JP2009231552A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009231552A JP2009231552A JP2008075433A JP2008075433A JP2009231552A JP 2009231552 A JP2009231552 A JP 2009231552A JP 2008075433 A JP2008075433 A JP 2008075433A JP 2008075433 A JP2008075433 A JP 2008075433A JP 2009231552 A JP2009231552 A JP 2009231552A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser device
- lead
- protective plate
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】半導体レーザチップを保護でき、その上、例えば接着用樹脂による半導体レーザチップの汚染を防ぐことができる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】第1リード1は、半導体レーザチップ5を搭載する板状の搭載部1aを有すると共に、この搭載部1aに連なって延びるリード部1bを有する。第2リード2はリード部1bに沿って延びる。第1リード1および第2リード2は、絶縁性材料からなる樹脂部3で一体に保持される。樹脂部3には段部3aが形成されている。段部3aの表面には、絶縁性材料からなる保護板の一部に嵌合する凹部3bが形成されている。これにより、段部3a上に保護板を搭載すると、保護板が半導体レーザチップ5上に位置すると共に、保護板の一部が凹部3bに嵌合する。
【選択図】図1A
【解決手段】第1リード1は、半導体レーザチップ5を搭載する板状の搭載部1aを有すると共に、この搭載部1aに連なって延びるリード部1bを有する。第2リード2はリード部1bに沿って延びる。第1リード1および第2リード2は、絶縁性材料からなる樹脂部3で一体に保持される。樹脂部3には段部3aが形成されている。段部3aの表面には、絶縁性材料からなる保護板の一部に嵌合する凹部3bが形成されている。これにより、段部3a上に保護板を搭載すると、保護板が半導体レーザチップ5上に位置すると共に、保護板の一部が凹部3bに嵌合する。
【選択図】図1A
Description
本発明は、光記録媒体や光磁気記録媒体に記録された情報を読み書き、または消去できる光ピックアップ装置などに使用される半導体レーザ装置に関する。
半導体レーザ装置は、CD(コンパクトディスク)やDVD(デジタル万能ディスク)などの光記録媒体や光磁気記録媒体に記録された情報を読み書き、または消去できる光ピックアップ装置の基幹部品として使用されている。この半導体レーザ装置は、光ピックアップ装置の性能に大きな影響を与える。
半導体レーザ装置の中にはフレームタイプ半導体レーザ装置がある。このフレームタイプ半導体レーザ装置とは、例えば特開2005−311147号公報(特許文献1)に開示されているように、半導体レーザチップを搭載する板状の搭載部およびこの搭載部に連なって延びるリード部を有する第1リードと、そのリード部に沿って延びる第2リードとを、樹脂からなる保持部で一体に保持する。上記第2リードはワイヤを介して半導体レーザチップに電気的に接続される。
また、特開2005−311147号公報には、半導体レーザチップを保護するための蓋を保持部上に載置するとの記載がある。
しかしながら、上記蓋付きのフレームタイプ半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に実装すると、半導体レーザ装置の固定に使用する接着用樹脂が蓋と保持部との隙間に流れ込む。
したがって、上記接着用樹脂が蓋と保持部との隙間を通過し、結果、半導体レーザチップに付着してしまう。
すなわち、上記蓋付きのフレームタイプ半導体レーザ装置には、半導体レーザチップが接着用樹脂で汚染されるという問題があった。
特開2005−311147号公報
そこで、本発明の課題は、半導体レーザチップを保護でき、その上、例えば接着用樹脂による半導体レーザチップの汚染を防ぐことができる半導体レーザ装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ装置は、
半導体レーザチップを搭載する板状の搭載部およびこの搭載部に連なって延びるリード部を有する第1リードと、
上記リード部に沿って延びる第2リードと、
上記第1リードおよび第2リードを一体に保持すると共に、段部を有して、絶縁性材料からなる保持部と、
上記段部上に搭載されて上記半導体レーザチップ上に位置すると共に、絶縁性材料からなる保護板と
を備え、
上記段部の表面に、上記保護板の一部に嵌合する嵌合部が形成されていることを特徴としている。
半導体レーザチップを搭載する板状の搭載部およびこの搭載部に連なって延びるリード部を有する第1リードと、
上記リード部に沿って延びる第2リードと、
上記第1リードおよび第2リードを一体に保持すると共に、段部を有して、絶縁性材料からなる保持部と、
上記段部上に搭載されて上記半導体レーザチップ上に位置すると共に、絶縁性材料からなる保護板と
を備え、
上記段部の表面に、上記保護板の一部に嵌合する嵌合部が形成されていることを特徴としている。
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記保持部の段部の表面の嵌合部が保護板の一部に嵌合するので、保持部または保護板上に例えば接着用樹脂が塗布されても、その接着用樹脂が保持部の段部の表面と保護板との間を通過するのを防ぐことができる。
したがって、上記接着用樹脂が保護板下の領域に流れ込まないようにし、接着用樹脂が半導体レーザチップを汚染するのを防ぐことができる。
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記嵌合部は、断面が略半楕円形状の凹部である。
上記嵌合部は、断面が略半楕円形状の凹部である。
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記嵌合部は断面略半楕円形状の凹部であるので、保持部または保護板上に例えば接着用樹脂が塗布されても、その接着用樹脂が保持部の段部の表面と保護板との間を通過するのを防ぐことができる。
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記嵌合部は、断面が略矩形状の凹部である。
上記嵌合部は、断面が略矩形状の凹部である。
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記嵌合部は断面略矩形状の凹部であるので、保持部または保護板上に例えば接着用樹脂が塗布されても、その接着用樹脂が保持部の段部の表面と保護板との間を通過するのを防ぐことができる。
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記嵌合部が凸部である。
上記嵌合部が凸部である。
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記嵌合部が凸部であるので、保持部または保護板上に例えば接着用樹脂が塗布されても、その接着用樹脂が保持部の段部の表面と保護板との間を通過するのを防ぐことができる。
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記凸部が複数ある。
上記凸部が複数ある。
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記凸部が複数あるので、例えば接着用樹脂が保持部の段部の表面と保護板との間を通過するのを確実に防ぐことができる。
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記保持部に、上記段部に上記保護板を位置決めするための位置決め部が形成されている。
上記保持部に、上記段部に上記保護板を位置決めするための位置決め部が形成されている。
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記段部に保護板を位置決めするための位置決め部が保持部に形成されているので、段部に対して保護板を容易に位置決めすることができる。
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記位置決め部は、略円柱形状、略三角柱形状または略四角柱形状の窪みである。
上記位置決め部は、略円柱形状、略三角柱形状または略四角柱形状の窪みである。
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記位置決め部は、略円柱形状、略三角柱形状または略四角柱形状の窪みであるので、保持部または保護板上に例えば接着用樹脂が塗布されても、その接着用樹脂が保持部の段部の表面と保護板との間を通過するのを防ぐことができる。
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記位置決め部は、略円錐形状、略三角錐形状または略四角錐形状の窪みである。
上記位置決め部は、略円錐形状、略三角錐形状または略四角錐形状の窪みである。
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記位置決め部は、略円錐形状、略三角錐形状または略四角錐形状の窪みであるので、保持部または保護板上に例えば接着用樹脂が塗布されても、その接着用樹脂が保持部の段部の表面と保護板との間を通過するのを防ぐことができる。
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記位置決め部は、略半球形状の窪み、または、略円柱形状とこの上に載せた略半球形状とからなる形状の窪みである。
上記位置決め部は、略半球形状の窪み、または、略円柱形状とこの上に載せた略半球形状とからなる形状の窪みである。
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記位置決め部は略半球状の窪みである場合、保持部または保護板上に例えば接着用樹脂が塗布されても、その接着用樹脂が保持部の段部の表面と保護板との間を通過するのを防ぐことができる。
また、上記位置決め部が、略円柱形状とこの上に載せた略半球形状とからなる形状の窪みである場合、保持部または保護板上に例えば接着用樹脂が塗布されても、その接着用樹脂が保持部の段部の表面と保護板との間を通過するのを防ぐことができる。
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記保護板の側面の大部分が上記保持部に密接する。
上記保護板の側面の大部分が上記保持部に密接する。
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記保護板の側面の大部分が上記保持部に密接するので、例えば接着用樹脂が保持部と保護板との間を通過するのを確実に防ぐことができる。
本発明の半導体レーザ装置によれば、保護板の一部に保持部の段部の表面の嵌合部を嵌合させることによって、例えば接着用樹脂が保護板または保持部上に塗布されても、その接着用樹脂が半導体レーザチップ側に流れ込まないようにすることができるので、接着用樹脂による半導体レーザチップの汚染を防ぐことができる。
以下、本発明の半導体レーザ装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
(第1実施形態)
図1Aは、本発明の第1実施形態のフレームタイプの半導体レーザ装置を上方から見た概略図である。また、図1Bは、上記半導体レーザ装置を下方から見た概略図である。また、図1Cは、図1AのC−C線から見た概略断面図である。また、図1Dは、図1AのD−D線から見た概略断面図である。また、図1Eは、上記半導体レーザ装置を後方から見た概略図である。なお、本実施形態における半導体レーザ装置の上下等の向きは、説明の便宜上のためのものである。
図1Aは、本発明の第1実施形態のフレームタイプの半導体レーザ装置を上方から見た概略図である。また、図1Bは、上記半導体レーザ装置を下方から見た概略図である。また、図1Cは、図1AのC−C線から見た概略断面図である。また、図1Dは、図1AのD−D線から見た概略断面図である。また、図1Eは、上記半導体レーザ装置を後方から見た概略図である。なお、本実施形態における半導体レーザ装置の上下等の向きは、説明の便宜上のためのものである。
上記半導体レーザ装置は、図1A〜図1Eに示すように、第1リード1、電極用の第2リード2、樹脂部3、サブマウント4、半導体レーザチップ5、Au線ワイヤ6,16および保護板7を備えている。なお、上記樹脂部3は保持部の一例である。
上記第1リード1は、半導体レーザチップ5を搭載する搭載部1aと、この搭載部1aに連なって細長く延びるリード部1bとを有している。上記搭載部1aは、金属板からなって、サブマウント4を介して半導体レーザチップ5を搭載している。また、上記搭載部1aの下面からは樹脂部3の一部が露出している。また、上記搭載部1aは、Au線ワイヤ6を介してサブマウント4に接続されている。
上記第2リード2は3本あって、それぞれがリード部1bに沿って細長く延びている。そして、上記第2リード2は、樹脂部3により第1リード1と一体となっている。つまり、上記第1リード1および第2リード2は、樹脂部3によって一体に保持されている。換言すれば、上記第1リード1および第2リード2は樹脂部3に固定されている。
上記樹脂部3は、絶縁性材料からなり、上面視でC字形状を呈している。そして、上記樹脂部3の内周縁には段部3aが設けられている。この段部3aの表面には、樹脂部3の内周縁に沿って延びる凹部3bが設けられている。上記凹部3bの断面形状は略矩形状となっている。
上記半導体レーザチップ5は、Au線ワイヤ16を介して、3本の第2リード3のうちの一本に接続されている。また、上記半導体レーザチップ5は、レーザ光の出射方向の長さが、図1A中左右方向の長さよりも長くなっている。また、上記半導体レーザチップ5の図1A中左右方向の長さは、サブマウント4の図1A中左右方向の長さよりも短くなっている。
図2Aは、上記樹脂部3に取り付けられる保護板7の上面図である。また、図2Bは、図2AのB−B線から見た概略断面図である。
上記保護板7は、図2Aに示すように、樹脂部3(図1A参照)で取り囲む空間に嵌合するように成形されていて、上面視で略正方形状となっている。そして、上記保護板7の下面には、保護板7の周縁の三辺に沿って延びる凸部7aが設けられている。この凸部7aの断面は略矩形状となっている。
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記保護板7を樹脂部3の段部3a上に搭載することにより、保護板7は半導体レーザチップ5上に位置する。このとき、上記保護板7の凸部7aが樹脂部3の凹部3bに密に嵌合すると共に、保護板7の側面の大部分が樹脂部3の内周面に密接する。
このように、上記保護板7の凸部7aが樹脂部3の凹部3bに嵌合するので、樹脂部3または保護板7上に例えば接着用樹脂が塗布されても、その接着用樹脂が樹脂部3の段部3aの表面と保護板7の下面との間を通過するのを防ぐことができる。
したがって、上記接着用樹脂が保護板7下の空間に流れ込まないようにし、接着用樹脂が半導体レーザチップ5を汚染するのを防ぐことができる。
また、上記保護板7の側面の大部分が樹脂部3の内周面に密接するので、接着用樹脂が保護板7の側面の大部分と樹脂部3の内周面との間を通過するのを防ぐことができる。
したがって、上記接着用樹脂が保護板7下の空間に浸入するのを確実に防ぐことができる。
上記第1実施形態では、Au線ワイヤ6,16を用いていたが、Au以外の導電性のある素材でからなるワイヤを用いてもよい。このワイヤの本数や接続箇所も、半導体レーザ装置の用途または機能に応じて適宜変更してもよい。
(第2実施形態)
図3Aは、本発明の第2実施形態のフレームタイプの半導体レーザ装置の概略断面図である。また、図3Bは、上記半導体レーザ装置の他の概略断面図である。また、図3A,図3Bにおいて、図1A〜図1Eに示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図1A〜図1Eにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
図3Aは、本発明の第2実施形態のフレームタイプの半導体レーザ装置の概略断面図である。また、図3Bは、上記半導体レーザ装置の他の概略断面図である。また、図3A,図3Bにおいて、図1A〜図1Eに示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図1A〜図1Eにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
本実施形態の半導体レーザ装置は、図3A,図3Bに示すように、樹脂部23を備えている点が上記第1実施形態と異なる。
上記樹脂部23は、絶縁性材料からなり、図示しないが、上面視でC字形状を呈している。そして、上記樹脂部23の内周縁には段部23aが設けられている。この段部23aの表面には、樹脂部23の内周縁に沿って延びる凹部23bが設けられている。上記凹部23bの断面形状は略半楕円形状となっている。つまり、上記樹脂部23は、凹部23b以外の形状が上記第1実施形態の樹脂部3と同じになっている。
したがって、本実施形態の半導体レーザ装置においては、図示しないが、断面形状が略半楕円形状の凸部を下面に有する保護板を使用する。上記凸部は樹脂部23の凹部23bに密に嵌合する。
