JP2009216506A - 容量センサー - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電極11aと接地端GNDとの間の第一の容量Cs2の充電電圧の変化を検出する第一の充電電圧検出部12aと、複数の電極11a,11b間の第二の容量Cs1の充電電圧の変化を検出する第二の充電電圧検出部12bと、第一の充電電圧検出部12aと第二の充電電圧検出部12bからそれぞれ出力される検出信号F1,F2に基づいて判定信号OUTを生成する判定部13とを備えた。
【選択図】図1
Description
図18は、容量センサーの検出原理の一例を示す。検出素子として2つの電極1a,1bが同一平面上に所定の間隔を隔てて配設され、その電極1a,1bは絶縁体2で被覆されている。電極1a,1bは、図19に示すように、例えば電極1aの周囲に電極1bがレイアウトされ、さらに電極1bの周囲にはガード部材3がレイアウトされて、他の電極と電気的に隔離されている。そして、両電極1a,1bが絶縁体で被覆されている。
以下、この発明を具体化した一実施の形態を図面に従って説明する。図1は、この発明の容量センサーの原理を示す。電極11a,11bは、タッチセンサースイッチの電極であり、図19に示す電極1a,1bと同様な構成である。そして、電極11a,11b間に容量(第二の容量)Cs1が存在し、各電極11a,11bとグランドGND(接地端)との間にそれぞれ容量Cs2,Cs3が存在している。
検出動作が開始されると、まず制御信号φ2がHレベルとなってスイッチ19cが導通される。
すると、制御信号φ1,φ4がHレベルとなり、制御信号φ5がLレベルとなると、帰還容量Cfの両端子が短絡されて帰還容量Cfが放電され、出力信号Voutは基準電圧Vcomとなる。電極11aにつながる容量Cs2,Cs1が基準電圧−Vrefレベルまで放電される。
また、電極11a,11bを覆う絶縁体に弾力性のあるものを使用し、電極11a,11bと絶縁体との間に隙間を設けて絶縁体が撓むようにすると、容量Cs1の充電電荷の変化量を大きくして、検出精度の向上を図ることができる。
前記NOR回路25の出力信号はOR回路29bに入力され、そのOR回路29bには前記制御信号φ2が入力される。そして、OR回路29bから前記制御信号φ5が出力される。
このように構成された第一の遅延回路21では、各インバータ回路26a〜26fの動作遅延時間と時定数回路27a,27bにより遅延時間が生成され、入力信号P1から遅延した信号P2が出力される。
制御信号φ2がHレベルとなると、容量Cs2の充電電荷の検出動作が開始され、カウンタ18aはリセットされる。そして、検出回路14では制御信号φ1,φ3,φ4の切り替え動作により、出力信号Voutが出力される。制御信号φ2をHレベルとする期間は、例えば入力される制御信号φ1のパルス数がn個となるまでとする。
上記のような容量センサーでは、次に示す作用効果を得ることができる。
(1)電極11a,11bとグランドGNDとの間の容量Cs2の充電電荷の変化を検出回路14でラフに検出し、次いで高精度の検出が容易な電極11a,11b間の容量Cs1の充電電荷の変化を検出回路14で検出し、その検出結果に基づいて電極11a,11b間が指で接触されたか否かを容易に判定することができる。
(2)電極11a,11bとグランドGNDとの間の容量Cs2の充電電荷の変化を検出した検出電圧Vc2と、電極11a,11bの容量Cs1の充電電荷の変化を検出した検出電圧Vc1とを共通の検出回路14で時分割により検出することができる。従って、検出電圧Vc2,Vc1を検出する検出回路14の回路規模を縮小することができる。
(3)スイッチ19a〜19eを制御信号φ1〜φ5で開閉制御することにより、検出電圧Vc2,Vc1を時分割で検出することができる。
(4)検出回路14のスイッチ19a,19b,19d,19eが同時に開閉されないので、検出精度を向上させることができる。
(5)スイッチ19a,19b,19d,19eを同時に開閉させない制御信号φ1、φ3,φ4,φ5を、遅延回路21,22とAND回路24a〜24c、NOR回路25及びOR回路29a,29bにより生成することができる。
(6)カウンタ17a,17bから出力されるパルス信号をカウンタ18a,18bでカウントし、そのカウント数があらかじめ設定した所定値に達したとき検出フラグF1,F2を出力するようにしたので、ノイズによる誤判定を防止することができる。
(第二の実施の形態)
図10〜図12は第二の実施の形態を示す。この実施の形態は、3個の電極のいずれが接触されたかを検出する容量センサーを構成した場合を示す。
前記電極31aは、オペアンプ20のマイナス側入力端子に接続され、グランドGNDとの間に容量Cyが存在する。
図12は、前記スイッチ19a〜19d,33a〜33cを開閉制御する制御信号φ1〜φ8のタイミング波形を示す。まず、制御信号φ2をHレベルとしてスイッチ19cを導通状態とした状態で制御信号φ1、φ4が一定の周期で同相で切り替わり、かつ制御信号φ5が逆相で切り替わると、電極31aとグランドGNDとの間の容量Cyの充電電圧が検出され、出力信号Voutとして出力される。
(第三の実施の形態)
図13〜図15は、第三の実施の形態を示す。この実施の形態は図4に示す第一の実施の形態の検出回路14に、オペアンプ20のオフセット電圧をキャンセルする機能を付加した検出回路14aを構成したものである。第一の実施の形態と同一構成部分は同一符号を付して説明する。
また、帰還容量Cfとスイッチ34aの接続点には、スイッチ34bを介して基準電圧Vcomが供給される。スイッチ34bは、前記制御信号φ1で開閉制御される。
