JP2009205171A - Liquid crystal display - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶表示装置に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display device .
液晶表示素子は薄型、軽量、低消費電力の利点から、様々な用途の表示素子として利用されてきている。近年では、家庭用大型テレビから小型の携帯端末まで幅広く利用されてきており、表示素子要求される特性もより厳しくなっている。とりわけ視野角に関する要求が強くなっている。 Liquid crystal display elements have been used as display elements for various applications because of the advantages of thinness, light weight, and low power consumption. In recent years, it has been widely used from large home televisions to small portable terminals, and the characteristics required for display elements have become more severe. In particular, there is an increasing demand for viewing angles.
そこで、従来のTNモードから横電界方式のIPS(インプレーンスイッチング)モード(例えば、特許文献1参照。)や、マルチドメイン配向するVA(垂直配向)モード(MVA)(例えば、特許文献2参照。)などが提案されている。
Therefore, the conventional electric field type IPS (in-plane switching) mode (for example, see Patent Document 1) or multi-domain alignment VA (Vertical Orientation) mode (MVA) (for example, see
その中でもMVAに代表されるVAモードは、液晶分子は基板に垂直に液晶分子が配向しているので、容易に高いCRが得られ、セルギャップの制御マージンも広いなど生産性の高いモードである。その分割配向手段として画素部に誘電体の構造物を設けることや、画素の透明電極(例えばITO:インジウムスズオキサイド)部に切り欠きやスリットを設けることで、その斜め電界を利用して液晶分子の配向を制御する方法が開示されている(例えば、特許文献3参照。)。 Among them, the VA mode represented by MVA is a highly productive mode in which the liquid crystal molecules are aligned perpendicularly to the substrate, so that a high CR can be easily obtained and the control margin of the cell gap is wide. . Liquid crystal molecules using the oblique electric field by providing a dielectric structure in the pixel portion as the dividing alignment means, or by providing a notch or slit in the transparent electrode (for example, ITO: indium tin oxide) portion of the pixel. A method for controlling the orientation of the film is disclosed (for example, see Patent Document 3).
これによれば、図12(1)の平面レイアウト模式図、(2)の要部断面図に示すように一画素内の画素電極32に切り欠きを入れることで、画素を複数に分割し、各々分割された副画素50(51、52、53)の中心に位置するように、反対側の画素電極(共通電極)32上に配向制御するための配向制御因子(例えば誘電体構造物)34などを配置することにより、副画素50内で画素電極32に設けられた配向制御因子34を中心に放射状に液晶分子を配向させることができる。液晶分子22が放射状に配向するので、方位角方向からの見た目の輝度変化が小さくなり、広視野角性能が得られる。
According to this, the pixel is divided into a plurality of parts by notching the
ところが、一画素内を複数に分割する場合、その副画素同士を電気的に接続する必要があり、前述の文献によれば副画素の中央部に画素電極(共通電極)を残す方法が開示されている。この方法によれば副画素内では対向電極に設けられた配向制御因子により配向方向が制御されているが、この電気的な接続部は配向制御が弱い状態になっており、液晶パネルを押したりして一旦配向を乱したときに、図13(2)の写真に示すように配向が乱れる。接続部の液晶分子の配向が面押し前と異なる方向に倒れたために、副画素の配向も乱れ、配向不良となる。なお、図13(1)の写真に示すように、液晶パネル表面が押されていない状態では配向の乱れは生じていないことがわかる。 However, when dividing one pixel into a plurality of pixels, it is necessary to electrically connect the sub-pixels. According to the above-mentioned literature, a method of leaving a pixel electrode (common electrode) in the center of the sub-pixel is disclosed. ing. According to this method, the orientation direction is controlled by the orientation control factor provided in the counter electrode in the sub-pixel, but this electrical connection portion is in a state where the orientation control is weak, and the liquid crystal panel is pushed. Then, once the orientation is disturbed, the orientation is disturbed as shown in the photograph of FIG. Since the alignment of the liquid crystal molecules in the connecting portion has fallen in a direction different from that before the surface pressing, the alignment of the sub-pixels is disturbed, resulting in poor alignment. In addition, as shown in the photograph of FIG. 13 (1), it can be seen that the alignment is not disturbed when the surface of the liquid crystal panel is not pressed.
つまり、前記図12のように、従来画素は副画素間の画素電極(接続部)が電気的につながっている必要があるが、この接続部の配向を規定する因子がないために、配向状態が不安定となり、面押しなど強制的に配向を乱した場合に配向乱れが戻らなくなる。 That is, as shown in FIG. 12, in the conventional pixel, the pixel electrodes (connection portions) between the sub-pixels need to be electrically connected, but since there is no factor that defines the alignment of the connection portions, the alignment state Becomes unstable, and when the orientation is forcedly disturbed such as by surface pressing, the orientation disorder cannot be restored.
