JP2009231951A - マイクロホン装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光に起因するノイズを低減し、信頼性の高いMEMSマイクロホン、すなわち音響センサを提供する。
【解決手段】半導体基板上に、第1の電極としての振動膜と、前記振動膜に固着された誘電体膜と、前記第1の電極に対向して配設された第2の電極とを具備したコンデンサ部と、前記コンデンサ部の前記第1の電極に接続され、前記コンデンサ部からの信号を増幅する増幅器と、前記コンデンサ部の第2の電極に接続されるコンデンサ電極端子と、前記増幅器に接続される電圧供給端子と、接地端子と、前記増幅器からの出力端子とを備えたマイクロホン装置であって、前記コンデンサ部の前記第1および第2の電極は、前記半導体基板と同一導電型であることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板上に、第1の電極としての振動膜と、前記振動膜に固着された誘電体膜と、前記第1の電極に対向して配設された第2の電極とを具備したコンデンサ部と、前記コンデンサ部の前記第1の電極に接続され、前記コンデンサ部からの信号を増幅する増幅器と、前記コンデンサ部の第2の電極に接続されるコンデンサ電極端子と、前記増幅器に接続される電圧供給端子と、接地端子と、前記増幅器からの出力端子とを備えたマイクロホン装置であって、前記コンデンサ部の前記第1および第2の電極は、前記半導体基板と同一導電型であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、マイクロホン装置にかかり、特にマイクロホン装置のノイズの低減に関する。
エレクトレット・コンデンサ・マイクロホン(ECM)は、音波によるコンデンサの容量変化を電気信号として検出すると共に、半永久的な分極をもつエレクトレット膜を利用することにより、コンデンサの直流バイアスを不要とした、小型の音響電気変換装置であるが、近年、機械部品を組立てるのではなく、シリコン基板をマイクロ加工して、超小型のコンデンサマイクロホンを形成する技術が提案されている(例えば、特許文献1)。
いわゆるMEMS(微小電気機械システム)素子の製造技術を用いて製造されるシリコンのコンデンサマイクロホンは、「シリコンマイクロホン(あるいは、シリコンマイク)」と呼ばれており、小型化、薄型化が進む携帯電話端末等に搭載するためのECMの製造技術として注目されている(例えば、特許文献1参照)。
ここで、シリコンマイクロホンは、半導体プロセス技術を用いて、シリコン基板を加工することにより製造されるものであるため、通常、シリコン基板を出発材料とし、薄膜プロセスによって形成される。
図6は、MEMSマイクロホンMの一例を示している。このMEMSマイクロホンMはシリコン基板上に、半導体製造技術を用いて多数のマイクロホンチップが同時に作りこまれ、最終的に個々に分割されて形成される。図6は、分割された1つのマイクロホンチップの側面図を示している。このMEMSマイクロホンMは、例えばp型のシリコン基板21上に、第1の絶縁層22を介して、振動膜電極23とエレクトレット膜24とを有しており、また、その上に、第2の絶縁層25を介して、音孔27が形成された固定電極26を有している。また、振動膜電極23の背面には、シリコン基板21をエッチングして、背気室28が形成されている。
振動膜電極23は、nドープにより導電性をもたせたポリシリコンで形成され、エレクトレット膜24は、窒化シリコン膜やシリコン酸化膜で形成され、また、固定電極26は、nドープにより導電性をもたせたポリシリコンとシリコン酸化膜やシリコン窒化膜とを積層して形成されている。
このMEMSマイクロホンMでは、振動膜電極23が音圧によって振動すると、振動膜電極23と固定電極26とで構成される平板コンデンサの静電容量が変化し、電圧変化として取り出される。
ところで、マイクロホンやスピーカの製造現場では、感度が極めて重要な課題となっているが、本発明者らは種々の検証の結果、蛍光灯の定常的な瞬き(瞬きは商用周波数の2倍の周波数となることは公に知られている)のなかにおかれたMEMSマイクロホンが、ノイズを拾っていることを発見した。これは、商用周波数の2倍の周波数で、周期的な出力であり、蛍光灯がまたたく光を検出したものであることがわかった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、上記発見に着目し、光に起因するノイズを低減し、信頼性の高いMEMSマイクロホン、すなわち音響センサを提供することを目的とする。
