JP2009231738A - Substrate film for back grinding and method of manufacturing the same - Google Patents
Substrate film for back grinding and method of manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009231738A JP2009231738A JP2008078254A JP2008078254A JP2009231738A JP 2009231738 A JP2009231738 A JP 2009231738A JP 2008078254 A JP2008078254 A JP 2008078254A JP 2008078254 A JP2008078254 A JP 2008078254A JP 2009231738 A JP2009231738 A JP 2009231738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- weight
- acrylic acid
- film
- meth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Adhesive Tapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体ウェハの裏面研削(以下、「バックグラインド」という)する際に、該半導体ウェハに貼着して使用される基体フィルムに関する。 The present invention relates to a base film that is used by being attached to a semiconductor wafer when the semiconductor wafer is back-ground (hereinafter referred to as “back grinding”).
半導体を製造する場合には、半導体ウェハの表面にイオン注入、エッチング等で回路を形成した後、ウェハを所定の厚さにするためにウェハの回路形成面とは反対の面をグラインダー等で研削するバックグラインド工程を経るのが一般的である。 When manufacturing a semiconductor, after forming a circuit on the surface of a semiconductor wafer by ion implantation, etching, etc., the surface opposite to the circuit formation surface of the wafer is ground with a grinder to make the wafer a predetermined thickness. In general, a back grinding process is performed.
この半導体ウェハのバックグラインド時に、半導体ウェハの破損を防止し、研削加工を容易にするため、半導体ウェハの回路形成面(表面)に裏面研削用表面保護フィルム(バッググラインドフィルム)を貼着して保護する方法がとられている。 In order to prevent damage to the semiconductor wafer and to facilitate grinding during back grinding of this semiconductor wafer, a surface protective film (bag grind film) for back grinding is attached to the circuit forming surface (front surface) of the semiconductor wafer. A way to protect is taken.
バッググラインドフィルムはバックグラインド時の摩擦熱により加熱され、バックグラインド終了後は常温まで冷却される。従来用いられているバッググラインドフィルムは、バックグラインド終了後の冷却過程で収縮するため半導体ウェハ側に反りが発生することが知られている。 The bag grind film is heated by frictional heat during back grinding, and is cooled to room temperature after the back grinding. Conventionally used bag grind films are known to warp on the semiconductor wafer side because they shrink in the cooling process after the back grind is completed.
近年、半導体ウェハの超薄型化(50μm以下)の進行により、バッググラインドフィルムの反りに追随して貼着された半導体ウェハにも反りが発生しやすくなり、ひいては半導体ウェハチップに欠けが発生するという問題が生じている(例えば、図1)。 In recent years, due to the progress of ultra-thin semiconductor wafers (less than 50 μm), the semiconductor wafer adhered following the warp of the bag grind film is likely to be warped, and the semiconductor wafer chip is chipped. (For example, FIG. 1).
そのため、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程で反りが生じにくい寸法安定性に優れるバッググラインドフィルムが望まれてきている。 Therefore, there has been a demand for a bag grind film excellent in dimensional stability in which warpage does not easily occur in a back grind process of a thin semiconductor wafer.
かかるウェハの反りの問題を解決するべく、特許文献1には、粘着剤層上にEVAフィルムをラミネートし、さらに粘着剤及びPETフィルムをラミネートして得られる半導体ウェハ加工用保護シートが提案されている(実施例1等)。 In order to solve the problem of warping of the wafer, Patent Document 1 proposes a protective sheet for processing a semiconductor wafer obtained by laminating an EVA film on an adhesive layer and further laminating an adhesive and a PET film. (Example 1).
また、特許文献2には、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン系共重合体からなる基材フィルムの方表面に粘着剤を塗布した半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムが提案されている(請求の範囲、実施例1等)。 Patent Document 2 proposes a pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer, in which a pressure-sensitive adhesive is applied to the surface of a base film made of a polyolefin-based copolymer such as an ethylene-vinyl acetate copolymer. Range, Example 1 etc.).
また、特許文献3には、ジエン系ブロック重合体の水素添加物及び極性基変性オレフィン系重合体から選ばれる少なくとも1種を含むエラストマーからなるバックグラインドテープが記載されている。
本発明は、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくい優れた寸法安定性を有するバッググラインド用基体フィルム及びバックグラインドフィルムを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a base film for bag grind and a back grind film having excellent dimensional stability in which warpage of the semiconductor wafer hardly occurs in a back grind process of a thin semiconductor wafer.
本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意研究を行った結果、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体をそれぞれ所定割合含む、A層/B層/C層からなるバックグラインド用基体フィルムが、バックグラインド工程において寸法安定性に優れることを見いだした。かかる知見に基づき、さらに研究を重ねて本発明を完成するに至った。 As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventor has found that a hydrogenated vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer and a (meth) acrylic acid alkyl ester-based polymer, respectively. It has been found that a base film for back grinding composed of A layer / B layer / C layer containing a predetermined ratio is excellent in dimensional stability in the back grinding process. Based on this knowledge, further studies have been made and the present invention has been completed.
即ち、本発明は下記のバックグラインド用基体フィルム及びその製造方法を提供する。 That is, the present invention provides the following backgrind base film and method for producing the same.
項1. ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜80重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体20〜100重量%を含むA層、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物50〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜50重量%を含むB層、並びにゴム弾性を有する熱可塑性樹脂を含むC層を有し、A層/B層/C層の順で積層されてなるバックグラインド用基体フィルム。 Item 1. Layer A containing a vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer hydrogenated product of 0 to 80% by weight and a (meth) acrylic acid alkyl ester polymer of 20 to 100% by weight, vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated B layer containing 50-100% by weight of hydrogenated diene hydrocarbon copolymer and 0-50% by weight of (meth) acrylic acid alkyl ester polymer, and C layer containing thermoplastic resin having rubber elasticity And a base film for back grinding which is laminated in the order of A layer / B layer / C layer.
項2. ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜80重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体20〜100重量%を含むA層、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物50〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜50重量%を含むB層、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜20重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体80〜100重量%を含むA’層を有し、A層/B層/A’層の順で積層されてなるバックグラインド用基体フィルム。 Item 2. Layer A containing a vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer hydrogenated product of 0 to 80% by weight and a (meth) acrylic acid alkyl ester polymer of 20 to 100% by weight, vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated B layer containing 50 to 100% by weight of hydrogenated diene hydrocarbon copolymer and 0 to 50% by weight of (meth) acrylic acid alkyl ester polymer, and vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer A ′ layer containing 0 to 20% by weight of the hydrogenated product and 80 to 100% by weight of the (meth) acrylic acid alkyl ester polymer, and is laminated in the order of A layer / B layer / A ′ layer. Base film for back grinding.
項3. 厚みが50〜300μmである項1又は2に記載のバックグラインド用基体フィルム。 Item 3. Item 3. The substrate film for back grinding according to Item 1 or 2, wherein the thickness is 50 to 300 μm.
項4. 項1又は2に記載のバックグラインド用基体フィルムの表面に粘着剤層及び離型フィルムを有するバックグラインドフィルム。 Item 4. Item 3. A back grind film having a pressure-sensitive adhesive layer and a release film on the surface of the back grind substrate film according to item 1 or 2.
項5. 項3に記載のバックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面(回路面)に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去することを特徴とする半導体ウェハのバックグラインド方法。 Item 5. A back grind film according to Item 3, which is adhered to the front surface (circuit surface) of a semiconductor wafer, the back surface of the semiconductor wafer is ground, and the back grind film is removed from the semiconductor wafer. Method.
