JP2009238899A - Substrate processing apparatus and method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板の乾燥処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for drying a substrate.
従来より、半導体基板、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に薬液処理および洗浄処理を行うために、種々の基板処理装置が用いられている。 2. Description of the Related Art Conventionally, various substrate processing apparatuses have been used to perform chemical processing and cleaning processing on substrates such as semiconductor substrates, photomask glass substrates, liquid crystal display glass substrates, and optical disk glass substrates.
半導体デバイスの製造工程では、基板上に絶縁膜、半導体膜、導体膜等の種々の膜が形成される。基板上の膜にレジストの塗布処理、露光処理および現像処理が行われることによりレジストのパターンが形成される。レジストのパターンを用いて基板上の膜に各種パターンが形成される。 In a semiconductor device manufacturing process, various films such as an insulating film, a semiconductor film, and a conductor film are formed on a substrate. A resist pattern is formed by performing a resist coating process, an exposure process, and a development process on the film on the substrate. Various patterns are formed on the film on the substrate using the resist pattern.
上述の各処理後の基板には、基板上の不純物を洗い流すために洗浄処理が行われる。また、洗浄処理後の基板には、基板を乾燥させるために乾燥処理が行われる。近年の電子機器の高集積化により基板上のパターンが微細化している。そのため、上記の乾燥処理時に基板上のパターンの倒壊(以下、パターン倒れと呼ぶ。)が発生する場合がある。 A cleaning process is performed on the substrate after each process described above to wash away impurities on the substrate. In addition, a drying process is performed on the substrate after the cleaning process in order to dry the substrate. With the recent high integration of electronic equipment, the pattern on the substrate is miniaturized. For this reason, a pattern collapse (hereinafter referred to as pattern collapse) on the substrate may occur during the drying process.
乾燥処理時に発生するパターン倒れは、以下に説明するようにして発生する。乾燥処理時には、例えば、基板を回転させることにより、基板上から洗浄液を徐々に除去する。この場合、パターンとパターンとの間に一時的に洗浄液が残留する。この配線パターン間に残留する洗浄液の表面張力により、配線パターンが洗浄液側に引っ張られる。それにより、配線パターンのパターン倒れが発生する。特に、洗浄液として純水等の表面張力の高い液体を用いる場合には、パターン倒れが発生する割合が高くなる。 Pattern collapse that occurs during the drying process occurs as described below. During the drying process, for example, the cleaning liquid is gradually removed from the substrate by rotating the substrate. In this case, the cleaning liquid temporarily remains between the patterns. The wiring pattern is pulled toward the cleaning liquid by the surface tension of the cleaning liquid remaining between the wiring patterns. Thereby, the pattern collapse of the wiring pattern occurs. In particular, when a liquid having a high surface tension such as pure water is used as the cleaning liquid, the rate at which pattern collapse occurs increases.
近年、露光技術の進歩によりパターンの微細化が進んでおり、上記パターン倒れがより発生し易い状況になっている。このようなパターン倒れの発生を防止しつつ基板を乾燥させる方法として、純水に比べて表面張力の低いIPA(イソプロピルアルコール)の蒸気を基板に供給する方法がある(例えば、特許文献1参照)。 In recent years, with the advance of exposure technology, pattern miniaturization has progressed, and the pattern collapse is more likely to occur. As a method of drying the substrate while preventing the occurrence of such pattern collapse, there is a method of supplying vapor of IPA (isopropyl alcohol) having a surface tension lower than that of pure water to the substrate (for example, see Patent Document 1). .
特許文献1記載の基板処理装置は、処理チャンバと、処理チャンバ内において基板を支持するヒータと、処理チャンバ内にIPA蒸気を供給する蒸気供給手段と、処理チャンバの内部を減圧する減圧手段とを備える。
The substrate processing apparatus described in
このような構成において、洗浄処理装置において純水により洗浄処理された基板が処理チャンバ内に搬入され、ヒータ上に載置される。その後、処理チャンバの内部が減圧される。そして、処理チャンバ内の圧力が所定の値まで低下した場合に、処理チャンバ内にIPA蒸気および窒素ガスが供給される。 In such a configuration, the substrate cleaned with pure water in the cleaning processing apparatus is carried into the processing chamber and placed on the heater. Thereafter, the inside of the processing chamber is depressurized. Then, when the pressure in the processing chamber decreases to a predetermined value, IPA vapor and nitrogen gas are supplied into the processing chamber.
その後、IPA蒸気および窒素ガスにより処理チャンバ内の圧力が所定の値まで上昇した場合に、処理チャンバ内へのIPA蒸気および窒素ガスの供給が停止され、その状態が維持される。それにより、IPA蒸気が基板の表面で凝縮し、基板上の純水がIPAで置換される。その後、処理チャンバ内が排気される。それにより、基板上のIPAが蒸発する。 Thereafter, when the pressure in the processing chamber rises to a predetermined value due to the IPA vapor and the nitrogen gas, the supply of the IPA vapor and the nitrogen gas into the processing chamber is stopped and the state is maintained. Thereby, IPA vapor condenses on the surface of the substrate, and the pure water on the substrate is replaced with IPA. Thereafter, the inside of the processing chamber is evacuated. Thereby, IPA on the substrate evaporates.
このように、特許文献1記載の基板処理装置においては、基板上に残留する純水をIPAで置換した後、そのIPAを蒸発させている。この場合、IPAは表面張力が低いので、パターン倒れを防止しつつ基板を乾燥させることができるとされている。
しかしながら、特許文献1記載の基板処理装置により基板の乾燥処理を行う場合、洗浄液が付着した状態の基板を洗浄処理装置から処理チャンバへ搬送しなければならない。この場合、基板を搬送する際に、基板上に残留する洗浄液の表面張力によりパターン倒れが発生するおそれがある。
However, when a substrate is dried by the substrate processing apparatus described in
本発明の目的は、基板上でのパターン倒れを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing pattern collapse on a substrate.
(1)第1の発明に係る基板処理装置は、基板を保持するとともに回転可能に設けられた回転保持部と、回転保持部に保持された基板を含む密閉空間を形成するように回転保持部に密着する密着位置と回転保持部から離間する離間位置との間で移動可能に設けられた空間形成部材と、回転保持部を回転させる駆動機構と、回転保持部上の基板に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、密閉空間を減圧排気する減圧排気手段と、回転保持部上の基板に有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給部とを備え、空間形成部材が離間位置に配置されかつ駆動機構により回転保持部が回転されている状態で洗浄液供給部から回転保持部上の基板に洗浄液が供給され、回転保持部が停止されかつ空間形成部材が密着位置に配置されている状態で蒸気供給部から回転保持部上の基板に有機溶剤の蒸気が供給されるものである。 (1) A substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention is a rotary holding unit that forms a sealed space that includes a rotation holding unit that holds a substrate and is rotatably provided, and a substrate held by the rotation holding unit. A space forming member provided so as to be movable between a close contact position closely contacting with the rotary holding portion, a drive mechanism for rotating the rotary holding portion, and supplying a cleaning liquid to the substrate on the rotary holding portion. A cleaning liquid supply unit, a vacuum exhaust unit that exhausts the sealed space under reduced pressure, and a vapor supply unit that supplies an organic solvent vapor to the substrate on the rotation holding unit. The cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply unit to the substrate on the rotation holding unit while the rotation holding unit is rotated, the rotation holding unit is stopped, and the space forming member is disposed at the close contact position from the vapor supply unit. Rotation The substrate parts in which the vapor of the organic solvent is supplied.
