JP2009231642A - 走査型露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
高精度に露光量を制御し、露光量に起因したレチクルパターンの解像不良を低減し、半導体製造工程における歩留りを向上する走査型露光装置を提供する。
【解決手段】
光源からの光を原版を介して基板に照射する走査型露光装置であって、前記基板を搭載して移動する基板ステージと、前記基板ステージ上に搭載され、前記光源からの光を検出するセンサと、前記基板の露光をする前に検出した前記センサの出力にもとづいて、前記光源からの光が前記基板に到達するまでの遅延に関する補正値を算出する演算部と、前記基板の露光をする際に、前記補正値にもとづいて前記光源の出力を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
【選択図】図2
高精度に露光量を制御し、露光量に起因したレチクルパターンの解像不良を低減し、半導体製造工程における歩留りを向上する走査型露光装置を提供する。
【解決手段】
光源からの光を原版を介して基板に照射する走査型露光装置であって、前記基板を搭載して移動する基板ステージと、前記基板ステージ上に搭載され、前記光源からの光を検出するセンサと、前記基板の露光をする前に検出した前記センサの出力にもとづいて、前記光源からの光が前記基板に到達するまでの遅延に関する補正値を算出する演算部と、前記基板の露光をする際に、前記補正値にもとづいて前記光源の出力を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
本発明は、IC、LSIなどの半導体デバイス、CCDなどの撮像デバイス、液晶パネルなどの表示デバイス、磁気ヘッドなどの各種デバイスを製造するために使用される走査型露光装置に関するものである。
半導体に所定の回路パターンを形成する方法としては、リソグラフィによる加工方法がよく知られている。
このリソグラフィは、回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射し、感光性有機膜(フォトレジスト)が塗布されている半導体基板であるウェハを所定のパターンに露光させる加工方法である。
半導体デバイス製造工程内のウェハプロセスは、ウェハ表面の酸化、絶縁膜形成、電極の蒸着、イオン打ち込み、露光、エッチングなどの工程を多数回繰り返し行なう。
このウェハプロセス工程により回路パターンが形成されるが、絶縁膜の膜厚や露光工程でのレジストの膜厚が不均一になる場合がある。
この絶縁膜の厚さや塗布されたレジストの厚さが不均一なウェハを露光すると、パターン線幅のシフトや解像不良が起こり、製品の歩留まりを低下させる。
特に、ステップアンドスキャン方式の露光装置は、1チップの領域が比較的広いため、チップ内の膜厚のばらつきが大きくなり、無視できない解像不良が起こる。
このリソグラフィは、回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射し、感光性有機膜(フォトレジスト)が塗布されている半導体基板であるウェハを所定のパターンに露光させる加工方法である。
半導体デバイス製造工程内のウェハプロセスは、ウェハ表面の酸化、絶縁膜形成、電極の蒸着、イオン打ち込み、露光、エッチングなどの工程を多数回繰り返し行なう。
このウェハプロセス工程により回路パターンが形成されるが、絶縁膜の膜厚や露光工程でのレジストの膜厚が不均一になる場合がある。
この絶縁膜の厚さや塗布されたレジストの厚さが不均一なウェハを露光すると、パターン線幅のシフトや解像不良が起こり、製品の歩留まりを低下させる。
特に、ステップアンドスキャン方式の露光装置は、1チップの領域が比較的広いため、チップ内の膜厚のばらつきが大きくなり、無視できない解像不良が起こる。
このため、特許文献1で提案された走査型露光装置においては、走査露光時の光源の照射エネルギの強度、ウェハステージのスキャン速度、光源の発振タイミングを設定されたチップの露光量プロファイルに基づいて制御する。
この走査型露光装置により、ステージの走査方向に対する露光量を自由に変化させることが可能となり、レジストの厚さによる解像不良を防止している。
一方、走査型露光装置においては、ウェハを搭載するウェハステージのスキャン動作と、露光光源の発振タイミングを同期させる必要がある。
特許文献2で提案された走査型露光装置においては、ウェハを搭載したウェハステージが、ウェハ面の露光光が露光すべき露光領域に到達すると、光源の制御部へ露光開始信号を出力して、ウェハステージと光源の発光との同期制御を行っている。
特開平7‐29810号公報
特開平9‐186075号公報
この走査型露光装置により、ステージの走査方向に対する露光量を自由に変化させることが可能となり、レジストの厚さによる解像不良を防止している。
一方、走査型露光装置においては、ウェハを搭載するウェハステージのスキャン動作と、露光光源の発振タイミングを同期させる必要がある。
特許文献2で提案された走査型露光装置においては、ウェハを搭載したウェハステージが、ウェハ面の露光光が露光すべき露光領域に到達すると、光源の制御部へ露光開始信号を出力して、ウェハステージと光源の発光との同期制御を行っている。
特許文献2に示されるウェハステージと光源の発光との同期制御は、スリット光が露光すべき露光領域に到達してから露光開始信号を光源の制御部へ出力している。
しかし、以下の要因により、露光開始信号が出力されてからウェハ面に露光光が照射されるまでに遅延が発生し、更にその遅延量もばらつく。
まず、光源の特性が遅延の要因となる。
一般的に光源として採用されているエキシマレーザは、発光するために高電圧をチャージする動作が必要なため、直ちに光を照射できず、実際の発振タイミングは、露光開始信号に対して遅延が発生する。
さらに、電圧をチャージする時間特性は、光源のタイプや製造メーカ、光の発振条件によっても異なる。
次に、伝送路が遅延の要因となる。
露光装置は、照明光学系、投影光学系、レチクル/ウェハステージから構成させる露光装置本体と、エキシマレーザなどの光源とで構成されるが、これらは必ずしも同じフロアに設置される訳ではない。
露光装置本体と光源間の通信ケーブルは、数十メートル引き回される場合もあり、電気信号の伝送遅延が発生する。
さらに、露光装置本体と光源のレイアウトは、設置される設備によっても異なってくるため伝送遅延も当然ながら装置毎に異なってくる。
しかし、以下の要因により、露光開始信号が出力されてからウェハ面に露光光が照射されるまでに遅延が発生し、更にその遅延量もばらつく。
