JP2009252992A - Moving body driving method, aligning method, device method for manufacturing, and aligner - Google Patents
Moving body driving method, aligning method, device method for manufacturing, and aligner Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009252992A JP2009252992A JP2008098774A JP2008098774A JP2009252992A JP 2009252992 A JP2009252992 A JP 2009252992A JP 2008098774 A JP2008098774 A JP 2008098774A JP 2008098774 A JP2008098774 A JP 2008098774A JP 2009252992 A JP2009252992 A JP 2009252992A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- head
- moving body
- heads
- uneven distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
本発明は、移動体駆動方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置に係り、さらに詳しくは、所定平面内で移動体を駆動する移動体駆動方法、該移動体駆動方法を利用する露光方法、及び該露光方法を用いるデバイス製造方法、並びに前記露光方法の実施に好適な露光装置に関する。 The present invention relates to a moving body driving method, an exposure method, a device manufacturing method, and an exposure apparatus, and more particularly, a moving body driving method for driving a moving body in a predetermined plane, and an exposure method using the moving body driving method. And a device manufacturing method using the exposure method, and an exposure apparatus suitable for carrying out the exposure method.
従来、半導体素子（集積回路等）、液晶表示素子等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（いわゆるステッパ）、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などが、主として用いられている。 Conventionally, in a lithography process for manufacturing electronic devices (microdevices) such as semiconductor elements (integrated circuits, etc.), liquid crystal display elements, etc., a step-and-repeat type projection exposure apparatus (so-called stepper) or a step-and-scan type Projection exposure apparatuses (so-called scanning steppers (also called scanners)) are mainly used.
この種の露光装置では、一般的に、パターンが転写・形成されるウエハ又はガラスプレート等の基板（以下、ウエハと総称する）を保持して２次元移動するウエハステージの位置が、レーザ干渉計を用いて計測されていた。しかし、近年の半導体素子の高集積化に伴うパターンの微細化により、さらに高精度なウエハステージの位置制御性能が要求されるようになり、その結果、レーザ干渉計のビーム路上の雰囲気の温度変化、及び／又は温度勾配の影響で発生する空気揺らぎに起因する計測値の短期的な変動が、無視できなくなってきた。 In this type of exposure apparatus, in general, the position of a wafer stage that holds a substrate (hereinafter collectively referred to as a wafer) such as a wafer or glass plate on which a pattern is transferred and formed and moves two-dimensionally is a laser interferometer. It was measured using. However, with the miniaturization of patterns due to the recent high integration of semiconductor devices, more precise wafer stage position control performance is required, and as a result, the temperature change of the atmosphere on the beam path of the laser interferometer And / or short-term fluctuations in measured values due to air fluctuations caused by the effects of temperature gradients have become non-negligible.
かかる不都合を改善するものとして、レーザ干渉計と同程度以上の計測分解能を有するエンコーダを、ウエハステージの位置計測装置として採用した露光装置に係る発明が、先に提案されている（例えば特許文献１参照）。特許文献１に開示される露光装置では、ウエハステージの上面に計測面となる複数のスケール（反射型回折格子）が設けられ、ウエハステージの移動領域内でスケールに対向し得る位置に、その計測面に計測ビームを投射し、その反射光を検出する、複数のエンコーダのヘッド及び面位置計測センサのヘッドが設置されている。
In order to improve such an inconvenience, an invention relating to an exposure apparatus that employs an encoder having a measurement resolution equal to or higher than that of a laser interferometer as a wafer stage position measuring apparatus has been proposed (for example, Patent Document 1). reference). In the exposure apparatus disclosed in
しかるに、計測面を構成する回折格子の表面は、必ずしも理想的な平面ではなく、微小な凹凸を有する。また、長時間の使用において、経時変化により凹凸が生ずる、あるいは拡大することもあり得る。そこで、計測面（回折格子の表面）の凹凸に起因するエンコーダのヘッド及び／又は面位置計測センサのヘッドの計測誤差を補正することが必要となる。 However, the surface of the diffraction grating constituting the measurement surface is not necessarily an ideal plane, and has minute irregularities. In addition, when used for a long time, unevenness may occur or expand due to changes over time. Therefore, it is necessary to correct the measurement error of the encoder head and / or the head of the surface position measurement sensor due to the unevenness of the measurement surface (the surface of the diffraction grating).
本発明は、上述の事情の下でなされたものであり、第１の観点からすると、所定平面内で移動体を駆動する移動体駆動方法であって、前記所定平面に実質的に平行な前記移動体の一面に設けられた計測面に第１計測ビームを投射する第１ヘッドを用いて、前記第１計測ビームの投射点における、前記所定平面に平行な方向に関する前記計測面の位置情報を計測するとともに、前記計測面に第２計測ビームを投射する第２ヘッドを用いて、前記第２計測ビームの投射点における、前記所定平面に垂直な方向に関する前記計測面の位置情報を計測し、前記第１及び第２ヘッドの計測結果と、前記計測面の凹凸分布と、に基づいて、前記移動体を駆動する工程を含む第１の移動体駆動方法である。 The present invention has been made under the circumstances described above. From a first viewpoint, the present invention is a moving body driving method for driving a moving body in a predetermined plane, which is substantially parallel to the predetermined plane. Position information of the measurement surface in a direction parallel to the predetermined plane at a projection point of the first measurement beam using a first head that projects the first measurement beam on a measurement surface provided on one surface of the moving body. And measuring the position information of the measurement surface with respect to the direction perpendicular to the predetermined plane at the projection point of the second measurement beam using the second head that projects the second measurement beam onto the measurement surface. It is a first moving body driving method including a step of driving the moving body based on the measurement results of the first and second heads and the uneven distribution of the measurement surface.
これによれば、第１及び第２ヘッドの計測結果と、第１、第２ヘッドからの第１、第２計測ビームがそれぞれ照射される共通の計測面の凹凸分布と、に基づいて、移動体が駆動される。従って、その計測面の凹凸分布を用いて、計測面の凹凸に起因する第１及び第２ヘッドの計測誤差をそれぞれ補正することができ、補正後の第１及び第２ヘッドの計測結果に基づいて、移動体を高精度で駆動することが可能になる。 According to this, the movement based on the measurement results of the first and second heads and the uneven distribution of the common measurement surface irradiated with the first and second measurement beams from the first and second heads, respectively. The body is driven. Therefore, the measurement errors of the first and second heads caused by the unevenness of the measurement surface can be corrected using the unevenness distribution of the measurement surface, and based on the measurement results of the corrected first and second heads. Thus, the moving body can be driven with high accuracy.
本発明は、第２の観点からすると、所定平面内で移動体を駆動する移動体駆動方法であって、前記所定平面に実質的に平行な前記移動体の一面に設けられた計測面に第１計測ビームを投射する第１ヘッドを用いて、前記第１計測ビームの投射点における、前記所定平面に平行な方向に関する前記計測面の位置情報を計測した計測結果と、前記計測面に第２計測ビームを投射し、該計測面からの戻り光を受光することによって、前記第２計測ビームの投射点における前記所定平面に垂直な方向に関する前記計測面の面位置情報を計測する第２ヘッドを用いて、事前に計測された前記計測面の凹凸分布と、に基づいて、前記移動体を駆動する工程を含む第２の移動体駆動方法である。 From a second point of view, the present invention provides a moving body driving method for driving a moving body in a predetermined plane, wherein the measuring surface provided on one surface of the moving body is substantially parallel to the predetermined plane. A measurement result obtained by measuring positional information of the measurement surface with respect to a direction parallel to the predetermined plane at a projection point of the first measurement beam using a first head that projects one measurement beam; A second head that measures surface position information of the measurement surface in a direction perpendicular to the predetermined plane at the projection point of the second measurement beam by projecting a measurement beam and receiving return light from the measurement surface. And a second moving body driving method including a step of driving the moving body based on the uneven distribution of the measurement surface measured in advance.
これによれば、第１ヘッドの計測結果と、第２ヘッドを用いて事前に計測された計測面の凹凸分布と、に基づいて移動体が駆動される。従って、第２ヘッドを用いて事前に計測された計測面の凹凸分布を用いて、計測面の凹凸に起因する第１ヘッドの計測誤差を補正することが可能となり、補正後の第１ヘッドの計測結果に基づいて、移動体を高精度で駆動することが可能になる。 According to this, the moving body is driven based on the measurement result of the first head and the uneven distribution of the measurement surface measured in advance using the second head. Therefore, it is possible to correct the measurement error of the first head caused by the unevenness of the measurement surface using the unevenness distribution of the measurement surface measured in advance using the second head, and the first head after the correction is corrected. Based on the measurement result, the moving body can be driven with high accuracy.
本発明は、第３の観点からすると、エネルギビームにより物体を露光して前記物体上にパターンを形成する露光方法であって、前記パターンを形成するために、本発明の第１、第２の移動体駆動方法のいずれかを用いて、前記物体を保持する移動体を駆動する工程を含む露光方法である。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure method in which an object is exposed with an energy beam to form a pattern on the object, and the first and second aspects of the present invention are used to form the pattern. The exposure method includes a step of driving a moving body that holds the object using any one of the moving body driving methods.
これによれば、物体上にパターンを形成するために、本発明の第１、第２の移動体駆動方法のいずれかを用いて、物体を保持する移動体が精度良く駆動される。このため、物体上にパターンを精度良く形成することが可能になる。 According to this, in order to form a pattern on the object, the moving body that holds the object is driven with high accuracy using either the first or second moving body driving method of the present invention. For this reason, it becomes possible to form a pattern on an object with high accuracy.
本発明は、第４の観点からすると、本発明の露光方法を用いて物体上にパターンを形成する工程と；前記パターンが形成された前記物体に処理を施す工程と；を含むデバイス製造方法である。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method comprising: a step of forming a pattern on an object using the exposure method of the present invention; and a step of processing the object on which the pattern is formed. is there.
本発明は、第５の観点からすると、エネルギビームにより物体を露光して前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、前記物体を保持して所定平面内で移動するとともに、前記所定平面に実質的に平行な一面に計測面が設けられた移動体と；前記計測面に第１、第２計測ビームをそれぞれ投射する第１及び第２ヘッドを有し、前記第１ヘッドにより前記第１計測ビームの投射点における、前記所定平面に平行な方向に関する前記計測面の位置情報を計測するとともに、前記第２ヘッドにより前記第２計測ビームの投射点における、前記所定平面に垂直な方向に関する前記計測面の位置情報を計測する計測システムと；前記第１及び第２ヘッドの計測結果と、前記計測面の凹凸分布と、に基づいて、前記移動体を駆動する処理装置と；を備える露光装置である。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes an object with an energy beam to form a pattern on the object, and moves the object within a predetermined plane while holding the object. A movable body provided with a measurement surface on one surface substantially parallel to the first surface; and a first head and a second head for projecting first and second measurement beams to the measurement surface, respectively. The position information of the measurement surface in a direction parallel to the predetermined plane at the projection point of one measurement beam is measured, and the second head is related to a direction perpendicular to the predetermined plane at the projection point of the second measurement beam. A measurement system for measuring positional information of the measurement surface; a processing device for driving the movable body based on the measurement results of the first and second heads and the uneven distribution of the measurement surface; Is an exposure apparatus comprising.
これによれば、処理装置により、第１及び第２ヘッドの計測結果と、第１及び第２ヘッドからの第１、第２計測ビームがそれぞれ照射される共通の計測面の凹凸分布と、に基づいて、移動体が駆動される。従って、その計測面の凹凸分布を用いて、計測面の凹凸に起因する第１及び第２ヘッドの計測誤差をそれぞれ補正することができ、補正後の第１及び第２ヘッドの計測結果に基づいて、移動体を高精度で駆動することが可能になる。また、物体上にパターンを形成するために、処理装置により、物体を保持する移動体を精度良く駆動することができ、これにより、物体上にパターンを精度良く形成することが可能になる。 According to this, by the processing device, the measurement results of the first and second heads, and the uneven distribution of the common measurement surface irradiated with the first and second measurement beams from the first and second heads, respectively. Based on this, the moving body is driven. Therefore, the measurement errors of the first and second heads caused by the unevenness of the measurement surface can be corrected using the unevenness distribution of the measurement surface, and based on the measurement results of the corrected first and second heads. Thus, the moving body can be driven with high accuracy. In addition, in order to form a pattern on an object, the moving body that holds the object can be driven with high accuracy by the processing device, and thereby, it is possible to form the pattern on the object with high accuracy.
以下、本発明の一実施形態を、図１〜図１３に基づいて説明する。図１には、一実施形態の露光装置１００の構成が概略的に示されている。
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of the invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 schematically shows a configuration of an
露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。後述するように、本実施形態では投影光学系ＰＬとプライマリアライメント系ＡＬ１（図４、図５等参照）が設けられている。以下においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行な方向をＺ軸方向、これに直交する面内で光軸ＡＸとプライマリアライメント系ＡＬ１の検出中心を結ぶ直線と平行な方向をＹ軸方向、Ｚ軸及びＹ軸に直交する方向をＸ軸方向とし、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸回りの回転（傾斜）方向をそれぞれθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明を行う。
The
露光装置１００は、図１に示されるように、照明系１０、レチクルステージＲＳＴ、投影ユニットＰＵ、局所液浸装置８、ウエハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴを有するステージ装置５０、並びにこれらの制御系等を備えている。図１において、ウエハステージＷＳＴ上には、ウエハＷが載置されている。
As shown in FIG. 1, the
照明系１０は、例えば米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書などに開示されるように、光源と、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、及びレチクルブラインド等（いずれも不図示）を有する照明光学系と、を含む。照明系１０は、レチクルブラインド（マスキングシステム）で規定されたレチクルＲ上のスリット状の照明領域ＩＡＲを、照明光（露光光）ＩＬによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ＩＬとして、一例として、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられる。
The
レチクルステージＲＳＴ上には、そのパターン面（図１における下面）に回路パターンなどが形成されたレチクルＲが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系１１（図１では不図示、図７参照）によって、ＸＹ平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向（図１における紙面内左右方向であるＹ軸方向）に所定の走査速度で駆動可能となっている。 On reticle stage RST, reticle R having a circuit pattern or the like formed on its pattern surface (lower surface in FIG. 1) is fixed, for example, by vacuum suction. The reticle stage RST can be finely driven in the XY plane by a reticle stage drive system 11 (not shown in FIG. 1, refer to FIG. 7) including, for example, a linear motor, etc. In the Y-axis direction) at a predetermined scanning speed.
