JP2009245484A - Vertical magnetic recording medium and manufacturing method of same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vertical magnetic recording medium wherein crystal grains of an underlayer and a magnetic layer are made fine without deteriorating crystal orientation and decreasing density of crystal grains. <P>SOLUTION: The vertical magnetic recording medium 10 includes a soft magnetic layer 13, an orientation control layer 14, the underlayer 15 and a main recording layer 17 on a disk substrate 11. The orientation control layer 14 contains, as a main material, an alloy formed by adding an oxide to at least one selected from NiW, NiPd, NiCr, NiMo, NiTa, NiV, NiNb, NiZr, NiHf and NiCu and thereby crystal grains of the underlayer 15 and the main recording layer 17 growing on the orientation control layer 14 are made fine. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直式記録媒体及び垂直磁気記録媒体の製造方法に関する。   The present invention relates to a perpendicular recording medium mounted on a perpendicular magnetic recording type HDD (hard disk drive) or the like and a method of manufacturing the perpendicular magnetic recording medium.

近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に、磁気記録技術を用いたＨＤＤ（ハードディスクドライブ）の面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。   Various information recording techniques have been developed with the recent increase in information processing capacity. In particular, the surface recording density of HDD (Hard Disk Drive) using magnetic recording technology continues to increase at an annual rate of about 100%.

ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するためには、情報信号の記録を担う磁気記録層を構成する磁性結晶粒子を微細化すると共に、その層厚を低減して行く必要があった。ところが、従来から商業化されている面内磁気記録方式(長手磁気記録方式又は水平磁気記録方式ともいう)の磁気ディスクの場合、磁性結晶粒子の微細化が進展した結果、超常磁性現象により記録信号の熱安定性が損なわれ、記録信号が消失してしまう、いわゆる熱揺らぎ現象が発生するようになり、磁気ディスクの高記録密度化への阻害要因となっていた。この阻害要因解決のために、垂直磁気記録方式の磁気ディスクが提案されている。   In order to achieve a high recording density in a magnetic disk used for an HDD or the like, it is necessary to refine the magnetic crystal grains constituting the magnetic recording layer for recording information signals and reduce the layer thickness. It was. However, in the case of magnetic disks of the in-plane magnetic recording method (also called longitudinal magnetic recording method or horizontal magnetic recording method) that have been commercialized conventionally, the recording signal is caused by superparamagnetic phenomenon as a result of the progress of miniaturization of magnetic crystal grains. As a result, the so-called thermal fluctuation phenomenon occurs in which the recording signal disappears, which is an impediment to increasing the recording density of the magnetic disk. In order to solve this obstacle, a perpendicular magnetic recording type magnetic disk has been proposed.

垂直磁気記録方式の場合、面内磁気記録方式とは異なり、主記録層の磁化容易軸基盤面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は、面内記録方式に比べて、熱揺らぎ現象を抑制することができる。また、垂直磁気記録媒体に軟磁性層を設け、軟磁性層により記録ヘッドからの磁束を収束させ、また鏡像効果により長手記録媒体に比べ急峻で大きな磁界を発生させることが可能になるので、高記録密度化に対して好適である。   In the case of the perpendicular magnetic recording system, unlike the in-plane magnetic recording system, it is adjusted so as to be oriented in the direction perpendicular to the easy axis base surface of the main recording layer. The perpendicular magnetic recording method can suppress the thermal fluctuation phenomenon as compared with the in-plane recording method. In addition, a soft magnetic layer is provided on the perpendicular magnetic recording medium, the magnetic flux from the recording head is converged by the soft magnetic layer, and a sharper and larger magnetic field than the longitudinal recording medium can be generated by the mirror image effect. This is suitable for increasing the recording density.

垂直磁気記録方式において磁気記録層がｈｃｐ構造（六方細密充構造）である場合、磁化容易軸はＣ軸であり、Ｃ軸を基板の法線方向に配向させる必要がある。このＣ軸の配向性を向上させるためには、磁気記録層の下にｈｃｐ構造の非磁性下地層を設けることが有効である。下地層を形成する材料としてＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆなどが知られているが、特にＲｕ（ルテニユム）が磁気記録層の結晶配向性を効果的に向上させ、保磁力Ｈｃを高めることができることが知られている。   In the perpendicular magnetic recording system, when the magnetic recording layer has an hcp structure (hexagonal close-packed structure), the easy magnetization axis is the C axis, and it is necessary to orient the C axis in the normal direction of the substrate. In order to improve the orientation of the C axis, it is effective to provide a nonmagnetic underlayer having an hcp structure under the magnetic recording layer. CoCr alloys, Ti, V, Zr, Hf, and the like are known as materials for forming the underlayer. In particular, Ru (ruthenium) effectively improves the crystal orientation of the magnetic recording layer and increases the coercive force Hc. It is known that it can be.

垂直磁気記録方式では、Ｓ／Ｎ比（Ｓｉｇｎａｌ／Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）及び保磁力Ｈｃを向上させるために、磁気記録層の磁性粒（磁性グレイン）の間に非磁性物質または酸化物（例えば、特許文献１参照）を偏析させて粒界部を形成したグラニュラー構造とし、磁性粒を孤立微細化することにより行なわれている。さらに、磁性粒の微細化を促進するために、磁性層の下に形成されている下地層の微細化が重要であり、下地層への非磁性物質または酸化物の添加も行なわれている(例えば、特許文献２参照)。   In the perpendicular magnetic recording system, in order to improve the S / N ratio (Signal / Noise Ratio) and the coercive force Hc, a non-magnetic substance or an oxide (for example, a patent document) is provided between magnetic grains (magnetic grains) of a magnetic recording layer. 1) is segregated to form a granular structure in which the grain boundary portion is formed, and the magnetic grains are isolated and refined. Furthermore, in order to promote the refinement of magnetic grains, it is important to refine the underlayer formed under the magnetic layer, and nonmagnetic substances or oxides are also added to the underlayer ( For example, see Patent Document 2).