制御信号φ6は、前記制御信号φ1から図15に示す生成回路で生成される。すなわち、制御信号φ1は遅延回路35に入力され、その遅延回路35の出力信号はインバータ回路36を介してAND回路37に入力される。また、AND回路37には前記制御信号φ1が入力され、AND回路37から前記制御信号φ6が出力される。
(1)オペアンプ20のオフセット電圧をキャンセルすることができる。
(2)出力信号Voutを基準電圧Vcomレベルにリセットするとき、そのリセット動作を高速化することができる。
(第四の実施の形態)
図16は、第四の実施の形態を示す。この実施の形態は、前記第一の実施の形態のコンパレータ17a,17b、カウンタ18a,18b及び判定部13の動作をマイコン38で行なうようにしたものである。第一の実施の形態と同一構成部分は、同一符号を付して説明する。
上記実施の形態は、以下に示す態様で実施することもできる。
・第一の実施の形態において、電極11a,11b間の容量Cs1の充電電圧の変化は、精度よく検出することができるので、コンパレータ17bの出力信号を検出フラグF2として判定部13に入力してもよい。
12a 第一の充電電圧検出部
12b 第二の充電電圧検出部
13 判定部
14,14a,32 検出回路
Cs2 第一の容量
Cs1 第二の容量
GND 接地端
Vc1,Vc2 検出電圧
F1,F2 検出信号(検出フラグ)
Claims (10)
- 電極と接地端との間の第一の容量の充電電圧の変化を検出する第一の充電電圧検出部と、
複数の電極間の第二の容量の充電電圧の変化を検出する第二の充電電圧検出部と、
前記第一の充電電圧検出部と第二の充電電圧検出部からそれぞれ出力される検出電圧に基づいて判定信号を生成する判定部と
を備えたことを特徴とする容量センサー。 - 前記第一の充電電圧検出部は前記第一の容量の充電電圧を検出する検出回路を備え、前記第二の充電電圧検出部は前記第二の充電電圧を検出する検出回路を備え、前記第一の容量の充電電圧を検出する第一の検出動作と、前記第二の容量の充電電圧を検出する第二の検出動作とを共通の検出回路により時分割で行なうことを特徴とする請求項1記載の容量センサー。
- 前記第一の充電電圧検出部は、
前記検出回路の第一の検出動作による検出電圧を第一のしきい値と比較し、該検出電圧が第一のしきい値を超えたときHレベルの出力信号を出力する第一のコンパレータと、
前記第一のコンパレータのHレベルの出力信号をカウントしたカウント値に基づいて第一の検出フラグを出力する第一のカウンタと
を備え、
前記第二の充電電圧検出部は、
前記検出回路の第二の検出動作による検出電圧を第二のしきい値と比較し、該検出電圧が第二のしきい値を超えたときHレベルの出力信号を出力する第二のコンパレータと、
前記第二のコンパレータのHレベルの出力信号をカウントしたカウント値に基づいて第二の検出フラグを出力する第二のカウンタと
を備え、
前記第一及び第二の検出フラグに基づいて前記判定信号を生成する判定部と
を備えたことを特徴とする請求項2記載の容量センサー。 - 前記第二のしきい値を前記第一のしきい値より高い電圧に設定したことを特徴とする請求項3記載の容量センサー。
- 前記検出回路は、
入力端子と出力端子との間に帰還容量が接続されたオペアンプと、
前記帰還容量に並列に接続された第一のスイッチと、
前記オペアンプの入力端子に、前記第一の容量と第二の容量のいずれを接続するかを選択する第二のスイッチと、
導通時に前記第一の容量及び第二の容量に低電位側基準電圧を供給する第三のスイッチと、
導通時に前記第一の容量及び第二の容量に高電位側基準電圧を供給する第四のスイッチと、
前記第一のスイッチを導通させて前記オペアンプの出力信号をリセットするとき、前記第三のスイッチで前記第一及び第二の容量に前記低電位側基準電圧を供給し、前記第一のスイッチを不導通とするとき、前記第四のスイッチで前記第一及び第二の容量に前記高電位側基準電圧を供給することと
を備えたことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の容量センサー。 - 前記第一〜第四のスイッチをそれぞれ制御信号で開閉制御し、前記第三のスイッチを不導通とした後、第一のスイッチを導通させ、次いで前記第四のスイッチを導通させる制御信号を生成する生成回路を備えたことを特徴とする請求項5記載の容量センサー。
- 複数の電極間の複数の前記第二の容量を前記オペアンプに接続するスイッチを備えたことを特徴とする請求項5又は6記載の容量センサー。
- 前記オペアンプの出力端子に、前記第一のスイッチの導通時に前記オペアンプに入力される基準電圧を供給するスイッチを備えたことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の容量センサー。
- 前記オペアンプの入力端子に、前記第一のスイッチに同期して導通し、前記第一のスイッチの不導通に先立って不導通となるスイッチを介して前記基準電圧を供給することを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項に記載の容量センサー。
- 前記判定部は、前記第一及び第二の充電電圧検出部から出力される検出電圧をデジタル信号にA/D変換し、前記デジタル信号に基づいて前記判定信号を生成するマイコンとしたことを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項に記載の容量センサー。
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