JP2009218241A - 回路パターン検査装置、および回路パターン検査方法 - Google Patents
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Abstract
半導体ウェーハに形成された半導体チップのメモリマット部の最周辺部まで高感度に欠陥判定できる検査装置およびその検査方法を提供する。
【解決手段】
半導体ウェーハに形成されたダイの回路パターンの繰り返し性に基づいて画像のデータを複数の画像メモリに分配して格納し、画像メモリに格納された画像のデータを繰り返し性の方向に加算平均した合成参照画像と比較して差分画像を生成し、差分画像の差分値が予め定められたしきい値より大きい領域を欠陥と判定し、欠陥の画像のデータと欠陥の座標を含む欠陥情報の複数を統合して出力する。
【選択図】図1
Description
6 半導体ウェーハ
16 欠陥情報
17 欠陥判定部
18 全体制御部
19 コンソール
30 画像メモリ
31 画像分配部
32 PE
33 部分欠陥情報
34 情報統合部
40 ダイ
41 メモリマット群
42 メモリマット
43 メモリセル
50 試し検査座標
51 ストライプ領域
53 画像データ
68,80 検出画像
69 加算平均画像
74 欠陥
75 欠陥判定しきい値
76 差分値
81 差画像
90 ストライプマップ
91 画像表示領域
92 欠陥情報表示領域
93 表示しきい値調整ツールバー
Claims (4)
- 半導体ウェーハに形成されたダイの回路パターンの画像を取得して欠陥を判定する回路パターン検査装置において、前記回路パターンの繰り返し性に基づいて分配された前記画像のデータを記憶する複数の画像メモリと、該画像メモリに記憶された前記画像のデータを前記繰り返し性の方向に加算平均した合成参照画像と比較して差分画像を生成し、該差分画像の差分値が予め定められたしきい値より大きい領域を欠陥と判定する複数のプロセッサエレメントと、該プロセッサエレメントで判定された欠陥の画像のデータと欠陥の座標を含む欠陥情報の複数を統合して出力する情報統合部とを備えたことを特徴とする回路パターン検査装置。
- 請求項1の記載において、前記プロセッサエレメントは、前記ダイの回路パターンのうち、複数のメモリセルを有するメモリマットの矩形領域の角部の領域で欠陥と判定されたメモリセルは、欠陥とはみなさないことを特徴とする回路パターン検査装置。
- 半導体ウェーハに形成されたダイの回路パターンの画像を取得して欠陥を判定する回路パターン検査方法において、前記回路パターンの繰り返し性に基づいて前記画像のデータを複数の画像メモリに分配して格納し、該画像メモリに格納された前記画像のデータを前記繰り返し性の方向に加算平均した合成参照画像と比較して差分画像を生成し、該差分画像の差分値が予め定められたしきい値より大きい領域を欠陥と判定し、該欠陥の画像のデータと該欠陥の座標を含む欠陥情報の複数を統合して出力することを特徴とする回路パターン検査方法。
- 請求項3の記載において、前記ダイの回路パターンのうち、複数のメモリセルを有するメモリマットの矩形領域の角部の領域で欠陥と判定されたメモリセルは、欠陥とはみなさないことを特徴とする回路パターン検査方法。
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