JP2009231558A - Plasma processing device, gas supply member, and its production process - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、処理容器内にプラズマを生成して基板を処理するプラズマ処理装置に配置されるガス供給部材に関する。 The present invention relates to a gas supply member disposed in a plasma processing apparatus for processing a substrate by generating plasma in a processing container.
従来から、例えば成膜処理やエッチング処理においては、例えばマイクロ波を用いたプラズマ処理装置が使用されている。さらにマイクロ波を用いたプラズマ処理装置においては、処理容器内に水平に配置された、シャワープレートと呼ばれるガス供給部材が用いられている。このシャワープレートの内部には、処理ガスの流路が形成されており、シャワープレートの下面には、処理容器内に処理ガスを供給するためのガス供給孔が多数形成されている。 Conventionally, for example, in a film forming process or an etching process, for example, a plasma processing apparatus using a microwave is used. Further, in a plasma processing apparatus using a microwave, a gas supply member called a shower plate, which is disposed horizontally in a processing container, is used. A flow path for processing gas is formed inside the shower plate, and a number of gas supply holes for supplying processing gas into the processing container are formed on the lower surface of the shower plate.
ところで、このように処理容器の内部にシャワープレートを有するプラズマ処理装置を用いて、例えばプラズマCVD処理を行う場合、シャワープレートがプラズマの熱で加熱されて変形するのを防止したり、シャワープレートに反応生成物が付着するのを防止するため、シャワープレート自体の温度を一定温度にコントロールすることが望ましい。また、シャワープレートの温度が一定でないと、シャワープレートの下方に配置されている基板の温度が変わり、安定した均一な処理ができなくなる恐れがある。そこで従来より、処理ガスの流路とは別に、ガスや液体などの冷媒を流通させる流路をシャワープレートの内部に設け、シャワープレート内に冷媒を循環させることによって冷却することが行われている。 By the way, when performing a plasma CVD process, for example, using a plasma processing apparatus having a shower plate inside the processing container as described above, the shower plate is prevented from being deformed by being heated by the heat of the plasma. In order to prevent the reaction product from adhering, it is desirable to control the temperature of the shower plate itself to a constant temperature. Further, if the temperature of the shower plate is not constant, the temperature of the substrate disposed below the shower plate may change, and stable and uniform processing may not be performed. Therefore, conventionally, in addition to the flow path of the processing gas, a flow path for circulating a refrigerant such as gas or liquid is provided inside the shower plate, and cooling is performed by circulating the coolant in the shower plate. .
このように、シャワープレートの内部には、処理ガスの流路や冷媒の流路が別々に設けられており、しかも、シャワープレートの全体に処理ガスや冷媒を流通させるために、各流路は複雑な形状を有している。このため、特許文献1に示されるように、複数の板状の金属ブロックを上下に重ね合わせて、シャワープレートを製造することが行われている。この方法によれば、金属ブロック同士の間に、複雑な形状の流路を容易に形成させることができる。 As described above, the processing gas flow path and the refrigerant flow path are separately provided in the shower plate, and in order to distribute the processing gas and the refrigerant throughout the shower plate, It has a complicated shape. For this reason, as shown in Patent Document 1, a shower plate is manufactured by stacking a plurality of plate-like metal blocks on top and bottom. According to this method, a complicated-shaped channel can be easily formed between metal blocks.