項6. バックグラインド用基体フィルムの製造方法であって、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜80重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体20〜100重量%を含むA層用樹脂、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物50〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜50重量%を含むB層用樹脂、並びにゴム弾性を有する熱可塑性樹脂を含むC層用樹脂を、A層/B層/C層の順で共押出成形することを特徴とする製造方法。 Item 6. A method for producing a base film for backgrinding comprising 0 to 80% by weight of a hydrogenated vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer and 20 to 100% by weight of a (meth) acrylic acid alkyl ester polymer. A resin for layer A containing 50% by weight of hydrogenated vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer and 0-50% by weight of (meth) acrylic acid alkyl ester polymer A production method comprising coextruding a resin for a C layer containing a resin and a thermoplastic resin having rubber elasticity in the order of A layer / B layer / C layer.
項7. バックグラインド用基体フィルムの製造方法であって、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜80重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体20〜100重量%を含むA層用樹脂、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物50〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜50重量%を含むB層用樹脂、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜20重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体80〜100重量%を含むA’層用樹脂を、A層/B層/A’層の順で共押出成形することを特徴とする製造方法。 Item 7. A method for producing a base film for backgrinding comprising 0 to 80% by weight of a hydrogenated vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer and 20 to 100% by weight of a (meth) acrylic acid alkyl ester polymer. A resin for layer A containing 50% by weight of hydrogenated vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer and 0-50% by weight of (meth) acrylic acid alkyl ester polymer A resin for A ′ layer containing 0 to 20 wt% of a hydrogenated product of a vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer and 80 to 100 wt% of a (meth) acrylic acid alkyl ester polymer, A production method comprising co-extrusion molding in the order of A layer / B layer / A ′ layer.
本発明のバッググラインド用基体フィルムは、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくく寸法安定性に優れている。また、基体フィルム巻き取り時におけるブロッキングを効果的に抑制することができる。 The base film for bag grinding according to the present invention is excellent in dimensional stability because the semiconductor wafer is hardly warped in the back grinding process of a thin semiconductor wafer. Moreover, blocking at the time of winding the base film can be effectively suppressed.
I.バックグラインドフィルム
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、次のA層/B層/C層を含む少なくとも3層からなるフィルム、及びA層/B層/A’層を含む少なくとも3層からからなるフィルムである。
(1)A層/B層/C層を含むバックグラインドフィルム
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、次のA層/B層/C層を含む少なくとも3層からなり、特に3層のバックグラインド用基体フィルムが典型例として挙げられる。
I. Backgrind Film The substrate film for backgrind of the present invention comprises a film comprising at least three layers including the following A layer / B layer / C layer, and at least three layers including A layer / B layer / A ′ layer. It is a film.
(1) Back Grind Film Containing A Layer / B Layer / C Layer The substrate film for back grind of the present invention comprises at least three layers including the following A layer / B layer / C layer, and particularly a three-layer back grind film. A substrate film for use is a typical example.
ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜80重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体20〜100重量%を含むA層、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物50〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜50重量%を含むB層、並びにゴム弾性を有する熱可塑性樹脂を含むC層を有し、A層/B層/C層の順で積層されてなるバックグラインド用基体フィルムが挙げられる。ここで、(メタ)アクリル酸とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味する。 Layer A containing a vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer hydrogenated product of 0 to 80% by weight and a (meth) acrylic acid alkyl ester polymer of 20 to 100% by weight, vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated B layer containing 50-100% by weight of hydrogenated diene hydrocarbon copolymer and 0-50% by weight of (meth) acrylic acid alkyl ester polymer, and C layer containing thermoplastic resin having rubber elasticity And a base film for back grinding, which is laminated in the order of A layer / B layer / C layer. Here, (meth) acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid.
このバックグラインド用基体フィルムは、バックグラインド工程において発生する熱に対し高い寸法安定性を有し、半導体ウェハの反りを抑制することができる。しかも、該基体フィルムをロール状に巻き取った場合でもブロッキングの発生を抑えることができる。 This base film for back grinding has high dimensional stability against heat generated in the back grinding process, and can suppress warping of the semiconductor wafer. Moreover, the occurrence of blocking can be suppressed even when the substrate film is rolled up.
ここで、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物とは、ビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体を水素添加した化合物である。該化合物は市販されているか、或いは公知の方法により容易に製造ですることができる。ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体は、ランダム、ブロックのいずれでもよいが、好ましくはブロックである。 Here, the hydrogenated vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer is a compound obtained by hydrogenating a copolymer of vinyl aromatic hydrocarbon and conjugated diene hydrocarbon. The compound is commercially available or can be easily produced by a known method. The vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer may be either random or block, but is preferably a block.
ビニル芳香族炭化水素としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、1,1−ジフェニルエチレン、N,N−ジメチル−p−アミノエチルスチレン、N,N−ジエチル−p−アミノエチルスチレン等があげられ、これらは一種のみならず二種以上を使用してもよい。特にスチレンが好適である。 Examples of the vinyl aromatic hydrocarbon include styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene, divinylbenzene, 1,1-diphenylethylene, N, N-dimethyl-p-aminoethylstyrene, N, N-diethyl- Examples thereof include p-aminoethylstyrene, and these may be used alone or in combination of two or more. Styrene is particularly preferred.
共役ジエン炭化水素とは、1対の共役二重結合を有するジオレフィンであり、例えば1,3−ブタジエン、2−メチル−1,3−ブタジエン(イソプレン)、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、1,3−ペンタジエン、2−メチル−1,3−ペンタジエン、1,3−ヘキサジエンなどであるが、特に一般的なものとしては1,3−ブタジエン、イソプレンが挙げられる。これらは一種のみならず二種以上を使用してもよい。特にブタジエンが好適である。 The conjugated diene hydrocarbon is a diolefin having a pair of conjugated double bonds, such as 1,3-butadiene, 2-methyl-1,3-butadiene (isoprene), 2,3-dimethyl-1,3. -Butadiene, 1,3-pentadiene, 2-methyl-1,3-pentadiene, 1,3-hexadiene and the like, and particularly common ones include 1,3-butadiene and isoprene. These may be used alone or in combination of two or more. In particular, butadiene is preferred.
ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物におけるビニル芳香族炭化水素単位の含有量は、通常8〜75重量%、好ましくは10〜70重量%であり、また、共役ジエン炭化水素単位の含有量は、通常25〜92重量%、好ましくは20〜90重量%である。スチレン系単量体単位の含有量は、紫外分光光度計又は核磁気共鳴装置(NMR)を用いて、ジエン系単量体単位の含有量は、核磁気共鳴装置(NMR)を用いて測定することができる。 The content of vinyl aromatic hydrocarbon units in the hydrogenated vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer is usually 8 to 75% by weight, preferably 10 to 70% by weight. The content of hydrocarbon units is usually 25 to 92% by weight, preferably 20 to 90% by weight. The content of styrene monomer units is measured using an ultraviolet spectrophotometer or a nuclear magnetic resonance apparatus (NMR), and the content of diene monomer units is measured using a nuclear magnetic resonance apparatus (NMR). be able to.
ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物の硬度(JIS K6253 デュロメータータイプA)は40〜90程度、好ましくは、55〜85程度である。その比重(ASTM D297)は0.85〜1.0程度であり、MFR(ASTM D1238:230℃、21.2N)は2〜6g/10min程度である。 The hardness (JIS K6253 durometer type A) of the hydrogenated vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer is about 40 to 90, preferably about 55 to 85. Its specific gravity (ASTM D297) is about 0.85 to 1.0, and MFR (ASTM D1238: 230 ° C., 21.2 N) is about 2 to 6 g / 10 min.
ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物の重量平均分子量(Mw)は、例えば、10万〜50万程度、好ましくは15万〜30万程度であればよい。重量平均分子量は、市販の標準ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いて測定できる。 The weight average molecular weight (Mw) of the hydrogenated vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer may be, for example, about 100,000 to 500,000, preferably about 150,000 to 300,000. The weight average molecular weight can be measured using commercially available standard gel permeation chromatography (GPC).
