JP2009236697A - Method and device for inspecting photomask - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、フォトマスクの検査方法及び検査装置に関し、特に、半導体装置等の形成に用いられるフォトマスクの検査方法及び検査装置に関する。 The present invention relates to a photomask inspection method and inspection apparatus, and more particularly to a photomask inspection method and inspection apparatus used for forming a semiconductor device or the like.
フォトマスク形成においては、まず、形成すべきパターンの形状・配置等を示す設計データが、近接効果補正（Optical Proximity Correction；ＯＰＣ）等の補正処理を含むデータ変換処理によって描画データに変換される。そして、その描画データを用いた描画装置によるレジストの露光、及び露光により得られるレジストパターンをマスクにしたエッチング等が行われて、フォトマスクが形成される。形成されたフォトマスクは、その形成に用いた描画データと同内容の検査データと比較され、そのパターンの形状・配置、及び欠陥の有無等が検査される。 In photomask formation, first, design data indicating the shape and arrangement of a pattern to be formed is converted into drawing data by data conversion processing including correction processing such as proximity effect correction (OPC). Then, exposure of the resist by a drawing apparatus using the drawing data, etching using a resist pattern obtained by the exposure as a mask, and the like are performed to form a photomask. The formed photomask is compared with the inspection data having the same contents as the drawing data used for the formation, and the shape and arrangement of the pattern, the presence / absence of a defect, and the like are inspected.
ところで、描画データのパターンには、その端部等に直角のコーナーが存在している。通常、そのような部分は、描画時の照射エネルギーの不均一性やエッチング時の侵食等に起因して、フォトマスク上に丸みを帯びた形状で形成される（コーナーラウンディング）。従って、そのようなコーナーは、検査時に検査データと実際に形成されたフォトマスクのパターンとを比較したときには、それらの形状が一致しないことになる。そのため、そのような形状の不一致が、フォトマスクの要求特性を満足できないような欠陥であるのか、或いはそのような性質のものではない擬似欠陥であるのかを判別することが必要になってくる。このような擬似欠陥とそうでない欠陥との判別手法に関しては、従来、いくつかの提案がなされている（例えば、特許文献１，２参照。）。
実際に形成されたフォトマスクで検出された欠陥が擬似欠陥であるか否かを判別するために、そのフォトマスクに形成されたパターンとの比較に用いる検査データを、発生するコーナーラウンディングを加味したデータに変換し、その検査データとフォトマスクのパターンとを比較する手法がある。 In order to determine whether or not the defects detected in the actually formed photomask are pseudo defects, the inspection data used for comparison with the pattern formed on the photomask is taken into account the generated corner rounding. There is a method of converting the inspection data into a photomask pattern and converting the inspection data into a photomask pattern.
しかし、半導体装置の配線高密度化等に伴い、フォトマスク形成時に行われるＯＰＣ等の補正処理により、描画データ（検査データ）にはパターンの端部のほかエッジにも多くの段差が形成され、フォトマスク上に形成されるコーナーが増加してきている。さらに、個々の段差の大きさや段差同士の間隔も様々であるため、フォトマスク上に形成されるコーナーラウンディングも様々な形状を採り得る。 However, with the increase in wiring density of semiconductor devices and the like, due to correction processing such as OPC performed at the time of photomask formation, many steps are formed not only at the edge of the pattern but also at the edge in the drawing data (inspection data). Corners formed on the photomask are increasing. Further, since the size of each step and the interval between steps are various, the corner rounding formed on the photomask can take various shapes.
フォトマスク上に形成されるコーナーラウンディングの形状は、描画条件（描画装置、レジスト、露光条件等。）やエッチング条件等、フォトマスクの形成条件によっても変化してくる。また、許容されるコーナーラウンディングの形状の仕様が変更される場合もある。 The shape of the corner rounding formed on the photomask also varies depending on the photomask formation conditions such as the drawing conditions (drawing apparatus, resist, exposure conditions, etc.) and etching conditions. Moreover, the specification of the shape of the allowable corner rounding may be changed.
このようなことから、発生する全てのコーナーラウンディングを加味した検査データを作成することは容易でなくなっている。たとえそのようなデータを作成したとしても、フォトマスク形成条件の変更や、許容されるコーナーラウンディング形状の仕様変更等があれば、検査データの再作成が必要になってくる。 For this reason, it is not easy to create inspection data that takes into account all generated corner rounding. Even if such data is created, if there is a change in the photomask formation conditions or a change in the specification of the allowable corner rounding shape, it is necessary to recreate the inspection data.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、高精度の検査を効率的に行うことのできるフォトマスクの検査方法及び検査装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of these points, and an object thereof is to provide a photomask inspection method and inspection apparatus capable of efficiently performing high-precision inspection.
上記課題を解決するために、次のようなフォトマスクの検査方法が提供される。すなわち、このフォトマスクの検査方法は、設計データを変換した変換データを用いて形成されたフォトマスクのパターンと、前記変換データとを比較するステップ、前記変換データのパターンのコーナーを抽出するステップ、抽出された前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が許容される許容エリアを生成するステップ、及び生成された前記許容エリアと、前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの比較結果とを用いて、前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記許容エリア内であるか否かを判定するステップを有する。 In order to solve the above problems, the following photomask inspection method is provided. That is, the photomask inspection method includes a step of comparing a photomask pattern formed using conversion data obtained by converting design data with the conversion data, extracting a corner of the conversion data pattern, A step of generating a permissible area where mismatch between the extracted conversion data and the photomask pattern at the extracted corner is allowed, and a comparison between the generated permissible area and the conversion data and the photomask pattern And determining whether a mismatch between the conversion data at the corner and the pattern of the photomask is within the allowable area using the result.
また、このようなフォトマスクの検査を行うことのできるフォトマスクの検査装置が提供される。
このようなフォトマスクの検査方法及び検査装置によれば、フォトマスクの設計データを変換した変換データからコーナーが抽出され、抽出されたコーナーについて、変換データと、その変換データを用いて形成されたフォトマスクのパターンとの不一致が許容される許容エリアが生成される。そして、変換データとフォトマスクのパターンとの比較結果と、生成されたその許容エリアとが用いられて、変換データとフォトマスクのパターンとの不一致が許容されるか否か判定される。
In addition, a photomask inspection apparatus capable of performing such a photomask inspection is provided.
According to such a photomask inspection method and inspection apparatus, corners are extracted from conversion data obtained by converting photomask design data, and the extracted corners are formed using the conversion data and the conversion data. An allowable area in which a mismatch with the pattern of the photomask is allowed is generated. Then, the comparison result between the conversion data and the photomask pattern and the generated allowable area are used to determine whether or not the mismatch between the conversion data and the photomask pattern is allowed.
開示のフォトマスクの検査方法及び検査装置は、高精度の検査を効率的に行うことができる。 The disclosed photomask inspection method and inspection apparatus can efficiently perform high-precision inspection.
以下、図面を参照して詳細に説明する。
図２は検査を含むフォトマスクの製造フローの概略説明図である。
まず、形成すべきパターンの形状・配置等が示された設計データ２が、ＯＰＣ等の補正処理を含むデータ変換（ステップＳ１）によって描画データ３に変換される。その後、その描画データ３が用いられて、描画装置によるレジストの露光、及び露光により得られるレジストパターンをマスクにしたエッチング等が行われ、フォトマスク１が形成される。
Hereinafter, it will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 2 is a schematic explanatory diagram of a photomask manufacturing flow including inspection.