配向乱れの一例の模式図を図14に示す。このように、液晶分子22の配向が乱れた状態が戻らないため、パネルに跡が残る表示異常を示す現象がみられた。その現象は副画素50同士の距離を遠くすることで、表示異常の軽減は可能だが、副画素50同士の距離を遠くすると、透過率が低下するという問題が発生する。
FIG. 14 shows a schematic diagram of an example of alignment disorder. As described above, the disordered state of the alignment of the
解決しようとする問題点は、液晶パネルを押したりして、一旦配向を乱したときに、液晶の配向が乱れて、正常な状態が戻らないため、液晶パネルに跡が残る表示異常を示す点である。 The problem to be solved is that when the orientation is disturbed by pushing the liquid crystal panel, the orientation of the liquid crystal is disturbed and the normal state does not return, so that the display abnormality remains on the liquid crystal panel. It is.
本発明は、画素を複数に分割してなる副画素を電気的に独立した一つの画素とすることで、液晶表示装置の表示面が押される面押しによる液晶の配向乱れを抑制することを課題とする。 It is an object of the present invention to suppress liquid crystal alignment disorder due to surface pressing of a display surface of a liquid crystal display device by making a sub-pixel formed by dividing a pixel into a plurality of electrically independent pixels. And
本発明の液晶表示装置は、反射部と透過部とを有する複数の画素から構成され、前記画素は配向分割された複数の副画素からなり、基板上に形成された素子層と、前記素子層を被覆するように前記基板上に形成された絶縁膜と、前記素子層に接続するように前記絶縁膜上に形成された画素電極と、前記素子層と前記画素電極との接続領域を含む前記素子層上の前記絶縁膜上に形成されたギャップ調整層と、前記副画素間を電気的に接続する接続部上に形成した誘電体とを有し、前記反射部は、前記素子層と、前記素子層を被覆する前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された前記ギャップ調整層とを有する領域からなり、前記透過部は、前記ギャップ調整層の形成領域を除く前記基板上に形成された前記画素電極を有する領域からなり、前記誘電体は、前記透過部の絶縁膜上に前記画素電極を介して形成されていることを特徴とする。 The liquid crystal display device of the present invention is composed of a plurality of pixels having a reflective portion and a transmissive portion, and the pixels are composed of a plurality of subpixels obtained by orientation division, an element layer formed on a substrate, and the element layer An insulating film formed on the substrate to cover the substrate, a pixel electrode formed on the insulating film to be connected to the element layer, and a connection region between the element layer and the pixel electrode. A gap adjusting layer formed on the insulating film on the element layer, and a dielectric formed on a connection portion that electrically connects the sub-pixels, and the reflecting portion includes the element layer, The transmissive portion is formed on the substrate excluding the gap adjustment layer forming region. The transmissive portion is formed of a region having the insulating film covering the element layer and the gap adjusting layer formed on the insulating film. A region having the pixel electrode, and Body, characterized in that it is formed through the pixel electrode on the insulating film of the transmissive portion.
本発明の液晶表示装置では、副画素間の電気的接続部に誘電体を形成することで、液晶パネルを押したときに生じていた液晶の配向乱れが発生しにくくなり、さらに、工程数を増やすことなく上記誘電体を形成することで、上記誘電体を形成することによる生産性の低下が回避される。 In the liquid crystal display device of the present invention, by forming a dielectric in the electrical connection portion between the sub-pixels, it becomes difficult to cause the alignment disorder of the liquid crystal that occurs when the liquid crystal panel is pushed, and the number of steps By forming the dielectric without increasing it, a decrease in productivity due to the formation of the dielectric is avoided.
本発明の液晶表示装置によれば、液晶パネルの面押しによる表示不良が解消されるため、表示品質の向上ができるという利点がある。また、副画素間を電気的に接続する接続部上に形成された誘電体や各副画素に形成される液晶の配向を制御する配向制御因子を極小にできるので、透過率の向上が図れる。また、従来、面押し耐性を高めるために、基板間隔(いわゆるセルギャップ)を狭くする必要があったが、面押し耐性が向上することから、基板間隔を大きくとることが可能になるので、透過率特性を向上させることができる。 According to the liquid crystal display device of the present invention, since display defects due to surface pressing of the liquid crystal panel are eliminated, there is an advantage that display quality can be improved. In addition, since the dielectric formed on the connection portion that electrically connects the sub-pixels and the alignment control factor that controls the alignment of the liquid crystal formed in each sub-pixel can be minimized, the transmittance can be improved. Conventionally, it has been necessary to narrow the substrate interval (so-called cell gap) in order to increase the surface pressing resistance. However, since the surface pressing resistance is improved, it is possible to increase the substrate interval. The rate characteristic can be improved.
<実施の形態1>
[液晶表示装置の構成の一例]
本発明の液晶表示装置の基本的構成の一例を、図1および図2によって説明する。図1は、表示装置の一例として半透過型液晶表示装置を示す図面であり、(1)は液晶表示装置の液晶セル1画素分の素子側基板の平面図を示し、(2)は(1)図中のA−A’線断面図である。また、図2は、画素分割されて複数の副画素からなる画素の平面レイアウト模式図である。
<
[Example of configuration of liquid crystal display device]
An example of the basic configuration of the liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a drawing showing a transflective liquid crystal display device as an example of a display device. (1) is a plan view of an element side substrate for one pixel of a liquid crystal cell of the liquid crystal display device, and (2) is (1). FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in the drawing. FIG. 2 is a schematic plan layout diagram of a pixel that is divided into pixels and includes a plurality of sub-pixels.