レチクルステージＲＳＴのＸＹ平面内の位置情報（θｚ方向の回転情報を含む）は、レチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）１１６によって、移動鏡１５（実際には、Ｙ軸方向に直交する反射面を有するＹ移動鏡（あるいは、レトロリフレクタ）とＸ軸方向に直交する反射面を有するＸ移動鏡とが設けられている）を介して、例えば０．２５ｎｍ程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計１１６の計測値は、主制御装置２０（図１では不図示、図７参照）に送られる。
Position information in the XY plane of reticle stage RST (including rotation information in the θz direction) is transferred by reticle laser interferometer (hereinafter referred to as “reticle interferometer”) 116 to movable mirror 15 (actually in the Y-axis direction). Through a Y-moving mirror (or retro reflector) having an orthogonal reflecting surface and an X moving mirror having a reflecting surface orthogonal to the X-axis direction), detection is always performed with a resolution of, for example, about 0.25 nm. Is done. The measurement value of
投影ユニットＰＵは、レチクルステージＲＳＴの図１における下方に配置されている。投影ユニットＰＵは、鏡筒４０と、鏡筒４０内に保持された投影光学系ＰＬと、を含む。投影光学系ＰＬとしては、例えば、Ｚ軸方向と平行な光軸ＡＸに沿って配列される複数の光学素子（レンズエレメント）から成る屈折光学系が用いられる。投影光学系ＰＬは、例えば両側テレセントリックで、所定の投影倍率（例えば１／４倍、１／５倍又は１／８倍など）を有する。このため、照明系１０によってレチクルＲ上の照明領域ＩＡＲが照明されると、投影光学系ＰＬの第１面（物体面）とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬ（投影ユニットＰＵ）を介してその照明領域ＩＡＲ内のレチクルＲの回路パターンの縮小像（回路パターンの一部の縮小像）が、その第２面（像面）側に配置される、表面にレジスト（感応剤）が塗布されたウエハＷ上の前記照明領域ＩＡＲに共役な領域（以下、露光領域とも呼ぶ）ＩＡに形成される。そして、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとの同期駆動によって、照明領域ＩＡＲ（照明光ＩＬ）に対してレチクルＲを走査方向（Ｙ軸方向）に相対移動させるとともに、露光領域ＩＡ（照明光ＩＬ）に対してウエハＷを走査方向（Ｙ軸方向）に相対移動させることで、ウエハＷ上の１つのショット領域（区画領域）の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルＲのパターンが転写される。すなわち、本実施形態では照明系１０、レチクルＲ及び投影光学系ＰＬによってウエハＷ上にパターンが生成され、照明光ＩＬによるウエハＷ上の感応層（レジスト層）の露光によってウエハＷ上にそのパターンが形成される。
Projection unit PU is arranged below reticle stage RST in FIG. The projection unit PU includes a
本実施形態の露光装置１００には、液浸方式の露光を行うために、前述の如く、局所液浸装置８が設けられている。局所液浸装置８は、液体供給装置５、液体回収装置６（いずれも図１では不図示、図７参照）、液体供給管３１Ａ、液体回収管３１Ｂ、及びノズルユニット３２等を含む。ノズルユニット３２は、図１に示されるように、投影光学系ＰＬを構成する最も像面側（ウエハＷ側）の光学素子、ここではレンズ（以下、「先端レンズ」ともいう）１９１を保持する鏡筒４０の下端部周囲を取り囲むように、投影ユニットＰＵを保持する不図示のメインフレームに吊り下げ支持されている。本実施形態では、ノズルユニット３２は、図１に示されるように、その下端面が先端レンズ１９１の下端面とほぼ同一面に設定されている。また、ノズルユニット３２は、液体Ｌｑの供給口及び回収口と、ウエハＷが対向して配置され、かつ回収口が設けられる下面と、液体供給管３１Ａ及び液体回収管３１Ｂとそれぞれ接続される供給流路及び回収流路とを備えている。液体供給管３１Ａと液体回収管３１Ｂとは、図４に示されるように、平面視（上方から見て）でＸ軸方向及びＹ軸方向に対してほぼ４５°傾斜し、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸとプライマリアライメント系ＡＬ１の検出中心とを結ぶＹ軸に平行な直線（以下、基準軸と呼ぶ）ＬＶに関して対称な配置となっている。図４において、符号ＵＰはウエハステージＷＳＴ上のウエハのアンロード時にウエハステージＷＳＴの中心が位置するアンローディングポジションを示し、符号ＬＰはウエハステージＷＳＴ上へのウエハのロード時にウエハステージＷＳＴの中心が位置するローディングポジションを示す。
In the
液体供給管３１Ａは液体供給装置５（図１では不図示、図７参照）に、液体回収管３１Ｂは液体回収装置６（図１では不図示、図７参照）に接続されている。ここで、液体供給装置５には、液体を貯蔵するタンク、加圧ポンプ、温度制御装置、液体の流量を制御するためのバルブ等が備えられている。液体回収装置６には、回収した液体を貯蔵するタンク、吸引ポンプ、液体の流量を制御するためのバルブ等が備えられている。
The
主制御装置２０は、液体供給装置５（図７参照）を制御して、液体供給管３１Ａを介して先端レンズ１９１とウエハＷとの間に液体を供給するとともに、液体回収装置６（図７参照）を制御して、液体回収管３１Ｂを介して先端レンズ１９１とウエハＷとの間から液体を回収する。このとき、主制御装置２０は、供給される液体の量と回収される液体の量とが常に等しくなるように、液体供給装置５と液体回収装置６を制御する。従って、先端レンズ１９１とウエハＷとの間には、一定量の液体Ｌｑ（図１参照）が常に入れ替わって保持され、これにより液浸領域１４（図４参照）が形成される。なお、投影ユニットＰＵの下方に後述する計測ステージＭＳＴが位置する場合にも、同様に先端レンズ１９１と計測テーブルとの間に液浸領域１４を形成することができる。
The
本実施形態では、上記の液体として、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍの光）が透過する純水（以下、特に必要な場合を除いて、単に「水」と記述する）を用いるものとする。なお、ＡｒＦエキシマレーザ光に対する水の屈折率ｎは、ほぼ１．４４であり、水の中では、照明光ＩＬの波長は、１９３ｎｍ×１／ｎ＝約１３４ｎｍに短波長化される。 In this embodiment, pure water that transmits ArF excimer laser light (light having a wavelength of 193 nm) (hereinafter, simply referred to as “water” unless otherwise required) is used as the liquid. Note that the refractive index n of water with respect to ArF excimer laser light is approximately 1.44, and the wavelength of the illumination light IL is shortened to 193 nm × 1 / n = about 134 nm in water.
ステージ装置５０は、図１に示されるように、ベース盤１２の上方に配置されたウエハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴ、両ステージＷＳＴ，ＭＳＴの位置情報を計測する計測システム２００（図７参照）、及び両ステージＷＳＴ，ＭＳＴを駆動するステージ駆動系１２４（図７参照）等を備えている。計測システム２００は、図７に示されるように、干渉計システム１１８、エンコーダシステム１５０、及び面位置計測システム１８０などを含む。
As shown in FIG. 1, the
ウエハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴは、不図示の非接触軸受、例えばエアベアリングなどにより、数μｍ程度のクリアランスを介して、ベース盤１２の上方に支持されている。また、両ステージＷＳＴ，ＭＳＴは、リニアモータ等を含むステージ駆動系１２４（図７参照）によって、独立して駆動可能である。
Wafer stage WST and measurement stage MST are supported above
ウエハステージＷＳＴは、図１に示されるように、ステージ本体９１と、該ステージ本体９１上に搭載されたウエハテーブルＷＴＢとを含む。ウエハテーブルＷＴＢ及びステージ本体９１は、リニアモータ及びＺ・レベリング機構（ボイスコイルモータなどを含む）を含む駆動系によって、ベース盤１２に対し、６自由度方向（Ｘ，Ｙ，Ｚ，θｘ，θｙ，θｚ）に駆動可能に構成されている。
Wafer stage WST includes a stage
ウエハテーブルＷＴＢの上面の中央には、ウエハＷを真空吸着等によって保持するウエハホルダ（不図示）が設けられている。ウエハホルダ（ウエハの載置領域）の外側には、図２（Ａ）に示されるように、ウエハＷ（ウエハホルダ）よりも一回り大きな円形の開口が中央に形成され、かつ矩形状の外形（輪郭）を有するプレート（撥液板）２８が設けられている。プレート２８の表面は、液体Ｌｑに対して撥液化処理されている（撥液面が形成されている）。なお、プレート２８は、その表面の全部（あるいは一部）がウエハＷの表面と同一面となるようにウエハテーブルＷＴＢ上面に固定されている。
At the center of the upper surface of wafer table WTB, a wafer holder (not shown) for holding wafer W by vacuum suction or the like is provided. As shown in FIG. 2A, a circular opening that is slightly larger than the wafer W (wafer holder) is formed in the center on the outside of the wafer holder (wafer mounting region) and has a rectangular outer shape (contour). ) Having a plate (liquid repellent plate) 28. The surface of the
プレート２８は、中央に上述の円形の開口が形成された矩形の外形（輪郭）を有する第１撥液領域（第１撥液板）２８ａと、その周囲に配置された矩形枠状（環状）の第２撥液領域（第２撥液板）２８ｂと、を有する。
The
第１撥液板２８ａの＋Ｙ側の端部には、長方形の切り欠きが形成され、該切り欠きの内部にその表面がプレート２８とほぼ同一面となる状態で計測プレート３０が設けられている。この計測プレート３０には、中央に基準マークＦＭが設けられ、基準マークＦＭのＸ軸方向の両側に一対の空間像計測スリットパターン（スリット状の計測用パターン）ＳＬが、設けられている。そして、各空間像計測スリットパターンＳＬに対応して、それらを透過する照明光ＩＬを、ウエハステージＷＳＴ外部（後述する計測ステージＭＳＴに設けられる受光系）に導く送光系（不図示）が設けられている。
A rectangular cutout is formed at the + Y side end of the first liquid
第２撥液板２８ｂには、後述するエンコーダシステムで用いられるスケールが形成されている。詳述すると、第２撥液板２８ｂのＸ軸方向（図２（Ａ）における紙面内左右方向）の一側と他側の領域には、それぞれＹスケール３９Ｙ1，３９Ｙ2が形成されている。Ｙスケール３９Ｙ1，３９Ｙ2は、例えば、Ｘ軸方向を長手方向とする格子線３８が所定ピッチでＹ軸方向に配列された、Ｙ軸方向を周期方向とする反射型の格子（例えば回折格子）ＲＧ（例えば図８参照）によって構成されている。格子線３８の長さは、一例として約７６ｍｍに設定されている。
On the second liquid
同様に、第２撥液板２８ｂのＹ軸方向（図２（Ａ）における紙面内上下方向）の一側と他側の領域には、Ｙスケール３９Ｙ1及び３９Ｙ2に挟まれた状態で、Ｘスケール３９Ｘ1，３９Ｘ2がそれぞれ形成されている。Ｘスケール３９Ｘ1，３９Ｘ2は、例えば、Ｙ軸方向を長手方向とする格子線３７が所定ピッチでＸ軸方向に配列された、Ｘ軸方向を周期方向とする反射型の格子（例えば回折格子）によって構成されている。
Similarly, a region between one side and the other side of the second liquid
なお、格子線３７，３８のピッチは、例えば１μｍと設定される。図２（Ａ）及びその他の図において、図示の便宜のため、格子のピッチは実際のピッチよりも大きく図示されている。
The pitch of the
また、回折格子ＲＧは、撥液性をそなえた低熱膨張率のガラス板ＣＧ（図８、図１０等参照）でカバーされ、保護されている。ここで、ガラス板（カバーガラスとも呼ばれる）ＣＧとしては、厚さがウエハと同程度、例えば厚さ１ｍｍのものを用いることができ、そのカバーガラスＣＧの表面がウエハ面と同じ高さ（同一面）になるよう、ウエハテーブルＷＳＴ上面に設置されている。 The diffraction grating RG is covered and protected by a low thermal expansion glass plate CG (see FIGS. 8 and 10) having liquid repellency. Here, as the glass plate (also referred to as cover glass) CG, a glass plate having the same thickness as the wafer, for example, a thickness of 1 mm can be used, and the surface of the cover glass CG has the same height (same as the wafer surface). Surface) to be on the upper surface of wafer table WST.
また、ウエハテーブルＷＴＢの−Ｙ端面，−Ｘ端面には、図２（Ａ）に示されるように、後述する干渉計システムで用いられる反射面１７ａ，反射面１７ｂが形成されている。
Further, as shown in FIG. 2A, a reflecting
計測ステージＭＳＴは、図１に示されるように、不図示のリニアモータ等によってＸＹ平面内で駆動されるステージ本体９２と、ステージ本体９２上に搭載された計測テーブルＭＴＢとを含んでいる。計測ステージＭＳＴも、不図示の駆動系によりベース盤１２に対し、少なくとも３自由度方向（Ｘ，Ｙ，θｚ）に駆動可能に構成されている。
As shown in FIG. 1, the measurement stage MST includes a stage
なお、図７では、ウエハステージＷＳＴの駆動系と計測ステージＭＳＴの駆動系とを含んで、ステージ駆動系１２４として示されている。
In FIG. 7, a
計測テーブルＭＴＢ（及びステージ本体９２）には、各種計測用部材が設けられている。この計測用部材としては、例えば、図２（Ｂ）に示されるように、照度むらセンサ９４、空間像計測器９６、波面収差計測器９８、照度モニタ（不図示）などが設けられている。また、ステージ本体９２には、前述の一対の送光系（不図示）に対向する配置で、一対の受光系（不図示）が設けられている。本実施形態では、ウエハステージＷＳＴと計測ステージＭＳＴとがＹ軸方向に関して所定距離以内に近接した状態（接触状態を含む）において、ウエハステージＷＳＴ上の計測プレート３０の各空間像計測スリットパターンＳＬを透過した照明光ＩＬを各送光系（不図示）で案内し、計測ステージＭＳＴ内の各受光系（不図示）の受光素子で受光する、空間像計測装置４５（図７参照）が構成される。
Various measurement members are provided on the measurement table MTB (and the stage main body 92). As this measuring member, for example, as shown in FIG. 2B, an
また、計測テーブルＭＴＢの＋Ｙ端面、−Ｘ端面には、干渉計用の反射面１９ａ，１９ｂが形成されている。 Further, reflection surfaces 19a and 19b for interferometers are formed on the + Y end surface and the −X end surface of the measurement table MTB.