この基板処理装置においては、基板を保持するとともに回転可能に回転保持部が設けられている。また、回転保持部に保持された基板を含む密閉空間を形成するように回転保持部に密着する密着位置と回転保持部から離間する離間位置との間で移動可能に空間形成部材が設けられている。 In this substrate processing apparatus, a rotation holding unit is provided so as to hold the substrate and be rotatable. Further, a space forming member is provided so as to be movable between a close contact position that is in close contact with the rotation holding section and a spaced position that is separated from the rotation holding section so as to form a sealed space including the substrate held by the rotation holding section. Yes.
そして、空間形成部材が離間位置に配置されかつ駆動機構により回転保持部が回転されている状態で洗浄液供給部から回転保持部上の基板に洗浄液が供給される。それにより、基板が洗浄される。 Then, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply unit to the substrate on the rotation holding unit in a state where the space forming member is disposed at the separated position and the rotation holding unit is rotated by the driving mechanism. Thereby, the substrate is cleaned.
また、回転保持部が停止されかつ空間形成部材が密着位置に配置されている状態で蒸気供給部から回転保持部上の基板に有機溶剤の蒸気が供給される。また、空間形成部材によって形成される密閉空間は、減圧排気手段により減圧排気される。 Further, the vapor of the organic solvent is supplied from the vapor supply unit to the substrate on the rotation holding unit in a state where the rotation holding unit is stopped and the space forming member is disposed at the close contact position. Further, the sealed space formed by the space forming member is evacuated by the evacuation means.
この場合、蒸気供給手段により回転保持部上の基板に有機溶剤の蒸気が供給されるとともに、その基板を含む密閉空間が減圧排気手段によって減圧されるので、基板上において有機溶剤が凝縮する。それにより、基板上の洗浄液が有機溶剤で置換される。その結果、洗浄液の表面張力によって基板上でパターン倒れが発生することを防止することができる。 In this case, the vapor of the organic solvent is supplied to the substrate on the rotation holding unit by the vapor supply unit, and the sealed space including the substrate is depressurized by the vacuum exhaust unit, so that the organic solvent is condensed on the substrate. Thereby, the cleaning liquid on the substrate is replaced with the organic solvent. As a result, pattern collapse can be prevented from occurring on the substrate due to the surface tension of the cleaning liquid.
また、基板の洗浄処理と乾燥処理とを1つの基板処理装置で行うことができるので、洗浄液が付着した基板を他の基板処理装置に搬送しなくてよい。それにより、基板上に残留する洗浄液の表面張力により基板上でパターン倒れが発生することを防止することができる。 In addition, since the substrate cleaning process and the drying process can be performed by one substrate processing apparatus, the substrate to which the cleaning liquid is attached need not be transferred to another substrate processing apparatus. Thereby, it is possible to prevent the pattern collapse on the substrate due to the surface tension of the cleaning liquid remaining on the substrate.
また、1つの基板処理装置で洗浄処理および乾燥処理を行うことができるので、洗浄処理後の基板を迅速に乾燥することができる。それにより、洗浄液の表面張力により基板上でパターン倒れが発生することを確実に防止することができるとともに、基板処理装置のスループットを向上させることができる。 In addition, since the cleaning process and the drying process can be performed with one substrate processing apparatus, the substrate after the cleaning process can be quickly dried. Thereby, it is possible to reliably prevent the pattern collapse on the substrate due to the surface tension of the cleaning liquid, and to improve the throughput of the substrate processing apparatus.
また、減圧排気手段により密閉空間が減圧されるので、密閉空間内に十分な量の有機溶剤の蒸気を吸入させることができる。したがって、有機溶剤の蒸気を密閉空間内に供給するためのキャリアガスを用いなくてよい。この場合、密閉空間内の雰囲気における有機溶剤の蒸気の割合を高くすることができるので、基板上において十分な量の有機溶剤を凝縮させることができる。それにより、基板上において、洗浄液を有機溶剤で十分に置換することができる。その結果、基板上でのパターン倒れを十分に防止することができる。 Further, since the sealed space is depressurized by the reduced pressure exhaust means, a sufficient amount of the organic solvent vapor can be sucked into the sealed space. Therefore, it is not necessary to use a carrier gas for supplying the vapor of the organic solvent into the sealed space. In this case, since the ratio of the vapor of the organic solvent in the atmosphere in the sealed space can be increased, a sufficient amount of the organic solvent can be condensed on the substrate. Thereby, the cleaning liquid can be sufficiently replaced with the organic solvent on the substrate. As a result, pattern collapse on the substrate can be sufficiently prevented.
また、回転保持部の回転が停止された状態で空間形成部材が密着位置に配置されるので、空間形成部材と回転保持部とを確実に密着させることができる。この場合、密閉空間の減圧排気を効率よく行うことができるので、密閉空間内に有機溶剤の蒸気を確実に吸入させることができる。それにより、基板上において、洗浄液を有機溶剤で十分に置換することができる。その結果、基板上でのパターン倒れを十分に防止することができる。 Further, since the space forming member is disposed at the close contact position in a state where the rotation of the rotation holding portion is stopped, the space forming member and the rotation holding portion can be reliably brought into close contact with each other. In this case, since the evacuation of the sealed space can be performed efficiently, the vapor of the organic solvent can be reliably sucked into the sealed space. Thereby, the cleaning liquid can be sufficiently replaced with the organic solvent on the substrate. As a result, pattern collapse on the substrate can be sufficiently prevented.
(2)蒸気供給部は、有機溶剤の蒸気を加熱する加熱手段をさらに含んでもよい。この場合、密閉空間内に供給される有機溶剤の蒸気の温度を十分に上昇させることができる。それにより、基板上において有機溶剤を容易に凝縮させることができる。 (2) The vapor supply unit may further include a heating means for heating the vapor of the organic solvent. In this case, the temperature of the vapor of the organic solvent supplied into the sealed space can be sufficiently increased. Thereby, the organic solvent can be easily condensed on the substrate.
