JP2009200479A - 有機半導体素子の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 794
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 372
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 200
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 197
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 143
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 49
- 230000003578 releasing effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 553
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 57
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 26
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 20
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 5
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N trichloro(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 239000005054 phenyltrichlorosilane Substances 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 3
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 3
- 150000003613 toluenes Chemical class 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 2
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004057 1,4-benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- BDEOXDSSZJCZPE-UHFFFAOYSA-N [1,3]thiazolo[4,5-d][1,3]thiazole Chemical class N1=CSC2=C1N=CS2 BDEOXDSSZJCZPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Chemical class C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical class [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical group FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical class C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000327 poly(triphenylamine) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Chemical class 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical class N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b]thiophene Chemical class S1C=CC2=C1C=CS2 VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】本発明は、離型性を有する離型性基板と、上記離型性基板上に形成され、液晶性有機半導体材料を含有する有機半導体層と、を有する有機半導体層転写基板、および、基板と、上記基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極を覆うように形成され、表面上に液晶性有機半導体材料を配向させることが可能な配向性を備えるゲート絶縁層と、を有する有機半導体素子形成用基板を用い、上記有機半導体層を上記ゲート絶縁層上に、上記液晶性有機半導体材料の液晶相温度で熱転写する有機半導体層転写工程を有することを特徴とする、有機半導体素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決するものである。
【選択図】図1
Description
また、転写された有機半導体層は配向性を有するゲート絶縁層の表面上に配置されることになるため、転写された後の有機半導体層における液晶性有機半導体材料の配向性を安定化させることもできる。
さらに、本発明においては有機半導体層をゲート絶縁層上に熱転写する際の温度を上記液晶性有機半導体材料の液晶相温度とすることにより、上記有機半導体層の上記離型性基板からの離型性を向上させることができる。したがって、本発明によれば有機半導体層を高精細なパターン状にゲート絶縁層上へ転写することも可能になる。
このようなことから、本発明によれば有機半導体層を高精細なパターン状に転写することによって、高生産性でトランジスタ特性に優れる有機半導体素子を製造することができる。
また、転写された有機半導体層は配向性を有する有機半導体素子形成用基板の表面上に配置されることになるため、転写された後の有機半導体層における液晶性有機半導体材料の配向性を安定化させることもできる。
さらに、本発明においては有機半導体層を有機半導体素子形成用基板の表面上に熱転写する際の温度を上記液晶性有機半導体材料の液晶相温度とすることにより、上記有機半導体層の上記離型性基板からの離型性を向上させることができる。したがって、本発明によれば有機半導体層を高精細なパターン状に有機半導体素子形成用基板の表面上へ転写することも可能になる。
このようなことから、本発明によれば有機半導体層を高精細なパターン状に転写することによって、高生産性でトランジスタ特性に優れる有機半導体素子を製造することができる。
したがって、以下、各態様に分けて本発明の有機半導体素子の製造方法について順に説明する。
まず、本発明の第1態様の有機半導体素子の製造方法について説明する。本態様の有機半導体素子の製造方法は、基板上にボトムゲート型の有機トランジスタが配置された構成を有する有機半導体素子を製造するものである。
このような例において本態様の有機半導体素子の製造方法は、有機半導体層転写工程において有機半導体層12を上記ゲート絶縁層23上に熱転写する際の温度を、上記液晶性有機半導体材料の液晶相温度とすることを特徴とするものである。
また、転写された有機半導体層は配向性を有するゲート絶縁層の表面上に配置されることになるため、転写された後の有機半導体層における液晶性有機半導体材料の配向性を安定化させることもできる。
さらに、本態様においては有機半導体層をゲート絶縁層上に熱転写する際の温度を上記液晶性有機半導体材料の液晶相温度とすることにより、上記有機半導体層の上記離型性基板からの離型性を向上させることができる。したがって、本態様によれば有機半導体層を高精細なパターン状にゲート絶縁層上へ転写することも可能になる。