そこで本発明は、半導体基板上に、第1の電極としての振動膜と、前記振動膜に固着された誘電体膜と、前記第1の電極に対向して配設された第2の電極とを具備したコンデンサ部と、前記コンデンサ部の前記第1の電極に接続され、前記コンデンサ部からの信号を増幅する増幅器と、前記コンデンサ部の第2の電極に接続されるコンデンサ電極端子と、前記増幅器に接続される電圧供給端子と、接地端子と、前記増幅器からの出力端子とを備えたマイクロホン装置であって、前記コンデンサ部の前記第1および第2の電極は、前記半導体基板と同一導電型であることを特徴とする。
本発明者らは、上述したように、コンデンサ部の出力が、蛍光灯の瞬きと同じ周波数の信号出力を含むという発見に着目し、考察を行なった結果、第1の電極と第2の電極との間の静電容量の変化を検出するコンデンサ部の出力として、音・振動・圧力に起因する信号(以下音響信号とする)に起因する振動による機械電気変換出力に加え、光信号に起因する光電変換出力を検知しているのではないかという見識を得た。そこで、種々の実験を行い、光に対しては発音しないLED光で、LEDのオンオフ変調に完全に同期した信号を確認することで、音に対しては、発光しないスピーカーの音に対応した信号を確認し、1つのセンサの一つの出力信号線上に、光と音に対応する信号が得られることを見出した。
そこで本発明では、コンデンサ部の前記第1および第2の電極は、半導体基板と同一導電型をとるように構成することで、PN接合の存在によって取り出される、光信号に起因する光電変換出力を抑制するようにしたものである。
従って上記構成によれば、コンデンサ部の前記第1および第2の電極は、半導体基板と同一導電型をとるように構成することで、光信号に起因する光電変換出力を抑制し、低ノイズ化を図ることができる。
従って上記構成によれば、コンデンサ部の前記第1および第2の電極は、半導体基板と同一導電型をとるように構成することで、光信号に起因する光電変換出力を抑制し、低ノイズ化を図ることができる。
また本発明は、上記マイクロホン装置において、前記コンデンサ部、前記増幅器は、容器内に収納され、前記電圧供給端子と、前記出力端子と前記コンデンサ電極端子と前記接地端子が、前記容器から導出されたものを含む。
また本発明は、上記マイクロホン装置において、前記コンデンサ部、増幅器は、同一の基板の第1の面上に搭載され、前記コンデンサ電極端子、前記電圧供給端子、前記接地端子および前記出力端子が、前記基板の第2の面に、面実装端子として配設されたものを含む。
また、上記マイクロホン装置において、前記コンデンサ部の第2の電極に接続されるコンデンサ電極端子と接地端子とが、内部または外部で接続されているものを含む。
また本発明は、上記マイクロホン装置において、前記コンデンサ部は、MEMSマイクロホンで構成されたものを含む。
また本発明は、上記複マイクロホン装置において、前記MEMSマイクロホンのシリコン基板は第1導電型のシリコン基板で構成されたものを含む。
種々の実験結果から、n型のシリコン基板をMEMSプロセスにより形状加工し、電極としてnドープのポリシリコン層を用いた場合に、ノイズの低減をはかることができることがわかった。またさらに実験を進めた結果、これは第1導電型のシリコン基板を出発材料として、電極が同一導電型すなわち第1導電型のシリコンで構成されている場合に有効であることもわかった。
種々の実験結果から、n型のシリコン基板をMEMSプロセスにより形状加工し、電極としてnドープのポリシリコン層を用いた場合に、ノイズの低減をはかることができることがわかった。またさらに実験を進めた結果、これは第1導電型のシリコン基板を出発材料として、電極が同一導電型すなわち第1導電型のシリコンで構成されている場合に有効であることもわかった。
本発明のマイクロホン装置によれば、ノイズの低減をはかり、小型でかつ高感度の出力を得ることができる。
以下本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態におけるマイクロホン装置の装置構成を示す概略図である。