まず図1(1)および図2に示すように、液晶表示装置1は、対向する基板10、(図示せず)間に液晶層20が封止され、反射部5と透過部6とを有する画像を表示する複数の画素から構成され、各画素は配向分割されてなる複数の副画素、例えば副画素50(51、52、53)からなる。上記副画素50間には基板10上に形成された画素電極14により電気的に接続されていて、その副画素50間の画素電極14には、例えば切り欠き61が形成されている。また、副画素50間の上記画素電極14(以下接続部14Cという)上には誘電体16が形成されている。
First, as shown in FIGS. 1A and 1, the liquid
また、上記誘電体16が形成されている側に基板10に対向する基板(対向基板)(図示せず)には、画素電極が形成されている。各副画素50の中心に位置する上記画素電極上(液晶層20側の面)には配向制御因子34が形成されている。この配向制御因子34は、例えば誘電体で形成されている。図2では、配向制御因子34が形成される位置を投影して示した。
A pixel electrode is formed on a substrate (counter substrate) (not shown) facing the
次に、上記液晶表示装置1の構成を具体的に説明する。図1(2)に示すように、素子形成側の基板10上に素子層11が形成され、この素子層11を被覆するもので基板10上に絶縁膜12が形成されている。上記絶縁膜12には上記素子層11に通じるコンタクトホール13が形成されている。そして上記絶縁膜12上には、上記コンタクトホール13を通じて上記素子層11に接続する画素電極14が形成されている。上記素子層11と上記画素電極14との接続領域を含む上記素子層11上の上記絶縁膜12上には、画素電極14の一部を介して、上記反射部5の液晶層20の厚みが調整されるギャップ調整層15が形成されている。このギャップ調整層15は、例えば有機絶縁膜もしくは無機絶縁膜で形成されている。さらに、少なくとも副画素50間を電気的に接続する接続部14C上に誘電体16が形成されている。
Next, the configuration of the liquid
したがって、上記反射部5は、上記素子層11と、上記素子層11を被覆する上記絶縁膜12と、上記絶縁膜12上に、画素電極14の一部を介して形成された上記ギャップ調整層15とを有する領域からなる。このギャップ調整層15上面は、例えばなだらかな凹凸形状に形成されている。このように、ギャップ調整層15の表面が凹凸形状に形成されていることから、反射特性の向上が図れる。なお、上記ギャップ調整層15およびその表面に形成された凹凸形状は、隣接画素と連続して形成されていてもよい。さらに上記ギャップ調整層15上に反射電極17が形成されている。このように反射電極17が形成されていることから、ギャップ調整層15上の反射が高められるとともに、この反射電極17は、ギャップ調整層15端部で上記画素電極14に接続されていることから、ギャップ調整層15上では画素電極の機能を有する。また、上記透過部6は、上記反射部5を除く上記基板10上に形成された上記絶縁膜12を有する領域からなり、上記誘電体16は、上記透過部6の絶縁膜12上に上記画素電極14を介して形成されている。
Therefore, the
上記液晶表示装置1では、少なくとも副画素50間を電気的に接続する接続部14C上に誘電体16を有することから、副画素50同士を電気的に独立化することができるので、液晶層20の配向、特に接続部14の液晶分子の配向を安定化させることができる。
In the liquid
[面押し前後の液晶分子の配向状態の一例]
例えば、図3(1)に示すように、液晶表示パネルを面押しする前の状態では、液晶分子22は配向制御因子34を中心に放射状に配向している。そして、図3(2)に示すように、液晶表示パネルを面押しした後の状態でも、液晶分子22はすぐに元の配向状態に戻るので、配向制御因子34を中心に放射状に配向し、配向不良などにはならない。このため、面押しによって液晶分子22の配向が乱れることがないので、液晶パネルの面押しによる跡が残る表示不良が解消されるため、表示品質の向上ができるという利点がある。そして方位角方向からの見た目の輝度変化が小さくなり、広視野角性能が得られる。
[Example of alignment state of liquid crystal molecules before and after face pressing]
For example, as shown in FIG. 3A, the
また、液晶分子22の配向が安定するため、従来の画素構造では配向安定のために副画素50間の接続部14はある程度の長さが必要であり、対向側に配置している配向制御因子34もある程度の面積が必要であり、それが透過率の低下の要因となっていたが、本発明の如く、接続部14に誘電体16を配置することで、その接続部14や配向制御因子34は最小限の大きさにすることができる。これによって、液晶表示装置1の透過率の確保ができる。また、従来、面押し耐性を高めるために、基板間隔(いわゆるセルギャップ)を狭くする必要があったが、面押し耐性が向上することから、基板間隔を大きくとることが可能になるので、透過率特性を向上させることができる。
In addition, since the alignment of the
また、上記液晶表示装置1では工程数を増やすことなく上記誘電体16を形成することで、上記誘電体16を形成することによる生産性の低下が回避される。
Further, in the liquid
[副画素の一例と画素電極の接続例]
次に、副画素の一例と画素電極の接続例を、図4によって説明する。図4は、液晶表示装置の一例として半透過型液晶表示装置を示す図面であり、(1)は液晶表示装置の液晶セルの対向側基板側の平面図を示し、(2)は(1)図中のB−B’線断面図を示す。
[Example of sub-pixel and pixel electrode connection]
Next, an example of connection between an example of a subpixel and a pixel electrode will be described with reference to FIG. 4A and 4B are diagrams showing a transflective liquid crystal display device as an example of the liquid crystal display device. FIG. 4A is a plan view of the liquid crystal cell of the liquid crystal display device on the opposite substrate side, and FIG. BB 'line sectional drawing in a figure is shown.