使用するビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物は、共役ジエン炭化水素に由来の二重結合を、公知の方法により水素添加(例えば、ニッケル触媒等)して飽和にしておくのがよい。これにより、耐熱性、耐薬品性、耐久性等に優れたより安定な樹脂になるからである。そのビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物の水添率は、共重合体中の共役ジエン炭化水素に基づく二重結合の85%以上、好ましくは90%以上、より好ましくは95%以上である。この水添率は、核磁気共鳴装置(NMR)を用いて測定できる。 The hydrogenated vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer used is saturated by hydrogenating a double bond derived from the conjugated diene hydrocarbon by a known method (for example, nickel catalyst). It is good to keep. This is because it becomes a more stable resin excellent in heat resistance, chemical resistance, durability and the like. The hydrogenation rate of the hydrogenated product of the vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer is 85% or more of the double bond based on the conjugated diene hydrocarbon in the copolymer, preferably 90% or more. Preferably it is 95% or more. This hydrogenation rate can be measured using a nuclear magnetic resonance apparatus (NMR).
また、(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体としては、(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体とスチレン系単量体、さらに必要に応じジエン系単量体、アクリロニトリル系単量体等からなる共重合体が挙げられる。 In addition, (meth) acrylic acid alkyl ester polymers include (meth) acrylic acid alkyl ester monomers and styrene monomers, and diene monomers and acrylonitrile monomers as required. And a copolymer.
(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体としては、(メタ)アクリル酸のアルキルエステルであり、該アルキルは一般に炭素数1〜5のアルキル(特に、メチル、エチル等)であり、炭素数が大きくなる程該重合体の硬度は低下する傾向にある。(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体の具体例としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル等が挙げられる。 The (meth) acrylic acid alkyl ester monomer is an alkyl ester of (meth) acrylic acid, and the alkyl is generally an alkyl having 1 to 5 carbon atoms (particularly methyl, ethyl, etc.), and has a carbon number. As the value increases, the hardness of the polymer tends to decrease. Specific examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester monomer include, for example, methyl acrylate, ethyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate and the like.
ジエン系単量体としては、1対の共役二重結合を有するジオレフィンが挙げられ、例えば1,3−ブタジエン、2−メチル−1,3−ブタジエン(イソプレン)、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、1,3−ペンタジエン、2−メチル−1,3−ペンタジエン、1,3−ヘキサジエンなどであるが、特に一般的なものとしては1,3−ブタジエン、イソプレンが挙げられる。これらは一種のみならず二種以上を使用してもよい。特にブタジエンが好適である。 Examples of the diene monomer include diolefins having a pair of conjugated double bonds, such as 1,3-butadiene, 2-methyl-1,3-butadiene (isoprene), and 2,3-dimethyl-1. 1,3-butadiene, 1,3-pentadiene, 2-methyl-1,3-pentadiene, 1,3-hexadiene, etc., with 1,3-butadiene and isoprene being particularly common. These may be used alone or in combination of two or more. In particular, butadiene is preferred.
スチレン系単量体は、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、1,1−ジフェニルエチレン、N,N−ジメチル−p−アミノエチルスチレン、N,N−ジエチル−p−アミノエチルスチレン等があげられ、これらは一種のみならず二種以上を使用してもよい。特にスチレンが好適である。 Examples of styrene monomers include styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene, divinylbenzene, 1,1-diphenylethylene, N, N-dimethyl-p-aminoethylstyrene, N, N-diethyl-p. -Aminoethylstyrene etc. are mention | raise | lifted and these may use not only 1 type but 2 or more types. Styrene is particularly preferred.
具体的なメタアクリル酸アルキルエステル系重合体としては、例えば、メタアクリル酸アルキルエステル系単量体単位と、スチレン系単量体単位とからなる共重合体(MS2元共重合体)が挙げられ、好ましくは(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体単位40〜60重量%(特に50〜60重量%)と、スチレン系単量体単位40〜60重量%(特に40〜50重量%)とからなる共重合体が挙げられる。 Specific examples of the methacrylic acid alkyl ester polymer include a copolymer (MS binary copolymer) composed of a methacrylic acid alkyl ester monomer unit and a styrene monomer unit. Preferably, (meth) acrylic acid alkyl ester monomer units are 40 to 60% by weight (especially 50 to 60% by weight) and styrene monomer units are 40 to 60% by weight (especially 40 to 50% by weight). The copolymer which consists of is mentioned.
MS2元共重合体は硬質樹脂であり、その硬度(JIS K6253 デュロメータータイプD)は、70〜90程度、好ましくは、80〜90である。その比重(ASTM D297)は1.10〜1.12程度であり、MFR(ASTM D1238:230℃、21.2N)は1.0〜5.0g/10min程度であり、ガラス転移温度(Tg)は、示差走査熱量測定法(DSC法)により測定した値で85〜105℃程度、好ましくは、90〜100℃程度である。また、MS2元樹脂の重量平均分子量(Mw)は、10万〜40万程度、好ましくは10万〜20万程度である。測定は、GPC法による。 The MS binary copolymer is a hard resin, and its hardness (JIS K6253 durometer type D) is about 70 to 90, preferably 80 to 90. Its specific gravity (ASTM D297) is about 1.10 to 1.12, MFR (ASTM D1238: 230 ° C., 21.2 N) is about 1.0 to 5.0 g / 10 min, and glass transition temperature (Tg) Is a value measured by a differential scanning calorimetry (DSC method) of about 85 to 105 ° C, preferably about 90 to 100 ° C. The weight average molecular weight (Mw) of the MS binary resin is about 100,000 to 400,000, preferably about 100,000 to 200,000. The measurement is based on the GPC method.
また、(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体単位と、ジエン系単量体単位と、スチレン系単量体単位とからなる共重合体(MBS3元共重合体)が挙げられ、好ましくは(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体単位30〜62重量%(特に30〜40重量%)と、ジエン系単量体単位3〜35重量%(特に10〜20重量%)と、スチレン系単量体単位35〜67重量%(特に40〜60重量%)とからなる共重合体が挙げられる。 Moreover, the copolymer (MBS ternary copolymer) which consists of a (meth) acrylic-acid alkylester monomer unit, a diene monomer unit, and a styrene monomer unit is mentioned, Preferably ( 30 to 62% by weight (especially 30 to 40% by weight) of a meth) acrylic acid alkyl ester monomer unit, 3 to 35% by weight (especially 10 to 20% by weight) of a diene monomer unit, And a copolymer composed of 35 to 67% by weight (particularly 40 to 60% by weight) of the monomer unit.
MBS3元共重合体は硬質樹脂であり、その硬度(JIS K6253 デュロメータータイプD)は、20〜50程度、好ましくは、30〜40である。その比重(ASTM D297)は1.09〜1.11程度であり、MFR(ASTM D1238:230℃、21.2N)は2.0〜6.0g/10min程度であり、ガラス転移温度(Tg)は、示差走査熱量測定法(DSC法)により測定した値で80〜95℃程度、好ましくは、85〜90℃程度である。また、MBS3元樹脂の重量平均分子量(Mw)は、10万〜40万程度、好ましくは10万〜20万程度である。測定は、GPC法による。 The MBS terpolymer is a hard resin, and its hardness (JIS K6253 durometer type D) is about 20 to 50, preferably 30 to 40. Its specific gravity (ASTM D297) is about 1.09 to 1.11, MFR (ASTM D1238: 230 ° C., 21.2 N) is about 2.0 to 6.0 g / 10 min, and glass transition temperature (Tg) Is a value measured by a differential scanning calorimetry (DSC method) of about 80 to 95 ° C, preferably about 85 to 90 ° C. The weight average molecular weight (Mw) of the MBS ternary resin is about 100,000 to 400,000, preferably about 100,000 to 200,000. The measurement is based on the GPC method.