本実施の形態マイクロホン装置10は、図1に示すように、n型のシリコン基板を形状加工するとともにnドープのポリシリコンで電極を形成したコンデンサ部を構成するMEMSマイクロホンチップMで構成されたことを特徴とする。そして、このMEMSマイクロホンチップMの第2の電極に接続されるコンデンサ電極端子と、接地端子とを、別途導出し、これらコンデンサ電極端子と、接地端子との間に所望の電圧を印加することで、感度調整が可能なように構成されている。
図1は、本発明の実施の形態におけるマイクロホン装置の装置構成を示す概略図である。
本実施の形態マイクロホン装置10は、図1に示すように、n型のシリコン基板を形状加工するとともにnドープのポリシリコンで電極を形成したコンデンサ部を構成するMEMSマイクロホンチップMで構成されたことを特徴とする。そして、このMEMSマイクロホンチップMの第2の電極に接続されるコンデンサ電極端子と、接地端子とを、別途導出し、これらコンデンサ電極端子と、接地端子との間に所望の電圧を印加することで、感度調整が可能なように構成されている。
このマイクロホン装置は、図2にこのマイクロホン装置の構成図、図3(a)乃至(c)にマイクロホン装置の上面図、側面図および下面図、図4(a)および(b)にこのマイクロホン装置の内部構成を示す上面図および断面図、図5に電極端子の接続例、図6にMEMSチップの断面図を示すように、n型のシリコン基板を形状加工するとともにnドープのポリシリコンで電極を形成したコンデンサ部を構成するMEMSマイクロホン(チップ)Mとこれに接続され、増幅器を構成するCMOSアンプAとが実装用の回路基板100上に搭載され、メタルキャップ101で封止されたものである。このマイクロホン装置の等価回路図は、図2乃至4に示すようにコンデンサ部MとCMOSアンプAとが接続され、コンデンサ部の第2の電極であるコンデンサ電極端子Eiと、CMOSアンプAの接地端子EGとが、それぞれコンデンサ電極パッドPi、接地パッドPGとして独立して取り出されて、外部端子を構成している。詳細については後述するが、図2に示したようにコンデンサ電極端子Eiと、CMOSアンプAの接地端子EGとを別途取り出し、コンデンサ電極パッドPiと、接地パッドPGとの間に感度調整部の可変電圧VRで構成された感度制御電圧を接続して感度可変マイクロホンとして用いる。
また、図3に示すように、このマイクロホン装置はコンデンサ部の第2の電極であるコンデンサ電極端子Eiと、CMOSアンプAの接地端子EGとをマイクロホン装置内部たとえば自身の回路基板上で接続もしくは、実装時の相手側の回路基板で接続する構成をとることもできる。
この場合は、コンデンサ電極パッドPiと、接地パッドPGとの間に感度調整部の可変電圧VRで構成された感度制御電圧の替わりに、マイクロホンの誘電体膜を永久電荷を保持する膜とすることで、固定感度のマイクロホン装置を構成できる。
この場合は、コンデンサ電極パッドPiと、接地パッドPGとの間に感度調整部の可変電圧VRで構成された感度制御電圧の替わりに、マイクロホンの誘電体膜を永久電荷を保持する膜とすることで、固定感度のマイクロホン装置を構成できる。
すなわち本発明のマイクロホン装置は、図6に示すように、n型のシリコン基板で構成された支持部としての基台21に絶縁膜22としての酸化シリコン膜を介して形成された振動膜23であるnドープのポリシリコンからなる第1の電極と、この第1の電極に対向して配設された固定電極26としてのnドープのポリシリコンからなる第2の電極とを具備したマイクロホンで構成されたコンデンサ部と、前記コンデンサ部の前記第1の電極に接続され、前記コンデンサ部からの信号を増幅する増幅器Aとがメタルキャップ101からなる容器内に実装され、図3(a)乃至(c)にその外観図(上面図、側面図、下面図)を示すように、前記コンデンサ部の第2の電極に接続されるコンデンサ電極端子Eiと、前記増幅器Aに接続される電圧供給端子EVと、接地端子EGと、前記増幅器Aからの出力端子EOとが前記容器から導出され、回路基板100の裏面側にそれぞれパッド(コンデンサ電極パッドPiと、電圧供給パッドPVと、接地パッドPGと、前記増幅器(CMOSアンプ)Aからの出力パッドPOを形成している。
そしてこのマイクロホン装置の内部は、図3に示すように、コンデンサ部MとCMOSアンプAとが回路パターンを形成したプリント配線基板(回路基板)100上に実装され、メタルキャップ101で封止されており、この回路基板100の裏面側には上述した4つのパッドすなわち、コンデンサ電極パッドPiと、電圧供給パッドPVと、接地パッドPGと、出力パッドPOが形成されている。