(3)基板処理装置は、回転保持部上の基板を冷却する冷却手段をさらに備えてもよい。この場合、冷却手段により基板の温度を低下させることができる。それにより、基板上において有機溶剤をさらに容易に凝縮させることができる。 (3) The substrate processing apparatus may further include a cooling unit that cools the substrate on the rotation holding unit. In this case, the temperature of the substrate can be lowered by the cooling means. Thereby, the organic solvent can be more easily condensed on the substrate.
(4)基板処理装置は、回転保持部に保持された基板に冷却された有機溶剤を供給する冷却溶剤供給部をさらに備え、蒸気供給部は、回転保持部上の基板の上面に有機溶剤の蒸気を供給し、冷却溶剤供給部は、回転保持部上の基板の下面に冷却された有機溶剤を供給してもよい。 (4) The substrate processing apparatus further includes a cooling solvent supply unit that supplies the cooled organic solvent to the substrate held by the rotation holding unit, and the vapor supply unit has an organic solvent on the upper surface of the substrate on the rotation holding unit. The cooling solvent supply unit may supply the cooled organic solvent to the lower surface of the substrate on the rotation holding unit.
この場合、基板の下面に有機溶剤が供給されることにより、基板の温度が低下する。それにより、基板の上面に有機溶剤の蒸気を供給しつつ基板を冷却することが可能になる。その結果、基板上において有機溶剤をより確実に凝縮させることができる。 In this case, the temperature of the substrate is lowered by supplying the organic solvent to the lower surface of the substrate. This makes it possible to cool the substrate while supplying the vapor of the organic solvent to the upper surface of the substrate. As a result, the organic solvent can be more reliably condensed on the substrate.
(5)減圧排気手段は、密閉空間の圧力が所定のしきい値以下にならないように密閉空間を減圧してもよい。 (5) The depressurizing means may depressurize the sealed space so that the pressure in the sealed space does not become a predetermined threshold value or less.
この場合、密閉空間の圧力が低下し過ぎることを防止することができる。それにより、基板上において有機溶剤が凝縮する前に基板上の洗浄液が蒸発してしまうことを防止することができる。その結果、基板上において洗浄液を効率よく有機溶剤で置換することができる。 In this case, it can prevent that the pressure of sealed space falls too much. Thereby, it is possible to prevent the cleaning liquid on the substrate from evaporating before the organic solvent is condensed on the substrate. As a result, the cleaning liquid can be efficiently replaced with the organic solvent on the substrate.
(6)洗浄液供給部から基板に供給される洗浄液は、純水を含んでもよい。この場合、基板の洗浄処理のためのコストを低減することができる。 (6) The cleaning liquid supplied to the substrate from the cleaning liquid supply unit may include pure water. In this case, the cost for the substrate cleaning process can be reduced.
(7)蒸気供給部から供給される有機溶剤は、イソプロピルアルコールを含んでもよい。この場合、イソプロピルアルコールは表面張力が低いので、基板上でパターン倒れが発生することをより十分に防止することができる。 (7) The organic solvent supplied from the vapor supply unit may include isopropyl alcohol. In this case, since the surface tension of isopropyl alcohol is low, the occurrence of pattern collapse on the substrate can be more sufficiently prevented.
(8)蒸気供給部から供給される有機溶剤は、ハイドロフルオロエーテルを含んでもよい。この場合、ハイドロフルオロエーテルは表面張力が低いので、基板上でパターン倒れが発生することをより十分に防止することができる。 (8) The organic solvent supplied from the vapor supply unit may include hydrofluoroether. In this case, since the surface tension of hydrofluoroether is low, the occurrence of pattern collapse on the substrate can be more sufficiently prevented.
(9)第2の発明に係る基板処理方法は、基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法であって、基板処理装置に設けられる回転保持部により基板を保持しつつ回転させる工程と、回転保持部により回転される基板に洗浄液を供給する工程と、回転保持部を停止する工程と、回転保持部上の基板を含む密閉空間を形成するように停止状態の回転保持部に空間形成部材を密着させる工程と、密閉空間を減圧排気するとともに密閉空間に有機溶剤の蒸気を供給する工程とを備えたものである。 (9) A substrate processing method according to a second aspect of the present invention is a substrate processing method for processing a substrate using a substrate processing apparatus, wherein the substrate is rotated while being held by a rotation holding unit provided in the substrate processing apparatus. A step of supplying a cleaning liquid to the substrate rotated by the rotation holding unit, a step of stopping the rotation holding unit, and forming a space in the stopped rotation holding unit so as to form a sealed space including the substrate on the rotation holding unit. A step of bringing the members into close contact with each other, and a step of evacuating the sealed space and supplying an organic solvent vapor to the sealed space.
この基板処理方法によれば、回転保持部により回転保持される基板に洗浄液が供給される。それにより、基板が洗浄される。 According to this substrate processing method, the cleaning liquid is supplied to the substrate rotated and held by the rotation holding unit. Thereby, the substrate is cleaned.
また、回転保持部が停止された状態で、空間形成部材が密着位置に配置される。さらに、空間形成部材により形成された密閉空間が減圧排気されるとともに、その密閉空間に有機溶剤の蒸気が供給される。 Further, the space forming member is disposed at the close contact position in a state where the rotation holding portion is stopped. Further, the sealed space formed by the space forming member is evacuated and the vapor of the organic solvent is supplied to the sealed space.
この場合、密閉空間に有機溶剤の蒸気が供給されるとともに密閉空間が減圧されるので、基板上において有機溶剤が凝縮する。それにより、基板上の洗浄液が有機溶剤で置換される。その結果、洗浄液の表面張力によって基板上でパターン倒れが発生することを防止することができる。 In this case, since the vapor of the organic solvent is supplied to the sealed space and the sealed space is depressurized, the organic solvent is condensed on the substrate. Thereby, the cleaning liquid on the substrate is replaced with the organic solvent. As a result, pattern collapse can be prevented from occurring on the substrate due to the surface tension of the cleaning liquid.
また、この基板処理方法によれば、基板の洗浄処理と乾燥処理とを1つの基板処理装置で行うことができるので、洗浄液が付着した基板を他の基板処理装置に搬送しなくてよい。それにより、基板上に残留する洗浄液の表面張力により基板上でパターン倒れが発生することを防止することができる。 Moreover, according to this substrate processing method, since the substrate cleaning process and the drying process can be performed by one substrate processing apparatus, the substrate to which the cleaning liquid is attached need not be transferred to another substrate processing apparatus. Thereby, it is possible to prevent the pattern collapse on the substrate due to the surface tension of the cleaning liquid remaining on the substrate.