このようなことから、本態様によれば有機半導体層を高精細なパターン状に転写することによって、高生産性でトランジスタ特性に優れる有機半導体素子を製造することができる。
以下、本態様に用いられる各工程について説明する。
まず、本態様に用いられる有機半導体層転写工程について説明する。本工程は、離型性を有する離型性基板と、上記離型性基板上に形成され、液晶性有機半導体材料を含有する有機半導体層とを有する有機半導体層転写基板、および、基板と、上記基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極を覆うように形成され、表面上に液晶性有機半導体材料を配向させることが可能な配向性を備えるゲート絶縁層とを有する有機半導体素子形成用基板を用い、上記有機半導体層を上記ゲート絶縁層上に、上記液晶性有機半導体材料の液晶相温度で熱転写する工程である。
以下、本態様に用いられる有機半導体層転写工程について詳細に説明する。
最初に、本工程に用いられる有機半導体層転写基板について説明する。本工程に用いられる有機半導体層転写基板は、少なくとも離型性を有する離型性基板と、上記離型性基板上に形成され、液晶性有機半導体材料を含有する有機半導体層と、を有するものである。
上記有機半導体層について説明する。上記有機半導体層は液晶性有機半導体材料を含有するものであり、本工程において後述する有機半導体素子形成用基板のゲート絶縁層上に熱転写されるものである。
ここで、上記液晶相温度とは、上記液晶性有機半導体材料が液晶相を発現する温度を意味するものである。このような液晶相温度は、例えば、示差走査熱量測定(DSC)による熱分析や、偏光顕微鏡によるテクスチャー観察等によって測定することができる。
次に、上記離型性基板について説明する。本態様に用いられる離型性基板は、上述した有機半導体層に対する離型性を備えるものである。
ここで、本態様に用いられる離型性基板が上記「離型性」を備えるとは、上記離型性基板表面の上記有機半導体層に対する付着性が、後述する有機半導体素子形成用基板のゲート絶縁層の有機半導体層に対する付着性よりも小さいことを意味するものである。なかでも本発明に用いられる離型性基板は、上記ゲート絶縁層よりも表面エネルギーが低いものであることが好ましい。これにより、上記離型性基板の有機半導体層に対する高い離型性を実現することができるからである。
本工程に用いられる有機半導体層転写基板は少なくとも上記離型性基板と、有機半導体層とを有するものであるが、必要に応じて他の構成を有してもよい。このような他の構成としては、例えば、上記離型性基板と有機半導体層との間に形成されるパッシベーション層や、上記有機半導体層上に接するように形成されるソース電極およびドレイン電極等を挙げることができる。
また、この場合においては、上記ソース電極13およびドレイン電極14と上記離型性基板11との間にパッシベーション層17が形成されていてもよい(図3(b))。
さらに、図4は、本工程に用いられる有機半導体層転写基板に、上記ソース電極およびドレイン電極が形成されている場合の他の例を示す概略断面図である。図4(a)に例示するように、本工程に用いられる有機半導体層転写基板は、上記有機半導体層12上に接するようにソース電極13およびドレイン電極14が形成されたものであってもよい。また、この場合においては、上記有機半導体層12と上記離型性基板11との間にさらにパッシベーション層17が形成されていてもよい(図4(b))。
次に、本態様に用いられる有機半導体素子形成用基板について説明する。本態様に用いられる有機半導体素子形成用基板は、少なくとも基板と、上記基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極を覆うように形成され、表面上に液晶性有機半導体材料を配向させることが可能な配向性を備えるゲート絶縁層とを有するものである。
以下、このような有機半導体素子形成用基板について詳細に説明する。
まず、上記基板について説明する。本態様に用いられる基板は後述するゲート電極、およびゲート絶縁層を支持するものである。
なお、本態様に用いられる基板が複数の層が積層された構成を有するものである場合、上記厚みは、各層の厚みの総和を意味するものとする。
次に、上記ゲート電極について説明する。本態様に用いられるゲート電極は、上記基板上に形成されたものである。本態様に用いられるゲート電極としては、所望の導電性を備える材料からなるものであれば特に限定されるものではない。本態様においては、一般的に有機トランジスタに用いられる金属材料を用いることができ、このような金属材料の例としては、例えば、Ag、Au、Ta、Ti、Al、Zr、Cr、Nb、Hf、Mo、Mo−Ta合金、ITO、IZO等の無機材料、および、PEDOT/PSS等の導電性を有する有機材料を挙げることができる。
次に、上記ゲート絶縁層について説明する。本態様に用いられるゲート絶縁層は、上記ゲート電極を覆うように形成され、ゲート電極と他の層とを絶縁する機能を有するものである。また、本態様に用いられるゲート絶縁層は、表面上に液晶性有機半導体材料を配向させることが可能な配向性を備えるものである。すなわち、本態様の有機半導体素子の製造方法は、上述した有機半導体層転写基板の有機半導体層を、有機半導体素子形成用基板のゲート絶縁層上に熱転写する有機半導体層転写工程を有するものであり、熱転写温度を上記有機半導体層に含まれる液晶性有機半導体材料の液晶相温度とすることを特徴とするものであるが、本態様に用いられるゲート絶縁層は、ゲート絶縁層上に熱転写された後の有機半導体層において、上記液晶性有機半導体材料を規則的に配向させる機能を有するものである。このように、本態様においてはゲート絶縁層が有機半導体素子形成用基板上に形成されていることにより、有機半導体層を熱転写する際に液晶性有機半導体材料を配向させることができるため、熱転写時に液晶性有機半導体材料の配向性が損なわれるということを懸念する必要が無なくなる。また、ゲート絶縁層が有機半導体素子形成用基板上に形成されていることにより、本態様により製造される有機半導体素子は、ゲート絶縁層上に有機半導体層が積層された構成を有することになるため、液晶性有機半導体材料の配向安定性に優れたものなる。
ここで、本態様に用いられるゲート絶縁層が備える配向性は、上記液晶性有機半導体材料を配向させることができるものであれば特に限定されるものではなく、上記液晶性有機半導体材料の種類に応じて適宜選択して用いることができる。このような配向性としては、上記液晶性有機半導体材料を、ゲート絶縁層上においてゲート絶縁層の表面に対して平行方向に配向させる平行配向性であってもよく、あるいは上記液晶性有機半導体材料をゲート絶縁層上においてゲート絶縁層の表面に対して垂直方向に配向させる垂直配向性であってもよい。本態様に用いられるゲート絶縁層は、平行配向性あるいは垂直配向性のいずれの配向性を備えるものであってもよいが、なかでも垂直配向性を備えることが好ましい。上記ゲート絶縁層として垂直配向膜を用いることにより、ゲート絶縁層上に熱転写された有機半導体層の面内方向の移動度を向上させることができ、その結果として本態様により製造される有機半導体素子のトランジスタ性能を向上させることができるからである。
以下、これらの態様のゲート絶縁層について順に説明する。
まず、上記第1態様のゲート絶縁層について説明する。本態様のゲート絶縁層は、ゲート絶縁層を構成する材料として上記配向性を備えるものが用いられたものである。本態様に用いられるゲート絶縁層を構成する材料としては、上記配向性および所望の絶縁性を備えるものであれば特に限定されるものではない。このような材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリシロキサン、ポリエステル、ナイロン、及びこれらの誘導体等を挙げることができる。本態様においてはこれらのいずれの材料であっても好適に用いることができる。