上述のようにシャワープレートの内部には、処理ガスの流路や冷媒の流路といった複数の流路が設けられるが、各流路はシャワープレートの内部においてそれぞれ密閉させることが必要であり、各流路同士は互いに連通しないようにしなければならない。例えば冷媒の流路には、約0.6MPaの状態で冷媒が循環供給されるが、冷媒の流路が密閉されていないと、処理時に真空にされる処理容器の内部に冷媒が漏れ出てしまう。そのため、複数の板状の金属ブロックを接合してシャワープレートを製造する場合、各金属ブロック同士を気密に密着させた状態で接合させることが必要になる。 As described above, a plurality of flow paths such as a process gas flow path and a refrigerant flow path are provided inside the shower plate, but each flow path needs to be sealed inside the shower plate. The flow paths must not communicate with each other. For example, the refrigerant is circulated and supplied to the refrigerant flow path at a state of about 0.6 MPa. However, if the refrigerant flow path is not sealed, the refrigerant leaks into the processing container that is evacuated during processing. End up. Therefore, when a shower plate is manufactured by joining a plurality of plate-like metal blocks, it is necessary to join the metal blocks in a state in which the metal blocks are tightly adhered to each other.
そこで、上記特許文献1には、複数の金属ブロック同士をボルトで仮止めし、更に金属拡散接合によって各金属ブロック同士を密着させる技術が開示されている。しかしながら、金属拡散接合によって金属ブロック同士を密着させて真空シールすることは相当に困難である。 Therefore, Patent Document 1 discloses a technique in which a plurality of metal blocks are temporarily fixed with bolts, and the metal blocks are brought into close contact with each other by metal diffusion bonding. However, it is considerably difficult to seal the metal blocks closely by metal diffusion bonding.
一方、金属ブロック同士を密着させるために、金属ブロック同士の接合面をろう箔やろうペーストによって隙間なくろう付けさせることも考えられる。しかしながら、従来のろう付けでは、金属ブロック同士の間に形成される流路に、ろう箔やろうペーストといったろう材がはみ出てしまう問題があった。例えば、処理ガスの流路にろう材がはみ出ると、流路内においてろう材が壁面から剥離して、パーティクルの原因となる恐れがある。 On the other hand, in order to make the metal blocks adhere to each other, it is conceivable that the joint surfaces of the metal blocks are brazed with a wax foil or a solder paste without a gap. However, the conventional brazing has a problem that brazing material such as brazing foil and brazing paste protrudes into the flow path formed between the metal blocks. For example, if the brazing material protrudes into the flow path of the processing gas, the brazing material may peel from the wall surface in the flow path, which may cause particles.
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、金属ブロック同士の間に形成される流路にろう材をはみ出させずに、複数の金属ブロックを密着させて接合させることにより、高品質のガス供給部材を製造することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above points, and without causing the brazing material to protrude into the flow path formed between the metal blocks, a plurality of metal blocks are brought into close contact with each other, thereby allowing high quality. The object is to produce a gas supply member.
前記目的を達成するため、本発明によれば、処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマ処理装置の処理容器内に配置される、内部に処理ガスの流路が形成されたガス供給部材であって、複数の金属ブロックが、ろうペーストを用いてろう付けされており、ろうペーストの塗布位置が、複数の金属ブロック同士の接合面において、前記接合面の外縁よりも内側に離れた領域であることを特徴とする、プラズマ処理装置のガス供給部材が提供される。 In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a gas supply member that is disposed in a processing vessel of a plasma processing apparatus that processes a substrate by converting the processing gas into plasma, and in which a processing gas flow path is formed. The plurality of metal blocks are brazed using a brazing paste, and the application position of the brazing paste is in a region separated from the outer edge of the joint surface at the joint surface between the plurality of metal blocks. There is provided a gas supply member of a plasma processing apparatus.
このガス供給部材において、例えば、前記複数の金属ブロックは板状であり、上下に重ね合わせた状態でろう付けされている。前記接合面の外縁近傍に、外縁に沿って1または2以上の溝が設けられていても良い。また、前記接合面において、下方に配置される金属ブロックの壁面上部に、外側に広がるテーパ面部が設けられていても良い。また、ガス供給部材の内部に、熱媒の流路が形成されていても良い。 In this gas supply member, for example, the plurality of metal blocks are plate-like and are brazed in a state where they are stacked one above the other. One or two or more grooves may be provided in the vicinity of the outer edge of the joint surface along the outer edge. Moreover, the taper surface part which spreads outside may be provided in the wall surface upper part of the metal block arrange | positioned below in the said joint surface. Further, a heat medium flow path may be formed inside the gas supply member.