また、1つの基板処理装置で洗浄処理および乾燥処理を行うことができるので、洗浄処理後の基板を迅速に乾燥することができる。それにより、洗浄液の表面張力により基板上でパターン倒れが発生することを確実に防止することができるとともに、基板処理装置のスループットを向上させることができる。 In addition, since the cleaning process and the drying process can be performed with one substrate processing apparatus, the substrate after the cleaning process can be quickly dried. Thereby, it is possible to reliably prevent the pattern collapse on the substrate due to the surface tension of the cleaning liquid, and to improve the throughput of the substrate processing apparatus.
また、密閉空間が減圧されるので、密閉空間内に十分な量の有機溶剤の蒸気を吸入させることができる。したがって、有機溶剤の蒸気を密閉空間内に供給するためのキャリアガスを用いなくてよい。この場合、密閉空間内の雰囲気における有機溶剤の蒸気の割合を高くすることができるので、基板上において十分な量の有機溶剤を凝縮させることができる。それにより、基板上において、洗浄液を有機溶剤で十分に置換することができる。その結果、基板上でのパターン倒れを十分に防止することができる。 Further, since the sealed space is decompressed, a sufficient amount of the organic solvent vapor can be sucked into the sealed space. Therefore, it is not necessary to use a carrier gas for supplying the vapor of the organic solvent into the sealed space. In this case, since the ratio of the vapor of the organic solvent in the atmosphere in the sealed space can be increased, a sufficient amount of the organic solvent can be condensed on the substrate. Thereby, the cleaning liquid can be sufficiently replaced with the organic solvent on the substrate. As a result, pattern collapse on the substrate can be sufficiently prevented.
また、回転保持部の回転が停止された状態で空間形成部材が密着位置に配置されるので、空間形成部材と回転保持部とを確実に密着させることができる。この場合、密閉空間の減圧排気を効率よく行うことができるので、密閉空間内に有機溶剤の蒸気を確実に吸入させることができる。それにより、基板上において、洗浄液を有機溶剤で十分に置換することができる。その結果、基板上でのパターン倒れを十分に防止することができる。 Further, since the space forming member is disposed at the close contact position in a state where the rotation of the rotation holding portion is stopped, the space forming member and the rotation holding portion can be reliably brought into close contact with each other. In this case, since the evacuation of the sealed space can be performed efficiently, the vapor of the organic solvent can be reliably sucked into the sealed space. Thereby, the cleaning liquid can be sufficiently replaced with the organic solvent on the substrate. As a result, pattern collapse on the substrate can be sufficiently prevented.
本発明によれば、基板上でのパターン倒れを防止することができる。 According to the present invention, pattern collapse on the substrate can be prevented.
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理方法および基板処理装置について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, a substrate processing method and a substrate processing apparatus according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマディスプレイパネル)用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。 In the following description, a substrate refers to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP (plasma display panel), a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and the like.
(1)基板処理装置の構成
図1は本発明の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図1に示すように、基板処理装置100は、処理領域A,Bを有し、処理領域A,B間に搬送領域Cを有する。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the
処理領域Aには、制御部4、流体ボックス部2a,2bおよび洗浄処理部5a,5bが配置されている。
In the processing region A, a control unit 4,
図1の流体ボックス部2a,2bは、それぞれ洗浄処理部5a,5bへの薬液の供給および洗浄処理部5a,5bからの廃液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。
1 are pipes, joints, valves, flow meters, regulators, pumps, temperature regulators for supplying chemicals to the
洗浄処理部5a,5bでは、基板Wに付着したパーティクル等を除去するための洗浄処理が行われる。また、洗浄処理部5a,5bでは、洗浄処理後の基板Wを乾燥するための乾燥処理が行われる。洗浄処理部5a,5bの詳細については後述する。
In the
処理領域Bには、流体ボックス部2c,2dおよび洗浄処理部5c,5dが配置されている。流体ボックス部2c,2dおよび洗浄処理部5c,5dの各々は、上記流体ボックス部2a,2bおよび洗浄処理部5a,5bと同様の構成を有し、洗浄処理部5c,5dは洗浄処理部5a,5bと同様の処理を行う。
In the processing region B,
以下、洗浄処理部5a,5b,5c,5dを処理ユニットと総称する。搬送領域Cには、基板搬送ロボットCRが設けられている。
Hereinafter, the
処理領域A,Bの一端部側には、基板Wの搬入および搬出を行うインデクサIDが配置されており、インデクサロボットIRはインデクサIDの内部に設けられている。インデクサIDには、基板Wを収納するキャリア1が載置される。本実施の形態においては、キャリア1として、基板Wを密閉した状態で収納するFOUP(Front Opening Unified Pod)を用いているが、これに限定されるものではなく、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッド、OC(Open Cassette)等を用いてもよい。
An indexer ID for carrying in and out the substrate W is arranged on one end side of the processing areas A and B, and the indexer robot IR is provided inside the indexer ID. The
インデクサIDのインデクサロボットIRは、矢印Uの方向に移動し、キャリア1から基板Wを取り出して基板搬送ロボットCRに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Wを基板搬送ロボットCRから受け取ってキャリア1に戻す。
The indexer robot IR with the indexer ID moves in the direction of the arrow U, takes out the substrate W from the
基板搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRから渡された基板Wを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Wを他の処理ユニットまたはインデクサロボットIRに搬送する。 The substrate transfer robot CR transfers the substrate W delivered from the indexer robot IR to the designated processing unit, or transfers the substrate W received from the processing unit to another processing unit or the indexer robot IR.
本実施の形態においては、洗浄処理部5a〜5dのいずれかにおいて基板Wに洗浄処理および乾燥処理が行われた後に、基板搬送ロボットCRにより基板Wが洗浄処理部5a〜5dから搬出され、インデクサロボットIRを介してキャリア1に搬入される。
In the present embodiment, after the cleaning process and the drying process are performed on the substrate W in any of the
制御部4は、CPU(中央演算処理装置)を含むコンピュータ等からなり、処理領域A,Bの各処理ユニットの動作、搬送領域Cの基板搬送ロボットCRの動作およびインデクサIDのインデクサロボットIRの動作を制御する。 The control unit 4 includes a computer including a CPU (Central Processing Unit) and the like. The operation of each processing unit in the processing areas A and B, the operation of the substrate transfer robot CR in the transfer area C, and the operation of the indexer robot IR of the indexer ID. To control.
