JP2009203273A - 発光装置用蛍光体およびそれを用いた発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一般式:a(Sr1-b-cMIbEuc)O・SiO2で実質的に表わされる2価のユ−ロピウム付活珪酸塩蛍光体、および、1次光が窒化ガリウム(GaN)系半導体よりなる発光素子であり、前記1次光を吸収して、前記1次光の波長よりも長い波長を有する2次光を発する波長変換部とを備えた発光装置において、前記波長変換部は1種以上の蛍光体からなり、前記蛍光体は、一般式:a(Sr1-b-cMIbEuc)O・SiO2で実質的に表わされる2価のユ−ロピウム付活珪酸塩蛍光体を含む発光装置に関する。
【選択図】図1
Description
一般式:a(Sr1-b-cMIbEuc)O・SiO2 (I)
(式中、MIはアルカリ土類金属元素であり、Mg、Ca、およびBaから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、1.60≦a≦2.02、0.10≦b≦0.30、0.03≦c≦0.10を満足する数である)で実質的に表わされる2価のユ−ロピウム付活珪酸塩蛍光体であることを特徴とする。
一般式:a(Sr1-b-cMIbEuc)O・SiO2
(式中、MIはアルカリ土類金属元素であり、Mg、Ca、およびBaから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、1.60≦a≦2.02、0.10≦b≦0.30、0.03≦c≦0.10を満足する数である)で実質的に表わされる2価のユ−ロピウム付活珪酸塩蛍光体を含むことを特徴とする。
図1は、本発明の発光装置の好ましい一例を模式的に示す断面図である。以下、図1に基づいて説明する。
本発明の発光装置10における波長変換部12に用いられる蛍光体14は、以下の一般式で実質的に表わされる2価のユーロピウム付活珪酸塩蛍光体である。
上記一般式中、MIはアルカリ土類金属元素であり、Mg、Ca、およびBaから選ばれる少なくとも1種の元素を示す。
なお、蛍光体14は、たとえば以下の通り調整することができる。まず、炭酸ストロンチウム(SrCO3:4Nグレード)、炭酸バリウム(BaCO3:4Nグレード)、酸化ユーロピウム(Eu2O3:4Nグレード)、二酸化珪素(SiO2:4Nグレード)、塩化アンモニウム(NH4Cl:4Nグレード)をそれぞれ必要量秤量し、ボールミル等により、良く混合する。得られた混合物をアルミナ等の坩堝に入れ、窒素(N2)雰囲気中にて、850℃、2時間焼成する。得られた焼成物を粉状にほぐし、石英等の坩堝に入れ、還元雰囲気(H2:3%、N2:97%)中にて、1250℃、4時間焼成する。得られた焼成物をボールミル等により、粉砕する。その後、酢酸ブチル(CH3COO(CH2)3CH3)2l中に焼成物を入れ、デカンテーションにより、粉砕時生じた微粉末等を除去する。次に、濾過、減圧乾燥して蛍光体14を得る。
本発明の発光装置10における波長変換部は、上述した蛍光体14として黄色系発光の蛍光体を含有し、半導体発光素子11から発せられる一次光の一部を吸収して、一次光の波長以上の長さの波長を有する二次光を発し得るものであれば、その封止樹脂13は特に制限されるものではない。封止樹脂13としては、たとえばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ノルボネン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、非晶質ナイロン樹脂、ポリアリレート、ポリカーボネート樹脂、尿素樹脂、エポキシ変成シリコーン樹脂および有機物変成シリコーン樹脂から選ばれる材料であることが好ましいが、これらに限定されるものではない。
本発明の発光装置10に用いられる半導体発光素子11としては、効率の観点から、窒化ガリウム(GaN)系半導体を好ましく用いることができる。たとえば、窒化ガリウム系化合物半導体よりなるLEDチップ、酸化亜鉛系化合物半導体よりなるLEDチップ、InGaAlP系化合物半導体よりなるLEDチップまたはAlGaAs系化合物半導体のLEDチップなど公知のものを用いることができるが、特に限定はされない。
本発明の発光装置に用いられる蛍光体14は、従来公知の適宜の方法にて作製したものを用いてもよいし、また市販のものを用いても勿論よい。また、本発明の発光装置10における波長変換部12は、上述した蛍光体14を適宜の封止樹脂13中に分散させ、適宜の条件で成形することによって作製することが可能であり、その作製方法は特に制限されるものではない。
炭酸ストロンチウム(SrCO3:4Nグレード)110.21g、炭酸バリウム(BaCO3:4Nグレード)44.40g、酸化ユーロピウム(Eu2O3:4Nグレード)9.00g、二酸化珪素(SiO2:4Nグレード)30.57g、塩化アンモニウム(NH4Cl:4Nグレード)5.83gを秤量し、ボールミル等により、良く混合する。得られた混合物をアルミナ等の坩堝に入れ、窒素(N2)雰囲気中にて、850℃、2時間焼成する。得られた焼成物を粉状にほぐし、石英等の坩堝に入れ、還元雰囲気(H2:3%、N2:97%)中にて、1250℃、4時間焼成する。得られた焼成物をボールミル等により、粉砕する。その後、酢酸ブチル(CH3COO(CH2)3CH3)2l中に焼成物を入れ、デカンテーションにより、粉砕時生じた微粉末等を除去する。次に、濾過、減圧乾燥する。
なお、評価にあたっては、順電流(IF)20mAにて点灯し、発光装置からの光出力(光電流)を測定した。
実施例1と同様な方法で、2.20(Sr0.73Ba0.22Eu0.05)O・SiO2で表わされる珪酸塩蛍光体を調製した。
炭酸ストロンチウム(SrCO3:4Nグレード)104.54g、炭酸バリウム(BaCO3:4Nグレード)49.20g、酸化ユーロピウム(Eu2O3:4Nグレード)7.02g、二酸化珪素(SiO2:4Nグレード)31.54g、塩化アンモニウム(NH4Cl:4Nグレード)7.69gを秤量した。これらの原材料を用い、実施例1と同様な方法にて蛍光体を調製した。
実施例1と同様な方法で2.10(Sr0.71Ba0.25Eu0.04)O・SiO2(メディアン径(50%D):18.3μm)で表わされる珪酸塩蛍光体を調製した。
一般式:a(Sr1-b-cMIbEuc)O・SiO2
で表わされる黄色系発光珪酸塩蛍光体のうち、表3に示される組成を有する蛍光体を実施例3〜9とした。該蛍光体の発光のピーク波長、メディアン径および発光素子のピーク波長を表3に示す。また、これらの蛍光体を使用した発光装置についての評価結果を表4に示す。
一般式:a(Sr1-b-cMIbEuc)O・SiO2
で表わされる黄色系発光珪酸塩蛍光体のうち、表3に示される組成を有する蛍光体を比較例3〜9とした。該蛍光体の発光のピーク波長、メディアン径および発光素子のピーク波長を表3に示す。また、これらの蛍光体を使用した発光装置についての評価結果を表4に示す。
2.01(Sr0.73Ba0.22Eu0.05)O・SiO2の組成を有する黄色系発光珪酸塩蛍光体を実施例10とした。該蛍光体の発光のピーク波長、メディアン径および発光素子のピーク波長を表5に示す。実施例10の蛍光体を用いた発光装置についての評価結果を表6に示す。
2.10(Sr0.45Ba0.50Eu0.05)O・SiO2の組成を有する黄色系発光珪酸塩蛍光体を比較例10とした。該蛍光体の発光のピーク波長、メディアン径および発光素子のピーク波長を表5に示す。比較例10の蛍光体を用いた発光装置についての評価結果を表6に示す。
Claims (6)
- 一般式:a(Sr1-b-cMIbEuc)O・SiO2 (I)
(式中、MIはアルカリ土類金属元素であり、Mg、Ca、およびBaから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、1.60≦a≦2.02、0.10≦b≦0.30、0.03≦c≦0.10を満足する数である)で実質的に表わされる2価のユ−ロピウム付活珪酸塩蛍光体であることを特徴とする発光装置用蛍光体。 - 前記式(I)が、
式中、1.80≦a≦1.98、0.15≦b≦0.28、0.04≦c≦0.08であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置用蛍光体。 - 前記式(I)が、
式中、MIがBaであることを特徴とする請求項1に記載の発光装置用蛍光体。 - 1次光が430nm〜480nmのピーク波長を有する窒化ガリウム(GaN)系半導体よりなる発光素子と、前記1次光を吸収して、前記1次光の波長よりも長い波長を有する2次光を発する波長変換部とを備えた発光装置において、前記波長変換部は1種以上の蛍光体からなり、前記蛍光体は、
一般式:a(Sr1-b-cMIbEuc)O・SiO2
(式中、MIはアルカリ土類金属元素であり、Mg、Ca、およびBaから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、1.60≦a≦2.02、0.10≦b≦0.30、0.03≦c≦0.10を満足する数である)で実質的に表わされる2価のユ−ロピウム付活珪酸塩蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。 - 前記発光装置が、
前記式(I)が、
式中、1.80≦a≦1.98、0.15≦b≦0.28、0.04≦c≦0.08であることを特徴とする2価のユ−ロピウム付活珪酸塩蛍光体を含むことを特徴とする請求項4に記載の発光装置。 - 前記発光装置が、
前記式(I)が、
式中、MIがBaであることを特徴とする2価のユ−ロピウム付活珪酸塩蛍光体を含むことを特徴とする請求項4に記載の発光装置。
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Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004115633A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 珪酸塩蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
JP2004161981A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-06-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体 |
JP2004176010A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 発光装置およびこれを用いた表示装置 |
JP2005187797A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-07-14 | Toshiba Corp | 蛍光体およびこれを用いた発光装置 |
JP2006111830A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Toshiba Corp | 蛍光体,蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置 |
