JP2009231774A - 電極構造、及び電子デバイス - Google Patents
電極構造、及び電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009231774A JP2009231774A JP2008078662A JP2008078662A JP2009231774A JP 2009231774 A JP2009231774 A JP 2009231774A JP 2008078662 A JP2008078662 A JP 2008078662A JP 2008078662 A JP2008078662 A JP 2008078662A JP 2009231774 A JP2009231774 A JP 2009231774A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- substrate
- external connection
- electrode structure
- conductive pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】電子デバイスは、基板21の一主面側に凹部21aと第一の絶縁層22が設けられ、第一の絶縁層22の表面には、実装端子23a、23bの上に圧電振動片3が実装されている。基板21の下面に形成された第三の絶縁層26は、外部接続端子27a、27b直下を除いた領域の厚みが、直下の厚みよりも相対的に薄く形成されている。外部接続端子27a、27b直下においては、第三の絶縁層26が厚く形成されていることから、外部接続端子27a、27bとその周辺に存在する他の導電パターンとの間に発生する不要な静電容量(寄生容量)が減少し、他の領域においては、第三の絶縁層26が相対的に薄く形成されていることから、第三の絶縁層26の内部応力による基板21の反りが最小限に抑えられる。
【選択図】図1
Description
1a 凹部
1b 壁部
2 第一の絶縁層
3 圧電振動片
4a 実装端子
4b 実装端子
5a 貫通電極
5b 貫通電極
6 第二の絶縁層
7 第三の絶縁層
8a 外部接続端子
8b 外部接続端子
9 引回し配線
10a 接続電極
10b 接続電極
11 蓋部材
21 基板
21a 凹部
21b 壁部
22 第一の絶縁層
23a 実装端子
23b 実装端子
24a 貫通電極
24b 貫通電極
25 第二の絶縁層
26 第三の絶縁層
27a 外部接続端子
27b 外部接続端子
28 引回し配線
29a 接続電極
29b 接続電極
30 導電層
31 レジストパターン
32 貫通孔
33 導電層
34 レジストパターン
Claims (3)
- 基板の表面に絶縁層を介して導電パターンが形成された電極構造であって、
前記絶縁層は、前記導電パターン直下を除いた領域の少なくとも一部に、前記導電パターン直下の厚みよりも相対的に薄く形成された領域を有することを特徴とする電極構造。 - 基板の表面に絶縁層を介して導電パターンが形成された電極構造であって、
前記絶縁層は、前記導電パターン直下を除いた領域の少なくとも一部に、非形成領域を有することを特徴とする電極構造。 - 請求項1、又は2に記載の電極構造を備えた基板上に、前記電極構造の導電パターンと電気的に接続されるように電子部品を実装して成ることを特徴とする電子デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008078662A JP5301182B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | 電極構造、及び電子デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008078662A JP5301182B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | 電極構造、及び電子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009231774A true JP2009231774A (ja) | 2009-10-08 |
JP5301182B2 JP5301182B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=41246797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008078662A Active JP5301182B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | 電極構造、及び電子デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5301182B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111510104A (zh) * | 2019-01-31 | 2020-08-07 | 精工爱普生株式会社 | 振动器件、振动模块以及电子设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000134054A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Tokyo Denpa Co Ltd | 圧電体用気密容器 |
JP2005129600A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Seiko Epson Corp | 金属パッケージ及びその製造方法、並びに電子デバイス |
JP2006279872A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子及びその製造方法並びにその圧電振動子を用いた圧電発振器の製造方法 |
JP2007048931A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器 |
-
2008
- 2008-03-25 JP JP2008078662A patent/JP5301182B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000134054A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Tokyo Denpa Co Ltd | 圧電体用気密容器 |
JP2005129600A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Seiko Epson Corp | 金属パッケージ及びその製造方法、並びに電子デバイス |
JP2006279872A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子及びその製造方法並びにその圧電振動子を用いた圧電発振器の製造方法 |
JP2007048931A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111510104A (zh) * | 2019-01-31 | 2020-08-07 | 精工爱普生株式会社 | 振动器件、振动模块以及电子设备 |
JP2020123928A (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-13 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、振動モジュール、電子機器および振動デバイスの製造方法 |
JP7238438B2 (ja) | 2019-01-31 | 2023-03-14 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、振動モジュールおよび振動デバイスの製造方法 |
US11699984B2 (en) | 2019-01-31 | 2023-07-11 | Seiko Epson Corporation | Vibrator device, vibrator module, and electronic apparatus |
CN111510104B (zh) * | 2019-01-31 | 2023-10-20 | 精工爱普生株式会社 | 振动器件、振动模块以及电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5301182B2 (ja) | 2013-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4380718B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8275158B2 (en) | Piezoelectric micro speaker | |
CN112039456B (zh) | 体声波谐振器的封装方法及封装结构 | |
JP2006310726A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008060382A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP5423572B2 (ja) | 配線基板、圧電発振器、ジャイロセンサー、配線基板の製造方法 | |
JP2008304218A (ja) | 加速度センサおよびその製造方法 | |
JP4403977B2 (ja) | 機能素子体及びその製造方法並びに回路モジュール | |
JP2008005088A (ja) | 圧電振動子用パッケージおよび圧電振動子、圧電発振器 | |
JP6724546B2 (ja) | 電子部品パッケージ | |
JP5301182B2 (ja) | 電極構造、及び電子デバイス | |
JP5230330B2 (ja) | 圧電デバイス | |
JP4750586B2 (ja) | 半導体装置および電子装置並びにその製造方法 | |
JP2017108226A (ja) | トランスデューサ装置及びその製造方法 | |
KR101079429B1 (ko) | 디바이스 패키지 기판 및 그 제조 방법 | |
JP2008160322A (ja) | 薄膜圧電共振器及び半導体装置 | |
JP5026323B2 (ja) | 電子デバイス | |
JP5143688B2 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
JP2011238742A (ja) | 配線基板の製造方法及び配線基板 | |
JP2007142947A (ja) | 表面実装型圧電発振器 | |
US20150117680A1 (en) | Acoustic sensor | |
JP2011177846A (ja) | 電子装置 | |
JP2009225218A (ja) | 電極構造、電子デバイス、及び電極構造の製造方法 | |
JP2006156558A (ja) | 多数個取り配線基板、電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP2010225706A (ja) | 電子デバイス、及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130617 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130619 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5301182 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |