JP2009236651A - 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ光を用いて欠陥検査を行う際の検査精度の向上を図る。
【解決手段】欠陥検査装置1は、レーザ光5aの照射位置とその照射順序との関係を示す座標テーブル6aを設定する座標テーブル設定部6を有する。座標テーブル設定部6は、試料20のある照射位置にレーザ光5aを照射したときに生じる熱の分布を考慮し、その照射位置から所定距離離れた箇所に次の照射位置が設定されるように、座標テーブル6aを設定する。欠陥検査装置1は、座標テーブル6aを用い、レーザ光5aを試料20の所定位置に所定順序で照射し、照射によって生じる温度変化ΔTに起因した信号を検出し、欠陥検査を行う。各照射位置に周囲温度の影響を抑えてレーザ光5aを照射して信号を検出することができ、欠陥検査の精度向上が図られる。
【選択図】図1
【解決手段】欠陥検査装置1は、レーザ光5aの照射位置とその照射順序との関係を示す座標テーブル6aを設定する座標テーブル設定部6を有する。座標テーブル設定部6は、試料20のある照射位置にレーザ光5aを照射したときに生じる熱の分布を考慮し、その照射位置から所定距離離れた箇所に次の照射位置が設定されるように、座標テーブル6aを設定する。欠陥検査装置1は、座標テーブル6aを用い、レーザ光5aを試料20の所定位置に所定順序で照射し、照射によって生じる温度変化ΔTに起因した信号を検出し、欠陥検査を行う。各照射位置に周囲温度の影響を抑えてレーザ光5aを照射して信号を検出することができ、欠陥検査の精度向上が図られる。
【選択図】図1
Description
本発明は、欠陥検査装置及び欠陥検査方法に関し、特に、半導体装置に形成される配線等の欠陥検査に用いる欠陥検査装置及び欠陥検査方法に関する。
LSI(Large Scale Integration)をはじめとする各種半導体装置の開発・製造に当たっては、性能や歩留りの向上のために、不良解析という手法が一般的に採用されている。これは、半導体装置の製造プロセスで予期せず発生した欠陥の位置を特定し、そこを分析して、その欠陥の発生原因を解明することにより、その製造プロセスを改善する手法である。このような手法は、高性能・高品質の半導体装置を製造するプロセスを開発していく上で、非常に重要な技術と位置づけられている。
そのような不良解析手法のひとつに、半導体装置に形成した配線の断線箇所や高抵抗箇所等の欠陥を、IR−OBIRCH(Infra Red - Optical Beam Induced Resistance CHange)法を用いて検査するものがある。IR−OBIRCH法は、配線に電流を流した試料に赤外線レーザ光を照射し、その照射によって発生する熱に起因した抵抗や起電力の変化を、電流(電圧)変化により検出し、欠陥箇所を特定しようとするものである。レーザ光の照射は、例えば、まず試料のX方向へ一定距離連続的に照射した後、その照射位置をY方向にずらし、再びX方向へ一定距離連続的に照射する、というように二次元的に走査される。また、試料にライン状のレーザ光を一次元的に走査しながら照射して欠陥検査を行う手法等も提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2007−127499号公報
IR−OBIRCH法を用いた欠陥検査の際に検出される信号(OBIRCH信号)の強度は、レーザ光を照射したときの試料の温度変化ΔTに比例する。従って、信号強度の小さい欠陥、すなわち微小な欠陥を精度良く検出するためには、レーザ光照射による温度変化ΔTを確保する必要がある。
しかし、近年の半導体装置では、その層間絶縁膜等に、low−k材料等の比較的熱伝導率の小さい(酸化シリコン(SiO)の1/2〜1/5程度)材料が用いられるようになってきている。レーザ光を走査しながら照射していくと、その照射領域の温度が上昇するほか、その近傍領域の温度も上昇する。そのため、low−k材料等の低熱伝導率材料が用いられていると、ある領域に続いてその近傍領域にレーザ光を照射したときに、先の領域のレーザ光照射によって温度上昇した分が十分下がりきっていないために、その照射領域での温度変化ΔTが小さくなってしまう場合があった。それにより、その照射領域に存在する可能性のある欠陥を検出することができない場合があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、欠陥検査を高精度で行うことのできる欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、次のような構成を有する欠陥検査装置が提供される。この欠陥検査装置は、試料の第1照射対象部にレーザ光を照射したときに生じる前記試料内の熱の分布に基づき前記第1照射対象部から所定距離離れた箇所に第2照射対象部を設定する設定部と、前記設定部によって設定された前記第1照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第1照射対象部の検査を行い、前記第1照射対象部の検査後に、前記設定部によって設定された前記第2照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第2照射対象部の検査を行う検査部と、を有する。
このような欠陥検査装置によれば、試料の第1照射対象部にレーザ光が照射されて検査が行われ、第1照射対象部の検査後、そのレーザ光照射で生じる試料内の熱の分布に基づいて所定距離離れた箇所に設定された第2照射対象部に対し、レーザ光が照射されて検査が行われる。