また、(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体単位と、アクリロニトリル系単量体単位と、ジエン系単量体単位と、スチレン系単量体単位とからなる共重合体(MABS4元共重合体)が挙げられ、好ましくは(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体単位20〜40重量%(特に20〜30重量%)と、アクリロニトリル系単量体単位5〜15重量%(特に5〜10重量%)と、ジエン系単量体単位5〜15重量%(特に5〜10重量%)と、スチレン系単量体単位30〜70重量%(特に50〜70重量%)とからなる共重合体が挙げられる。 Further, a copolymer (MABS quaternary copolymer) comprising a (meth) acrylic acid alkyl ester monomer unit, an acrylonitrile monomer unit, a diene monomer unit, and a styrene monomer unit. Preferably 20 to 40% by weight (especially 20 to 30% by weight) of (meth) acrylic acid alkyl ester monomer units and 5 to 15% by weight (particularly 5 to 10%) of acrylonitrile monomer units. Weight), diene monomer units of 5 to 15% by weight (especially 5 to 10% by weight), and styrene monomer units of 30 to 70% by weight (particularly 50 to 70% by weight). Coalescence is mentioned.
MABS4元共重合体は硬質樹脂であり、その硬度(JIS K6253 デュロメータータイプD)は、20〜50程度、好ましくは、30〜40である。その比重(ASTM D297)は1.09〜1.11程度であり、MFR(ASTM D1238:230℃、21.2N)は1.0〜5.0g/10min程度であり、ガラス転移温度(Tg)は、示差走査熱量測定法(DSC法)により測定した値で80〜95℃程度、好ましくは、85〜90℃程度である。また、MABS4元樹脂の重量平均分子量(Mw)は、10万〜40万程度、好ましくは10万〜20万程度である。測定は、GPC法による。
上記で示される3層バックグラインド用基体フィルムの中間層であるB層は、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物を50〜100重量%(好ましくは60〜100重量%、より好ましくは70〜100重量%)含み、(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体を0〜50重量%(好ましくは0〜40重量%、より好ましくは0〜30重量%)含んでいる。かかる組成割合とすることにより、主に、熱に対する優れた寸法安定性をバッググラインド用基体フィルムに付与し反りを生じにくくする働きを有する。
The MABS quaternary copolymer is a hard resin, and its hardness (JIS K6253 durometer type D) is about 20 to 50, preferably 30 to 40. Its specific gravity (ASTM D297) is about 1.09 to 1.11, MFR (ASTM D1238: 230 ° C., 21.2 N) is about 1.0 to 5.0 g / 10 min, and glass transition temperature (Tg) Is a value measured by a differential scanning calorimetry (DSC method) of about 80 to 95 ° C, preferably about 85 to 90 ° C. The weight average molecular weight (Mw) of the MABS quaternary resin is about 100,000 to 400,000, preferably about 100,000 to 200,000. The measurement is based on the GPC method.
The B layer, which is an intermediate layer of the three-layer backgrind base film shown above, contains 50 to 100% by weight (preferably 60 to 100% by weight) of a hydrogenated vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer. %, More preferably 70 to 100% by weight), and 0 to 50% by weight (preferably 0 to 40% by weight, more preferably 0 to 30% by weight) of a (meth) acrylic acid alkyl ester polymer. . By setting it as this composition ratio, it mainly has the function which gives the outstanding dimensional stability with respect to a heat | fever to a base film for bag grinds, and makes it hard to produce a curvature.
バックグラインド用基体フィルムのC層は、ゴム弾性を有する熱可塑性樹脂を含み、ブロッキング防止層として機能する。該ゴム弾性を有する熱可塑性樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、エチレン−α−オレフィン共重合体である直鎖状低密度ポリエチレン若しくは超低密度ポリエチレン(ここで、α−オレフィンがプロピレン、ブテン−1、オクテン−1、4メチルペンテン−1、ヘキセン−1、オクテン−1等である)、スチレン系共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)、エチレン−メチルアクリレート共重合体(EMA)、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−ブチルアクリレート共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体(EMMA)、エチレン−メタクリル酸共重合体(EMAA)、エチレン−エチルメタクリレート共重合体、又はこれらの樹脂の混合物が挙げられる。これらのうち、EMA,EMAA又はEMMAが好ましく、EMAが特に好ましい。 The C layer of the base film for back grinding contains a thermoplastic resin having rubber elasticity and functions as an anti-blocking layer. Examples of the thermoplastic resin having rubber elasticity include low-density polyethylene, medium-density polyethylene, linear low-density polyethylene which is an ethylene-α-olefin copolymer, or ultra-low-density polyethylene (where α-olefin is Propylene, butene-1, octene-1, 4methylpentene-1, hexene-1, octene-1, etc.), styrene copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene-methyl acrylate Polymer (EMA), ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-butyl acrylate copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer (EMMA), ethylene-methacrylic acid copolymer (EMAA), ethylene-ethyl methacrylate copolymer A combination or a mixture of these resins may be mentioned. Of these, EMA, EMAA or EMMA is preferable, and EMA is particularly preferable.
上記で示される3層バックグラインド用基体フィルムのA層〜C層の全厚みは、通常50〜300μm、好ましくは60〜250μm、より好ましくは70〜200μmである。3層バックグラインド用基体フィルムの全厚みが70〜200μmの場合、A層の厚みは、通常5〜120μm、好ましくは20〜60μmである。B層の厚みは、通常30〜190μm、好ましくは30〜160μmである。C層の厚みは、通常5〜120μm、好ましくは20〜60μmである。A層とC層の厚みは同等とすることが好ましい。 The total thickness of layer A to layer C of the three-layer backgrind substrate film shown above is usually 50 to 300 μm, preferably 60 to 250 μm, more preferably 70 to 200 μm. When the total thickness of the three-layer back grind base film is 70 to 200 μm, the thickness of the A layer is usually 5 to 120 μm, preferably 20 to 60 μm. The thickness of B layer is 30-190 micrometers normally, Preferably it is 30-160 micrometers. The thickness of the C layer is usually 5 to 120 μm, preferably 20 to 60 μm. The thicknesses of the A layer and the C layer are preferably equal.
特に、バックグラインド用基体フィルムの熱に対する寸法安定性を維持するためには、A層〜C層の全厚みに対するB層の厚みが、5〜90%、さらに30〜80%、特に50〜80%とするのが好ましい。 In particular, in order to maintain the dimensional stability against heat of the base film for back grinding, the thickness of the B layer with respect to the total thickness of the A layer to the C layer is 5 to 90%, more preferably 30 to 80%, and particularly 50 to 80%. % Is preferable.
具体的には、A層、B層及びC層の厚みは、各層の樹脂組成とその割合に応じて変化させることができる。 Specifically, the thicknesses of the A layer, the B layer, and the C layer can be changed according to the resin composition and the ratio of each layer.
上記により得られるバックグラインド用基体フィルムのA層の表面上に公知の粘着剤をコートして粘着剤層が形成され、さらに該粘着剤層上に離型フィルムが設けられる。 粘着剤層の厚さは、例えば、10〜200μm程度、離型フィルムの厚さは、例えば、10〜100μm程度であればよい。 A known pressure-sensitive adhesive is coated on the surface of the layer A of the backgrind substrate film obtained as described above to form a pressure-sensitive adhesive layer, and a release film is further provided on the pressure-sensitive adhesive layer. For example, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer may be about 10 to 200 μm, and the thickness of the release film may be about 10 to 100 μm, for example.
粘着剤層で用いられる粘着剤成分としては、公知のものが用いられ、例えば、特開平5−211234号公報等に記載された粘着剤成分を用いることができる。なお、離型フィルムも公知のものが用いられる。 As the pressure-sensitive adhesive component used in the pressure-sensitive adhesive layer, known ones are used. For example, the pressure-sensitive adhesive component described in JP-A No. 5-21234 can be used. A known release film is also used.