First, the
フォトマスク１には、ＯＰＣ等によって描画データ３上に生成された段差が、描画時の照射エネルギーの不均一性やエッチング時の侵食等のために、コーナーラウンディング形状となって形成される。フォトマスク１に形成されたパターンは、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）等を用いて取得された画像を基に、検査データ４と比較可能なデータに変換される。
On the
フォトマスク１に形成されたパターンとの比較に用いる検査データ４には、そのフォトマスク１の形成に用いた描画データ３と同内容のものが用いられる。検査データ４は、描画精度やエッチング精度の影響を受けていない、すなわちコーナーラウンディングの発生していない、理想形状のパターンからなっていることになる。このような検査データ４がフォトマスク１のパターンと比較される（ステップＳ２）。その際、フォトマスク１のパターンのうち、特にコーナーラウンディングの発生している部分では、検査データ４との間で形状の不一致が生じる。
The
ここでは、そのような形状不一致のうち、擬似欠陥を判別するために、設計データ２を変換した後のデータ（描画データ３及び検査データ４と同内容のデータ。）を用い、そこに存在しているパターンの各コーナーについて、形状不一致を許容するエリア（許容エリア）５を設定する（ステップＳ３）。
Here, in order to determine a pseudo defect among such shape mismatches, data after conversion of design data 2 (data having the same contents as drawing
そして、フォトマスク１のパターンと検査データ４とを比較した結果（検査エラー）６と、その設定した許容エリア５とが用いられ、各コーナーにおけるフォトマスク１のパターンと検査データ４との形状不一致を擬似欠陥とすることができるか否かの判定が行われる（ステップＳ４）。その判定に基づき、擬似欠陥を除いた欠陥の情報を含む、最終的な検査エラー７が取得される。
Then, the result (inspection error) 6 obtained by comparing the pattern of the
フォトマスク１のパターンと検査データ４との形状不一致を擬似欠陥とすることができるか否かの判定は、次のようにして行われる。
図１はフォトマスク検査の説明図であって、（Ａ）はフォトマスクのパターン、（Ｂ）は検査データ、（Ｃ）は検査データ及び許容エリア、（Ｄ）は（Ａ）と（Ｃ）の比較結果である。
The determination as to whether or not the shape mismatch between the pattern of the
FIG. 1 is an explanatory diagram of photomask inspection, where (A) is a photomask pattern, (B) is inspection data, (C) is inspection data and allowable areas, and (D) is (A) and (C). This is a comparison result.
図１（Ａ）には、描画データ３を用いて形成されたフォトマスク１のパターン１ａを示している。パターン１ａには、設計データ２の変換によって描画データ３上に生成された段差が、プロセス上、コーナーラウンディング形状となって形成されている。また、図１（Ｂ）には、図１（Ａ）に示したパターン１ａに対応する部分の検査データ４を示している。検査データ４には、段差４ａが存在しており、その凸部側と凹部側の２箇所にコーナー４ｂ，４ｃが存在している。この段差４ａに対応する部分がフォトマスク１の形成時にコーナーラウンディング形状となり、図１（Ａ）に示したようなパターン１ａが形成されている。
FIG. 1A shows a
そして、検査データ４のコーナー４ｂ，４ｃにそれぞれ、図１（Ｃ）に示すような許容エリア５ｂ，５ｃが設定される。許容エリア５ｂ，５ｃは、コーナーラウンディングによるパターン１ａと検査データ４との形状不一致を許容するエリアであって、その形状不一致を擬似欠陥とすることができるエリアである。許容エリア５ｂ，５ｃのサイズや形状は、フォトマスク１の形成条件、許容されるコーナーラウンディング形状の仕様、形成するフォトマスク１に要求される特性等に基づき、予め設定される。なお、図１（Ｃ）の例では、検査データ４のパターンエッジに沿ったＬ字形状の許容エリア５ｂ，５ｃを設定した場合を示している。
Then, the
検査データ４は、図１（Ｄ）に示すようにパターン１ａ（点線）と比較される。続いて、設定された許容エリア５ｂ，５ｃが用いられ、コーナー４ｂ，４ｃ付近のパターン１ａと検査データ４との形状不一致が許容エリア５ｂ，５ｃ内にあるか否かが判定される。それにより、コーナー４ｂ，４ｃ付近のコーナーラウンディングが擬似欠陥として許容されるものであるのか、或いは擬似欠陥とすることができない欠陥であるのかが判定される。図１（Ｄ）の例では、コーナー４ｂ，４ｃ付近のパターン１ａのエッジが許容エリア５ｂ，５ｃ内にあり、そのコーナーラウンディングを擬似欠陥と判定することができる場合を示している。
The
欠陥判定の別の例を、次の図３及び図４に示す。
図３は欠陥なしと判定する場合の一例を示す図、図４は欠陥ありと判定する場合の一例を示す図である。
Another example of defect determination is shown in FIGS. 3 and 4 below.
FIG. 3 is a diagram illustrating an example when it is determined that there is no defect, and FIG. 4 is a diagram illustrating an example when it is determined that there is a defect.
図３及び図４に示す例では、検査データ４に、対向する２つの段差４ｄ，４ｅが存在しており、許容エリア５ｆ，５ｇ，５ｈ，５ｉは、それらの段差４ｄ，４ｅの各コーナー４ｆ，４ｇ，４ｈ，４ｉに設定されている。フォトマスク１の形成後に取得されたそのパターン１ａ（点線）は、検査データ４と比較され、それらの形状不一致を擬似欠陥とすることができるか否かが、その設定された許容エリア５ｆ，５ｇ，５ｈ，５ｉを基に判定される。
In the example shown in FIGS. 3 and 4, the
図３の例では、コーナー４ｆ，４ｇ，４ｈ，４ｉ付近のパターン１ａのエッジが許容エリア５ｆ，５ｇ，５ｈ，５ｉ内にあるため、コーナー４ｆ，４ｇ，４ｈ，４ｉについては欠陥なしと判定される。すなわち、それらのコーナーラウンディングは擬似欠陥と判定される。一方、図４の例では、コーナー４ｆ，４ｇ，４ｈ，４ｉ付近のパターン１ａのエッジが許容エリア５ｆ，５ｇ，５ｈ，５ｉからはみ出しているため、コーナー４ｆ，４ｇ，４ｈ，４ｉについて欠陥ありと判定されることになる。
In the example of FIG. 3, since the edges of the
以上述べたように、このフォトマスク検査では、フォトマスクの設計データを変換した後のデータを用いて、検査データの各コーナーについて、許容エリアを設定し、その許容エリアにより、フォトマスクと検査データとの形状不一致を擬似欠陥とすることができるか否かの判定を行う。これにより、擬似欠陥とそうでない欠陥とを精度良く判別することが可能になり、検査過程で検出される擬似欠陥を低減し、検査の効率化を図ることが可能になる。また、フォトマスクとの比較に用いる検査データ自体には変更を行わず、検査データとは別に、検査データに適用する許容エリアを設定するため、プロセス条件や仕様の変更時には、その許容エリアのみを修正すればよい。そのため、そのようなプロセス条件や仕様の変更にも迅速に対応することが可能になる。 As described above, in this photomask inspection, an allowable area is set for each corner of the inspection data using the data after the photomask design data is converted, and the photomask and the inspection data are determined according to the allowable area. It is determined whether or not the shape mismatch can be a pseudo defect. As a result, it is possible to accurately discriminate between a pseudo defect and a defect that does not, and it is possible to reduce the pseudo defects detected in the inspection process and to increase the efficiency of the inspection. In addition, the inspection data used for comparison with the photomask is not changed, and an allowable area to be applied to the inspection data is set separately from the inspection data. Therefore, when changing process conditions and specifications, only the allowable area is set. You just have to fix it. Therefore, it becomes possible to respond quickly to such changes in process conditions and specifications.