また、本発明によれば、処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマ処理装置の処理容器内に配置される、内部に処理ガスの供給流路が形成されたガス供給部材を製造する方法であって、複数の金属ブロック同士の接合面において、前記接合面の外縁よりも内側に離れた領域にろうペーストを塗布し、前記複数の金属ブロック同士を圧接させ、加熱することにより、前記複数の金属ブロック同士をろう付けさせて前記ガス供給部材を製造することを特徴とする、ガス供給部材の製造方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a method for producing a gas supply member having a processing gas supply channel formed therein, which is disposed in a processing container of a plasma processing apparatus for processing a substrate by converting the processing gas into plasma. In the bonding surface between the plurality of metal blocks, a solder paste is applied to a region separated from the outer edge of the bonding surface to the inside, and the plurality of metal blocks are pressed and heated, thereby heating the plurality of the metal blocks. A method of manufacturing a gas supply member is provided, wherein the gas supply member is manufactured by brazing metal blocks.
また、本発明によれば、処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマ処理装置であって、基板を収納する処理容器を備え、前記処理容器内に配置された、基板を載置させる載置台と、前述のガス供給部材を備えることを特徴とする、プラズマ処理装置が提供される。 According to the present invention, there is also provided a plasma processing apparatus for processing a substrate by converting a processing gas into a plasma, comprising a processing container for storing the substrate, and the mounting table placed on the processing container for mounting the substrate. And a plasma processing apparatus comprising the aforementioned gas supply member.
本発明によれば、金属ブロック同士の接合面において、接合面の外縁よりも内側に離れた領域にろうペーストを塗布しているので、金属ブロック同士の間に形成される処理ガスや冷媒の流路にろう材をはみ出さずに、金属ブロックを密着させて接合させることができる。本発明によれば、ろう付けにより、金属ブロック同士を気密に接合させた高品質のガス供給部材を容易に製造できるようになる。 According to the present invention, since the brazing paste is applied to the region separated from the outer edge of the joint surface at the joint surface between the metal blocks, the flow of the processing gas and the refrigerant formed between the metal blocks. The metal block can be brought into close contact and bonded without protruding the brazing material on the road. According to the present invention, it is possible to easily manufacture a high-quality gas supply member in which metal blocks are hermetically joined by brazing.
以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかるガス供給部材としてのシャワープレート40を備えたプラズマ処理装置1の概略的な構成を示す縦断面図である。図2は、このプラズマ装置1が備えるシャワープレート40の上面図、図3は、シャワープレート40の下面図である。図4は、図2中のX−X断面における拡大断面図である。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a plasma processing apparatus 1 including a