次に、上記第2態様のゲート絶縁層について説明する。本態様のゲート絶縁層は、絶縁性を有する絶縁性機能材料からなるゲート絶縁層が形成された後、表面が上記配向性を備えるように配向処理されたものである。
本態様に用いられる絶縁性機能材料としては、ゲート絶縁層に所望の絶縁性を付与することができるものであれば特に限定されるものではない。このような絶縁性樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、カルド系樹脂、ビニル系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂等を挙げることができる。
上記物理的に修飾する方法としては、例えば、オゾンUVやO2プラズマによる処理を挙げることができる。
一方、上記化学的に修飾する方法としては、例えば、シランカップリング剤等の表面処理剤による処理を挙げることができる。ここで、上記表面処理剤としては、アルキルクロロシラン類、アルキルアルコキシシラン類、フッ素化アルキルクロロシラン類、フッ素化アルキルアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン等のシリルアミン化合物等が挙げられる。なお、当該表面処理は、例えば、上記表面処理剤の溶液や気体にゲート絶縁層を接触させ、表面処理剤をゲート絶縁層の表面に吸着させることで行うことができる。表面処理前には、絶縁層の表面処理を行う面を、オゾンUVやO2プラズマで処理しておいてもよい。
次に、上記第3態様のゲート絶縁層について説明する。本態様のゲート絶縁層は、ゲート電極上に形成され、絶縁性を有する絶縁性機能材料からなる絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、液晶性有機半導体材料を配向させることが可能な配向層とが積層されたものである。
本態様に用いられる絶縁性機能材料としては、本態様に用いられる絶縁性機能材料としては、ゲート絶縁層に所望の絶縁性を付与することができるものであれば特に限定されるものではない。このような絶縁性樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、カルド系樹脂、ビニル系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂等を挙げることができる。また、このような絶縁性機能材料によって形成される上記絶縁層の厚みは、0.01μm〜5μmの範囲内であることが好ましく、特に0.01μm〜3μmの範囲内であることが好ましく、さらに0.01μm〜1μmの範囲内であることが好ましい。
以下、このような配向層について説明する。
上記ラビング膜としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエステル、ナイロン等からなる膜を挙げることができる。
また、上記光配向膜としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルシンナメート等からなる膜を挙げることができる。
本工程に用いられる有機半導体素子形成用基板は、少なくとも上記基板、ゲート電極、およびゲート絶縁層を有するものであるが、必要に応じて他の構成を有するものであってもよい。本工程に用いられる他の構成としては、例えば、上記ゲート絶縁層上に接するように形成されたソース電極およびドレイン電極を挙げることができる。
次に、本工程において有機半導体層転写基板から有機半導体素子形成用基板のゲート絶縁層上へ有機半導体層を熱転写する方法について説明する。本工程において有機半導体層をゲート絶縁層上へ熱転写する方法は、熱転写温度を上記有機半導体層に含まれる液晶性有機半導体材料の液晶相温度とすることを特徴とするものである。このように、本工程において有機半導体層を熱転写する際の転写温度を上記液晶性有機半導体材料の液晶相温度とすることにより、有機半導体層を転写する際に液晶性有機半導体材料を配向させることができるとともに、有機半導体層の離型性基板からの転写性を向上させることができる。
すなわち、本工程において有機半導体層をゲート絶縁層上へ熱転写する方法は、上記有機半導体層と上記ゲート絶縁層とが接するように上記有機半導体層転写基板と、上記有機半導体素子形成用基板とを配置する基板配置工程と、上記有機半導体層を液晶性有機半導体材料の液晶相温度に加熱することにより、上記有機半導体層を上記ゲート絶縁層上へ転写する熱転写工程と、上記有機半導体層転写基板から離型性基板を剥離する離型性基板剥離工程に分けることができる。
本態様の有機半導体素子の製造方法は、少なくとも上記有機半導体層転写工程を有するものであるが、本態様においては必要に応じて他の工程が用いられてもよい。本態様に用いられる他の工程としては、本態様により製造される有機半導体素子の用途等に応じて、所望の機能を有する構成を形成できる工程を適宜選択して用いることができる。このような方法としては、例えば、ソース電極およびドレイン電極を形成するソース・ドレイン電極形成工程や、ゲート絶縁層上に熱転写された有機半導体層上にパッシベーション層を形成するパッシベーション層形成工程等を挙げることができる。
ここで、上記ソース・ドレイン電極形成工程は、上記有機半導体層転写工程の前に当該有機半導体層転写工程に用いられる有機半導体素子形成用基板のゲート絶縁層上にソース電極およびドレイン電極を形成する態様で実施されてもよく、あるいは、上記有機半導体層転写工程後に、ゲート絶縁層上に熱転写された有機半導体層上にソース電極およびドレイン電極を形成する態様で実施されてもよい。
次に、本発明の第2態様の有機半導体素子の製造方法について説明する。本態様の有機半導体素子の製造方法は、基板上にトップゲート型の有機トランジスタが配置された構成を有する有機半導体素子を製造するものである。
このような例において本態様の有機半導体素子の製造方法は、有機半導体層転写工程において有機半導体層12を上記有機半導体素子形成用基板20上に熱転写する際の温度を、上記液晶性有機半導体材料の液晶相温度とすることを特徴とするものである。
また、転写された有機半導体層は配向性を有する有機半導体素子形成用基板上に配置されることになるため、転写された後の有機半導体層における液晶性有機半導体材料の配向性を安定化させることもできる。
さらに、本態様においては有機半導体層を有機半導体素子形成用基板上に熱転写する際の温度を上記液晶性有機半導体材料の液晶相温度とすることにより、上記有機半導体層の上記離型性基板からの離型性を向上させることができる。したがって、本態様によれば有機半導体層を高精細なパターン状に有機半導体素子形成用基板上へ転写することも可能になる。
このようなことから、本態様によれば有機半導体層を高精細なパターン状に転写することによって、高生産性でトランジスタ特性に優れる有機半導体素子を製造することができる。
以下、本態様に用いられる各工程について説明する。
まず、本態様に用いられる有機半導体層転写工程について説明する。本工程は、離型性を有する離型性基板と、上記離型性基板上に形成され、液晶性有機半導体材料を含有する有機半導体層と、を有する有機半導体層転写基板、および、表面上に液晶性有機半導体材料を配向させることが可能な配向性を備える有機半導体素子形成用基板を用い、上記有機半導体層を上記有機半導体素子形成用基板上に、上記液晶性有機半導体材料の液晶相温度で転写する工程である。
以下、本態様に用いられる有機半導体層転写工程について詳細に説明する。
最初に、本工程に用いられる有機半導体層転写基板について説明する。本工程に用いられる有機半導体層転写基板は、少なくとも離型性を有する離型性基板と、上記離型性基板上に形成され、液晶性有機半導体材料を含有する有機半導体層と、を有するものである。