このシリコンマイクロホン用チップMは、図6に示すように、n型のシリコン基板21と、酸化シリコン膜22を介してこの表面に形成されたnドープのポリシリコン膜からなり、コンデンサの一極として機能する第1の電極としての振動膜23と、エレクトレット膜(エレクトレット化対象の膜:無機誘電体膜)24としての酸化シリコン膜と、酸化シリコン膜からなるスペーサ部25と、コンデンサの他極として機能する固定電極26とシリコン基板21をエッチングすることで形成される背気室28とを有する。固定電極26には、複数の音孔(音波を振動膜23に導くための開口部)27が設けられている。なお、参照符号Gはエアギャップ、Hは電気的接続のためのコンタクトホールを示す。
また、固定電極26は、nドープにより導電性をもたせたポリシリコンとシリコン酸化膜やシリコン窒化膜とを積層して形成されている。
また、固定電極26は、nドープにより導電性をもたせたポリシリコンとシリコン酸化膜やシリコン窒化膜とを積層して形成されている。
マイクロホンを構成する振動膜23、固定電極26、無機誘電体膜24は、n型のシリコン基板21を出発材料とするシリコンの微細加工技術と、CMOS(相補型電界効果トランジスタ)の製造プロセス技術とを利用して製造され、いわゆるMEMS素子を構成する。
図7は蛍光灯の点灯有り時のMEMSマイクロホンの出力信号を測定した結果を示す図であり、図8はLED光のON/OFFによる出力を示す図である。図7において縦軸はSaudio室内の蛍光灯をつけた時の従来例および本発明のマイクロホンの出力電圧のスペクトラムを示す。図7においてAは従来例のマイクロホンの出力信号を示す。この図から、本発明のマイクロホンでは、Slight蛍光灯のフリッカー周波数に対して出力は見られないことがわかった。また、図7によれば従来のものは、蛍光灯のまたたき周波数である商用周波数の2倍の周波数に対応した周波数に信号が表れており顕著な光検出信号がみられる。
図8は光リモコンの信号発生に使用されるLED光のON/OFFによる出力であり、本発明のマイクロホン装置のLED光に対する信号出力Aは、従来品Bに比較して小さな信号となっている。これらの比較から、本発明によれば、蛍光灯の瞬きに起因するノイズを出力することなく、信頼性の高い出力信号を提供することが可能となる。
図8は光リモコンの信号発生に使用されるLED光のON/OFFによる出力であり、本発明のマイクロホン装置のLED光に対する信号出力Aは、従来品Bに比較して小さな信号となっている。これらの比較から、本発明によれば、蛍光灯の瞬きに起因するノイズを出力することなく、信頼性の高い出力信号を提供することが可能となる。
一方、音信号に対しては、図9は、感度制御電圧の極性と電圧の大きさを変えた場合の感度特性を示しており、可変電圧VRからなる電圧調整部を接続して、印加電圧を変化させた結果、感度を可変にすることができる。
したがって、完成後にこの電圧制御によって感度ばらつきを調整することも可能となる。また、使用時に感度を変更したい場合にも電圧制御のみで極めて容易に所望の感度を得ることができる。
また、感度周波数特性は図10に示すように、マイクロホンとしての十分な特性となっている。
したがって、完成後にこの電圧制御によって感度ばらつきを調整することも可能となる。また、使用時に感度を変更したい場合にも電圧制御のみで極めて容易に所望の感度を得ることができる。
また、感度周波数特性は図10に示すように、マイクロホンとしての十分な特性となっている。
ここで本実施の形態によれば、図6に示すように例えばn型のシリコン基板21と、この表面に形成された第1の電極23を構成するnドープのポリシリコン膜の間は膜厚700nm程度の酸化シリコン膜からなる絶縁膜22が形成されている。
これに対し従来のマイクロホン装置では、p型のシリコン基板が用いられていたためこの第1の電極23や約3μm程度の絶縁層25をはさんだ第2の電極26とpn型のシリコン基板21との間にはMOS構造が形成されると考えることができ、シリコン基板21側にはなんらかの形で、空乏層ができたものと考えられる。またたく蛍光灯やLEDのON/OFF光で空乏層の厚さが変調されると考えると、容量の変調がおこり、この光での容量変調は音で容量が変化して出力電圧が表れるのと同じことと考えられ、出力として光変調出力がえられるのではないかと推定される。従って、従来のマイクロホン装置からは、変調光に対応する出力と音入力に対する出力が同一出力線上に表れることになる。これに対し本実施形態のマイクロホン装置によれば、n型のシリコン基板を用いているためこのような光電変換に起因する光信号を抑制することが可能となる。