(2)洗浄処理部の構成
図2は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置100の洗浄処理部5a〜5dの詳細を説明するための図である。図2の洗浄処理部5a〜5dは、基板Wの表面および裏面に付着したパーティクル等の汚染物を除去するため、基板Wの表面および裏面の洗浄処理を行う。
(2) Configuration of Cleaning Processing Unit FIG. 2 is a diagram for explaining the details of the
図2に示すように、洗浄処理部5a〜5dは、基板Wを水平に保持するとともに、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Wを回転させるためのスピンチャック21を備える。スピンチャック21は、円板状のスピンベース22、およびスピンベース22上に設けられて基板Wを保持する複数の保持部23を有する。
As shown in FIG. 2, the
スピンチャック21は、チャック回転駆動機構24によって回転される回転軸25の上端に固定されている。回転軸25は中空軸からなる。回転軸25の内部には、液体供給管26が挿通されている。
The
液体供給管26は、保持部23に保持された基板Wの裏面に近接する位置まで延びている。液体供給管26は、バルブ27を介して図示しない液体供給系に接続されている。この液体供給系には、洗浄液として薬液およびリンス液が貯留されている。本実施の形態においては、図1の制御部4によりバルブ27が開かれることにより、液体供給管26から保持部23に保持される基板Wの裏面に薬液またはリンス液が供給される。
The
スピンベース22には、ヒートパイプ22aが埋設されている。ヒートパイプ22aの一部は、スピンベース22の下面側においてスピンベース22から露出している。ヒートパイプ22aの上記露出する領域に接触するように、冷却ジャケット28が設けられている。冷却ジャケット28には、冷却水供給管29および冷却水排出管30が接続されている。図示しない冷却水供給系から冷却水供給管29を通して冷却ジャケット28に冷却水が供給され、冷却ジャケット28から冷却水排出管30を通して冷却水が排出される。本実施の形態においては、冷却ジャケット28においてヒートパイプ22aが冷却される。それにより、スピンベース22が冷却されるとともに、スピンベース22上の基板Wが冷却される。
A
スピンチャック21の上方には、円筒状のチャンバ31が上下動可能に設けられる。チャンバ31の下端は開口している。チャンバ31の天井面には排気管32が設けられている。排気管32には真空ポンプ33が介挿されている。本実施の形態においては、真空ポンプ33によりチャンバ31内の空間が排気される。真空ポンプ33は、図1の制御部4により制御される。
A
また、チャンバ31の天井面を貫通するように、蒸気供給管34が設けられている。蒸気供給管34は、IPA(イソプロピルアルコール)供給管35を介して図示しないIPA供給系に接続されるとともに、窒素(N2)供給管36を介して図示しない窒素供給系に接続されている。なお、蒸気供給管34の外周面は、チャンバ31の天井面に固定されている。IPA供給管35には、IPA供給バルブ37および蒸気生成装置38が介挿されている。また、窒素供給管36には、窒素供給バルブ39が介挿されている。
A
蒸気供給管34の下端には、円板状でかつ中空の蒸気拡散部40が設けられている。蒸気拡散部40の内部には加熱板41が設けられている。蒸気拡散部40の下面には、蒸気拡散部40の内部空間と外部とを連通させるように複数の吐出口42が形成されている。蒸気拡散部40の直径は、基板Wの直径と同等または基板Wの直径より大きく設定されている。
At the lower end of the
蒸気拡散部40の上面および外周面を覆うように円筒状の流路形成部材43が設けられている。流路形成部材43は、天井面43aおよび円筒面43bからなる。円筒面43bは、蒸気拡散部40の下面よりも下方に延びるように設けられている。また、円筒面43bの内周面の直径は、基板Wの直径よりも大きく設定されている。
A cylindrical flow
本実施の形態においては、蒸気生成装置38においてIPA蒸気が生成される。また、図1の制御部4によりIPA供給バルブ37が開かれることにより、蒸気生成装置38において生成されたIPA蒸気が、蒸気供給管34および蒸気拡散部40を介して複数の吐出口42からチャンバ31内の空間に供給される。また、制御部4により窒素供給バルブ39が開かれることにより、窒素が蒸気供給管34および蒸気拡散部40を介して複数の吐出口42からチャンバ31内の空間に供給される。
In the present embodiment, the
スピンベース22および回転軸25と液体供給管26との間には円筒状の封止部材44が設けられている。また、スピンベース22の上面の外周端部には、リング状の封止部材45が設けられている。本実施の形態においては、チャンバ31は、下端部が封止部材45から離間する離間位置および封止部材45に密着する密着位置の間で移動可能に設けられている。
A cylindrical sealing
なお、本実施の形態においては、円筒面43bの下端部は、チャンバ31の下端部より上方に位置している。また、チャンバ31が封止部材45に密着する位置まで移動した場合に、円筒面43bの下端部が保持部23に接触しないように流路形成部材43の大きさが設定されている。さらに、チャンバ31と流路形成部材43との間に隙間が形成されるように、チャンバ31および流路形成部材43の大きさが設定されている。
In the present embodiment, the lower end portion of the
スピンチャック21の上方には、液体供給ノズル46が設けられている。液体供給ノズル46は、液体供給管47およびバルブ48を介して図示しない液体供給系に接続されている。この液体供給系には、洗浄液として薬液およびリンス液が貯留されている。本実施の形態においては、チャンバ31および流路形成部材43が離間位置にあるときに、図1の制御部4によりバルブ48が開かれることにより、液体供給ノズル46から保持部23に保持される基板Wの表面に薬液またはリンス液が供給される。
A
液体供給ノズル46は、スピンベース22に近接する位置およびスピンベース22から離間する位置の間で移動可能に設けられている。液体供給ノズル46から薬液またはリンス液が供給される際には、液体供給ノズル46はスピンベース22に近接する位置に移動する。
The
スピンチャック21の周囲には、薬液およびリンス液の飛散を防止するためのカップ46が上下動可能に設けられている。
Around the
(3)洗浄処理部の動作
(3−1)洗浄処理部の動作の概略
図3は、洗浄処理部5a〜5dの動作の一例を示すフローチャートである。なお、以下に説明する洗浄処理部5a〜5dの各構成要素の動作は、図1の制御部4により制御される。
(3) Operation of Cleaning Processing Unit (3-1) Outline of Operation of Cleaning Processing Unit FIG. 3 is a flowchart showing an example of the operation of the
まず、チャンバ31が封止部材45から離間する離間位置にある状態で、図1の基板搬送ロボットCRにより基板Wが保持部23上に載置される。そして、基板Wが保持部23に保持された状態で、スピンチャック21(図2)が回転される(ステップS1)。
First, the substrate W is placed on the holding
次に、液体供給ノズル46(図2)および液体供給管26(図2)から基板Wの表面および裏面に薬液が供給される(ステップS2)。これにより、基板Wの表面および裏面が洗浄され、パーティクル等の汚染物が除去される。上記薬液としては、例えば、硫酸(H2SO4)と過酸化水素(H2O2)との混合液が用いられる。 Next, a chemical solution is supplied from the liquid supply nozzle 46 (FIG. 2) and the liquid supply pipe 26 (FIG. 2) to the front and back surfaces of the substrate W (step S2). Thereby, the front surface and the back surface of the substrate W are cleaned, and contaminants such as particles are removed. As the chemical solution, for example, a mixed solution of sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) is used.