次に、上記のようなフォトマスク検査に用いる許容エリアの設定方法について詳細に説明する。
図５は許容エリアの設定方法の説明図である。
Next, a method for setting an allowable area used for the above photomask inspection will be described in detail.
FIG. 5 is an explanatory diagram of a method for setting an allowable area.
図５には、フォトマスクのパターン２０（点線）と検査データ３０とを比較した状態を示している。検査データ３０には、段差３０ａが存在しており、凸部側と凹部側の各コーナー３０ｂ，３０ｃに対応する部分のパターン２０にコーナーラウンディングが発生している。
FIG. 5 shows a state in which the photomask pattern 20 (dotted line) and the
許容エリアは、各コーナー３０ｂ，３０ｃからの所定の３点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３及びＱ１，Ｑ２，Ｑ３を用いて設定する。その際は、これらの点のうち点Ｐ１，Ｐ２，Ｑ１，Ｑ２については、検査データ３０のパターンエッジ上に設定する。また、検査データ３０の段差３０ａの凸部側と凹部側に対応する部分のパターン２０に発生するコーナーラウンディング形状を考慮し、凸部側のコーナー３０ｂからの点Ｐ３については、検査データ３０のパターン内部側に設定し、凹部側のコーナー３０ｃからの点Ｑ３については、検査データ３０のパターン外部側に設定する。
The allowable area is set using predetermined three points P1, P2, P3 and Q1, Q2, Q3 from the
点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３のコーナー３０ｂからの距離ｐ１，ｐ２，ｐ３、及び点Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３のコーナー３０ｃからの距離ｑ１，ｑ２，ｑ３は、パターン２０と検査データ３０との形状差を予備的に或いは過去の製品について実測したデータを基に、予め設定しておくことができる。
The distances p1, p2, and p3 from the
例えば、９０ｎｍノードの半導体デバイスの形成に用いるフォトマスクの場合、検査データ３０の段差３０ａの凸部側のコーナー３０ｂでは、実測値の一例として、ｐ１＝ｐ２＝０．１５μｍ，ｐ３＝０．０７μｍとなるデータが得られている。このようなデータを基に、コーナー３０ｂについて、点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の位置を設定することができる。また、段差３０ａの凹部側のコーナー３０ｃについても同様に、ｑ１，ｑ２，ｑ３の実測データを基に、点Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３の位置を設定することができる。
For example, in the case of a photomask used for forming a 90 nm node semiconductor device, p1 = p2 = 0.15 μm and p3 = 0.07 μm as an example of measured values at the
点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３及び点Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３で画定される許容エリアは、例えば、次の図６及び図７に示すような形状とすることができる。
図６は許容エリアの第１の形状を示す図、図７は許容エリアの第２の形状を示す図である。
The allowable area defined by the points P1, P2, P3 and the points Q1, Q2, Q3 can be, for example, shaped as shown in FIGS.
FIG. 6 is a diagram showing a first shape of the allowable area, and FIG. 7 is a diagram showing a second shape of the allowable area.
例えば、図６に示すように、点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３及び点Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３でそれぞれ画定される許容エリア４０ｂ，４０ｃを、いずれも検査データ３０のパターンエッジに沿ったＬ字形状とする。このようなＬ字形状の許容エリア４０ｂ，４０ｃは、データ処理が比較的容易であり、それにより、擬似欠陥の判別を効率的に行うことが可能になる。
For example, as shown in FIG. 6, the
また、図７に示すように、段差３０ａの凸部側については、コーナー３０ｂと点Ｐ１，Ｐ２をそれぞれ結ぶ線分、点Ｐ１，Ｐ３を結ぶ線分、及び点Ｐ２，Ｐ３を結ぶ線分によって囲まれた許容エリア４０ｂを設定することが可能である。同様に、凹部側については、コーナー３０ｃと点Ｑ１，Ｑ２をそれぞれ結ぶ線分、点Ｑ１，Ｑ３を結ぶ線分、及び点Ｑ２，Ｑ３を結ぶ線分によって囲まれた許容エリア４０ｃを設定することが可能である。この場合、許容エリア４０ｂ，４０ｃの形状が、実際のパターン２０に発生するコーナーラウンディング形状により近くなり、擬似欠陥の判別をより高精度で行うことが可能になる。
Further, as shown in FIG. 7, on the convex portion side of the
なお、コーナーラウンディング形状は、フォトマスクの形成条件、例えば、用いる描画装置やエッチング条件、レジストの種類等で変化する。従って、検査効率や検査精度のほか、このようなフォトマスク形成条件も考慮し、点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３及びＱ１，Ｑ２，Ｑ３を設定し、適切な許容エリア形状を設定する。 Note that the corner rounding shape changes depending on the photomask formation conditions, for example, the drawing apparatus used, the etching conditions, the type of resist, and the like. Therefore, in addition to inspection efficiency and inspection accuracy, such photomask formation conditions are taken into consideration, and points P1, P2, P3 and Q1, Q2, Q3 are set to set an appropriate allowable area shape.
また、コーナーラウンディング形状は、検査データ３０の段差３０ａの凸部側に対応する部分と凹部側に対応する部分とで異なってくる場合がある。
図８は凸部側と凹部側でコーナーラウンディング形状が異なる場合の説明図である。
Further, the corner rounding shape may be different between a portion corresponding to the convex portion side of the
FIG. 8 is an explanatory diagram when the corner rounding shapes are different between the convex side and the concave side.
図８に示すように、検査データ３０の段差３０ａの凸部側と凹部側に対応する部分でパターン２０のコーナーラウンディング形状が異なる場合には、各コーナー３０ｂ，３０ｃについてそれぞれ、そのコーナーラウンディング形状に応じた適切な点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３及び点Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を設定する。そして、それらの点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３及びＱ１，Ｑ２，Ｑ３で画定される、図６や図７に示すような所定形状の許容エリア４０ｂ，４０ｃを、各コーナー３０ｂ，３０ｃにそれぞれ設定するようにすればよい。
As shown in FIG. 8, when the corner rounding shape of the
また、コーナーラウンディング形状は、近接するパターンとの配置関係によっても異なってくる場合がある。
図９は近接パターンのコーナーラウンディング形状の説明図である。
Further, the corner rounding shape may vary depending on the arrangement relationship with the adjacent pattern.
FIG. 9 is an explanatory diagram of the corner rounding shape of the proximity pattern.
