JP2009246185A - 超音波接合装置および超音波接合方法 - Google Patents

超音波接合装置および超音波接合方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 チップ保持面の研磨の最適なタイミング検出することができる超音波接合装置および超音波接合方法を提供すること。
【解決手段】 超音波接合ヘッドの基板側への沈み込み量を検出する沈み込み量検出手段と、前記沈み込み量検出手段で超音波接合毎に超音波接合ヘッドの基板側への沈み込み量を検出し、検出された沈み込み量と、予め設定した許容沈み込み量とを比較する沈み込み量比較手段と、該許容沈み込み量範囲から外れた場合に超音波接合ヘッドのチップ保持面とチップ部品との摩擦係数が良好な超音波接合ができる予め設定した摩擦係数範囲を超えたと判断しチップ保持面の研磨時期であることを判定する研磨判定手段とを備えた超音波接合装置および超音波接合方法を提供する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、電子部品などのチップ部品の電極を基板などのワークの電極に押圧または押圧および加熱しながら、当該接合部位に超音波振動を付与して超音波接合する超音波接合装置および超音波接合方法に関する。
電子部品などのチップ部品の電極を基板などの電極に接合する場合、チップ部品の電極を基板の電極に押圧しながら当該部位に超音波振動を付与している。この超音波接合に用いられる超音波接合ヘッドは、超音波振動を発生させる超音波発生器と、発生する超音波振動を伝達させるホーンと、ホーンに形成されたチップ部品を吸着保持するチップ保持面とから構成されている。
電子部品などのチップ部品は、半導体ウエハに電子回路を作成した後、ダイシング用シートに貼り付けられ、切断分離(ダイシング)され個片に作成されている。ダイシング用シートと半導体ウエハは接着剤によって貼り付けられており、ダイシング後のチップ部品に接着剤が残留している場合がある。また、ダイシング時に発生した削りカス等の異物がチップ部品に残留している場合がある。
これらの残留した接着剤や削りカス等は、超音波接合を繰り返すことによりしだいにホーンのチップ保持面に堆積していき、部分的に突起状に成長していく。そうすると、チップ保持面とチップ部品との摩擦力が変化し、超音波ホーンに伝達されたエネルギーがチップ部品に付与されず接合不良を招くようになる。
そのため、定期的にチップ保持面を砥石で研磨しチップ保持面に形成された突起物を取り除く作業が行われている。また、特許文献1に示すように、基板を保持する移動テーブル上に基板保持部と面状態計測部と研磨部と洗浄部を設け、接合作業の初めにチップ保持面の面状態の測定を面状態計測部で行い、判定基準枚数または稼働時間を目安に面状態の測定を行う。面状態の測定は、面状態計測部に設けられた計測面にチップ保持面を押圧し、超音波振動させ、このときの超音波発生器の駆動状態を計測することにより行われている。駆動状態は駆動電圧および駆動電流を計測部で検出することにより行われ、これらの計測値から超音波振動子の駆動状態を示す電気的駆動特性としてのインピーダンスが求められている。予め、設定した面状態(インピーダンス計測結果)を超えるような場合は、研磨部でチップ保持面の研磨が行われ表面が平滑化される。研磨後、洗浄部で研磨くずなどの異物除去のための洗浄が行われている。
特開2003−197684号公報
このようなチップ保持面の研磨の方法では、判定基準枚数や稼働時間を目安に研磨が行われる。接合不良を未然に防ぐため、判定基準枚数や稼働時間を少なく設定すると稼働率が低下する。そのため、研磨の最適なタイミングを検出し無駄な研磨を行うことのない超音波接合装置および超音波接合方法が課題となっていた。
本発明は、上記問題点に鑑み、チップ保持面の研磨の最適なタイミングを検出することができる超音波接合装置および超音波接合方法を提供することを目的とする。
請求項1に記載の発明は、
超音波接合ヘッドのチップ保持面に吸着保持されたチップ部品の電極を、チップに対向する位置に配置した基板の電極に、押圧しながら超音波振動を超音波接合ヘッドのチップ保持面を介してチップ部品に付与して、チップ部品の電極と基板の電極とを超音波接合する超音波接合装置であって、