計測テーブルＭＴＢの−Ｙ側の面には、図２（Ｂ）に示されるように、Ｘ軸方向に延びるフィデューシャルバー（以下、「ＦＤバー」と略述する）４６が取り付けられている。ＦＤバー４６の長手方向の一側と他側の端部近傍には、センターラインＣＬに関して対称な配置で、Ｙ軸方向を周期方向とする基準格子（例えば回折格子）５２がそれぞれ形成されている。また、ＦＤバー４６の上面には、複数の基準マークＭが形成されている。各基準マークＭとしては、後述するアライメント系によって検出可能な寸法の２次元マークが用いられている。なお、ＦＤバー４６の表面及び計測テーブルＭＴＢの表面も撥液膜で覆われている。
A fiducial bar (hereinafter abbreviated as “FD bar”) 46 extending in the X-axis direction is attached to the −Y side surface of the measurement table MTB, as shown in FIG. . Reference gratings (for example, diffraction gratings) 52 having a periodic direction in the Y-axis direction are formed in the vicinity of one end and the other end in the longitudinal direction of the
本実施形態の露光装置１００では、図４及び図５に示されるように、前述の基準軸ＬＶ上で、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸから−Ｙ側に所定距離隔てた位置に検出中心を有するプライマリアライメント系ＡＬ１が設けられている。プライマリアライメント系ＡＬ１は、不図示のメインフレームの下面に固定されている。図５に示されるように、プライマリアライメント系ＡＬ１を挟んで、Ｘ軸方向の一側と他側には、基準軸ＬＶに関してほぼ対称に検出中心が配置されるセカンダリアライメント系ＡＬ２1，ＡＬ２2と、ＡＬ２3，ＡＬ２4とがそれぞれ設けられている。セカンダリアライメント系ＡＬ２1〜ＡＬ２4は、可動式の支持部材を介してメインフレーム（不図示）の下面に固定されており、駆動機構６０1〜６０4（図７参照）を用いて、Ｘ軸方向に関してそれらの検出領域の相対位置が調整可能となっている。
In the
本実施形態では、アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２1〜ＡＬ２4のそれぞれとして、例えば画像処理方式のＦＩＡ（Field Image Alignment）系が用いられている。アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２1〜ＡＬ２4のそれぞれからの撮像信号は、不図示の信号処理系を介して主制御装置２０に供給される。
In the present embodiment, for example, an image processing type FIA (Field Image Alignment) system is used as each of the alignment systems AL1, AL2 1 to AL2 4 . Imaging signals from each of the alignment systems AL1, AL2 1 to AL2 4 are supplied to the
干渉計システム１１８は、図３に示されるように、反射面１７ａ又は１７ｂにそれぞれ干渉計ビーム（測長ビーム）を投射し、その反射光を受光して、ウエハステージＷＳＴの位置を計測するＹ干渉計１６、及び３つのＸ干渉計１２６〜１２８、並びに計測ステージＭＳＴの位置を計測するＹ干渉計１８、及びＸ干渉計１３０等を備えている。詳述すると、Ｙ干渉計１６は、基準軸ＬＶに関して対称な一対の測長ビームＢ４1，Ｂ４2を含む少なくとも３つのＹ軸に平行な測長ビームを反射面１７ａ、及び後述する移動鏡４１に投射する。また、Ｘ干渉計１２６は、図３に示されるように、光軸ＡＸと基準軸ＬＶとに直交するＸ軸に平行な直線（以下、基準軸と呼ぶ）ＬＨ（図４参照）に関して対称な一対の測長ビームＢ５1，Ｂ５2を含む少なくとも３つのＸ軸に平行な測長ビームを反射面１７ｂに投射する。また、Ｘ干渉計１２７は、アライメント系ＡＬ１の検出中心にて基準軸ＬＶと直交するＸ軸に平行な直線（以下、基準軸と呼ぶ）ＬＡ（図４参照）を測長軸とする測長ビームＢ６を含む少なくとも２つのＹ軸に平行な測長ビームを反射面１７ｂに投射する。また、Ｘ干渉計１２８は、Ｙ軸に平行な測長ビームＢ７を反射面１７ｂに投射する。
As shown in FIG. 3,
干渉計システム１１８の上記各干渉計からの位置情報は、主制御装置２０に供給される。主制御装置２０は、Ｙ干渉計１６及びＸ干渉計１２６又は１２７の計測結果に基づいて、ウエハテーブルＷＴＢ（ウエハステージＷＳＴ）のＸ，Ｙ位置に加え、θｘ方向の回転情報（すなわちピッチング情報）、θｙ方向の回転情報（すなわちローリング情報）、及びθｚ方向の回転情報（すなわちヨーイング情報）も求めることができる。
Position information from each interferometer of the
また、図１に示されるように、ステージ本体９１の−Ｙ側の側面に、凹形状の反射面を有する移動鏡４１が取り付けられている。移動鏡４１は、図２（Ａ）からわかるように、Ｘ軸方向の長さがウエハテーブルＷＴＢの反射面１７ａよりも、長く設計されている。
As shown in FIG. 1, a
移動鏡４１に対向して、干渉計システム１１８（図７参照）の一部を構成する一対のＺ干渉計４３Ａ，４３Ｂが配置されている（図１及び図３参照）。Ｚ干渉計４３Ａ，４３Ｂは、移動鏡４１を介して、例えば投影ユニットＰＵを支持するフレーム（不図示）に固定された固定鏡４７Ａ，４７Ｂにそれぞれ２つの測長ビームＢ１，Ｂ２を投射する。そして、Ｚ干渉計４３Ａ，４３Ｂは、それぞれの反射光を受光して、測長ビームＢ１，Ｂ２の光路長を計測する。その結果より、主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴの４自由度（Ｙ，Ｚ，θｙ，θｚ）方向の位置を算出する。
A pair of
本実施形態では、ウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）のＸＹ平面内の位置情報（θｚ方向の回転情報を含む）は、主として、後述するエンコーダシステム１５０を用いて計測される。干渉計システム１１８は、ウエハステージＷＳＴがエンコーダシステム１５０の計測領域外（例えば、アンローディングポジション又はローディングポジション付近）に位置する際に、使用される。また、干渉計システム１１８はエンコーダシステム１５０の計測結果の長期的変動（例えばスケールの経時的な変形などによる）を補正（較正）する場合などに補助的に使用される。勿論、干渉計システム１１８とエンコーダシステム１５０とを併用して、ウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）の全位置情報を計測することとしても良い。
In the present embodiment, position information (including rotation information in the θz direction) of wafer stage WST (wafer table WTB) in the XY plane is mainly measured using
干渉計システム１１８のＹ干渉計１８、及びＸ干渉計１３０は、図３に示されるように、反射面１９ａ，１９ｂに、干渉計ビーム（測長ビーム）を投射して、それぞれの反射光を受光することにより、計測ステージＭＳＴの位置情報（例えば、少なくともＸ軸及びＹ軸方向の位置情報とθｚ方向の回転情報とを含む）を計測し、その計測結果を、主制御装置２０に供給する。
As shown in FIG. 3, the
本実施形態の露光装置１００には、干渉計システム１１８とは独立に、ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内での位置（Ｘ，Ｙ，θｚ）を計測するためのエンコーダシステム１５０を構成する複数のヘッドユニットが設けられている。
In
図４に示されるように、ノズルユニット３２の＋Ｘ側、＋Ｙ側、−Ｘ側、及びプライマリアライメント系ＡＬ１の−Ｙ側に、４つのヘッドユニット６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ、及び６２Ｄが、それぞれ配置されている。また、図５に示されるように、アライメント系ＡＬ１、ＡＬ２1〜ＡＬ２4のＸ軸方向の両外側にヘッドユニット６２Ｅ、６２Ｆが、それぞれ配置されている。これらのヘッドユニット６２Ａ〜６２Ｆは、支持部材を介して、投影ユニットＰＵを保持するメインフレーム（不図示）に吊り下げ状態で固定されている。
As shown in FIG. 4, four
ヘッドユニット６２Ａ及び６２Ｃは、図５に示されるように、それぞれ複数（ここでは５個）のＹヘッド６５1〜６５5及びＹヘッド６４1〜６４5を備えている。ここで、Ｙヘッド６５2〜６５5及びＹヘッド６４1〜６４4は、基準軸ＬＨ上に間隔ＷＤで配置されている。Ｙヘッド６５1及びＹヘッド６４5は、基準軸ＬＨから−Ｙ方向に所定距離離れたノズルユニット３２の−Ｙ側の位置に配置されている。Ｙヘッド６５1，６５2間、及びＹヘッド６４4，６４5間のＸ軸方向の間隔もＷＤに設定されている。なお、Ｙヘッド６５1〜６５5とＹヘッド６４5〜６４1は、基準軸ＬＶに関して対称に配置されている。以下では、必要に応じて、Ｙヘッド６５1〜６５5及びＹヘッド６４1〜６４5を、それぞれ、Ｙヘッド６５及びＹヘッド６４とも記述する。
As shown in FIG. 5, each of the
ヘッドユニット６２Ａは、Ｙスケール３９Ｙ1を用いて、ウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）のＹ軸方向の位置（Ｙ位置）を計測する多眼（ここでは５眼）のＹリニアエンコーダ７０Ａ（図７参照）を構成する。同様に、ヘッドユニット６２Ｃは、Ｙスケール３９Ｙ2を用いて、ウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）のＹ位置を計測する多眼（ここでは５眼）のＹリニアエンコーダ７０Ｃ（図７参照）を構成する。なお、以下では、Ｙリニアエンコーダを、適宜、「Ｙエンコーダ」又は「エンコーダ」と略述する。
The
ここで、ヘッドユニット６２Ａ，６２Ｃがそれぞれ備える５個のＹヘッド６５，６４（より正確には、Ｙヘッド６５，６４が発する計測ビームのスケール上の投射点）のＸ軸方向の間隔ＷＤは、Ｙスケール３９Ｙ1，３９Ｙ2のＸ軸方向の幅（より正確には、格子線３８の長さ）より僅かに狭く設定されている。従って、例えば、露光の際などにはそれぞれ５個のＹヘッド６５，６４のうち、少なくとも各１つのＹヘッドが、常に、対応するＹスケール３９Ｙ1，３９Ｙ2に対向する（計測ビームを投射する）。
Here, the interval WD in the X-axis direction of the five Y heads 65 and 64 (more precisely, the projection points on the scale of the measurement beams emitted by the Y heads 65 and 64) provided in the
ヘッドユニット６２Ｂは、図５に示されるように、基準軸ＬＶ上に間隔ＷＤで配置された複数（ここでは４個）のＸヘッド６６5〜６６8を備えている。また、ヘッドユニット６２Ｄは、基準軸ＬＶ上に間隔ＷＤで配置された複数（ここでは４個）のＸヘッド６６1〜６６4を備えている。以下では、必要に応じて、Ｘヘッド６６5〜６６8及びＸヘッド６６1〜６６4をＸヘッド６６とも記述する。
As shown in FIG. 5, the head unit 62 </ b> B includes a plurality (four in this case) of X heads 66 5 to 66 8 arranged on the reference axis LV at intervals WD. Further,
ヘッドユニット６２Ｂは、Ｘスケール３９Ｘ1を用いて、ウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）のＸ軸方向の位置（Ｘ位置）を計測する、多眼（ここでは４眼）のＸリニアエンコーダ７０Ｂ（図７参照）を構成する。また、ヘッドユニット６２Ｄは、Ｘスケール３９Ｘ2を用いて、ウエハステージＷＳＴ（ウエハテーブルＷＴＢ）のＸ位置を計測する多眼（ここでは４眼）のＸリニアエンコーダ７０Ｄ（図７参照）を構成する。なお、以下では、Ｘリニアエンコーダを、適宜、「エンコーダ」と略述する。
The
ここで、ヘッドユニット６２Ｂ，６２Ｄがそれぞれ備える隣接するＸヘッド６６（より正確には、Ｘヘッド６６が発する計測ビームのスケール上の投射点）のＹ軸方向の間隔ＷＤは、Ｘスケール３９Ｘ1，３９Ｘ2のＹ軸方向の幅（より正確には、格子線３７の長さ）よりも狭く設定されている。また、ヘッドユニット６２Ｂの最も−Ｙ側のＸヘッド６６5とヘッドユニット６２Ｄの最も＋Ｙ側のＸヘッド６６4との間隔は、ウエハステージＷＳＴのＹ軸方向の移動により、その２つのＸヘッド間で切り換え（つなぎ）が可能となるように、ウエハテーブルＷＴＢのＹ軸方向の幅よりも狭く設定されている。従って、例えば、露光の際などには、ヘッドユニット６２Ｂ，６２Ｄが備えるＸヘッド６６のうち少なくとも１つが、常に、対応するＸスケール（３９Ｘ1又は３９Ｘ2）に対向する（計測ビームを投射する）。
Here, the interval WD in the Y-axis direction between adjacent X heads 66 (more precisely, projection points on the scale of the measurement beam emitted by the X head 66) included in the
ヘッドユニット６２Ｅは、図５に示されるように、複数（ここでは４個）のＹヘッド６７1〜６７4を備えている。ここで、３個のＹヘッド６７1〜６７3は、セカンダリアライメント系ＡＬ２1の−Ｘ側に、基準軸ＬＡ上に間隔ＷＤとほぼ同一間隔で配置されている。Ｙヘッド６７4は、基準軸ＬＡから＋Ｙ方向に所定距離離れたセカンダリアライメント系ＡＬ２1の＋Ｙ側に配置されている。なお、Ｙヘッド６７3，６７4間のＸ軸方向の間隔もＷＤと設定されている。
ヘッドユニット６２Ｆは、複数（ここでは４個）のＹヘッド６８1〜６８4を備えている。これらのＹヘッド６８1〜６８4は、基準軸ＬＶに関して、Ｙヘッド６７4〜６７1と対称な位置に配置されている。以下では、必要に応じて、Ｙヘッド６７1〜６７4及びＹヘッド６８1〜６８4を、それぞれＹヘッド６７及びＹヘッド６８とも記述する。
アライメント計測の際には、少なくとも各１つのＹヘッド６７，６８が、それぞれＹスケール３９Ｙ2，３９Ｙ1に対向する。このＹヘッド６７，６８（すなわち、これらＹヘッド６７，６８によって構成されるＹエンコーダ７０Ｅ，７０Ｆ）によってウエハステージＷＳＴのＹ位置（及びθｚ回転）が計測される。 At the time of alignment measurement, at least one Y head 67 and 68 faces the Y scales 39Y 2 and 39Y 1 , respectively. The Y position (and θz rotation) of wafer stage WST is measured by Y heads 67 and 68 (that is, Y encoders 70E and 70F constituted by Y heads 67 and 68).
また、本実施形態では、セカンダリアライメント系のベースライン計測時などに、セカンダリアライメント系ＡＬ２1，ＡＬ２4にＸ軸方向で隣接するＹヘッド６７3，６８2が、ＦＤバー４６の一対の基準格子５２とそれぞれ対向し、その一対の基準格子５２と対向するＹヘッド６７3，６８2によって、ＦＤバー４６のＹ位置が、それぞれの基準格子５２の位置で計測される。以下では、一対の基準格子５２にそれぞれ対向するＹヘッド６７3，６８2によって構成されるエンコーダをＹリニアエンコーダ７０Ｅ2，７０Ｆ2（図７参照）と呼ぶ。また、識別のため、Ｙスケール３９Ｙ2，３９Ｙ1に対向するＹヘッド６７，６８によって構成されるＹエンコーダを、Ｙエンコーダ７０Ｅ1、７０Ｆ1と呼ぶ。
In the present embodiment, the Y heads 67 3 and 68 2 adjacent to the secondary alignment systems AL2 1 and AL2 4 in the X-axis direction are used as a pair of reference grids of the
上述したリニアエンコーダ７０Ａ〜７０Ｆの計測値は、主制御装置２０に供給され、主制御装置２０は、リニアエンコーダ７０Ａ〜７０Ｄのうちの３つ、又はリニアエンコーダ７０Ｅ1，７０Ｆ1，７０Ｂ及び７０Ｄのうちの３つの計測値に基づいて、ウエハテーブルＷＴＢのＸＹ平面内の位置を制御するとともに、リニアエンコーダ７０Ｅ2，７０Ｆ2の計測値に基づいて、ＦＤバー４６（計測ステージＭＳＴ）のθｚ方向の回転を制御する。
Measurement values of
本実施形態の露光装置１００には、図４及び図６に示されるように、ウエハステージＷＳＴに載置されるウエハＷの全面の面位置を計測するための、例えば米国特許第５，４４８，３３２号明細書等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点焦点位置検出系（９０ａ，９０ｂ）が設けられている。
As shown in FIGS. 4 and 6, the
多点ＡＦ系（９０ａ，９０ｂ）の複数の検出点は、被検面上でＸ軸方向に沿って所定間隔で配置される。図４及び図６では、それぞれ検出ビームが照射される複数の検出点が、個別に図示されず、照射系９０ａ及び受光系９０ｂの間でＸ軸方向に延びる細長い検出領域（ビーム領域）ＡＦとして示されている。
A plurality of detection points of the multi-point AF system (90a, 90b) are arranged at predetermined intervals along the X-axis direction on the surface to be measured. In FIG. 4 and FIG. 6, a plurality of detection points irradiated with the detection beam are not shown individually, but as elongated detection areas (beam areas) AF extending in the X-axis direction between the
図６に示されるように、多点ＡＦ系（９０ａ，９０ｂ）の検出領域ＡＦの両端部近傍に、基準軸ＬＶに関して対称な配置で、各一対のＺ位置計測用の面位置センサのヘッド（以下、「Ｚヘッド」と略述する）７２ａ，７２ｂ、及び７２ｃ，７２ｄが設けられている。これらのＺヘッド７２ａ〜７２ｄは、不図示のメインフレームの下面に固定されている。 As shown in FIG. 6, each pair of Z position measuring surface position sensor heads (in the vicinity of both ends of the detection area AF of the multipoint AF system (90a, 90b) and symmetrical with respect to the reference axis LV (see FIG. 6). (Hereinafter abbreviated as “Z head”) 72a, 72b and 72c, 72d are provided. These Z heads 72a to 72d are fixed to the lower surface of a main frame (not shown).