まず、光源の特性が遅延の要因となる。
一般的に光源として採用されているエキシマレーザは、発光するために高電圧をチャージする動作が必要なため、直ちに光を照射できず、実際の発振タイミングは、露光開始信号に対して遅延が発生する。
さらに、電圧をチャージする時間特性は、光源のタイプや製造メーカ、光の発振条件によっても異なる。
次に、伝送路が遅延の要因となる。
露光装置は、照明光学系、投影光学系、レチクル/ウェハステージから構成させる露光装置本体と、エキシマレーザなどの光源とで構成されるが、これらは必ずしも同じフロアに設置される訳ではない。
露光装置本体と光源間の通信ケーブルは、数十メートル引き回される場合もあり、電気信号の伝送遅延が発生する。
さらに、露光装置本体と光源のレイアウトは、設置される設備によっても異なってくるため伝送遅延も当然ながら装置毎に異なってくる。
図10を参照して、露光開始信号が出力されてからウェハ面に露光光が照射されるまでの遅延のばらつきが、露光性能に及ぼす影響を説明する。
図10(a)は、走査方向の露光量を一定に走査露光した場合におけるウェハステージの位置と積算露光量の関係の説明図である。
図10(b)は、走査方向の露光量を変化するように走査露光した場合におけるウェハステージの位置と積算露光量の関係の説明図である。
走査露光は、ウェハステージを走査しながらスリット状の露光光を照射していくため、露光領域においては、積算露光量がスロープ状に変化する。
ただし、このスロープ状の積算露光量は、照明光学系に配置しているマスキングブレードにより遮光しているためウェハ面に光は到達しない。
ここで露光開始信号からウェハ面に露光光が照射される発振タイミングがずれると、A、Bのように露光量のプロファイルが走査方向に対してシフトすることとなる。
走査方向に対して一定の露光量で制御する場合には、露光領域に対してタイミングに余裕をもって発光をすればウェハの露光領域に対する影響はない。
しかしながら、図10(b)に示すように、走査方向に対して露光量を変化するように制御する場合においては、露光量のプロファイルがシフトすると目標に対する露光量がずれてしまうため所定の線幅を得られない。
そこで、本発明は、高精度に露光量を制御し、露光量に起因したレチクルパターンの解像不良を低減し、半導体製造工程における歩留りを向上する走査型露光装置を提供することを目的とする。
図10(a)は、走査方向の露光量を一定に走査露光した場合におけるウェハステージの位置と積算露光量の関係の説明図である。
図10(b)は、走査方向の露光量を変化するように走査露光した場合におけるウェハステージの位置と積算露光量の関係の説明図である。
走査露光は、ウェハステージを走査しながらスリット状の露光光を照射していくため、露光領域においては、積算露光量がスロープ状に変化する。
ただし、このスロープ状の積算露光量は、照明光学系に配置しているマスキングブレードにより遮光しているためウェハ面に光は到達しない。
ここで露光開始信号からウェハ面に露光光が照射される発振タイミングがずれると、A、Bのように露光量のプロファイルが走査方向に対してシフトすることとなる。
走査方向に対して一定の露光量で制御する場合には、露光領域に対してタイミングに余裕をもって発光をすればウェハの露光領域に対する影響はない。
しかしながら、図10(b)に示すように、走査方向に対して露光量を変化するように制御する場合においては、露光量のプロファイルがシフトすると目標に対する露光量がずれてしまうため所定の線幅を得られない。
そこで、本発明は、高精度に露光量を制御し、露光量に起因したレチクルパターンの解像不良を低減し、半導体製造工程における歩留りを向上する走査型露光装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するための本発明の走査型露光装置は、光源からの光を原版を介して基板に照射する走査型露光装置であって、前記基板を搭載して移動する基板ステージと、前記基板ステージ上に搭載され、前記光源からの光を検出するセンサと、前記基板の露光をする前に検出した前記センサの出力に基づいて、前記光源からの光が前記基板に到達するまでの遅延に関する補正値を算出する演算部と、前記基板の露光をする際に、前記補正値にもとづいて前記光源の出力を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、高精度に露光量を制御し、露光量に起因したレチクルパターンの解像不良を低減し、半導体製造工程における歩留りを向上する。
図1の概略構成図を参照して、本発明の実施例の走査型半導体露光装置を説明する。
本実施例の走査型露光装置は、光源1からの光をパターンが形成された原版であるレチクル13を介して基板であるウェハ18に照射して、パターンをウェハ18に転写する装置である。
レーザから成る光源1から放射された光束は、ビーム整形光学系2を通過して所定の形状に整形し、オプティカルインテグレータ3の光入射面に入射する。
オプティカルインテグレータ3は、複数の微小なレンズより構成され、その光出射面近傍には多数の2次光源を形成する。
絞りターレット4には、照明モードごとに用意された複数の絞りが埋設され、照明光の入射光源の形状を変える際に必要な絞りが選択されて光路に挿入され、前述の2次光源面の大きさを制限する。
この複数の絞りは、コヒーレンスファクタσ値を複数種設定するための円形開口面積が相異なる開口絞り、輪帯照明用のリング形状絞り、4重極絞りなどから成る。
光電変換装置6は、ハーフミラー5によって反射されたパルス光の一部をパルス当りの光量として検出し、露光量演算部21ヘアナログ信号を出力する。
コンデンサレンズ7は、オプティカルレンズ3の出射面近傍の2次光源からの光束でマスキングブレード9を照明する。
マスキングブレード9の近傍には可変スリット8が配設され、可変スリット8は、マスキングブレード9を照明するスリット光のプロファイルを矩形または円弧形状に形成する。
スリット光は、コンデンサレンズ10とミラー11を介して、マスキングブレード9の共役面である素子パターンが形成されたレチクル13上に照度と入射角が均一化された状態で結像する。
本実施例の走査型露光装置は、光源1からの光をパターンが形成された原版であるレチクル13を介して基板であるウェハ18に照射して、パターンをウェハ18に転写する装置である。
レーザから成る光源1から放射された光束は、ビーム整形光学系2を通過して所定の形状に整形し、オプティカルインテグレータ3の光入射面に入射する。
