JP2009177601A - Imaging apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体基板内に形成された光電変換素子を含む固体撮像素子と、前記固体撮像素子を駆動する駆動手段を有する撮像装置に関する。 The present invention relates to a solid-state imaging device including a photoelectric conversion element formed in a semiconductor substrate, and an imaging apparatus having a driving unit that drives the solid-state imaging device.
デジタルカメラでは撮影感度の設定が可能となっている。例えば、フィルム感度のISO感度100に相当する撮影感度で撮影を行う低感度撮影モードと、フィルム感度のISO感度400に相当する撮影感度で撮影を行う高感度撮影モードとを切り替え可能となっている。
The digital camera can set the shooting sensitivity. For example, it is possible to switch between a low-sensitivity shooting mode in which shooting is performed at a shooting sensitivity equivalent to
撮影感度が高くなるにつれて固体撮像素子への入射光量が減るため、光電変換素子に蓄積される信号電荷量も撮影感度が高くなるにつれて減少し、それに応じて出力電圧も減少する。したがって、同じ量の暗電流が発生するとしても、低感度撮影モード時は信号電荷量が多く、高感度撮影モード時は信号電荷量が少ないため、高感度撮影モードは低感度撮影モードと比較してS/Nが劣化してしまう。 Since the amount of light incident on the solid-state image sensor decreases as the imaging sensitivity increases, the amount of signal charge accumulated in the photoelectric conversion element also decreases as the imaging sensitivity increases, and the output voltage also decreases accordingly. Therefore, even if the same amount of dark current occurs, the amount of signal charge is large in the low-sensitivity shooting mode and the amount of signal charge is small in the high-sensitivity shooting mode. S / N deteriorates.
そこで、高感度撮影モード時には、垂直電荷転送路での電荷の転送容量(垂直電荷転送路に電荷を蓄積するパケットを形成する転送電極の数)を、低感度撮影モード時における垂直電荷転送路での転送容量よりも小さくすることで、垂直電荷転送路で発生する暗電流を低減させ、画質の劣化を防ぐといったことが行われている(特許文献1参照)。 Therefore, in the high sensitivity shooting mode, the charge transfer capacity in the vertical charge transfer path (the number of transfer electrodes forming a packet for accumulating charges in the vertical charge transfer path) is set in the vertical charge transfer path in the low sensitivity shooting mode. By making it smaller than the transfer capacity, the dark current generated in the vertical charge transfer path is reduced to prevent the deterioration of image quality (see Patent Document 1).
このように、撮影感度に応じて垂直電荷転送路の転送容量を変更する場合、光電変換素子に蓄積された電荷量がその転送容量を超えないように、オーバーフロードレイン(以下、OFDと略す)に印加するOFD電圧を制御して、光電変換素子が飽和するまでに蓄積することのできる(光電変換素子に最大限蓄積することのできる)電荷量(以下、飽和蓄積容量という)を変更する必要がある。デジタルカメラの製造メーカーでは、撮影モード毎のOFD電圧の情報が固体撮像素子の製造メーカーから提供され、この情報にしたがってOFD電圧の設定が行われる。 As described above, when the transfer capacity of the vertical charge transfer path is changed in accordance with the photographing sensitivity, an overflow drain (hereinafter abbreviated as OFD) is used so that the charge amount accumulated in the photoelectric conversion element does not exceed the transfer capacity. It is necessary to control the OFD voltage to be applied and change the amount of charge that can be accumulated until the photoelectric conversion element is saturated (maximum accumulation in the photoelectric conversion element) (hereinafter referred to as saturation storage capacity). is there. In the manufacturer of the digital camera, information on the OFD voltage for each photographing mode is provided from the manufacturer of the solid-state imaging device, and the OFD voltage is set according to this information.
固体撮像素子の製造メーカーでは、設定可能な撮影感度の数だけ、それに対応したOFD電圧を測定しておく必要がある。近年では撮影感度の高感度化が進んでいるため、OFD電圧の測定回数もそれに応じて増える傾向にある。この結果、OFD電圧の測定に要する時間が増大し、歩留まり低下による製造コストの増大が懸念される。 A manufacturer of a solid-state imaging device needs to measure the OFD voltage corresponding to the set number of imaging sensitivities. In recent years, since the photographing sensitivity has been increased, the number of times of measurement of the OFD voltage tends to increase accordingly. As a result, the time required for measuring the OFD voltage is increased, and there is a concern about an increase in manufacturing cost due to a decrease in yield.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、OFD電圧を撮影条件に応じて変更して画質の劣化を防ぐことが可能な撮像装置を低コストで提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an imaging apparatus capable of changing the OFD voltage according to imaging conditions and preventing deterioration in image quality at a low cost.