図4に示すように、液晶表示装置2は、対向する基板10、30間に液晶層20が封止され、反射部5と透過部6とを有する画像を表示する複数の画素40から構成され、各画素40は配向分割されてなる複数の副画素、例えば副画素50(51、52、53)からなる。上記副画素50間には基板10上に形成された画素電極14により電気的に接続されていて、その副画素50間の画素電極14には、例えば切り欠き61が形成されている。また、副画素50間の上記画素電極14(以下接続部14Cという)上には誘電体からなるギャップ調整層15が形成されている。
As shown in FIG. 4, the liquid
また、上記基板10に対向する基板(対向基板)30には、カラーフィルタ層31、平坦化膜32、画素電極33が形成されている。各副画素50の中心に位置する上記画素電極33上(液晶層20側の面)には配向制御因子34が形成されている。この配向制御因子34は、例えば誘電体で形成されている。
Further, a
次に、構成を具体的に説明する。素子形成側の基板10上に素子層11が形成され、この素子層11を被覆するもので基板10上に絶縁膜12が形成されている。上記絶縁膜12には上記素子層11に通じるコンタクトホール13が形成されている。そして上記絶縁膜12上には、上記コンタクトホール13を通じて上記素子層11に接続する画素電極14が形成されている。上記素子層11と上記画素電極14との接続領域を含む上記素子層11上の上記絶縁膜12上には、画素電極14の一部を介して、上記反射部5の液晶層20の厚みが調整されるギャップ調整層15が形成されている。このギャップ調整層15は、例えば有機絶縁膜、無機絶縁膜等の誘電体で形成されている。
Next, the configuration will be specifically described. An
したがって、上記反射部5は、上記素子層11と、上記素子層11を被覆する上記絶縁膜12と、上記絶縁膜12上に、画素電極14の一部を介して形成された上記ギャップ調整層15とを有する領域からなる。このギャップ調整層15上面は、例えばなだらかな凹凸形状に形成されている。このように、ギャップ調整層15の表面が凹凸形状に形成されていることから、反射特性の向上が図れる。なお、上記ギャップ調整層15およびその表面に形成された凹凸形状は、隣接画素と連続して形成されていてもよい。
Therefore, the
さらに上記ギャップ調整層15には、上記コンタクトホール13に通じるコンタクトホール18が形成されている。このように、反射部5にコンタクトホール18を形成することで、画素電極14の切り欠きが無い状態でも、配向の弱い副画素50間の接続がコンタクト部によってなされるので、液晶パネルの面押しによる配向の乱れはなくなる。そして上記ギャップ調整層15上には、上記コンタクトホール18を通じて上記画素電極14に接続する反射電極17が形成されている。このように反射電極17が形成されていることから、ギャップ調整層15上の反射が高められるとともに、この反射電極17は、ギャップ調整層15端部で上記画素電極14に接続されていることから、ギャップ調整層15上では画素電極の機能を有する。また、上記透過部6は、上記反射部5を除く上記基板10上に形成された上記絶縁膜12を有する領域からなる。
Further, a
上記液晶表示装置2では、画素40を3分割してなる副画素50(51、52、53)のうち、中央の副画素52に反射部5を形成することで、画素電極14、33に切り欠きがなくても、画素分割が可能になり、突起による透過のコントラスト比の低下の抑制や、突起部を反射板として使用できるので反射特性の向上が可能となる。また、画素の境界である透過部と反射部に電気的につながった接続部が副画素50間にないために、面押しによる配向乱れは無い。よって、液晶層20の配向、特に副画素50間の液晶分子の配向を安定化させることができる。
In the liquid
[画素電極の接続例]
次に、画素電極の接続例を、図5の概略構成断面図によって説明する。図5は、液晶表示装置の一例として半透過型液晶表示装置を示す図面である。
[Pixel electrode connection example]
Next, an example of pixel electrode connection will be described with reference to the schematic cross-sectional view of FIG. FIG. 5 illustrates a transflective liquid crystal display device as an example of the liquid crystal display device.