さらに、前述のヘッドユニット６２Ａ，６２Ｃは、図６に示されるように、それぞれが備える５つのＹヘッド６５j，６４i（ｉ，ｊ＝１〜５）と同じＸ位置に、ただしＹ位置をずらして、それぞれ５つのＺヘッド７６j，７４i（ｉ，ｊ＝１〜５）を備えている。ここで、ヘッドユニット６２Ａ，６２Ｃのそれぞれに属する外側の３つのＺヘッド７６3〜７６5，７４1〜７４3は、基準軸ＬＨから＋Ｙ方向に所定距離隔てて、基準軸ＬＨと平行に配置されている。また、ヘッドユニット６２Ａと６２Ｃのそれぞれに属する最も内側のＺヘッド７６1と７４5は投影ユニットＰＵの＋Ｙ側に、残りのＺヘッド７６2，７４4はそれぞれＹヘッド６５2，６４4の−Ｙ側に、配置されている。そして、ヘッドユニット６２Ａ，６２Ｃのそれぞれに属する５つのＺヘッド７６j，７４iは、互いに基準軸ＬＶに関して対称に配置されている。
Further, as shown in FIG. 6, the
ヘッドユニット６２Ａ，６２Ｃがそれぞれ備える５つのＺヘッド７６j，７４i（より正確には、Ｚヘッドが発する計測ビームのスケール上の投射点）のＸ軸方向の間隔は、Ｙヘッドの６５，６４のＸ軸方向の間隔ＷＤと等しく設定されている。従って、Ｙヘッド６５，６４と同様に、例えば露光時などには、それぞれ５個のＺヘッド７６j，７４iのうち、少なくとも１つのヘッドが、常に、対応するＹスケール３９Ｙ1，３９Ｙ2に対向する。
The intervals in the X-axis direction of the five Z heads 76 j and 74 i (more precisely, the projection points on the scale of the measurement beam emitted by the Z head) provided in the
Ｚヘッド７２ａ〜７２ｄ、７６j，７４iとしては、例えば、ＣＤドライブ装置などで用いられる光ピックアップと同様の光学式変位センサのヘッドが用いられる。Ｚヘッド７２ａ〜７２ｄ、７６j，７４iは、ウエハテーブルＷＴＢに対し上方から計測ビームを投射し、その反射光を受光して、投射点におけるウエハテーブルＷＴＢの面位置を計測する。なお、本実施形態では、Ｚヘッドの計測ビームは、前述のＹスケール３９Ｙ1，３９Ｙ2（反射型回折格子）によって反射される構成を採用している。 Z heads 72a to 72d, as the 76 j, 74 i, for example, CD drives device similar optical displacement sensor head and the optical pickup used in such are used. Z heads 72a to 72d, 76 j, 74 i is to project the measurement beam from above to the wafer table WTB, and receives the reflected light, measures the surface position of wafer table WTB in the projection point. In this embodiment, a configuration is adopted in which the measurement beam of the Z head is reflected by the aforementioned Y scales 39Y 1 and 39Y 2 (reflection type diffraction grating).
上述したＺヘッド７２ａ〜７２ｄ，７４1〜７４5，７６1〜７６5は、図７に示されるように、信号処理・選択装置１７０を介して主制御装置２０に接続されている。主制御装置２０は、信号処理・選択装置１７０を介してＺヘッド７２ａ〜７２ｄ，７４1〜７４5，７６1〜７６5の中から任意のＺヘッドを選択して作動状態とし、その作動状態としたＺヘッドで検出した面位置情報を信号処理・選択装置１７０を介して受け取る。本実施形態では、Ｚヘッド７２ａ〜７２ｄ，７４1〜７４5，７６1〜７６5と、信号処理・選択装置１７０とを含んでウエハステージＷＳＴのＺ軸方向及びＸＹ平面に対する傾斜方向の位置情報を計測する面位置計測システム１８０が構成されている。
Above Z heads 72a to 72d, 74 to 72d, 76 1 to 76 5, as shown in FIG. 7, and is connected to
主制御装置２０は、面位置計測システム１８０を用いて、ウエハステージＷＳＴの有効ストローク領域、すなわちアライメント計測及び露光動作のためにウエハステージＷＳＴが移動する領域において、その少なくとも２自由度方向（Ｚ，θｙ）の位置座標を計測する。
図７には、露光装置１００の制御系の主要な構成が示されている。この制御系は、装置全体を統括的に制御するマイクロコンピュータ（又はワークステーション）から成る主制御装置２０を中心として構成されている。主制御装置２０には、後述する補正データが、格納される、メモリ３４が併設されている。なお、図７においては、前述した照度むらセンサ９４、空間像計測器９６、及び波面収差計測器９８など、計測ステージＭＳＴに設けられた各種センサが、纏めてセンサ群９９として示されている。
FIG. 7 shows the main configuration of the control system of the
エンコーダ７０Ａ〜７０Ｆのヘッド（エンコーダヘッド）６４1〜６４5，６５1〜６５5，６６1〜６６8，６７1〜６７４，６８1〜６８4、及びＺヘッド７２ａ〜７２ｄ，７４1〜７４5，７６1〜７６5は、ともに対応するスケールの反射面（スケールを構成する反射型回折格子の反射面）に検出光を投射し、その反射光を検出する。そして、各エンコーダヘッドは、回折格子の周期方向へのスケールに対する相対変位を計測し、各Ｚヘッドは、スケールの反射面の面位置（Ｚ位置）を計測する。そのため、スケールの回折格子面（反射面）に凹凸がある場合、及び／又は回折格子面を覆うカバーガラスの厚みが場所によって異なる場合には、エンコーダヘッド及びＺヘッドに計測誤差が発生する。
ここで、計測誤差の補正方法の説明に先立って、エンコーダ（ヘッド）及びＺヘッドについて、さらに詳細に説明する。 Here, prior to the description of the measurement error correction method, the encoder (head) and the Z head will be described in more detail.
図８には、エンコーダ７０Ａ〜７０Ｆを代表して、エンコーダ７０Ｃの構成が示されている。図８では、エンコーダ７０Ｃを構成するヘッドユニット６２Ｃの１つのＹヘッド６４が、Ｙスケール３９Ｙ2に検出光（計測ビーム）を照射している。
FIG. 8 shows a configuration of an
Ｙヘッド６４は、大別すると、照射系６４ａ、光学系６４ｂ、及び受光系６４ｃの３部分から構成されている。
The
照射系６４ａは、レーザ光ＬＢをＹ軸及びＺ軸に対して４５度を成す方向に射出する光源、例えば半導体レーザＬＤと、該半導体レーザＬＤから射出されるレーザビームＬＢの光路上に配置されたレンズＬ１とを含む。
The
光学系６４ｂは、その分離面がＸＺ平面と平行である偏光ビームスプリッタＰＢＳ、各一対の反射ミラーＲ１ａ，Ｒ１ｂ、レンズＬ２ａ，Ｌ２ｂ、四分の一波長板（以下、λ／４板と記述する）ＷＰ１ａ，ＷＰ１ｂ、及び反射ミラーＲ２ａ，Ｒ２ｂ等を備えている。
The
受光系６４ｃは、偏光子（検光子）及び光検出器等を含む。
The
半導体レーザＬＤから射出されたレーザビームＬＢはレンズＬ１を介して偏光ビームスプリッタＰＢＳに入射し、偏光分離されて２つのビームＬＢ1、ＬＢ2となる。偏光ビームスプリッタＰＢＳを透過したビームＬＢ1は反射ミラーＲ１ａを介してＹスケール３９Ｙ2に形成された反射型回折格子ＲＧに到達し、偏光ビームスプリッタＰＢＳで反射されたビームＬＢ2は反射ミラーＲ１ｂを介して反射型回折格子ＲＧに到達する。なお、ここで「偏光分離」とは、入射ビームをＰ偏光成分とＳ偏光成分に分離することを意味する。 The laser beam LB emitted from the semiconductor laser LD is incident on the polarization beam splitter PBS via the lens L1, and is polarized and separated into two beams LB 1 and LB 2 . The beam LB 1 transmitted through the polarization beam splitter PBS reaches the reflection type diffraction grating RG formed on the Y scale 39Y 2 via the reflection mirror R1a, and the beam LB 2 reflected by the polarization beam splitter PBS passes through the reflection mirror R1b. Through the reflection type diffraction grating RG. Here, “polarized light separation” means that an incident beam is separated into a P-polarized component and an S-polarized component.
ビームＬＢ1、ＬＢ2の照射によって回折格子ＲＧから発生する所定次数の回折ビーム、例えば１次回折ビームはそれぞれ、レンズＬ２ｂ、Ｌ２ａを介してλ／４板ＷＰ１ｂ、ＷＰ１ａにより円偏光に変換された後、反射ミラーＲ２ｂ、Ｒ２ａにより反射されて再度λ／４板ＷＰ１ｂ、ＷＰ１ａを通り、往路と同じ光路を逆方向に辿って偏光ビームスプリッタＰＢＳに達する。 A diffracted beam of a predetermined order generated from the diffraction grating RG by irradiation of the beams LB 1 and LB 2 , for example, a first-order diffracted beam is converted into circularly polarized light by the λ / 4 plates WP1b and WP1a via the lenses L2b and L2a, respectively. Thereafter, the light is reflected by the reflection mirrors R2b and R2a, passes through the λ / 4 plates WP1b and WP1a again, follows the same optical path as the forward path in the reverse direction, and reaches the polarization beam splitter PBS.
偏光ビームスプリッタＰＢＳに達した２つのビームは、各々その偏光方向が元の方向に対して９０度回転している。このため、先に偏光ビームスプリッタＰＢＳを透過したビームＬＢ1に由来する１次回折ビームは、偏光ビームスプリッタＰＢＳで受光系６４ｃに向けて反射される。一方、先に偏光ビームスプリッタＰＢＳで反射されたビームＬＢ2に由来する１次回折ビームは、偏光ビームスプリッタＰＢＳを透過してビームＬＢ1の１次回折ビームと同軸上に集光されて受光系６４ｃに入射する。
The polarization directions of the two beams that have reached the polarization beam splitter PBS are each rotated by 90 degrees with respect to the original direction. For this reason, the first-order diffracted beam derived from the beam LB 1 that has passed through the polarizing beam splitter PBS is reflected by the polarizing beam splitter PBS toward the
そして、上記２つの１次回折ビームは、受光系６４ｃの内部で、検光子によって偏光方向が揃えられ、相互に干渉して干渉光となり、この干渉光が光検出器によって検出され、干渉光の強度に応じた電気信号に変換される。ここで、Ｙスケール３９Ｙ2（すなわちウエハステージＷＳＴ）が計測方向（この場合、Ｙ軸方向）に移動すると、２つのビームそれぞれの位相が変化して干渉光の強度が変化する。この干渉光の強度の変化が、受光系６４ｃによって検出され、その強度変化に応じた位置情報がＹエンコーダ７０Ｃの計測値として出力される。
The two first-order diffracted beams are aligned in the polarization direction by the analyzer inside the
ヘッドユニット６２Ｃ内のその他のヘッド、ヘッドユニット６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｄ，６２Ｅ，６２Ｆがそれぞれ備えるヘッド６５，６６，６７，６８も、ヘッド６４（エンコーダ７０Ｃ）と同様に構成されている。
The heads 65, 66, 67, and 68 included in the other heads in the
以上の説明からわかるように、ヘッド６４〜６８（エンコーダ７０Ａ〜７０Ｆ）は、干渉させる２つのビームの光路長が極短くかつほぼ等しいため、空気揺らぎの影響がほとんど無視できる。なお、各エンコーダとしては、分解能が、例えば０．１ｎｍ程度のものが用いられている。
As can be seen from the above description, the
次に、Ｚヘッド７２ａ〜７２ｄ，７４1〜７４5，７６1〜７６5の構成等について、図１０に示されるＺヘッド７２ａを代表的に採り上げて、さらに詳述する。図１０では、Ｚヘッド７２ａからＹスケール３９Ｙ2に検出光（計測ビーム）ＬＢが照射されている。
Then, Z heads 72a to 72d, the 72d, 76 1 to 76 5 configuration and the like of, representatively taken up the
Ｚヘッド７２ａは、図１０に示されるように、フォーカスセンサＦＳ、フォーカスセンサＦＳを収納したセンサ本体ＺＨ、及びセンサ本体ＺＨをＺ軸方向に駆動する駆動部（不図示）、並びにセンサ本体ＺＨのＺ軸方向の変位を計測する計測部ＺＥ等を備えている。
As shown in FIG. 10, the
フォーカスセンサＦＳとしては、計測ビームＬＢを計測対象面（計測面）に投射し、その反射光を受光することで、計測対象面の変位を光学的に読み取るピックアップ方式のフォーカスセンサが用いられている。フォーカスセンサＦＳの出力信号は、不図示の駆動部に送られる。 As the focus sensor FS, a pickup type focus sensor that projects the measurement beam LB onto the measurement target surface (measurement surface) and receives the reflected light to optically read the displacement of the measurement target surface is used. . The output signal of the focus sensor FS is sent to a drive unit (not shown).