上記有機半導体層について説明する。上記有機半導体層は液晶性有機半導体材料を含有するものであり、本工程において後述する有機半導体素子形成用基板の有機半導体素子形成用基板上に熱転写されるものである。
ここで、本態様に用いられる有機半導体層については、上記「A.第1態様の有機半導体素子の製造方法」の項において説明したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
次に、上記離型性基板について説明する。本態様に用いられる離型性基板は、上述した有機半導体に対する離型性を備えるものである。
ここで、本態様に用いられる離型性基板についても、上記「A.第1態様の有機半導体素子の製造方法」の項において説明したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
本工程に用いられる有機半導体層転写基板は少なくとも上記離型性基板と、有機半導体層とを有するものであるが、必要に応じて他の構成を有してもよい。このような他の構成としては、例えば、上記有機半導体層に接するように形成されたソース電極およびドレイン電極、上記有機半導体層と上記離型性基板との間に形成されるゲート絶縁層、ゲート電極、およびパッシベーション層等を挙げることができる。
次に、本態様に用いられる有機半導体素子形成用基板について説明する。本態様に用いられる有機半導体素子形成用基板は、表面上に液晶性有機半導体材料を配向させることが可能な配向性を備えるものである。すなわち、本態様の有機半導体素子の製造方法は、上述した有機半導体層転写基板の有機半導体層を、有機半導体素子形成用基板上に熱転写する有機半導体層転写工程を有するものであり、熱転写温度を上記有機半導体層に含まれる液晶性有機半導体材料の液晶相温度とすることを特徴とするものであるが、本態様に用いられる有機半導体素子形成用基板は、有機半導体素子形成用基板上に熱転写された後の有機半導体層において、上記液晶性有機半導体材料を規則的に配向させる機能を有するものであめ、液晶性有機半導体材料の配向安定性に優れたものになる。
ここで、本態様に用いられる有機半導体素子形成用基板が備える配向性は、上記液晶性有機半導体材料を配向させることができるものであれば特に限定されるものではなく、上記液晶性有機半導体材料の種類に応じて適宜選択して用いることができる。このような配向性としては、上記液晶性有機半導体材料を、有機半導体素子形成用基板上において有機半導体素子形成用基板の表面に対して平行方向に配向させる平行配向性であってもよく、あるいは上記液晶性有機半導体材料を有機半導体素子形成用基板上において有機半導体素子形成用基板の表面に対して垂直方向に配向させる垂直配向性であってもよい。本態様に用いられる有機半導体素子形成用基板は、平行配向性あるいは垂直配向性のいずれの配向性を備えるものであってもよいが、なかでも垂直配向性を備えることが好ましい。上記有機半導体素子形成用基板として垂直配向膜を用いることにより、有機半導体素子形成用基板上に熱転写された有機半導体層の面内方向の移動度を向上させることができ、その結果として本態様により製造される有機半導体素子のトランジスタ性能を向上させることができるからである。
以下、これらの態様の有機半導体素子形成用基板について順に説明する。
まず、上記第1態様の有機半導体素子形成用基板について説明する。本態様の有機半導体素子形成用基板は有機半導体素子形成用基板を構成する材料として上記配向性を備えるものが用いられたものである。本態様に用いられる有機半導体素子形成用基板を構成する材料としては、上記配向性を備えるものであれば特に限定されるものではない。このような材料としては、例えば、PET、PEN、PES、PI、PEEK、PC、PPSおよびPEI等を挙げることができる。本態様においてはこれらのいずれの材料であっても好適に用いることができる。
次に、上記第2態様の有機半導体素子形成用基板について説明する。本態様の有機半導体素子形成用基板は、任意の基板を用い、当該基板の表面に配向性を付与する配向処理がされた態様のものである。
上記物理的に修飾する方法としては、例えば、オゾンUVやO2プラズマによる処理を挙げることができる。
一方、上記化学的に修飾する方法としては、例えば、シランカップリング剤等の表面処理剤による処理を挙げることができる。ここで、上記表面処理剤としては、アルキルクロロシラン類、アルキルアルコキシシラン類、フッ素化アルキルクロロシラン類、フッ素化アルキルアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン等のシリルアミン化合物等が挙げられる。なお、当該表面処理は、例えば、上記表面処理剤の溶液や気体に有機半導体素子形成用基板を接触させ、表面処理剤を有機半導体素子形成用基板の表面に吸着させることで行うことができる。表面処理前には、有機半導体素子形成用基板の表面処理を行う面を、オゾンUVやO2プラズマで処理しておいてもよい。
次に、上記第3態様の有機半導体素子形成用基板について説明する。本態様の有機半導体素子形成用基板は、任意の基板と、上記基板上に形成され、液晶性有機半導体材料を配向させることが可能な配向層とが積層されたものである。
まず、上記基板について説明する。本態様に用いられる基板は配向層等を支持するものである。
ここで、本態様に用いられる基板については、上記「A.第1態様の有機半導体素子の製造方法」の項において説明したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
次に、本態様に用いられる配向層について説明する。本態様に用いられる配向層は、上述した有機半導体層転写基板の有機半導体層に含有される液晶性有機半導体材料を配向させる機能を有するものである。
ここで、本態様に用いられる配向層についても、上記「A.第1態様の有機半導体素子の製造方法」の項において説明したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
本工程に用いられる有機半導体素子形成用基板は、必要に応じて他の構成を有するものであってもよい。
このような他の構成としては、例えば、ソース電極およびドレイン電極を挙げることができる。
本工程は、有機半導体層を有機半導体素子形成用基板上へ熱転写する方法は、熱転写温度を上記有機半導体層に含まれる液晶性有機半導体材料の液晶相温度とすることを特徴とするものである。
ここで、本工程において有機半導体層を有機半導体素子形成用基板上へ熱転写する方法については、上記「A.第1態様の有機半導体素子の製造方法」の項において説明したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
本態様の有機半導体素子の製造方法は、少なくとも上記有機半導体層転写工程を有するものであるが、本態様においては必要に応じて他の工程が用いられてもよい。本態様に用いられる他の工程としては、本態様により製造される有機半導体素子の用途等に応じて、所望の機能を有する構成を形成できる工程を適宜選択して用いることができる。このような方法としては、例えば、ソース電極およびドレイン電極を形成するソース・ドレイン電極形成工程、ゲート電極を形成するゲート電極形成工程、ゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程、およびパッシベーション層を形成するパッシベーション層形成工程等を挙げることができる。
ここで、上記ソース・ドレイン電極形成工程は、上記有機半導体層転写工程の前に当該有機半導体層転写工程に用いられる有機半導体素子形成用基板上にソース電極およびドレイン電極を形成する態様で実施されてもよく、あるいは、上記有機半導体層転写工程後に、有機半導体素子形成用基板上に熱転写された有機半導体層上にソース電極およびドレイン電極を形成する態様で実施されてもよい。