オプティカルインテグレータ3は、複数の微小なレンズより構成され、その光出射面近傍には多数の2次光源を形成する。
絞りターレット4には、照明モードごとに用意された複数の絞りが埋設され、照明光の入射光源の形状を変える際に必要な絞りが選択されて光路に挿入され、前述の2次光源面の大きさを制限する。
この複数の絞りは、コヒーレンスファクタσ値を複数種設定するための円形開口面積が相異なる開口絞り、輪帯照明用のリング形状絞り、4重極絞りなどから成る。
光電変換装置6は、ハーフミラー5によって反射されたパルス光の一部をパルス当りの光量として検出し、露光量演算部21ヘアナログ信号を出力する。
コンデンサレンズ7は、オプティカルレンズ3の出射面近傍の2次光源からの光束でマスキングブレード9を照明する。
マスキングブレード9の近傍には可変スリット8が配設され、可変スリット8は、マスキングブレード9を照明するスリット光のプロファイルを矩形または円弧形状に形成する。
スリット光は、コンデンサレンズ10とミラー11を介して、マスキングブレード9の共役面である素子パターンが形成されたレチクル13上に照度と入射角が均一化された状態で結像する。
マスキングブレード9の開口域は、レチクル13の所定のパターン露光領域と光学倍率比で相似形となっている。
露光時に、マスキングブレード9により、レチクル13の露光域外を遮光しつつ、レチクルステージ14に対して光学倍率比で同期走査が行われる。
レチクル13は、レチクルステージ14に保持され、レチクル13を通過したスリット光は投影光学系15を通り、レチクル13のパターン面と光学的共役面上の露光画角領域にスリット光として再度結像される。
フォーカス検出系16は、基板ステージであるウェハステージ17に保持されたウェハ18上の露光面の面高さや傾きを検出する。
走査露光時には、フォーカス検出系16の情報を基に、ウェハステージ17がウェハ18の露光面を露光フィールド面と一致するよう制御を行ないながら、レチクルステージ17とウェハステージ17は投影光学系15に対し同期走行する。
同時に、ウェハ18がスリット光により露光され、ウェハ18上のフォトレジスト層にパターンが転写される。
光電変換装置19は、基板であるウェハ18が搭載された基板ステージ上であるウェハステージ17の上に設けられ、光源1からの光を検出するセンサで、スリット光のパルス光量を測定する。
また、光電変換装置19は、ウェハステージ17により露光スリット光を走査しながら測定を行ない、露光領域57の各点の積算露光量と設定露光量からの偏差が同時に測定できる。
露光時に、マスキングブレード9により、レチクル13の露光域外を遮光しつつ、レチクルステージ14に対して光学倍率比で同期走査が行われる。
レチクル13は、レチクルステージ14に保持され、レチクル13を通過したスリット光は投影光学系15を通り、レチクル13のパターン面と光学的共役面上の露光画角領域にスリット光として再度結像される。
フォーカス検出系16は、基板ステージであるウェハステージ17に保持されたウェハ18上の露光面の面高さや傾きを検出する。
走査露光時には、フォーカス検出系16の情報を基に、ウェハステージ17がウェハ18の露光面を露光フィールド面と一致するよう制御を行ないながら、レチクルステージ17とウェハステージ17は投影光学系15に対し同期走行する。
同時に、ウェハ18がスリット光により露光され、ウェハ18上のフォトレジスト層にパターンが転写される。
光電変換装置19は、基板であるウェハ18が搭載された基板ステージ上であるウェハステージ17の上に設けられ、光源1からの光を検出するセンサで、スリット光のパルス光量を測定する。
また、光電変換装置19は、ウェハステージ17により露光スリット光を走査しながら測定を行ない、露光領域57の各点の積算露光量と設定露光量からの偏差が同時に測定できる。
図1を参照して、本実施例の制御システムについて説明する。
制御システムは、主制御系23と、ステージ制御系20と、露光量演算部22と、光源制御部であるレーザ制御系24と、光源からの光がウェハに到達するまでの遅延に関する補正値を算出する補正値演算部21とを備える。
主制御系23は各制御系及び演算部と通信可能となっており、さらに入力装置25(入力手段)、記憶装置26(記憶手段)、表示装置27(表示手段)と通信可能となっている。
主制御系23は、入力装置25に入力または記憶装置に記憶されたパラメータに基づいて、露光条件を算出する。入力装置25はマンマシンインターフェイス若しくはメディアインターフェイスとして機能し、ステージの移動距離とウェハ面に照射されるべき積算露光量との関係(露光量プロファイル)、積算露光量の要求精度、あるいは絞り形状などのパラメータが入力される。露光条件として、ウェハステージ17の走査速度、光源1の発振周波数、光源1の目標露光量、光源1の発光パルス数、露光開始パルス数、可変スリットの駆動目標値などがある。
光源1の発振周波数、目標露光量、発光パルス数、露光開始パルス数は、レーザ制御系24に設定される。
ウェハステージ17の走査速度はステージ制御系20に設定され、可変スリット8の駆動目標値は、可変スリット8の制御ユニット(不図示)に設定される。
ステージ制御系20は、設定された走査速度に基づいてレチクルステージ14とウェハステージ17を制御する。レチクルステージ14とウェハステージ17の位置は計測され、走査露光時にはレチクルステージ14とウェハステージ17の移動が同期するように制御される。
ここで、ウェハステージ17を走査しつつ、ウェハ18上の適切な位置に露光光を照射するためには、光源1の発光をウェハステージ17に同期させる必要がある。そのため、ステージ制御系20は、ウェハステージの位置に基づいて、露光開始信号を生成し、この露光開始信号を主制御系23に送信する。
露光量演算部22は、光電変換装置6、光電変換装置19によって光電変換された電気信号に基づいて露光量を演算し、主制御部23及びレーザ制御部24に出力する。具体的には、露光前に、ウェハ18を照射するスリット光の光量を光電変換装置19と光電変換装置6の両方で同時に検出して、両者の相関関係を取得しておき、露光中にはこの相関関係を利用して光電変換装置6のみを用いて露光量をモニタする。
以下、このモニタ光量は、ウェハ上のパルス光量と同一視して説明し、光電変換装置6,光電変換装置19の出力の露光量演算部22により変換される論理値(単位bit)は、パルス光量そのものを表す。