図5に示すように、液晶表示装置3は、対向する基板10、30間に液晶層20が封止され、反射部5と透過部6とを有する画像を表示する複数の画素40から構成され、各画素40は配向分割されてなる複数の副画素を有する。
As shown in FIG. 5, the liquid
また、基板10に対向する基板(対向基板)30には、カラーフィルタ層31が形成され、その上面に平坦化膜32を介して画素電極33が形成されている。
In addition, a
次に、構成を具体的に説明する。素子形成側の基板10上に素子層11が形成され、この素子層11を被覆するもので基板10上に絶縁膜12が形成されている。上記絶縁膜12には上記素子層11に通じるコンタクトホール13が形成されている。そして上記絶縁膜12上には、上記コンタクトホール13を通じて上記素子層11に接続する画素電極14が形成されている。上記素子層11と上記画素電極14との接続領域を含む上記素子層11上の上記絶縁膜12上には、画素電極14の一部を介して、上記反射部5の液晶層20の厚みが調整されるギャップ調整層15が形成されている。このギャップ調整層15は、例えば有機絶縁膜、無機絶縁膜等の誘電体で形成されている。
Next, the configuration will be specifically described. An
したがって、上記反射部5は、上記素子層11と、上記素子層11を被覆する上記絶縁膜12と、上記絶縁膜12上に、画素電極14の一部を介して形成された上記ギャップ調整層15とを有する領域からなる。このギャップ調整層15上面は、例えばなだらかな凹凸形状に形成されている。このように、ギャップ調整層15の表面が凹凸形状に形成されていることから、反射特性の向上が図れる。なお、上記ギャップ調整層15およびその表面に形成された凹凸形状は、隣接画素と連続して形成されていてもよい。
Therefore, the
さらに上記ギャップ調整層15には、上記コンタクトホール13に通じるコンタクトホール18が形成されている。このように、反射部5にコンタクトホール18を形成することで、画素電極14の切り欠きが無い状態でも、配向の弱い副画素50間の接続がコンタクト部によってなされるので、液晶パネルの面押しによる配向の乱れはなくなる。そして上記ギャップ調整層15上には、上記コンタクトホール18を通じて上記画素電極14に接続する反射電極17が形成されている。このように反射電極17が形成されていることから、ギャップ調整層15上の反射が高められるとともに、この反射電極17は、コンタクトホール18を通じて上記画素電極14に接続されていることから、ギャップ調整層15上では画素電極の機能を有する。また、上記透過部6は、上記反射部5を除く上記基板10上に形成された上記絶縁膜12を有する領域からなる。
Further, a
上記液晶表示装置3では、前記液晶表示装置1と同様なる作用効果が得られる。また、画素の境界である透過部と反射部に電気的につながった接続部が副画素間にないために、面押しによる配向乱れは無い。よって、液晶層20の配向、特に副画素間の液晶分子の配向を安定化させることができる。
In the liquid
[ギャップ調整層の一例]
次に、ギャップ調整層の一例を、図6の概略構成断面図によって説明する。図6は、表示装置の一例として半透過型液晶表示装置を示す。
[Example of gap adjustment layer]
Next, an example of the gap adjusting layer will be described with reference to the schematic configuration cross-sectional view of FIG. FIG. 6 shows a transflective liquid crystal display device as an example of the display device.
図6に示すように、液晶表示装置3は、対向する基板10、30間に液晶層20が封止され、反射部5と透過部6とを有する画像を表示する複数の画素40から構成され、各画素40は配向分割されてなる複数の副画素を有する。上記透過部6の副画素間には基板10上に形成された絶縁膜12、画素電極14を介して誘電体16が形成されている。
As shown in FIG. 6, the liquid
また、基板10に対向する基板(対向基板)30には、カラーフィルタ層36が形成され、その上面に平坦化膜38を介して画素電極32が形成されている。
In addition, a color filter layer 36 is formed on a substrate (counter substrate) 30 facing the
次に、構成を具体的に説明する。素子形成側の基板10上に素子層11が形成され、この素子層11を被覆するもので基板10上に絶縁膜12が形成されている。上記絶縁膜12には上記素子層11に通じるコンタクトホール13が形成されている。そして上記絶縁膜12上には、上記コンタクトホール13を通じて上記素子層11に接続する画素電極14が形成されている。上記素子層11と上記画素電極14との接続領域を含む上記素子層11上の上記絶縁膜12上には、画素電極14の一部を介して、上記反射部5の液晶層20の厚みが調整されるギャップ調整層15が形成されている。このギャップ調整層15は、2層など複層構成になっていて、例えば有機絶縁膜、無機絶縁膜等の誘電体の複数層構成で形成されている。このように、ギャップ調整層15が複数層に構成されていることにより、反射特性が向上される。
Next, the configuration will be specifically described. An
したがって、上記反射部5は、上記素子層11と、上記素子層11を被覆する上記絶縁膜12と、上記絶縁膜12上に、画素電極14の一部を介して形成された上記ギャップ調整層15とを有する領域からなる。このギャップ調整層15上面は、例えばなだらかな凹凸形状に形成されている。このように、ギャップ調整層15の表面が凹凸形状に形成されていることから、反射特性の向上が図れる。なお、上記ギャップ調整層15およびその表面に形成された凹凸形状は、隣接画素と連続して形成されていてもよい。
Therefore, the
さらに上記ギャップ調整層15には、上記コンタクトホール13に通じるコンタクトホール18が形成されている。このように、反射部5にコンタクトホール18を形成することで、画素電極14の切り欠きが無い状態でも、配向の弱い副画素50間の接続がコンタクト部によってなされるので、液晶パネルの面押しによる配向の乱れはなくなる。そして上記ギャップ調整層15上には、上記コンタクトホール18を通じて上記画素電極14に接続する反射電極17が形成されている。このように反射電極17が形成されていることから、ギャップ調整層15上の反射が高められるとともに、この反射電極17は、コンタクトホール18を通じて上記画素電極14に接続されていることから、ギャップ調整層15上では画素電極の機能を有する。
Further, a
また、上記透過部6は、上記反射部5を除く上記基板10上に形成された上記絶縁膜12、画素電極14、誘電体16等を有する領域からなる。
The
上記液晶表示装置4では、前記液晶表示装置1と同様なる作用効果が得られる。また、画素の境界である透過部と反射部に電気的につながった接続部が副画素間にないために、面押しによる配向乱れは無い。よって、液晶層20の配向、特に副画素間の液晶分子の配向を安定化させることができる。さらに、ギャップ調整層15が2層など複層構成により、反射特性を向上することもできる。また、その時、透過部6の画素電極上に配置する誘電体16は複層のどの材料を用いても良い。
In the liquid
[ギャップ調整層と誘電体の一例]
次に、ギャップ調整層の一例と誘電体の一例を、図7の概略構成断面図によって説明する。図7は、表示装置の一例として半透過型液晶表示装置を示す。
[Example of gap adjustment layer and dielectric]
Next, an example of the gap adjusting layer and an example of the dielectric will be described with reference to the schematic configuration cross-sectional view of FIG. FIG. 7 shows a transflective liquid crystal display device as an example of the display device.
