP4739173B2 (en) Micro switching element
JP2007287468A (en) Displacement device, variable capacity capacitor, switch as well as acceleration sensor using it
WO2006038395A1 (en) Electronic apparatus using anodic bonded structure
WO2019225047A1 (en) Mems device and mems device manufacturing method
US20210203304A1 (en) Resonator and resonance device including same
JP6788847B2 (en) Capacitor
JP2019029537A (en) Capacitor
JP5202236B2 (en) Micro electromechanical switch and method for manufacturing the same
JP5364087B2 (en) Method and structure for reducing cracks in a dielectric layer in contact with a metal
JP2010280055A (en) Mems device and method of manufacturing the same
JP6536629B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP6813058B2 (en) Oscillator manufacturing method
JP2011091318A (en) Power generation device
US8143158B2 (en) Method and device of preventing delamination of semiconductor layers
JP2008270545A (en) Wiring of semiconductor device, and method of forming wiring of semiconductor device
JP2009055390A (en) Quartz crystal unit and manufacturing method therefor
JP2007311737A (en) Electrostatic chuck