本発明の撮像装置は、半導体基板上に形成された光電変換素子を含む固体撮像素子と、前記固体撮像素子を駆動する駆動手段を有する撮像装置であって、前記光電変換素子の飽和蓄積容量を超えた電荷を前記半導体基板に排出するためのオーバーフロードレインを備え、前記駆動手段は、前記光電変換素子の飽和蓄積容量を制御するための前記オーバーフロードレインに印加するオーバーフロードレイン電圧を、設定された撮影条件に応じて変更するものであり、前記オーバーフロードレイン電圧の前記撮影条件毎の設定値が規則的な値となっている。 An imaging apparatus according to the present invention is an imaging apparatus having a solid-state imaging device including a photoelectric conversion element formed on a semiconductor substrate and a driving unit for driving the solid-state imaging device, wherein the saturation storage capacity of the photoelectric conversion element is reduced. An overflow drain for discharging the excess charge to the semiconductor substrate is provided, and the driving means sets an overflow drain voltage to be applied to the overflow drain for controlling a saturated storage capacity of the photoelectric conversion element. The value is changed according to the conditions, and the set value of the overflow drain voltage for each photographing condition is a regular value.
本発明の撮像装置は、前記オーバーフロードレイン電圧の前記撮影条件毎の設定値のうちのいずれかを基準値としたときに、前記基準値と前記基準値以外の前記設定値との差が規則的な値となっている。 The imaging apparatus according to the present invention has a regular difference between the reference value and the set value other than the reference value when any of the set values of the overflow drain voltage for each imaging condition is set as a reference value. It has become a value.
本発明の撮像装置は、前記差が、前記基準値で決まる前記光電変換素子の飽和蓄積容量と前記基準値以外の前記設定値で決まる前記光電変換素子の飽和蓄積容量との差分を、前記オーバーフロードレイン電圧の単位電圧あたりの前記光電変換素子の飽和蓄積容量の変化量で割った値となっている。 In the imaging apparatus according to the aspect of the invention, the difference may be obtained by calculating a difference between a saturation storage capacity of the photoelectric conversion element determined by the reference value and a saturation storage capacity of the photoelectric conversion element determined by the set value other than the reference value, as the overflow. The value is obtained by dividing the saturation storage capacity of the photoelectric conversion element per unit voltage of the drain voltage.
本発明の撮像装置は、前記固体撮像素子が、前記光電変換素子で発生した電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部を含み、前記駆動手段が、前記光電変換素子の飽和蓄積容量に応じて前記垂直電荷転送部での電荷の転送容量を変更する。 In the imaging device according to the aspect of the invention, the solid-state imaging device includes a vertical charge transfer unit that transfers charges generated in the photoelectric conversion device in a vertical direction, and the driving unit is configured according to a saturated storage capacity of the photoelectric conversion device. The charge transfer capacity in the vertical charge transfer unit is changed.
本発明の撮像装置は、前記撮影条件が撮影感度である。 In the imaging apparatus of the present invention, the imaging condition is imaging sensitivity.
本発明によれば、OFD電圧を撮影条件に応じて変更して画質の劣化を防ぐことが可能な撮像装置を低コストで提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the imaging device which can change OFD voltage according to imaging | photography conditions and can prevent deterioration of an image quality can be provided at low cost.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は、本発明の実施形態を説明するための撮像装置の一例であるデジタルカメラの概略構成を示す図である。
図示するデジタルカメラの撮像系は、撮影レンズ1と、CCD(Charge Coupled Device)型の固体撮像素子5と、この両者の間に設けられた絞り2と、赤外線カットフィルタ3と、光学ローパスフィルタ4とを備える。
FIG. 1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a digital camera which is an example of an imaging apparatus for explaining an embodiment of the present invention.