ここでは、図９に示すように、検査データ３１，３２の、例えば異なる凸部側のコーナー３１ａ，３２ａ同士が近接して配置されたパターンを想定する。このような近接パターンの場合、それらのコーナー３１ａ，３２ａに対応する部分に発生するパターン２１，２２のコーナーラウンディングは、近接していないコーナーに対応する部分に発生するコーナーラウンディングに比べ、より検査データ３１，３２に近い形状で形成されるようになる。このようなコーナーラウンディング形状になることを考慮し、コーナー３１ａ，３２ａにそれぞれ許容エリア４１ａ，４２ａを設定するようにしてもよい。
Here, as shown in FIG. 9, a pattern is assumed in which the
点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の設定にあたっては、段差３０ａの凸部側と凹部側の違いやパターン同士の配置関係等を考慮して距離ｐ３を設定すると共に、距離ｐ３を１としたとき、距離ｐ１，ｐ２を１．８〜∞にし、好ましくは距離ｐ１，ｐ２を１．８〜５とする。同様に、点Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３の設定にあたっては、距離ｑ３を適切に設定すると共に、距離ｑ３を１としたとき、距離ｑ１，ｑ２を１．８〜∞にし、好ましくは距離ｑ１，ｑ２を１．８〜５とする。
In setting the points P1, P2, and P3, the distance p3 is set in consideration of the difference between the convex portion side and the concave portion side of the
なお、点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３は、検査データ３０に存在する凸部側のコーナー３０ｂごとにそれぞれ実測データ等に基づいた適切なｐ１，ｐ２，ｐ３の値を用いて設定することができるほか、検査データ３０に存在する全ての凸部側のコーナー３０ｂについて同じｐ１，ｐ２，ｐ３の値を用いて設定することもできる。同様に、点Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３は、検査データ３０に存在する凹部側のコーナー３０ｃごとにそれぞれ実測データ等に基づいた適切なｑ１，ｑ２，ｑ３の値を用いて設定することができるほか、検査データ３０に存在する全ての凹部側のコーナー３０ｃについて同じｑ１，ｑ２，ｑ３の値を用いて設定することもできる。
The points P1, P2, and P3 can be set using appropriate values of p1, p2, and p3 based on actual measurement data for each of the
このように、ここでは、段差３０ａの凸部側にコーナー３０ｂと３点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３で画定される許容エリア４０ｂを設定し、凹部側にコーナー３０ｃと３点Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３で画定される許容エリア４０ｃを設定する。これにより、例えばコーナーと２点で許容エリアを画定した場合等に比べ、凸部側及び凹部側の許容エリア４０ｂ，４０ｃを実際のコーナーラウンディングに近い形状とすることができるため、より精度の良い検査を行うことができる。
Thus, here, the
また、段差３０ａの凸部側と凹部側のコーナー３０ｂ，３０ｃでそれぞれ３点を設定し適切な許容エリア４０ｂ，４０ｃを設定するため、凸部側と凹部側でコーナーラウンディング形状が異なってくるような場合にも対応することができる。さらに、近接パターンによるコーナーラウンディング形状の変化にも対応することができる。
In addition, since the
また、許容エリア４０ｂ，４０ｃは、検査データ３０とは別に設定する。そのため、フォトマスクの形成条件や仕様変更時等には、検査データ３０はそのままで、設定する許容エリア４０ｂ，４０ｃを修正すればよく、そのような変更にも迅速に対応することができる。
The
上記のようにして検査データに存在する段差のコーナーについて許容エリアを設定することが可能であるが、段差の配置や形状によっては、異なるコーナーに設定した許容エリアが重なる場合がある。ここで、許容エリアが重なる場合の処理について説明する。 As described above, it is possible to set an allowable area for a corner of a step existing in inspection data. However, depending on the arrangement and shape of the step, the allowable areas set at different corners may overlap. Here, a process when the allowable areas overlap will be described.
図１０は許容エリアが重なる場合の説明図である。
例えば、図１０に示すように、検査データ５０において、隣接する段差５０ａ，５０ｂの各コーナー５０ｃ，５０ｄ，５０ｅ，５０ｆについて、上記のようにして許容エリア６０ｃ，６０ｄ，６０ｅ，６０ｆを設定する。ここで、段差５０ａ，５０ｂの間隔が狭いときには、凹部のコーナー５０ｄ，５０ｅに設定した許容エリア６０ｄ，６０ｅに重なり部６０ｇが生じる場合がある。
FIG. 10 is an explanatory diagram when the allowable areas overlap.
For example, as shown in FIG. 10, in the
段差５０ａ，５０ｂの間隔が狭いと、検査データ５０の段差５０ａ，５０ｂに対応する部分のコーナーラウンディングが影響し合った形状で、フォトマスクのパターン７０が形成されるようになる。コーナー５０ｃ，５０ｄ，５０ｅ，５０ｆ付近のパターン７０のコーナーラウンディングは、最初に設定した許容エリア６０ｃ，６０ｄ，６０ｅ，６０ｆをそのまま用いれば、図１０に示すようなパターン７０ａ（点線）の形状の場合やパターン７０ｂ（鎖線）の形状の場合も擬似欠陥として許容され、比較的その許容範囲は広い。
When the gap between the
ただし、フォトマスクのパターン７０に対して高い寸法精度が要求されるような場合には、パターン７０のコーナーラウンディングが擬似欠陥として許容されるエリアをより限定するようにしてもよい。
However, when high dimensional accuracy is required for the
図１１は寸法精度が高い場合の許容エリア補正処理の説明図である。
フォトマスクのパターン７０に対して高い寸法精度が要求される場合には、図１０に示した重なり部６０ｇを削除し、許容エリア６０ｄ，６０ｅを図１１に示すような形状に補正する。そして、コーナー５０ｃ，５０ｄ，５０ｅ，５０ｆ付近のパターン７０のエッジが、最初に設定した許容エリア６０ｃ，６０ｆと、この補正後の許容エリア６０ｄ，６０ｅ内にあれば、コーナー５０ｃ，５０ｄ，５０ｅ，５０ｆについては、そのパターン７０のコーナーラウンディングを擬似欠陥として許容する。このようにすると、重なり部６０ｇを除去したエッジ５０ｈからそこと対向する他方側のエッジ５０ｉまでの距離の目標値Ｌ１を遵守することが可能になる。
FIG. 11 is an explanatory diagram of the allowable area correction process when the dimensional accuracy is high.
When high dimensional accuracy is required for the
また、逆に、フォトマスクのパターン７０に対して高い寸法精度が要求されていないような場合には、パターン７０のコーナーラウンディングが擬似欠陥として許容されるエリアをより広げるようにしてもよい。
Conversely, if high dimensional accuracy is not required for the
図１２は寸法精度が低い場合の許容エリア補正処理の説明図である。
フォトマスクのパターン７０に対して高い寸法精度が要求されない場合には、図１２に示すように、許容エリア６０ｄ，６０ｅの重なり部６０ｇに隣接して、新たな許容エリア６０ｈ，６０ｉを追加する補正を行う。例えば、図１２に示したように、重なり部６０ｇに対し検査データ５０の内部方向及び外部方向に、同じサイズの許容エリア６０ｈ，６０ｉを追加する補正を行う。
FIG. 12 is an explanatory diagram of the allowable area correction process when the dimensional accuracy is low.