図1に示すように、このプラズマ処理装置1は例えばアルミニウムからなる、上部が開口した有底円筒状の処理容器10を備えている。処理容器10の内壁面には、例えばアルミナなどの保護膜が被覆されている。処理容器10は電気的に接地されている。
As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 1 includes a bottomed
処理容器10内の底部には、基板として例えば半導体ウェハ(以下ウェハという)Wを載置するための載置台としてのサセプタ11が設けられている。このサセプタ11は例えばアルミニウムからなり、その内部には、外部電源12からの電力の供給によって発熱するヒータ13が設けられている。これによって、サセプタ11上のウェハWを所定温度に加熱することが可能である。
A
処理容器10の底部には、真空ポンプなどの排気装置15によって処理容器10内の雰囲気を排気するための排気管16が設けられている。
An
処理容器10の上部開口には、気密性を確保するためのOリングなどのシール材20を介して、たとえば誘電体の石英部材からなる透過窓21が設けられている。透過窓21は略円盤形状である。石英部材に代えて、他の誘電体材料、たとえばAl2O3、AlN等のセラミックスを使用してもよい。
In the upper opening of the
透過窓21の上方には、平面状のアンテナ部材、例えば円板状のラジアルラインスロットアンテナ22が設けられている。ラジアルラインスロットアンテナ22は、導電性を有する材質、たとえばAg、Au等でメッキやコーティングされた銅の薄い円板からなり、多数のスリット23が、例えば渦巻状や同心円状に整列して形成されている。
A planar antenna member, for example, a disk-shaped radial
ラジアルラインスロットアンテナ22の上面には、マイクロ波の波長を短縮するための遅波板25が配置されている。遅波板25は導電性のカバー26によって覆われている。カバー26には円環状の熱媒流路27が設けられ、この熱媒流路27を流れる熱媒によって、カバー26と透過窓22を所定温度に維持するようになっている。
A
カバー26の中央には同軸導波管30が接続されており、この同軸導波管30は、内側導体31と外管32とによって構成されている。内側導体31は、上述のラジアルラインスロットアンテナ22と接続されている。内側導体31のラジアルラインスロットアンテナ22側は円錐形に形成されて、ラジアルラインスロットアンテナ22に対してマイクロ波を効率よく伝播するようになっている。
A
マイクロ波供給装置35で発生させた、たとえば2.45GHzのマイクロ波が、矩形導波管36、モード変換器37、同軸導波管30、遅波板25、ラジアルラインスロットアンテナ22を介して、透過窓21に放射される。そして、その際のマイクロ波エネルギーによって透過窓21の下面に電界が形成され、処理容器10内の処理ガスがプラズマ化される。
For example, a microwave of 2.45 GHz generated by the
処理容器10内には、ガス供給部材としてのシャワープレート40が、処理容器10内を上下に区分するように水平に配置されている。図2、3に示すように、このシャワープレート40は、複数の縦桟40aと複数の横桟40bとが格子状に配置された構成を有している。これら格子状に配置された縦桟40aと横桟40bとの間には、複数の四角形の開口41が上下に貫通して形成されており、これら複数の開口41を通じて、処理容器10内は上下に流通した状態になっている。
A
この実施の形態では、複数の横桟40bのうち、3本の横桟40bの内部には、熱媒を流通させる熱媒流路45と処理ガスを流通させる処理ガス流路46が設けられている。図4に示すように、これら熱媒流路45と処理ガス流路46は、横桟40bの内部において上下に重なるように配置されている。
In this embodiment, among the plurality of
図2に示す熱媒供給機構50から供給された熱媒が、往配管51および復配管52を通じて、シャワープレート40内の熱媒流路45に循環させられる。この場合、熱媒には、例えば、シャワープレート40を冷却するための冷媒として、ガス中に粒子状の液体を分散させたミスト状流体、空気、N2などのガス(気体)、水など液体が用いられる。このように、シャワープレート40内の熱媒流路45に熱媒が循環させられることによって、シャワープレート40の温度が所望の温度に維持される。
The heat medium supplied from the heat
図3に示すように、シャワープレート40の下面には、多数の処理ガス吐出孔55が開口している。各処理ガス吐出孔55は、シャワープレート40内に形成された処理ガス流路46に連通している。シャワープレート40内の処理ガス流路46には、プラズマ処理用のガスを供給する処理ガス供給機構56が、配管57を通じて接続されている。処理ガス供給源56には、プラズマ処理用のガスとして例えばフッ素ガス、酸素ガスなどが貯留されている。これにより、処理ガス供給機構56からシャワープレート40内に導入されたプラズマ処理用のガスが、複数の処理ガス吐出孔55を通じて処理容器10内に供給される。
As shown in FIG. 3, a large number of process gas discharge holes 55 are opened on the lower surface of the
シャワープレート40は、いずれもアルミニウムからなる3枚の板状の金属ブロック60、61、62を上下に重ね合わせ、一番上の金属ブロック60の下面と上から二番目の金属ブロック61の上面をろう付けし、二番目の金属ブロック61の下面と一番下の金属ブロック62の上面をろう付けした構成になっている。
In the
図5(a)は、シャワープレート40を構成する一番上の金属ブロック60の平面図、図5(b)は、一番上の金属ブロック60の底面図、図5(c)は、一番上の金属ブロック60の側面図である。
5A is a plan view of the
一番上の金属ブロック60は、シャワープレート40の縦桟40aと横桟40bに対応するように、縦桟60aと横桟60bが格子状に配置された構成を有している。一番上の金属ブロック60にも、処理容器10内を上下に流通させるための複数の四角形の開口65が上下に貫通して形成されている。一番上の金属ブロック60は、上面および下面のいずれも平坦な形状(平面形状)になっている。
The
図6(a)は、シャワープレート40を構成する上から二番目の金属ブロック61の平面図、図6(b)は、上から二番目の金属ブロック61の底面図、図6(c)は、図6(a)中のY−Y断面における拡大断面図である。
6A is a plan view of the
上から二番目の金属ブロック61も同様に、シャワープレート40の縦桟40aと横桟40bに対応するように、縦桟61aと横桟61bが格子状に配置された構成を有している。上から二番目の金属ブロック61にも、処理容器10内を上下に流通させるための複数の四角形の開口66が上下に貫通して形成されている。上から二番目の金属ブロック61の上面には、熱媒流路45を形成させるための溝67が設けられている。上から二番目の金属ブロック61の下面は、平坦な形状(平面形状)になっている。
Similarly, the
図7(a)は、シャワープレート40を構成する一番下の金属ブロック62の平面図、図7(b)は、一番下の金属ブロック62の底面図、図7(c)は、図7(a)中のZ−Z断面における拡大断面図である。
7A is a plan view of the
一番下の金属ブロック62も同様に、シャワープレート40の縦桟40aと横桟40bに対応するように、縦桟62aと横桟62bが格子状に配置された構成を有している。一番下の金属ブロック62にも、処理容器10内を上下に流通させるための複数の四角形の開口70が上下に貫通して形成されている。一番下の金属ブロック62の上面には、処理ガス流路46を形成させるための溝71が設けられている。一番下の金属ブロック62の下面には、溝71に連通する多数の処理ガス吐出孔55が開口している。
Similarly, the
以上のような3枚の金属ブロック60、61、62を上下に重ね合わせ、一番上の金属ブロック60の下面と上から二番目の金属ブロック61の上面、および、二番目の金属ブロック61の下面と一番下の金属ブロック62の上面を、ろうペーストを用いてろう付けすることにより、シャワープレート40が作成される。こうして作成されたシャワープレート40の内部には、一番上の金属ブロック60の下面と上から二番目の金属ブロック61の上面との間において、溝67が密閉されて熱媒流路45が形成され、同様に、二番目の金属ブロック61の下面と一番下の金属ブロック62の上面との間において、溝71が密閉されて処理ガス流路46が形成される。
The three
このようにロウ付けによってシャワープレート40が作成される際、一番上の金属ブロック60の下面と上から二番目の金属ブロック61の接合面(上から二番目の金属ブロック61の上面および/または一番上の金属ブロック60の下面)と、二番目の金属ブロック61の下面と一番下の金属ブロック62の接合面(一番下の金属ブロック62の上面および/または二番目の金属ブロック61の下面)には、ろうペースト75が塗布される。この場合、ろうペースト75には、シャワープレート40の材料と同じアルミニウムからなる粉末と溶剤、バインダーの混合物が用いられる。
When the
この場合、ろうペースト75の塗布位置は、各接合面において、接合面の外縁よりも内側に離れた領域とされる。即ち、図8に示すように、例えば上から二番目の金属ブロック61の上面にろうペースト75が塗布される場合、縦桟61aの上面においては、縦桟61aの外縁までは達しないように縦桟61aの上面中央部にろうペースト75が塗布される。また、横桟61bの上面においては、横桟61bの外縁と溝67の外縁の間の領域において、横桟61bの外縁と溝67の外縁までは達しないように、横桟61bの外縁と溝67の外縁の間の中央部にろうペースト75が塗布される。同様に、例えば一番下の金属ブロック62の上面にろうペースト75が塗布される場合、縦桟62aの上面においては、縦桟62aの外縁までは達しないように縦桟62aの上面中央部にろうペースト75が塗布される。また、横桟62bの上面においては、横桟62bの外縁と溝71の外縁の間の領域において、横桟62bの外縁と溝71の外縁までは達しないように、横桟62bの外縁と溝67の外縁の間の中央部にろうペースト75が塗布される。