The imaging system of the illustrated digital camera includes a photographing
デジタルカメラの電気制御系全体を統括制御するシステム制御部11は、フラッシュ発光部12及び受光部13を制御し、レンズ駆動部8を制御して撮影レンズ1の位置をフォーカス位置に調整したりズーム調整を行ったりし、絞り駆動部9を介し絞り2の開口量を制御して露光量調整を行う。
A
又、システム制御部11は、撮像素子駆動部10を介して固体撮像素子5を駆動し、撮影レンズ1を通して撮像した被写体画像を色信号として出力させる。システム制御部11には、操作部14を通してユーザからの指示信号が入力される。
Further, the
デジタルカメラの電気制御系は、更に、固体撮像素子5の出力に接続された相関二重サンプリング処理等のアナログ信号処理を行うアナログ信号処理部6と、このアナログ信号処理部6から出力されたRGBの色信号をデジタル信号に変換するA/D変換回路7とを備え、これらはシステム制御部11によって制御される。
The electric control system of the digital camera further includes an analog
更に、このデジタルカメラの電気制御系は、メインメモリ16と、メインメモリ16に接続されたメモリ制御部15と、補間演算やガンマ補正演算,RGB/YC変換処理等を行って画像データを生成するデジタル信号処理部17と、デジタル信号処理部17で生成された画像データをJPEG形式に圧縮したり圧縮画像データを伸張したりする圧縮伸張処理部18と、測光データを積算しデジタル信号処理部17が行うホワイトバランス補正のゲインを求める積算部19と、着脱自在の記録媒体21が接続される外部メモリ制御部20と、カメラ背面等に搭載された液晶表示部23が接続される表示制御部22とを備え、これらは、制御バス24及びデータバス25によって相互に接続され、システム制御部11からの指令によって制御される。
Furthermore, the electric control system of this digital camera generates image data by performing
図1に示すデジタルカメラは、フィルムのISO感度に相当する撮影感度を複数設定可能であり、設定された撮影感度に応じた駆動を撮像素子駆動部10が行う。以下では、撮影感度が、ISO100,200,400,800の4種類設定できるものとして説明する。
The digital camera shown in FIG. 1 can set a plurality of shooting sensitivities corresponding to the ISO sensitivity of the film, and the image
図2は、図1に示す固体撮像素子5の構成例を示す平面模式図である。図3は、図2の破線で示した領域25の拡大図である。
図2に示す固体撮像素子5は、シリコン基板20上に形成されたpウェル層内の垂直方向Yとこれに直交する水平方向Xに格子状に配列されたn型不純物層からなる多数の光電変換素子21と、多数の光電変換素子21の各々で発生した電荷を垂直方向Yに転送する複数本の垂直電荷転送部(VCCD)22と、複数本の垂直電荷転送部22の各々を転送されてきた電荷を水平方向Yに転送する水平電荷転送部(HCCD)23と、水平電荷転送部23を転送されてきた電荷を信号に変換して出力する出力部24とを備える。
FIG. 2 is a schematic plan view showing a configuration example of the solid-
The solid-
図3に示すように、垂直電荷転送部22は、シリコン基板20上のpウェル層内に形成されたn型不純物領域からなる図示しない電荷転送チャネルと、この電荷転送チャネル上方に垂直方向Yに配列して形成された多数の転送電極22aとにより構成されている。各光電変換素子21には3つの転送電極22aが対応して設けられている。垂直方向Yに隣接する2つの光電変換素子21の各々に対応する計6つの転送電極22aには、それぞれ転送パルスφV1〜φV6が撮像素子駆動部10から印加され、これにより垂直電荷転送部22は6相駆動される。
As shown in FIG. 3, the vertical
転送パルスφV1〜φV6は、それぞれローレベルとそれよりも高いハイレベルとをとることができる。ハイレベルの転送パルスが印加された転送電極22a下方の電荷転送チャネルには、電荷を蓄積可能なパケットが形成され、ローレベルの転送パルスが印加された転送電極22a下方の電荷転送チャネルには、該パケットのバリアが形成される。
Each of the transfer pulses φV1 to φV6 can take a low level and a higher level than that. A packet capable of storing charges is formed in the charge transfer channel below the
水平電荷転送部23も、垂直電荷転送部22と同様に、シリコン基板20上のpウェル層内に形成されたn型不純物領域からなる図示しない電荷転送チャネルと、この電荷転送チャネル上方に水平方向Xに配列して形成された図示しない多数の転送電極とにより構成されている。この多数の転送電極には、それぞれ転送パルスφH1,φH2が撮像素子駆動部10から印加され、これにより水平電荷転送部23は2相駆動される。
Similarly to the vertical
光電変換素子21下方のpウェル層は、光電変換素子21の飽和蓄積容量を超える電荷をシリコン基板20に排出するためのオーバーフロードレインとして機能する。pウェル層には撮像素子駆動部10からOFD電圧φOFDが印加される。このOFD電圧の大きさによって、オーバーフロードレインのバリア電位を制御することができ、光電変換素子21の飽和蓄積容量を変更することが可能となっている。