また、このように照射対象部を設定し、設定した照射対象部について検査を行う欠陥検査方法が提供される。
開示の欠陥検査装置及び欠陥検査方法により、精度良く欠陥検査を行うことが可能になり、不良解析性能の向上に寄与することができる。
以下、図面を参照して詳細に説明する。
図1は欠陥検査装置の一例の概略構成図である。
図1に例示する欠陥検査装置1は、試料20が載置されるステージ2を備え、その試料20に対し、第1,第2ミラー3a,4aを用いて、レーザ光源5から出射される赤外線のレーザ光5aを、レンズ5bを介して照射することができるように構成されている。
図1は欠陥検査装置の一例の概略構成図である。
図1に例示する欠陥検査装置1は、試料20が載置されるステージ2を備え、その試料20に対し、第1,第2ミラー3a,4aを用いて、レーザ光源5から出射される赤外線のレーザ光5aを、レンズ5bを介して照射することができるように構成されている。
試料20に対するレーザ光5aの照射は、レーザ光源5の後段で第2ミラー4aの前段にシャッタ5cを設け、そのシャッタ5cの開閉を制御することによってオン/オフすることができるようになっている。
第1,第2ミラー3a,4aはそれぞれ、第1,第2ミラー駆動機構部3b,4bによってレーザ光5aの照射角度φ1,φ2が調整される。ここでは、第1ミラー3aでの照射角度φ1で試料20に対するX方向の照射位置(X座標)が決まり、第2ミラー4aでの照射角度φ2で試料20に対するY方向の照射位置(Y座標)が決まるようになっている。この欠陥検査装置1では、これら第1,第2ミラー3a,4aにより、試料20の所定位置に、また、試料20の全表面にわたって、レーザ光5aを照射することができるようになっている。
さらに、この欠陥検査装置1は、レーザ光5aの照射位置のXY座標とその照射順序との関係を示す座標テーブル6aを設定する座標テーブル設定部6を備えている。座標テーブル設定部6は、設定された座標テーブル6aが記憶されるメモリ部6b、及びその座標テーブル6aの設定に用いるデータが記憶されるメモリ部6cを有している。また、欠陥検査装置1は、第1,第2ミラー駆動機構部3b,4bにそれぞれ入力する駆動信号を生成するミラー駆動信号生成部7を備えている。
座標テーブル設定部6で設定された座標テーブル6aは、メモリ部6bに記憶され、第1,第2ミラー駆動機構部3b,4bは、その座標テーブル6aを基にミラー駆動信号生成部7で生成された駆動信号に従って駆動される。これにより、第1,第2ミラー3a,4aでのレーザ光5aの照射角度φ1,φ2が調整され、さらに、レーザ光5aがオン/オフされて、試料20の所定位置に、所定順序で、レーザ光5aが照射される。
また、この欠陥検査装置1は、レーザ光5aを照射する試料20の配線20aにバイアス電圧Vを印加するためのプローブ8a,8b、プローブ8bに接続されたアンプ9、及びプローブ8bから検出されてアンプ9で増幅された信号(OBIRCH信号)が記憶される画像メモリ部10を備えている。
画像メモリ部10には、座標テーブル6aに基づいて試料20に照射されたレーザ光5aの照射位置ごとに取得されたOBIRCH信号が、それぞれの照射位置のXY座標と関連付けられて記憶されるようになっている。
さらに、この欠陥検査装置1は、画像表示部11を備え、画像表示部11は、画像メモリ部10に記憶されたOBIRCH信号を用い、それを輝度として2次元表示する機能を有している。
上記構成を有する欠陥検査装置1において、試料20の配線20aにバイアス電圧Vを印加した状態で、その配線20aにレーザ光5aが照射されると、その照射位置の温度が上昇し、その温度上昇に応じて配線20aの抵抗が増加し、電圧降下又は電流減少が生じる。ここで、配線20aに断線箇所や高抵抗箇所等の欠陥が存在すると、その欠陥箇所の熱伝導率が正常箇所に比べて小さくなるため、レーザ光5aの照射による温度上昇が大きくなる。従って、レーザ光5aの照射位置に欠陥が存在するか否かで温度上昇が異なり、配線20aの抵抗変化、それによる電圧又は電流変化が異なってくる。
欠陥検査装置1は、試料20のレーザ光5aの照射位置(照射対象部)とその照射順序を予め設定しておく。そして、その設定された照射位置に設定された照射順序でレーザ光5aを照射していき、各レーザ光5aの照射による温度変化ΔTの結果生じる電圧又は電流変化を、プローブ8a,8b及びアンプ9を用いてOBIRCH信号として検出することで欠陥検査を行う。さらに、検出したOBIRCH信号は、画像メモリ部10に記憶し、それを輝度として画像表示部11で画像化する。
ここで、上記構成を有する欠陥検査装置1でのレーザ光5aの走査について説明する。
図2はレーザ光走査の一例の概念図である。また、図3は別のレーザ光走査の概念図である。
図2はレーザ光走査の一例の概念図である。また、図3は別のレーザ光走査の概念図である。
上記構成を有する欠陥検査装置1では、例えば、この図2に示すように、レーザ光5aを、まず試料20の第1照射位置P1にスポット状に照射した後、所定距離離れた第2照射位置P2にスポット状に照射する。その後は、レーザ光5aを、第2照射位置P2から所定距離離れた第3照射位置P3にスポット状に照射し、さらに、第3照射位置P3から所定距離離れた第4照射位置P4にスポット状に照射する。以降同様に、先の照射位置から所定距離離して、第5照射位置P5、第6照射位置P6及びそれ以降の照射位置に、レーザ光5aをスポット状に照射していく。
一方、レーザ光5aの走査には、図3に矢印で示すように、試料20のあるY座標Y1についてX方向へ連続的に照射した後、次のY座標Y2について再びX方向へ連続的に照射するというように、走査を周期的に繰り返していく方法がある。