これに対し従来のマイクロホン装置では、p型のシリコン基板が用いられていたためこの第1の電極23や約3μm程度の絶縁層25をはさんだ第2の電極26とpn型のシリコン基板21との間にはMOS構造が形成されると考えることができ、シリコン基板21側にはなんらかの形で、空乏層ができたものと考えられる。またたく蛍光灯やLEDのON/OFF光で空乏層の厚さが変調されると考えると、容量の変調がおこり、この光での容量変調は音で容量が変化して出力電圧が表れるのと同じことと考えられ、出力として光変調出力がえられるのではないかと推定される。従って、従来のマイクロホン装置からは、変調光に対応する出力と音入力に対する出力が同一出力線上に表れることになる。これに対し本実施形態のマイクロホン装置によれば、n型のシリコン基板を用いているためこのような光電変換に起因する光信号を抑制することが可能となる。
このマイクロホン装置を用いて、高精度の音響信号を出力できるようにすることができる。
なお、前記実施の形態では、n型のシリコン基板に電極としてnドープのポリシリコン層を用いた場合に特に光信号に起因するノイズの低減をはかることができた。また、逆にp型のシリコン基板に電極としてpドープのポリシリコン層を用いた場合にも光信号の低減をはかることができた。これらを構成するシリコンの結晶型については特にこの組み合わせに限定されるものではなく、アモルファスシリコン、μクリスタルシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンおよびこれらの組み合わせから選択可能である。
また、前記実施の形態では、基板と第1の電極とが同一導電型である場合について説明したが、基板と第2の電極、あるいは第1の電極と第2の電極とが逆導電型である場合についても、ノイズを検出することがあり、すべてが同一導電方であることが望ましい。
また、前記実施の形態では、DCバイアスタイプのMEMSマイクロホン装置を用いた場合について説明したが、本発明は、その他、エレクトレットタイプの静電型電気音響変換器を対象とすることも可能である。
本発明のマイクロホン装置によれば、光信号を低減することができるため、小型でかつ信頼性が高いことから、エレクトレットコンデンサマイクロホン装置などに広く用いることができる。
10 マイクロホン装置
21 シリコン基板
22 絶縁層
23 振動膜電極
24 エレクトレット膜
25 第2の絶縁層
26 固定電極
27 音孔
28 背気室
M MEMSマイクロホン
21 シリコン基板
22 絶縁層
23 振動膜電極
24 エレクトレット膜
25 第2の絶縁層
26 固定電極
27 音孔
28 背気室
M MEMSマイクロホン
Claims (5)
- 半導体基板上に、第1の電極としての振動膜と、前記振動膜に固着された誘電体膜と、前記第1の電極に対向して配設された第2の電極とを具備したコンデンサ部と、
前記コンデンサ部の前記第1の電極に接続され、前記コンデンサ部からの信号を増幅する増幅器と、
前記コンデンサ部の第2の電極に接続されるコンデンサ電極端子と、前記増幅器に接続される電圧供給端子と、接地端子と、前記増幅器からの出力端子とを備えたマイクロホン装置であって、
前記コンデンサ部の前記第1および第2の電極は、前記半導体基板と同一導電型であるマイクロホン装置。 - 請求項1に記載のマイクロホン装置であって、
前記コンデンサ部、前記増幅器は、容器内に収納され、
前記電圧供給端子と、前記出力端子と前記コンデンサ電極端子と前記接地端子が、前記容器から導出されたマイクロホン装置。 - 請求項1または2に記載のマイクロホン装置であって、
前記コンデンサ部、増幅器は、同一の基板の第1の面上に搭載され、
前記コンデンサ電極端子、前記電圧供給端子、前記接地端子および前記出力端子が、前記基板の第2の面に、面実装端子として配設されたマイクロホン装置。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載のマイクロホン装置であって、
前記コンデンサ部は、MEMSマイクロホンで構成されたマイクロホン装置。 - 請求項4に記載のマイクロホン装置であって、
前記MEMSマイクロホンは第1導電型のシリコン基板で構成されたマイクロホン装置。
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