(1)液晶相同定・相転移温度確認実験
液晶性有機半導体材料である5,5’’’−Dioctyl−2,2’:5’,2’’:5’’,2’’’−Quaterthiophene、(以下、「8−QTP−8」)の液晶相、相転移温度を確認するため加熱ステージ(メトラー・ドレド社製 FP82HT、FP80HT)を用いた偏光顕微鏡(オリンパス株式会社製BH2−UMA)によるテクスチャー観察、及びDSC(示差走査型熱量計:Differential Scanning Calorimeter,NETZSCH社製DSC204 μ‐Sensor)測定を実施し、Iso 175.6,SmG 80.6 Cryst.(℃)の結果を得た。
<離型性基板の作製>
厚さ0.125mmのPEN基板上に0.4wt%TefonAF(DuPont株式会社製)FC−40フロリナート(住友スリーエム株式会社製)溶液を厚さ2.0μmになるように、スピンコート(500rpm、10秒→1000rpm、20秒)し、150℃で30分間乾燥させた。
上記離型性基板上に真空蒸着法にて液晶性有機半導体材料である上記8−QTP−8を厚さ40nmになるまで蒸着し、有機半導体層を形成した。
<基板>
基板としては、厚さ約3000Å(300nm)の酸化ケイ素層が付した厚さ0.6mmのn−ヘビードープシリコンウエハを用いた。これはn−ヘビードープシリコン部がゲート電極として機能する一方、酸化ケイ素層はゲート誘電体として働くものであり、その静電容量は約11nF/cm2(ナノファラッド/平方センチメートル)であった。
上記基板を0.1Mのn−Octyltrichlorosilane(OTS)の脱水トルエン溶液に60℃で20分間浸した。次いで、このウエハをトルエン、アセトン、イソプロピルアルコールで洗い、残液を窒素ガンで除いた後、100℃で1時間乾燥することにより、液晶性有機半導体材料を表面上に垂直配向させる配向性を有するゲート絶縁層を形成した。
上記有機半導体層転写基板と上記有機半導体素子形成用基板と、を貼り合わせ、熱転写装置(GLM350R6・GBC株式会社製)を用いて、有機半導体層を有機半導体層転写基板から有機半導体素子形成用基板へ、ローラー温度を80℃にて転写した。
次に、金のソース及びドレイン電極を、有機半導体層の上に、W(幅)=1000μm、L(長さ)=50μm、厚み=50nmにてシャドウマスクを通して真空蒸着することで、ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタを作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を100℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を120℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を140℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を160℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を25℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を40℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を60℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
(1)有機半導体層転写基板の作製
実施例1と同様の方法により有機半導体層転写基板を作製した。
<基板>
基板としては、厚さ約3000Å(300nm)の酸化ケイ素層が付した厚さ0.6mmのn−ヘビードープシリコンウエハを用いた。これはn−ヘビードープシリコン部がゲート電極として機能する一方、酸化ケイ素層はゲート誘電体として働くものであり、その静電容量は約11nF/cm2(ナノファラッド/平方センチメートル)であった。
上記基板を0.1MのPhenyltrichlorosilane(PTS)の脱水トルエン溶液に、60℃で20分間浸した。次いで、このウエハをトルエン、アセトン、イソプロピルアルコールで洗い、残液を窒素エアガンで除いた後、100℃で1時間乾燥することにより、液晶性有機半導体材料を表面上に水平配向させる配向性を有するゲート絶縁層を形成した。
上記有機半導体層転写基板と上記有機半導体素子形成用基板と、を貼り合わせ、熱転写装置(GLM350R6・GBC株式会社製)を用いて、有機半導体層を有機半導体層転写基板から有機半導体素子形成用基板へ、ローラー温度を80℃にて転写した。
次に、金のソース及びドレイン電極を、有機半導体層の上に、W(幅)=1000μm、L(長さ)=50μm、厚み=50nmにてシャドウマスクを通して真空蒸着することで、ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタを作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を100℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を120℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を140℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を160℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を25℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を40℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を60℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
(1)液晶相同定・相転移温度確認実験
液晶性有機半導体材料である5,5’’−Dioctyl−2,2’:5’,2’’−Terthiophene、(以下「8−TTP−8」)の液晶相、相転移温度を確認するため加熱ステージ(メトラー・ドレド社製 FP82HT、FP80HT)を用いた偏光顕微鏡(オリンパス株式会社製BH2−UMA)によるテクスチャー観察、及びDSC(示差走査型熱量計:Differential Scanning Calorimeter,NETZSCH社製DSC204 μ‐Sensor)測定を実施し、Iso 90.4、SmC87.6、SmF72.6、SmG59.3 Cryst.(℃)の結果を得た。
液晶性有機半導体材料として、8−TTP−8を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法により有機半導体層転写基板を作製した。
実施例1と同様の方法により有機半導体素子形成用基板を作製した。
上記有機半導体層転写基板と上記有機半導体素子形成用基板と、を貼り合わせ、熱転写装置(GLM350R6・GBC株式会社製)を用いて、有機半導体層を有機半導体層転写基板から有機半導体素子形成用基板へ、ローラー温度を60℃にて転写した。