JP2007009142A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 青色発光蛍光体およびその製造方法、発光装置、照明装置、ディスプレイ用バックライト並びにディスプレイ |
WO2007027618A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Gelcore Llc | Phosphor and blends thereof for use in leds |
JP2007191680A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-08-02 | Sharp Corp | 発光装置 |
JP2008028042A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Toshiba Corp | 発光装置 |
JP2008024791A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Toshiba Corp | 蛍光体、蛍光体の製造方法および発光装置 |
WO2008102628A1 (ja) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Kyocera Corporation | 蛍光体およびその製法ならびに波長変換器、発光装置、照明装置 |
WO2008122331A1 (de) * | 2007-04-04 | 2008-10-16 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur herstellung von leuchtstoffen basierend auf orthosilikaten für pcleds |
-
2008
- 2008-02-26 JP JP2008044323A patent/JP5272204B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004161981A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-06-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体 |
JP2004115633A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 珪酸塩蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
JP2004176010A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 発光装置およびこれを用いた表示装置 |
JP2005187797A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-07-14 | Toshiba Corp | 蛍光体およびこれを用いた発光装置 |
JP2006111830A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Toshiba Corp | 蛍光体,蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置 |
JP2007009142A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 青色発光蛍光体およびその製造方法、発光装置、照明装置、ディスプレイ用バックライト並びにディスプレイ |
WO2007027618A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Gelcore Llc | Phosphor and blends thereof for use in leds |
JP2007191680A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-08-02 | Sharp Corp | 発光装置 |
JP2008028042A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Toshiba Corp | 発光装置 |
JP2008024791A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Toshiba Corp | 蛍光体、蛍光体の製造方法および発光装置 |
WO2008102628A1 (ja) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Kyocera Corporation | 蛍光体およびその製法ならびに波長変換器、発光装置、照明装置 |
WO2008122331A1 (de) * | 2007-04-04 | 2008-10-16 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur herstellung von leuchtstoffen basierend auf orthosilikaten für pcleds |
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