駆動部（不図示）は、アクチュエータ、例えばボイスコイルモータを含み、ボイスコイルモータの可動子及び固定子の一方は、センサ本体ＺＨに、他方はセンサ本体ＺＨ及び計測部ＺＥ等を収容する不図示の筐体の一部に、それぞれ固定されている。この駆動部は、フォーカスセンサＦＳからの出力信号に従って、センサ本体ＺＨと計測対象面との距離を一定に保つように（より正確には、計測対象面をフォーカスセンサＦＳの受光光学系のベストフォーカス位置に保つように）、センサ本体ＺＨをＺ軸方向に駆動する。これにより、センサ本体ＺＨは計測対象面のＺ軸方向の変位に追従し、フォーカスロック状態が保たれる。 The drive unit (not shown) includes an actuator, for example, a voice coil motor. One of the mover and the stator of the voice coil motor is accommodated in the sensor body ZH, and the other is accommodated in the sensor body ZH, the measurement unit ZE, and the like. Each is fixed to a part of the housing. This drive unit keeps the distance between the sensor body ZH and the measurement target surface constant according to the output signal from the focus sensor FS (more precisely, the measurement target surface is the best focus of the light receiving optical system of the focus sensor FS). The sensor body ZH is driven in the Z-axis direction so as to maintain the position. Thereby, the sensor main body ZH follows the displacement of the measurement target surface in the Z-axis direction, and the focus lock state is maintained.
計測部ＺＥとしては、本実施形態では、一例として、エンコーダ７０Ａ〜７０Ｆと同様の回折干渉方式のエンコーダが用いられている。計測部ＺＥは、センサ本体ＺＨの上面に固定されたＺ軸方向に延びる支持部材ＳＭの側面に設けられたＺ軸方向を周期方向とする反射型の回折格子ＥＧと、回折格子ＥＧに対向して不図示の筐体に取付けられたエンコーダヘッドＥＨとを含む。エンコーダヘッドＥＨは、計測ビームＥＬを回折格子ＥＧに投射し、回折格子ＥＧからの反射・回折光を受光素子で受光して計測ビームＥＬの照射点の原点からの変位を読み取ることで、センサ本体ＺＨのＺ軸方向の変位、すなわち計測対象面のＺ軸方向の位置を計測する。エンコーダヘッドＥＨの計測値が、Ｚヘッド７２ａの計測値として前述の信号処理・選択装置１７０を介して主制御装置２０に供給される。
In the present embodiment, as the measurement unit ZE, for example, a diffraction interference type encoder similar to the
上述のように、エンコーダ７０Ａ〜７０Ｆでは、各ヘッドからスケールの反射型回折格子に２つの検出光を投射し、それぞれの反射光が各ヘッドにより合成されて干渉光が生成され、該干渉光の強度変化に応じた位置情報が、エンコーダの計測値（ヘッドとスケールとの計測方向に関する相対変位）として出力される。例えば、図９（Ａ）に示されるエンコーダヘッドの中心軸ＬＥとスケール３９（反射型回折格子ＲＧ）の面（反射面）が直交している基準状態から、図９（Ｂ）に示されるように、スケール３９が傾斜すると、２つのビーム（検出光）ＬＢ１，ＬＢ２の間に光路差が発生する。図９（Ａ）〜図９（Ｃ）では、２つの検出光ＬＢ１，ＬＢ２の光路が、それらが中心軸ＬＥと反射型回折格子ＲＧの反射面との交点Ｏで反射するように図示されている。また、図９（Ａ）〜図９（Ｃ）では、検出光ＬＢ１，ＬＢ２の光路と反射型回折格子ＲＧを覆うカバーガラスＣＧの表面との交点が、白丸（白抜きの丸）で示されている。従って、図９（Ｂ）では、中心軸ＬＥに関する４つの交点の位置が非対称になっていることから、２つの検出光ＬＢ１、ＬＢ２に光路差が生じていることがわかる。
As described above, in each of the
ここで、２つの検出光ＬＢ１、ＬＢ２に光路差が発生すると、干渉光の強度が変化する。このため、実際にはエンコーダヘッドとスケール間に相対変位はないにもかかわらず、相対変位が検出されてしまう。 Here, when an optical path difference occurs between the two detection lights LB 1 and LB 2 , the intensity of the interference light changes. For this reason, although there is actually no relative displacement between the encoder head and the scale, the relative displacement is detected.
また、図９（Ｃ）に示されるように、図９（Ａ）に示される基準状態と同様に反射型回折格子ＲＧの反射面がエンコーダヘッドの中心軸ＬＥと直交していても、反射型回折格子ＲＧを覆うカバーガラスＣＧの厚みが場所によって異なる場合にも、２つの検出光ＬＢ１、ＬＢ２のカバーガラスＣＧ中での光路差が非零となり、かつ場所によって変化する。そのため、実際のエンコーダヘッドとスケールとの間の相対変位量と、干渉光の強度変化から検出される変位量との間の線形性が破れ、計測誤差が発生する。 Further, as shown in FIG. 9 (C), even if the reflecting surface of the similarly reflection grating RG and the reference state shown in FIG. 9 (A) are perpendicular to the center axis L E of the encoder head, the reflection Even when the thickness of the cover glass CG covering the diffraction grating RG varies depending on the location, the optical path difference between the two detection lights LB 1 and LB 2 in the cover glass CG becomes non-zero and varies depending on the location. For this reason, the linearity between the relative displacement amount between the actual encoder head and the scale and the displacement amount detected from the change in the intensity of the interference light is broken, and a measurement error occurs.
また、上述したように、Ｚヘッド７２ａ〜７２ｄ，７４1〜７４5，７６1〜７６5は、フォーカスセンサＦＳから計測対象面（計測面）に計測ビームを投射し、その反射光を受光して、計測面をフォーカスセンサＦＳの受光光学系のベストフォーカス位置に保つようにセンサ本体ＺＨを計測方向に関して計測面に追従駆動する。そして、センサ本体ＺＨの計測方向の変位量を計測部ＺＥで読み取ることにより、計測面の面位置（Ｚ位置）を計測する。従って、Ｚヘッド７２ａ〜７２ｄ，７４1〜７４5，７６1〜７６5の計測面であるスケールの反射型回折格子の反射面に凹凸があると、その凹凸が、ウエハテーブルＷＴＢ（ウエハステージＷＳＴ）のＺ変位として検出されてしまう。また、スケールの反射型回折格子に凹凸がなくても、それを覆うカバーガラスの厚みが場所によって異なる場合にも、計測ビーム（検出光）の光路が変化するため、計測誤差が発生する。
Further, as described above, Z heads 72a to 72d, 74 to 72d, 76 1 to 76 5, projecting a measuring beam from the focus sensor FS to the measurement target surface (measurement surface), it receives the reflected light Then, the sensor body ZH is driven to follow the measurement surface in the measurement direction so as to keep the measurement surface at the best focus position of the light receiving optical system of the focus sensor FS. And the surface position (Z position) of a measurement surface is measured by reading the displacement amount of the measurement direction of the sensor main body ZH with the measurement part ZE. Thus,
次に、本実施形態の露光装置１００で行われる、スケールの回折格子面（反射面）の凹凸及びカバーガラスの厚み分布によって発生する計測誤差の補正について説明する。
Next, correction of measurement errors caused by the unevenness of the diffraction grating surface (reflection surface) of the scale and the thickness distribution of the cover glass performed by the
エンコーダヘッド及びＺヘッドの計測面（計測ビームの反射面）であるスケールを構成する反射型回折格子の表面は、必ずしも理想的な平面ではなく、微小な凹凸をもつ。また、回折格子が形成されたガラス板及び回折格子を保護するためのカバーガラスは、主として製造時の加工精度などによって凹凸が存在する。そのような回折格子、ガラス板、及びカバーガラスの凹凸は、前述のように、エンコーダ及びＺヘッドの計測誤差の発生要因となる。ここで、エンコーダヘッド及びＺヘッドの計測原理から明らかなように、回折格子、ガラス板、及びカバーガラスのそれぞれの凹凸による計測誤差は、区別できない。そこで、以下では、特に必要な場合を除いて、これらの誤差要因を、単にスケール表面の凹凸と呼ぶ。 The surface of the reflective diffraction grating that constitutes the scale, which is the measurement surface (measurement beam reflection surface) of the encoder head and Z head, is not necessarily an ideal plane, and has minute irregularities. In addition, the glass plate on which the diffraction grating is formed and the cover glass for protecting the diffraction grating have irregularities mainly due to processing accuracy during manufacturing. Such irregularities of the diffraction grating, the glass plate, and the cover glass cause the measurement error of the encoder and the Z head as described above. Here, as is apparent from the measurement principle of the encoder head and the Z head, measurement errors due to the irregularities of the diffraction grating, the glass plate, and the cover glass cannot be distinguished. Therefore, in the following, these error factors are simply referred to as irregularities on the scale surface, unless particularly required.
本実施形態では、主制御装置２０により、予め、Ｘスケール３９Ｘ1，３９Ｘ2とＹスケール３９Ｙ1，３９Ｙ2の表面の凹凸が計測され、その計測結果に基づいて、エンコーダヘッド及びＺヘッドの計測誤差の補正データが作成され、メモリ３４に格納されている。
In this embodiment, the
次に、スケール表面の凹凸の計測方法について、Ｙスケール３９Ｙ1，３９Ｙ2を例として説明する。 Next, a method for measuring the unevenness of the scale surface will be described using Y scales 39Y 1 and 39Y 2 as an example.
主制御装置２０は、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）に示されるように、干渉計システム１１８の計測値に基づいて、ウエハテーブルＷＴＢの６自由度（Ｘ，Ｙ，Ｚ，θｘ，θｙ，θｚ）方向の位置を監視しながらウエハステージＷＳＴを移動させ、Ｚヘッドの計測値を用いてＹスケール３９Ｙ1，３９Ｙ2の凹凸を計測する。この場合、Ｚヘッドとしては、７２ａ〜７２ｄが使用されている。
As shown in FIGS. 11 (A) and 11 (B),
主制御装置２０は、Ｙスケール３９Ｙ1，３９Ｙ2の凹凸を計測している間、ウエハステージＷＳＴを、４自由度（Ｚ，θｘ，θｙ，θｚ）方向についての基準位置に位置決めし、基準状態に維持する。そして、主制御装置２０は、Ｚ干渉計４３Ａ，４３Ｂを用いてＺ，θｙ位置を監視し、Ｙ干渉計１６を用いてθｘ，θｚ位置を監視して、４自由度方向（Ｚ，θｘ，θｙ，θｚ）にウエハステージＷＳＴが変位しないように制御する。そして、主制御装置２０は、Ｘ干渉計１２７を用いてＸ位置を監視し、Ｙ干渉計１６を用いてＹ位置を監視して、ウエハステージＷＳＴを２自由度（Ｘ，Ｙ）方向に駆動制御する。
Ｙスケール３９Ｙ1，３９Ｙ2の凹凸は、Ｙ軸方向に間隔δＹ、Ｘ軸方向に間隔δＸの複数の計測点において、Ｙスケール３９Ｙ1，３９Ｙ2の面位置（表面のＺ位置）を、Ｚヘッドを用いて計測することで求められる。ここで、例えば、Ｙ間隔δＹ＝１ｍｍ、Ｘ間隔δＸ＝３５ｍｍと設定する。本実施形態では、Ｙスケール３９Ｙ1，３９Ｙ2（の反射型回折格子）のＸ軸方向の幅は一例として約７６ｍｍに設定されているので、図１１（Ｂ）に示されるように、Ｘ軸方向にそれぞれ３つの計測点（Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３、ただし｜Ｘ１−Ｘ２｜＝｜Ｘ２−Ｘ３｜＝δＸ、及びＸ１’，Ｘ２’，Ｘ３’、ただし｜Ｘ１’−Ｘ２’｜＝｜Ｘ２’−Ｘ３’｜＝δＸ）を取ることができる。 The unevenness of the Y scales 39Y 1 and 39Y 2 indicates the surface position (Z position of the surface) of the Y scales 39Y 1 and 39Y 2 at a plurality of measurement points at intervals δY in the Y-axis direction and intervals δX in the X-axis direction. It is obtained by measuring using a head. Here, for example, the Y interval δY = 1 mm and the X interval δX = 35 mm are set. In the present embodiment, the width of the Y scales 39Y 1 and 39Y 2 (the reflection type diffraction gratings) in the X-axis direction is set to about 76 mm as an example, and as shown in FIG. respectively toward the three measurement points (X 1, X 2, X 3, provided that | X 1 -X 2 | = | X 2 -X 3 | = δX, and X 1 ', X 2', X 3 ', provided that | X 1 ′ −X 2 ′ | = | X 2 ′ −X 3 ′ | = δX).
主制御装置２０は、例えば図１１（Ｂ）に示されるように、Ｚヘッド７２ｃ，７２ｄの計測位置（計測ビームの照射点）が、Ｙスケール３９Ｙ1のＸ軸方向の第１の計測直線Ｘ1上の隣接する計測点に位置し、同時に、Ｚヘッド７２ａ，７２ｂの計測位置が、Ｙスケール３９Ｙ2のＸ軸方向の第１の計測直線Ｘ１’ 上の隣接する計測点に位置するように、ウエハステージＷＳＴを位置決めする。そして、主制御装置２０は、Ｘ干渉計１２７を用いてウエハステージＷＳＴのＸ軸方向の位置を一定に維持した状態で、Ｙ干渉計１６を用いてウエハステージＷＳＴのＹ位置を監視しながら、ウエハステージＷＳＴをＹ軸方向に所定のピッチδＹでステップ駆動し、ステップ毎に、Ｚヘッド７２ａ，７２ｂを用いてＹスケール３９Ｙ2の面位置を、Ｚヘッド７２ｃ，７２ｄを用いてＹスケール３９Ｙ1の面位置を、計測する。また、このとき、主制御装置２０は、Ｙスケール３９Ｙ1，３９Ｙ2上に位置するＹヘッドの計測値を、上記面位置の取り込みに同期して取り込む。
The
ここで、図１２（Ａ）〜図１２（Ｄ）を用いて、一例として、Ｚヘッド７２ｃを用いたＹスケール３９Ｙ1の凹凸を計測する手順について、より詳細に説明する。
Here, as an example, a procedure for measuring the unevenness of the Y scale 39Y 1 using the
図１２（Ａ）では、Ｚヘッド７２ｃの計測位置が計測点（Ｘ１，Ｙｊ＋１）に一致するように、ウエハステージＷＳＴが位置決めされている。この状態で、主制御装置２０により、Ｚヘッド７２ｃを用いて、計測点（Ｘ１，Ｙｊ＋１）におけるＹスケール３９Ｙ1の面位置Ｚ１ｊ＋１が計測される。
In FIG. 12A, wafer stage WST is positioned so that the measurement position of
次に、主制御装置２０により、Ｙ干渉計１６を用いてウエハステージＷＳＴのＹ位置を監視しつつ、ウエハステージＷＳＴがＹ軸方向に距離δＹ、ステップ駆動される。これにより、図１２（Ｂ）に示されるように、Ｚヘッド７２ｃの計測位置が計測点（Ｘ１，Ｙｊ）に一致するように、ウエハステージＷＳＴが位置決めされる。ただし、Ｙｊ＝Ｙｊ＋１−δＹである。この状態で、先と同様に、主制御装置２０により、Ｚヘッド７２ｃを用いて、計測点（Ｘ１，Ｙｊ）におけるＹスケール３９Ｙ1の面位置Ｚ１ｊが計測される。
Next,
図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）に示されるように、本実施形態では、主制御装置２０により、上述と同様にして、逐次、ウエハステージＷＳＴがＹ軸方向に距離δＹ、ステップ駆動され、Ｚヘッド７２ｃを用いて、一連の計測点（Ｘ１，Ｙｊ）におけるＹスケール３９Ｙ1の面位置Ｚ１ｊが計測される。
As shown in FIGS. 12A to 12C, in this embodiment, wafer controller WST is sequentially step-driven by a distance δY in the Y-axis direction by
第１の計測直線Ｘ１上の全ての計測点についてのＹスケール３９Ｙ1の面位置の計測が終了すると、各計測点（Ｘ１，Ｙｊ）における面位置の計測結果Ｚ１ｊより、図１２（Ｄ）に示されるような凹凸データが得られる。なお、各計測点Ｙｊの間の凹凸データは、離散データＺ１ｊに線形補間、あるいは高次の補間公式を適用して求めれば良い。 When the measurement of the surface position of the Y scale 39Y 1 for all the measurement points on the first measurement line X1 is completed, the measurement result Z 1j of the surface position at each measurement point (X 1 , Y j ) indicates that FIG. Concavity and convexity data as shown in (D) is obtained. The unevenness data between the measurement points Yj may be obtained by applying linear interpolation or higher-order interpolation formula to the discrete data Z1j .