しかし、この図3に示したような走査の場合、X方向についてはレーザ光5aの照射が連続的に行われ、また、Y方向については直前周期でレーザ光5aを照射した領域のすぐ隣の領域に次の周期で再びレーザ光5aが照射されることになる。試料20にレーザ光5aを照射したときには、その照射位置の温度が上昇するほか、熱伝導により、その近傍領域の温度も上昇する。そのため、X方向とY方向のいずれの場合でも、ある照射位置にレーザ光5aの照射を行ったときには、それより先の照射によって上昇した温度が十分に下がりきっていないことが起こり得る。そのような場合には、レーザ光5aの照射による温度変化ΔTが、本来その照射位置で得られるべき値よりも小さくなり、OBIRCH信号の強度が小さくなって、欠陥検査を精度良く行えない可能性がある。特に、試料20に低熱伝導率材料が用いられているような場合には、このような現象が起こりやすくなる。
これに対し、上記図2に例示したレーザ光5aの走査では、ある照射位置へのレーザ光5aの照射後、そこから所定距離離れた位置を次の照射位置とするため、周囲からの伝熱に影響されない、その照射位置の本来の温度変化ΔTを得ることが可能になる。従って、精度良く欠陥の検出を行うことが可能になる。
このようにしてレーザ光5aの走査を行うに当たり、ある照射位置から次の照射位置までの間隔は、次のような原理を基に設定することができる。
前述のように、ある位置に照射されたレーザ光5aは、熱に変化し、その熱は熱伝導により周囲に広がっていく。まず、熱伝導の理論から、ある位置にレーザ光5aが照射されてその熱がt秒後に伝わっている位置までの距離Lは、温度伝導率をkとすると、次式(1a)のように表すことができる。
前述のように、ある位置に照射されたレーザ光5aは、熱に変化し、その熱は熱伝導により周囲に広がっていく。まず、熱伝導の理論から、ある位置にレーザ光5aが照射されてその熱がt秒後に伝わっている位置までの距離Lは、温度伝導率をkとすると、次式(1a)のように表すことができる。
L=(k×t)1/2 ・・・(1a)
従って、温度伝導率kを試料20の面内(レーザ光5aの照射平面に平行な面内)方向の温度伝導率kLとし、時間tを先のレーザ光5aの照射と次のレーザ光5aの照射との時間間隔t1とすると、先のレーザ光5aの照射で生じた熱が試料20の面内方向に伝わる距離(伝熱距離)L1は、次式(1)のように表される。
従って、温度伝導率kを試料20の面内(レーザ光5aの照射平面に平行な面内)方向の温度伝導率kLとし、時間tを先のレーザ光5aの照射と次のレーザ光5aの照射との時間間隔t1とすると、先のレーザ光5aの照射で生じた熱が試料20の面内方向に伝わる距離(伝熱距離)L1は、次式(1)のように表される。
L1=(kL×t1)1/2 ・・・(1)
換言すれば、先のレーザ光5aの照射による温度上昇が、次のレーザ光5aの照射による温度変化ΔTに影響を及ぼさないためには、先のレーザ光5aの照射位置と次のレーザ光5aの照射位置とが距離L1以上離れている必要があることになる。
換言すれば、先のレーザ光5aの照射による温度上昇が、次のレーザ光5aの照射による温度変化ΔTに影響を及ぼさないためには、先のレーザ光5aの照射位置と次のレーザ光5aの照射位置とが距離L1以上離れている必要があることになる。
また、照射されたレーザ光5aが熱に変わり、試料20の厚さ方向の距離Zだけ離れた位置に到達するには、次式(2a)で表される時間tが必要になる。
t=Z2/k ・・・(2a)
試料20の下面は、ステージ2に冷却ステージ等を用いれば容易にそれを冷却源とすることができるので、下面まで達した熱は速やかに放熱させることが可能である。
t=Z2/k ・・・(2a)
試料20の下面は、ステージ2に冷却ステージ等を用いれば容易にそれを冷却源とすることができるので、下面まで達した熱は速やかに放熱させることが可能である。
従って、距離Zを試料の厚さDとし、温度伝導率kを試料20の厚さ方向の温度伝導率kDとすると、先のレーザ光5aの照射で生じた熱が放熱されるまでに要する時間(冷却時間)tDは、次式(2)のように表される。
tD=D2/kD ・・・(2)
換言すれば、先のレーザ光5aの照射後、それによって発生した熱が十分放熱されて、その直近に次のレーザ光5aの照射を行うためには、先のレーザ光5aの照射と次のレーザ光5aの照射との間隔が時間tD以上空いている必要があることになる。
換言すれば、先のレーザ光5aの照射後、それによって発生した熱が十分放熱されて、その直近に次のレーザ光5aの照射を行うためには、先のレーザ光5aの照射と次のレーザ光5aの照射との間隔が時間tD以上空いている必要があることになる。
上記原理を具体例で説明する。
例えば、試料20上の1024×1024点分のOBIRCH信号を2秒間で取得することができるようにレーザ光5aを走査する場合、レーザ光5aの照射の時間間隔t1は、t1=2秒/(1024×1024)=1.91×10-6秒となる。試料20として、厚さ500μmのシリコン(Si)基板上に10μmのSiO膜を形成し、その上に形成された銅(Cu)配線を考える。
例えば、試料20上の1024×1024点分のOBIRCH信号を2秒間で取得することができるようにレーザ光5aを走査する場合、レーザ光5aの照射の時間間隔t1は、t1=2秒/(1024×1024)=1.91×10-6秒となる。試料20として、厚さ500μmのシリコン(Si)基板上に10μmのSiO膜を形成し、その上に形成された銅(Cu)配線を考える。