超音波接合ヘッドの基板側への沈み込み量を検出する沈み込み量検出手段と、
前記沈み込み量検出手段で超音波接合毎に超音波接合ヘッドの基板側への沈み込み量を検出し、検出された沈み込み量と、予め設定した許容沈み込み量とを比較する沈み込み量比較手段と、
該許容沈み込み量範囲から外れた場合に超音波接合ヘッドのチップ保持面とチップ部品との摩擦係数が予め設定した摩擦係数範囲を超えたと判断しチップ保持面の研磨時期であることを判定する研磨判定手段と
を備えたことを特徴とする超音波接合装置である。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、沈み込み量検出手段が、超音波接合ヘッドを基板側に押圧する加圧シリンダの超音波接合ヘッドに連結されたロッドを駆動するピストン位置を検出する変位センサであることを特徴とする超音波接合装置である。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、沈み込み量検出手段が、超音波接合ヘッドに設けられたセンサジグと、超音波接合ヘッドを基板側に押圧する加圧シリンダに設けられたリニアセンサの前記センサジグの検出位置とから構成されることを特徴とする超音波接合装置である。
請求項4に記載の発明は、
超音波接合ヘッドのチップ保持面に吸着保持されたチップ部品の電極を、チップに対向する位置に配置した基板の電極に、押圧しながら超音波振動を超音波接合ヘッドのチップ保持面を介してチップ部品に付与して、チップ部品の電極と基板の電極とを超音波接合する超音波接合方法であって、
チップ保持面が清掃され保持面に付着物が無い状態でチップ部品の電極を基板の電極に押圧しながら超音波振動を所定時間の付与したときの超音波接合ヘッドの前記基板側への沈み込み量を初期沈み込み量として記憶し、
チップ部品の電極を基板の電極に超音波接合させるたび毎に超音波接合ヘッドの基板側への沈み込み量を計測し稼働中沈み込み量として記憶し、
前記初期沈み込み量と前記稼働中沈み込み量とを比較し、予め設定した許容沈み込み範囲を外れる場合は超音波接合ヘッドのチップ保持面とチップ部品との摩擦係数が予め設定した摩擦係数範囲を超えたと判断し、チップ保持面の研磨時期であると判定することを特徴とする超音波接合方法である。
請求項1の発明によれば、沈み込み量検出手段でチップ部品の電極と基板の電極への超音波振動の付与および押圧の間の超音波接合ヘッドの基板側への沈み込み量を測定できる。そして、沈み込み量比較手段で超音波接合毎の超音波接合ヘッドの基板側への沈み込み量と、予め設定した許容沈み込み量とを比較する。
一方、チップ部品とチップ保持面の摩擦係数が変化すると、超音波接合ヘッドのチップ保持面からチップ部品に伝達する超音波振動に変化が生じる。そのため、チップ部品の電極と基板の電極が超音波接合する際の両電極のつぶれ具合に変化が生じることになる。この両電極のつぶれ具合は超音波接合ヘッドの基板側への沈み込み量となって検出することができる。すなわち、沈み込み量を測定することによりチップ部品とチップ保持面の摩擦係数の変化を検出することができる。チップ保持面の摩擦係数の変化は、チップ保持面への接着剤やダイシング時の削りカスに起因すると考えられ、沈み込み量比較手段で超音波接合毎の超音波接合ヘッドの基板側への沈み込み量と、予め設定した許容沈み込み量と比較することにより、予め設定した許容沈み込み範囲を外れる場合は超音波接合ヘッドのチップ保持面とチップ部品との摩擦係数が良好な超音波接合ができる予め設定した摩擦係数範囲を超えたと判断し、最適なチップ保持面の研磨タイミングを検出することができる。ここで研磨の最適なタイミングとは、チップ保持面に接着剤やダイシング時の削りカス等の残留物により形成された突起物によりチップ保持面の摩擦係数が変化し良好な超音波接合ができなくなった状態を言う。
請求項2の発明によれば、沈み込み量検出手段が、超音波接合ヘッドを基板側に押圧する加圧シリンダの超音波接合ヘッドに連結されたロッドを駆動するピストン位置を検出する変位センサで構成されているので、超音波接合ヘッドの位置を非接触で正確に検出することができる。従って、超音波接合ヘッドの基板側への沈み込み量を精度良く測定できる。