Ｘ軸方向の第１の計測直線Ｘ１に対する計測が終了すると、主制御装置２０により、ウエハステージＷＳＴがＸ軸方向に駆動され、Ｚヘッド７２ｃ、７２ｄの計測位置が、Ｙスケール３９Ｙ1の第２の計測直線Ｘ２上の隣接する計測点に位置し、同時に、Ｚヘッド７２ａ，７２ｂの計測位置が、Ｙスケール３９Ｙ2のＸ軸方向の第２の計測直線Ｘ2’上の隣接する計測点に位置するように、ウエハステージＷＳＴが位置決めされる。そして、先と同様に、逐次、ウエハステージＷＳＴをＹ軸方向に距離δＹ、ステップ駆動され、Ｚヘッド７２ｃを用いて、一連の計測点（Ｘ２，Ｙｊ）のＹスケール３９Ｙ1の面位置Ｚ２ｊが計測される。
When the measurement for the first measurement linear X 1 in the X axis direction is completed, the
同様の面位置計測を、すべてのＸ計測点Ｘｉについて行うことにより、Ｙスケール３９Ｙ1の２次元（Ｘ，Ｙ）の凹凸データＺｉｊが得られる。なお、各計測点（Ｘｉ，Ｙｊ）の間の凹凸データは、離散データＺｉｊに線形補間、あるいは高次の補間公式を適用して求めれば良い。それにより、Ｙスケール３９Ｙ1の２次元（Ｘ，Ｙ）の凹凸を表す連続関数δＺ1（Ｘ，Ｙ）が得られる。 By performing the same surface position measurement for all X measurement points X i , two-dimensional (X, Y) unevenness data Z ij of the Y scale 39Y 1 is obtained. The unevenness data between the measurement points (X i , Y j ) may be obtained by applying linear interpolation or higher-order interpolation formula to the discrete data Z ij . Thereby, a continuous function δZ 1 (X, Y) representing the two-dimensional (X, Y) unevenness of the Y scale 39Y 1 is obtained.
なお、本実施形態では、上記の各計測点における面位置計測に同期して、主制御装置２０によって、後述するエンコーダヘッドの計測誤差の補正データの作成に用いられる、Ｙスケール３９Ｙ1に対向するＹヘッドの計測値（変位Ｃ）の取り込みが行われている。
In the present embodiment, in synchronization with the surface position measurement at each measurement point described above, the
なお、上では、Ｚヘッド７２ｃを用いる面位置計測についてのみ説明したが、上記と同様にＺヘッド７２ｄを用いた計測を行い、２つの計測結果を平均することとしても良い。勿論、Ｚヘッド７２ｃ，７２ｄを用いて面位置の同時計測を行い、２つの計測結果を平均することとしても良い。このようにすると、干渉計システム１１８の空気揺らぎ及び／又は移動鏡表面の凹凸に起因する誤差等、干渉計の計測誤差に由来するスケールの面位置の計測誤差を軽減することができる。
Although only the surface position measurement using the
また、上述した計測方法では、原理上、Ｙスケール３９Ｙ1の凹凸をウエハステージＷＳＴのＺ，θｘ，θｙ方向の変位から分離して求めることができない。ここで、干渉計システム１１８の計測結果から求められるウエハステージＷＳＴの（Ｚ，θｘ，θｙ）位置を用いて、Ｚセンサ７２ｃ（及び７２ｄ）を用いて計測されるＹスケール３９Ｙ1の面位置を予測する。この予測値は、Ｙスケール３９Ｙ1及びウエハテーブルＷＴＢの上面を理想的な平面とみなす仮定の下で算出される。そこで、すべての計測点（Ｘｉ，Ｙｊ）について、Ｚセンサ７２ｃ（及び７２ｄ）を用いてＹスケール３９Ｙ1の面位置を計測し、その実測値と予測値との差から、Ｙスケール３９Ｙ1の２次元（Ｘ，Ｙ）の凹凸データＺｉｊを求めると良い。このようにすると、ウエハステージＷＳＴのＺ，θｘ，θｙ方向の変位が分離された、正味のＹスケール３９Ｙ1の凹凸データが得られる。
Further, in the above-described measuring method, principle, Y scales 39Y 1 of the irregularities of the wafer stage WST Z, [theta] x, it can not be obtained separately from θy direction of displacement. Here, the wafer stage WST obtained from the measurement results of interferometer system 118 (Z, [theta] x, [theta] y) by using the position, the
Ｙスケール３９Ｙ２に対しても、Ｚヘッド７２ａ，７２ｂのいずれか、あるいは両方を用いて、同様の計測を行い、２次元の凹凸関数δＺ2（Ｘ，Ｙ）を求める。勿論、Ｚヘッド７２ｃ，７２ｄを用いたＹスケール３９Ｙ1の凹凸計測と、Ｚヘッド７２ａ，７２ｂを用いたＹスケール３９Ｙ2の凹凸計測と、を同時に実行しても良い。
For the Y scale 39Y 2 , the same measurement is performed using either one or both of the Z heads 72a and 72b to obtain a two-dimensional uneven function δZ 2 (X, Y). Of course,
以上の処理により、Ｙスケール３９Ｙ１，３９Ｙ２の２次元（Ｘ，Ｙ）の凹凸を表す連続関数δＺ1（Ｘ，Ｙ），δＺ2（Ｘ，Ｙ）が得られる。これらの連続関数δＺ1（Ｘ，Ｙ），δＺ2（Ｘ，Ｙ）（又はこれに対応するマップデータ）は、メモリ３４に格納される。
With the above processing, continuous functions δZ 1 (X, Y) and δZ 2 (X, Y) representing the two-dimensional (X, Y) unevenness of the Y scales 39Y 1 and 39Y 2 are obtained. These continuous functions δZ 1 (X, Y), δZ 2 (X, Y) (or map data corresponding thereto) are stored in the
なお、主制御装置２０は、上記のステップ駆動に代えて、ウエハステージＷＳＴのＸ軸方向の位置を一定に維持した状態で、ウエハステージＷＳＴをＹ軸方向に駆動しながら、所定のサンプリング距離毎（又は等速移動の場合にはサンプリング間隔毎）にＺヘッド７２ａ，７２ｂを用いてＹスケール３９Ｙ2の面位置を、Ｚヘッド７２ｃ，７２ｄを用いてＹスケール３９Ｙ1の面位置を、計測することとしても良い。このようにすると、２次元（Ｘ，Ｙ）の連続凹凸データδＺ1（Ｘ，Ｙ）、δＺ2（Ｘ，Ｙ）が容易に求められる。なお、ウエハステージＷＳＴを連続移動させる場合、干渉計が空気揺らぎの影響を受けない程度の低速で移動させても良い。
It is noted that
Ｘスケール３９Ｘ１，３９Ｘ２の凹凸データも、同様に、Ｚヘッドを用いて計測することができる。ここで、Ｚヘッドは、例えば、Ｘスケールの長手方向に配列されているＺヘッド７４1〜７４3又は７６3〜７６5のうちの２つを用いれば良い。計測結果は、Ｙスケールの凹凸の計測結果と同様に、メモリ３４に格納される。
The unevenness data of the X scales 39X 1 and 39X 2 can be similarly measured using the Z head. Here, Z head, for example, may be used two of Z head 72d 3 or 76 3-76 5 being arranged in the longitudinal direction of X scales. The measurement result is stored in the
本実施形態の露光装置１００では、前述の国際公開第２００７／０９７３７９号パンフレットの実施形態中に開示されている手順と同様の手順に従って、ウエハステージＷＳＴと計測ステージＭＳＴとを用いた一連の並行処理動作が行われる。そして、この並行処理動作中の、例えば、フォーカスマッピング中、又は露光中などに、主制御装置２０は、次のようにしてエンコーダヘッドとＺヘッドのスケールの凹凸に起因する計測誤差を補正する。
In the
まず、Ｚヘッドの計測誤差は、次のように容易に補正することができる。例えば、Ｙスケール３９Ｙ１の点（Ｘ，Ｙ）における面位置の実測値Ｚ０が得られたとすると、次式（１）に基づいて実測値Ｚ０を補正し、補正後の値Ｚを算出する。 First, the measurement error of the Z head can be easily corrected as follows. For example, if an actual measurement value Z 0 of the surface position at the point (X, Y) of the Y scale 39Y 1 is obtained, the actual measurement value Z 0 is corrected based on the following equation (1), and a corrected value Z is calculated. To do.
Ｚ＝Ｚ０−δＺ1（Ｘ，Ｙ） ……（１）
主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴの動作範囲内での移動中に、上記のような補正値の計算を、各ＺヘッドでＹスケール３９Ｙ１，３９Ｙ２のＺ位置情報を検出する度、あるいは所定のサンプリング回数おきに繰り返し実行しつつ、ウエハステージＷＳＴのＺ、θｙ方向の面位置制御を実行する。
Z = Z 0 −δZ 1 (X, Y) (1)
一方、エンコーダヘッドについては、カバーガラスがない場合には、２つの計測ビームの光路差ΔＬを反射型回折格子の傾きから求めることで、計測ビームの波数Ｋ（＝２π／λ、ただしλは波長）として、干渉光の強度変化より検出される変位量に対する補正値ＫΔＬδ／２πを求めることができる。ただし、δは、計測単位である。 On the other hand, for the encoder head, when there is no cover glass, the optical path difference ΔL between the two measurement beams is obtained from the inclination of the reflection diffraction grating, whereby the wave number K of the measurement beam (= 2π / λ, where λ is the wavelength ), A correction value KΔLδ / 2π for the displacement detected from the intensity change of the interference light can be obtained. Where δ is a unit of measurement.
しかし、本実施形態では、反射型回折格子を覆うカバーガラスＣＧが設けられており、このカバーガラスＣＧも一般に厚み分布を持つため、２つの計測ビームの光路差（正確には、雰囲気中の光路差だけでなくカバーガラス中の光路差も含む）を求めることは、実際には容易ではない。また、前述のＺヘッドを用いたスケールの凹凸データの計測では、Ｚヘッドの計測原理上、回折格子の凹凸とカバーガラス板の厚み分布を分離して計測することはできず、両効果が実効的に繰り込まれた１つの凹凸データδＺ（Ｘ，Ｙ）として求められる。従って、凹凸データδＺ（Ｘ，Ｙ）を用いて、回折格子の凹凸とカバーガラスの厚み分布による計測誤差を個別に補正することはできない。 However, in this embodiment, a cover glass CG that covers the reflective diffraction grating is provided, and this cover glass CG also generally has a thickness distribution. Therefore, the optical path difference between two measurement beams (more precisely, the optical path in the atmosphere) In practice, it is not easy to obtain not only the difference but also the optical path difference in the cover glass. In the measurement of scale unevenness data using the Z head described above, due to the Z head measurement principle, the unevenness of the diffraction grating and the thickness distribution of the cover glass plate cannot be measured separately, and both effects are effective. It is obtained as one unevenness data δZ (X, Y) that is automatically transferred. Therefore, it is impossible to individually correct measurement errors due to the unevenness of the diffraction grating and the thickness distribution of the cover glass using the unevenness data δZ (X, Y).
そこで、本実施形態では、凹凸データδＺ（Ｘ，Ｙ）を用いて、スケールの凹凸によるエンコーダの計測誤差を、実効的に補正することとしている。前述の通り、スケールの凹凸によるエンコーダヘッドの計測誤差は、２つの計測ビームの光路差に依存する。光路差は、カバーガラスＣＧの厚みが一様であれば、スケールの傾きから一意に決まる。ここで、スケールの傾きは、凹凸データδＺ（Ｘ，Ｙ）を用いて求めることができる。 Therefore, in this embodiment, the measurement error of the encoder due to the unevenness of the scale is effectively corrected using the unevenness data δZ (X, Y). As described above, the measurement error of the encoder head due to the unevenness of the scale depends on the optical path difference between the two measurement beams. The optical path difference is uniquely determined from the inclination of the scale if the thickness of the cover glass CG is uniform. Here, the inclination of the scale can be obtained using the unevenness data δZ (X, Y).
本実施形態では、カバーガラスＣＧの厚みが一様であるか否かにかかわらず、エンコーダヘッドの計測誤差（ΔＣとする）を、次式（２）のように、カバーガラスＣＧの厚み分布が繰り込まれた凹凸データδＺ（Ｘ，Ｙ）より求まる実効的なスケールの傾きＺ’（＝ｄδＺ（Ｘ，Ｙ）／ｄα（αは計測方向））と、関連付けることとしている。 In this embodiment, regardless of whether or not the thickness of the cover glass CG is uniform, the encoder head measurement error (denoted as ΔC) is expressed by the thickness distribution of the cover glass CG as shown in the following equation (2). The effective scale gradient Z ′ (= dδZ (X, Y) / dα (α is the measurement direction)) obtained from the transferred unevenness data δZ (X, Y) is associated with each other.
