JP2009184879A - p型SiC半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
p型SiC半導体単結晶の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】Si融液にCを溶解させた溶液からSiC単結晶基板上にp型SiC半導体単結晶を成長させる方法において、上記溶液として、上記Si融液と下記CrおよびAlとの合計量を基準として、30〜70at%のCrと0.1〜20at%のAlとを更に添加した溶液を用いる。CrはSi−C溶液のC溶解度を高め、また、Alは、p型ドーパントとして機能する他、Crと同様に溶液のC溶解度を高めることにより結晶成長速度を高める。
【選択図】図2
Description
上記溶液として、上記Si融液と下記CrおよびAlとの合計量を基準として、30〜70at%のCrと0.1〜20at%のAlとを更に添加した溶液を用いることを特徴とする溶液法によるp型SiC半導体単結晶の製造方法が提供される。
先ず、成長速度に及ぼすCr添加量の影響を調べるために、Si−C溶液にCrのみを添加したSi−C−Cr3元溶液を用いp型SiC半導体単結晶を成長させた。得られた結果を表1に示す。
上記予備実験の結果を踏まえて、Cr添加量を41at%で一定とし、Al添加量を0.1〜50at%の範囲で種々に変化させたSi−C−Cr−Al4元溶液を用い、p型SiC半導体単結晶を成長させた。得られた結果を表2に示す。
比較のために、従来のSi−C−Ti−Al溶液を用い、p型SiC半導体単結晶を成長させた。ただしTi添加量を20at%で一定とし、Al添加量を1at%〜50at%の範囲で種々に変化させた。得られた結果を表3に示す。
他の条件は実施例1と同一とし、Cr添加量を本発明範囲の下限値30at%より少ない20at%で一定とした。得られた結果を表4に示す。
他の条件は実施例1と同一とし、Cr添加量を本発明範囲の下限値である30at%で一定とした。得られた結果を表5に示す。
他の条件は実施例1と同一とし、Cr添加量を本発明範囲内の47at%で一定とした。得られた結果を表6に示す。
他の条件は実施例1と同一とし、Cr添加量を本発明範囲内の55at%で一定とした。得られた結果を表7に示す。
他の条件は実施例1と同一とし、Cr添加量を本発明範囲内の60at%で一定とした。得られた結果を表8に示す。
12 高周波加熱コイル
14 溶液
16 黒鉛製支持棒
18 SiC種結晶
20 不活性雰囲気
22 断熱材
24 放射温度計
26 熱電対
S 溶液14の液面
Claims (1)
- Si融液にCを溶解させた溶液からSiC単結晶基板上にp型SiC半導体単結晶を成長させる方法において、
上記溶液として、上記Si融液と下記CrおよびAlとの合計量を基準として、30〜70at%のCrと0.1〜20at%のAlとを更に添加した溶液を用いることを特徴とする溶液法によるp型SiC半導体単結晶の製造方法。
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