補正値演算部21は、光電変換装置6、19の出力にもとづいて、露光開始信号がレーザ制御系に送信された後に光源からの光がウェハに到達するまでの遅延に関する補正値を算出する。主制御系23は、この補正値を考慮して露光条件の設定を行う。補正値として時間を算出してもよく、この時間に移動するウェハステージ17の移動距離を算出してもよく、この時間に光源1が発光するパルス数を算出してもよい。補正値の算出方法については後述する。
レーザ制御系24(光源制御部)は、主制御系23から露光条件と、露光量演算部22から送信されたパルス光量信号とにもとづいて、光源1の発振周波数とレーザ出力を制御する。具体的には、レーザ制御系24は、光源に対してトリガ信号、印加電圧信号を出力する。
制御システムは、主制御系23と、ステージ制御系20と、露光量演算部22と、光源制御部であるレーザ制御系24と、光源からの光がウェハに到達するまでの遅延に関する補正値を算出する補正値演算部21とを備える。
主制御系23は各制御系及び演算部と通信可能となっており、さらに入力装置25(入力手段)、記憶装置26(記憶手段)、表示装置27(表示手段)と通信可能となっている。
主制御系23は、入力装置25に入力または記憶装置に記憶されたパラメータに基づいて、露光条件を算出する。入力装置25はマンマシンインターフェイス若しくはメディアインターフェイスとして機能し、ステージの移動距離とウェハ面に照射されるべき積算露光量との関係(露光量プロファイル)、積算露光量の要求精度、あるいは絞り形状などのパラメータが入力される。露光条件として、ウェハステージ17の走査速度、光源1の発振周波数、光源1の目標露光量、光源1の発光パルス数、露光開始パルス数、可変スリットの駆動目標値などがある。
光源1の発振周波数、目標露光量、発光パルス数、露光開始パルス数は、レーザ制御系24に設定される。
ウェハステージ17の走査速度はステージ制御系20に設定され、可変スリット8の駆動目標値は、可変スリット8の制御ユニット(不図示)に設定される。
ステージ制御系20は、設定された走査速度に基づいてレチクルステージ14とウェハステージ17を制御する。レチクルステージ14とウェハステージ17の位置は計測され、走査露光時にはレチクルステージ14とウェハステージ17の移動が同期するように制御される。
ここで、ウェハステージ17を走査しつつ、ウェハ18上の適切な位置に露光光を照射するためには、光源1の発光をウェハステージ17に同期させる必要がある。そのため、ステージ制御系20は、ウェハステージの位置に基づいて、露光開始信号を生成し、この露光開始信号を主制御系23に送信する。
露光量演算部22は、光電変換装置6、光電変換装置19によって光電変換された電気信号に基づいて露光量を演算し、主制御部23及びレーザ制御部24に出力する。具体的には、露光前に、ウェハ18を照射するスリット光の光量を光電変換装置19と光電変換装置6の両方で同時に検出して、両者の相関関係を取得しておき、露光中にはこの相関関係を利用して光電変換装置6のみを用いて露光量をモニタする。
以下、このモニタ光量は、ウェハ上のパルス光量と同一視して説明し、光電変換装置6,光電変換装置19の出力の露光量演算部22により変換される論理値(単位bit)は、パルス光量そのものを表す。
補正値演算部21は、光電変換装置6、19の出力にもとづいて、露光開始信号がレーザ制御系に送信された後に光源からの光がウェハに到達するまでの遅延に関する補正値を算出する。主制御系23は、この補正値を考慮して露光条件の設定を行う。補正値として時間を算出してもよく、この時間に移動するウェハステージ17の移動距離を算出してもよく、この時間に光源1が発光するパルス数を算出してもよい。補正値の算出方法については後述する。
レーザ制御系24(光源制御部)は、主制御系23から露光条件と、露光量演算部22から送信されたパルス光量信号とにもとづいて、光源1の発振周波数とレーザ出力を制御する。具体的には、レーザ制御系24は、光源に対してトリガ信号、印加電圧信号を出力する。
なお、入力装置25、記憶装置26、表示装置27については、一般に露光装置が備えている公知のものを適用しうる。記憶装置26には、例えば上述の露光条件や補正値が記憶される。表示装置27には、例えば露光量演算部が取得した相関関係や、補正値演算部21が取得した光電変換装置19の出力などが表示される。
図2はウェハまたはウェハステージ17に照射されるスリット光51を示す図である。
実際にはウェハステージ17がスリット光51に対して移動するが、ここではスリット光がウェハステージ17に対して相対的に移動するものとして説明する。
スリット光51は、1チップの露光領域57を露光するために、起動位置52で起動して加速位置53まで加速走行し、加速位置53から露光開始位置54までほぼ一定速度で整定走行をする。スリット光51が露光開始位置54に到達したところで露光を開始し、露光終了位置55に到達したところで露光を終了する。そして、スリット光51は、露光終了位置55から停止位置56まで減速走行して停止する。
ここで、スリット光51が露光開始位置54に到達したときにステージ制御部は露光開始信号を出力する。
しかし、様々な要因により露光開始信号の出力からウェハ面にスリット光が照射されるまでに遅延が発生してしまう。
そこで、実際のウェハ露光に先立って以下のステップS101〜S109を実行する。
実際にはウェハステージ17がスリット光51に対して移動するが、ここではスリット光がウェハステージ17に対して相対的に移動するものとして説明する。
スリット光51は、1チップの露光領域57を露光するために、起動位置52で起動して加速位置53まで加速走行し、加速位置53から露光開始位置54までほぼ一定速度で整定走行をする。スリット光51が露光開始位置54に到達したところで露光を開始し、露光終了位置55に到達したところで露光を終了する。そして、スリット光51は、露光終了位置55から停止位置56まで減速走行して停止する。
ここで、スリット光51が露光開始位置54に到達したときにステージ制御部は露光開始信号を出力する。
しかし、様々な要因により露光開始信号の出力からウェハ面にスリット光が照射されるまでに遅延が発生してしまう。
そこで、実際のウェハ露光に先立って以下のステップS101〜S109を実行する。
図4は、実際の露光に先立って行うシーケンスを説明するフローチャートである。
ステップS101において、照明モードの設定を行う。スリット幅50は照明モードによって異なるため、補正値は、照明モード毎に予め計測される。