The p-well layer below the
撮影感度は、高感度になるにしたがって入射光量が減るため、高感度になるにしたがって光電変換素子21の飽和蓄積容量を少なくすることができる。例えば、撮影感度が100のときに最低限必要な飽和蓄積容量(以下、必要飽和という)を信号電圧に換算して400mVとしたとき、撮影感度が200のときには必要飽和を400mV/2=200mVとすることができ、撮影感度が400のときには必要飽和を400mV/4=100mVとすることができ、撮影感度が800のときには必要飽和を400mV/8=50mVとすることができる。
Since the incident light quantity decreases as the imaging sensitivity increases, the saturation storage capacity of the
本実施形態では、ある撮影感度に設定されると、光電変換素子21の飽和蓄積容量が、その撮影感度のときの必要飽和となるようにOFD電圧が制御される。
In the present embodiment, when a certain shooting sensitivity is set, the OFD voltage is controlled so that the saturation storage capacity of the
又、垂直電荷転送部22で電荷を転送しているときに発生する暗電流を抑制するために、必要飽和に応じて、垂直電荷転送部22での電荷の転送容量を変更することが好ましい。この転送容量は、電荷の転送時に1つの光電変換素子21に対応して形成すべきパケット数(ハイレベルの転送パルスを印加する転送電極22aの数)のことである。電荷を転送する際には、パケット数をn個→(n+1)個→n個→(n+1)個→・・・のように1個だけ増減させながら電荷の転送が行われる。このため、光電変換素子21に蓄積された電荷を漏れなく転送できるようにするには、転送容量はnパケット分必要となり、この個数nが転送容量となる。
Further, in order to suppress dark current generated when charges are transferred by the vertical
垂直電荷転送部22での電荷の転送容量は、撮影感度毎の必要飽和に応じて決めることができる。例えば、撮影感度100のときの転送容量は、400mV分の電荷を漏れなく転送することができる最小の容量とすれば良い。本実施形態では、ある撮影感度に設定されると、垂直電荷転送部22での転送容量が、その撮影感度のときの必要飽和分の電荷を漏れなく転送することができる最小の容量となるように、転送パルスφV1〜φV6が制御される。
The charge transfer capacity in the vertical
図4は、撮影感度毎の転送容量(パケット数)、必要飽和、及びOFD電圧の設計例を示した図である。以下では、図4に示した設計例の設計方法を説明する。 FIG. 4 is a diagram showing a design example of transfer capacity (number of packets), required saturation, and OFD voltage for each photographing sensitivity. Hereinafter, a design method of the design example shown in FIG. 4 will be described.
固体撮像素子5の製造メーカーは、撮影感度(100,200,400,800)とそれに応じた必要飽和(400,200,100,50)を決めた後、その必要飽和を実現するためのOFD電圧と、その必要飽和分の電荷を漏れなく転送することのできる最小の転送容量(パケット数)とを決める。パケット数については、1パケットあたりの容量と必要飽和とその飽和ムラとを考慮して決めることができる。
The manufacturer of the solid-
OFD電圧については、まず、4つある撮影感度のいずれかを基準の撮影感度として選択し、基準の撮影感度のときの必要飽和を実現するために必要なOFD電圧値を実測によって求める。ここでは、撮影感度100を基準とし、必要飽和400mVを実現するためのOFD電圧を実測し、これをOFD電圧の基準値Vrefとする。又、OFD電圧を単位電圧(ここでは例えば1Vとする)変化させたときに、光電変換素子21の飽和蓄積容量がどれくらい変化するかを実測しておく。この実測値をΔVとする。
For the OFD voltage, first, one of the four imaging sensitivities is selected as the reference imaging sensitivity, and an OFD voltage value necessary to realize the necessary saturation at the reference imaging sensitivity is obtained by actual measurement. Here, the OFD voltage for realizing the required saturation of 400 mV is measured using the photographing
基準値VrefとΔVを実測した後は、以下の式(1)にしたがって基準以外の撮影感度での必要飽和を実現するためのOFD電圧を計算により求める。 After actually measuring the reference values Vref and ΔV, an OFD voltage for realizing necessary saturation at a photographing sensitivity other than the reference is calculated according to the following equation (1).