When high dimensional accuracy is not required for the
或いは、段差の凸部側と凹部側とでそれぞれ異なるサイズの許容エリア６０ｈ，６０ｉを追加する補正を行ったり、段差の凸部側又は凹部側のいずれか一方に適当なサイズの許容エリア６０ｈ又は許容エリア６０ｉを追加する補正を行ったりしてもよい。許容エリア６０ｈ，６０ｉは、パターン７０の寸法精度、パターン７０の形成条件、パターン７０と他のパターンとの配置関係等を考慮し、コーナーラウンディングが許容される方向に、適当なサイズで追加することができる。
Alternatively, the correction may be performed by adding the
そして、コーナー５０ｃ，５０ｄ，５０ｅ，５０ｆ付近のパターン７０のエッジが、最初に設定した許容エリア６０ｃ，６０ｄ，６０ｅ，６０ｆと、新たに追加した許容エリア６０ｈ，６０ｉ内にあれば、コーナー５０ｃ，５０ｄ，５０ｅ，５０ｆについて、そのパターン７０のコーナーラウンディングを擬似欠陥として許容する。すなわち、パターン７０は、図１２に示すようなパターン７０ａ（点線）の形状の場合やパターン７０ｂ（鎖線）の形状の場合も擬似欠陥として許容されるようになる。このようにすると、検出される擬似欠陥を大幅に低減することが可能になる。
If the edges of the
なお、上記のような許容エリアの補正処理は、ラインパターンの端部においても同様にして行うことができる。
図１３はラインパターン端部において許容エリアが重なる場合の説明図である。
It should be noted that the permissible area correction processing as described above can be performed in the same manner at the end of the line pattern.
FIG. 13 is an explanatory diagram when the allowable areas overlap at the end of the line pattern.
例えば、ラインパターンの検査データ８０，９０の端部同士が対向しており、一方の検査データ８０のコーナー８０ａ，８０ｂに設定された許容エリア１００ａ，１００ｂに重なり部１００ｃが生じる場合を想定する。
For example, it is assumed that the end portions of the line
フォトマスクのラインパターン１１０を通常の寸法精度で形成しようとする場合には、それらの許容エリア１００ａ，１００ｂをそのまま用い、図１３に示したラインパターン１１０ａ（点線）の形状の場合やラインパターン１１０ｂ（鎖線）の形状の場合も擬似欠陥として許容するようにすればよい。
When the
図１４は寸法精度が高い場合のラインパターン端部における許容エリア補正処理の説明図である。
フォトマスクのラインパターン１１０を高い寸法精度で形成しようとする場合には、図１３に示した重なり部１００ｃを削除し、許容エリア１００ａ，１００ｂを図１４に示すような形状に補正する。コーナー８０ａ，８０ｂ付近のラインパターン１１０のエッジが、この補正後の許容エリア１００ａ，１００ｂ内にあれば、コーナー８０ａ，８０ｂについて、そのラインパターン１１０のコーナーラウンディングを擬似欠陥として許容するようにすればよい。これにより、対向する検査データ９０に対応して形成されるラインパターンとの距離の目標値Ｌ２を遵守することが可能になる。
FIG. 14 is an explanatory diagram of the allowable area correction processing at the end of the line pattern when the dimensional accuracy is high.
When the
図１５は寸法精度が低い場合のラインパターン端部における許容エリア補正処理の説明図である。
フォトマスクのラインパターン１１０に高い寸法精度が要求されないような場合には、図１５に示すように、許容エリア１００ａ，１００ｂの重なり部１００ｃの近傍に、新たな許容エリア１００ｄ，１００ｅを追加する補正を行う。コーナー８０ａ，８０ｂ付近のラインパターン１１０のエッジが、許容エリア１００ａ，１００ｂと、新たに追加した許容エリア１００ｄ，１００ｅ内にあれば、コーナー８０ａ，８０ｂについて、そのラインパターン１１０のコーナーラウンディングを擬似欠陥として許容するようにすればよい。すなわち、パターン１１０は、図１５に示すようなパターン１１０ａ（点線）の形状の場合やパターン１１０ｂ（鎖線）の形状の場合も擬似欠陥として許容されるようになる。これにより、擬似欠陥を大幅に低減することが可能になる。
FIG. 15 is an explanatory diagram of the allowable area correction processing at the end of the line pattern when the dimensional accuracy is low.
When high dimensional accuracy is not required for the
なお、ここでは、一方の検査データ８０とそれに対応するフォトマスクのラインパターン１１０について説明したが、勿論、他方の検査データ９０とそれに対応するフォトマスクのラインパターンについても、これと同様の補正処理を行うことができる。
Here, one
このように、ここでは、形成するフォトマスクのパターン７０，１１０に要求される寸法精度に応じ、許容エリアに生じた重なり部６０ｇ，１００ｃについて、上記のような補正処理を行う。これにより、形成するフォトマスクについて、要求される範囲で高精度の検査を行うことができる。
As described above, the correction processing as described above is performed on the overlapping
次に、上記のようなフォトマスクの検査を行うことのできるフォトマスク製造システムの構成例について説明する。
図１６はフォトマスク製造システムの構成例を示す図である。
Next, a configuration example of a photomask manufacturing system capable of performing the above-described photomask inspection will be described.
FIG. 16 is a diagram illustrating a configuration example of a photomask manufacturing system.
図１６に例示するフォトマスク製造システム２００は、データ変換部２０１、フォトマスク形成部２０２及びフォトマスク検査装置２００ａを有している。フォトマスク検査装置２００ａは、例えば、比較処理部２０３、コーナー抽出部２０４、許容エリア生成部２０５、重なり処理部２０６及び欠陥判定処理部２０７を有している。
A photomask manufacturing system 200 illustrated in FIG. 16 includes a
データ変換部２０１は、フォトマスクに形成するパターンの設計データを、ＯＰＣ等の補正処理を含むデータ変換を行い、フォトマスク形成用の描画データや、フォトマスク検査用の検査データ等として用いられる変換データを生成する。
The
フォトマスク形成部２０２は、データ変換部２０１によって生成された変換データを描画データとして用い、描画やエッチング等のプロセスを実施してフォトマスクを形成する。
The
比較処理部２０３は、フォトマスク形成部２０２において形成されたフォトマスクのパターンを示すデータを取得し、データ変換部２０１によって生成された変換データを検査データとして用いて、両パターンの比較を行う。そして、フォトマスクのパターンのコーナーラウンディング等による検査データとの形状不一致（欠陥）に関するデータを検査エラーとして生成する。
The
コーナー抽出部２０４は、データ変換部２０１によって生成された変換データを用い、そこに含まれる段差やパターン端部のコーナーを抽出する。抽出したコーナーの位置を示す情報（コーナー情報）は、許容エリア生成部２０５に送られる。
The
許容エリア生成部２０５は、コーナー抽出部２０４によって抽出された各コーナーについて、コーナーごとに或いは一律に、所定サイズ及び所定形状の許容エリアを生成する。その際は、フォトマスクのパターンと検査データとに生じる形状差を予備的に或いは過去の製品について実測したデータ（実験結果）を用いて、所定の許容エリアを生成する。
For each corner extracted by the
重なり処理部２０６は、許容エリア生成部２０５によって生成された許容エリアに、コーナー同士の配置等に起因して重なり部が生じているか否かを判定し、重なり部が生じている場合には、フォトマスクに要求される寸法精度に応じた補正処理を行う。すなわち、フォトマスクに要求される寸法精度を用い、上記のように（図１０〜図１５）、生じた重なり部をそのままとするか、削除するか、或いはその重なり部に隣接して新たに許容エリアを追加設定するか、のいずれかの補正処理を行う。
The
欠陥判定処理部２０７は、生成されたこの許容エリアと、比較処理部２０３によって生成された検査エラーとを用い、フォトマスクのパターンと検査データとのコーナーにおける形状不一致が、許容エリア内であるか否かを判定し、擬似欠陥を除いた最終的な検査エラーを生成する。
The defect
また、生成された検査エラーは、重なり処理部２０６にフィードバックされ、フォトマスクのパターンと検査データとの実際のずれ量が、新たに追加する許容エリアのサイズの適正化に利用されるようになっている。
The generated inspection error is fed back to the
このような構成を有するフォトマスク製造システム２００では、まず、設計データが用いられて、データ変換部２０１によって変換データが生成される。そして、その変換データが描画データとして用いられて、フォトマスク形成部２０２によりフォトマスクが形成される。
In the photomask manufacturing system 200 having such a configuration, first, design data is used, and converted data is generated by the
フォトマスクの形成後は、比較処理部２０３により、そのフォトマスクに形成されたパターンと、データ変換部２０１による変換後の検査データとが比較され、両パターンの形状不一致に関するデータを含む検査エラーが生成される。
After the formation of the photomask, the
また、データ変換部２０１によって変換された変換データからは、コーナー抽出部２０４により、段差やパターン端部のコーナーが抽出される。そして、抽出された各コーナーについて、許容エリア生成部２０５により、過去の実験結果を用いて、所定の許容エリアが生成される。例えば、抽出されたコーナーごとに、コーナーの配置（段差の凸部と凹部、段差の大きさ、他のコーナーとの配置関係等）に応じて、適当なサイズで、Ｌ字形状やコーナーラウンディングに近い形状の許容エリアを生成する。或いは、抽出された各コーナーに一律に、同サイズで、上記のようなＬ字形状やコーナーラウンディングに近い形状の許容エリアを生成する。
Further, from the converted data converted by the
許容エリアの生成後は、その許容エリアに対し、重なり処理部２０６により、フォトマスクに要求される寸法精度に応じた補正処理が行われる。
ここで、図１７は許容エリアの補正処理フローの一例を示す図である。
After the allowable area is generated, the
Here, FIG. 17 is a diagram illustrating an example of a correction process flow of the allowable area.