なお、本実施例において、2つの方向(以下、UP方向とDOWN方向とする)から走査露光を行えるため、ずれ量の算出もUP方向とDOWN方向の両方で行う。ステップS102〜S105ではUP方向の処理を行い、ステップS106〜S199ではDOWN方向の処理を行う。
ステップS102において、ウェハ上の光電変換装置19が露光開始位置54に位置するようにウェハステージ17を移動させる(図2の状態)。
ステップS103において、図2に示すように走査露光を行う。ここで、光電変換装置6,19は走査露光中の出力を毎パルス読み出して保存する。
なお、光電変換装置の計測精度は、ウェハステージ上の単位長さ当たりに照射される発光パルス数に依存し、その分解能は以下の式で定義される。
ΔE = S / F ・・・(1)
F:光源1の発振周波数[pulse/sec]
S:ウェハステージ17のスキャン速度[mm/sec]
ΔEが小さいほど計測精度が向上するため、ウェハステージ17のスキャン速度Sは遅いほど好ましく、光源1の発振周波数Fは早いほど好ましい。
本実施例においては、必要な計測精度に応じて、光源1の発振周波数とウェハステージ17のスキャン速度を決定する。
ステップS101において、照明モードの設定を行う。スリット幅50は照明モードによって異なるため、補正値は、照明モード毎に予め計測される。
なお、本実施例において、2つの方向(以下、UP方向とDOWN方向とする)から走査露光を行えるため、ずれ量の算出もUP方向とDOWN方向の両方で行う。ステップS102〜S105ではUP方向の処理を行い、ステップS106〜S199ではDOWN方向の処理を行う。
ステップS102において、ウェハ上の光電変換装置19が露光開始位置54に位置するようにウェハステージ17を移動させる(図2の状態)。
ステップS103において、図2に示すように走査露光を行う。ここで、光電変換装置6,19は走査露光中の出力を毎パルス読み出して保存する。
なお、光電変換装置の計測精度は、ウェハステージ上の単位長さ当たりに照射される発光パルス数に依存し、その分解能は以下の式で定義される。
ΔE = S / F ・・・(1)
F:光源1の発振周波数[pulse/sec]
S:ウェハステージ17のスキャン速度[mm/sec]
ΔEが小さいほど計測精度が向上するため、ウェハステージ17のスキャン速度Sは遅いほど好ましく、光源1の発振周波数Fは早いほど好ましい。
本実施例においては、必要な計測精度に応じて、光源1の発振周波数とウェハステージ17のスキャン速度を決定する。
図3は走査露光中の光電変換装置6,19の出力を示す図である。光電変換装置6は、光源1からの光の全パルスを読み出すため、図3(b)のような出力となる。一方、光電変換装置19は、ウェハステージ17をスリット光に対して走査させているため、図3(c)のような出力となる。
図6は、図3(b)の詳細図を示す。ステップS104において、光電変換装置19の出力が予め設定された閾値を超えたときの発振パルス数(以下、露光開始パルス数とする)を算出する。
つぎに、露光開始信号がレーザ制御系24に送信された後に光源1からの光が光電変換装置19に到達するまでにウェハステージ17が移動する距離を算出する。この距離dは以下の式で算出される。
d = P × S / F ・・・(2)
P:露光開始パルス数[pulse]
F:光源1の発振周波数[pulse/sec]
S:ウェハステージ17のスキャン速度[mm/sec]
Pは、光電変換装置19の出力データから求めた露光開始パルス数、光源1の発振周波数F、ウェハステージ17のスキャン速度Sは、ステップ103で設定した露光条件である。
図6は、図3(b)の詳細図を示す。ステップS104において、光電変換装置19の出力が予め設定された閾値を超えたときの発振パルス数(以下、露光開始パルス数とする)を算出する。
つぎに、露光開始信号がレーザ制御系24に送信された後に光源1からの光が光電変換装置19に到達するまでにウェハステージ17が移動する距離を算出する。この距離dは以下の式で算出される。
d = P × S / F ・・・(2)
P:露光開始パルス数[pulse]
F:光源1の発振周波数[pulse/sec]
S:ウェハステージ17のスキャン速度[mm/sec]
Pは、光電変換装置19の出力データから求めた露光開始パルス数、光源1の発振周波数F、ウェハステージ17のスキャン速度Sは、ステップ103で設定した露光条件である。
ステップS105において、算出した距離dを記憶装置に記憶する。
ステップS106において、ウェハ上の光電変換装置19がDOWN方向の露光開始位置に位置するようにウェハステージ17を移動させる。
ステップS107において、図2とは反対の方向に走査露光を行う。ここで、光電変換装置6,19は走査露光中の出力を毎パルス読み出して保存する。
ステップS108において、同様に露光開始パルス数P、距離dの算出を行う。ステップS109において、ステップS105において、算出した距離を記憶装置に記憶する。
なお、ステップS106〜S109については、ステップS102〜S105と同様の処理を行うので詳細な説明を省略する。
ステップS106において、ウェハ上の光電変換装置19がDOWN方向の露光開始位置に位置するようにウェハステージ17を移動させる。
ステップS107において、図2とは反対の方向に走査露光を行う。ここで、光電変換装置6,19は走査露光中の出力を毎パルス読み出して保存する。
ステップS108において、同様に露光開始パルス数P、距離dの算出を行う。ステップS109において、ステップS105において、算出した距離を記憶装置に記憶する。
なお、ステップS106〜S109については、ステップS102〜S105と同様の処理を行うので詳細な説明を省略する。
次に、実際にウェハを露光するシーケンスについて説明する。図5は本実施例の露光シーケンスを示すフローチャートである。
ステップS201において、ウェハステージ17にウェハ18を搬送する。搬送されたウェハ18には、位置調整、フォーカス面の計測などの各種アライメント処理が行われる。
ステップ202において、ステージの移動距離とウェハ面に照射されるべき積算露光量との関係、積算露光量の要求精度、あるいは絞り形状などのパラメータにもとづいて、露光条件を算出する。
露光条件を求めた後に、露光光が照射開始される露光開始パルス数を(3)式より求める。
P = d × F / S ・・・(3)
d:露光光がチップに到達するまでのステージ距離d[mm]
P:露光開始パルス数[pulse]
F:光源1の発振周波数[pulse/sec]
S:ウェハステージ17のスキャン速度[mm/sec]