特開２００３−０３６５２５号公報JP 2003-036525 A 特開２００６−０８５７４２号公報JP 2006-085742 A

ところで、最近では、磁気ディスクの情報記録密度のさらなる高記録密度化が要求されており、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径磁気ディスクとして、１枚あたり１６０ＧＢを越える情報記録容量が求められるようになって来ている。このような要請に応えるためには１平方インチあたり２５０ＧＢビットを越える情報記録密度を実現する必要がある。このような高記録密度を可能にするためにはさらに磁性粒の微細化し、Ｓ／Ｎ比（Ｓｉｇｎａｌ／Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）を向上させる必要がある。従来の方法における磁性粒の微細化には、磁気記録層への酸化物の添加量を増加させることが知られている。しかしながら、酸化物の添加量が多くなると、酸化物が粒界部へ偏析し、磁性粒と磁性粒との間隔が大きくなり、磁気記録層での磁性粒の密度が下がる。情報記録の高密度化する場合、記録されるビット領域が小さくなり、信号の出力を確保するために、ある程度の磁性粒の個数が必要になるため、磁気記録層への酸化物の添加による磁性粒の微細化には限界がある。   Recently, there has been a demand for higher information recording density of magnetic disks, and an information recording capacity exceeding 160 GB per disk is required as a 2.5-inch diameter magnetic disk used for HDDs and the like. It is becoming. In order to meet such a demand, it is necessary to realize an information recording density exceeding 250 GB bits per square inch. In order to enable such a high recording density, it is necessary to further refine the magnetic grains and improve the S / N ratio (Signal / Noise Ratio). It is known to increase the amount of oxide added to the magnetic recording layer in order to reduce the size of magnetic grains in the conventional method. However, when the amount of oxide added increases, the oxide segregates to the grain boundary, the interval between the magnetic grains increases, and the density of the magnetic grains in the magnetic recording layer decreases. When the information recording density is increased, the bit area to be recorded becomes smaller, and a certain number of magnetic grains are required to ensure signal output. There is a limit to the refinement of grains.

磁性粒を微細化するための他の方法として、下地層に酸化物を添加し、下地層を微細化することで可能であることも知られている。但し、この方法では、酸化物の添加により、下地層の結晶配向が劣化し、磁性層の結晶配向を劣化させることがあるので、制御が困難になる。   As another method for refining magnetic grains, it is known that an oxide can be added to the underlayer and the underlayer can be miniaturized. However, in this method, the addition of an oxide deteriorates the crystal orientation of the underlayer and may deteriorate the crystal orientation of the magnetic layer, which makes it difficult to control.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、下地層の下に積層される配向制御層を微細化することにより、結晶配向を劣化させず、かつ結晶粒の密度を下げずに、その上に積層される下地層及び磁性層の結晶粒を微細化できる垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such points, and by miniaturizing the orientation control layer laminated under the underlayer, the crystal orientation is not deteriorated and the density of the crystal grains is not lowered. It is an object of the present invention to provide a perpendicular magnetic recording medium capable of miniaturizing crystal grains of an underlayer and a magnetic layer laminated thereon, and a manufacturing method thereof.

発明者が鋭意検討したところ、配向制御層に酸化物を添加することにより、配向制御層、その上に成長する下地層、磁気記録層の結晶粒を微細化することができ、Ｓ／Ｎ比を向上させることができることが判明した。そして、各酸化物の材料について検討し、さらに研究を重ねることにより、本発明を完成することに至った。   As a result of intensive studies by the inventors, by adding an oxide to the orientation control layer, the crystal grains of the orientation control layer, the underlayer grown on the orientation control layer, and the magnetic recording layer can be refined, and the S / N ratio is increased. It was found that can be improved. Then, the present inventors have completed the present invention by examining the materials of the respective oxides and further research.

配向制御層としては、ＮｉＷ、ＮｉＰｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＭｏ、ＮｉＴａ、ＮｉＶ、ＮｉＮｂ、ＮｉＺｒ、ＮｉＨｆ、ＮｉＣｕの合金で構成される群から選択される少なくとも一つの物質から形成されることが好ましい。   The orientation control layer is preferably formed of at least one substance selected from the group consisting of alloys of NiW, NiPd, NiCr, NiMo, NiTa, NiV, NiNb, NiZr, NiHf, and NiCu.

配向制御層へ添加する酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＴｉＯ２、ＴｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｚｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、Ｗ２Ｏ５、Ｍｏ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５の材料で構成される群から選択されるひとつの物質から形成されることが好ましい。 Examples of the oxide added to the orientation control layer include SiO 2 , SiO, TiO 2 , TiO, Cr 2 O 3 , Zr 2 O 3 , Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 , W 2 O 5 , and Mo 2 O 5. , V 2 O 5 , and Nb 2 O 5 are preferably formed from one substance selected from the group consisting of materials.

配向制御層の膜厚としては、１ｎｍ以上、好ましくは３ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。配向制御層が１ｎｍ以下になると、初期層の結晶配向制御が困難であるため、下地層の結晶配向の制御ができなくなる。また、配向制御層が２０ｎｍ以上になると、書き込みヘッドと軟磁性層との距離が遠くなるため、書き込み磁界が弱くなる。   The thickness of the orientation control layer is 1 nm or more, preferably 3 nm or more and 20 nm or less. When the orientation control layer has a thickness of 1 nm or less, it is difficult to control the crystal orientation of the initial layer, and thus the crystal orientation of the underlayer cannot be controlled. On the other hand, when the orientation control layer is 20 nm or more, the distance between the write head and the soft magnetic layer increases, and the write magnetic field becomes weak.

本発明の垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録媒体の製造方法によれば、配向制御層として、酸化物を添加した材料を用いることにより、磁性層での磁性粒密度を下げずに磁性粒の大きさを微細化することができる。また、磁性粒の結晶配向もほとんど劣化させずに磁性層を積層することができ、垂直記録媒体の記録再生特性を改善することができる。   According to the perpendicular magnetic recording medium and the manufacturing method of the perpendicular magnetic recording medium of the present invention, the size of the magnetic grains can be increased without reducing the magnetic grain density in the magnetic layer by using an oxide-added material as the orientation control layer. The thickness can be miniaturized. In addition, the magnetic layer can be stacked with almost no deterioration in the crystal orientation of the magnetic grains, and the recording / reproducing characteristics of the perpendicular recording medium can be improved.

