JP2009231759A - バックグラインド用基体フィルム及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】非晶性オレフィン及び/又はビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜60重量%、及びポリプロピレン系樹脂40〜100重量%を含むA層、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物15〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜85重量%を含むB層、並びに非晶性オレフィン及び/又はビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜60重量%、及びポリプロピレン系樹脂40〜100重量%を含むC層、を有し、A層/B層/C層の順で積層されてなるバックグラインド用基体フィルム、及びその製造方法に関する。
【選択図】なし
Description
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、次のA層/B層/C層を含む少なくとも3層からなり、特に3層のバックグラインド用基体フィルムが典型例として挙げられる。
II.バックグラインドフィルムの製法
本発明のバックグラインド方法は、バックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面(回路面)に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去する。
<原料>
実施例及び比較例において下記の原料を用いた。
・非晶性オレフィン:住友化学株式会社製 タフセレン
・スチレン−ブタジエンブロック共重合体水素添加物(SEBS):クレイトンポリマージャパン株式会社製 クレイトン MD6945、又は旭化成ケミカルズ株式会社製 S.O.E. SS9000
・スチレン−イソプロピレンブロック共重合体水素添加物(SIPS):クラレ株式会社製 ハイブラー 7311
・ポリプロピレン系樹脂:サンアロマー株式会社製 PC412A
・メタアクリル酸メチルエステル−スチレンブロック共重合体(MS):電気化学工業株式会社 TX100K
・メタアクリル酸メチル−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(MBS):電気化学工業株式会社 TH23T
・メタアクリル酸メチル−アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(MABS):電気化学工業株式会社 CL430
<反りの評価>
ウェハの代替として、常温(25℃)から50℃の温度域で、半導体ウェハと同程度に寸法安定性の良いポリイミド(PI)テープ(住友スリーエム株式会社製 スコッチポリイミドテープ No.5434、厚さ53μm)を使用した。
<ブロッキングの評価>
得られた基体フィルムの任意の場所から、たて100 mm×よこ30 mm(フィルムの流れ方向をたて方向、幅方向をよこ方向としてサンプルを切り出した)の大きさに測定用サンプルを2枚切り出した。2枚の測定用サンプルを、同一面(冷却ロールと接する面)同士がたて40 mm×よこ30 mm の面積で重なり合うようにし、この重なり合った測定用サンプルを2枚のガラス板で挟み、その上から、サンプルが重なり合っている部分に600 gの重りをのせた。これを40℃の恒温槽の中に入れ、7日間放置した。7日後、恒温槽より取り出したサンプルを、新東科学株式会社製剥離試験器(Peeling TESTER HEIDON−17)にセットし、引張り速度200 mm/minで、180度せん断剥離強度を測定し、4.9 N/10 mm以下であれば、ブロッキングなしとした。
非晶性オレフィン 20重量%及びポリプロピレン系樹脂 80重量%をドライブレンドし、これをA層用樹脂とした。SEBS 20重量%及びMBS 80重量%をドライブレンドし、これをB層用樹脂とした。非晶性オレフィン 20重量%及びポリプロピレン系樹脂 80重量%をドライブレンドし、これをC層用樹脂とした。
表1、2に記載の樹脂組成及び配合割合にすること以外は実施例1と同様に処理して、実施例2−16、比較例1〜3の3層の基体フィルムを得た。
Claims (5)
- 非晶性オレフィン及び/又はビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜60重量%、及びポリプロピレン系樹脂40〜100重量%を含むA層、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物15〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜85重量%を含むB層、並びに非晶性オレフィン及び/又はビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜60重量%、及びポリプロピレン系樹脂40〜100重量%を含むC層を有し、A層/B層/C層の順で積層されてなるバックグラインド用基体フィルム。
- 厚みが50〜300μmである請求項1に記載のバックグラインド用基体フィルム。
- 請求項1又は2に記載のバックグラインド用基体フィルムのA層の表面に粘着剤層及び離型フィルムを有するバックグラインドフィルム。
- 請求項3に記載のバックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面(回路面)に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、該半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去することを特徴とする半導体ウェハのバックグラインド方法。
- バックグラインド用基体フィルムの製造方法であって、非晶性オレフィン及び/又はビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜60重量%、及びポリプロピレン系樹脂40〜100重量%を含むA層用樹脂、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物15〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜85重量%を含むB層用樹脂、並びに非晶性オレフィン及び/又はビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜60重量%、及びポリプロピレン系樹脂40〜100重量%を含むC層用樹脂を、A層/B層/C層の順で共押出成形することを特徴とする製造方法。
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