JP2009239046A - エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法及びエレクトロルミネッセンスパネル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】同一の基板2の同一面に形成された画素電極21a及び画素トランジスタ21,22と、画素電極21a及び画素トランジスタ21,22を被覆するように形成された保護絶縁膜32と、保護絶縁膜32に形成され画素電極21aを露出させる露出孔33と、露出孔33内に形成された有機化合物層20bと、有機化合物層20bの上部であって隔壁6の上部でない部分に形成された対向電極20dと、
隔壁6及び対向電極20dの上部に形成された封止層7と、を備えるエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル10である。
【選択図】図3
Description
請求項1に記載の発明は、エレクトロルミネッセンスパネルであって、基板の上面に形成された画素電極に接続された画素トランジスタと、前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層の上部であって前記画素トランジスタの上部でない部分に形成された対向電極と、前記保護絶縁膜及び前記対向電極の上部に形成された封止層と、を備えることを特徴とする。
なお、絶縁基板2から隔壁6までの積層構造がトランジスタアレイパネル50である。
サブピクセル電極20a、有機EL層20b、電子注入層20c、対向電極20dの順に積層されたものが有機EL素子20である。
次に、図9に示すように、コンタクトホール28a,28b,28cが形成される位置のゲート絶縁膜31、半導体層、及びn+シリコン層にゲート金属が露出するように孔を形成する。
次に、図10に示すように、ソース・ドレイン金属39をべた一面にする。このとき、ゲート絶縁膜31、半導体層36、及びn+シリコン層38に形成された孔の部分でゲート金属35とソース・ドレイン金属39とが接合され導通し、コンタクトホール28a,28b,28cが形成される。
次に、図12に示すように、気相成長法によって導電性膜を成膜し、パターニングすることでサブピクセル電極20aを形成する。
まず、トランジスタアレイパネル50を洗浄する。次に、サブピクセル電極20aの表面を、有機EL層20bの形成に使用する有機化合物含有液に対して親液化させる。例えば有機化合物含有液に親水性の溶剤を用いる場合には、酸素プラズマ処理やUVオゾン処理等を施すことにより親水化させる。
次に、親水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ疎水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である正孔注入材料(例えば導電性高分子であるPEDOT及びドーパントとなるPSS)を水に溶解した有機化合物含有液をサブピクセル電極20aに塗布する。塗布方法としては、インクジェット法(液滴吐出法)、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。サブピクセル電極20aごとに独立して正孔注入層20eを成膜するためには、インクジェット法等の印刷方法が好ましい。
以上により、トランジスタアレイパネル50上に有機EL素子20が形成される。
以上により、ELディスプレイパネル10が完成する。
ができる。
例えば、図15に示すように、隔壁6の上部に、透明な導電性材料(例えば、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)又はカドミウム−錫酸化物(CTO))を気相成長法によって成膜することによって対向電極20dを形成してもよい。
あるいは、図17に示すように、封止層7の上部に反射防止層8を形成してもよい。図17の場合においても、有機EL素子20から保護絶縁膜32に入射した光が反射防止層8で吸収され、あるいは反射防止層8を透過するため、隔壁6と反射防止層8との界面で反射することを防ぎ、トランジスタ21,22に到達することを防止することができる。
なお、隔壁6の上部に透明な導電膜により対向電極20dを形成し、さらに封止層7の上部に反射防止層8を形成してもよい。
あるいは、反射防止層8として、有機EL素子20から放射される光を透過し反射させない反射防止膜を用いてもよい。反射防止膜としては、例えば誘電体多層膜等を用いることができる。
6 隔壁
7 封止層
8 反射防止層
10 ELディスプレイパネル
20 エレクトロルミネッセンス素子
21,22 画素トランジスタ
21a 画素電極
32 保護絶縁膜
33 露出孔
20b 有機化合物層
20d 対向電極
Claims (8)
- 基板の上面に形成された画素電極に接続された画素トランジスタと、
前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、
前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層の上部であって前記画素トランジスタの上部でない部分に形成された対向電極と、
前記保護絶縁膜及び前記対向電極の上部に形成された封止層と、を備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネル。 - 前記画素トランジスタの上部であって前記保護絶縁膜の上部と重なる位置に形成された隔壁をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネッセンスパネル。
- 基板の上面に形成された画素電極に接続された画素トランジスタと、
前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、
前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層の上部に形成された透明導電膜からなる対向電極と、
前記対向電極の上部に形成された封止層と、を備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネル。 - 前記保護絶縁膜の上部に形成された隔壁をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載のエレクトロルミネッセンスパネル。
- 前記封止層の上面に形成された反射防止層をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンスパネル。
- 画素電極と、前記画素電極に接続された画素トランジスタと、前記画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜の前記画素電極と対応しない部分に設けられた隔壁と、を有する基板を備えたエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、
前記保護絶縁膜に設けられ、前記画素電極を露出させる露出孔内に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層の上部であって前記隔壁の上部でない部分に対向電極を形成し、
前記隔壁及び前記対向電極を封止する封止層を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 画素電極と、前記画素電極に接続された画素トランジスタと、前記画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜の前記画素電極と対応しない部分に設けられた隔壁と、を有する基板を備えたエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、
前記保護絶縁膜に設けられ、前記画素電極を露出させる露出孔内に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層及び前記隔壁の上部に透明導電膜からなる対向電極を形成し、
前記対向電極を封止する封止層を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 前記封止層の上面に反射防止層を形成することを特徴とする請求項6または7に記載のエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
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