以下、本発明の一実施の形態いついて図面を参照して説明する。
図１は、本実施の形態に係る垂直磁気記録媒体１０の構造を示した断面図である。この垂直磁気記録媒体１０は、垂直磁気記録再生方式に用いられる磁気記録媒体である。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a perpendicular magnetic recording medium 10 according to this embodiment. This perpendicular magnetic recording medium 10 is a magnetic recording medium used in a perpendicular magnetic recording / reproducing system.

図１に示す垂直磁気記録媒体１０は、ディスク基体１１、付着層１２、第一軟磁性層１３ａ、非磁性スペーサ層１３ｂ、第二２軟磁性層１３ｃ、配向制御層１４、第一下地層１５ａ、第二下地層１５ｂ、第一オンセット層１６ａ、第二オンセット層１６ｂ、主記録層１７、連続層（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ層）１８、媒体保護層１９、潤滑層２０がその順で積層されて構成されている。なお、第一軟磁性層１３ａ、非磁性スペーサ層１３ｂ、第二軟磁性層１３ｃは、あわせて軟磁性層１３を構成する。第一下地層１５ａと第二下地層１５ｂはあわせて下地層１５を構成する。第一オンセット層１６ａと第二オンセット層１６ｂはあわせてオンセット層１６を構成する。   A perpendicular magnetic recording medium 10 shown in FIG. 1 includes a disk substrate 11, an adhesive layer 12, a first soft magnetic layer 13a, a nonmagnetic spacer layer 13b, a second soft magnetic layer 13c, an orientation control layer 14, and a first underlayer 15a. The second underlayer 15b, the first onset layer 16a, the second onset layer 16b, the main recording layer 17, the continuous layer (continuous layer) 18, the medium protective layer 19, and the lubricating layer 20 are laminated in that order. Has been. The first soft magnetic layer 13a, the nonmagnetic spacer layer 13b, and the second soft magnetic layer 13c together constitute the soft magnetic layer 13. The first underlayer 15a and the second underlayer 15b together form the underlayer 15. The first onset layer 16 a and the second onset layer 16 b together constitute the onset layer 16.

ディスク基体１１としては、例えば、ガラス基板、アルミニウム基板、シリコン基板、プラスチック基板などを用いることができる。ディスク基体１０にガラス基板を用いる場合には、例えば、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型してガラスディスクを作製し、このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施すことにより作製することができる。アルミノシリケートガラスは、平滑かつ高剛性が得られるので、磁気的スペーシング、特に、磁気ヘッドの浮上量をより安定して低減できる。また、アルミノシリケートガラスは化学強化により、高い剛性強度を得ることができる。   As the disk substrate 11, for example, a glass substrate, an aluminum substrate, a silicon substrate, a plastic substrate, or the like can be used. When a glass substrate is used for the disk substrate 10, for example, an amorphous aluminosilicate glass is formed into a disk shape by direct pressing to produce a glass disk, and this glass disk is subjected to grinding, polishing, and chemical strengthening sequentially. Can be produced. Since the aluminosilicate glass is smooth and has high rigidity, the magnetic spacing, particularly the flying height of the magnetic head, can be more stably reduced. Aluminosilicate glass can obtain high rigidity and strength by chemical strengthening.

付着層１２は、ディスク基体１０との間の密着性を向上させるための層であり、軟磁性層１３の剥離を防止することができる。付着層１２の材料としては、例えばＴｉ含有材料を用いてもよい。実用上の観点からは付着層１２の膜厚は、１ｎｍ〜５０ｎｍとするのが好ましい。   The adhesion layer 12 is a layer for improving the adhesion with the disk substrate 10 and can prevent the soft magnetic layer 13 from peeling off. As a material of the adhesion layer 12, for example, a Ti-containing material may be used. From the viewpoint of practical use, the thickness of the adhesion layer 12 is preferably 1 nm to 50 nm.

軟磁性層１３の第一軟磁性層１３ａ及び第二軟磁性層１３ｃとしては、例えば、ＦｅＣｏＴａＺｒ膜などを用いることができる。非磁性スペーサ層１３ｂの組成は、非磁性材料のＲｕ膜などを挙げることができる。第一軟磁性層１３ａと第二軟磁性層１３ｃの間に非磁性スペーサ層１３ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁***換結合）を備えるように構成した。これにより軟磁性層１３の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができ、磁化の垂直成分が極めて少なくなることで軟磁性層１３から生じるノイズを低減することができる。   As the first soft magnetic layer 13a and the second soft magnetic layer 13c of the soft magnetic layer 13, for example, an FeCoTaZr film or the like can be used. Examples of the composition of the nonmagnetic spacer layer 13b include a Ru film made of a nonmagnetic material. A nonmagnetic spacer layer 13b is interposed between the first soft magnetic layer 13a and the second soft magnetic layer 13c so as to have AFC (Antiferro-magnetic exchange coupling). As a result, the magnetization direction of the soft magnetic layer 13 can be aligned along the magnetic path (magnetic circuit) with high accuracy, and noise generated from the soft magnetic layer 13 can be reduced by extremely reducing the perpendicular component of magnetization. it can.

配向制御層１４は、軟磁性層１３を防護する作用、下地層１５の結晶粒の配向の整列を促進する作用、さらに結晶粒を微細化する作用を備える。本実施の形態において、配向制御層１４は、Ｎｉを主材料とし、酸化物材料を含んでいる。配向制御層１４の材料は、Ｎｉを主成分としたｆｃｃ構造を有するＮｉＷ、ＮｉＰｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＭｏ、ＮｉＴａ、ＮｉＶ、ＮｉＮｂ、ＮｉＺｒ、ＮｉＨｆ、ＮｉＣｕの合金から選択されたものであることが好ましい。また、配向制御層１４に添加される酸化物材料は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＴｉＯ２、ＴｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｚｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、Ｗ２Ｏ５、Ｍｏ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５から選択したものであることが好ましい。このように、配向制御層１４に上記酸化物材料を添加することで、特に結晶粒を微細化する作用が増大される。 The orientation control layer 14 has an effect of protecting the soft magnetic layer 13, an effect of promoting alignment of crystal grains of the underlayer 15, and an action of refining crystal grains. In the present embodiment, the orientation control layer 14 includes Ni as a main material and an oxide material. The material of the orientation control layer 14 is preferably selected from alloys of NiW, NiPd, NiCr, NiMo, NiTa, NiV, NiNb, NiZr, NiHf, and NiCu having an fcc structure mainly composed of Ni. The oxide materials added to the orientation control layer 14 are SiO 2 , SiO, TiO 2 , TiO, Cr 2 O 3 , Zr 2 O 3 , Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 , W 2 O 5 , It is preferably one selected from Mo 2 O 5 , V 2 O 5 and Nb 2 O 5 . As described above, by adding the oxide material to the orientation control layer 14, the effect of refining crystal grains is particularly increased.