所定時間経過後、液体供給管26および液体供給ノズル46からの薬液の供給が停止される(ステップS3)。その後、液体供給ノズル46および液体供給管26から基板Wの表面および裏面にリンス液が供給される(ステップS4)。これにより、基板W上の薬液がリンス液により洗い流される。本実施の形態においては、リンス液として、純水が用いられる。
After a predetermined time has elapsed, the supply of the chemical solution from the
所定時間経過後、液体供給ノズル46および液体供給管26から基板Wへのリンス液の供給が停止され(ステップS5)、スピンチャック21が停止される(ステップS6)。その後、後述する乾燥処理が行われる(ステップS7)。ステップS7において乾燥された基板Wは、基板搬送ロボットCR(図1)により洗浄処理部5a〜5dから搬出される。
After a predetermined time has elapsed, the supply of the rinse liquid from the
なお、本実施の形態においては、基板W上にリンス液(純水)が残留している状態でステップS7の乾燥処理が開始される。 In the present embodiment, the drying process in step S7 is started with the rinse liquid (pure water) remaining on the substrate W.
(3−2)乾燥処理
次に、ステップS7における乾燥処理について詳細に説明する。
(3-2) Drying process Next, the drying process in step S7 will be described in detail.
図4は、乾燥処理時における洗浄処理部5a〜5dの動作の一例を示すフローチャートである。また、図5は、スピンベース22とチャンバ31とにより形成される空間(以下、単にチャンバ31内と略記する。)の圧力変化を示す図である。
FIG. 4 is a flowchart illustrating an example of the operation of the
なお、図5の上段のグラフの縦軸は、チャンバ31内の圧力を示し、横軸は、時間を示す。図5において圧力P0は常圧であり、圧力P1は常圧の半分の圧力であり、圧力P2は圧力P1よりも低くかつ基板W上のリンス液(純水)が短時間で蒸発することを十分に防止することができる圧力である。なお、常圧P0におけるリンス液の温度がT0℃の場合、圧力P2におけるリンス液の沸点T2が下記式(1)を満たすように圧力P2が設定されることが好ましく、下記式(2)を満たすように圧力P2が設定されることがより好ましい。
In addition, the vertical axis | shaft of the upper graph of FIG. 5 shows the pressure in the
T0<T2×0.85 ・・・(1)
T0<T2×0.80 ・・・(2)
また、図5の下段には、真空ポンプ33(図2)による減圧状態、IPA供給バルブ37(図2)の開閉状態および窒素供給バルブ39(図2)の開閉状態が示されている。
T0 <T2 × 0.85 (1)
T0 <T2 × 0.80 (2)
The lower part of FIG. 5 shows a decompressed state by the vacuum pump 33 (FIG. 2), an open / close state of the IPA supply valve 37 (FIG. 2), and an open / close state of the nitrogen supply valve 39 (FIG. 2).
以下、図4および図5を参照しつつ洗浄処理部5a〜5dの乾燥処理時の動作について詳細に説明する。
Hereinafter, the operation during the drying process of the
洗浄処理部5a〜5dにおける乾燥処理の開始時には、まず、チャンバ31(図2)が封止部材45(図2)に密着する密着位置に移動される(図4のステップS71)。なお、上述したように、乾燥処理時には、スピンベース22の回転が停止されている。それにより、スピンベース22とチャンバ31とを確実に密着させることができる。
At the start of the drying process in the
次に、時点t0(図5)において真空ポンプ33(図2)によりチャンバ31内が減圧排気されるとともに、窒素供給バルブ39(図2)が開かれる(図4のステップS72)。それにより、図5に示すように、チャンバ31内の圧力がP0(常圧)から徐々に低下する。また、チャンバ31内に窒素が供給されることにより、チャンバ31内の酸素濃度が低下する。
Next, at time t0 (FIG. 5), the inside of the
次に、チャンバ31内の圧力がP1(図5)より小さくP2(図5)より大きい値になる時点t1(図5)において、IPA供給バルブ37(図2)が開かれるとともに、窒素供給バルブ39が閉じられる(ステップS73)。
Next, at time t1 (FIG. 5) when the pressure in the
この場合、窒素の供給が停止されることにより、チャンバ31内の圧力が十分に低下する。それにより、IPA供給管35(図2)内とチャンバ31内との圧力差が大きくなるので、チャンバ31内に十分な量のIPA蒸気を吸入させることができる。また、真空ポンプ33によりチャンバ31内が減圧排気されているので、より確実にIPA蒸気をチャンバ31内に吸入させることができる。
In this case, the pressure in the
また、圧力が十分に低下した状態で十分な量のIPA蒸気がチャンバ31内に供給されるので、基板Wの表面および裏面において十分な量のIPAを凝縮させることができる。それにより、基板W上においてリンス液を効率よくIPAで置換することができる。
In addition, since a sufficient amount of IPA vapor is supplied into the
次に、チャンバ31内の圧力がP2(図5)になる時点t2(図5)において、真空ポンプ33の減圧排気が停止される(ステップS74)。このとき、IPA供給バルブ37は開かれているので、チャンバ31内へのIPAの供給は継続される。それにより、チャンバ31内の圧力が徐々に上昇する。この場合、チャンバ31内の雰囲気におけるIPA蒸気の割合を高くすることができるので、十分な量のIPAを基板W上で凝縮させることができる。それにより、基板W上においてリンス液を効率よくIPAで置換することができる。
Next, at time t2 (FIG. 5) when the pressure in the
なお、上述したように、圧力P2は、基板W上のリンス液(純水)の急激な蒸発を十分に防止することができる圧力に設定されている。この場合、ステップS74においてチャンバ31内の圧力がP2以下になることを防止することにより、基板W上に残留するリンス液が短時間で蒸発することを防止することができる。それにより、基板W上においてIPAが凝縮する前に基板W上のリンス液が蒸発してしまうことを防止することができる。その結果、基板W上においてリンス液を効率よくIPAで置換することができる。
As described above, the pressure P2 is set to a pressure that can sufficiently prevent the rapid evaporation of the rinse liquid (pure water) on the substrate W. In this case, it is possible to prevent the rinsing liquid remaining on the substrate W from evaporating in a short time by preventing the pressure in the
次に、チャンバ31内の圧力がP1(図5)になる時点t3(図5)において真空ポンプ33によりチャンバ31内が再び減圧排気される(ステップS75)。この場合、チャンバ31内の圧力が再び低下し始めるので、チャンバ31内に効率よくIPA蒸気を吸入させることができる。それにより、基板Wの表面および裏面に十分な量のIPAを供給することができる。その結果、基板W上においてリンス液を効率よくIPAで置換することができる。また、チャンバ31が減圧排気されるので、基板W上のIPAが蒸発するとともに、その蒸発したIPAが排気管32を介してチャンバ31内から排出される。