Cuの温度伝導率は、11.234×10-5m2/秒である。従って、上記の式(1)の伝熱距離L1は、L1=(11.234×10-5m2/秒×1.91×10-6秒)1/2より、約14.6μmとなる。すなわち、先のレーザ光5aの照射位置と次のレーザ光5aの照射位置とは、少なくとも約14.6μm離す必要がある。
SiO,Siの温度伝導率はそれぞれ、3.4×10-7m2/秒,1.02×10-4m2/秒である。上記の式(2)の冷却時間tDは、tD=(10μm)2/(3.4×10-7m2/秒)+(500μm)2/(1.02×10-4m2/秒)より、約2.74m秒となる。すなわち、先のレーザ光5aの照射後、その直近に次の照射を行うまでに、少なくとも約2.74m秒の時間間隔を設ける必要がある。
欠陥検査装置1では、上記のような原理を利用し、座標テーブル設定部6により、試料20上におけるレーザ光5aの照射位置と照射順序とを示す座標テーブル6aが設定される。
図4は座標テーブル設定処理フローの一例を示す図である。
ここでは、上記の式(1),(2)の制限を満たすレーザ光5aのN箇所の照射位置とその照射順序を示す座標テーブル6aを設定する処理の一例について説明する。なお、t1は、先のレーザ光5aの照射と次のレーザ光5aの照射との時間間隔である。L1は、上記の式(1)より求められる、先のレーザ光5aの照射で発生した熱の試料20面内方向の伝熱距離である。tDは、上記の式(2)より求められる、先のレーザ光5aの照射で発生した熱が放熱されるまでの冷却時間である。
ここでは、上記の式(1),(2)の制限を満たすレーザ光5aのN箇所の照射位置とその照射順序を示す座標テーブル6aを設定する処理の一例について説明する。なお、t1は、先のレーザ光5aの照射と次のレーザ光5aの照射との時間間隔である。L1は、上記の式(1)より求められる、先のレーザ光5aの照射で発生した熱の試料20面内方向の伝熱距離である。tDは、上記の式(2)より求められる、先のレーザ光5aの照射で発生した熱が放熱されるまでの冷却時間である。
まず、座標テーブル設定部6により、試料20上のN箇所の照射位置(測定点)のXY座標が設定される(ステップS1)。N箇所の照射位置は、例えば、試料20の構成(サイズ、構成層の材質・膜厚、配線幅・密度等)、照射するレーザ光5aのビーム径、検査時間、検査に要求される精度等に基づき設定することができる。ここで設定されたN箇所の照射位置は、座標テーブル設定部6のメモリ部6cに記憶される。
次いで、座標テーブル設定部6により、設定されたN箇所の照射位置のXY座標のうち、レーザ光5aを最初に照射する1箇所目(n=1)の照射位置のXY座標が選択される(ステップS2)。ここで選択される照射位置のXY座標は、予め設定しておくことができる。或いは、座標テーブル設定部6によって任意の照射位置のXY座標が選択されるようにしておいてもよい。
次いで、座標テーブル設定部6により、その選択された1箇所目(n=1)の照射位置のXY座標がメモリ部6bに記憶される(ステップS3)。
続いて、2箇所目以降の照射位置のXY座標が順に設定されていく。
続いて、2箇所目以降の照射位置のXY座標が順に設定されていく。
まず、座標テーブル設定部6により、n=n+1とされた上で(ステップS4)、所定の時間間隔t1及び冷却時間tDが用いられて、1≦m≦n,tD>m×t1,tD<(m+1)×t1を満たす整数mが求められる(ステップS5)。
ステップS5の条件を満たす整数mが存在しない場合には(ステップS6)、座標テーブル設定部6では、レーザ光5aの照射の時間間隔t1が長くなるように変更され(ステップS7)、ステップS2以降の処理が行われる。
ステップS5の条件を満たす整数mが存在する場合には(ステップS6)、次のような処理が行われる。今、αを整数とし、試料20上の任意のn箇所目の照射位置から距離α×L1以上離れた周囲領域をA(n,α)で表すものとする。そして、ステップS5の条件を満たす整数mが存在する場合には、座標テーブル設定部6により、領域A(n,α)のα=1からα=mまでの共通部分∩A(n−α+1,α)が求められる(ステップS8)。この共通部分∩A(n−α+1,α)は、先のレーザ光5aの照射による熱が試料20から放熱されていて、かつ、先のレーザ光5aの照射による熱が試料20の面内方向に広がって到達しない領域を表している。
次いで、座標テーブル設定部6により、その共通部分∩A(n−α+1,α)内に、メモリ部6cに記憶された照射位置の全XY座標のうち、メモリ部6bに記憶されていない照射位置のXY座標が存在するか否かが判定される(ステップS9)。ステップS9において、そのような照射位置のXY座標が存在すると判定された場合には、座標テーブル設定部6により、その存在している照射位置のXY座標のいずれか1箇所の照射位置のXY座標が選択される(ステップS10)。
ステップS10で選択された照射位置のXY座標は、座標テーブル設定部6により、メモリ部6bに記憶される(ステップS3)。その後は、ステップS4に進み、その次の照射位置のXY座標が設定される。
このようにしてステップS10までの処理が行われ、メモリ部6bには、1箇所目の照射位置のXY座標に続き、2箇所目以降の照射位置のXY座標が順に記憶されていく。
また、ステップS9において、共通部分∩A(n−α+1,α)内に、メモリ部6bに記憶されていない照射位置のXY座標が存在しないと判定された場合には、次のような処理が行われる。まず、座標テーブル設定部6により、最初に設定されたN箇所の照射位置のXY座標について全て順番が設定されたか否か、すなわちn=Nになったか否かが判定される(ステップS11)。ステップS11において、n=Nになったと判定された場合には、座標テーブル6aの設定処理を終了する。