下地層１５を構成する材料はｈｃｐ構造を有し、主記録層１７を構成する材料のｈｃｐ構造の結晶をグラニュラー構造として成長させることができる。したがって、下地層１５の結晶配向性が高いほど、主記録層１７の配向性を向上させることができる。下地層１５の材質としては、Ｒｕの他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏを挙げることができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、Ｃｏを主成分とする主記録層を良好に配向させることができる。   The material constituting the underlayer 15 has an hcp structure, and crystals of the hcp structure of the material constituting the main recording layer 17 can be grown as a granular structure. Accordingly, the higher the crystal orientation of the underlayer 15 is, the more the orientation of the main recording layer 17 can be improved. In addition to Ru, examples of the material for the underlayer 15 include RuCr and RuCo. Ru has an hcp structure and can satisfactorily orient the main recording layer containing Co as a main component.

下地層１５は、２層構造のＲｕ膜で構成されている。上層側の第二下地層１５ｂを形成する際に、下層側の第一下地層１５ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くしている。ガス圧を高くするとスパッタリングされるプラズマイオンの自由移動距離が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶配向性を改善することができる。また高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ｒｕの結晶格子の大きさはＣｏの結晶格子よりも大きいため、Ｒｕの結晶格子を小さくすればＣｏのそれに近づき、Ｃｏのグラニュラー層の結晶配向性をさらに向上させることができる。   The underlayer 15 is composed of a Ru film having a two-layer structure. When forming the second base layer 15b on the upper layer side, the Ar gas pressure is set higher than when forming the first base layer 15a on the lower layer side. When the gas pressure is increased, the free movement distance of the plasma ions to be sputtered is shortened, so that the film formation rate is reduced and the crystal orientation can be improved. Further, by increasing the pressure, the size of the crystal lattice is reduced. Since the size of the Ru crystal lattice is larger than that of the Co crystal lattice, if the Ru crystal lattice is made smaller, it approaches that of Co, and the crystal orientation of the Co granular layer can be further improved.

下地層１５のｈｃｐ結晶構造の上に非磁性のグラニュラー層を形成し、この上に主記録層１７のグラニュラー層を成長させることにより、磁性のグラニュラー層を初期段階（立ち上がり）から分離させる作用を有している。第一オンセット層１６ａおよび第二オンセット層１６ｂの組成は非磁性のＣｏＣｒ−ＳｉＯ２および磁性のＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３とした。 By forming a nonmagnetic granular layer on the hcp crystal structure of the underlayer 15 and growing the granular layer of the main recording layer 17 thereon, the magnetic granular layer is separated from the initial stage (rise). Have. The compositions of the first onset layer 16a and the second onset layer 16b were nonmagnetic CoCr—SiO 2 and magnetic CoCrPt—Cr 2 O 3 .

主記録層１７は、ｈｃｐ結晶構造を有する磁性層である。主記録層１７としては、ＣｏＣｒＰｔ-Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２などを挙げることができる。非磁性物質としての酸化珪素（ＳｉＯ２）または酸化チタン（ＴｉＯ２）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、ｈｃｐ結晶構造を形成する。なお、主記録層１７は７ｎｍ〜１５ｎｍの範囲で適宜設定しうる。主記録層１７を形成するためのターゲットの組成は、ＣｏＣｒＰｔとＳｉＯ２（またはＴｉＯ２）とを約９：１（ｍｏｌ％）で構成する。非磁性物質は磁性物質の周囲に偏析して粒界を形成し、磁性粒（磁性グレイン）は柱状のグラニュラー構造を形成した。この磁性粒は、オンセット層１６のグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長した。 The main recording layer 17 is a magnetic layer having an hcp crystal structure. Examples of the main recording layer 17 include CoCrPt—Cr 2 O 3 , CoCrPt—SiO 2 , and CoCrPt—TiO 2 . An hcp crystal structure is formed using a hard magnetic target made of CoCrPt containing silicon oxide (SiO 2) or titanium oxide (TiO 2) as a nonmagnetic substance. The main recording layer 17 can be appropriately set within a range of 7 nm to 15 nm. The composition of the target for forming the main recording layer 17 is composed of CoCrPt and SiO2 (or TiO2) at about 9: 1 (mol%). Nonmagnetic substances segregated around the magnetic substance to form grain boundaries, and the magnetic grains (magnetic grains) formed columnar granular structures. The magnetic grains were epitaxially grown continuously from the granular structure of the onset layer 16.

連続層１８は、面方向に磁性が連続しているＣｏＣｒＰｔＢ膜からなる。連続層１８は、低Ａｒガスで形成され、膜厚は１０ｎｍ以下であることが好ましく、望ましくは５ｎｍ以下である。   The continuous layer 18 is made of a CoCrPtB film whose magnetism is continuous in the plane direction. The continuous layer 18 is formed of a low Ar gas, and the film thickness is preferably 10 nm or less, and desirably 5 nm or less.

付着層１２から連続層１８までは、ディスク基体１１上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリング法にて順次成膜を行う。生産性を考慮すると、インライン型成膜によりこれらの層や膜を形成することが好ましい。   From the adhesion layer 12 to the continuous layer 18, film formation is sequentially performed on the disk substrate 11 by a DC magnetron sputtering method in an Ar atmosphere using a vacuum film forming apparatus. In consideration of productivity, it is preferable to form these layers and films by in-line film formation.