In this case, the application position of the
そして、このように一番上の金属ブロック60の下面と上から二番目の金属ブロック61の上面との間、および、二番目の金属ブロック61の下面と一番下の金属ブロック62の上面との間に、それぞれろうペースト75を介在させ、各金属ブロック60〜62を適当な圧力で互いに圧接させ、例えば540〜550℃に加熱することにより、各金属ブロック60〜62同士がろう付けされ、シャワープレート40が製造される。なお、ろうペースト75を用いたろう付けを行うことにより、一番上の金属ブロック60の下面と上から二番目の金属ブロック61の上面との間の接合面、および、二番目の金属ブロック61の下面と一番下の金属ブロック62の上面との間の接合面をいずれも気密に密着させた状態で、シャワープレート40が製造される。
Thus, between the lower surface of the
こうして製造されたシャワープレート40にあっては、上述のように一番上の金属ブロック60の下面と上から二番目の金属ブロック61の上面との間に形成された接合面、および、二番目の金属ブロック61の下面と一番下の金属ブロック62の上面との間に形成された接合面において、ろうペースト75の塗布位置が、各接合面において接合面の外縁よりも内側に離れた領域となっているので、ロウ付けされた後の状態では、図9に示すように、ろうペースト75が、各接合面の内部に閉じ込められた状態となっている。このため、シャワープレート40内に形成されている熱媒流路45や処理ガス流路46、開口41の側面などにろうペースト75がはみ出ない。
In the
次に、以上のように構成されたシャワープレート40を備えるプラズマ処理装置1の作用について説明する。
Next, the operation of the plasma processing apparatus 1 including the
プラズマ処理装置1において例えばプラズマ成膜処理を行う際には、図1に示すように先ずウェハWが処理容器10内に搬入され、サセプタ11上に載置される。そして、排気管16から排気が行われて処理容器10内が減圧される。更に、シャワープレート40の処理ガス吐出孔55からは処理ガス供給源56から供給されたプラズマ成膜用の処理ガスが処理容器10内に供給される。そして、マイクロ波供給装置35の作動により、透過窓21の下面に電界が発生し、前記処理ガスがプラズマ化され、その際に発生した活性種によって、ウェハW上に成膜処理がなされる。
When performing a plasma film forming process in the plasma processing apparatus 1, for example, a wafer W is first loaded into the
そして、所定時間成膜処理が行われた後、マイクロ波供給装置35の作動と、処理容器10内への処理ガスの供給が停止され、ウェハWが処理容器10内から搬出されて、一連のプラズマ成膜処理が終了する。
Then, after the film forming process is performed for a predetermined time, the operation of the
プラズマ成膜処理中、プラズマ発生に伴う熱によって、シャワープレート40における特に中心領域の温度が上昇する。しかしながらこのプラズマ処理装置1においては、シャワープレート40を構成する横桟42の内部に熱媒流路45が設けられており、熱媒供給機構50によって、この熱媒流路45に熱媒(冷媒)を流通させ、シャワープレート40全体を冷却することができる。このため、シャワープレート40の温度を所望の温度に維持すると共に面内温度の均一性を向上させ、処理の際のシャワープレート40の変形、歪みの発生を抑えることができる。
During the plasma film forming process, the temperature associated with the generation of plasma increases the temperature of the
また、このプラズマ処理装置1のシャワープレート40にあっては、上述したように、一番上の金属ブロック60の下面と上から二番目の金属ブロック61の上面との間に形成された接合面、および、二番目の金属ブロック61の下面と一番下の金属ブロック62の上面との間に形成された接合面において、ろうペースト75が、各接合面の内部に閉じ込められた状態となっている。このため、熱媒流路45や処理ガス流路46内において、ろう材が壁面から剥離してパーティクルを発生させるといった問題を回避できるようになる。また、ろうペースト75を用いたろう付けによってシャワープレート40が製造されているので、一番上の金属ブロック60の下面と上から二番目の金属ブロック61の上面との間の接合面、および、二番目の金属ブロック61の下面と一番下の金属ブロック62の上面との間の接合面は、いずれも気密に密着された状態となっている。このため、例えば熱媒流路45を流通する熱媒が処理容器10内に漏れ出ることがない。このため、処理容器10内は適切な圧力に維持されることになる。
In the