ΔＣ＝ａ０＋ａ１・Ｚ’＋Ｏ（Ｚ’２） ……（２）
ただし、上式（２）において、右辺第３項は高次項である。また、ΔＣは、前述のＺヘッドを用いてスケールの凹凸データＺ（Ｘ，Ｙ）を計測する際に、同時計測により取得した、スケールに対向するエンコーダヘッドの計測値Ｃと、そのエンコーダヘッドの計測値Ｃを干渉計システム１１８の計測結果から予測した予測値Ｃ０との誤差である。
ΔC = a0 + a1 · Z ′ + O (Z ′ 2 ) (2)
However, in the above equation (2), the third term on the right side is a high-order term. Further, ΔC is the measured value C of the encoder head facing the scale obtained by simultaneous measurement when measuring the unevenness data Z (X, Y) of the scale using the Z head described above, and the encoder head's measured value C. This is an error from the predicted value C0 obtained by predicting the measured value C from the measurement result of the
従って、主制御装置２０は、凹凸データＺ（Ｘ，Ｙ）から求められる実効的な傾きＺ’と誤差ΔＣを、式（２）にあてはめて、係数ａ０，ａ１を決定し、その係数が決定した次式（２）’を、エンコーダヘッドの計測誤差の補正データとして、メモリに３４内に格納している。
Therefore,
ΔＣ＝ａ０＋ａ１・Ｚ’ ……（２）’ ΔC = a0 + a1 · Z ′ (2) ′
エンコーダの計測誤差は、式（２）’を用いて、次のように補正される。例として、Ｙスケール３９Ｙ１の点（Ｘ，Ｙ）をＹヘッド６５で走査した際の実測値Ｃｙ０を補正する場合について説明する。凹凸データδＺ1（Ｘ，Ｙ）より計測点（Ｘ，Ｙ）でのＹスケール３９Ｙ１の計測方向の傾きＺ’＝ｄδＺ1（Ｘ，Ｙ）／ｄｙを求める。得られたＺ’を式（２）’に代入して、補正値ΔＣを求める。補正値ΔＣを実測値Ｃｙ０に加える、すなわちＣｙ＝Ｃｙ０＋ΔＣと補正される。 The measurement error of the encoder is corrected as follows using equation (2) ′. As an example, a case will be described in which the measured value Cy 0 when the point (X, Y) of the Y scale 39Y 1 is scanned with the Y head 65 is corrected. A slope Z ′ = dδZ 1 (X, Y) / dy in the measurement direction of the Y scale 39Y 1 at the measurement point (X, Y) is obtained from the unevenness data δZ 1 (X, Y). The obtained Z ′ is substituted into the equation (2) ′ to obtain the correction value ΔC. The correction value ΔC is added to the actual measurement value Cy 0 , that is, it is corrected as Cy = Cy 0 + ΔC.
Ｙスケール３９Ｙ１に限らず、Ｙスケール３９Ｙ2及びＸスケール３９Ｘ1，３９Ｘ2の凹凸によるエンコーダの計測誤差も、同様に補正することができる。 Y is not limited to scales 39Y 1, Y scales 39Y 2 and X scales 39X 1, irregularities encoder measurement error due to the 39X 2 can also be corrected as well.
以上詳細に説明したように、本実施形態の露光装置１００によると、主制御装置２０により、エンコーダヘッド及びＺヘッドの計測結果と、スケール表面の凹凸分布とに基づいて、ウエハステージＷＳＴが駆動される。従って、スケール表面の凹凸分布を用いて、スケール表面の凹凸に起因するエンコーダヘッド及びＺヘッドの計測誤差をそれぞれ補正することができ、補正後のエンコーダヘッド及びＺヘッドの計測結果に基づいて、ウエハステージＷＳＴを高精度で駆動することが可能になる。また、ウエハＷ上にレチクルＲのパターンを形成するために、主制御装置２０により、レチクルＲ（レチクルステージＲＳＴ）に同期して、ウエハＷを保持するウエハステージＷＳＴを精度良く駆動することができ、これにより、走査露光により、ウエハＷ上にパターンを精度良く形成することが可能になる。
As described above in detail, according to
なお、上記実施形態では、Ｚヘッドを１つ用いて、スケール表面の凹凸分布を計測する場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。すなわち、Ｚヘッドを２つ用いて、スケール表面の凹凸分布を計測しても良い。 In the above embodiment, the case where the unevenness distribution on the scale surface is measured using one Z head is described, but the present invention is not limited to this. That is, the unevenness distribution on the scale surface may be measured using two Z heads.
図１３（Ａ）〜図１３（Ｃ）には、Ｚヘッド７２ｃ，７２ｄを用いて、Ｙスケール３９Ｙ1の凹凸を計測する手順が示されている。なお、Ｙ軸方向の計測点の間隔δＹは、Ｚヘッド７２ｃ，７２ｄのＹ間隔と等しいとする。また、基準計測点を（Ｘi，ＹN）に選ぶ。 FIGS. 13A to 13C show a procedure for measuring the unevenness of the Y scale 39Y 1 using the Z heads 72c and 72d. It is assumed that the interval δY between the measurement points in the Y-axis direction is equal to the Y interval between the Z heads 72c and 72d. The reference measurement point is selected as (X i , Y N ).
図１３（Ａ）では、Ｚヘッド７２ｃの計測位置は計測点（Ｘｉ，Ｙｊ＋２）に、Ｚヘッド７２ｄの計測位置は計測点（Ｘｉ，Ｙｊ＋１）に一致するように、ウエハステージＷＳＴが位置決めされている。ただし、Ｙｊ＋１＝Ｙｊ＋２−δＹである。この状態で、主制御装置２０により、Ｚヘッド７２ｃを用いて、計測点（Ｘｉ，Ｙｊ＋２）のＹスケール３９Ｙ1の面位置Ｚｉｊ＋２が計測されると同時に、Ｚヘッド７２ｄを用いて、計測点（Ｘｉ，Ｙｊ＋１）のＹスケール３９Ｙ1の面位置Ｚｉｊ＋１が計測される。そして、主制御装置２０により、２つの面位置の差δＺｉｊ＋１＝Ｚｉｊ＋１−Ｚｉｊ＋２が求められる。
In FIG. 13A, wafer stage WST is such that the measurement position of
次に、主制御装置２０により、Ｙ干渉計１６を用いてウエハステージＷＳＴのＹ位置を監視しつつ、ウエハステージＷＳＴがＹ軸方向に距離δＹ、ステップ駆動される。これにより、図１３（Ｂ）に示されるように、Ｚヘッド７２ｃの計測位置が計測点（Ｘｉ，Ｙｊ＋１）に、Ｚヘッド７２ｄの計測位置が計測点（Ｘｉ，Ｙｊ）に一致するように、ウエハステージＷＳＴが位置決めされる。ただし、Ｙｊ＝Ｙｊ＋１−δＹである。この状態で、先と同様に、主制御装置２０により、Ｚヘッド７２ｃを用いて、計測点（Ｘｉ，Ｙｊ＋１）におけるＹスケール３９Ｙ1の面位置Ｚｉｊ＋１が計測されると同時に、Ｚヘッド７２ｄを用いて、計測点（Ｘｉ，Ｙｊ）におけるＹスケール３９Ｙ1の面位置Ｚｉｊが計測される。そして、主制御装置２０により、２つの面位置の差δＺｉｊ＝Ｚｉｊ−Ｚｉｊ＋１が求められる。
Next,
図１３（Ａ）〜図１３（Ｃ）に示されるように、本変形例では、主制御装置２０により、上述と同様にして、逐次、ウエハステージＷＳＴがＹ軸方向に距離δＹ、ステップ駆動され、Ｚヘッド７２ｃ，７２ｄを用いて、Ｙ軸方向についての一連の計測点（Ｘｉ，Ｙｊ）内の互いに隣り合う２つの計測点におけるＹスケール３９Ｙ1の面位置の差分δＺｉｊ（＝Ｚｉｊ−Ｚｉｊ＋１）が計測される。
As shown in FIGS. 13A to 13C, in this modification, the
ｉ番目の計測直線Ｘi上の全ての計測点についてのＹスケール３９Ｙ1の面位置の計測が終了すると、各計測点（Ｘｉ，Ｙｊ）間の面位置の差分の計測結果δＺｉｊを用いて、次式（３）より、図１３（Ｄ）に示されるような凹凸データが得られる。 When the measurement of the surface position of the Y scale 39Y 1 for all the measurement points on the i-th measurement line X i is completed, the measurement result δZ ij of the surface position difference between the measurement points (X i , Y j ) is obtained. By using the following equation (3), unevenness data as shown in FIG. 13D is obtained.
δＺ1ij＝δＺ1（Ｘｉ，Ｙｊ）＝Σｊ≦ｋ≦ＮδＺｉｋ ……（３）
なお、同一の計測直線Ｘi上の隣接する計測点間の凹凸データは、離散データδＺ1（Ｘｉ，Ｙｊ）に線形補間、あるいは高次の補間公式を適用して求めれば良い。
δZ 1ij = δZ 1 (X i , Y j ) = Σ j ≦ k ≦ N δZ ik (3)
The unevenness data between adjacent measurement points on the same measurement line X i may be obtained by applying linear interpolation or higher-order interpolation formula to the discrete data δZ 1 (X i , Y j ).
なお、ステップ間隔δＹを十分小さくすると、式（３）は、次のように書き換えられる。 If the step interval δY is made sufficiently small, Equation (3) can be rewritten as follows.
δＺ1（Ｘｉ，Ｙ）＝∫ｄＹ（ｄＺ／ｄＹ） ……（４）
ここで、ｄＺ／ｄＹはＹスケール３９Ｙ1表面のＹ軸方向の傾きである。すなわち、面位置の差分δＺｉｊは、ステップ間隔δＹに対するＹスケール３９Ｙ1表面の傾きに相当する。従って、原理上、ステップ間隔δＹを小さくするほど、凹凸データの精度が向上する。
δZ 1 (X i , Y) = ∫dY (dZ / dY) (4)
Here, dZ / dY is the inclination of the surface of the Y scale 39Y 1 in the Y-axis direction. That is, the surface position difference δZ ij corresponds to the inclination of the surface of the Y scale 39Y 1 with respect to the step interval δY. Therefore, in principle, the accuracy of the unevenness data is improved as the step interval δY is decreased.
同様の傾き計測が、主制御装置２０により、すべての計測直線Ｘｉ上の全ての計測点に対して実行される。そして、主制御装置２０により、その計測結果δＺｉｊを用いて、式（３）より、Ｙスケール３９Ｙ1の２次元（Ｘ，Ｙ）の凹凸データδＺ1（Ｘｉ，Ｙｊ）が求められる。なお、各計測点（Ｘｉ，Ｙｊ）の間の凹凸データは、離散データδＺ1（Ｘｉ，Ｙｊ）に線形補間、あるいは高次の補間公式を適用して求めれば良い。それにより、Ｙスケール３９Ｙ1の２次元（Ｘ，Ｙ）の凹凸を表す連続関数δＺ1（Ｘ，Ｙ）が得られる。
Similar inclination measurement, the
上述のＺヘッドを２つ用いる傾き計測では、２つのＺヘッドで距離δＹ隔てた計測点の面位置を同時に計測する。ここで、ウエハステージＷＳＴのＺ位置を監視するＺ干渉計４３Ａ，４３Ｂの計測誤差（空気揺らぎ誤差、固定鏡の表面の凹凸に起因する誤差等）によってウエハステージＷＳＴがＺ変位したとしても、そのＺ変位は２つのＺヘッドの計測結果に同等に反映されるので、差を取ることによって相殺される。従って、前述のＺヘッドを１つ用いる面位置の計測と比べ、凹凸データの計測精度は格段に向上する。
In the tilt measurement using the two Z heads described above, the surface positions of the measurement points separated by the distance δY by the two Z heads are simultaneously measured. Here, even if wafer stage WST is Z-displaced due to measurement errors of
Ｙスケール３９Ｙ２に対しても、主制御装置２０により、Ｚヘッド７２ａ，７２ｂを用いて、同様の計測が行われ、２次元の凹凸関数δＺ2（Ｘ，Ｙ）が求められる。勿論、主制御装置２０は、Ｚヘッド７２ｃ，７２ｄを用いたＹスケール３９Ｙ1の凹凸計測と、Ｚヘッド７２ａ，７２ｂを用いたＹスケール３９Ｙ2の凹凸計測と、を同時に実行しても良い。
Even for Y scales 39Y 2, the
なお、上記実施形態で説明したエンコーダシステムなどの各計測装置の構成は一例に過ぎず、本発明がこれに限定されないことは勿論である。例えば、上記実施形態では、ウエハテーブル（ウエハステージ）上に格子部（Ｙスケール、Ｘスケール）を設け、これに対向してＸヘッド、Ｙヘッドをウエハステージの外部に配置する構成のエンコーダシステムを採用した場合について例示した。しかし、これに限らず、例えば米国特許出願公開第２００６／０２２７３０９号明細書などに開示されているように、ウエハステージにエンコーダヘッドを設け、これに対向してウエハステージの外部に格子部（例えば２次元格子又は２次元に配置された１次元の格子部）を配置する構成のエンコーダシステムを採用するとともに、Ｚヘッドもウエハステージに設け、その格子部の面を、Ｚヘッドの計測ビームが照射される反射面としても良い。このようにすれば、本発明の移動体駆動方法を適用可能である。 Note that the configuration of each measuring apparatus such as the encoder system described in the above embodiment is merely an example, and the present invention is of course not limited thereto. For example, in the above-described embodiment, an encoder system having a configuration in which a lattice unit (Y scale, X scale) is provided on a wafer table (wafer stage), and an X head and a Y head are arranged outside the wafer stage so as to face the lattice unit. The case where it was adopted was illustrated. However, the present invention is not limited to this. For example, as disclosed in US Patent Application Publication No. 2006/0227309, etc., an encoder head is provided on the wafer stage, and a grating portion (for example, the outside of the wafer stage) The encoder system is configured to arrange a two-dimensional lattice or a one-dimensional lattice portion arranged two-dimensionally, and a Z head is also provided on the wafer stage, and the measurement beam of the Z head irradiates the surface of the lattice portion. It may be a reflective surface. In this way, the moving body driving method of the present invention is applicable.
また、上述の実施形態では、本発明が、投影光学系とウエハとの間に照明光の光路を含む液浸空間を形成し、投影光学系及び液浸空間の液体を介して照明光でウエハを露光する露光装置に適用された場合について説明したが、非液浸タイプの露光装置にも本発明を適用することができる。 In the above-described embodiment, the present invention forms an immersion space including an optical path of illumination light between the projection optical system and the wafer, and the wafer is illuminated with illumination light via the liquid in the projection optical system and the immersion space. However, the present invention can also be applied to a non-immersion type exposure apparatus.
また、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に本発明を適用しても良い。ステッパなどであっても、露光対象の物体が搭載されたステージの位置を上記実施形態と同様に、エンコーダを用いて計測することができるので、同様の効果を得ることができる。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置、プロキシミティー方式の露光装置、又はミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明は適用することができる。また、例えば米国特許第６，５９０，６３４号明細書、米国特許第５，９６９，４４１号明細書、米国特許第６，２０８，４０７号明細書などに開示されているように、複数のウエハステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも本発明を適用できる。 In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a scanning exposure apparatus such as a step-and-scan method has been described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is applied to a stationary exposure apparatus such as a stepper. May be. Even in the case of a stepper or the like, the same effect can be obtained because the position of the stage on which the object to be exposed is mounted can be measured using the encoder as in the above embodiment. The present invention can also be applied to a step-and-stitch reduction projection exposure apparatus, a proximity exposure apparatus, or a mirror projection aligner that synthesizes a shot area and a shot area. In addition, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,590,634, US Pat. No. 5,969,441, US Pat. No. 6,208,407, a plurality of wafers. The present invention can also be applied to a multi-stage type exposure apparatus provided with a stage.
また、上記実施形態の露光装置における投影光学系は縮小系のみならず等倍及び拡大系のいずれでも良いし、投影光学系ＰＬは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。また、前述の照明領域及び露光領域はその形状が矩形であるものとしたが、これに限らず、例えば円弧、台形、あるいは平行四辺形などでも良い。 Further, the projection optical system in the exposure apparatus of the above embodiment may be not only a reduction system but also any of the same magnification and enlargement systems, and the projection optical system PL may be any of a reflection system and a catadioptric system as well as a refraction system. The projected image may be either an inverted image or an erect image. In addition, the illumination area and the exposure area described above are rectangular in shape, but the shape is not limited to this, and may be, for example, an arc, a trapezoid, or a parallelogram.