ステージ距離dは、ステップS101〜S109で算出されたものを用いる。光源1の発振周波数Fとウェハステージ17のスキャン速度Sは、このステップ202にて算出した値である。
ステップ203において、ステップ202で算出した露光条件を、各制御ユニットに送信する。ステップ204において、ウェハ18の露光を行う。
ステージ制御系20は、設定された条件に基いて、ウェハステージ17の駆動を行い、対象とするチップが露光光の照射領域に達すると、露光開始信号をオンにしてレーザ制御系24へ露光開始の情報を知らせる。
レーザ制御系24は、設定された光源1の発振周波数、目標露光量に基づいて光源1のレーザの出力の発振制御を実施する。
ステップS201において、ウェハステージ17にウェハ18を搬送する。搬送されたウェハ18には、位置調整、フォーカス面の計測などの各種アライメント処理が行われる。
ステップ202において、ステージの移動距離とウェハ面に照射されるべき積算露光量との関係、積算露光量の要求精度、あるいは絞り形状などのパラメータにもとづいて、露光条件を算出する。
露光条件を求めた後に、露光光が照射開始される露光開始パルス数を(3)式より求める。
P = d × F / S ・・・(3)
d:露光光がチップに到達するまでのステージ距離d[mm]
P:露光開始パルス数[pulse]
F:光源1の発振周波数[pulse/sec]
S:ウェハステージ17のスキャン速度[mm/sec]
ステージ距離dは、ステップS101〜S109で算出されたものを用いる。光源1の発振周波数Fとウェハステージ17のスキャン速度Sは、このステップ202にて算出した値である。
ステップ203において、ステップ202で算出した露光条件を、各制御ユニットに送信する。ステップ204において、ウェハ18の露光を行う。
ステージ制御系20は、設定された条件に基いて、ウェハステージ17の駆動を行い、対象とするチップが露光光の照射領域に達すると、露光開始信号をオンにしてレーザ制御系24へ露光開始の情報を知らせる。
レーザ制御系24は、設定された光源1の発振周波数、目標露光量に基づいて光源1のレーザの出力の発振制御を実施する。
図7を参照して、光源1のレーザの発振制御を説明する。
光源1のレーザの発振制御は、ステージ制御系20より受信した露光開始信号により開始される。
露光開始からステップ203にて設定された露光開始パルス数に達するまでは、露光に寄与しない発振である。したがって、本実施例ではこの露光開始パルス数を光源からの光がウェハに到達するまでの遅延に関する補正値とし、この補正値にもとづいてレーザ制御系24の出力を制御する。
例えば、走査方向に対して露光量を変化させる制御の場合には、発振パルス毎に照射エネルギの目標値が異なる。そこで、図7に示すように露光開始パルス数から露光量を変化させるための照射エネルギの制御を開始するようにする。
ステップS205において、露光したチップに対する露光結果の判定処理を行う。判定処理には、露光中のレーザの波長、線幅の性能等を確認する処理と、チップに対する露光量を確認する処理とがある。
レーザの波長、線幅の性能等を確認する処理では、露光中のレーザ波長、レーザ線幅をモニタして、設定値に対する絶対誤差、パルス毎のばらつきを算出する。
各算出値がエラー判定閾値を越えた場合には、そのチップはエラーと判定を行う。
また、露光量を確認する処理では、図1に示される光電変換装置6にて露光中のレーザ光量をモニタして、設定値に対する絶対誤差、パルス毎のばらつきを算出する。各算出値がエラー判定閾値を越えた場合には、そのチップはエラーと判定を行う。
判定処理の結果、露光処理がエラーと判定された場合には、エラー情報をオペレータへ通知する。
ステップS206において、ウェハ上に未露光のチップが存在する場合には、ステップS202へ遷移し露光処理を繰り返す。未露光のチップが存在しない場合には、ステップS207へ遷移する。
ステップS207において、ウェハステージ17からウェハ18を回収して、ウェハ収納ケースへ収納する。
ステップS208において、露光処理前のウェハ18がある場合にはステップ201へ遷移し、全てウェハ18へ露光処理が完了した場合には、露光シーケンスを終了させる。
以上説明したように、本実施例1では、予め露光光が照射開始される発振タイミングを照明モード毎に算出しておき、ウェハ18の露光時では、この算出結果を用いて光源1のレーザの露光量制御を開始するパルス位置を調整する。
これにより、走査方向に対して露光量を変化するように制御する場合においても露光量のプロファイルがシフトすることなく、チップに対する設定露光量に対してより高精度に露光量を制御する。
このため、露光量に起因したレチクルパターンの解像不良を低減し、半導体製造工程における歩留りを向上する。
光源1のレーザの発振制御は、ステージ制御系20より受信した露光開始信号により開始される。
露光開始からステップ203にて設定された露光開始パルス数に達するまでは、露光に寄与しない発振である。したがって、本実施例ではこの露光開始パルス数を光源からの光がウェハに到達するまでの遅延に関する補正値とし、この補正値にもとづいてレーザ制御系24の出力を制御する。
例えば、走査方向に対して露光量を変化させる制御の場合には、発振パルス毎に照射エネルギの目標値が異なる。そこで、図7に示すように露光開始パルス数から露光量を変化させるための照射エネルギの制御を開始するようにする。
ステップS205において、露光したチップに対する露光結果の判定処理を行う。判定処理には、露光中のレーザの波長、線幅の性能等を確認する処理と、チップに対する露光量を確認する処理とがある。
レーザの波長、線幅の性能等を確認する処理では、露光中のレーザ波長、レーザ線幅をモニタして、設定値に対する絶対誤差、パルス毎のばらつきを算出する。
各算出値がエラー判定閾値を越えた場合には、そのチップはエラーと判定を行う。
また、露光量を確認する処理では、図1に示される光電変換装置6にて露光中のレーザ光量をモニタして、設定値に対する絶対誤差、パルス毎のばらつきを算出する。各算出値がエラー判定閾値を越えた場合には、そのチップはエラーと判定を行う。
判定処理の結果、露光処理がエラーと判定された場合には、エラー情報をオペレータへ通知する。
ステップS206において、ウェハ上に未露光のチップが存在する場合には、ステップS202へ遷移し露光処理を繰り返す。未露光のチップが存在しない場合には、ステップS207へ遷移する。
ステップS207において、ウェハステージ17からウェハ18を回収して、ウェハ収納ケースへ収納する。