媒体保護層１９は、磁気ヘッドの衝撃から主記録層１７を防護するための保護層である。媒体保護層１９を構成する材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、カーボン、ジルコニア、シリカなどが挙げられる。真空を保ったまま例えばカーボンをＣＶＤ法により成膜して形成する。一般に、ＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタリング法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録層を保護することができる。   The medium protective layer 19 is a protective layer for protecting the main recording layer 17 from the impact of the magnetic head. Examples of the material constituting the medium protective layer 19 include Cr, Cr alloy, carbon, zirconia, and silica. For example, carbon is formed by a CVD method while maintaining a vacuum. In general, since the film hardness of carbon formed by the CVD method is improved as compared with that formed by the sputtering method, the perpendicular magnetic recording layer can be more effectively protected against the impact from the magnetic head.

潤滑層２０は、例えば、液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈し、媒体表面にディップコート法、スピンコート法、スプレイ法によって塗布し、必要に応じ加熱処理を行って形成する。潤滑層２０の膜厚は約１ｎｍである。このパーフロロポリエーテルは、直鎖構造を備え、磁気ディスク用に適度な潤滑性能を発揮するとともに、末端基に水酸基（ＯＨ）を備えることで、炭素媒体保護層に対して高い密着性能を発揮することができる。   The lubricating layer 20 is prepared by, for example, diluting perfluoropolyether (PFPE), which is a liquid lubricant, with a solvent such as Freon, and applying it to the surface of the medium by a dip coating method, a spin coating method, or a spray method, and heating if necessary Form by processing. The film thickness of the lubricating layer 20 is about 1 nm. This perfluoropolyether has a straight-chain structure, exhibits moderate lubrication performance for magnetic disks, and exhibits high adhesion performance to the carbon medium protective layer by having a hydroxyl group (OH) at the end group. can do.

次に、図１に示す垂直磁気記録媒体１０と同一構造で配向制御層１４の材料を変化させた実施例１〜実施例７、及び配向制御層１４及び下地層１５の材料を変化させた比較例１〜３について説明する。   Next, Examples 1 to 7 in which the material of the orientation control layer 14 is changed with the same structure as that of the perpendicular magnetic recording medium 10 shown in FIG. 1, and a comparison in which the materials of the orientation control layer 14 and the underlayer 15 are changed. Examples 1 to 3 will be described.

（実施例１）
アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性ディスク基体１１を得た。ディスク基体１１の直径は、６５ｍｍ、内径は２０ｍｍ、ディスク厚は０．６３５ｍｍの２．５インチ型磁気ディスク用基板であった。得られたディスク基体１１の表面粗さをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で観察したところ、Ｒｍａｘが２．１８ｎｍ、Ｒａが０．１８ｎｍの平滑な表面であることを確認した。なお、Ｒｍａｘ及びＲａは、日本工業規格（ＪＩＳ）に従う。 Example 1
Amorphous aluminosilicate glass was molded into a disk shape with a direct press to create a glass disk. The glass disk was subjected to grinding, polishing, and chemical strengthening in order to obtain a smooth nonmagnetic disk substrate 11 made of a chemically strengthened glass disk. The disk substrate 11 was a 2.5-inch magnetic disk substrate having a diameter of 65 mm, an inner diameter of 20 mm, and a disk thickness of 0.635 mm. When the surface roughness of the obtained disk substrate 11 was observed with an AFM (atomic force microscope), it was confirmed that the surface was smooth with Rmax of 2.18 nm and Ra of 0.18 nm. Rmax and Ra are in accordance with Japanese Industrial Standard (JIS).

次に、キヤノンアネルバ社製Ｃ３０４０スパッタ成膜装置を用いて、ディスク基体１１０上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングで順次、付着層１２、軟磁性層１３、配向制御層１４、下地層１５、第一オンセット層１６ａ、第二オンセット層１６ｂ、主記録層１７の成膜を行なった。   Next, the adhesion layer 12, the soft magnetic layer 13, the orientation control layer 14, the underlayer 15, and the first onset are sequentially formed on the disk substrate 110 by DC magnetron sputtering using a C3040 sputtering film forming apparatus manufactured by Canon Anelva. The layer 16a, the second onset layer 16b, and the main recording layer 17 were formed.

まず、付着層１１２が１０ｎｍのＣｒＴｉ４５（Ｃｒ：５５aｔ％、Ｔｉ：４５ａｔ％）層となるように、ＣｒＴｉターゲットを用いて成膜した。   First, a film was formed using a CrTi target such that the adhesion layer 112 was a 10 nm CrTi45 (Cr: 55 at%, Ti: 45 at%) layer.

次に、第一及び第二軟磁性層１３ａ、１３ｃが、２５ｎｍのアモルファスＦｅＣｏＴａＺｒ（Ｆｅ：３７ａｔ％、Ｃｏ：５５ａｔ％、Ｔａ：３ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）層となるように、ＦｅＣｏＴａＺｒターゲットを用いて成膜した。非磁性スペーサ層１３ｂとしてはＲｕターゲットを用いて０．５ｎｍのＲｕ層を成膜した。   Next, the FeCoTaZr target is formed so that the first and second soft magnetic layers 13a and 13c become 25 nm amorphous FeCoTaZr (Fe: 37 at%, Co: 55 at%, Ta: 3 at%, Zr: 5 at%) layer. Used to form a film. As the nonmagnetic spacer layer 13b, a Ru layer of 0.5 nm was formed using a Ru target.

次に、軟磁性層１３の上に、１０ｎｍのＮｉＷ‐ＴｉＯ２（Ｎｉ：８６ａｔ％、Ｗ：８ａｔ％、ＴｉＯ２：６ａｔ％）膜となる配向制御層１４を成膜した。 Next, an orientation control layer 14 to be a 10 nm NiW—TiO 2 (Ni: 86 at%, W: 8 at%, TiO 2 : 6 at%) film was formed on the soft magnetic layer 13.

次に、配向制御層１４の上に、成膜ガス圧１．５Ｐａにて膜厚１０ｎｍのＲｕからなる第一下地層１５ａを成膜し、さらに成膜ガス圧６．０Ｐａにて膜厚１０ｎｍのＲｕからなる第二下地層１５ｂを成膜した。   Next, a first underlayer 15a made of Ru having a film thickness of 10 nm is formed on the orientation control layer 14 at a film forming gas pressure of 1.5 Pa, and further a film thickness of 10 nm is formed at a film forming gas pressure of 6.0 Pa. A second underlayer 15b made of Ru was formed.