本実施形態の半導体レーザ装置も、上記第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
なお、本実施形態の保護板の凸部以外の形状は、上記第1実施形態の保護板7の形状と同じになっている。
(第3実施形態)
図4Aは、本発明の第3実施形態のフレームタイプの半導体レーザ装置の概略断面図である。また、図4Bは、上記半導体レーザ装置の他の概略断面図である。また、図4A,図4Bにおいて、図1A〜図1Eに示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図1A〜図1Eにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
図4Aは、本発明の第3実施形態のフレームタイプの半導体レーザ装置の概略断面図である。また、図4Bは、上記半導体レーザ装置の他の概略断面図である。また、図4A,図4Bにおいて、図1A〜図1Eに示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図1A〜図1Eにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
本実施形態の半導体レーザ装置は、図4A,図4Bに示すように、樹脂部33を備えている点が上記第1実施形態と異なる。
上記樹脂部33は、絶縁性材料からなり、図示しないが、上面視でC字形状を呈している。そして、上記樹脂部33の内周縁には段部33aが設けられている。この段部33aの表面には、樹脂部33の内周縁に沿って延びる凹部33bが設けられている。上記凹部33bの断面形状は略三角形状となっている。つまり、上記樹脂部33は、凹部33b以外の形状が上記第1実施形態の樹脂部3と同じになっている。
したがって、本実施形態の半導体レーザ装置においては、図示しないが、断面形状が略三角形状の凸部を下面に有する保護板を使用する。上記凸部は樹脂部23の凹部23bに密に嵌合する。
本実施形態の半導体レーザ装置も、上記第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
なお、本実施形態の保護板の凸部以外の形状は、上記第1実施形態の保護板7の形状と同じになっている。
(第4実施形態)
図5Aは、本発明の第4実施形態のフレームタイプの半導体レーザ装置の概略断面図である。また、図5Bは、上記半導体レーザ装置の他の概略断面図である。また、図5A,図5Bにおいて、図1A〜図1Eに示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図1A〜図1Eにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
図5Aは、本発明の第4実施形態のフレームタイプの半導体レーザ装置の概略断面図である。また、図5Bは、上記半導体レーザ装置の他の概略断面図である。また、図5A,図5Bにおいて、図1A〜図1Eに示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図1A〜図1Eにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
本実施形態の半導体レーザ装置は、図5A,図5Bに示すように、樹脂部43を備えている点が上記第1実施形態と異なる。
上記樹脂部43は、絶縁性材料からなり、図示しないが、上面視でC字形状を呈している。そして、上記樹脂部43の内周縁には段部43aが設けられている。この段部43aの表面には、樹脂部43の内周縁に沿って延びる凸部43bが設けられている。上記凸部43bの断面形状は略矩形状となっている。つまり、上記樹脂部43の凸部43b以外の形状は上記第1実施形態の樹脂部3と同じになっている。
したがって、本実施形態の半導体レーザ装置においては、図示しないが、断面形状が略矩形状の凹部を下面に有する保護板を使用する。この凹部には樹脂部43の凸部43bが密に嵌合する。
本実施形態の半導体レーザ装置も、上記第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
なお、本実施形態の保護板の凹部以外の形状は、上記第1実施形態の保護板7の形状と同じになっている。
(第5実施形態)
図6Aは、本発明の第5実施形態のフレームタイプの半導体レーザ装置の概略断面図である。また、図6Bは、上記半導体レーザ装置の他の概略断面図である。また、図6A,図6Bにおいて、図1A〜図1Eに示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図1A〜図1Eにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
図6Aは、本発明の第5実施形態のフレームタイプの半導体レーザ装置の概略断面図である。また、図6Bは、上記半導体レーザ装置の他の概略断面図である。また、図6A,図6Bにおいて、図1A〜図1Eに示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図1A〜図1Eにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
本実施形態の半導体レーザ装置は、図6A,図6Bに示すように、樹脂部53を備えている点が上記第1実施形態と異なる。
上記樹脂部53は、絶縁性材料からなり、図示しないが、上面視でC字形状を呈している。そして、上記樹脂部53の内周縁には段部53aが設けられている。この段部53aの表面には、樹脂部53の内周縁に沿って延びる複数の凸部53bが設けられている。上記凸部53bの断面形状は略三角形状となっている。つまり、上記樹脂部53の凸部53b以外の形状は上記第1実施形態の樹脂部3と同じになっている。
したがって、本実施形態の半導体レーザ装置においては、図示しないが、断面形状が略三角状の凹部を下面に複数有する保護板を使用する。この各凹部には樹脂部53の凸部53bが密に嵌合する。