許容エリア生成部２０５による許容エリアの生成後、重なり処理部２０６では、まず、生成された許容エリアに重なり部が生じているか否かが判定される（ステップＳ１０）。生成された許容エリアに重なり部が生じていない場合には、許容エリアの補正は行われず、この補正処理は終了する。
After the allowable area is generated by the allowable
ステップＳ１０において、許容エリアに重なり部が生じていると判定された場合には、続いて、そのフォトマスクに要求される寸法精度が一定の寸法精度（通常の精度）であるかどうかが判定される（ステップＳ１１）。このステップＳ１１において、寸法精度がそのような通常の精度であると判定された場合には、許容エリアの補正は行われず（図１０，図１３）、この補正処理は終了する。 If it is determined in step S10 that an overlapping portion has occurred in the allowable area, it is subsequently determined whether or not the dimensional accuracy required for the photomask is a constant dimensional accuracy (normal accuracy). (Step S11). If it is determined in step S11 that the dimensional accuracy is such normal accuracy, the allowable area is not corrected (FIGS. 10 and 13), and the correction process ends.
ステップＳ１１において、寸法精度がそのような一定の精度でないと判定された場合には、続いて、その寸法精度がより高精度であるか否かが判定される（ステップＳ１２）。このステップＳ１２において、寸法精度がより高精度であると判定された場合には、許容エリアの重なり部を削除する補正（図１１，図１４）が行われ（ステップＳ１３）、この補正処理が終了する。 When it is determined in step S11 that the dimensional accuracy is not such a constant accuracy, it is subsequently determined whether or not the dimensional accuracy is higher (step S12). If it is determined in step S12 that the dimensional accuracy is higher, correction (FIGS. 11 and 14) is performed to delete the overlapping portion of the allowable areas (step S13), and the correction process is completed. To do.
ステップＳ１２において、寸法精度が高精度でない、すなわちより低精度であると判定された場合には、許容エリアの重なり部が段差の凸部側と凹部側のいずれに生じているかが判定される（ステップＳ１４）。そして、許容エリアの重なり部が生じている部分に応じ、要求される寸法精度と、これ以前に取得されている検査エラーの内容が用いられて、適当なサイズの新たな許容エリアを追加する補正（図１２，図１５）が行われ（ステップＳ１５，Ｓ１６）、この補正処理が終了する。 In step S12, when it is determined that the dimensional accuracy is not high, that is, lower accuracy, it is determined whether the overlapping portion of the allowable area is generated on the convex portion side or the concave portion side of the step ( Step S14). Then, according to the part where the overlapping area of the allowable area occurs, the correction to add a new allowable area of an appropriate size using the required dimensional accuracy and the content of the inspection error acquired before this (FIGS. 12 and 15) are performed (steps S15 and S16), and the correction process is completed.
重なり処理部２０６では、許容エリア生成部２０５によって生成された各許容エリアについて、このステップＳ１０〜Ｓ１６の補正処理が行われる。
許容エリア生成部２０５によって生成された許容エリアに対する、重なり処理部２０６によるこのような補正処理後は、図１６に示したように、欠陥判定処理部２０７により、その補正処理後の許容エリアと、比較処理部２０３で生成された検査エラーとを用いた欠陥判定が行われる。すなわち、フォトマスクのパターンと検査データとの形状不一致が許容エリア内にある場合には、その不一致箇所を擬似欠陥と判定し、許容エリア内にない場合には、その不一致箇所を擬似欠陥でない欠陥と判定する。そして、この欠陥判定処理部２０７により、擬似欠陥と判定されたものを除いた欠陥のみが含まれる、最終的な検査エラーが生成される。
In the
After such correction processing by the
この最終的に生成される検査エラーによって、形成したフォトマスクの欠陥が評価されるようになる。また、欠陥判定処理部２０７によって最終的に生成された検査エラーは、重なり処理部２０６にもフィードバックされ、新たな許容エリアを追加する際のそのサイズ設定に利用される。
The inspection error generated finally evaluates the defect of the formed photomask. The inspection error finally generated by the defect
このようなフォトマスク製造システム２００では、その検査段階において、擬似欠陥と、擬似欠陥ではない欠陥とを精度良く判別し、検査過程で検出される擬似欠陥を低減して、高精度の検査を効率的に行うことができる。これにより、高品質のフォトマスクを製造することが可能になる。 In such a photomask manufacturing system 200, in the inspection stage, pseudo defects and non-pseudo defects are accurately discriminated, and pseudo defects detected in the inspection process are reduced, so that high-precision inspection is efficiently performed. Can be done automatically. This makes it possible to manufacture a high-quality photomask.
以上説明した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１） 設計データを変換した変換データを用いて形成されたフォトマスクのパターンと、前記変換データとを比較するステップと、
前記変換データのパターンのコーナーを抽出するステップと、
抽出された前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が許容される許容エリアを生成するステップと、
生成された前記許容エリアと、前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの比較結果とを用いて、前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記許容エリア内であるか否かを判定するステップと、
を有することを特徴とするフォトマスクの検査方法。
Regarding the embodiment described above, the following additional notes are further disclosed.
(Supplementary Note 1) A step of comparing a pattern of a photomask formed using conversion data obtained by converting design data with the conversion data;
Extracting a corner of the pattern of the converted data;
Generating a permissible area in which a mismatch between the converted data at the extracted corner and the pattern of the photomask is allowed;
Whether the mismatch between the conversion data and the photomask pattern at the corner is within the tolerance area using the generated tolerance area and the comparison result between the conversion data and the photomask pattern. Determining whether or not
A method for inspecting a photomask, comprising:
（付記２） 前記許容エリアを生成するステップにおいては、前記コーナー、前記コーナーから一方へ延びるパターンエッジ上に設けられる第１の点、前記コーナーから他方へ延びるパターンエッジ上に設けられる第２の点、及び前記コーナーに対してパターンの内部又は外部に設けられる第３の点を用いて画定される前記許容エリアを生成することを特徴とする付記１記載のフォトマスクの検査方法。 (Supplementary Note 2) In the step of generating the permissible area, the corner, the first point provided on the pattern edge extending from the corner to one side, and the second point provided on the pattern edge extending from the corner to the other side And the tolerance area defined by using a third point provided inside or outside the pattern with respect to the corner, and generating the allowable area.