この粘着剤層を構成する粘着剤としては、アクリル系粘着剤が好ましく、具体的には、(メタ)アクリル酸エステルを主たる構成単量体単位とする単独重合体および共重合体から選ばれたアクリル系重合体、その他の官能性単量体との共重合体、およびこれら重合体の混合物が用いられる。例えば、(メタ)アクリル酸エステルとしては、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸2−ヒドロキシエチルなどが好ましく使用できる。アクリル系重合体の分子量は、1.0×105〜10.0×105であり、好ましくは、4.0×105〜8.0×105である。 The pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer is preferably an acrylic pressure-sensitive adhesive. Specifically, the pressure-sensitive adhesive layer was selected from a homopolymer and a copolymer having (meth) acrylic acid ester as a main constituent monomer unit. Acrylic polymers, copolymers with other functional monomers, and mixtures of these polymers are used. For example, (meth) acrylic acid ester includes ethyl methacrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, glycidyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, Glycidyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and the like can be preferably used. The molecular weight of the acrylic polymer is 1.0 × 10 5 to 10.0 × 10 5 , and preferably 4.0 × 10 5 to 8.0 × 10 5 .
また、上記のような粘着剤層中に放射線重合性化合物を含ませることによって、半導体ウェハの裏面を研削した後、該粘着剤層に放射線を照射することによって、粘着力を低下させることができる。このような放射線重合性化合物としては、たとえば、光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量化合物が広く用いられる(例えば、特開昭60−196956号公報、特開昭60−223139号公報等)。 In addition, by including a radiation polymerizable compound in the pressure-sensitive adhesive layer as described above, the adhesive strength can be reduced by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with radiation after grinding the back surface of the semiconductor wafer. . As such a radiation polymerizable compound, for example, a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally reticulated by light irradiation is widely used (for example, JP JP-A-60-196956, JP-A-60-223139, etc.).
具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。 Specifically, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, and the like are used.
さらに、放射線重合性化合物として、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレートを反応させて得られる。このウレタンアクリレート系オリゴマーは、炭素−炭素二重結合を少なくとも1個以上有する放射線重合性化合物である。 Furthermore, in addition to the acrylate compounds as described above, urethane acrylate oligomers can also be used as the radiation polymerizable compound. The urethane acrylate oligomer is obtained by reacting an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound such as a polyester type or a polyether type with a polyvalent isocyanate compound. This urethane acrylate oligomer is a radiation polymerizable compound having at least one carbon-carbon double bond.
さらに、粘着剤層中には、上記のような粘着剤と放射線重合性化合物とに加えて、必要に応じ、放射線照射により着色する化合物(ロイコ染料等)、光散乱性無機化合物粉末、砥粒(粒径0.5〜100μm程度)、イソシアネート系硬化剤、UV開始剤等を含有させることもできる。
(2)A層/B層/A’層を含むバックグラインドフィルム
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、次のA層/B層/A’層を含む少なくとも3層からなり、特に3層のバックグラインド用基体フィルムが典型例として挙げられる。
Further, in the pressure-sensitive adhesive layer, in addition to the pressure-sensitive adhesive and the radiation-polymerizable compound as described above, a compound (such as a leuco dye) that is colored by radiation irradiation, a light-scattering inorganic compound powder, and abrasive grains, as necessary. (A particle size of about 0.5 to 100 μm), an isocyanate curing agent, a UV initiator, and the like can also be contained.
(2) Back Grind Film Containing A Layer / B Layer / A ′ Layer The substrate film for back grind according to the present invention comprises at least three layers including the following A layer / B layer / A ′ layer, particularly three layers. A typical example is a substrate film for back grinding.
ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜80重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体20〜100重量%を含むA層、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物50〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜50重量%を含むB層、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜20重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体80〜100重量%を含むA’層を有し、A層/B層/A’層の順で積層されてなるバックグラインド用基体フィルムが挙げられる。ここで、(メタ)アクリル酸とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味する。 Layer A containing a vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer hydrogenated product of 0 to 80% by weight and a (meth) acrylic acid alkyl ester polymer of 20 to 100% by weight, vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated B layer containing 50 to 100% by weight of hydrogenated diene hydrocarbon copolymer and 0 to 50% by weight of (meth) acrylic acid alkyl ester polymer, and vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer A ′ layer containing 0 to 20% by weight of the hydrogenated product and 80 to 100% by weight of the (meth) acrylic acid alkyl ester polymer, and is laminated in the order of A layer / B layer / A ′ layer. Examples include a base film for back grinding. Here, (meth) acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid.
このバックグラインド用基体フィルムは、バックグラインド工程において発生する熱に対し高い寸法安定性を有し、半導体ウェハの反りを抑制することができる。しかも、該基体フィルムをロール状に巻き取った場合でもブロッキングの発生を抑えることができる。 This base film for back grinding has high dimensional stability against heat generated in the back grinding process, and can suppress warping of the semiconductor wafer. Moreover, the occurrence of blocking can be suppressed even when the substrate film is rolled up.
用いられるビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体は、いずれも上記(1)のものから適宜選択することができる。 Any of the hydrogenated vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer and the (meth) acrylic acid alkyl ester polymer to be used can be appropriately selected from the above (1).
上記で示される3層バックグラインド用基体フィルムのA層〜A’層の全厚みは、通常50〜300μm、好ましくは60〜250μm、より好ましくは70〜200μmである。3層バックグラインド用基体フィルムの全厚みが70〜200μmの場合、A層の厚みは、通常5〜120μm、好ましくは20〜60μmである。B層の厚みは、通常30〜190μm、好ましくは30〜160μmである。A’層の厚みは、通常5〜120μm、好ましくは20〜60μmである。A層とA’層の厚みは同等とすることが好ましい。 The total thickness of the A layer to the A ′ layer of the three-layer backgrind substrate film shown above is usually 50 to 300 μm, preferably 60 to 250 μm, more preferably 70 to 200 μm. When the total thickness of the three-layer back grind base film is 70 to 200 μm, the thickness of the A layer is usually 5 to 120 μm, preferably 20 to 60 μm. The thickness of B layer is 30-190 micrometers normally, Preferably it is 30-160 micrometers. The thickness of the A ′ layer is usually 5 to 120 μm, preferably 20 to 60 μm. The thicknesses of the A layer and the A ′ layer are preferably equal.
特に、バックグラインド用基体フィルムの熱に対する寸法安定性を維持するためには、A層〜A’層の全厚みに対するB層の厚みが、5〜90%、さらに30〜80%、特に50〜80%とするのが好ましい。 In particular, in order to maintain the dimensional stability with respect to the heat of the base film for back grinding, the thickness of the B layer with respect to the total thickness of the A layer to the A ′ layer is 5 to 90%, more preferably 30 to 80%, and particularly 50 to 50%. 80% is preferable.
具体的には、A層、B層及びA’層の厚みは、各層の樹脂組成とその割合に応じて変化させることができる。 Specifically, the thicknesses of the A layer, the B layer, and the A ′ layer can be changed according to the resin composition and the ratio of each layer.