図7に示すように、液晶表示装置5は、前記図6によって説明した液晶表示装置4において、セルギャップを決定するスペーサを誘電体16で形成したものである。したがって、誘電体16は、素子側の画素電極14と、素子側の基板10に対向する基板30側の画素電極33とに接続するように形成されている。もちろん、上記誘電体16は、基板(図示せず)上に形成された素子層(図示せず)を被覆する平坦化膜18上に画素電極12を介して、副画素間の画素電極14からなる接続部14C上に形成されている。
As shown in FIG. 7, the liquid
上記第5実施例のように、誘電体16の高さを調節して、セルギャップを形成するためのスペーサとして用いれば、カラーフィルタ側にフォトスペーサを作製する必要がないので、工程数が削減されるまた、副画素の電気的な接続部14に形成される誘電体16が基板間の間隔を保持するスペーサを兼ねることから、一定の間隔でスペーサを配置することができるので、基板間隔を高精度に均一に保つことができる。また、前記液晶表示装置1と同様なる作用効果が得られる。また、画素の境界である透過部と反射部に電気的につながった接続部が副画素間にないために、面押しによる配向乱れは無い。よって、液晶層20の配向、特に副画素間の液晶分子の配向を安定化させることができる。
If the height of the dielectric 16 is adjusted and used as a spacer for forming a cell gap as in the fifth embodiment, there is no need to produce a photo spacer on the color filter side, so the number of processes is reduced. In addition, since the dielectric 16 formed in the
上記各実施例で説明した液晶表示装置では、少なくとも副画素50間を電気的に接続する接続部14上に誘電体16を有することから、副画素50同士を電気的に独立化することができるので、液晶(液晶分子)22の配向を安定化させることができる。このため、液晶パネルを押して液晶の配向を一旦乱しても、液晶の配向がすぐに元に戻り、液晶パネルの面押しによる跡が残る表示不良が解消される。
In the liquid crystal display device described in each of the above embodiments, since the dielectric 16 is provided on the
[液晶表示装置の製造方法の第1例]
次に、液晶表示装置の製造方法の一実施の形態(第1実施例)を、図8〜図9の製造工程断面図によって説明する。図8〜図9は、表示装置の一例として半透過型液晶表示装置を示す。
[First Example of Manufacturing Method of Liquid Crystal Display Device]
Next, an embodiment (first example) of a method for manufacturing a liquid crystal display device will be described with reference to the manufacturing process cross-sectional views of FIGS. 8 to 9 show a transflective liquid crystal display device as an example of the display device.