以上、本発明の好ましい実施の形態の一例を説明したが、本発明はここに例示した形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 As mentioned above, although an example of preferable embodiment of this invention was demonstrated, this invention is not limited to the form illustrated here. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the ideas described in the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. It is understood that it belongs.
図10に示すように、一番上の金属ブロック60の下面と上から二番目の金属ブロック61の接合面と、二番目の金属ブロック61の下面と一番下の金属ブロック62の接合面において、接合面の外縁近傍に、外縁に沿って1または2以上の溝80が設けられていても良い。このように、接合面の外縁近傍に溝80が設けられていれば、ロウ付けされる際に、各接合面の中央部に塗布されたろうペースト75が溝80の位置から外側に流れ出にくくなり、熱媒流路45や処理ガス流路46、開口41の側面などにろうペースト75がより確実にはみ出なくなる。
As shown in FIG. 10, the lower surface of the
また、図11に示すように、一番上の金属ブロック60の下面と上から二番目の金属ブロック61の接合面と、二番目の金属ブロック61の下面と一番下の金属ブロック62の接合面において、下方に配置される金属ブロック61(62)の壁面上部(熱媒流路45や処理ガス流路46を構成する溝67,71の側壁面上部)に、外側に広がるテーパ面部81が設けられていても良い。このようなテーパ面部81が設けられていれば、ロウ付けされる際に、各接合面の間からろうペースト75がはみ出たとしても、接合面の外縁でろうペースト75が止まり、接合面の外縁を超えて熱媒流路45や処理ガス流路46内にろうペースト75が流れ込まなくなる。
Further, as shown in FIG. 11, the lower surface of the
また、例えば、シャワープレート40の横桟40aのうち、中央に配置された3本の横桟40bの内部に熱媒流路45と処理ガス流路46を設けた形態を説明したが、複数の横桟40bのうち一部または全部の内部に熱媒流路45や処理ガス流路46を設けて良い。また、熱媒流路45や処理ガス流路46を縦桟40aの内部に設けても良いし、縦桟40aと横桟40bの両方の内部に熱媒流路45や処理ガス流路46を設けても良い。また、熱媒流路45を省略しても良い。
In addition, for example, the embodiment has been described in which the heat
また、以上の実施の形態では、ガス供給部材としてのシャワープレート40が、処理容器10内を上下に区分するように配置されている例を説明したが、シャワープレート40は、処理容器10の上面に配置されても良い。また、シャワープレート40が3枚の金属ブロック60〜62で構成される例を示したが、シャワープレート40を構成する金属ブロックの形状、数は任意である。
Moreover, although the above embodiment demonstrated the example in which the
また、以上説明した実施の形態では、マイクロ波を用いたプラズマ処理装置を例にとって説明したが、これに限定されず、高周波電圧を用いたプラズマ処理装置についても本発明を適用できるのは勿論である。また、本発明は、成膜処理以外の基板処理、例えばエッチング処理を行うプラズマ処理装置にも適用できる。また、本発明のプラズマ処理装置で処理される基板は、半導体ウェハ、有機EL基板、FPD(フラットパネルディスプレイ)用の基板等のいずれのものであってもよい。 In the embodiment described above, the plasma processing apparatus using microwaves has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to a plasma processing apparatus using high-frequency voltages. is there. The present invention is also applicable to a plasma processing apparatus that performs substrate processing other than film formation processing, for example, etching processing. Further, the substrate processed by the plasma processing apparatus of the present invention may be any of a semiconductor wafer, an organic EL substrate, a substrate for FPD (flat panel display), and the like.