Next, at time t3 (FIG. 5) when the pressure in the
次に、チャンバ31内の圧力がP2(図5)になる時点t4(図5)において、真空ポンプ33による減圧排気が停止される(ステップS76)。それによりチャンバ31内の圧力が徐々に上昇する。この場合、基板W上のリンス液の蒸発を防止しつつ、リンス液を効率よくIPAで置換することができる。
Next, at time t4 (FIG. 5) when the pressure in the
次に、チャンバ31内の圧力がP1(図5)になる時点t5(図5)において真空ポンプ33によりチャンバ31内が再び減圧排気される(ステップS77)。この場合、チャンバ31内の圧力が再び低下し始めるので、チャンバ31内に効率よくIPA蒸気を吸入させることができる。それにより、基板Wの表面および裏面に十分な量のIPAを供給することができる。その結果、基板W上においてリンス液を効率よくIPAで置換することができる。また、チャンバ31が減圧排気されるので、基板W上のIPAが蒸発するとともに、その蒸発したIPAが排気管32を介してチャンバ31内から排出される。
Next, at time t5 (FIG. 5) when the pressure in the
次に、チャンバ31内の圧力がP2(図5)になる時点t6(図5)において、窒素供給バルブ39が開かれる(ステップS78)。それにより、チャンバ31内の圧力を徐々に上昇させつつ、基板W上からチャンバ31内に蒸発したIPAをチャンバ31内から排出することができる。
Next, at time t6 (FIG. 5) when the pressure in the
その後、時点t7(図5)において真空ポンプ33による減圧排気が停止される(ステップS79)。それにより、チャンバ31内の圧力がさらに上昇し、P0(常圧)になる。最後に、チャンバ31を離間位置に設定し、洗浄処理部5a〜5dにおける乾燥処理が終了する。
Thereafter, the vacuum exhaust by the
なお、図4および図5で説明した処理は、例えば、チャンバ31内に設けられた圧力センサの出力値に基づいて行なわれてもよく、予め設定された時間(時点t0〜t7)に基づいて行なわれてもよい。
4 and 5 may be performed based on, for example, an output value of a pressure sensor provided in the
(4)本実施の形態の効果
以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置100の洗浄処理部5a〜5dにおいては、スピンベース22に密着可能なチャンバ31を設け、チャンバ31内において基板W上のリンス液をIPAで置換することにより基板Wの乾燥処理を行っている。この場合、IPAの表面張力は低いので、基板W上でパターン倒れが発生することを防止することができる。
(4) Effects of this Embodiment As described above, the
また、基板Wの洗浄処理と乾燥処理とを1つの洗浄処理部5a〜5dで行うことができるので、リンス液が付着した基板Wを搬送しなくてよい。それにより、基板W上に残留するリンス液の表面張力により基板W上でパターン倒れが発生することを防止することができる。また、リンス液が付着した基板Wを搬送しなくてよいので、基板Wの搬送時に基板Wが汚染されることを防止することができる。また、基板Wが部分的に乾燥してしまうこと等のリンス液が付着した基板Wを搬送する際に発生する種々の問題の発生を防止することができる。
In addition, since the cleaning process and the drying process of the substrate W can be performed by one
また、1つの洗浄処理部5a〜5dで洗浄処理および乾燥処理を行うことができるので、洗浄処理後の基板Wを迅速に乾燥することができる。それにより、リンス液の表面張力により基板W上でパターン倒れが発生することを確実に防止することができるとともに、基板処理装置100のスループットを向上させることができる。
In addition, since the cleaning process and the drying process can be performed by one
また、チャンバ31内を減圧することにより、チャンバ31内にIPA蒸気を吸入させている。それにより、IPA蒸気をチャンバ31内に供給するためのキャリアガスを用いなくてよい。この場合、チャンバ31内の雰囲気におけるIPA蒸気の割合を高くすることができるので、基板W上において、十分な量のIPAを凝縮させることができる。それにより、基板W上において、リンス液を十分にIPAで置換することができる。その結果、基板W上でのパターン倒れを十分に防止しつつ、基板Wを乾燥させることができる。
In addition, IPA vapor is sucked into the
また、チャンバ31内の圧力の下限値が、基板W上のリンス液の急激な蒸発を十分に防止することができる圧力に設定されている。それにより、リンス液がIPAで置換される前に蒸発することを確実に防止することができる。その結果、基板W上でのパターン倒れを確実に防止することができる。
Further, the lower limit value of the pressure in the
また、蒸気拡散部40内に加熱板41が設けられているので、チャンバ31内に供給されるIPA蒸気の温度を十分に上昇させることができる。それにより、基板Wの表面および裏面においてIPAを容易に凝縮させることができる。
Moreover, since the
また、スピンベース22内にヒートパイプ22aが設けられている。それにより、基板Wの温度を低下させることができる。その結果、基板Wの表面および裏面においてIPAをさらに容易に凝縮させることができる。
A
また、本実施の形態においては、基板Wと蒸気拡散部40との間の空間が、流路形成部材43の円筒面43bに覆われている。それにより、吐出口42から吐出されるIPA蒸気を確実に基板Wに供給することができる。
In the present embodiment, the space between the substrate W and the
また、流路形成部材43が設けられているので、真空ポンプ33により排気管32内が減圧される際にも、吐出口42から吐出されるIPA蒸気が直接的に排気管32から排出されることを防止することができる。それにより、IPA蒸気をより確実に基板Wに供給することができる。
In addition, since the flow
(5)変形例
上記実施の形態においては、ステップS5(図3)においてリンス液の供給が停止され、ステップS6においてスピンチャック21が停止されているが、ステップS5の処理の前にステップS6の処理が実行されてもよい。
(5) Modification In the above embodiment, the supply of the rinsing liquid is stopped in step S5 (FIG. 3), and the
また、IPA供給管35に加熱手段を設けてもよい。この場合、IPA供給管35においてIPA蒸気の温度を十分に上昇させることができる。それにより、チャンバ31内に高温のIPA蒸気を供給することができる。その結果、基板Wの表面および裏面においてIPAを十分に凝縮させることができる。
Further, the
また、基板Wの洗浄処理時に用いられる薬液は、BHF(バッファードフッ酸)、DHF(希フッ酸)、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニア等の水溶液、またはそれらの混合溶液であってもよい。 Further, the chemical solution used in the cleaning process of the substrate W is an aqueous solution such as BHF (buffered hydrofluoric acid), DHF (dilute hydrofluoric acid), hydrofluoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, oxalic acid or ammonia, Alternatively, a mixed solution thereof may be used.
また、基板Wの洗浄処理時に用いられるリンス液は、炭酸水、水素水または電解イオン水であってもよい。 Further, the rinse liquid used during the cleaning process of the substrate W may be carbonated water, hydrogen water, or electrolytic ion water.
また、上記実施の形態においては、洗浄液として薬液およびリンス液が基板Wに供給されているが、リンス液のみが基板Wに供給されてもよい。 In the above embodiment, the chemical liquid and the rinse liquid are supplied to the substrate W as the cleaning liquid, but only the rinse liquid may be supplied to the substrate W.
また、上記実施の形態においては、チャンバ31内にIPA蒸気が供給されているが、チャンバ31内に供給される蒸気はIPAに限定されない。例えば、HFE(ハイドロフルオロエーテル)、メタノールまたはエタノール等の他の有機溶剤の蒸気がチャンバ31内に供給されてもよい。また、例えば、純水よりも表面張力の低い液体の蒸気がチャンバ31内に供給されてもよい。
Moreover, in the said embodiment, although IPA vapor | steam is supplied in the
また、上記実施の形態においては、図5の時点t2−t6間において、チャンバ31内の圧力がP2とP1との間で2回ずつ上昇および下降されているが、チャンバ31内の圧力がP2とP1との間で1回ずつ上昇および下降されてもよく、3回以上ずつ上昇および下降されてもよい。
In the above embodiment, the pressure in the
また、上記実施の形態においては、チャンバ31に排気管32が設けられているが、スピンベース22に排気管32が設けられてもよい。
Further, in the above embodiment, the
また、上記実施の形態においては、ヒートパイプ22aにより基板Wが冷却されているが、基板Wの冷却方法は上記の例に限定されない。例えば、常温程度の有機溶剤(例えば、IPAまたはHFE等)を液体供給管26から基板Wの裏面に供給することにより基板Wを冷却してもよい。
Moreover, in the said embodiment, although the board | substrate W is cooled by the
(6)請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
(6) Correspondence between each constituent element of claim and each element of the embodiment Hereinafter, an example of correspondence between each constituent element of the claim and each element of the embodiment will be described. It is not limited to.
上記実施の形態では、スピンベース22および保持部23が回転保持部の例であり、チャンバ31が空間形成部材の例であり、チャック回転駆動機構24が駆動機構の例であり、真空ポンプ33が減圧排気手段の例であり、液体供給ノズル46が洗浄液供給部の例であり、蒸気供給管34が蒸気供給部の例であり、加熱板41が加熱手段の例であり、ヒートパイプ22aまたは液体供給管26が冷却手段の例であり、液体供給管26が冷却溶剤供給部の例であり、圧力P2が所定のしきい値の例である。
In the above embodiment, the
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。 As each constituent element in the claims, various other elements having configurations or functions described in the claims can be used.
本発明は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板製造等に用いられる基板処理装置および基板処理方法に有効に利用することができる。 The present invention can be effectively used for a substrate processing apparatus and a substrate processing method used for manufacturing a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for an optical disk, and the like.
5a〜5d 洗浄処理部
21 スピンチャック
22 スピンベース
22a ヒートパイプ
23 保持部
24 チャック回転駆動機構
26 液体供給管
28 冷却ジャケット
31 チャンバ
33 真空ポンプ
34 蒸気供給管
35 IPA供給管
37 IPA供給バルブ
38 蒸気生成装置
40 蒸気拡散部
41 加熱板
45 封止部材
46 液体供給ノズル
48 バルブ
100 基板処理装置
W 基板
5a to 5d
Claims (9)
前記回転保持部に保持された基板を含む密閉空間を形成するように前記回転保持部に密着する密着位置と前記回転保持部から離間する離間位置との間で移動可能に設けられた空間形成部材と、
前記回転保持部を回転させる駆動機構と、
前記回転保持部上の基板に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記密閉空間を減圧排気する減圧排気手段と、
前記回転保持部上の基板に有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給部とを備え、
前記空間形成部材が前記離間位置に配置されかつ前記駆動機構により前記回転保持部が回転されている状態で前記洗浄液供給部から前記回転保持部上の基板に洗浄液が供給され、前記回転保持部が停止されかつ前記空間形成部材が前記密着位置に配置されている状態で前記蒸気供給部から前記回転保持部上の基板に有機溶剤の蒸気が供給されることを特徴とする基板処理装置。 A rotation holding portion provided to hold and rotate the substrate;
A space forming member provided so as to be movable between a close contact position that is in close contact with the rotation holding portion and a separation position that is spaced apart from the rotation holding portion so as to form a sealed space including the substrate held by the rotation holding portion. When,
A drive mechanism for rotating the rotation holding unit;
A cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to the substrate on the rotation holding unit;
Reduced pressure exhaust means for evacuating the sealed space;
A vapor supply unit for supplying an organic solvent vapor to the substrate on the rotation holding unit,
The cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply unit to the substrate on the rotation holding unit in a state where the space forming member is disposed at the separated position and the rotation holding unit is rotated by the drive mechanism, and the rotation holding unit is The substrate processing apparatus, wherein the vapor of the organic solvent is supplied from the vapor supply unit to the substrate on the rotation holding unit in a state where the space forming member is stopped and disposed at the contact position.
前記蒸気供給部は、前記回転保持部上の基板の上面に前記有機溶剤の蒸気を供給し、
前記冷却溶剤供給部は、前記回転保持部上の基板の下面に前記冷却された有機溶剤を供給することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。 A cooling solvent supply unit that supplies a cooled organic solvent to the substrate held by the rotation holding unit;
The vapor supply unit supplies vapor of the organic solvent to the upper surface of the substrate on the rotation holding unit,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cooling solvent supply unit supplies the cooled organic solvent to a lower surface of the substrate on the rotation holding unit.
前記基板処理装置に設けられる回転保持部により基板を保持しつつ回転させる工程と、
前記回転保持部により回転される基板に洗浄液を供給する工程と、
前記回転保持部を停止する工程と、
前記回転保持部上の基板を含む密閉空間を形成するように停止状態の前記回転保持部に空間形成部材を密着させる工程と、
前記密閉空間を減圧排気するとともに前記密閉空間に有機溶剤の蒸気を供給する工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate using a substrate processing apparatus,
Rotating the substrate while holding the substrate by a rotation holding unit provided in the substrate processing apparatus;
Supplying a cleaning liquid to the substrate rotated by the rotation holding unit;
Stopping the rotation holding unit;
A step of closely attaching a space forming member to the rotation holding unit in a stopped state so as to form a sealed space including the substrate on the rotation holding unit;
And a step of evacuating the sealed space and supplying vapor of an organic solvent to the sealed space.
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