ステップS208において、露光処理前のウェハ18がある場合にはステップ201へ遷移し、全てウェハ18へ露光処理が完了した場合には、露光シーケンスを終了させる。
以上説明したように、本実施例1では、予め露光光が照射開始される発振タイミングを照明モード毎に算出しておき、ウェハ18の露光時では、この算出結果を用いて光源1のレーザの露光量制御を開始するパルス位置を調整する。
これにより、走査方向に対して露光量を変化するように制御する場合においても露光量のプロファイルがシフトすることなく、チップに対する設定露光量に対してより高精度に露光量を制御する。
このため、露光量に起因したレチクルパターンの解像不良を低減し、半導体製造工程における歩留りを向上する。
次に、本発明の実施例2のシーケンスを説明する。
露光に先立って行うシーケンスは、実施例1におけるS101〜S109と同じであるとして説明を省略する。
図8は本実施例の露光シーケンスを示すフローチャートである。
ステップS301において、ウェハステージ17にウェハ18を搬送する。搬送されたウェハ18には、位置調整、フォーカス面の計測など、各種アライメント処理が行われる。
ステップS302において、ステージの移動距離とウェハ面に照射されるべき積算露光量との関係、積算露光量の要求精度、あるいは絞り形状などのパラメータにもとづいて、露光条件を算出する。
露光条件を求めた後に、露光開始信号の補正値ΔTを(4)式より求める。
ΔT = d / S ・・・(4)
ΔT:露光開始信号の補正値[sec]
d:露光光がチップに到達するまでのステージ距離d[mm]
S:ウェハステージ17のスキャン速度[mm/sec]
ステージ距離dは、ステップS105で記憶されたものを用いる。ウェハステージ17のスキャン速度Sは、ステップS302にて算出した値である。
露光に先立って行うシーケンスは、実施例1におけるS101〜S109と同じであるとして説明を省略する。
図8は本実施例の露光シーケンスを示すフローチャートである。
ステップS301において、ウェハステージ17にウェハ18を搬送する。搬送されたウェハ18には、位置調整、フォーカス面の計測など、各種アライメント処理が行われる。
ステップS302において、ステージの移動距離とウェハ面に照射されるべき積算露光量との関係、積算露光量の要求精度、あるいは絞り形状などのパラメータにもとづいて、露光条件を算出する。
露光条件を求めた後に、露光開始信号の補正値ΔTを(4)式より求める。
ΔT = d / S ・・・(4)
ΔT:露光開始信号の補正値[sec]
d:露光光がチップに到達するまでのステージ距離d[mm]
S:ウェハステージ17のスキャン速度[mm/sec]
ステージ距離dは、ステップS105で記憶されたものを用いる。ウェハステージ17のスキャン速度Sは、ステップS302にて算出した値である。
ステップS303において、ステップS302で算出した露光条件を、各制御ユニットに設定する。
ステップS304において、ウェハ18の露光を行う。
ステージ制御系20は、設定された条件に基いて、ウェハステージ17の駆動を行い、対象とするチップが露光光の照射領域に達すると、露光開始信号をオンにしてレーザ制御系24へ露光開始の情報を知らせる。
ここで、ステップS303にて設定された露光開始信号の補正値を考慮して、レーザ制御系24へ露光開始信号を送信する。
ステップS304において、ウェハ18の露光を行う。
ステージ制御系20は、設定された条件に基いて、ウェハステージ17の駆動を行い、対象とするチップが露光光の照射領域に達すると、露光開始信号をオンにしてレーザ制御系24へ露光開始の情報を知らせる。
ここで、ステップS303にて設定された露光開始信号の補正値を考慮して、レーザ制御系24へ露光開始信号を送信する。
図9を参照して、露光開始信号の補正に関して説明する。
図9(a)は、ステップS101〜S109における露光開始信号を示し、図9(d)はウェハ18を露光する際に補正された露光開始信号を示す。
図9(b)は、ステップS101〜S109で計測される光電変換装置6の出力例、図9(c)は、ステップS101〜S109で計測される光電変換装置19の出力例を示す。ステージ制御系20は、補正前の露光開始信号に対して、ステップS302にて求めたΔTだけ、露光オンする発振タイミングを補正する。
露光オンする発振タイミングを補正する手段としては、制御基板上に構成された演算器(CPU)のソフトウェアタイマー、あるいはハードウェアタイマーにより△Tをカウントし、補正前の露光開始信号の露光オンする発振タイミングを遅延させる。
図9(e)は、補正した露光補正開始信号によりウェハ露光を実行した場合の光電変換装置6の出力例を示す。
上記、露光開始信号の補正処理を行うことで、チップに露光光が照射開始される発振タイミングを正確に、レーザ制御系24に知らせることが可能となり、ウェハへ露光光を照射する発振タイミングは、図9(b)から図9(e)へ補正される。
レーザ制御系24は、設定された光源1の発振周波数、目標露光量に基づいて光源1のレーザの発振制御を実施する。
ステップS305において、露光後に、露光したチップに対する露光結果の判定処理を行う。判定処理には、露光中のレーザの波長、線幅の性能等を確認する処理と、チップに対する露光量を確認する処理とがある。
レーザの波長、線幅の性能等を確認する処理では、露光中のレーザ波長、レーザ線幅をモニタして、設定値に対する絶対誤差、パルス毎のばらつきを算出する。
各算出値がエラー判定閾値を越えた場合には、そのチップはエラーと判定を行う。また、露光量を確認する処理では、図1中の光電変換装置6にて露光中のレーザ光量をモニタして、設定値に対する絶対誤差、パルス毎のばらつきを算出する。各算出値がエラー判定閾値を越えた場合には、そのチップはエラーと判定を行う。
判定処理の結果、露光処理が正常終了しなかった場合には、エラー情報をオペレータへ通知する。
ステップS306において、ウェハ18上に未露光のチップが存在する場合には、ステップS202へ遷移し露光処理を繰り返す。未露光のチップが存在しない場合には、ステップS207へ遷移し、ウェハステージ17上に搭載されているウェハ18の回収処理を行う。
ステップS307において、ウェハステージ17からウェハ18を回収して、ウェハ収納ケースへ収納する。
ステップS308において、露光処理前のウェハ18がある場合にはステップ301へ遷移し、全てウェハ18へ露光処理が完了した場合には、露光シーケンスを終了させる。