なお、シャワープレート40を製造するに際し、各金属ブロック60、61,62を、ろう材を用いずに接合する表面処理法(表面改質法)によって接合することも考えられる。表面処理法は、製品形状の影響を受けにくく、細かい形状(流路)への対応が可能である。また、表面処理法によれば、真空炉のみで接合が可能であり、ろう材の流れ出しも無いため、流路部分の表面粗さの変化が無く、かつ、流路断面積も変化しない。
In addition, when manufacturing the
本発明は、処理容器内にプラズマを生成して基板を処理するプラズマ処理に適用できる。 The present invention can be applied to plasma processing in which plasma is generated in a processing container to process a substrate.
W ウェハ
1 プラズマ処理装置
10 処理容器
11 サセプタ(載置台)
15 排気装置
21 透過窓
30 同軸導波管
35 マイクロ波供給装置
40 シャワープレート(ガス供給部材)
45 熱媒流路
46 処理ガス流路
50 熱媒供給機構
55 処理ガス吐出孔
56 処理ガス供給機構
60、61、62 金属ブロック
67、71 溝
W Wafer 1
15
45 Heat
Claims (9)
複数の金属ブロックが、ろうペーストを用いてろう付けされており、ろうペーストの塗布位置が、複数の金属ブロック同士の接合面において、前記接合面の外縁よりも内側に離れた領域であることを特徴とする、プラズマ処理装置のガス供給部材。 A gas supply member that is disposed in a processing container of a plasma processing apparatus that processes a substrate by converting the processing gas into plasma, and has a processing gas flow path formed therein,
The plurality of metal blocks are brazed using brazing paste, and the application position of the brazing paste is a region separated from the outer edge of the joint surface at the joint surface between the plurality of metal blocks. A gas supply member for a plasma processing apparatus.
複数の金属ブロック同士の接合面において、前記接合面の外縁よりも内側に離れた領域にろうペーストを塗布し、
前記複数の金属ブロック同士を圧接させ、加熱することにより、前記複数の金属ブロック同士をろう付けさせて前記ガス供給部材を製造することを特徴とする、ガス供給部材の製造方法。 A method for manufacturing a gas supply member having a processing gas supply channel formed therein, which is disposed in a processing container of a plasma processing apparatus for converting a processing gas into plasma and processing a substrate,
In the joint surface between a plurality of metal blocks, a wax paste is applied to a region away from the outer edge of the joint surface,
The method for producing a gas supply member, wherein the plurality of metal blocks are brazed together and heated by pressing the plurality of metal blocks together and heated.
基板を収納する処理容器を備え、
前記処理容器内に配置された、基板を載置させる載置台と、請求項1〜5のいずれかに記載のガス供給部材を備えることを特徴とする、プラズマ処理装置。 A plasma processing apparatus for processing a substrate by converting a processing gas into plasma,
A processing container for storing the substrate;
A plasma processing apparatus, comprising: a mounting table on which a substrate is placed, and the gas supply member according to claim 1.
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