次に、金のソース及びドレイン電極を、有機半導体層の上に、W(幅)=1000μm、L(長さ)=50μm、厚み=50nmにてシャドウマスクを通して真空蒸着することで、ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタを作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を70℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を80℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を90℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を30℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を40℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を50℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を100℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を110℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
(1)有機半導体層転写基板の作製
液晶性有機半導体材料として、上記8−TTP−8を用いたこと以外は、実施例6と同様の方法により有機半導体層転写基板を作製した。
<基板>
基板としては、厚さ約3000Å(300nm)の酸化ケイ素層が付した厚さ0.6mmのn−ヘビードープシリコンウエハを用いた。これはn−ヘビードープシリコン部がゲート電極として機能する一方、酸化ケイ素層はゲート誘電体として働くものであり、その静電容量は約11nF/cm2(ナノファラッド/平方センチメートル)であった。
上記基板を0.1MのPhenyltrichlorosilaneの脱水トルエン溶液に、60℃で20分間浸した。次いで、このウエハをトルエン、アセトン、イソプロピルアルコールで洗い、残液を窒素エアガンで除いた後、100℃で1時間乾燥することにより、液晶性有機半導体材料を表面上に水平配向させる配向性を有するゲート絶縁層を形成した。
上記有機半導体層転写基板と上記有機半導体素子形成用基板と、を貼り合わせ、熱転写装置(GLM350R6・GBC株式会社製)を用いて、有機半導体層を有機半導体層転写基板から有機半導体素子形成用基板へ、ローラー温度を60℃にて転写した。
次に、金のソース及びドレイン電極を、有機半導体層の上に、W(幅)=1000μm、L(長さ)=50μm、厚み=50nmにてシャドウマスクを通して真空蒸着することで、ボトムゲート・トップコンタクト型トランジスタを作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を70℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を80℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を90℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を30℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を40℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を50℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を100℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を110℃としたこと以外は、実施例6と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
(1)液晶相同定・相転移温度確認実験
液晶性有機半導体材料である5,5’’’−Dioctyl−2,2’:5’,2’’:5’’,2’’’−Quaterthiophene、(以下、「8−QTP−8」)の液晶相、相転移温度を確認するため加熱ステージ(メトラー・ドレド社製 FP82HT、FP80HT)を用いた偏光顕微鏡(オリンパス株式会社製BH2−UMA)によるテクスチャー観察、及びDSC(示差走査型熱量計:Differential Scanning Calorimeter,NETZSCH社製DSC204 μ‐Sensor)測定を実施し、Iso 175.6,SmG 80.6 Cryst.(℃)の結果を得た。
<離型性基板の作製>
厚さ0.125mmのPEN基板上に0.4wt%TefonAF(DuPont株式会社製)FC−40フロリナート(住友スリーエム株式会社製)溶液を厚さ2.0μmになるように、スピンコート(500rpm、10秒→1000rpm、20秒)し、150℃で30分間乾燥させた。
<有機半導体層の形成>
上記離型性基板上に真空蒸着法にて液晶性有機半導体材料である上記8−QTP−8を厚さ200nmになるまで蒸着し、有機半導体層を形成した。
<基板>
基板としては、厚さ約3000Å(300nm)の酸化ケイ素層が付した厚さ0.6mmのn−ヘビードープシリコンウエハを用いた。これはn−ヘビードープシリコン部がゲート電極として機能する一方、酸化ケイ素層はゲート誘電体として働くものであり、その静電容量は約11nF/cm2(ナノファラッド/平方センチメートル)であった。
上記基板を0.1Mのn−Octyltrichlorosilane(OTS)の脱水トルエン溶液に60℃で20分間浸した。次いで、このウエハをトルエン、アセトン、イソプロピルアルコールで洗い、残液を窒素ガンで除いた後、100℃で1時間乾燥することにより、液晶性有機半導体材料を表面上に垂直配向させる配向性を有するゲート絶縁層を形成した。
次に、金のソース及びドレイン電極を、ゲート絶縁層の上に、W(幅)=1000μm、L(長さ)=50μm、厚み=50nmにてシャドウマスクを通して真空蒸着した。
上記有機半導体層転写基板と上記有機半導体素子形成用基板と、を貼り合わせ、熱転写装置(GLM350R6・GBC株式会社製)を用いて、有機半導体層を有機半導体層転写基板から有機半導体素子形成用基板へ、ローラー温度を80℃にて転写し、ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタを作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を100℃としたこと以外は、実施例19と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を120℃としたこと以外は、実施例19と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を140℃としたこと以外は、実施例19と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を160℃としたこと以外は、実施例19と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を25℃としたこと以外は、実施例19と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を40℃としたこと以外は、実施例19と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を60℃としたこと以外は、実施例19と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
(1)液晶相同定・相転移温度確認実験