請求項3の発明によれば、沈み込み量検出手段が、超音波接合ヘッドに設けられたセンサジグと、超音波接合ヘッドを基板側に押圧する加圧シリンダに設けられたリニアセンサの前記センサジグの検出位置とから構成されているので、超音波接合ヘッドの位置を非接触で正確に検出することができメンテナンス性に優れる。
請求項4の発明によれば、超音波接合ヘッドのチップ保持面が清掃されたときの初期沈み込み量と、連続してチップ部品を基板に超音波接合しているときの稼働中沈み込み量とを、比較して許容沈み込み範囲を外れた場合はチップ保持面の研磨の時期であると判断しているので、チップ保持面の研磨を最適なタイミングで実施することができ生産性が向上する。
チップ保持面の摩擦係数が変化すると、超音波ホーンに付与された超音波振動がチップ保持面が清掃されているときのようにチップ部品に伝達されず、チップ部品の電極と基板の電極の接合状態に違いが生じる。超音波振動の付与と共に押圧を行うことにより、両電極の変形と電極面の酸化膜の破壊と金属接合が行われるが、チップ保持面の摩擦係数の違いにより両電極の変形または潰れ具合に違いが生じることになる。そのため、両電極の変形または潰れ具合を検出する手段として、チップ保持面が清掃されたときの初期沈み込み量と、連続してチップ部品を基板に超音波接合しているときの沈み込み量を測定することによりチップ保持面の摩擦係数の変化を検出することができる。そして、チップ保持面の摩擦係数の変化からチップ保持面の残留物の付着状況を推測することができ、チップ保持面の研磨の最適タイミングを判断することができる。
また、チップ部品の生産ロット等によりダイシング用テープの付着具合やゴミの残留具合が異なるが、チップ保持面の清掃された状態との比較を行っているので生産ロットによる研磨時期の判断などを必要とせず安定したチップ保持面の研磨管理ができ生産性が上がる。
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。図1は本発明の超音波接合装置1の概略側面図、図2は超音波接合時の電極の変形状態を説明する図、図3は超音波接合時の押圧荷重と超音波接合ヘッドと超音波振動の状態を示す図、図4は超音波接合の動作フローチャートである。図1において、直交座標系の3軸をX,Y,Zとし、XY平面は水平面、Z軸方向は鉛直方向、Z軸回りはθ方向とする。
図1に示すように、超音波接合装置1は、超音波接合ヘッド2と、基板ステージ3と、超音波接合ヘッド2を押圧する押圧機構4と、制御部5とから構成されている。
超音波接合ヘッド2は、超音波振動を発生する超音波発生器21と、発生した超音波振動を伝達させるホーン22と、ホーン22に形成されたチップ部品6を吸着保持するチップ保持面23とから構成されている。ホーン22に伝達した超音波振動は、チップ保持面23に吸着保持されたチップ部品6に付与されるようになっている。チップ保持面23には、吸引孔24が形成されており、図示していない吸引ポンプと配管を介して接続され吸引ポンプの作動によりチップ部品6を吸着できるようになっている。チップ保持面23に吸着保持されたチップ部品6には電極7が形成されている。チップ部品23は、例えば、ICチップ、半導体チップ、光素子、表面実装部品、ウエハなど種類や大きさに関係なく、基板と接合させる側の全ての形態を示す。
基板ステージ3は、図中左右と前後の水平方向(X,Y方向)およびθ方向に移動自在に構成されている。基板ステージ3には、吸引孔31が設けられており基板8を吸着保持できるようになっている。吸引孔31は、図示していない吸引ポンプと配管を介して接続されている。なお、吸着方式に限らず、可動ツメを使った機械式保持、静電気を使った静電吸着、磁石を使った磁気吸着など、任意の基板8の保持構造を用いることができる。基板8には、電極9が形成されている。基板8は、例えば、樹脂基板、ガラス基板、フィルム基板などのチップ部品6と接合される側の全ての形態を示す。
押圧機構4は、加圧シリンダ昇降機構40と、加圧シリンダ41と、加圧シリンダ41からZ方向下方に向けられたロッド42と、ロッド42に連結されたヘッド支持部材43と、から構成されている。ヘッド支持部材43は、逆U字型をしており、上面44をロッド42の下部に連結している。さらに、ヘッド支持部材43の左右の側面45a、45bで、ホーン22を支持している。加圧シリンダ昇降機構40は、加圧シリンダ41を支持しロッド42及びヘッド支持部材43を介して連結された超音波接合ヘッド2をZ方向に昇降することができるようになっている。