図8(1)に示すように、基板(第1基板)10にTFT等からなるスイッチング素子や補助容量線やゲート線、信号線などの素子層11を形成する。
As shown in FIG. 8A, an
次に図8(2)に示すように、素子層11や信号線(図示せず)に伴う凹凸を平坦化するため、基板10上に平坦化膜からなる絶縁膜12を形成する。
Next, as shown in FIG. 8B, an insulating
次いで、図8(3)に示すように、絶縁膜12に素子層11に通じるコンタクトホール13を形成する。上記絶縁膜12には、透明レジストを用いることができる。そのようなレジストとして、例えばJSR社製PC315Gがある。もしくは、アクリル系有機膜、脂環式オレフィン樹脂、SOGなどを用いることもできる。上記塗布方法としては、スピンコートやスリットコートなどの手法がある。
Next, as shown in FIG. 8 (3), a
次に、図9(4)に示すように、透過部6の電極として、上記絶縁膜12上に上記素子層11にコンタクトホール13を通じて接続する画素電極14を形成する。この画素電極14は、例えば透明電極からなり、例えばインジウムスズオキサイド(ITO)等の透明電極で形成される。
Next, as shown in FIG. 9 (4), a
次に、図9(5)に示すように、反射部5の素子層11上方の絶縁膜12(画素電極14上も含む)上に、ギャップ調整層を形成するための誘電体膜71を形成する。例えば、塗布法により形成することができる。
Next, as shown in FIG. 9 (5), a
次に、図9(6)に示すように、誘電体膜71でギャップ調整層15を形成するとともに、副画素50間の接続部14C上に誘電体16を形成する。その際、誘電体16の高さが光学特性に影響するので、誘電体16の高さの調整を行う。また、上記ギャップ調整層15を形成する際に、ギャップ調整層15の上面に凹凸を形成し、その後にベーキングを行うことにより、上記凹凸が丸みを帯びた形状となる。このように、素子層11に接続する画素電極14を先に形成した後にギャップ調整層15を形成することで、ギャップ調整層15に素子層11に通じるコンタクトホールを形成することが回避され、優れた反射特性が得られるようになる。
Next, as shown in FIG. 9 (6), the
次に、図9(7)に示すように、上記ギャップ調整層15上にギャップ調整層15端部で上記画素電極14に接続する反射電極17を形成する。上記反射電極17は、例えば、反射率の高い金属材料で形成する。例えば、銀(Ag)、アルミニウム(Al)等の金属材料で形成する。このように、ギャップ調整層15上面が丸みを帯びた凹凸形状に形成され、その表面に反射電極17を形成したことにより、反射部5の反射特性を向上させることができる。
Next, as shown in FIG. 9 (7), a
以降の工程としては、配向膜を形成し、スペーサの形成されたカラーフィルタまたは、スペーサを介してシール材を用いて張り合わせ、基板間に液晶を注入することによって液晶セルが完成する。この液晶セルに位相差板と偏光板を貼り付けることで、本実施形態の半透過型液晶表示装置が製造される。 In the subsequent steps, an alignment film is formed, and a color filter provided with spacers or a sealant is used to attach the spacers, and a liquid crystal is injected between the substrates to complete a liquid crystal cell. The transflective liquid crystal display device of this embodiment is manufactured by attaching a retardation plate and a polarizing plate to the liquid crystal cell.
[液晶表示装置の製造方法の第2例]
次に、液晶表示装置の製造方法の一実施の形態(第2実施例)を、図10〜図11の製造工程断面図によって説明する。図10〜図11は、表示装置の一例として半透過型液晶表示装置を示す。
[Second Example of Manufacturing Method of Liquid Crystal Display Device]
Next, an embodiment (second example) of a method for manufacturing a liquid crystal display device will be described with reference to the manufacturing process sectional views of FIGS. 10 to 11 show a transflective liquid crystal display device as an example of the display device.
図10(1)に示すように、基板(第1基板)10にTFT等からなるスイッチング素子や補助容量線やゲート線、信号線などの素子層11を形成する。
As shown in FIG. 10A, an
次に図10(2)に示すように、素子層11や信号線(図示せず)に伴う凹凸を平坦化するため、基板10上に平坦化膜からなる絶縁膜12を形成する。
Next, as shown in FIG. 10B, an insulating
次いで、図10(3)に示すように、絶縁膜12に素子層11に通じるコンタクトホール13を形成する。その際、透過部6の絶縁膜12と反射部5の絶縁膜12とに段差をつける。すなわち、透過部6の絶縁膜12をエッチングして、反射部5の絶縁膜12より低く形成する。上記絶縁膜12には、透明レジストを用いることができる。そのようなレジストとして、例えばJSR社製PC315Gがある。もしくは、アクリル系有機膜、脂環式オレフィン樹脂、SOGなどを用いることもできる。上記塗布方法としては、スピンコートやスリットコートなどの手法がある。
Next, as shown in FIG. 10 (3), a
次に、図11(4)に示すように、透過部6の電極として、上記絶縁膜12上に上記素子層11にコンタクトホール13を通じて接続する画素電極14を形成する。この画素電極14は、例えば透明電極からなり、例えばインジウムスズオキサイド(ITO)等の透明電極で形成される。
Next, as shown in FIG. 11 (4), as the electrode of the
次に、図11(5)に示すように、反射部5の素子層11上方の絶縁膜12上に、ギャップ調整層を形成するための誘電体膜71を形成する。例えば、塗布法により形成することができる。
Next, as shown in FIG. 11 (5), a
次に、図11(6)に示すように、誘電体膜71でギャップ調整層15を形成するとともに、副画素50間の接続部14C上に誘電体16を形成する。その際、誘電体16の高さが光学特性に影響するので、誘電体16の高さの調整を行う。また、上記ギャップ調整層15を形成する際に、ギャップ調整層15の上面に凹凸を形成し、その後にベーキングを行うことにより、上記凹凸が丸みを帯びた形状となる。このように、素子層11に接続する画素電極14を先に形成した後にギャップ調整層15を形成することで、ギャップ調整層15に素子層11に通じるコンタクトホールを形成することが回避され、優れた反射特性が得られるようになる。
Next, as shown in FIG. 11 (6), the
次に、図11(7)に示すように、上記ギャップ調整層15上にギャップ調整層15端部で上記画素電極14に接続する反射電極17を形成する。上記反射電極17は、例えば、反射率の高い金属材料で形成する。例えば、銀(Ag)、アルミニウム(Al)等の金属材料で形成する。このように、ギャップ調整層15上面が丸みを帯びた凹凸形状に形成され、その表面に反射電極17を形成したことにより、反射部5の反射特性を向上させることができる。
Next, as shown in FIG. 11 (7), a
以降の工程としては、配向膜を形成し、スペーサの形成されたカラーフィルタまたは、スペーサを介してシール材を用いて張り合わせ、基板間に液晶を注入することによって液晶セルが完成する。この液晶セルに位相差板と偏光板を貼り付けることで、本実施形態の半透過型液晶表示装置が製造される。 In the subsequent steps, an alignment film is formed, and a color filter provided with spacers or a sealant is used to attach the spacers, and a liquid crystal is injected between the substrates to complete a liquid crystal cell. The transflective liquid crystal display device of this embodiment is manufactured by attaching a retardation plate and a polarizing plate to the liquid crystal cell.