上記により得られるバックグラインド用基体フィルムのA層の表面上に公知の粘着剤をコートして粘着剤層が形成され、さらに該粘着剤層上に離型フィルムが設けられる。これらはいずれも上記(1)のものから適宜選択することができる。II.バックグラインドフィルムの製法
本発明の多層構成の(1)A層/B層/C層、又は(2)A層/B層/A’層を含むバックグラインド用基体フィルムは、それぞれTダイスまたは環状ダイスを使用した押出法やカレンダー法等、従来から用いられている方法で成形することが可能である。基材フィルムの厚み精度の点から考えると、Tダイスを使用した押出法が好ましいため、以下Tダイスを使用した押出法について説明する。
(1)A層/B層/C層を含むバックグラインドフィルムの製法
複数の押出機を用い、それぞれの原料樹脂をそれぞれの押出機に投入し、上記と同様にしてロール状の多層基体フィルムを得る。具体的には、A層/B層/C層からなる3層構成のバックグラインド用基体フィルムを成形する場合、上記の各層の原料樹脂を用いて共押出しにより成形する。 ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜80重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体20〜100重量%を含むA層用樹脂、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物50〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜50重量%を含むB層用樹脂、並びにゴム弾性を有する熱可塑性樹脂を含むC層用樹脂を、A層/B層/C層の順で共押出成形することにより製造される。
A known pressure-sensitive adhesive is coated on the surface of the layer A of the backgrind substrate film obtained as described above to form a pressure-sensitive adhesive layer, and a release film is further provided on the pressure-sensitive adhesive layer. Any of these can be appropriately selected from the above (1). II. Backgrind Film Production Method The substrate film for backgrind comprising (1) A layer / B layer / C layer or (2) A layer / B layer / A ′ layer of the multilayer structure of the present invention is a T die or a ring respectively. It can be formed by a conventionally used method such as an extrusion method using a die or a calendar method. Considering from the viewpoint of the thickness accuracy of the base film, an extrusion method using a T die is preferable. Therefore, an extrusion method using a T die will be described below.
(1) Manufacturing method of back grind film including A layer / B layer / C layer Using a plurality of extruders, each raw resin is put into each extruder, and a roll-shaped multilayer substrate film is formed in the same manner as described above. obtain. Specifically, when a backgrind substrate film having a three-layer structure composed of A layer / B layer / C layer is formed, it is formed by coextrusion using the raw material resin of each layer described above. A resin for layer A containing 0 to 80% by weight of hydrogenated vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer and 20 to 100% by weight of (meth) acrylic acid alkyl ester polymer, vinyl aromatic hydrocarbon A resin for B layer containing 50 to 100% by weight of hydrogenated conjugated diene hydrocarbon copolymer and 0 to 50% by weight of (meth) acrylic acid alkyl ester polymer, and a thermoplastic resin having rubber elasticity The C layer resin is manufactured by coextrusion molding in the order of A layer / B layer / C layer.
上記の各層用樹脂は、ドライブレンド又は溶融混練し調製することができる。各層用樹脂をそれぞれこの順でスクリュー式押出機に供給し、180〜225℃で多層Tダイからフィルム状に押出し、これを50〜70℃の冷却ロ−ルに通しながら冷却して実質的に無延伸で引き取る。或いは、各層用樹脂を一旦ペレットとして取得した後、上記の様に押出成形してもよい。 The above resin for each layer can be prepared by dry blending or melt-kneading. The resin for each layer is supplied to the screw type extruder in this order, extruded from a multilayer T die at 180 to 225 ° C., and cooled while passing through a cooling roll at 50 to 70 ° C. Take it unstretched. Alternatively, the resin for each layer may be once obtained as pellets and then extruded as described above.
なお、引き取りの際に実質的に無延伸とするのは、バックグラインド工程において、延伸したことによるフィルムの収縮を抑制するためである。この実質的に無延伸とは、無延伸、或いは、バックグラインド時のウェハの反りに影響を与えない程度の僅少の延伸を含むものである。通常、フィルム引き取りの際に、たるみの生じない程度の引っ張りであればよい。 The reason why the film is substantially unstretched at the time of taking is to suppress shrinkage of the film due to stretching in the back grinding process. This substantially non-stretching includes non-stretching or slight stretching that does not affect the warpage of the wafer during back grinding. Usually, the film may be pulled to such an extent that no sagging occurs when the film is taken up.
上記で得られるバックグラインド用基体フィルムのA層の表面に粘着剤層及び離型フィルムを設ける方法は、公知の方法を採用することができる。バックグラインドフィルムは、通常テープ状にカットされたロール巻き状態で取得される。
(2)A層/B層/A’層を含むバックグラインドフィルムの製法
複数の押出機を用い、それぞれの原料樹脂をそれぞれの押出機に投入し、上記と同様にしてロール状の多層基体フィルムを得る。具体的には、A層/B層/A’層からなる3層構成のバックグラインド用基体フィルムを成形する場合、上記の各層の原料樹脂を用いて共押出により成形する。
A well-known method can be employ | adopted for the method of providing an adhesive layer and a mold release film on the surface of A layer of the base film for back grinding obtained above. The back grind film is usually obtained in a rolled state cut into a tape shape.
(2) Manufacturing method of back grind film including A layer / B layer / A ′ layer Using a plurality of extruders, each raw material resin is charged into each extruder, and a roll-shaped multilayer substrate film is formed in the same manner as described above. Get. Specifically, when a backgrind base film having a three-layer structure composed of A layer / B layer / A ′ layer is formed, it is formed by coextrusion using the raw material resin of each layer described above.
ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜80重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体20〜100重量%を含むA層用樹脂、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物50〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜50重量%を含むB層用樹脂、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜20重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体80〜100重量%を含むA’層用樹脂を、A層/B層/A’層の順で共押出成形することにより製造される。 A resin for layer A containing 0 to 80% by weight of hydrogenated vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer and 20 to 100% by weight of (meth) acrylic acid alkyl ester polymer, vinyl aromatic hydrocarbon -B layer resin containing 50 to 100% by weight of hydrogenated conjugated diene hydrocarbon copolymer and 0 to 50% by weight of (meth) acrylic acid alkyl ester polymer, and vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene carbonization The resin for A ′ layer containing 0 to 20% by weight of hydrogenated hydrogen copolymer and 80 to 100% by weight of (meth) acrylic acid alkyl ester polymer, in the order of A layer / B layer / A ′ layer Manufactured by coextrusion.
上記の各層用樹脂は、ドライブレンド又は溶融混練し調製することができる。各層用樹脂をそれぞれこの順でスクリュー式押出機に供給し、180〜225℃で多層Tダイからフィルム状に押出し、これを50〜70℃の冷却ロ−ルに通しながら冷却して実質的に無延伸で引き取る。或いは、各層用樹脂を一旦ペレットとして取得した後、上記の様に押出成形してもよい。 The above resin for each layer can be prepared by dry blending or melt-kneading. The resin for each layer is supplied to the screw type extruder in this order, extruded from a multilayer T die at 180 to 225 ° C., and cooled while passing through a cooling roll at 50 to 70 ° C. Take it unstretched. Alternatively, the resin for each layer may be once obtained as pellets and then extruded as described above.
なお、引き取りの際に実質的に無延伸とするのは、上記(1)と同様の理由による。また、得られるバックグラインド用基体フィルムのA層の表面に粘着剤層及び離型フィルムを設ける方法は、公知の方法を採用することができる。バックグラインドフィルムは、通常テープ状にカットされたロール巻き状態で取得される。
III.半導体ウェハのバックグラインド方法
本発明のバックグラインド方法は、バックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面(回路面)に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去する。
The reason why the film is substantially unstretched at the time of taking is for the same reason as in (1) above. Moreover, a well-known method can be employ | adopted for the method of providing an adhesive layer and a release film on the surface of A layer of the base film for back grinding obtained. The back grind film is usually obtained in a rolled state cut into a tape shape.
III. Semiconductor wafer back grinding method The back grinding method of the present invention attaches a back grinding film to the front surface (circuit surface) of the semiconductor wafer, grinds the back surface of the semiconductor wafer, and removes the back grinding film from the semiconductor wafer.