また、ステップS9において、共通部分∩A(n−α+1,α)内に、メモリ部6bに記憶されていない照射位置のXY座標が存在しないと判定された場合には、次のような処理が行われる。まず、座標テーブル設定部6により、最初に設定されたN箇所の照射位置のXY座標について全て順番が設定されたか否か、すなわちn=Nになったか否かが判定される(ステップS11)。ステップS11において、n=Nになったと判定された場合には、座標テーブル6aの設定処理を終了する。
共通部分∩A(n−α+1,α)内に、メモリ部6bに記憶されていない照射位置のXY座標が存在せず、さらにステップS11において、n=Nになっていないと判定された場合には、次のような処理が行われる。すなわち、座標テーブル設定部6では、レーザ光5aの照射の時間間隔t1が長くなるように変更され(ステップS7)、ステップS2以降の処理が行われる。
なお、時間間隔t1が長くなっていくと、最初は十分短い時間間隔t1で処理を開始しても、いずれはt1>tDとなって、いずれの照射位置のXY座標も自由に選択することができるようになる。すなわち、時間間隔t1がそのような値となるまでの間には、予め設定したN箇所の照射位置の順番を、上記の式(1),(2)を満たすように設定することのできる、最小の時間間隔t1が存在する。従って、そのときの時間間隔t1を用い、その場合に得られる照射位置のXY座標とその順番を座標テーブル6aにより表す。
欠陥検査装置1では、上記のようにして設定された座標テーブル6aを基に、第1,第2ミラー3a,4aの照射角度φ1,φ2が調整される。
図5は欠陥検査装置での処理の説明図である。
図5は欠陥検査装置での処理の説明図である。
座標テーブル設定部6は、上記図4に例示したような設定処理により、図5に例示するような、レーザ光5aの照射位置のXY座標とその順番を示すN個分のデータ[Xn,Yn](n=1〜N)の座標テーブル6aを設定し、メモリ部6bに記憶する。
ミラー駆動信号生成部7は、メモリ部6bに記憶された座標テーブル6aを用い、そのN個分のデータを、図5に例示したような、第1,第2ミラー駆動機構部3b,4bに入力する電圧や電流等の駆動信号[φ1,n,φ2,n](n=1〜N)に変換する。
そして、ミラー駆動信号生成部7から駆動信号φ1,n,φ2,nが順にそれぞれ第1,第2ミラー駆動機構部3b,4bに入力され、それにより、第1,第2ミラー3a,4aがレーザ光5aの照射位置の座標[Xn,Yn]に対応した照射角度φ1,φ2に調整される。
所定の時間間隔t1で、所定位置に所定順序でレーザ光5aが照射されていき、それによって検出されるOBIRCH信号は、レーザ光5aの照射位置の座標[Xn,Yn]に対応させて画像メモリ部10に記憶されていく。画像表示部11は、画像メモリ部10に記憶されたOBIRCH信号を用い、それを輝度として2次元表示する。
次に、以上説明した欠陥検査装置1の全体的な処理フローについて説明する。
図6は欠陥検査装置の処理フローの一例を示す図である。
欠陥検査装置1では、まず、座標テーブル設定部6により、試料20上のN箇所の照射位置のXY座標が設定され(ステップS20)、照射位置のXY座標とその順番を示す座標テーブル6aが設定される(ステップS21)。
図6は欠陥検査装置の処理フローの一例を示す図である。
欠陥検査装置1では、まず、座標テーブル設定部6により、試料20上のN箇所の照射位置のXY座標が設定され(ステップS20)、照射位置のXY座標とその順番を示す座標テーブル6aが設定される(ステップS21)。
次いで、ミラー駆動信号生成部7により、座標テーブル6aのデータが用いられて、座標テーブル6aの各データのXY座標にレーザ光5aが照射可能なように第1,第2ミラー3a,4aの照射角度φ1,φ2を調整するための駆動信号が生成される(ステップS22)。
そして、ミラー駆動信号生成部7によって生成されたn箇所目(n=1〜N)の照射位置に対応した駆動信号が用いられ、第1,第2ミラー3a,4aが駆動され(ステップS23)、第1,第2ミラー3a,4aが所定の照射角度φ1,φ2に調整されたか否かが判定される(ステップS24)。
ステップS24で第1,第2ミラー3a,4aの調整が完了した後、これから行うレーザ光5aの照射が1箇所目(n=1)の照射位置に対するものである場合には(ステップS25)、シャッタ5cが開かれ(ステップS27)、レーザ光5aの照射が開始される。
また、ステップS24で第1,第2ミラー3a,4aの調整が完了した後、これから行うレーザ光5aの照射が2箇所目以降(n≧2)の照射位置に対するものである場合には(ステップS25)、先のレーザ光5aの照射から一定の時間t1が経過しているか否かが判定される(ステップS26)。ここで時間間隔t1が空いていると判定された場合に、シャッタ5cが開かれ(ステップS27)、試料20へのレーザ光5aの照射が開始される。
欠陥検査装置1では、レーザ光5aが照射されることにより、OBIRCH信号の検出が開始される(ステップS28)。検出されたOBIRCH信号は、レーザ光5aの照射位置のXY座標に対応させて画像メモリ部10に記憶される。そして、OBIRCH信号検出が完了したか否かが判定され(ステップS29)、検出が完了したと判定された場合には、シャッタ5cが閉じられ(ステップS30)、試料20へのレーザ光5aの照射が止められる。
その後、欠陥検査装置1では、予め設定されたN箇所全てのOBIRCH信号検出が終了したか否かが判定され(ステップS31)、N箇所全ての検出が終了したと判定された場合には、それらN箇所について検出されたOBIRCH信号を画像化する(ステップS32)。
また、欠陥検査装置1では、ステップS31でN箇所のOBIRCH信号検出が終了していないと判定された場合には、次の箇所のOBIRCH信号検出を行うため、n=n+1とし(ステップS33)、ステップS22以降の処理が行われる。
以上説明したように、欠陥検査装置1では、先に行ったレーザ光5aの照射によって生じる熱の試料20内での分布を考慮して、次に行うレーザ光5aの照射位置を先の照射位置から所定距離離れた位置に設定する。そのため、ある照射位置へのレーザ光5aの照射後に次の照射位置にレーザ光5aを照射したときに、そこで本来得られるべき温度変化ΔTを確保することが可能になる。
また、ある照射位置へのレーザ光5aの照射後、その近傍に次の照射を行うときには、先の照射によって生じた熱が放熱される時間を考慮し、先の照射のときに上昇した温度が下がってから次の照射を行う。これによっても、各照射位置において本来得られるべき温度変化ΔTを確保することが可能になる。
これにより、精度良くOBIRCH信号を検出し、高感度で欠陥検査を行うことが可能になるため、不良解析性能の向上を図ることができる。
なお、以上の説明では、レーザ光5aをスポット状に照射する場合を例にして述べたが、上記の手法は、レーザ光5aを一方向に連続的に走査しながら照射していく場合にも、同様に適用可能である。
なお、以上の説明では、レーザ光5aをスポット状に照射する場合を例にして述べたが、上記の手法は、レーザ光5aを一方向に連続的に走査しながら照射していく場合にも、同様に適用可能である。
図7はレーザ光走査の説明図であって、(A)は走査の概念図、(B)は(A)の走査時の時間と第2ミラー用駆動信号との関係を示す図である。また、図8は別のレーザ光走査の説明図であって、(A)は走査の概念図、(B)は(A)の走査時の時間と第2ミラー用駆動信号との関係を示す図である。
レーザ光5aを試料20のX方向に連続的に走査しながら照射していく場合には、例えば、図8に例示するような走査方法がある。すなわち、レーザ光5aのY座標(照射角度φ2)を調整する第2ミラー4aの駆動信号を、時間に対して図8(B)のように制御する。そして、図8(A)のように、試料20のあるY座標の列についてX方向へ連続的に照射した後、すぐ隣のY座標の列について再びX方向へ連続的に照射するというように、走査を周期的に繰り返していく。
ただし、この図8に例示したような方法では、Y方向について直前周期で照射を行った領域のすぐ隣の領域に次の周期で照射を行うため、熱伝導により、各照射位置の本来得られるべき温度変化ΔTと異なってくる可能性がある。
これに対し、図7に例示するような走査方法を用いれば、各照射位置について本来得られるべき温度変化ΔTを精度良く得ることが可能になる。
図7に示す走査方法では、一例として、図7(A)のように、試料20の偶数番目のY座標の領域(照射対象部)について順にX方向へ連続的に照射し、その後、奇数番目のY座標の領域(照射対象部)について順にX方向へ連続的に照射していく。この場合は、レーザ光5aのY座標(照射角度φ2)を調整する第2ミラー4aの駆動信号を、時間に対して図7(B)のように制御する。
図7に示す走査方法では、一例として、図7(A)のように、試料20の偶数番目のY座標の領域(照射対象部)について順にX方向へ連続的に照射し、その後、奇数番目のY座標の領域(照射対象部)について順にX方向へ連続的に照射していく。この場合は、レーザ光5aのY座標(照射角度φ2)を調整する第2ミラー4aの駆動信号を、時間に対して図7(B)のように制御する。
この図7に例示するような走査方法によれば、Y方向については直前周期で照射を行った領域のすぐ隣の領域に次の周期で照射を行うことがなく、すぐ隣の領域に照射を行うときには、その温度を十分に下げておくことができるため、図8の走査方法に比べ、適正な温度変化ΔTを得ることが可能になる。
図7の例では、Y座標を偶数番目と奇数番目に分け、一列おきにX方向へ走査を行っているが、2列以上おきにX方向へ走査を行ってもよい。走査時のY方向の間隔は、先に行ったX方向への照射で生じる熱の分布を考慮して設定すればよい。その場合、欠陥検査装置1では、座標テーブル設定部6により、そのような熱の分布を基に何列おきに照射すべきかを求め、それに基づく座標テーブル(照射する列とその照射順序との関係)を設定する。そして、欠陥検査装置1は、そのような座標テーブル6aから生成される駆動信号を用いて第1,第2ミラー3a,4aの照射角度φ1,φ2を調整し、所定時間間隔で試料20にレーザ光5aを照射し、それによって検出されたOBIRCH信号から画像を生成する。
なお、以上の説明では、レーザ光源5から出射するレーザ光5aをシャッタ5cの開閉によりオン/オフすることとしたが、シャッタ5cを用いず、出射するレーザ光5aをパルス出射する等して直接オン/オフすることも可能である。
また、以上の説明では、一の試料20の全体を検査することとしたが、試料20の検査領域を複数に分割して、いずれかの分割領域について、或いは分割領域ごとにそれぞれ、上記のような手法を適用して検査を行うが可能である。
以上説明した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
(付記1) 試料の第1照射対象部にレーザ光を照射したときに生じる前記試料内の熱の分布に基づき前記第1照射対象部から所定距離離れた箇所に第2照射対象部を設定する設定部と、
前記設定部によって設定された前記第1照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第1照射対象部の検査を行い、前記第1照射対象部の検査後に、前記設定部によって設定された前記第2照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第2照射対象部の検査を行う検査部と、
を有することを特徴とする欠陥検査装置。
(付記1) 試料の第1照射対象部にレーザ光を照射したときに生じる前記試料内の熱の分布に基づき前記第1照射対象部から所定距離離れた箇所に第2照射対象部を設定する設定部と、
前記設定部によって設定された前記第1照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第1照射対象部の検査を行い、前記第1照射対象部の検査後に、前記設定部によって設定された前記第2照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第2照射対象部の検査を行う検査部と、
を有することを特徴とする欠陥検査装置。
(付記2) 前記設定部は、前記第1照射対象部に前記レーザ光を照射したときに生じる熱が前記第1照射対象部から伝熱する範囲外に前記第2照射対象部を設定することを特徴とする付記1記載の欠陥検査装置。
(付記3) 前記設定部は、前記第1照射対象部に前記レーザ光を照射したときに生じる熱が放熱される時間の経過後に、前記第1照射対象部から前記所定距離までの範囲内に第3照射対象部を設定し、
前記検査部は、前記第1,第2照射対象部の検査後に、前記設定部によって設定された前記第3照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第3照射対象部の検査を行うことを特徴とする付記1又は2に記載の欠陥検査装置。
前記検査部は、前記第1,第2照射対象部の検査後に、前記設定部によって設定された前記第3照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第3照射対象部の検査を行うことを特徴とする付記1又は2に記載の欠陥検査装置。
(付記4) 前記レーザ光は、前記試料の各照射対象部にスポット状に照射されることを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の欠陥検査装置。
(付記5) 前記レーザ光は、前記試料の各照射対象部に一方向に連続的に走査して照射されることを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の欠陥検査装置。
(付記5) 前記レーザ光は、前記試料の各照射対象部に一方向に連続的に走査して照射されることを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の欠陥検査装置。
(付記6) 試料の第1照射対象部にレーザ光を照射して前記第1照射対象部の検査を行う工程と、
前記第1照射対象部の検査後、前記第1照射対象部に前記レーザ光を照射したときに生じる前記試料内の熱の分布に基づき前記第1照射対象部から所定距離離れた箇所に設定された第2照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第2照射対象部の検査を行う工程と、
を有することを特徴とする欠陥検査方法。
前記第1照射対象部の検査後、前記第1照射対象部に前記レーザ光を照射したときに生じる前記試料内の熱の分布に基づき前記第1照射対象部から所定距離離れた箇所に設定された第2照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第2照射対象部の検査を行う工程と、
を有することを特徴とする欠陥検査方法。
(付記7) 前記第2照射対象部は、前記第1照射対象部に前記レーザ光を照射したときに生じる熱が前記第1照射対象部から伝熱する範囲外に設定されることを特徴とする付記6記載の欠陥検査方法。
(付記8) 前記第1照射対象部に前記レーザ光を照射したときに生じる熱が放熱される時間の経過後、前記第1照射対象部から前記所定距離までの範囲内に設定された第3照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第3照射対象部の検査を行う工程を有することを特徴とする付記6又は7に記載の欠陥検査方法。
(付記9) 前記レーザ光は、前記試料の各照射対象部にスポット状に照射されることを特徴とする付記6から8のいずれかに記載の欠陥検査方法。
(付記10) 前記レーザ光は、前記試料の各照射対象部に一方向に連続的に走査して照射されることを特徴とする付記6から8のいずれかに記載の欠陥検査方法。
(付記10) 前記レーザ光は、前記試料の各照射対象部に一方向に連続的に走査して照射されることを特徴とする付記6から8のいずれかに記載の欠陥検査方法。
1 欠陥検査装置
2 ステージ
3a 第1ミラー
3b 第1ミラー駆動機構部
4a 第2ミラー
4b 第2ミラー駆動機構部
5 レーザ光源
5a レーザ光
5b レンズ
5c シャッタ
6 座標テーブル設定部
6a 座標テーブル
6b,6c メモリ部
7 ミラー駆動信号生成部
8a,8b プローブ
9 アンプ
10 画像メモリ部
11 画像表示部
20 試料
20a 配線
V バイアス電圧
φ1,φ2 照射角度
2 ステージ
3a 第1ミラー
3b 第1ミラー駆動機構部
4a 第2ミラー
4b 第2ミラー駆動機構部
5 レーザ光源
5a レーザ光
5b レンズ