本実施形態の半導体レーザ装置も、上記第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
なお、本実施形態の保護板の凹部以外の形状は、上記第1実施形態の保護板7の形状と同じになっている。
(第6実施形態)
図7は、本発明の第6実施形態のフレームタイプの半導体レーザ装置を上方から見た概略図である。また、図7において、図1A〜図1Eに示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図1A〜図1Eにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
図7は、本発明の第6実施形態のフレームタイプの半導体レーザ装置を上方から見た概略図である。また、図7において、図1A〜図1Eに示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図1A〜図1Eにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
本実施形態の半導体レーザ装置は、図7に示すように、樹脂部63を備えている点が上記第1実施形態と異なる。
上記樹脂部63は、絶縁性材料からなり、上面視でC字形状を呈している。そして、上記樹脂部63の内周縁には段部63aが設けられている。この段部63aの表面には、図示しないが、樹脂部63の内周縁に沿って延びる凹部が設けられている。上記凹部の断面形状は略矩形状となっている。また、上記段部63aの表面には、段部63aに保護板(図示せず)を位置決めするための位置決め部8が設けられている。この位置決め部8は略円柱形状の窪みである。すなわち、上記樹脂部63の位置決め部8以外の形状は上記第1実施形態の樹脂部3と同じになっている。
上記保護板は、位置決め部8に嵌合する位置決め部を下面に有する。この位置決め部は略円柱形状の突起である。
本実施形態の半導体レーザ装置も、上記第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
また、仮に、上記保護板または樹脂部63が製造誤差で所望の形状にならなくて、保護板の側面と樹脂部63の内周面との間に隙間が生じたとしても、段部63aに位置決め部8を設けているので、段部63aに対して保護板を容易に位置決めすることができる。
なお、本実施形態の保護板については、位置決め部8に嵌合する位置決め部以外の形状は、上記第1実施形態の保護板7の形状と同じになっている。
上記第6実施形態では、段部63aの表面には、略円柱形状の窪みである位置決め部8を設けていたが、略三角柱形状、略四角柱形状、略円錐形状、略三角錐形状、略四角錐形状または略半球形状の窪みである位置決め部を設けもよい。この場合、言うまでもないが、位置決め部に嵌合する位置決め部を保護板の下面に設ける。
また、上記位置決め部8の代わりに、図8に示す位置決め部18を段部63aの表面に設けてもよい。この位置決め部18の形状は、略円柱形状とこの上に載せた略半球形状とからなる形状である。
上記第1〜6実施形態およびこれらの変形例において、半導体レーザチップ5の第2リード2側の端面から出射されるレーザ光を吸収する光吸収材を保護板の下面(半導体レーザチップ5側の表面)に塗布してもよい。この場合、上記半導体レーザチップ5の第2リード2側の端面から出射されるレーザ光が保護板の下面で反射されるのを防げるので、半導体レーザチップ5の第2リード2側とは反対側の端面から出射されたレーザ光が他のレーザ光から悪影響を受けない。
1 第1リード
1a 搭載部
1b リード部
2 第2リード
3 樹脂部
4 サブマウント
5 半導体レーザチップ
6 Au線ワイヤ
7 保護板
8,18 位置決め部
1a 搭載部
1b リード部
2 第2リード
3 樹脂部
4 サブマウント
5 半導体レーザチップ
6 Au線ワイヤ
7 保護板
8,18 位置決め部
Claims (10)
- 半導体レーザチップを搭載する板状の搭載部およびこの搭載部に連なって延びるリード部を有する第1リードと、
上記リード部に沿って延びる第2リードと、
上記第1リードおよび第2リードを一体に保持すると共に、段部を有して、絶縁性材料からなる保持部と、
上記段部上に搭載されて上記半導体レーザチップ上に位置すると共に、絶縁性材料からなる保護板と
を備え、
上記段部の表面に、上記保護板の一部に嵌合する嵌合部が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
上記嵌合部は、断面が略半楕円形状の凹部であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において
上記嵌合部は、断面が略矩形状の凹部であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において
上記嵌合部が凸部であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項4に記載の半導体レーザ装置において、
上記凸部が複数あることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1から5までのいずれか一項に記載の半導体レーザ装置において、
上記保持部に、上記段部に上記保護板を位置決めするための位置決め部が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項6に記載の半導体レーザ装置において、
上記位置決め部は、略円柱形状、略三角柱形状または略四角柱形状の窪みであることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項6に記載の半導体レーザ装置において、
上記位置決め部は、略円錐形状、略三角錐形状または略四角錐形状の窪みであることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項6に記載の半導体レーザ装置において、