液晶性有機半導体材料である5,5’’−Dioctyl−2,2’:5’,2’’−Terthiophene、(以下「8−TTP−8」)の液晶相、相転移温度を確認するため加熱ステージ(メトラー・ドレド社製 FP82HT、FP80HT)を用いた偏光顕微鏡(オリンパス株式会社製BH2−UMA)によるテクスチャー観察、及びDSC(示差走査型熱量計:Differential Scanning Calorimeter,NETZSCH社製DSC204 μ‐Sensor)測定を実施し、Iso 90.4、SmC87.6、SmF72.6、SmG59.3 Cryst.(℃)の結果を得た。
液晶性有機半導体材料として、8−TTP−8を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法により有機半導体層転写基板を作製した。
実施例1と同様の方法により有機半導体素子形成用基板を作製した。
次に、金のソース及びドレイン電極を、ゲート絶縁層の上に、W(幅)=1000μm、L(長さ)=50μm、厚み=50nmにてシャドウマスクを通して真空蒸着した。
上記有機半導体層転写基板と上記有機半導体素子形成用基板と、を貼り合わせ、熱転写装置(GLM350R6・GBC株式会社製)を用いて、有機半導体層を有機半導体層転写基板から有機半導体素子形成用基板へ、ローラー温度を60℃にて転写し、ボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタを作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を70℃としたこと以外は、実施例24と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を80℃としたこと以外は、実施例24と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を90℃としたこと以外は、実施例24と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を30℃としたこと以外は、実施例24と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を40℃としたこと以外は、実施例24と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を50℃としたこと以外は、実施例24と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を100℃としたこと以外は、実施例24と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
有機半導体層転写工程におけるローラー温度を110℃としたこと以外は、実施例24と同様の方法により、有機半導体素子を作製した。
上記実施例および比較例において作製した有機半導体素子について、トランジスタ特性評価した。トランジスタ特性評価は、KEITHLEY製237HIGH VOLTAGE SOURCE MEASUREMENT UNITで行った。キャリヤ移動度(μ)は、飽和領域(ゲート電圧VG<ソース・ドレイン電圧VSD)におけるデータより、下記式に従って計算した。式中、ISDは飽和領域におけるドレイン電流であり、WとLはそれぞれ半導体チャネルの幅と長さであり、Ciはゲート誘電体層の単位面積当たりの静電容量であり、VG及びVTはそれぞれ、ゲート電圧及び閾電圧である。この装置のVTは、飽和領域におけるISDの平方根と、測定データからISD=0を外挿して求めた装置のVGとの関係から求めた。
ISD=Ciμ(W/2L)(VG−VT)2
11 … 離型性基板
12 … 有機半導体層
13 … ソース電極
14 … ドレイン電極
15 … ゲート絶縁層
16 … ゲート電極
17 … パッシベーション層
20 … 有機半導体素子形成用基板
21 … 基板
22 … ゲート電極
23 … ゲート絶縁層
24 … ソース電極
25 … ドレイン電極
100 … 有機トランジスタ
101 … ゲート電極
102 … ゲート絶縁層
103 … 有機半導体層
104 … ソース電極
105 … ドレイン電極
Claims (7)
- 離型性を有する離型性基板と、前記離型性基板上に形成され、液晶性有機半導体材料を含有する有機半導体層と、を有する有機半導体層転写基板、
および、基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように形成され、表面上に液晶性有機半導体材料を配向させることが可能な配向性を備えるゲート絶縁層と、を有する有機半導体素子形成用基板を用い、
前記有機半導体層を前記ゲート絶縁層上に、前記液晶性有機半導体材料の液晶相温度で熱転写する有機半導体層転写工程を有することを特徴とする、有機半導体素子の製造方法。 - 離型性を有する離型性基板と、前記離型性基板上に形成され、液晶性有機半導体材料を含有する有機半導体層と、を有する有機半導体層転写基板、および、表面上に液晶性有機半導体材料を配向させることが可能な配向性を備える有機半導体素子形成用基板を用い、
前記有機半導体層を前記有機半導体素子形成用基板上に、前記液晶性有機半導体材料の液晶相温度で熱転写する有機半導体層転写工程を有することを特徴とする、有機半導体素子の製造方法。 - 前記ゲート絶縁層が表面上に前記液晶性有機半導体材料を垂直配向させることができるものであることを特徴とする、請求項1に記載の有機半導体素子の製造方法。
- 前記有機半導体素子形成用基板が、表面上に前記液晶性有機半導体材料を垂直配向させることができるものであることを特徴とする、請求項2に記載の有機半導体素子の製造方法。
- 前記離型性基板の表面が、前記ゲート絶縁層の表面よりも表面エネルギーが低いことを特徴とする、請求項1または請求項3に記載の有機半導体素子の製造方法。
- 前記離型性基板の表面が、前記有機半導体素子形成用基板の表面よりも表面エネルギーが低いことを特徴とする、請求項2または請求項4に記載の有機半導体素子の製造方法。
- 前記有機半導体層転写工程が、前記有機半導体層をパターン状に熱転写するものであることを特徴とする、請求項1から請求項6までのいずれかの請求項に記載の有機半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009008852A JP2009200479A (ja) | 2008-01-22 | 2009-01-19 | 有機半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008011500 | 2008-01-22 | ||
JP2009008852A JP2009200479A (ja) | 2008-01-22 | 2009-01-19 | 有機半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009200479A true JP2009200479A (ja) | 2009-09-03 |
Family
ID=40901114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009008852A Pending JP2009200479A (ja) | 2008-01-22 | 2009-01-19 | 有機半導体素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8202759B2 (ja) |
JP (1) | JP2009200479A (ja) |
WO (1) | WO2009093606A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012124666A1 (ja) * | 2011-03-14 | 2012-09-20 | 帝人株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2012222204A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子の製造方法 |