5c シャッタ
6 座標テーブル設定部
6a 座標テーブル
6b,6c メモリ部
7 ミラー駆動信号生成部
8a,8b プローブ
9 アンプ
10 画像メモリ部
11 画像表示部
20 試料
20a 配線
V バイアス電圧
φ1,φ2 照射角度
Claims (6)
- 試料の第1照射対象部にレーザ光を照射したときに生じる前記試料内の熱の分布に基づき前記第1照射対象部から所定距離離れた箇所に第2照射対象部を設定する設定部と、
前記設定部によって設定された前記第1照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第1照射対象部の検査を行い、前記第1照射対象部の検査後に、前記設定部によって設定された前記第2照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第2照射対象部の検査を行う検査部と、
を有することを特徴とする欠陥検査装置。 - 前記設定部は、前記第1照射対象部に前記レーザ光を照射したときに生じる熱が前記第1照射対象部から伝熱する範囲外に前記第2照射対象部を設定することを特徴とする請求項1記載の欠陥検査装置。
- 前記設定部は、前記第1照射対象部に前記レーザ光を照射したときに生じる熱が放熱される時間の経過後に、前記第1照射対象部から前記所定距離までの範囲内に第3照射対象部を設定し、
前記検査部は、前記第1,第2照射対象部の検査後に、前記設定部によって設定された前記第3照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第3照射対象部の検査を行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の欠陥検査装置。 - 前記レーザ光は、前記試料の各照射対象部にスポット状に照射されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の欠陥検査装置。
- 前記レーザ光は、前記試料の各照射対象部に一方向に連続的に走査して照射されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の欠陥検査装置。
- 試料の第1照射対象部にレーザ光を照射して前記第1照射対象部の検査を行う工程と、
前記第1照射対象部の検査後、前記第1照射対象部に前記レーザ光を照射したときに生じる前記試料内の熱の分布に基づき前記第1照射対象部から所定距離離れた箇所に設定された第2照射対象部に前記レーザ光を照射して前記第2照射対象部の検査を行う工程と、
を有することを特徴とする欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008082471A JP2009236651A (ja) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008082471A JP2009236651A (ja) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009236651A true JP2009236651A (ja) | 2009-10-15 |
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ID=41250789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008082471A Withdrawn JP2009236651A (ja) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009236651A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014107483A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Obirch検査方法及びobirch装置 |
US9222970B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-12-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Fault position analysis method and fault position analysis device for semiconductor device |
-
2008
- 2008-03-27 JP JP2008082471A patent/JP2009236651A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9222970B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-12-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Fault position analysis method and fault position analysis device for semiconductor device |
JP2014107483A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Obirch検査方法及びobirch装置 |
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