算出対象となる撮影感度での必要飽和を実現するためのOFD電圧
=Vref+{(基準となる撮影感度での必要飽和−算出対象となる撮影感度での必要飽和)/ΔV}・・・(1)
OFD voltage for realizing necessary saturation at the photographing sensitivity to be calculated = Vref + {(required saturation at the reference photographing sensitivity−necessary saturation at the photographing sensitivity to be calculated) / ΔV} (1) )
事前に決定しておいた必要飽和と、実測した基準値Vref(ここでは6Vとする)とΔV(ここでは50mVとする)を式(1)に代入すると、
撮影感度200での必要飽和を実現するためのOFD電圧は、6+{(400−200)/50}=10Vとなり、
撮影感度400での必要飽和を実現するためのOFD電圧は、6+{(400−100)/50}=12Vとなり、
撮影感度800での必要飽和を実現するためのOFD電圧は、6+{(400−50)/50}=13Vとなる。
Substituting the necessary saturation determined in advance, the measured reference value Vref (here 6V) and ΔV (here 50mV) into equation (1),
The OFD voltage for realizing the required saturation at the photographing
The OFD voltage for realizing the necessary saturation at the photographing
The OFD voltage for realizing the required saturation at the photographing
このようにして、各撮影感度に設定されたときの必要飽和、OFD電圧、パケット数を設計する。 In this way, the required saturation, OFD voltage, and number of packets are set when each imaging sensitivity is set.
本実施形態のデジタルカメラは、図4に示すような設計例にしたがって製造されたものである。このため、撮影感度が100に設定されると、OFD電圧が6Vに制御されると共に、転送時の最少パケット数が4つとなるように転送パルスφV1〜φV6のパターンが制御される。又、撮影感度が200に設定されると、OFD電圧が10Vに制御されると共に、転送時の最少パケット数が3つとなるように転送パルスφV1〜φV6のパターンが制御される。又、撮影感度が400に設定されると、OFD電圧が12Vに制御されると共に、転送時の最少パケット数が2つとなるように転送パルスφV1〜φV6のパターンが制御される。又、撮影感度が800に設定されると、OFD電圧が13Vに制御されると共に、転送時の最少パケット数が1つとなるように転送パルスφV1〜φV6のパターンが制御される。 The digital camera of this embodiment is manufactured according to a design example as shown in FIG. For this reason, when the imaging sensitivity is set to 100, the OFD voltage is controlled to 6V, and the pattern of the transfer pulses φV1 to φV6 is controlled so that the minimum number of packets at the time of transfer is four. When the photographing sensitivity is set to 200, the OFD voltage is controlled to 10V, and the pattern of transfer pulses φV1 to φV6 is controlled so that the minimum number of packets at the time of transfer is three. When the photographing sensitivity is set to 400, the OFD voltage is controlled to 12V, and the pattern of transfer pulses φV1 to φV6 is controlled so that the minimum number of packets at the time of transfer is two. When the photographing sensitivity is set to 800, the OFD voltage is controlled to 13V and the pattern of transfer pulses φV1 to φV6 is controlled so that the minimum number of packets at the time of transfer is one.
以上のように、撮影感度毎のOFD電圧を全て実測するのではなく、1つのみを実測して、その他は実測値を基にした計算によって求めているため、更なる高感度化が進んだ場合でも、デジタルカメラの製造に要する時間の増大を防ぐことができ、製造コストを削減することができる。 As described above, since all of the OFD voltages for each photographing sensitivity are not actually measured, only one is actually measured, and the others are obtained by calculation based on the actually measured values. Even in this case, an increase in time required for manufacturing the digital camera can be prevented, and the manufacturing cost can be reduced.
又、本実施形態のデジタルカメラによれば、OFD電圧で決まる飽和蓄積容量に応じて垂直電荷転送部22の転送容量も変更されるため、暗電流による画質劣化を防ぐこともできる。
Further, according to the digital camera of the present embodiment, the transfer capacity of the vertical
尚、以上の説明では、撮影感度毎に、転送容量、必要飽和、及びOFD電圧を設計するものとしたが、撮影感度ではなく、入射光量に応じて転送容量、必要飽和、及びOFD電圧を設計するようにしても良い。例えば、露出値毎に転送容量、必要飽和、及びOFD電圧のデータを持っておき、撮影時に設定された露出値に応じて転送容量、必要飽和、及びOFD電圧を変更した駆動を行うようにしても良い。 In the above description, the transfer capacity, the required saturation, and the OFD voltage are designed for each imaging sensitivity. However, the transfer capacity, the required saturation, and the OFD voltage are designed according to the amount of incident light, not the imaging sensitivity. You may make it do. For example, the transfer capacity, necessary saturation, and OFD voltage data are stored for each exposure value, and the transfer capacity, necessary saturation, and OFD voltage are changed according to the exposure value set at the time of shooting. Also good.