次に、下地層１５の上に、１．０ｎｍのＣｏＣｒ−ＳｉＯ２（Ｃｏ：５３ａｔ％、Ｃｒ：３５ａｔ％、ＳｉＯ２：１２ａｔ％）膜からなる第一オンセット層１６ａを成膜し、さらに３ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３（Ｃｏ：６７ａｔ％、Ｃｒ：１１ａｔ％、Ｐｔ：１７ａｔ％、Ｃｒ２Ｏ３：５ａｔ％）膜からなる第二オンセット層１６ｂを成膜した。 Next, a first onset layer 16a made of a 1.0 nm CoCr—SiO 2 (Co: 53 at%, Cr: 35 at%, SiO 2 : 12 at%) film is formed on the underlayer 15, and A second onset layer 16b made of a 3 nm CoCrPt—Cr 2 O 3 (Co: 67 at%, Cr: 11 at%, Pt: 17 at%, Cr 2 O 3 : 5 at%) film was formed.

次に、オンセット層１６の上に、８ｎｍのｈｃｐ結晶構造のＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２（Ｃｏ：６４ａｔ％、Ｃｒ：１１．５ａｔ％、Ｐｔ：１４．５ａｔ％、ＴｉＯ２：１０ａｔ％）からなる硬磁性体のターゲットを用いて主記録層１７を成膜した。さらに、連続層１８は７．５ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｐｔ：１５ａｔ％、Ｂ：５ａｔ％）のターゲットを用いて成膜した。 Next, a hard layer made of CoCrPt—TiO 2 (Co: 64 at%, Cr: 11.5 at%, Pt: 14.5 at%, TiO 2 : 10 at%) having an hcp crystal structure on the onset layer 16 is used. The main recording layer 17 was formed using a magnetic target. Furthermore, the continuous layer 18 was formed using a target of 7.5 nm CoCrPtB (Co: 60 at%, Cr: 20 at%, Pt: 15 at%, B: 5 at%).

次に、ＣＶＤ法で水素化カーボンからなる媒体保護層１９を形成した。水素化炭素とすることで、膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対して垂直主記録層を防護することができる。   Next, a medium protective layer 19 made of hydrogenated carbon was formed by a CVD method. By using hydrogenated carbon, the film hardness is improved, so that the perpendicular main recording layer can be protected against an impact from the magnetic head.

この後、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）からなる潤滑層２０をディップコート法により形成した。潤滑層２０の膜厚は１ｎｍである。   Thereafter, a lubricating layer 20 made of PFPE (perfluoropolyether) was formed by a dip coating method. The film thickness of the lubricating layer 20 is 1 nm.

以上の工程にて得られた媒体の記録再生特性を評価した。Ｒ／Ｗアナライザーと、記録側がＳＰＴ素子、再生側がＧＭＲ素子を備える垂直磁気記録方式用磁気ヘッドとを用いて、記録密度を１２００ｋｆｃｉとして測定した。このとき、磁気ヘッドの浮上量は１０ｎｍであった。   The recording / reproducing characteristics of the media obtained through the above steps were evaluated. The recording density was measured at 1200 kfci using an R / W analyzer and a magnetic head for perpendicular magnetic recording system having an SPT element on the recording side and a GMR element on the reproducing side. At this time, the flying height of the magnetic head was 10 nm.

（比較例１）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＷ（Ｎｉ：９２ａｔ％、Ｗ：８ａｔ％）とした。 (Comparative Example 1)
With the same film configuration as in Example 1 described above, the orientation control layer 14 was NiW (Ni: 92 at%, W: 8 at%).

（比較例２）
上述した実施例１と同様の膜構成で、第一下地層１５ａと第二下地層１５ｂとして、Ｒｕ‐ＳｉＯ２（Ｒｕ：９５ａｔ％、ＳｉＯ２：５ａｔ％）とした。 (Comparative Example 2)
With the same film configuration as in Example 1 described above, Ru—SiO 2 (Ru: 95 at%, SiO 2 : 5 at%) was used as the first under layer 15a and the second under layer 15b.

（比較例３）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４には、ＮｉＷ（Ｎｉ：９２ａｔ％、Ｗ：８ａｔ％）とし、第二下地層１５ｂとして、Ｒｕ‐ＳｉＯ２（Ｒｕ：９５ａｔ％、ＳｉＯ２：５ａｔ％）とした (Comparative Example 3)
With the same film configuration as in Example 1 described above, the orientation control layer 14 is made of NiW (Ni: 92 at%, W: 8 at%), and the second underlayer 15 b is made of Ru—SiO 2 (Ru: 95 at%, SiO2: 5 at%)

（実施例２）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＷ‐ＴｉＯ２（Ｎｉ：８９ａｔ％、Ｗ：８ａｔ％、ＴｉＯ２：３ａｔ％）とした。 (Example 2)
In the same film configuration as in Example 1 described above, the orientation control layer 14 was NiW—TiO 2 (Ni: 89 at%, W: 8 at%, TiO 2 : 3 at%).

（実施例３）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＷ‐ＳｉＯ２（Ｎｉ：８７ａｔ％、Ｗ：８ａｔ％、ＳｉＯ２：５ａｔ％）とした。 (Example 3)
In the same film configuration as in Example 1 described above, the orientation control layer 14 was NiW—SiO 2 (Ni: 87 at%, W: 8 at%, SiO 2 : 5 at%).

（実施例４）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＷ‐Ｃｒ２Ｏ３（Ｎｉ：８２ａｔ％、Ｗ：７ａｔ％、Ｃｒ２Ｏ３：１１ａｔ％）とした。 Example 4
In the same film configuration as in Example 1 described above, the orientation control layer 14 was NiW—Cr 2 O 3 (Ni: 82 at%, W: 7 at%, Cr 2 O 3 : 11 at%).