（付記３） 前記コーナーが前記変換データのパターンの凸部にある場合には、前記第３の点は、前記凸部の内部側に配置することを特徴とする付記２記載のフォトマスクの検査方法。
(Additional remark 3) When the said corner exists in the convex part of the pattern of the said conversion data, said 3rd point is arrange | positioned inside the said convex part, Inspection of the photomask of
（付記４） 前記コーナーが前記変換データのパターンの凹部にある場合には、前記第３の点は、前記凹部の外部側に配置することを特徴とする付記２記載のフォトマスクの検査方法。
(Supplementary note 4) The photomask inspection method according to
（付記５） 前記許容エリアを生成するステップ後に、
抽出された隣接する前記コーナーにそれぞれ生成された前記許容エリアの重なり部を検出し、前記フォトマスクに形成するパターンの寸法精度に基づき、前記重なり部が検出された前記許容エリアについて補正処理を行うステップを有し、
前記補正処理後に、前記補正処理後の前記許容エリアと、前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの比較結果とを用いて、前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記許容エリア内であるか否かを判定することを特徴とする付記１から４のいずれかに記載のフォトマスクの検査方法。
(Supplementary Note 5) After the step of generating the allowable area,
The overlapping portions of the allowable areas generated at the extracted adjacent corners are detected, and correction processing is performed on the allowable areas where the overlapping portions are detected based on the dimensional accuracy of the pattern formed on the photomask. Has steps,
After the correction process, using the permissible area after the correction process and a comparison result between the conversion data and the photomask pattern, a mismatch between the conversion data and the photomask pattern at the corner is 5. The photomask inspection method according to any one of
（付記６） 前記寸法精度が高い場合には、隣接する前記コーナーにそれぞれ生成された前記許容エリアに対し、前記重なり部を削除する補正を行い、前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記重なり部を削除した前記許容エリア内であるか否かを判定することを特徴とする付記５記載のフォトマスクの検査方法。
(Additional remark 6) When the said dimensional accuracy is high, it correct | amends which deletes the said overlap part with respect to the said permissible area each produced | generated in the said adjacent corner, The conversion data in the said corner, and the pattern of the said
（付記７） 前記寸法精度が低い場合には、隣接する前記コーナーにそれぞれ生成された前記許容エリアに対し、前記重なり部近傍に更に新たな許容エリアを生成する補正を行い、前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記許容エリア内及び前記新たな許容エリア内であるか否かを判定することを特徴とする付記５記載のフォトマスクの検査方法。
(Supplementary Note 7) When the dimensional accuracy is low, correction is performed to generate a new allowable area near the overlapping portion with respect to the allowable areas respectively generated in the adjacent corners, and the conversion in the corner is performed. 6. The photomask inspection method according to
（付記８） 前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記許容エリア内及び前記新たな許容エリア内であるか否かを判定した結果を、以後の前記新たな許容エリアの生成に用いることを特徴とする付記７記載のフォトマスクの検査方法。
(Supplementary Note 8) The result of determining whether or not the mismatch between the conversion data at the corner and the pattern of the photomask is in the allowable area and the new allowable area is the result of the new allowable area thereafter. 8. The photomask inspection method according to
（付記９） 設計データを変換した変換データを用いて形成されたフォトマスクのパターンと、前記変換データとを比較する比較処理部と、
前記変換データのパターンのコーナーを抽出するコーナー抽出部と、
前記コーナー抽出部によって抽出された前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が許容される許容エリアを生成する許容エリア生成部と、
前記許容エリア生成部によって生成された前記許容エリアと、前記比較処理部による比較結果とを用いて、前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記許容エリア内であるか否かを判定する欠陥判定処理部と、
を有することを特徴とするフォトマスクの検査装置。
(Additional remark 9) The comparison process part which compares the pattern of the photomask formed using the conversion data which converted the design data, and the said conversion data,
A corner extraction unit for extracting a corner of the pattern of the conversion data;
A permissible area generation unit that generates a permissible area where mismatch between the conversion data and the photomask pattern in the corner extracted by the corner extraction unit is permitted;
Whether or not the mismatch between the conversion data at the corner and the pattern of the photomask is within the allowable area, using the allowable area generated by the allowable area generation unit and the comparison result by the comparison processing unit. A defect determination processing unit for determining whether or not
A photomask inspection apparatus comprising:
（付記１０） 前記許容エリア生成部は、前記コーナー、前記コーナーから一方へ延びるパターンエッジ上に設けられる第１の点、前記コーナーから他方へ延びるパターンエッジ上に設けられる第２の点、及び前記コーナーに対してパターンの内部又は外部に設けられる第３の点を用いて画定される前記許容エリアを生成することを特徴とする付記９記載のフォトマスクの検査装置。 (Supplementary Note 10) The allowable area generation unit includes the corner, a first point provided on a pattern edge extending from the corner to one side, a second point provided on a pattern edge extending from the corner to the other side, and the 10. The photomask inspection apparatus according to appendix 9, wherein the tolerance area defined by using a third point provided inside or outside the pattern with respect to a corner is generated.
（付記１１） 前記コーナーが前記変換データのパターンの凸部にある場合には、前記第３の点は、前記凸部の内部側に配置することを特徴とする付記１０記載のフォトマスクの検査装置。 (Additional remark 11) When the said corner exists in the convex part of the pattern of the said conversion data, a said 3rd point is arrange | positioned inside the said convex part, Inspection of the photomask of Additional remark 10 characterized by the above-mentioned. apparatus.
（付記１２） 前記コーナーが前記変換データのパターンの凹部にある場合には、前記第３の点は、前記凹部の外部側に配置することを特徴とする付記１０記載のフォトマスクの検査装置。 (Supplementary note 12) The photomask inspection apparatus according to supplementary note 10, wherein when the corner is in a concave portion of the pattern of the conversion data, the third point is arranged outside the concave portion.
（付記１３） 前記コーナー抽出部によって抽出された隣接する前記コーナーにそれぞれ前記許容エリア生成部によって生成された前記許容エリアの重なり部を検出し、前記フォトマスクのパターンの寸法精度に基づき、前記重なり部が検出された前記許容エリアについて補正処理を行う重なり処理部を有し、
前記欠陥判定処理部は、前記重なり処理部による補正処理後の前記許容エリアと、前記比較処理部による比較結果とを用いて、前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記許容エリア内であるか否かを判定することを特徴とする付記９から１２のいずれかに記載のフォトマスクの検査装置。
(Additional remark 13) The overlap part of the said permissible area produced | generated by the said permissible area production | generation part in each of the said adjacent corner extracted by the said corner extraction part is detected, and the said overlap is based on the dimensional accuracy of the pattern of the said photomask. An overlap processing unit that performs correction processing on the allowable area in which the part is detected;
The defect determination processing unit uses the permissible area after the correction processing by the overlap processing unit and the comparison result by the comparison processing unit, and the mismatch between the conversion data at the corner and the pattern of the photomask is 13. The photomask inspection apparatus according to any one of appendices 9 to 12, wherein it is determined whether the area is within an allowable area.