JP2012222206A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子の製造方法および有機半導体素子 |
KR20150137943A (ko) * | 2014-05-29 | 2015-12-09 | 에버디스플레이 옵트로닉스 (상하이) 리미티드 | 플렉시블 디스플레이장치의 제조방법 |
WO2016042962A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101125567B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2012-03-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 고분자 기판 및 그 제조 방법과 상기 고분자 기판을 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP5733612B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2015-06-10 | 国立大学法人信州大学 | 有機半導体薄膜用材料、該材料を用いた有機半導体薄膜の形成方法および有機薄膜トランジスタ |
JP2014011083A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Canon Inc | 有機el表示装置の製造方法 |
JP6071925B2 (ja) * | 2014-03-03 | 2017-02-01 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体膜の形成方法および有機半導体膜の形成装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003502874A (ja) * | 1999-06-21 | 2003-01-21 | ケンブリッジ ユニバーシティ テクニカル サービシズ リミティド | 有機tft用の配列されたポリマー |
JP2004525493A (ja) * | 2001-04-27 | 2004-08-19 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 有機電子ディスプレイおよびデバイス用の配向材料を熱転写するための方法 |
JP2006173444A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Konica Minolta Holdings Inc | 半導体層の形成方法および有機薄膜トランジスタの製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2003207185A1 (en) | 2002-02-08 | 2003-09-02 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Organic semiconductor structure, process for producing the same, and organic semiconductor device |
JP4673135B2 (ja) | 2005-06-03 | 2011-04-20 | 大日本印刷株式会社 | 有機半導体層の形成方法 |
JP2007096288A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-04-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | トランジスタ及びその製造方法、並びに、このトランジスタを有する半導体装置 |
JP2007115804A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4831406B2 (ja) * | 2006-01-10 | 2011-12-07 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-01-19 JP JP2009008852A patent/JP2009200479A/ja active Pending
- 2009-01-21 WO PCT/JP2009/050869 patent/WO2009093606A1/ja active Application Filing
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003502874A (ja) * | 1999-06-21 | 2003-01-21 | ケンブリッジ ユニバーシティ テクニカル サービシズ リミティド | 有機tft用の配列されたポリマー |
JP2004525493A (ja) * | 2001-04-27 | 2004-08-19 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 有機電子ディスプレイおよびデバイス用の配向材料を熱転写するための方法 |
JP2006173444A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Konica Minolta Holdings Inc | 半導体層の形成方法および有機薄膜トランジスタの製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012124666A1 (ja) * | 2011-03-14 | 2012-09-20 | 帝人株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2012222204A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子の製造方法 |
JP2012222206A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子の製造方法および有機半導体素子 |
KR20150137943A (ko) * | 2014-05-29 | 2015-12-09 | 에버디스플레이 옵트로닉스 (상하이) 리미티드 | 플렉시블 디스플레이장치의 제조방법 |
KR101626466B1 (ko) | 2014-05-29 | 2016-06-01 | 에버디스플레이 옵트로닉스 (상하이) 리미티드 | 플렉시블 디스플레이장치의 제조방법 |
WO2016042962A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JPWO2016042962A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2017-06-15 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8202759B2 (en) | 2012-06-19 |
US20110053313A1 (en) | 2011-03-03 |
WO2009093606A1 (ja) | 2009-07-30 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
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