（実施例５）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＷ‐Ｔａ２Ｏ５（Ｎｉ：６２ａｔ％、Ｗ：５ａｔ％、Ｔａ２Ｏ５：３３ａｔ％）とした。 (Example 5)
With the same film configuration as in Example 1 described above, the orientation control layer 14 was NiW—Ta 2 O 5 (Ni: 62 at%, W: 5 at%, Ta 2 O 5 : 33 at%).

（実施例６）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＷ‐Ｎｂ２Ｏ５（Ｎｉ：７４ａｔ％、Ｗ：６ａｔ％、Ｎｂ２Ｏ５：２０ａｔ％）とした。 (Example 6)
The orientation control layer 14 was made of NiW—Nb 2 O 5 (Ni: 74 at%, W: 6 at%, Nb 2 O 5 : 20 at%) with the same film configuration as in Example 1 described above.

（実施例７）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＷ‐Ａｌ２Ｏ３（Ｎｉ：８５ａｔ％、Ｗ：７ａｔ％、Ａｌ２Ｏ３：８ａｔ％）とした。 (Example 7)
In the same film configuration as in Example 1 described above, the orientation control layer 14 was NiW—Al 2 O 3 (Ni: 85 at%, W: 7 at%, Al 2 O 3 : 8 at%).

（実施例８）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＰｄ‐ＴｉＯ２（Ｎｉ：８６ａｔ％、Ｐｄ：８ａｔ％、ＴｉＯ２：６ａｔ％）とした。 (Example 8)
The orientation control layer 14 was made of NiPd—TiO 2 (Ni: 86 at%, Pd: 8 at%, TiO 2 : 6 at%) with the same film configuration as in Example 1 described above.

（実施例９）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＣｒ‐ＴｉＯ２（Ｎｉ：８６ａｔ％、Ｃｒ：８ａｔ％、ＴｉＯ２：６ａｔ％）とした。 Example 9
In the same film configuration as in Example 1 described above, the orientation control layer 14 was NiCr—TiO 2 (Ni: 86 at%, Cr: 8 at%, TiO 2 : 6 at%).

（実施例１０）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＭｏ‐ＴｉＯ２（Ｎｉ：８６ａｔ％、Ｍｏ：８ａｔ％、ＴｉＯ２：６ａｔ％）とした。 (Example 10)
In the same film configuration as in Example 1 described above, the orientation control layer 14 was NiMo—TiO 2 (Ni: 86 at%, Mo: 8 at%, TiO 2 : 6 at%).

（実施例１１）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＴａ‐ＴｉＯ２（Ｎｉ：８６ａｔ％、Ｔａ：８ａｔ％、ＴｉＯ２：６ａｔ％）とした。 Example 11
With the same film configuration as in Example 1 described above, the orientation control layer 14 was NiTa—TiO 2 (Ni: 86 at%, Ta: 8 at%, TiO 2 : 6 at%).

（実施例１２）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＶ‐ＴｉＯ２（Ｎｉ：８６ａｔ％、Ｖ：８ａｔ％、ＴｉＯ２：６ａｔ％）とした。 Example 12
With the same film configuration as in Example 1 described above, the orientation control layer 14 was NiV-TiO 2 (Ni: 86 at%, V: 8 at%, TiO 2 : 6 at%).

（実施例１３）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＮｂ‐ＴｉＯ２（Ｎｉ：８６ａｔ％、Ｎｂ：８ａｔ％、ＴｉＯ２：６ａｔ％）とした。 (Example 13)
In the same film configuration as in Example 1 described above, the orientation control layer 14 was NiNb—TiO 2 (Ni: 86 at%, Nb: 8 at%, TiO 2 : 6 at%).

（実施例１４）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＺｒ‐ＴｉＯ２（Ｎｉ：８６ａｔ％、Ｚｒ：８ａｔ％、ＴｉＯ２：６ａｔ％）とした。 (Example 14)
In the same film configuration as in Example 1 described above, the orientation control layer 14 was NiZr—TiO 2 (Ni: 86 at%, Zr: 8 at%, TiO 2 : 6 at%).

（実施例１５）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＨｆ‐ＴｉＯ２（Ｎｉ：８６ａｔ％、Ｈｆ：８ａｔ％、ＴｉＯ２：６ａｔ％）とした。 (Example 15)
In the same film configuration as in Example 1 described above, the orientation control layer 14 was NiHf—TiO 2 (Ni: 86 at%, Hf: 8 at%, TiO 2 : 6 at%).

（実施例１６）
上述した実施例１と同様の膜構成で、配向制御層１４としては、ＮｉＣｕ‐ＴｉＯ２（Ｎｉ：８６ａｔ％、Ｃｕ：８ａｔ％、ＴｉＯ２：６ａｔ％）とした。
なお、実施例に係る磁気記録媒体１０として、図１を用いて説明した構成の磁気記録媒体１０を作製する。磁気記録媒体１０の製造工程では、例えば軟磁性層形成工程、磁気記録層形成工程等により、ディスク基体１１上に形成される各層を順番に形成する。尚、各層を形成する工程において、軟磁性層形成工程以外は、公知の各工程と同一又は同様の工程であってよい。 (Example 16)
In the film configuration similar to that of Example 1 described above, the orientation control layer 14 was NiCu—TiO 2 (Ni: 86 at%, Cu: 8 at%, TiO 2 : 6 at%).
As the magnetic recording medium 10 according to the example, the magnetic recording medium 10 having the configuration described with reference to FIG. 1 is manufactured. In the manufacturing process of the magnetic recording medium 10, the layers formed on the disk substrate 11 are sequentially formed by, for example, a soft magnetic layer forming process, a magnetic recording layer forming process, and the like. In addition, in the process of forming each layer, you may be the same or the same process as each well-known process except a soft magnetic layer formation process.