加圧シリンダ41のピストン403の位置は、加圧シリンダ41の上端内部に備えられた変位計46で検出できるようになっている。ピストン403の位置の変化は、超音波接合ヘッド2の高さ変化に相当し、超音波接合中の変位計46の出力を計測することにより、超音波接合ヘッド2の基板8側への沈み込み量を測定することができるようになっている。図1において、加圧シリンダ41の内部のロッド42、ピストン403、変位計46及び加圧シリンダ41の内壁は点線で表記した。
加圧シリンダ41には、シリンダ圧を制御するための加圧ポート401とシリンダ位置をバランスさせるバランス圧ポート402が備えられている。図示していない圧空ポンプより配管と圧力レギュレータを介して設定された圧力のエアーが加圧ポート401とバランス圧ポート402に入力され、入力されるエアーの圧力バランスを制御することにより加圧シリンダ41のピストン403に加わる圧力が制御できるようになっている。ピストン403への圧力は、ロッド42を介して連結されている超音波接合ヘッド2に加わる圧力となる。
また、図5(a)に示すように、加圧シリンダ41にリニアセンサ47を備え、超音波接合ヘッド2側に備えられたセンサジグ48をリニアセンサ47で検出することにより超音波接合ヘッド2の基板8側への沈み込み量を測定しても良い。
また、図5(b)に示すように、加圧シリンダ41の代わりにサーボモータ41bとサーボモータ41bに連結するボールねじ42bによる加圧機構を構成し、超音波接合ヘッド2側に備えられたセンサジグ48bをリニアセンサ47bで検出することにより超音波接合ヘッド2の基板8側への沈み込み量を測定しても良い。
また、サーボモータの位置検出信号(エンコーダ信号)を沈み込み量測定手段として用いても良い。
また、図6に示すように、ヘッド支持部材43の側面45bに距離測定センサ49を取り付け、超音波接合ヘッド2と基板ステージ3との距離を測定することにより超音波接合ヘッド2の基板8側への沈み込み量を測定しても良い。距離測定センサ49は、例えば、レーザ距離測定センサや赤外線距離測定センサーなど非接触で高精度に距離を測定するセンサを採用することができる。
図1の変位計46、図5のリニアセンサ47、47b、図6の距離測定センサ49は、本発明の沈み込み量検出手段に相当する。
制御部5は、設定データおよび測定データの記憶などを行う記憶部51と、生産条件などを入力する条件入力部52と、運転状態などを表示する表示部53と、各種演算を行う演算部54とから構成されている。制御部5は、超音波発生器21の制御や、押圧機構4の制御、基板ステージ3の制御など超音波接合装置全体の制御を行っている。
次に、図4の動作フローチャートに沿って超音波接合装置の動作を図1の装置構成例をもとに説明する。
まず、超音波接合ヘッド2のチップ保持面23を清掃し接着剤や異物の付着がない状態にする(ステップS01)。
次に、超音波接合ヘッド2のチップ保持面23にチップ部品6を吸着保持し、基板ステージ3に基板8を吸着保持する(ステップS02)。
次に、図示していない2視野カメラでチップ部品6に付された位置合わせマークと基板に付された位置合わせマークを画像認識し、基板ステージ3をXY方向およびθ方向に移動させチップ部品6と基板8の位置合わせ(アライメント)を行う(ステップS03)。
次に、アライメントが完了すると押圧機構4の加圧シリンダ昇降機構40が作動し、加圧シリンダ41及び超音波接合ヘッド2が基板8側に下降する(ステップS04)。
次に、チップ部品6の電極7が基板8の電極9に接触するまで下降する。接触を検知すると加圧シリンダ昇降機構40の下降動作が停止し、次のステップに切り替わる(ステップS05)。
チップ部品6の電極7が基板8の電極9に接触した時の状態を図2(a)に示す。図2(a)では、超音波接合ヘッド2についてホーン22のチップ保持面23周辺までを表記している。この状態では、チップ部品6の電極7および基板8の電極9は変形していない。