上記第2実施例の製造方法では、ギャップ調整層15を形成するために形成される誘電体膜71の膜厚を薄くでき、工程の効率が向上する。また、配向制御のための誘電体16の高さを制御でき、光学特性の最適化を行うことができる。
In the manufacturing method of the second embodiment, the film thickness of the
上記各実施例の製造方法によれば、液晶パネルの面押しによる表示不良が解消されるため、表示品質の向上ができる液晶表示装置を製造できるという利点がある。また、副画素間を電気的に接続する接続部14C上に形成された誘電体16や各副画素に形成される液晶の配向を制御する配向制御因子を極小にできるので、透過率の向上が図れる液晶表示装置を製造できる。また、従来、面押し耐性を高めるために、基板間隔(いわゆるセルギャップ)を狭くする必要があったが、面押し耐性が向上することから、基板間隔を大きくとることが可能になるので、透過率特性を向上させた液晶表示装置を製造できる。
According to the manufacturing method of each of the above embodiments, since the display defect due to the surface pressing of the liquid crystal panel is eliminated, there is an advantage that a liquid crystal display device capable of improving display quality can be manufactured. Further, since the dielectric 16 formed on the connecting
さらに、ギャップ調整層15と、垂直配向の画素分割した電気的な接続部14Cに誘電体16とを同時形成することで、液晶の面押しに対する配向乱れに強く、さらにプロセスの増加も無いものが可能となる。また、半透過型液晶表示装置において、反射部5と透過部6の間の配向が安定し、配向乱れに強いパネルになる。さらに、画素構造分割を反射部5に配置する誘電体からなるギャップ調整層15で行うことで高開口率かつ、配向の安定した画素の提供が可能となる。
Furthermore, by simultaneously forming the
1…液晶表示装置、5…反射部、6…透過部、10…基板、11…素子層、12…絶縁膜、14…画素電極、14C…接続部、15…ギャップ調整層、16…誘電体
DESCRIPTION OF
Claims (4)
基板上に形成された素子層と、
前記素子層を被覆するように前記基板上に形成された絶縁膜と、
前記素子層に接続するように前記絶縁膜上に形成された画素電極と、
前記画素電極の一部領域を含め前記絶縁膜上に形成されたギャップ調整層とを備え、
前記反射部は、前記絶縁膜上に形成された前記ギャップ調整層と前記ギャップ調整層上に形成された反射電極とを有し、
前記透過部は、前記ギャップ調整層の形成領域を除く前記基板上に形成された前記画素電極を有し、
前記ギャップ調整層に設けられたコンタクトホールを通じて前記一部領域の画素電極と前記反射電極とが接続されている
液晶表示装置。 It is composed of a plurality of pixels having a reflective part and a transmissive part, and the pixel is composed of a plurality of sub-pixels divided in orientation,
An element layer formed on a substrate;
An insulating film formed on the substrate so as to cover the element layer;
A pixel electrode formed on the insulating film so as to be connected to the element layer;
And a gap adjusting layer formed on the insulating film including the partial region of the pixel electrode,
The reflective portion includes the gap adjusting layer formed on the insulating film and a reflective electrode formed on the gap adjusting layer ,
The transmission unit may have a said pixel electrodes formed on the substrate excluding the formation region of the gap adjusting layer,
A liquid crystal display device in which the pixel electrode in the partial region and the reflective electrode are connected through a contact hole provided in the gap adjusting layer .
前記反射部は、前記ギャップ調整層に加え、前記素子層と、前記絶縁膜とを有する領域に形成される The reflection portion is formed in a region having the element layer and the insulating film in addition to the gap adjustment layer.
請求項1記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1.
請求項1記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a surface of the gap adjusting layer is formed in an uneven shape.
請求項1記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1.
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---|---|---|---|---|
JP2004317611A (en) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Sony Corp | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
JP2006003830A (en) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Nec Lcd Technologies Ltd | Liquid crystal display |
JP2006221055A (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Nec Lcd Technologies Ltd | Reflection plate, its manufacturing method, and liquid crystal display |
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