図２は、各実施例１〜１６及び比較例１〜３で作製した磁気記録媒体を、透過電子顕微鏡の平面写真から評価した平均結晶粒径、Ｘ線回折装置で評価したΔθ５０及び記録再生特性Ｓ/Ｎの評価結果を示している。透過電子顕微鏡の平面写真から求めた各結晶粒の面積を円形に換算し、その円形の半径を結晶粒径と定義している。平均結晶粒径は数百個の結晶粒から取った平均値である。また、Δθ５０はＲｕ（００２）結晶配向ピークのローキングカーブの半値幅を示している。 FIG. 2 shows the average grain size of the magnetic recording media prepared in Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 3 evaluated from a plane photograph of a transmission electron microscope, Δθ 50 evaluated with an X-ray diffractometer, and recording / reproduction. The evaluation result of characteristic S / N is shown. The area of each crystal grain obtained from a plane photograph of a transmission electron microscope is converted to a circle, and the radius of the circle is defined as the crystal grain size. The average crystal grain size is an average value obtained from several hundred crystal grains. Δθ 50 indicates the half-value width of the roking curve of the Ru (002) crystal orientation peak.

図２からは、下地層１５に酸化物を添加せずに配向制御層１４にだけ酸化物を添加した実施例１〜７は、磁性層の磁性粒径を微細化でき、しかも下地層に酸化物を添加した比較例２，３に比べて、磁性粒の結晶配向の劣化が抑えられていることが確認できる。   2, Examples 1 to 7 in which an oxide is added only to the orientation control layer 14 without adding an oxide to the underlayer 15 can reduce the magnetic particle size of the magnetic layer and oxidize the underlayer. It can be confirmed that the deterioration of the crystal orientation of the magnetic grains is suppressed as compared with Comparative Examples 2 and 3 to which the product is added.

上記実施の形態における層構成、部材の材質、個数、サイズ、処理手順などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。   The layer configuration, the material, the number, the size, the processing procedure, and the like in the above embodiment are merely examples, and various modifications can be made within the range where the effects of the present invention are exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

実施の形態に係る磁気記録媒体の断面構成図Cross-sectional configuration diagram of a magnetic recording medium according to an embodiment 実施例１〜１６及び比較例１〜３の評価結果を示す図The figure which shows the evaluation result of Examples 1-16 and Comparative Examples 1-3.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 磁気記録媒体
１１ ディスク基体
１２ 付着層
１３ 軟磁性層
１３ａ 第一軟磁性層
１３ｂ 非磁性スペーサ層
１３ｃ 第二軟磁性層
１４ 配向制御層
１５ 下地層
１５ａ 第一下地層
１５ｂ 第二下地層
１６ オンセット層
１６ａ 第一オンセット層
１６ｂ 第二オンセット層
１７ 主記録層
１８ 連続層
１９ 媒体保護層
２０ 潤滑層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Magnetic recording medium 11 Disk base body 12 Adhesion layer 13 Soft magnetic layer 13a First soft magnetic layer 13b Nonmagnetic spacer layer 13c Second soft magnetic layer 14 Orientation control layer 15 Underlayer 15a First underlayer 15b Second underlayer 16 On Set layer 16a First onset layer 16b Second onset layer 17 Main recording layer 18 Continuous layer 19 Medium protective layer 20 Lubricating layer

Claims (7)

非磁性基板と、
前記非磁性基板上に形成された軟磁性層と、
前記軟磁性層上に形成され、Ｎｉを主材料とし、酸化物が添加された配向制御層と、
前記配向制御層上に形成された六方細密充構造を有する非磁性下地層と、
前記非磁性下地層上に形成され、六方細密充構造の結晶をグラニュラー構造として成長させた磁気記録層と、
を具備したことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 A non-magnetic substrate;
A soft magnetic layer formed on the non-magnetic substrate;
An orientation control layer formed on the soft magnetic layer, mainly made of Ni and added with an oxide;
A nonmagnetic underlayer having a hexagonal close-packed structure formed on the orientation control layer;
A magnetic recording layer formed on the nonmagnetic underlayer and having a hexagonal close packed crystal grown as a granular structure;
A perpendicular magnetic recording medium comprising: 前記配向制御層は、ＮｉＷ、ＮｉＰｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＭｏ、ＮｉＴａ、ＮｉＶ、ＮｉＮｂ、ＮｉＺｒ、ＮｉＨｆ、ＮｉＣｕから選択される少なくとも一つに酸化物を添加してなる合金を主材料としたことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。   The orientation control layer is mainly composed of an alloy obtained by adding an oxide to at least one selected from NiW, NiPd, NiCr, NiMo, NiTa, NiV, NiNb, NiZr, NiHf, and NiCu. The perpendicular magnetic recording medium according to claim 1. 前記配向制御層は、前記酸化物としてＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＴｉＯ２，ＴｉＯ，Ｃｒ２Ｏ３、Ｚｒ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，Ｗ２Ｏ５，Ｍｏ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５から選択される少なくとも１種の材料が添加さることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の垂直磁気記録媒体。 The orientation control layer, SiO 2, SiO, TiO 2 , TiO, Cr 2 O 3, Zr 2 O 3, Ta 2 O 5, Al 2 O 3, W 2 O 5, Mo 2 O 5 as the oxides, 3. The perpendicular magnetic recording medium according to claim 1, wherein at least one material selected from V 2 O 5 and Nb 2 O 5 is added. 前記配向制御層は、厚さが１ｎｍ〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。   The perpendicular magnetic recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the orientation control layer has a thickness of 1 nm to 20 nm. 前記下地層は、ＲｕまたはＲｕ合金を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。   The perpendicular magnetic recording medium according to claim 1, wherein the underlayer includes Ru or a Ru alloy. 前記磁気記録層は、ＣｏＣｒＰｔ-酸化物からなることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。   6. The perpendicular magnetic recording medium according to claim 1, wherein the magnetic recording layer is made of CoCrPt-oxide. 基板上に軟磁性層を形成するステップと、前記軟磁性層上にＮｉを主材料とする材料に酸化物を添加した配向制御層を形成するステップと、前記配向制御層上に六方細密充構造を有する非磁性下地層を形成するステップと、前記非磁性下地層上に六方細密充構造の結晶をグラニュラー構造として成長させて磁気記録層を形成するステップとを具備したことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
Forming a soft magnetic layer on the substrate; forming an orientation control layer in which an oxide is added to a material mainly composed of Ni on the soft magnetic layer; and a hexagonal close packed structure on the orientation control layer And forming a magnetic recording layer by growing a hexagonal close packed crystal as a granular structure on the nonmagnetic underlayer. A method for manufacturing a recording medium.
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