次に、押圧荷重が加圧シリンダ41より、また、超音波振動が超音波発生器21より付与される(ステップS06)。
図3にステップS06から次のステップS07までの状態を、横軸を動作時間として、縦軸を超音波接合ヘッド2に加わる圧力(図3(a))と超音波接合ヘッド高さ(図3(b))と超音波振動付与タイミング(図3(c))とに分けてそれぞれグラフに示している。超音波接合ヘッド高さは加圧シリンダ41の上端内部に備えられた変位計46の信号より求められている。
ステップS06において、超音波接合ヘッド2に加わる圧力は初期加重P0が加圧シリンダ41より付与され、このときの変位計46の信号から超音波接合ヘッド2の高さH0となる。その後超音波振動が継続して付与され、超音波接合ヘッド2に加わる圧力は所定の時間(超音波振動の付与時間)で設定加重P1まで増加し、超音波接合ヘッド2の高さがH1に到達する。
超音波振動の付与時間Tが経過すると、超音波発生器21の作動が停止しチップ部品6の電極7と基板8の電極9の超音波接合が完了する(ステップS07)。
超音波接合が完了した状態を図2(b)に示す。チップ部品6の電極7が変形しホーン22が図2(a)に比べて基板8側に沈み込んだ状態となる。このときの沈み込み量Dは、ステップS06で検出した超音波接合ヘッド高さH0からステップS07で検出した超音波ヘッド高さH1との差から求められる。制御部5では、ステップS06とステップS07で記憶した変位計46の信号から超音波接合ヘッド2の基板8側への沈み込み量が計算される(ステップS08)。
次に、チップ保持面23を清掃した後の初めの超音波接合かどうかを確認する(ステップS09)。
初めの超音波接合ならば、ステップS08で計算した超音波接合ヘッド2の基板8側への沈み込み量を初期沈み込み量として制御部5の記憶部51に記憶する(ステップS10)。
次に、チップ部品6の吸着保持を解除し、加圧シリンダ昇降機構40を作動し加圧シリンダ41と超音波接合ヘッド2を上昇させる。そして、次のチップ部品6の超音波接合に備える(ステップS11)。
ステップS09で稼働中(生産継続中)の超音波接合の場合、ステップS08で計算した超音波接合ヘッド2の基板8側への沈み込み量を稼働中沈み込み量として制御部5の記憶部51に記憶する(ステップS12)。
次に、初期沈み込み量と稼働中沈み込み量とを比較し、予め設定した許容沈み込み範囲かどうかを制御部5の演算部54で計算する(ステップS13)。制御部5における初期沈み込み量と稼働中沈み込み量との比較は、本発明の沈み込み量比較手段に相当する。
許容沈み込み範囲を超える稼働中沈み込み量の場合、超音波接合ヘッド2のチップ保持面23とチップ部品6との摩擦係数が良好な超音波接合ができる予め設定した摩擦係数範囲を超えたと判断する。そして、予め設定した摩擦係数範囲を超えた場合、超音波接合ヘッド2のチップ保持面23の研磨時期であると判定する。この制御部5における判断機構は、本発明の研磨判断手段に相当する(ステップS13)。
チップ保持面23の摩擦係数が変化すると、超音波ホーン22に付与された超音波振動がチップ保持面23が清掃されているときのようにチップ部品6に伝達されず、チップ部品6の電極7と基板8の電極9の接合状態に違いが生じる。超音波振動の付与と共に押圧を行うことにより、両電極の変形と電極面の酸化膜の破壊と金属接合が行われるが、チップ保持面23の摩擦係数の違いにより両電極の変形または潰れ具合に違いが生じることになる。そのため、両電極の変形または潰れ具合を検出する手段として、チップ保持面が清掃されたときの初期沈み込み量と、連続してチップ部品を基板に超音波接合しているときの稼働中沈み込み量を測定することによりチップ保持面23の摩擦係数の変化を検出することができる。そして、チップ保持面23の摩擦係数の変化からチップ保持面23の残留物の付着状況を推測することができ、チップ保持面23の研磨の最適タイミングを判断することができる。