上記位置決め部は、略半球形状の窪み、または、略円柱形状とこの上に載せた略半球形状とからなる形状の窪みであることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項6から9までのいずれか一項に記載の半導体レーザ装置において、
上記保護板の側面の大部分が上記保持部に密接することを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008075433A JP2009231552A (ja) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008075433A JP2009231552A (ja) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009231552A true JP2009231552A (ja) | 2009-10-08 |
Family
ID=41246621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008075433A Pending JP2009231552A (ja) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009231552A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112886382A (zh) * | 2020-02-27 | 2021-06-01 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种单组大功率光纤耦合半导体激光器封装结构与应用 |
-
2008
- 2008-03-24 JP JP2008075433A patent/JP2009231552A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112886382A (zh) * | 2020-02-27 | 2021-06-01 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种单组大功率光纤耦合半导体激光器封装结构与应用 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8477570B2 (en) | Thermally assisted magnetic head assembly and magnetic disk device | |
US5614735A (en) | Semiconductor laser device | |
US20060078021A1 (en) | Semiconductor laser unit and optical pickup device including the semiconductor laser unit | |
JP3854588B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
EP1689054A1 (en) | Semiconductor laser holder | |
JP2009231552A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH08288594A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
EP2453534B1 (en) | Laser holder and optical pickup provided with same | |
JP2007019077A (ja) | 半導体レーザユニットおよび光ピックアップ装置 | |
JP2007035884A (ja) | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法 | |
JP3846884B2 (ja) | 半導体レーザ装置搭載用フレーム、半導体レーザ装置、光ピックアップ装置および半導体レーザ装置の製造方法 | |
JP4075043B2 (ja) | 集積光学素子、光ヘッドおよび記録再生装置 | |
JPH0424978A (ja) | 光半導体素子 | |
JP2008198808A (ja) | 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法ならびに光ピックアップ装置 | |
JP2004055003A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP2005108300A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
JP5079482B2 (ja) | 光学式ピックアップ | |
JP2008146785A (ja) | フレームタイプレーザのホルダユニットおよびこのホルダユニットを備えた光ディスク装置 | |
JP2007048339A (ja) | フレームレーザホルダ、フレームレーザホルダ付フレームレーザおよび光ピックアップ装置 | |
JP2004206801A (ja) | 光学ピックアップ装置及びその組立方法 | |
JP2000048385A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2005286136A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP4770604B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
JP2007305193A (ja) | 光学式ピックアップ | |
JP2005129134A (ja) | 光ピックアップ装置 |