以上により、走査方向に対して露光量を変化するように制御する場合においても露光量のプロファイルがシフトすることなく、チップに対する設定露光量に対してより高精度に露光量を制御する。
このため、露光量に起因したレチクルパターンの解像不良を低減し、半導体製造工程における歩留りを向上する。
図9(a)は、ステップS101〜S109における露光開始信号を示し、図9(d)はウェハ18を露光する際に補正された露光開始信号を示す。
図9(b)は、ステップS101〜S109で計測される光電変換装置6の出力例、図9(c)は、ステップS101〜S109で計測される光電変換装置19の出力例を示す。ステージ制御系20は、補正前の露光開始信号に対して、ステップS302にて求めたΔTだけ、露光オンする発振タイミングを補正する。
露光オンする発振タイミングを補正する手段としては、制御基板上に構成された演算器(CPU)のソフトウェアタイマー、あるいはハードウェアタイマーにより△Tをカウントし、補正前の露光開始信号の露光オンする発振タイミングを遅延させる。
図9(e)は、補正した露光補正開始信号によりウェハ露光を実行した場合の光電変換装置6の出力例を示す。
上記、露光開始信号の補正処理を行うことで、チップに露光光が照射開始される発振タイミングを正確に、レーザ制御系24に知らせることが可能となり、ウェハへ露光光を照射する発振タイミングは、図9(b)から図9(e)へ補正される。
レーザ制御系24は、設定された光源1の発振周波数、目標露光量に基づいて光源1のレーザの発振制御を実施する。
ステップS305において、露光後に、露光したチップに対する露光結果の判定処理を行う。判定処理には、露光中のレーザの波長、線幅の性能等を確認する処理と、チップに対する露光量を確認する処理とがある。
レーザの波長、線幅の性能等を確認する処理では、露光中のレーザ波長、レーザ線幅をモニタして、設定値に対する絶対誤差、パルス毎のばらつきを算出する。
各算出値がエラー判定閾値を越えた場合には、そのチップはエラーと判定を行う。また、露光量を確認する処理では、図1中の光電変換装置6にて露光中のレーザ光量をモニタして、設定値に対する絶対誤差、パルス毎のばらつきを算出する。各算出値がエラー判定閾値を越えた場合には、そのチップはエラーと判定を行う。
判定処理の結果、露光処理が正常終了しなかった場合には、エラー情報をオペレータへ通知する。
ステップS306において、ウェハ18上に未露光のチップが存在する場合には、ステップS202へ遷移し露光処理を繰り返す。未露光のチップが存在しない場合には、ステップS207へ遷移し、ウェハステージ17上に搭載されているウェハ18の回収処理を行う。
ステップS307において、ウェハステージ17からウェハ18を回収して、ウェハ収納ケースへ収納する。
ステップS308において、露光処理前のウェハ18がある場合にはステップ301へ遷移し、全てウェハ18へ露光処理が完了した場合には、露光シーケンスを終了させる。
以上により、走査方向に対して露光量を変化するように制御する場合においても露光量のプロファイルがシフトすることなく、チップに対する設定露光量に対してより高精度に露光量を制御する。
このため、露光量に起因したレチクルパターンの解像不良を低減し、半導体製造工程における歩留りを向上する。
また、上述の露光装置を用いてデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)が製造される。ここで、デバイス製造方法は、上述の露光装置を使用して感光剤を塗布したウェハ(基板)を露光する工程と、その基板を現像する工程と、他の周知の工程と、を備える。
1:光源(レーザ) 2:ビーム整形光学系 3:オプティカルインテグレータ
4:絞りターレット 5:ハーフミラー 6:光電変換装置
7:コンデンサレンズ 8:可変スリット 9:マスキングブレード
10:コンデンサレンズ 11:ミラー 12:コンデンサレンズ
13:レチクル 14:レチクルステージ 15:投影光学系
16:フォーカス検出系 17:ウェハステージ 18:ウェハ
19:光電変換装置 20:ステージ制御系 21:タイミング算出部
22:露光演算部 23:主制御部 24:レーザ制御系
25:入力装置 26:記憶部 27:入力部
4:絞りターレット 5:ハーフミラー 6:光電変換装置
7:コンデンサレンズ 8:可変スリット 9:マスキングブレード
10:コンデンサレンズ 11:ミラー 12:コンデンサレンズ
13:レチクル 14:レチクルステージ 15:投影光学系
16:フォーカス検出系 17:ウェハステージ 18:ウェハ
19:光電変換装置 20:ステージ制御系 21:タイミング算出部
22:露光演算部 23:主制御部 24:レーザ制御系
25:入力装置 26:記憶部 27:入力部
Claims (5)
- 光源からの光を原版を介して基板に照射する走査型露光装置であって、
前記基板を搭載して移動する基板ステージと、
前記基板ステージ上に搭載され、前記光源からの光を検出するセンサと、
前記基板の露光をする前に検出した前記センサの出力にもとづいて、前記光源からの光が前記基板に到達するまでの遅延に関する補正値を算出する演算部と、
前記基板の露光をする際に、前記補正値に基づいて前記光源の出力を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする走査型露光装置。 - 前記制御部は、予め設定された目標露光量に基づいて前記光源の出力を制御し、
前記目標露光量は、走査露光中に露光量が変化することを特徴とする請求項1に記載の走査型露光装置。 - 前記制御部は、前記光源の発振タイミングまたは照射エネルギを制御することを特徴とする請求項1または2に記載の走査型露光装置。
- 前記補正値は、前記露光開始信号が前記光源制御部に送信されてから前記光源からの光が前記基板に到達するまでの時間、該時間に移動する前記ステージの移動距離、前記時間に前記光源が発振するパルス数の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の走査型露光装置。
- 請求項1から4のいずれかに記載の走査型露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
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RD01 | Notification of change of attorney |
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