又、以上の説明では、光電変換素子21の下にオーバーフロードレインを有する縦型オーバーフロードレイン機構を例にしたが、光電変換素子21の隣にオーバーフロードレインを有する横型オーバーフロードレイン機構であっても良い。
In the above description, a vertical overflow drain mechanism having an overflow drain under the
又、以上の説明では、固体撮像素子5がCCD型のものとしたが、これはMOS型であっても良い。即ち、垂直電荷転送部22、水平電荷転送部23、及び出力部24の代わりに、光電変換素子21に蓄積された電荷を信号電圧に変換して出力するMOS回路を設けた構成であっても良い。
In the above description, the solid-
又、上述した計算方法で求めた撮影感度200,400,800のそれぞれに対応するOFD電圧での光電変換素子21の飽和蓄積容量の実測値と、図4に示した必要飽和の設計値とは、VrefやΔVに含まれる測定誤差等のために完全に一致するわけではないが、その誤差は無視できる程度に微小である。
Also, the actual measurement value of the saturation storage capacity of the
5 固体撮像素子
10 撮像素子駆動部
20 シリコン基板
21 光電変換素子
22 垂直電荷転送部
23 水平電荷転送部
24 出力部
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記光電変換素子の飽和蓄積容量を超えた電荷を前記半導体基板に排出するためのオーバーフロードレインを備え、
前記駆動手段は、前記光電変換素子の飽和蓄積容量を制御するための前記オーバーフロードレインに印加するオーバーフロードレイン電圧を、設定された撮影条件に応じて変更するものであり、
前記オーバーフロードレイン電圧の前記撮影条件毎の設定値が規則的な値となっている撮像装置。 An imaging apparatus having a solid-state imaging device including a photoelectric conversion element formed on a semiconductor substrate, and a driving means for driving the solid-state imaging device,
An overflow drain for discharging charges exceeding the saturated storage capacity of the photoelectric conversion element to the semiconductor substrate;
The drive means changes an overflow drain voltage applied to the overflow drain for controlling a saturated storage capacity of the photoelectric conversion element according to a set photographing condition.
An imaging apparatus in which a set value of the overflow drain voltage for each imaging condition is a regular value.
前記オーバーフロードレイン電圧の前記撮影条件毎の設定値のうちのいずれかを基準値としたときに、前記基準値と前記基準値以外の前記設定値との差が規則的な値となっている撮像装置。 The imaging apparatus according to claim 1,
Imaging in which the difference between the reference value and the set value other than the reference value is a regular value when any of the set values of the overflow drain voltage for each imaging condition is set as a reference value apparatus.
前記差が、前記基準値で決まる前記光電変換素子の飽和蓄積容量と前記基準値以外の前記設定値で決まる前記光電変換素子の飽和蓄積容量との差分を、前記オーバーフロードレイン電圧の単位電圧あたりの前記光電変換素子の飽和蓄積容量の変化量で割った値となっている撮像装置。 The imaging apparatus according to claim 2,
The difference between the saturated storage capacity of the photoelectric conversion element determined by the reference value and the saturation storage capacity of the photoelectric conversion element determined by the set value other than the reference value is calculated as a unit per unit voltage of the overflow drain voltage. An imaging apparatus having a value divided by the amount of change in saturation storage capacity of the photoelectric conversion element.
前記固体撮像素子が、前記光電変換素子で発生した電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部を含み、
前記駆動手段が、前記光電変換素子の飽和蓄積容量に応じて前記垂直電荷転送部での電荷の転送容量を変更する撮像装置。 The imaging apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The solid-state imaging device includes a vertical charge transfer unit that transfers charges generated in the photoelectric conversion device in a vertical direction,
An imaging apparatus in which the driving unit changes a charge transfer capacity in the vertical charge transfer unit according to a saturated storage capacity of the photoelectric conversion element.
前記撮影条件が撮影感度である撮像装置。 The imaging apparatus according to any one of claims 1 to 4,
An imaging apparatus in which the imaging condition is imaging sensitivity.
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2008
- 2008-01-25 JP JP2008015111A patent/JP2009177601A/en active Pending
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