具体的には、該バックグラインドフィルムの粘着剤層から離型フィルムを剥離して、粘着剤層の表面を露出させて、その粘着剤層を介して集積回路が組み込まれた側の半導体ウェハの表面に貼着する。半導体ウェハの研削前の厚みは、通常、300μm〜1000μm程度である。次いで、半導体ウェハを固定して、その裏面を常法により研削する。研削後の半導体ウェハの厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類、用途等に応じて選択されるが、例えば、50μm〜200μm程度となる。裏面研削が終了した後、必要に応じケミカルエッチング工程やCMP(メカノケミカルポリッシング)工程を追加してもよい。その後、バックグラインドフィルムを剥離(除去)する。また、必要に応じて、バックグラインドフィルム剥離後に、半導体ウェハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄等の洗浄処理が施される。 Specifically, the release film is peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer of the back grind film, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer is exposed, and the semiconductor wafer on the side where the integrated circuit is incorporated through the pressure-sensitive adhesive layer Stick to the surface. The thickness of the semiconductor wafer before grinding is usually about 300 μm to 1000 μm. Next, the semiconductor wafer is fixed and the back surface thereof is ground by a conventional method. The thickness of the semiconductor wafer after grinding is selected according to the size of the chip to be obtained, the type of circuit, the application, etc., and is, for example, about 50 μm to 200 μm. After the back surface grinding is completed, a chemical etching process or a CMP (mechanochemical polishing) process may be added as necessary. Thereafter, the back grind film is peeled (removed). If necessary, after the back grind film is peeled off, the surface of the semiconductor wafer is subjected to a cleaning process such as water cleaning or plasma cleaning.
以下に、本発明を、実施例及び比較例を用いてより詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。なお、「%」は重量%を意味する。
<原料>
実施例及び比較例において下記の原料を用いた。
・スチレン−ブタジエンブロック共重合体水素添加物(SEBS):旭化成ケミカルズ株式会社製 S.O.E. SS9000
・メタアクリル酸メチル−スチレンブロック共重合体(MS):電気化学工業株式会社 TX100K
・メタアクリル酸メチル−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(MBS):電気化学工業株式会社 TH23T
・メタアクリル酸メチル−アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(MABS):電気化学工業株式会社 CL430
・エチレン−アクリル酸メチル共重合体(EMA):アトフィナジャパン株式会社製 ロトリル9MA02
<反りの評価>
ウェハの代替として、常温(25℃)から50℃の温度域で、半導体ウェハと同程度に寸法安定性の良いポリイミド(PI)テープ(住友スリーエム株式会社製 スコッチポリイミドテープ No.5434、厚さ53μm)を使用した。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail using Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these Examples. “%” Means% by weight.
<Raw material>
In the examples and comparative examples, the following raw materials were used.
-Styrene-butadiene block copolymer hydrogenated product (SEBS): SOE SS9000 manufactured by Asahi Kasei Chemicals Corporation
・ Methyl methacrylate-styrene block copolymer (MS): Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. TX100K
-Methyl methacrylate-butadiene-styrene block copolymer (MBS): Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. TH23T
-Methyl methacrylate-acrylonitrile-butadiene-styrene block copolymer (MABS): Denki Kagaku Kogyo Corporation CL430
-Ethylene-methyl acrylate copolymer (EMA): Rotolyl 9MA02 manufactured by Atofina Japan Co., Ltd.
<Evaluation of warpage>
As an alternative to wafers, polyimide (PI) tape (Scotch Polyimide Tape No.5434, Sumitomo 3M Co., Ltd., thickness 53μm) that is as dimensionally stable as semiconductor wafers at room temperature (25 ° C) to 50 ° C. )It was used.
作成したバックグラインド用基体フィルムに上記PIテープ(幅2 cm×長さ14 cm)を貼付け、サンプルとして切り出し、2枚のステンレス板(厚み2mm)に挟み、50℃に設定したオーブン内で10分間加熱した。その後、サンプルを取り出して常温(25℃)で10分間放冷し、フィルムの収縮によって発生する反りを測定した。 The PI tape (width 2 cm x length 14 cm) is pasted on the backgrind substrate film, cut out as a sample, sandwiched between two stainless plates (thickness 2 mm), and placed in an oven set at 50 ° C for 10 minutes. Heated. Thereafter, the sample was taken out and allowed to cool at room temperature (25 ° C.) for 10 minutes, and the warpage caused by the shrinkage of the film was measured.
反り量は、バックグラインド用基体フィルムにPIテープを貼り付けた状態で、バックグラインド用基体フィルムが上側になるように水平面上に置き、該水平面から最も浮いているPIテープの端部の高さ(mm)を測定した(図2)。 The amount of warping is the height of the end of the PI tape that is the most floating from the horizontal plane, with the back grind base film placed on the horizontal plane so that the back grind base film is on the upper side. (Mm) was measured (FIG. 2).
反りが3mm以下を「○」とし、3mmを越えるものを「×」とした。
<ブロッキングの評価>
得られた基体フィルムの任意の場所から、たて100 mm×よこ30 mm(フィルムの流れ方向をたて方向、幅方向をよこ方向としてサンプルを切り出した)の大きさに測定用サンプルを2枚切り出した。2枚の測定用サンプルを、同一面(冷却ロールと接する面)同士がたて40 mm×よこ30 mm の面積で重なり合うようにし、この重なり合った測定用サンプルを2枚のガラス板で挟み、その上から、サンプルが重なり合っている部分に600 gの重りをのせた。これを40℃の恒温槽の中に入れ、7日間放置した。7日後、恒温槽より取り出したサンプルを、新東科学株式会社製剥離試験器(Peeling TESTER HEIDON−17)にセットし、引張り速度200 mm/minで、180度せん断剥離強度を測定し、4.9 N/10 mm以下であれば、ブロッキングなしとした。
A warp of 3 mm or less was evaluated as “◯”, and a warp exceeding 3 mm was determined as “X”.
<Evaluation of blocking>
Two samples for measurement from an arbitrary position of the obtained base film to a size of 100 mm x 30 mm wide (sample cut with the film flow direction set to the vertical direction and the width direction set to the horizontal direction) Cut out. Two measurement samples are placed so that the same surface (surface in contact with the cooling roll) overlaps each other in an area of 40 mm x 30 mm, and the overlapped measurement samples are sandwiched between two glass plates. From the top, a 600 g weight was placed on the part where the samples overlapped. This was placed in a constant temperature bath at 40 ° C. and left for 7 days. Seven days later, the sample taken out of the thermostatic chamber was set in a peel tester (Peeling TESTER HEIDON-17) manufactured by Shinto Kagaku Co., Ltd., and the 180 ° shear peel strength was measured at a pulling speed of 200 mm / min. / 10 mm or less, no blocking.
実施例1(A/B/Cの3層フィルム)
SEBS 20重量%及びMBS 80重量%をドライブレンドし、これをA層用樹脂とした。SEBS 50重量%及びMBS 50重量%をドライブレンドし、これをB層用樹脂とした。EMA 100重量%をC層用樹脂とした。
Example 1 (A / B / C three-layer film)
20% by weight of SEBS and 80% by weight of MBS were dry-blended to obtain a resin for layer A. 50% by weight of SEBS and 50% by weight of MBS were dry blended, and this was used as a resin for the B layer. 100% by weight of EMA was used as the resin for the C layer.
A層用樹脂、B層用樹脂及びC層用樹脂をこの順でバレル温度180〜220℃の多層押出機に供給した。230℃のTダイスから押出し、設定温度40℃の引き取りロールにて冷却固化して、無延伸の状態で巻き取った。 A layer resin, B layer resin, and C layer resin were supplied in this order to a multilayer extruder having a barrel temperature of 180 to 220 ° C. It was extruded from a 230 ° C. T-die, cooled and solidified with a take-up roll having a set temperature of 40 ° C., and wound up in an unstretched state.
得られた3層フィルムの厚みは、A層20μm、B層110μm、C層20μmで総厚み150μmであった。 The thickness of the obtained three-layer film was A layer 20 μm, B layer 110 μm, C layer 20 μm, and the total thickness 150 μm.