（付記１４） 前記寸法精度が高い場合には、隣接する前記コーナーにそれぞれ生成された前記許容エリアに対し、前記重なり部を削除する補正を行い、前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記重なり部を削除した前記許容エリア内であるか否かを判定することを特徴とする付記１３記載のフォトマスクの検査装置。 (Additional remark 14) When the said dimensional accuracy is high, the correction | amendment which deletes the said overlapping part is performed with respect to the said permissible area each produced | generated to the said adjacent corner, The said conversion data in the said corner, and the pattern of the said photomask 14. The photomask inspection apparatus according to appendix 13, wherein it is determined whether or not the difference is within the allowable area from which the overlapping portion is deleted.
（付記１５） 前記寸法精度が低い場合には、隣接する前記コーナーにそれぞれ生成された前記許容エリアに対し、前記重なり部近傍に更に新たな許容エリアを生成する補正を行い、前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記許容エリア内及び前記新たな許容エリア内であるか否かを判定することを特徴とする付記１３記載のフォトマスクの検査装置。 (Additional remark 15) When the said dimensional accuracy is low, with respect to the said permissible area produced | generated at each said adjacent corner, the correction | amendment which produces | generates a further permissible area near the said overlap part is performed, and the said conversion in the said corner 14. The photomask inspection apparatus according to appendix 13, wherein it is determined whether or not the mismatch between the data and the pattern of the photomask is within the allowable area and the new allowable area.
（付記１６） 前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記許容エリア内及び前記新たな許容エリア内であるか否かを判定した結果を、以後の前記新たな許容エリアの生成に用いることを特徴とする付記１５記載のフォトマスクの検査装置。 (Supplementary Note 16) The result of determining whether or not the mismatch between the conversion data at the corner and the pattern of the photomask is in the allowable area and the new allowable area is the result of the new allowable area thereafter. The photomask inspection apparatus according to appendix 15, wherein the photomask inspection apparatus is used for generation.
１ フォトマスク
１ａ，２０，２１，２２，７０，７０ａ，７０ｂ，１１０，１１０ａ，１１０ｂ パターン
２ 設計データ
３ 描画データ
４，３０，３１，３２，５０，８０，９０ 検査データ
４ａ，４ｄ，４ｅ，３０ａ，５０ａ，５０ｂ 段差
４ｂ，４ｃ，４ｆ，４ｇ，４ｈ，４ｉ，３０ｂ，３０ｃ，３１ａ，３２ａ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｅ，５０ｆ，８０ａ，８０ｂ コーナー
５，５ｂ，５ｃ，５ｆ，５ｇ，５ｈ，５ｉ，４０ｂ，４０ｃ，４１ａ，４２ａ，６０ｃ，６０ｄ，６０ｅ，６０ｆ，６０ｈ，６０ｉ，１００ａ，１００ｂ，１００ｄ，１００ｅ 許容エリア
６，７ 検査エラー
５０ｈ，５０ｉ エッジ
６０ｇ，１００ｃ 重なり部
２００ フォトマスク製造システム
２００ａ フォトマスク検査装置
２０１ データ変換部
２０２ フォトマスク形成部
２０３ 比較処理部
２０４ コーナー抽出部
２０５ 許容エリア生成部
２０６ 重なり処理部
２０７ 欠陥判定処理部
Ｌ１，Ｌ２ 目標値
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３ 点
ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｑ１，ｑ２，ｑ３ 距離
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記変換データのパターンのコーナーを抽出するステップと、
抽出された前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が許容される許容エリアを生成するステップと、
生成された前記許容エリアと、前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの比較結果とを用いて、前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記許容エリア内であるか否かを判定するステップと、
を有することを特徴とするフォトマスクの検査方法。 A step of comparing the conversion data with a photomask pattern formed using conversion data obtained by converting design data;
Extracting a corner of the pattern of the converted data;
Generating a permissible area in which a mismatch between the converted data at the extracted corner and the pattern of the photomask is allowed;
Whether the mismatch between the conversion data and the photomask pattern at the corner is within the tolerance area using the generated tolerance area and the comparison result between the conversion data and the photomask pattern. Determining whether or not
A method for inspecting a photomask, comprising:
抽出された隣接する前記コーナーにそれぞれ生成された前記許容エリアの重なり部を検出し、前記フォトマスクに形成するパターンの寸法精度に基づき、前記重なり部が検出された前記許容エリアについて補正処理を行うステップを有し、
前記補正処理後に、前記補正処理後の前記許容エリアと、前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの比較結果とを用いて、前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記許容エリア内であるか否かを判定することを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスクの検査方法。 After the step of generating the tolerance area,
An overlapping portion of the allowable area generated at each of the extracted adjacent corners is detected, and correction processing is performed on the allowable area where the overlapping portion is detected based on the dimensional accuracy of the pattern formed on the photomask. Has steps,
After the correction process, using the permissible area after the correction process and the comparison result between the conversion data and the photomask pattern, the conversion data and the photomask pattern at the corner are inconsistent. 3. The photomask inspection method according to claim 1, wherein it is determined whether or not the area is within an allowable area.
前記変換データのパターンのコーナーを抽出するコーナー抽出部と、
前記コーナー抽出部によって抽出された前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が許容される許容エリアを生成する許容エリア生成部と、
前記許容エリア生成部によって生成された前記許容エリアと、前記比較処理部による比較結果とを用いて、前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記許容エリア内であるか否かを判定する欠陥判定処理部と、
を有することを特徴とするフォトマスクの検査装置。 A photomask pattern formed by using conversion data obtained by converting design data and a comparison processing unit for comparing the conversion data;
A corner extraction unit for extracting a corner of the pattern of the conversion data;
A permissible area generation unit that generates a permissible area where mismatch between the conversion data and the photomask pattern in the corner extracted by the corner extraction unit is permitted;
Whether or not the mismatch between the conversion data at the corner and the pattern of the photomask is within the allowable area, using the allowable area generated by the allowable area generation unit and the comparison result by the comparison processing unit. A defect determination processing unit for determining whether or not
A photomask inspection apparatus comprising:
前記欠陥判定処理部は、前記重なり処理部による補正処理後の前記許容エリアと、前記比較処理部による比較結果とを用いて、前記コーナーにおける前記変換データと前記フォトマスクのパターンとの不一致が前記許容エリア内であるか否かを判定することを特徴とする請求項４又は５に記載のフォトマスクの検査装置。 An overlapping portion of the allowable area generated by the allowable area generating unit is detected at each of the adjacent corners extracted by the corner extracting unit, and the overlapping portion is detected based on the dimensional accuracy of the photomask pattern. And an overlap processing unit for performing correction processing on the allowable area,
The defect determination processing unit uses the permissible area after the correction processing by the overlap processing unit and the comparison result by the comparison processing unit, and the mismatch between the conversion data at the corner and the pattern of the photomask is 6. The photomask inspection apparatus according to claim 4, wherein it is determined whether or not the area is within an allowable area.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009236697A true JP2009236697A (en) | 2009-10-15 |
Family
ID=41250833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2008083480A Pending JP2009236697A (en) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | Method and device for inspecting photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2009236697A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20160039642A (en) * | 2013-07-29 | 2016-04-11 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | Monitoring changes in photomask defectivity |
-
2008
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