チップ保持面23の研磨時期であると判断された場合は、砥石等でチップ保持面23の研磨が行われ、洗浄具を用いてチップ保持面23の清掃がされる。清掃され接着剤や異物等が取り除かれた状態で生産が続行される(ステップS14)。研磨後の初めの超音波接合は、研磨により超音波接合ヘッド2のチップ保持面23が削られているので、チップ部品6の電極7と基板8の電極9が接触する高さが微妙に変化する。そのため、超音波接合時の超音波接合ヘッド2の基板8側への沈み込み量を測定し計算した後、初期沈み込み量のデータを更新する。すなわち、研磨後の初めの超音波接合において、上記ステップS09では、初回としての処理を行う。
なお、図5および図6に示す装置構成の場合も、ステップS01からステップS14までと同様の動作を行うことができる。
本発明の超音波接合装置の概略側面図である。 超音波接合時の電極の変形状態を説明する図である。 超音波接合時の押圧荷重と超音波接合ヘッドと超音波振動の状態を説明する図である。 超音波接合の動作フローチャートである。 超音波接合ヘッドの高さ位置の測定を説明する図である。 超音波接合ヘッドの高さ位置の別の測定方法を説明する図である。
符号の説明
1 超音波接合装置
2 超音波接合ヘッド
3 基板ステージ
4 押圧機構
5 制御部
6 チップ部品
7 電極
8 基板
9 電極
10 距離測定センサ
21 超音波発生器
22 ホーン
23 チップ保持面
24 吸引孔
31 吸引孔
40 加圧シリンダ昇降機構
41 加圧シリンダ
42 ロッド
43 ヘッド支持部材
44 上面
45a,45b 側面
46 変位計
47 リニアセンサ
48 センサジグ
41b サーボモータ
42b ボールねじ
47b リニアセンサ
48b センサジグ
49 距離測定センサ
51 記憶部
52 条件入力部
53 表示部
54 演算部
401 加圧ポート
402 バランス圧ポート
403 ピストン

Claims (4)

  1. 超音波接合ヘッドのチップ保持面に吸着保持されたチップ部品の電極を、チップに対向する位置に配置した基板の電極に、押圧しながら超音波振動を超音波接合ヘッドのチップ保持面を介してチップ部品に付与して、チップ部品の電極と基板の電極とを超音波接合する超音波接合装置であって、
    超音波接合ヘッドの基板側への沈み込み量を検出する沈み込み量検出手段と、
    前記沈み込み量検出手段で超音波接合毎に超音波接合ヘッドの基板側への沈み込み量を検出し、検出された沈み込み量と、予め設定した許容沈み込み量とを比較する沈み込み量比較手段と、
    該許容沈み込み量範囲から外れた場合に超音波接合ヘッドのチップ保持面とチップ部品との摩擦係数が予め設定した摩擦係数範囲を超えたと判断しチップ保持面の研磨時期であることを判定する研磨判定手段と
    を備えたことを特徴とする超音波接合装置。
  2. 請求項1に記載の発明において、沈み込み量検出手段が、超音波接合ヘッドを基板側に押圧する加圧シリンダの超音波接合ヘッドに連結されたロッドを駆動するピストン位置を検出する変位センサであることを特徴とする超音波接合接合装置。
  3. 請求項1に記載の発明において、沈み込み量検出手段が、超音波接合ヘッドに設けられたセンサジグと、超音波接合ヘッドを基板側に押圧する加圧シリンダに設けられたリニアセンサの前記センサジグの検出位置とから構成されることを特徴とする超音波接合装置。
  4. 超音波接合ヘッドのチップ保持面に吸着保持されたチップ部品の電極を、チップに対向する位置に配置した基板の電極に、押圧しながら超音波振動を超音波接合ヘッドのチップ保持面を介してチップ部品に付与して、チップ部品の電極と基板の電極とを超音波接合する超音波接合方法であって、
    チップ保持面が清掃され保持面に付着物が無い状態でチップ部品の電極を基板の電極に押圧しながら超音波振動を所定時間の付与したときの超音波接合ヘッドの前記基板側への沈み込み量を初期沈み込み量として記憶し、
    チップ部品の電極を基板の電極に超音波接合させるたび毎に超音波接合ヘッドの基板側への沈み込み量を計測し稼働中沈み込み量として記憶し、
    前記初期沈み込み量と前記稼働中沈み込み量とを比較し、予め設定した許容沈み込み範囲を外れる場合は超音波接合ヘッドのチップ保持面とチップ部品との摩擦係数が予め設定した摩擦係数範囲を超えたと判断し、チップ保持面の研磨時期であると判定することを特徴とする超音波接合方法。
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