なお、上記実施形態の露光装置の光源は、ＡｒＦエキシマレーザに限らず、ＫｒＦエキシマレーザ（出力波長２４８ｎｍ）、Ｆ2レーザ（出力波長１５７ｎｍ）、Ａｒ2レーザ（出力波長１２６ｎｍ）、Ｋｒ2レーザ（出力波長１４６ｎｍ）などのパルスレーザ光源、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）などの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、ＹＡＧレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許第７,０２３,６１０号明細書に開示されているように、真空紫外光としてＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
The light source of the exposure apparatus of the above embodiment is not limited to the ArF excimer laser, but is a KrF excimer laser (output wavelength 248 nm), F 2 laser (output wavelength 157 nm), Ar 2 laser (
また、上記実施形態では、露光装置の照明光ＩＬとしては波長１００ｎｍ以上の光に限らず、波長１００ｎｍ未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、軟Ｘ線領域（例えば５〜１５ｎｍの波長域）のＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）光を露光光とし、オール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたＥＵＶ露光装置にも本発明を好適に適用することができる。この他、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、本発明は適用できる。 In the above embodiment, it is needless to say that the illumination light IL of the exposure apparatus is not limited to light having a wavelength of 100 nm or more, and light having a wavelength of less than 100 nm may be used. For example, the present invention is also suitable for an EUV exposure apparatus that uses EUV (Extreme Ultraviolet) light in a soft X-ray region (for example, a wavelength region of 5 to 15 nm) as exposure light and uses an all-reflection reduction optical system and a reflective mask. Can be applied. In addition, the present invention can be applied to an exposure apparatus using a charged particle beam such as an electron beam or an ion beam.
また、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスク（レチクル）を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）などを含む）を用いても良い。 In the above-described embodiment, a light transmission mask (reticle) in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. Instead of this reticle, For example, as disclosed in US Pat. No. 6,778,257, an electronic mask (variable shaping mask, which forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed, as disclosed in US Pat. No. 6,778,257. For example, a non-light emitting image display element (spatial light modulator) including a DMD (Digital Micro-mirror Device) may be used.
また、例えば干渉縞をウエハ上に形成することによって、ウエハ上にライン・アンド・スペースパターンを形成する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。 Further, for example, the present invention can be applied to an exposure apparatus (lithography system) that forms line and space patterns on a wafer by forming interference fringes on the wafer.
さらに、例えば米国特許第６，６１１，３１６号明細書に開示されているように、２つのレチクルパターンを投影光学系を介してウエハ上で合成し、１回のスキャン露光によってウエハ上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。 Further, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,611,316, two reticle patterns are synthesized on a wafer via a projection optical system, and one scan exposure is performed on one wafer. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of shot areas almost simultaneously.
また、物体上にパターンを形成する装置は、前述の露光装置（リソグラフィシステム）に限られず、例えばインクジェット方式にて物体上にパターンを形成する装置にも本発明を適用することができる。 The apparatus for forming a pattern on an object is not limited to the above-described exposure apparatus (lithography system), and the present invention can also be applied to an apparatus for forming a pattern on an object by, for example, an inkjet method.
なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体（エネルギビームが照射される露光対象の物体）はウエハに限られるものではなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。 Note that the object on which the pattern is to be formed in the above embodiment (the object to be exposed to the energy beam) is not limited to the wafer, but other objects such as a glass plate, a ceramic substrate, a film member, or a mask blank. But it ’s okay.
露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置、有機ＥＬ、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシン及びＤＮＡチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。 The use of the exposure apparatus is not limited to the exposure apparatus for semiconductor manufacturing. For example, an exposure apparatus for liquid crystal that transfers a liquid crystal display element pattern onto a square glass plate, an organic EL, a thin film magnetic head, an image sensor ( CCDs, etc.), micromachines, DNA chips and the like can also be widely applied to exposure apparatuses. Further, in order to manufacture reticles or masks used in not only microdevices such as semiconductor elements but also light exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, etc., glass substrates or silicon wafers, etc. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern.
半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置（パターン形成装置）によりマスク（レチクル）のパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。 An electronic device such as a semiconductor element includes a step of designing a function / performance of the device, a step of manufacturing a reticle based on the design step, a step of manufacturing a wafer from a silicon material, and the exposure apparatus (pattern forming apparatus) of the above-described embodiment. ) A lithography step for transferring a mask (reticle) pattern onto a wafer, a development step for developing the exposed wafer, an etching step for removing exposed members other than the portion where the resist remains by etching, and etching is completed. It is manufactured through a resist removal step for removing unnecessary resist, a device assembly step (including a dicing process, a bonding process, and a package process), an inspection step, and the like. In this case, in the lithography step, the exposure method described above is executed using the exposure apparatus of the above embodiment, and a device pattern is formed on the wafer. Therefore, a highly integrated device can be manufactured with high productivity.
本発明の移動体駆動は、移動体を駆動するのに適している。また、本発明の露光方法及び露光装置は、エネルギビームを照射して物体上にパターンを形成するのに適している。また、本発明のデバイス製造方法は、半導体素子又は液晶表示素子などの電子デバイスを製造するのに適している。 The moving body drive of the present invention is suitable for driving the moving body. The exposure method and exposure apparatus of the present invention are suitable for forming a pattern on an object by irradiating an energy beam. The device manufacturing method of the present invention is suitable for manufacturing an electronic device such as a semiconductor element or a liquid crystal display element.
１０…照明系、２０…主制御装置、３９Ｘ1，３９Ｘ2…Ｘスケール、３９Ｙ1，３９Ｙ2…Ｙスケール、５０…ステージ装置、６２Ａ〜６２Ｆ…ヘッドユニット、６４，６５…Ｙヘッド、６６…Ｘヘッド、６７，６８…Ｙヘッド、７０Ａ，７０Ｃ…Ｙリニアエンコーダ、７０Ｂ，７０Ｄ…Ｘリニアエンコーダ、７２ａ〜７２ｄ，７４，７６…Ｚヘッド、９０ａ，９０ｂ…多点ＡＦ系、１００…露光装置、１２４…ステージ駆動系、１５０…エンコーダシステム、１７０…信号処理・選択装置、１８０…面位置計測システム、２００…計測システム、ＰＬ…投影光学系、ＰＵ…投影ユニット，Ｗ…ウエハ、ＷＳＴ…ウエハステージ、ＷＴＢ…ウエハテーブル。
10 ...
Claims (27)
前記所定平面に実質的に平行な前記移動体の一面に設けられた計測面に第１計測ビームを投射する第１ヘッドを用いて、前記第１計測ビームの投射点における、前記所定平面に平行な方向に関する前記計測面の位置情報を計測するとともに、前記計測面に第２計測ビームを投射する第２ヘッドを用いて、前記第２計測ビームの投射点における、前記所定平面に垂直な方向に関する前記計測面の位置情報を計測し、前記第１及び第２ヘッドの計測結果と、前記計測面の凹凸分布と、に基づいて、前記移動体を駆動する工程を含む移動体駆動方法。 A moving body driving method for driving a moving body within a predetermined plane,
Parallel to the predetermined plane at the projection point of the first measurement beam using a first head that projects the first measurement beam onto a measurement surface provided on one surface of the moving body substantially parallel to the predetermined plane. The position information of the measurement surface relating to a specific direction is measured, and the second head that projects the second measurement beam onto the measurement surface is used to relate the direction perpendicular to the predetermined plane at the projection point of the second measurement beam. A moving body driving method comprising a step of measuring position information of the measurement surface and driving the moving body based on measurement results of the first and second heads and an uneven distribution of the measurement surface.
前記移動体の位置を位置計測系の計測結果に基づいて管理しつつ、前記移動体を駆動し、その駆動に際して得られる前記第２ヘッドの計測値を用いて前記凹凸分布を作成する工程をさらに含む、請求項１に記載の移動体駆動方法。 Prior to the driving step,
The step of driving the moving body while managing the position of the moving body based on the measurement result of the position measurement system, and creating the uneven distribution using the measurement value of the second head obtained at the time of driving. The moving body drive method according to claim 1, further comprising:
前記凹凸分布を、前記部材の厚み分布を実効的に取り込んで計測する、請求項２に記載の移動体駆動方法。 The measurement surface is covered by a member that transmits the first and second measurement beams,
The moving body drive method according to claim 2, wherein the unevenness distribution is measured by effectively taking in a thickness distribution of the member.
前記所定平面に実質的に平行な前記移動体の一面に設けられた計測面に第１計測ビームを投射する第１ヘッドを用いて、前記第１計測ビームの投射点における、前記所定平面に平行な方向に関する前記計測面の位置情報を計測した計測結果と、前記計測面に第２計測ビームを投射し、該計測面からの戻り光を受光することによって、前記第２計測ビームの投射点における前記所定平面に垂直な方向に関する前記計測面の面位置情報を計測する第２ヘッドを用いて、事前に計測された前記計測面の凹凸分布と、に基づいて、前記移動体を駆動する工程を含む移動体駆動方法。 A moving body driving method for driving a moving body within a predetermined plane,
Parallel to the predetermined plane at the projection point of the first measurement beam using a first head that projects the first measurement beam onto a measurement surface provided on one surface of the moving body substantially parallel to the predetermined plane. A measurement result obtained by measuring position information of the measurement surface with respect to a specific direction, a second measurement beam is projected onto the measurement surface, and a return light from the measurement surface is received, so that at a projection point of the second measurement beam. Using the second head that measures surface position information of the measurement surface in a direction perpendicular to the predetermined plane, and driving the moving body based on the uneven distribution of the measurement surface measured in advance. A moving body driving method.
前記凹凸分布は、前記部材の厚み分布が実効的に取り込まれて計測される、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の移動体駆動方法。 The measurement surface is covered by a member that transmits the first and second measurement beams,
The movable body driving method according to any one of claims 10 to 13, wherein the uneven distribution is measured by effectively taking in a thickness distribution of the member.
前記パターンを形成するために、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の移動体駆動方法を用いて、前記物体を保持する移動体を駆動する工程を含む露光方法。 An exposure method for exposing an object with an energy beam to form a pattern on the object,
An exposure method including a step of driving a moving body that holds the object using the moving body driving method according to claim 1 to form the pattern.
前記パターンが形成された前記物体に処理を施す工程と；を含むデバイス製造方法。 Forming a pattern on an object using the exposure method according to claim 16;
And a step of processing the object on which the pattern is formed.
前記物体を保持して所定平面内で移動するとともに、前記所定平面に実質的に平行な一面に計測面が設けられた移動体と；
前記計測面に第１、第２計測ビームをそれぞれ投射する第１及び第２ヘッドを有し、前記第１ヘッドにより前記第１計測ビームの投射点における、前記所定平面に平行な方向に関する前記計測面の位置情報を計測するとともに、前記第２ヘッドにより前記第２計測ビームの投射点における、前記所定平面に垂直な方向に関する前記計測面の位置情報を計測する計測システムと；
前記第１及び第２ヘッドの計測結果と、前記計測面の凹凸分布と、に基づいて、前記移動体を駆動する処理装置と；を備える露光装置。 An exposure apparatus that exposes an object with an energy beam to form a pattern on the object,
A movable body that holds the object and moves in a predetermined plane and is provided with a measurement surface on a surface substantially parallel to the predetermined plane;
The first and second heads respectively projecting the first and second measurement beams onto the measurement surface, and the measurement related to the direction parallel to the predetermined plane at the projection point of the first measurement beam by the first head. A measurement system that measures surface position information and measures position information of the measurement surface in a direction perpendicular to the predetermined plane at a projection point of the second measurement beam by the second head;
An exposure apparatus comprising: a processing device that drives the movable body based on the measurement results of the first and second heads and the uneven distribution of the measurement surface.
前記処理装置は、前記位置計測系の計測結果に基づいて前記移動体を駆動し、その駆動に際して得られる前記第２ヘッドの計測値を用いて前記凹凸分布を作成する、請求項１８〜２１のいずれか一項に記載の露光装置。 A position measurement system for measuring the position information of the movable body independently of the measurement system;
The said processing apparatus drives the said mobile body based on the measurement result of the said position measurement system, and produces the said uneven | corrugated distribution using the measured value of the said 2nd head obtained at the time of the drive. The exposure apparatus according to any one of the above.
前記処理装置は、前記凹凸分布を、前記部材の厚み分布を実効的に取り込んで作成する、請求項２２に記載の露光装置。 The measurement surface is covered by a member that transmits the first and second measurement beams,
The exposure apparatus according to claim 22, wherein the processing apparatus creates the uneven distribution by effectively taking in a thickness distribution of the member.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008098774A JP2009252992A (en) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | Moving body driving method, aligning method, device method for manufacturing, and aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008098774A JP2009252992A (en) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | Moving body driving method, aligning method, device method for manufacturing, and aligner |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009252992A true JP2009252992A (en) | 2009-10-29 |
Family
ID=41313412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008098774A Pending JP2009252992A (en) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | Moving body driving method, aligning method, device method for manufacturing, and aligner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009252992A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011151161A (en) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Nikon Corp | Measuring method, exposing method, aligner, and device manufacturing method |
-
2008
- 2008-04-04 JP JP2008098774A patent/JP2009252992A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011151161A (en) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Nikon Corp | Measuring method, exposing method, aligner, and device manufacturing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5332398B2 (en) | Moving body driving method, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method | |
| JP5423863B2 (en) | Moving body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method | |
| JP5971809B2 (en) | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JP5334003B2 (en) | Moving body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measuring system | |
| KR20100057586A (en) | Movable body drive method and movable body drive system | |
| KR20100057534A (en) | Drive method and drive system for movably body | |
| JP5057235B2 (en) | Calibration method, exposure method, device manufacturing method, and exposure apparatus | |
| JP5126594B2 (en) | Calibration method, exposure method, device manufacturing method, and exposure apparatus | |
| JP5125318B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP2009252994A (en) | Aligning method, device method for manufacturing, and aligner | |
| JP5211690B2 (en) | Calibration method, moving body driving method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern forming method and apparatus, and device manufacturing method | |
| JP5170824B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP2009252992A (en) | Moving body driving method, aligning method, device method for manufacturing, and aligner | |
| JP5380887B2 (en) | Exposure method, device manufacturing method, and exposure apparatus | |
| JP5360453B2 (en) | Measuring method, exposure method, and device manufacturing method | |
| JP2009252991A (en) | Aligning method, device method for manufacturing, and aligner | |
| JP2010067873A (en) | Exposure method and exposure apparatus, and method for manufacturing device | |
| JP2012089769A (en) | Exposure equipment and method for manufacturing device | |
| JP2009032748A (en) | Exposure method and exposure device, and method for manufacturing device | |
| JP5234486B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
| JP5158330B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP5565613B2 (en) | Measuring method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JP2014143229A (en) | Measuring method and measuring system, exposure method and exposure device, and device manufacturing method | |
| JP2010050292A (en) | Exposure method and aligner, and device manufacturing method | |
| JP2009252993A (en) | Calibrating method, moving body driving method and apparatus, aligning method and apparatus, pattern forming method and apparatus, and device method for manufacturing |