JP2009231412A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法は、(a)ガラス基板1上にゲート電極2およびゲート絶縁膜3を順に形成する工程と、(b)工程(a)の後、ゲート絶縁膜3上に半導体層4、5を形成する工程と、(c)工程(b)の後、半導体層5上にソース・ドレイン電極6をチャネルを挟んで離間して形成する工程と、(d)工程(c)の後、ソース・ドレイン電極6、およびn型半導体層5上に保護膜9を形成する工程と、(e)工程(d)の後、熱処理を行う工程とを備え、ゲート絶縁膜3の脱水素温度は保護膜9の脱水素温度より大きく、工程(e)における熱処理温度はゲート絶縁膜3の脱水素温度と保護膜9の脱水素温度との間であることを特徴とする。
【選択図】図5
Description
本発明の実施形態では、半導体装置の一例として、液晶表示装置用の薄膜トランジスタについて説明する。
本発明の実施形態2では、チャネル7の両端部において保護膜9がn型半導体層5の上面と接するように、ソース・ドレイン電極6が形成されていることを特徴とする。
本発明の実施形態3では、保護膜がシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とからなることを特徴としている。図14は、本発明の実施形態3による半導体装置の断面構造図である。図14に示すように、本実施形態3の保護膜は、SiNからなる保護膜9とSiO2からなる保護膜10との2層により形成される。その他の構成は実施形態2と同様であるため、ここでは説明を省略する。
Claims (6)
- (a)絶縁性基板上にゲート電極およびゲート絶縁膜を順に形成する工程と、
(b)前記工程(a)の後、前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、
(c)前記工程(b)の後、前記半導体層上にソース電極およびドレイン電極をチャネルを挟んで離間して形成する工程と、
(d)前記工程(c)の後、前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記半導体層上に保護膜を形成する工程と、
(e)前記工程(d)の後、熱処理を行う工程と、
を備え、
前記ゲート絶縁膜の脱水素温度は前記保護膜の脱水素温度より大きく、前記工程(e)における熱処理温度は前記ゲート絶縁膜の脱水素温度と前記保護膜の脱水素温度との間であることを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 前記工程(c)において、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記工程(d)における前記保護膜が前記チャネルの両端部において前記半導体層の上面と接するように形成されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(d)において、
前記保護膜は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが順に積層された2層により形成されることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 絶縁性基板上に順に形成されたゲート電極およびゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、
前記半導体層上にチャネルを挟んで離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記半導体層上に形成された保護膜と、
を備え、
前記ゲート絶縁膜の脱水素温度は前記保護膜の脱水素温度より大きいことを特徴とする、半導体装置。 - 前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記チャネルの両端部において前記保護膜が前記半導体層の上面と接するように形成されていることを特徴とする、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記保護膜は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とからなることを特徴とする、請求項4または請求項5に記載の半導体装置。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02303071A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH0350873A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2006156921A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Rikogaku Shinkokai | 半導体装置およびその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02303071A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH0350873A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2006156921A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Rikogaku Shinkokai | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016149562A (ja) * | 2011-03-25 | 2016-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 積層構造体、及びその作製方法 |
JP2012222261A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | トランジスタ、その製造方法および表示装置 |
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