実施例2−16、比較例1〜3(A/B/Cの3層フィルム)
表1、2に記載の樹脂組成及び配合割合にすること以外は実施例1と同様に処理して、実施例2−16、比較例1〜3の3層フィルムを得た。
Example 2-16, Comparative Examples 1 to 3 (A / B / C three-layer film)
Except making it into the resin composition and compounding ratio of Table 1, 2, it processed similarly to Example 1, and obtained the 3 layer film of Example 2-16 and Comparative Examples 1-3.
実施例17(A/B/A’の3層フィルム)
SEBS 20重量%及びMBS 80重量%をドライブレンドし、これをA層用樹脂とした。SEBS 50重量%及びMBS 50重量%をドライブレンドし、これをB層用樹脂とした。SEBS 20重量%及びMBS 80重量%をドライブレンドし、これをA’層用樹脂とした。
Example 17 (A / B / A 'three-layer film)
20% by weight of SEBS and 80% by weight of MBS were dry-blended to obtain a resin for layer A. 50% by weight of SEBS and 50% by weight of MBS were dry blended, and this was used as a resin for the B layer. 20% by weight of SEBS and 80% by weight of MBS were dry blended and used as a resin for the A ′ layer.
A層用樹脂、B層用樹脂及びA’層用樹脂をこの順でバレル温度180〜220℃の多層押出機に供給した。230℃のTダイスから押出し、設定温度40℃の引き取りロールにて冷却固化して、無延伸の状態で巻き取った。 The A layer resin, the B layer resin, and the A ′ layer resin were supplied in this order to a multilayer extruder having a barrel temperature of 180 to 220 ° C. It was extruded from a 230 ° C. T-die, cooled and solidified with a take-up roll having a set temperature of 40 ° C., and wound up in an unstretched state.
得られた3層フィルムの厚みは、A層20μm、B層110μm、A’層20μmで総厚み150μmであった。 The thickness of the obtained three-layer film was A layer 20 μm, B layer 110 μm, A ′ layer 20 μm and the total thickness 150 μm.
実施例18−32、比較例4〜6(A/B/A’の3層フィルム)
表3、4に記載の樹脂組成及び配合割合にすること以外は実施例1と同様に処理して、実施例18−32、比較例4〜6の3層フィルムを得た。
Examples 18-32, Comparative Examples 4 to 6 (A / B / A ′ three-layer film)
The same treatment as in Example 1 was carried out except that the resin compositions and blending ratios shown in Tables 3 and 4 were used, to obtain three-layer films of Examples 18-32 and Comparative Examples 4-6.
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008078254A JP5388465B2 (en) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | Backgrind substrate film and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008078254A JP5388465B2 (en) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | Backgrind substrate film and method for producing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009231738A true JP2009231738A (en) | 2009-10-08 |
JP5388465B2 JP5388465B2 (en) | 2014-01-15 |
Family
ID=41246776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008078254A Active JP5388465B2 (en) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | Backgrind substrate film and method for producing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5388465B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020088231A (en) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | グンゼ株式会社 | Substrate film for back grind tape |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0578629A (en) * | 1991-09-18 | 1993-03-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Radiation-curable tacky tape |
JPH09253964A (en) * | 1996-03-15 | 1997-09-30 | Lintec Corp | Base material for adhesive tape, adhesive tape using this base material, and manufacture of thin base material |
JPH09311750A (en) * | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Sharp Corp | Tuner control system |
JP2000063774A (en) * | 1998-08-24 | 2000-02-29 | Sekisui Chem Co Ltd | Pressure-sensitive adhesive tape or sheet, and its production |
JP2001200215A (en) * | 2000-01-21 | 2001-07-24 | Nitto Denko Corp | Pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer processing |
JP2002141309A (en) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Lintec Corp | Dicing sheet and method of using the same |
JP2004006630A (en) * | 2002-01-11 | 2004-01-08 | Mitsui Chemicals Inc | Adhesive film for protecting semiconductor wafer surface, and method for working back surface of semiconductor wafer using adhesive film |
JP2004311750A (en) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Teijin Dupont Films Japan Ltd | Base film for working semiconductor wafer |
JP2006328162A (en) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Gunze Ltd | Film |
JP2006332207A (en) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Gunze Ltd | Substrate film for dicing |
JP2006339236A (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Toyobo Co Ltd | Adhesive tape for semiconductor wafer protection |
JP2007262213A (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Nitto Denko Corp | Removable adhesive sheet |
-
2008
- 2008-03-25 JP JP2008078254A patent/JP5388465B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0578629A (en) * | 1991-09-18 | 1993-03-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Radiation-curable tacky tape |
JPH09253964A (en) * | 1996-03-15 | 1997-09-30 | Lintec Corp | Base material for adhesive tape, adhesive tape using this base material, and manufacture of thin base material |
JPH09311750A (en) * | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Sharp Corp | Tuner control system |
JP2000063774A (en) * | 1998-08-24 | 2000-02-29 | Sekisui Chem Co Ltd | Pressure-sensitive adhesive tape or sheet, and its production |
JP2001200215A (en) * | 2000-01-21 | 2001-07-24 | Nitto Denko Corp | Pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer processing |
JP2002141309A (en) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Lintec Corp | Dicing sheet and method of using the same |
JP2004006630A (en) * | 2002-01-11 | 2004-01-08 | Mitsui Chemicals Inc | Adhesive film for protecting semiconductor wafer surface, and method for working back surface of semiconductor wafer using adhesive film |
JP2004311750A (en) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Teijin Dupont Films Japan Ltd | Base film for working semiconductor wafer |
JP2006328162A (en) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Gunze Ltd | Film |
JP2006332207A (en) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Gunze Ltd | Substrate film for dicing |
JP2006339236A (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Toyobo Co Ltd | Adhesive tape for semiconductor wafer protection |
JP2007262213A (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Nitto Denko Corp | Removable adhesive sheet |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020088231A (en) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | グンゼ株式会社 | Substrate film for back grind tape |
JP7408278B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-01-05 | グンゼ株式会社 | Base film for back grind tape |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5388465B2 (en) | 2014-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPWO2007116856A1 (en) | Surface protective tape used for back surface grinding of semiconductor wafer and base film for the surface protective tape | |
JP5388466B2 (en) | Backgrind substrate film and method for producing the same | |
JP2013055112A (en) | Base film for dicing | |
JP4351487B2 (en) | Adhesive tape for wafer back grinding | |
JP5388465B2 (en) | Backgrind substrate film and method for producing the same | |
JP5219553B2 (en) | Backgrind substrate film and method for producing the same | |
JP5207660B2 (en) | Dicing substrate film and dicing film | |
JP5383069B2 (en) | Back grind film and manufacturing method thereof | |
JP5175085B2 (en) | Dicing substrate film and dicing film | |
JP5383070B2 (en) | Back grind film and manufacturing method thereof | |
JP5441456B2 (en) | Back grind film and manufacturing method thereof | |
JP5328192B2 (en) | Back grind film and manufacturing method thereof | |
JP5441459B2 (en) | Back grind film and manufacturing method thereof | |
JP2010050321A (en) | Method of sticking adhesive sheet for semiconductor wafer protection | |
JP5053026B2 (en) | Multilayer dicing substrate film and dicing film | |
JP2007043070A (en) | Substrate film for dicing | |
JP5489501B2 (en) | Back grind film and manufacturing method thereof | |
JP2011023632A (en) | Base film for dicing and dicing film | |
JP2009206277A (en) | Substrate film for back grinding and forming method thereof | |
JP5441458B2 (en) | Back grind film and manufacturing method thereof | |
JP2009231736A (en) | Back grinding film and manufacturing method thereof | |
JP5053035B2 (en) | Multilayer dicing substrate film and dicing film | |
JP5441457B2 (en) | Back grind film and manufacturing method thereof | |
JP5213462B2 (en) | Dicing substrate film and dicing film | |
JP5053025B2 (en) | Dicing substrate film and dicing film |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130319 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130917 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5388465 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |