JP2009167523A - めっき用導電性基材、その製造方法及びそれを用いた導体層パターン若しくは導体層パターン付き基材の製造方法、導体層パターン付き基材および透光性電磁波遮蔽部材 - Google Patents
めっき用導電性基材、その製造方法及びそれを用いた導体層パターン若しくは導体層パターン付き基材の製造方法、導体層パターン付き基材および透光性電磁波遮蔽部材 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜を含むめっき用導電性基材1であり、好ましくは、表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜が形成されている導電性基材2及びその導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜の表面に形成されている絶縁層3を有し、その絶縁層3に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部4が形成されているめっき用導電性基材。
【選択図】図1
Description
特許文献1には、電着基板の作製に際し、絶縁層をフォトレジストによって、形成することが記載されているが、このような電着基板を用いた場合、数回〜数十回程度の繰り返し使用は可能であるが、数百回〜数千回繰り返し使用が出来ず量産レベルにはならないという問題がある。これは、電着基板上のメッシュパターンを形成する絶縁層が、接着転写により剥離応力を受け、少々の繰り返し使用で導電性基材から絶縁層が剥離してしまうためである。
また、SiO2を導電性基材上に作製し、これをフォトエッチングして絶縁層を形成した電着基板が開示されるが、フォトエッチングするので、その電着基板の作製の工程が増えるという問題がある。オーバーエッチングで凹部が開口方向に向かって狭くなるというという問題がある。
また、特許文献1には、金属基板面にフォトリソグラフィーや切削で必要な凹部を形成し、次いで、この凹部の中に強固な絶縁性樹脂を埋め込み、硬化させて、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を有する電着基板を作製する方法が開示される。しかし、この方法で金属基板状に凹部を作製することは、パターンの精度、パターンの無欠陥、パターン作製の所要時間等に問題があり、生産性のよい方法とは言えない。また、絶縁層に絶縁性樹脂を使用すると、絶縁層の耐久性に問題がある。
また、特許文献1には、タンタルやチタン等の単体金属板、または、表面がこれらの金属面である場合には、電着部を構成する部分に相当する箇所にのみレジストを形成した後、陽極酸化して酸化チタン、酸化タンタル等の絶縁性酸化物層を形成し、次いでレジストを除去することにより、耐久性が極めて高く、かつ、反復使用性の極めて高い電着基板を作製することができること、陽極金属酸化層は、硬度が高く、傷がつきにくいこと、電着圧着に十分に耐えることができる絶縁性膜を持つことが開示される。
しかし、この場合、また、上記の場合も含めて、形成される凹状のメッシュパターン(電着部)においては、陽極酸化による絶縁性酸化物層は、極めて薄くその幅方向の断面が面一であり、形状的な凹凸を伴わないため、電着層を形状的に成形する作用はない。即ち、電着されるライン形状の制御が困難と言える。また、陽極酸化による絶縁性酸化物層のは耐久性が劣り、連続作業においては実用的に適さない。現に、Niの電鋳においては、毎回、転写前の陽極酸化を余儀なくされている。さらに、陽極酸化による絶縁性酸化物層は、絶縁性が低いため、高速電解めっきには適さない。ただし、アルミの陽極酸化による絶縁性酸化物層の場合は、比較的絶縁性が高いと言えるが、機械的耐久性に劣る。
また、特許文献1には、絶縁層支持体上に凸状の導電性メッシュ層を形成した電着基板を用いる方法が記載されているが、この方法によれば、実際は、導電性メッシュの側面にも金属が電着され、このことがメッシュ状電着金属層の接着転写に対する抵抗となり、剥離ができなかったり、剥離できたとしてもメッシュパターンに折れが発生し、電磁波シールド性が低下するといった不良が起こるという問題があることを、本発明者らは確認した。
また、特許文献2において、電解めっき金属層からなる凸状パターンの表面を電気絶縁層の表面よりも高く形成した金属層転写用ベースシートを用いて凸状パターン上に形成された転写金属層を粘着シートに転写する場合、凸状パターンの側面にも転写金属層がめっきされ、このことが転写金属層の接着転写に対する抵抗となり、転写金属層を凸状パターンから剥離できなかったり、剥離できたとしてもメッシュパターンに折れが発生し、電磁波シールド性が低下するといった不良が起こるという問題がある。
特許文献2において、金属層転写用ベースシートの製造法として、ベース金属層の表面上へのエッチングレジストの形成、エッチングレジストで覆われず露出しているベース金属層の表面のエッチングを含む場合には、その工程数が増え、生産性の良い方法とは言えない。
1. 表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜が形成されているめっき用導電性基材。
2. 基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜を含むめっき用導電性基材。
3. 基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含むめっき用導電性基材であって、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、水素フリーのダイヤモンドライクカーボン膜である項2に記載のめっき用導電性基材。
4. 基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含むめっき用導電性基材であって、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、導電性を付与するための不純物を含むものである項2に記載のめっき用導電性基材。
5. 基材及びその基材の表面に形成されている導電性無機材料膜を含むめっき用導電性基材であって、導電性無機材料膜が窒化クロム膜である項2に記載のめっき用導電性基材。
6. 基材と導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜との間にTi、Cr、W、Si、Ta、Nb、Zr又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか1以上を含む中間層を介在させている項2〜5のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
7. 基材の表面が、鋼、Ti、ニッケル基合金、クロム若しくはニッケルの合金めっき又は溶射された金属からなる項2〜6のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
8. 表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜が形成されている導電性基材及びその導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜の表面に形成されている絶縁層を有し、その絶縁層に開口方向に向かって幅広な凹部であってめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材。
9. 導電性基材が基材とその表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜を含むものである項8に記載のめっき用導電性基材。
10. 導電性基材が、基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含み、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、水素フリーのダイヤモンドライクカーボン膜である項9に記載のめっき用導電性基材。
11. 導電性基材が、基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含み、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、導電性を付与する不純物を含むものである項9に記載のめっき用導電性基材。
12. 導電性基材が、表面に窒化クロム膜からなる導電性無機材料膜が形成されているものである項9に記載のめっき用導電性基材。
13. 導電性基材が、基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含み、その基材と導電性ダイヤモンドライクカーボン膜の間にTi、Cr、W、Si、Ta、Nb、Zr又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか1以上を含む中間層を介在させている項9〜12に記載のめっき用導電性基材。
14. 基材の表面が、鋼、Ti、ニッケル基合金、クロム若しくはニッケルの合金めっき又は溶射された金属からなる項9〜13のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
15. めっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている項8〜14のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
16. 凹部の最小幅が1〜40μm、凹部の最大幅が2〜60μm及び凹部の間隔が50〜1000μmである項8〜15のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
17. 凹部側面の角度が絶縁層側で30度以上90度未満である項8〜16のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
18. 絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなる項8〜17のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
19. 導電性基材と絶縁層の間に、Ti、Cr、W、Si、Zr又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか1以上を含む中間層を介在させている項8〜18のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
20. (A)表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜が形成されている導電性基材のその導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、
(B)除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、ダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなる絶縁層を形成する工程
及び
(C)絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程
を含むことを特徴とするめっき用導電性基材の製造方法。
21. 除去可能な凸状のパターンが、感光性レジストを用いるフォトリソグラフ法により形成されたものである項20記載のめっき用導電性基材の製造方法。
22. 除去可能な凸部のパターン形状が、幅1〜40μm、間隔が50〜1000μm及び高さ1〜30μmであり、それにより幾何学的図形が描かれるものである項20又は21記載のめっき用導電性基材の製造方法。
23. 絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン又は無機材料である項20〜22のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
24. 絶縁層を形成する工程において、導電性基材上と凸状のパターンの側面に性質又は特性の異なる絶縁膜を形成する項20〜23のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
25. 絶縁層を形成する工程において、形成される絶縁層であるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度が、凸状パターンの側面に形成されるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度よりも大きい項24記載のめっき用導電性基材の製造方法。
26. 導電性基材上に形成されるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度が、10〜40GPaであり、凸状パターンの側面に形成されるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度が1〜15GPaである項25記載のめっき用導電性基材の製造方法。
27. 絶縁層を形成する工程において、導電性基材に形成される絶縁層と、除去可能な凸状のパターンの側面に形成される絶縁層との境界面が、全体として凸状パターンの外側に向かって傾斜している項24〜26のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
28. 上記境界面の角度が導電性基材の表面に対して30度以上90度未満に形成されることを項27記載のめっき用導電性基材の製造方法。
29. 絶縁層であるダイヤモンドライクカーボン膜が真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法またはプラズマCVD法により形成される項20〜28のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
30. 除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程を行う前に、除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、中間層を形成する工程を行う項20〜29のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
31. 中間層が、Ti、Cr、W、Si、Ta、Nb、Zr又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか1以上を含む項30記載のめっき用導電性基材の製造法。
32. (イ)項8〜19のいずれかに記載のめっき用導電性基材の凹部にめっきにより金属を析出させる工程
及び
(ロ)上記導電性基材の凹部に析出させた金属を剥離する工程を含むことを特徴とする導体層パターンの製造方法。
33. (イ)項8〜19のいずれかに記載のめっき用導電性基材の凹部にめっきにより金属を析出させる工程
及び
(ロ)上記導電性基材の凹部に析出させた金属を別の基材に転写する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
34. めっきにより析出させる金属の厚さを凹部の深さの2倍以下とする項33記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
35. 別の基材が、表面に少なくとも接着性を有する接着層を有する項33又は34のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
36. めっき用導電性基材の凹部に析出させた金属を黒化処理する工程を含む項33〜35のいずれかに記載の導体層パターン付基材の製造方法。
37. さらに、別の基材に転写された金属パターンを黒化処理する工程を含む項33〜36のいずれかに記載の導体層パターン付基材の製造方法。
38. 項33〜37のいずれかに記載の方法により製造された導体層パターン付き基材。
39. 項38に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。
40. 項38に記載の導体層パターン付き基材又は項39に記載の透光性電磁波遮蔽部材を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽板。
また、前記したいずれの絶縁層も、ダイヤモンドライクカーボン、Al2O3又はSiO2であることが好ましい。また、前記したいずれの絶縁層も、硬度が10〜40GPaのダイヤモンドライクカーボンであることが好ましい。また、前記したいずれの絶縁層の厚さも、0.5〜20μmであることが好ましい。また、前記したいずれのめっき用導電性基材も、導電性のロール(ドラム)またはロールに巻き付けるものであってもよい。
絶縁層を形成する工程において、前記した境界面の角度は、導電性基材の表面に対して30度以上60度以下であることが好ましく、また、前記めっき用導電性基材の凹部側面の角度は、絶縁層側で30度以上60度以下であることが好ましい。
また、本発明のめっき用導電性基材において、基材上に導電性DLC膜又は導電性無機材料膜を形成することにより、めっき用導電性基材を繰り返し使用する場合、その表面の清掃や修正を簡単に又は省略することができる。また、従来、導電性基材として金属を使用する場合に発生していためっき薬品による金属表面の劣化が低減され若しくはなくなり、定期的に行う必要があった導電性基材表面の研磨あるいは化学処理のメンテナンス作業が簡単に又は不要となる。さらに、めっきした金属の転写の際に導電性基材の金属表面が少しずつ剥離していくといった欠点が低減できる。その結果、めっき用導電性基材を安価に提供できるようになる。
また、基材上に導電性DLC膜又は導電性無機材料膜を形成することにより、導電性基材表面の傷や窪みの有無の検査を簡単又は省略することができる。
基材と導電性DLC膜又は導電性無機材料膜との間の中間層により、基材と導電性DLC膜又は導電性無機材料膜との間の密着性を向上させることができる。
上記導電性DLC膜又は導電性無機材料膜の導電性の程度は、体積抵抗率で1×103Ω・cm以下が好ましく、1×102Ω・cm以下がより好ましく、1×10Ω・cm以下が最も好ましい。導電性が高い程めっきが析出しやすく体積抵抗率は低い方が好ましい。1×103Ω・cmを越えると、めっきが析出しない或は析出しても抵抗値が高いため、めっき時の電圧が高くなったり、発熱等が起こる傾向がある。体積抵抗率は1×10−6Ω・cm未満になるとその生成が困難に成る傾向があるので、それ以上が好ましい。上記導電性DLC膜又は導電性無機材料膜の導電性の、体積抵抗率による評価は、後記するように、その下に中間層を有するときは、中間層に導電性DLC膜又は導電性無機材料膜を積層してこれらを併せて測定した値である。
体積抵抗率の測定は、別途シリコンウェハやガラス等の絶縁物に上記導電性DLC膜若しくは導電性無機材料膜、又は、中間層を形成後その上に上記導電性DLC膜若しくは導電性無機材料膜を成膜し、四端針抵抗測定法(装置としては、例えばロレスターGP、三菱化学株式会社製を使用することができる)により測定できる。中間層を使用した場合、中間層の厚みと上記導電性DLC膜若しくは導電性無機材料膜の厚みとの和を試料厚みとして、体積抵抗率を算出した。
例えば、炭素、水素以外にホウ素、窒素、リンのような1種類以上の不純物を混ぜることによりDLC膜を導電性にすることができる。プラズマCVD方式で不純物を混ぜる際には、それら不純物を含有するDLC形成用ガスをチャンバー内に混入させてDLC膜を形成することで不純物(ホウ素及び窒素)がDLC膜内に分子又は原子の形で取り込まれ、得られた膜は導電性を発現する。
その際に使用するプラズマCVD反応ガスとして、不純物であるホウ素源としては、例えば、ジボラン(B2H2)、酸化ホウ素(B2O3)を用いることができる。また、窒素源としては、例えば、窒素(N2)を用いることができる。これらの元素を混ぜることはシリコンのような単結晶を素材とする半導体の製造に不純物として用いられているように、電気絶縁性を有する硬質炭素を用いるにもかかわらず、DLC膜を導電性にする。
(a)公知の方法でDLC膜を形成中に、不純物元素を含むガスを反応系に供給して膜中に添加する方法。特にプラズマCVD法、スパッタ法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法などにおいてこの方法は有効である。
(b) 公知の方法でDLC膜を形成中に不純物元素を含む固体源を、加熱蒸発、スパッタ蒸発、またはアブレーションさせ、膜中に添加する方法。この方法は、特にスパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビームスパッタ法、レーザアブレーション法などにおいて有効である。
(c) 公知の方法でDLC膜を形成中に、不純物元素を含むイオンビームを照射することにより、膜中に不純物を添加する方法。
(d) 公知の方法でDLC膜を形成した後、不純物を含むイオンを注入して不純物を添加する方法。
(e) 公知の方法で不純物元素を含む固体源をスパッタしながら、反応性の炭素源となるガスを流して不純物元素を含むDLCを成膜する方法。
不純物を添加したDLC膜の形成には、上記の方法を単独で適用してもよく、複数の方法を併用してもよい。また、上記の方法とそれ以外の方法とを併用してもよい。
また、それら不純物元素を膜中に添加する際、成膜と同時に、堆積されつつあるDLC膜にイオン照射を行うことにより、炭素非晶質ネットワークの密度を高め、さらに前記の添加元素をクラスタリングさせることなく、微細に分散させることができる。さらに、成膜後、低エネルギーの電子線を前記非晶質炭素膜に照射することにより、マクロには炭素の非晶質ネットワークの構造を変えることなく、微細分散させた不純物元素の周辺のみに局所的な極微細グラファイトクラスターを形成させることができる。
他に、不純物を添加せず、基板側から順に上層に向かって連続的又は段階的に、グラファイト成分が多いsp2軌道の含有割合の高いDLC層からダイヤモンド成分が多いsp3軌道の含有割合の高いDLC層を堆積し、DLC膜を形成する、といった手法で導電性DLC膜を形成することができる。
上記の水素フリー膜といっても、スパッタリングターゲット、基材、チャンバー内壁に吸着した水分等の影響で膜中に数%程度の水素が含まれることがあるが、必要な導電性を有していれば、導電性DLC膜として使用できることは言うまでもない。
絶縁層の厚さは、凹部の深さに対応する。凹部の深さは、析出するめっきの厚さとも関係するため、目的に応じて適宜決定される。絶縁層の厚さは、0.10μm以上100μm以下の範囲であることが好ましく、0.5μm以上10μm以下の範囲であることがより好ましい。絶縁層が薄すぎると絶縁層にピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。絶縁層の厚さは、1〜5μmであることが特に好ましい。
さらに、絶縁層をAl2O3、SiO2等の無機化合物のような無機材料で形成することもできる。
光透過性電磁波遮蔽部材の性能の観点からは溝状の凹部に囲まれる絶縁層を三角形とすることが最も有効であり、可視光透過性の点からは溝状の凹部が同一のライン幅なら、それにより囲まれる絶縁層が(正)n角形のとき、n数が大きいほど導体層パターンの開口率が上がる。
図1は、本発明のめっき用導電性基材の一例を示す一部斜視図である。図2は、図1のA−A断面図を示す。図2の(a)は凹部の側面が平面的であるが、(b)は凹部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。めっき用導電性基材1は、導電性基材2の上に絶縁層3が積層されており、絶縁層3にめっき部である凹部4が形成されており、凹部4の底部は、導電性基材2が露出している。凹部4の底部は、導電性基材に導通している導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層3は、幾何学図形としては正方形であり、この正方形の周りに凹部4が溝状に形成されている。
導電性基材2と絶縁層3の間には、絶縁層3の接着性の改善等を目的として、導電性又は絶縁性の中間層(図示せず)が積層されていてもよい。または、凹部4は、その幅が、開口方向に向かって全体として幅広になっている。図面のよう勾配αで一定に幅広になっている必要は必ずしもない。めっきにより形成される導体層パターンの剥離に問題がなければ、凹部は、開口方向に向かって幅が狭くなっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、凹部は開口方向に向かって狭まっておらず全体として広がっていることが好ましい。特に、凹部の一側面がその対面と共に、底面に対して垂直となっている部分が高さ方向で1μm以上続く部分がないようにすることが好ましい。このようなめっき用導電性基材であれば、それを用いてめっきを行った後、析出した金属層をめっき用導電性基材から剥離するに際し、金属層と絶縁層との間の摩擦又は抵抗を小さくすることができ、その剥離がより容易になる。
αは、角度で30度以上90度未満が好ましく、30度以上80度以下がより好ましく、30度以上60度以下が特に好ましい。この角度が小さいと作製が困難となる傾向があり、大きいと凹部にめっきにより形成し得た金属層(導体層パターン)を剥離する際、又は、別の基材に転写する際の抵抗が大きくなる傾向がある。
上記めっき用導電性基材の凹部は、めっきにより生成するパターン化金属の形状に対応するが、同様に導体層パターン付き基材における導体層パターンに対応するものであり、その導体層パターンは、最終的に電磁波遮蔽部材を作製したときの電磁波シールド層に対応するものである。
上記のような凹部以外のめっき部において、めっき部の幅及び中心間隔は(ラインピッチ)は、それぞれ、1〜40μm及び50〜1000μmを目安にして決定することが好ましく、導体層パターンの開口率を好ましくは50%以上、特に好ましくは80%以上とすることを考慮して決定する。
なお、本発明において、凹部の中心間隔(ラインピッチ)は、凹部によって形成されている絶縁層の図形パターンが複雑な図形であったり、複数の図形の組み合わせであったりして簡単に決定できない場合は、パターンの繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さであると定義する。
この工程は、(A)導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、(B)除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程
及び
(C)絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程
を含む。
この方法は、
(a−1)導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
(a−2)感光性レジスト層を導体層パターンに対応したマスクを通して露光する工程
及び
(a−3)露光後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。
(b−1)導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
(b−2)感光性レジスト層に導体層パターンに対応した部分にマスクをせずレーザー光を照射する工程
及び
(b−3)レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザー光などで直接に露光する方法が好ましい。
図3は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
除去可能な凸部のパターンを形成する突起部6の形状は、凹部の形状に対応づけられるが、その作製の容易性から、最大幅1μm以上、間隔が1μm以上、高さが1〜50μmであることが好ましい。めっき用導電性基材を、光透過性電磁波遮蔽部材用の導体層パターンを作製するために使用するときは、突起部6は、最大幅1〜40μm、間隔が50〜1000μm及び高さ1〜30μmであることがそれぞれ好ましい。特に最大幅3〜10μm、間隔が100〜400μmであることが好ましい。また、めっき用導電性基材を、穴明き金属箔を作製するために使用するときは、前記したような絶縁層3が形成されるように、平面形状が適宜の大きさの円形又は矩形である突起部を適当な間隔に配置する。
突起部6からなる凸状パターンを有する導電性基材2の表面に絶縁層7を形成する(図3(c))。
また、CVD法で成膜する場合には金属塩化物、金属水素化物、有機金属化合物などのような化合物ガスを原料とし、それらの化学反応を利用して成膜することでできる。酸化シリコンのCVDは、例えばTEOS、オゾンを用いたプラズマCVDで行える。窒化シリコンのCVDは、例えばアンモニアとシランを用いたプラズマCVDで行える。
上記SiまたはSiCの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のDLC薄膜との界面においてSiCを形成して、当該DLC薄膜の密着性を向上させる効果を有している。
中間層は、前記したようなドライコーティング法により形成させることができる。
中間層の厚みは、1μm以下であることが好ましく、生産性を考慮すると0.5μm以下であることが更に好ましい。1μm以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。
絶縁層の付着しているレジストの除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。
剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。
剥離液としては、例えば、3%NaOH溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。
突起部6を除去するとき、絶縁層は、この境界で分離され、その結果、凹部の側面が、傾斜角αを有するようになる。傾斜角αは、角度で30度以上90度未満が好ましく、30度以上60度以下がより好ましく、40度以上60度以下が特に好ましく、DLC膜をプラズマCVDで作製する場合、ほぼ40〜60度に制御することが容易になる。すなわち、凹部4は、開口方向に向かって幅広になるように形成される。傾斜角αの制御方法としては、突起部6の高さを調整する方法が好ましい。突起部6の高さが大きくなるほど、傾斜角αを大きく制御しやすくなる。
これに対して、凸部側面に形成される絶縁層の硬度は1〜15GPaであることが好ましい。凸部側面に形成される絶縁層は、少なくとも導電性基材上に形成される絶縁層の硬度よりも低くなるように形成しなければならない。そうすることにより両者間に境界面が形成され、後の絶縁層の付着した突起部からなる凸状パターンを剥離する工程を経た後に、幅広な凹部が形成されることになる。突起部側面に形成される絶縁層の硬度は1〜10GPaであることがより好ましい。
このようにして、めっき用導電性基材1を作製することができる。
突起部6からなる凸状パターンが形成された導電性基材2の表面に、絶縁層7を形成する前に、中間層8を形成することが好ましい(図4(c′))。中間層としては、前記したものが使用でき、その形成方法も前記したとおりである。中間層8を形成した場合、得られるめっき用導電性基材は、凹部4の底部は、導電性基材2が露出しており、それ以外では、中間層8の上に絶縁層7が形成されている(図4(d′))。また、中間層は、凸状パターン6の形成前に、導電性基材2の表面に形成しても良い。この後、その表面に、前記したように導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を行っても良い。この場合、中間層として、電界めっきが十分可能な程度に導電性のものを使用した場合、凹部の底部はその中間層のままでよいが、十分な導電性を有していない場合は、ドライエッチング等の方法により、凹部の底部の中間層を除去し、導電性基材2を露出させる。
この凸部は、(露出部分が)先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなっていることが好ましい。このとき、凸部に対応した凹部は、絶縁層で被覆されていることが好ましい。さらに、この場合、凸部の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端(第1の位置)とそれより凸部の露出幅の10%に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置(第2の位置)との高さ方向の距離h10に対する第1の位置と第2の位置との幅方向の距離d10との関係d10/h10が、角度で30°〜80°に相当することが好ましい。凸部先端から0.5〜5μm低い位置での凸部の幅が1〜40μmであり、凸部の高さが10μmを超えるものが好ましい。
(1)基材の凹部を形成すべき部分(導体層パターン付き基材の導体層パターンの開口部に対応する部分)に、直接レーザー光を照射し、凹部を形成し、導体層パターンに対応した凸部を形成する方法、
(2)基材上にフォトリソグラフ法又は印刷法によって、基材に光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂により幾何学図形状のパターン(レジストパターン)を形成する工程を行なった後、基材をエッチングする方法、
(3)彫刻により基材の凹部を形成すべき部分(導体層パターン付き基材の導体層パターンの開口部に対応する部分)を掘削する方法
(4)導電性基材上にフォトリソグラフ法又は印刷法によって、導電性基材に光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂により幾何学図形状のパターン(レジストパターン)を形成する工程を行なった後、導電性基材の露出部分にレジストパターンの厚さより厚くめっきを行い、導電性の凸部パターンを形成する方法などがある。
基材の材質が硬い場合、直接加工するには上記(1)方法(レーザ加工法)または(2)の方法(エッチング法)などを用いることが好ましいが、銅などの柔らかく加工性に優れた材料を用いる場合は、上記(3)の方法(彫刻法)により容易に加工することもでき、このとき、加工後に、クロム等の硬質のめっきを表面に施して、強度を上げることができる。
上記(1)〜(3)の方法において、基材として、導電性又は非導電性の表面に導電性膜を形成したものを用いてもよい。また、導電性又は非導電性の基材を用いて上記の処理を施して凸部を形成後に表面に導電性膜を形成しても良い。
また、フォトリソグラフ法を用いる場合には、ドライフィルムレジストなどをラミネートし、マスクを装着して露光し、現像した後にレジストフィルムのエッチング工程を経ることも出来るし、液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥あるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光し、現像した後にレジストフィルムのエッチング工程を経ることも出来る。光硬化性の樹脂にマスクを介して活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。枚葉で版のサイズが大きい場合、あるいはロール・トゥ・ロール(Roll−to−Roll)で作製する場合などはドライフィルムレジストをラミネートしてマスクを介して露光する方法が生産性の観点からは好ましく、めっきドラムなどに直接加工する場合にはドライフィルムレジストを貼り合わせるあるいは液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザーなどでダイレクトに露光する方法が好ましい。
また、上記(2)の方法における基材のエッチングは、エッチング液を用いて行うことができる。エッチング液としては基材の材質によって様々な種類があり、それぞれの基材に対してエッチング液が市販されている場合は、それらを使用することができる。例えば、基材がステンレスであれば、塩化第二鉄を用いることが一般的であり、チタンであればふっ酸系のエッチング液がよく用いられる。ステンレスのエッチングに関しては、塩化第二鉄の比重が40°Be(ボーメ)〜60°Be(ボーメ)の範囲の液が好んで用いられる。比重が低いとエッチングスピードは速いが、サイドエッチングが大きくなるため、凹
部が浅くなる傾向にあり、逆に比重が高いと、エッチングスピードは遅いが、サイドエッチングが少なく、凹部が深くなる傾向にある。したがって、エッチング液の比重は、45°Be(ボーメ)〜50°Beであることがさらに好ましい。また、エッチング温度は、低いとエッチンスピードが低下し生産性が低下するため、40℃以上であることが好ましい。さらに、エッチング温度が60℃を超えると、エッチング液の腐食性が大きくなるため、エッチング槽をチタン製にする等設備投資が大きくなるため、60℃以下であることが好ましい。
残存するレジストは、基材のエッチング後に、剥離液等を使用して剥離することができる。
次いで、この導電性基材の一方の面を剥離可能な粘着フィルムなどを貼り合わせて保護し、エッチングした面の全面に絶縁層を被覆する。この後に、プラズマエッチングに対するマスク層を絶縁層の上に形成する。
絶縁層のための料絶縁材は、導電性基材との密着性が高く、耐薬品性が強い材料が好んで用いられる。電気めっきもしくは無電解めっきの工程では、前処理液やめっき液に浸漬されるため、耐酸性と耐アルカリ性双方に強い材料が特に好ましい。絶縁材料としては、前記したDLCを用いることができる。DLC膜と導電性基材の間に前記した中間層を介在させても良い。
絶縁材料として、また、熱硬化性樹脂、例えば、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等が用いることができるが、これらは自己硬化性のものである(硬化触媒を使用してもよい)。
熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとして、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。熱硬化性樹脂を用いる絶縁層の形成方法としては、例えば、刷毛塗りや、スプレー塗装、さらには、ディッピングした後にスキージやブレード等で樹脂を掻き取った後に乾燥させるなどの方法が挙げられる。
絶縁材料としては、さらに、皮膜の均一性や、形成の簡便さ、さらに環境に対する負荷が少ないことから、電着塗料を用いてもよい。電着塗料は、それ自体既知のカチオン型及びアニオン型のいずれでも使用することができる。
特に、酸素ガスでプラズマエッチングを行った場合などには、導電性基材表面が無機材料膜であるとこれがストッパー層となる。凸部に平面的な又はほぼ平面的な上面がある場合、凸部の上面の幅を超えた部分の絶縁層をマスク層から露出させておけば、絶縁層のドライエッチングによる除去が、凸部の側面部にまで及び、その結果、凸部の側面までいくらか露出させることができる。側面部の絶縁層の除去の制御は、ドライエッチングの時間、出力によって行うことができる。
次いで、凹部の絶縁層上に形成されているマスク層は、薬液浸漬等により除去される。このようにしてめっき部が凸部パターンからなるめっき用導電性基材を作製することができる。
無機系のマスク層としては、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、金(Au)、チタン(Ti)等の金属が、特に酸素プラズマに対する耐性が強く好ましく用いられる。これらの膜は、スパッタ法、真空蒸着法、イオンビーム蒸着法、CVD法、イオンプレーティング法、電着法、無電解めっき法などの薄膜形成方法により形成される。これらの材料の中では、酸素プラズマに対する耐性が高く、廉価であり、蒸着が容易で、酸性物質に対しても塩基性物質に対しても可溶であることから、アルミニウム(Al)が好んで用いられる。アルミニウムは導電性であるため、ドライエッチング後に残しておくと導電性基材の全面にめっきが析出するので、除去する必要がある。アルミニウムのエッチング剤としては、塩基性物質としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸二ナトリウム、リン酸三カリウム、リン酸二カリウム等、また酸性物質としては硫酸、過硫酸、リン酸、塩酸及びその塩等であるが、絶縁層の耐性を考慮して、適宜選択する。
(イ)前記のめっき用導電性基材のめっき部にめっきにより金属を析出させる工程
及び
(ロ)上記導電性基材のめっき部に析出させた金属を別の基材に転写する工程
を含む方法により製造される。
電解めっきについてさらに説明する。例えば、電解銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤(光沢剤としての効果も有する)を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電解ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加してもよい。さらに、電解金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの2元合金や、金−銅−銀の3元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電界めっき法としては、例えば、「現場技術者のための実用めっき」(日本プレーティング協会編、1986年槇書店発行)第87〜504頁を参照することができる。
さらに、還元剤の還元作用を得るためには、金属表面の触媒活性化が必要になることがある。素地が鉄、鋼、ニッケルなどの金属の場合には、それらの金属が触媒活性を持つため、無電解めっき液に浸漬するだけで析出するが、銅、銀あるいはそれらの合金、ステンレスが素地となる場合には、触媒活性化を付与するために、塩化パラジウムの塩酸酸性溶液中に被めっき物を浸漬し、イオン置換によって、表面にパラジウムを析出させる方法が用いられる。
無電解めっきでは、基材は必ずしも導電性である必要はない。しかし、基材を陽極酸化処理するような場合は、基材は導電性である必要がある。
特に、導電性基材の材質がNiである場合、無電解めっきするには、凹部を陽極酸化した後、無電解銅めっき液に浸漬して、銅を析出させる方法がある。
プラスチックとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂が好適に用いられる。別の基材の厚みは、0.5mm〜5mmがディスプレイの保護や強度、取扱い性から好ましい。
上記プラスチックフィルムの厚さは特に制限はないが、1mm以下のものが好ましく、厚すぎると可視光透過率が低下しやすくなる傾向がある。また、薄く成りすぎると取扱い性が悪くなることを勘案すると、上記プラスチックフィルムの厚さは5〜500μmがより好ましく、50〜200μmとすることがさらに好ましい。
これらのプラスチックフィルム等の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波の漏洩を防ぐための電磁波シールドフィルムとして使用するためには、透明であるもの(すなわち、透明基材)が好ましい。
上記の粘着層は、転写時に粘着性を有しているもの又は加熱若しくは加圧下に粘着性を示すものが好ましい。粘着性を有しているものとしては、ガラス転移温度が20℃以下の樹脂が好ましく、ガラス転移温度が0℃以下である樹脂を用いることが最も好ましい。粘着層に用いる材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂等を使用することができる。加熱時に粘着性を示す場合、そのときの温度が高すぎると、透明基材にうねりやたるみ、カール等の変形が起こることがあるので、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂のガラス転移点は80℃以下であることが好ましい。上記熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂の重量平均分子量は、500以上のものを使用することが好ましい。分子量が500未満では樹脂の凝集力が低すぎるために金属との密着性が低下するおそれがある。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。また、上記の材料の他に汎用の熱可塑性樹脂をブレンドしても良い。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート(n=1.48〜1.60)、ウレタンアクリレート(n=1.5〜1.6)、ポリエーテルアクリレート(n=1.48〜1.49)、ポリエステルアクリレート(n=1.48〜1.54)なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、1、6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の(メタ)アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、2種以上併用することができる。
別の基材に粘着剤を塗布して形成した粘着層を有するフィルムを、金属層が形成されている面に貼り合わせる際には、粘着剤の特性に応じて、必要ならば加熱される。
図5は、導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図である。また、図6はその後半を示す断面図である。
上記のめっき用導電性基材1上に、前記しためっき工程により、めっき部である凹部4内にめっきを施し、導体層パターン9を形成する(図5(e))。ついで、別個に準備された転写用基材10、これは、別の基材(透明基材)11に粘着剤層12が積層されている。導体層パターン8が形成されためっき用導電性基材1に転写用基材10を粘着剤層12を向けて圧着する準備を行う(図5(f))。
ついで、導体層パターンが形成されためっき用導電性基材1に転写用基材9を粘着剤層12を向けて圧着する(図6(g))。このとき、粘着剤層12が絶縁層7に接触してもよい。
ついで、転写用基材10を引きはがすと導体層パターン9は、その粘着剤層12に接着してめっき用導電性基材1のめっき部である凹部4から剥離され、この結果、導体層パターン付き基材13が得られる(図6(h))。
めっき用導電性基材にめっきした際、めっきは等方的に生長するため、導電性基材の露出部分から始まっためっきの析出は、それが進むと凹部からあふれて絶縁層に覆い被さるように突出して析出する。転写用基材への貼着の観点から、突出するようにめっきを析出させることが好ましい。しかし、このとき、めっきの析出を凹部4内に収まる程度に施しても良い。この状態を図7に示す。この場合でも、図8に示すように、転写用基材を圧着することにより、導体層パターン9を粘着剤層12に転着して、めっき用導電性基材1から導体層パターン9を剥離して、導体層パターン付き基材13を作製することができる。
このように黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材としてディスプレイの前面において利用するときは、一般に、黒色層を設けた方の面がディスプレイの視聴者側に向くようにして用いられる。
図10に導体層パターン付き基材が保護樹脂で覆われた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。基材(別の基材)11に積層されている粘着剤層12上に金属からなる導体層パターン9が貼り付けられており、これらは、透明な保護樹脂14によって被覆されている。
図12は、さらに、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。図11において、基材(別の基材)11に粘着剤層12を介して金属からなる導体層パターン9が接着されており、その上を透明樹脂からなる接着剤又は粘着剤17により被覆され、さらにその上に保護フィルム18が積層されている。基材11のもう一方の面には接着剤層15を介してガラス板等の他の基材16が貼着されている。この電磁波遮蔽部材では、基材(別の基材)11に粘着剤12を介して接着されている導体層パターン9を有する導体層パターン付き基材の導体層パターン9が存在する面を、透明な接着剤または粘着材17によりコーティングし、さらに保護フィルム18を積層し、ついで、得られた積層物の基材11のもう一方の面(何も積層されていない面)に接着剤を塗布して接着剤層12を形成し、これを他の基材16に押しつけて接着することにより作製することができる。上記の透明樹脂17としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のほかに活性エネルギー線で硬化する樹脂を主成分とする接着剤または粘着剤を用いることもできる。活性エネルギー線で硬化する樹脂を用いることは、それが瞬時に又は短時間に硬化することから、生産性が高くなるので好ましい。
フープ状の導電性基材に関しては、帯状の導電性基材の表面に絶縁層と凹部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のように最表面には導電性DLC又は導電性無機材料膜、その下の基材にはステンレス鋼、チタン、チタン合金、チタンをライニングした材料、ニッケル、ニッケル基合金、などを用いることができる。また、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、ニッケル合金めっきが施された鋼などのめっきにより耐食層を形成することもできる。あるいはサーメットや超硬合金などを溶射により形成することもできる。フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防錆処理、転写等の工程を、1つの連続した工程で処理可能となるため導電性パターン付き基材の生産性が高く、また、導電性パターン付き基材を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、100〜1000μmであることが好ましい。
領域Bにおいて、凹部のパターンによって描かれる幾何学図形状としては、
(1)メッシュ状幾何学的模様
(2)所定間隔で規則的に配列された方形状幾何学的模様
(3)所定間隔で規則的に配列された平行四辺形模様
(4)円模様又は楕円模様
(5)三角形模様
(6)五角形以上の多角形模様
(7)星形模様等がある。
また、領域Bにおけるめっき部の形成、絶縁層の形成等は、前記した領域Aと同様に行うことができる。さらに、めっき部の深さ又は高さ、めっき部が凹部である場合、凹部のが開口方向に幅広であることも領域Aと同様にされることが好ましい。
(a)めっき用導電性基材の表面にめっきにより金属を析出させる工程、
この後、
(b)上記導電性基材の表面に析出させた金属を剥離する工程
を含むことを特徴とするパターン化金属箔の製造方法。
ここで、めっき用導電性基材、その表面へのめっきによる金属の析出方法は、前記したとおりである。
パターン化金属箔19には、穴20が貫通している。穴20の周りには、段差部21及びこの段差部21に続いて小さな幅の傾斜部22が存在する。段差部21及び傾斜部22は、導電性基材2の上の絶縁層3及びこれにより形成される導電性基材2の上のめっき部である凹部に対応するものであり、傾斜部22は、絶縁層3の末広がりの傾斜部に対応して形成される。すなわち、傾斜部22には図16において、内周(最小径)と外周(最大径)が表現されるが、直径の小さな内周(段差部21の端)から直径の大きな外周に向かって傾斜している。段差部21は、めっきがめっき用導電性基材の凹部から絶縁層3に覆い被さるように形成された部分に対応する。従って、段差部21におけるパターン化金属箔19の厚さは、絶縁層3に覆い被さるように形成された部分であるため、穴20に近い部分ほど厚さが小さくなり、また、その底面は、めっき部である凹部に対応するパターン化金属箔の底面より、絶縁層3の厚さの分だけ高くなる。
装置内にガス導入管とスパッタリング用のターゲットの両方を有するコーティング装置(HAUZER社製、HTC1500)を用いて導電性DLC膜を形成した。詳しくは、100mm□のステンレス基板(SUS304、鏡面仕上げ、厚み0.5mm、日新製鋼(株)製。以下、基板)を真空チャンバー内に入れ、最初にArガスによるプラズマを励起し基板のクリーニングを行なった後、基板の片面に中間層としてCrをスパッタリングにより0.2μm形成した。次いで、アセチレンガス及びメタンガスを導入しながら、タングステンカーバイド(WC)をスパッタし、膜厚が1.5〜2.5μmとなるように、中間層の上にタングステン(W)を10%含有したDLC層を形成した。
レジストフィルム(フォテックRY3315、10μm厚、日立化成工業株式会社製)を上記で得られた基板の導電性DLCが形成された面に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度105℃、圧力0.5MPa、ラインスピード1m/minで行った。次いで、光透過部のライン幅が40μm、ラインピッチが300μm、バイアス角度が45°(正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して45度の角度になるように配されている)で、格子状にパターンが80mm角のサイズで形成されているネガフィルムを、基板の導電性DLCが形成された面に静置した。紫外線照射装置を用いて、600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムを載置し、基板の上から、紫外線を120mJ/cm2照射した。さらに。1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、導電性DLCの上にライン幅39〜41μm、ラインピッチ300μm、バイアス角度45度の突起部レジスト膜(突起部;高さ10μm)からなる格子状パターンを形成した。
PBII/D装置(TypeIII、株式会社栗田製作所製)によりDLC膜を形成する。チャンバー内にレジスト膜が付いたまま基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、基板のレジスト膜が形成された面をアルゴンガスで表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚0.1μmとなるように中間層を成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が5〜6μmとなるように、中間層の上にDLC層を形成した。そのときレジスト膜により形成された凸部両側のDLC膜の厚さは、4〜6μmであった。境界面の角度は導電性基材の表面に対して45〜51度であった。なお、絶縁層の厚さ及び境界面の角度の測定は導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、倍率は3000倍で断面をSEM観察することにより実測した。測定点は5点で、レジスト膜の両側を測定したので計10点の最大値と最小値を採用した。
絶縁層が付着した基板を水酸化ナトリウム水溶液(10%、50℃)に浸漬し、時々揺動を加えながら8時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したDLC膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは5〜6μmであった。また、凹部の底部での幅は、39〜41μm、開口部での幅(最大幅)は49〜53μmであった。凹部のピッチはピッチ300μmであった。
さらに、上記で得られためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴(硫酸銅(5水塩)250g/L、硫酸70g/L、キューブライトAR(荏原ユージライト株式会社製、添加剤)4ml/Lの水溶液、30℃)中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を10A/dm2として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ7μmになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(A−4100、東洋紡績株式会社製)の表面にプライマー(HP―1、日立化成工業株式会社製)を厚さ1μm)に、粘着層としてアクリルポリマー(HTR−280、長瀬ケムテック(株)製)を厚さ10μmに順次塗布して転写用粘着フィルムを作製した。
上記転写用粘着フィルムの粘着層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度25℃、圧力0.1MPa、ラインスピード1m/minとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これにより、ライン幅63〜69μm、ラインピッチ300±2μm、導体層厚さ(最大)7〜8μmの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。導体層の形状は、凹部の形状を反映して、下部から上部(粘着層)に向かって幅広になっており、さらに凹部からあふれた部分が傘のように広がっていた。 転写後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁層が剥離している箇所はなかった。ライン幅、導体層厚さの測定は、得られた導体層パターン付き基材を一部切り取って樹脂で注型し、倍率は3000倍で断面をSEM観察することにより実測した。測定点は5点で、凹部の両側を測定したので計10点の値の最大値と最小値を採用した(以下も同様)。ラインピッチの測定は、顕微鏡(デジタルマイクロスコープVHX−500、キーエンス(株)製)を用いて、倍率200倍で観察して測定し、測定は、無作為の5点で行った。
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、UV硬化型樹脂ヒタロイド7983AA3(日立化成工業(株)製)をコーティングし、ポリカーボネートフィルム(マクロホールDE、バイエル株式会社製、75μm)でラミネートして導体層パターンをUV硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて1J/cm2の紫外線を照射してUV硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして500回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び転写性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、500回使用後にめっき用導電性を切り取って導電性DLCの表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
前記した「(導電性DLC膜の形成)」におけるのと同様にしてガラス板の上に中間層及びその上に導電性DLC膜を形成し、体積抵抗率を四端針抵抗測定法(ロレスターGP、三菱化学株式会社製)により測定した。その結果、体積抵抗率は、2×10−3Ω・cmであった。
導電性DLC膜の形成は実施例1と同様に行ない、100mm□のステンレス基板(以下、基板)にDLC層を形成した。
レジストフィルム(フォテックRY3315、10μm厚、日立化成工業株式会社製)を上記で得られた導電性DLCを形成した基板の導電性DLCが形成された面に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度105℃、圧力0.5MPa、ラインスピード1m/minで行った。次いで、光が透過しない円形パターンの直径がφ100μm、円形パターンピッチが250μmで形成されているネガフィルムを、基板の導電性DLCが形成された面に静置した。紫外線照射装置を用いて、600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムを載置した基板の上から、紫外線を120mJ/cm2照射した。さらに。1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、基板の導電性DLC形成面上に円形パターン直径が98〜101μm、円形パターンピッチ250μmのレジスト膜(高さ10μm)からなるパターンを形成した。
絶縁層の形成は実施例1と同様に行った。
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液(10%、50℃)に浸漬することにより、凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したDLC膜を剥離し、めっき用導電性基材を得た。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは5〜6μmであった。また、円形パターンのピッチはピッチ250μmであった。
上記で得られためっき用導電性基材を陰極として、実施例1と同様に電解銅めっきを行い、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ20μmになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面から、銅めっき部分を銅箔として剥離した。ラインスピードは1m/minとした。すると、穴形がφ57〜63μm、穴ピッチ250μmのパターンからなる穴明き銅箔が得られた。
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−剥離の工程を上記と同様にして100回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び剥離性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、100回使用後にめっき用導電性を切り取って導電性DLCの表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
導電性DLC膜の形成は実施例1と同様に行ない、100mm□のステンレス基板にDLC層を形成した。その後、凸状パターンの形成、絶縁層の形成は行わなかった。
上記で得られためっき用導電性基材を陰極として、実施例1と同様に電解銅めっきを行い、析出した金属の厚さがほぼ20μmになるまでめっきした。
上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面から、銅めっき部分を銅箔として剥離した。ラインスピードは1m/minとした。すると、平滑な銅箔が得られた。
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−剥離の工程を上記と同様にして100回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び剥離性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、100回使用後にめっき用導電性を切り取って導電性DLCの表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
装置内にガス導入管とスパッタリング用のターゲットの両方を有するコーティング装置(HAUZER社製、HTC1500)を用いて窒化クロム膜を形成した。詳しくは、100mm□のステンレス(SUS304、鏡面仕上げ、厚み0.5mm、日新製鋼(株)製)上に硬質クロムめっきを厚み30μm施した基板(以下、基板)を真空チャンバー内に入れ、最初にArガスによるプラズマを励起し基板のクリーニングを行なった後、ターゲットとしてクロムを用い、反応性ガスとして窒素を流しながらクロムを厚みが2μmになるまでスパッタし、窒化クロムが最表面に形成された基板を得た。
凸部パターンの形成は実施例1と同様に行い、窒化クロムの上に凸部パターンを形成した。同マスクを用いて同条件で行ったので、基板の上にライン幅39〜41μm、ラインピッチ300μm、バイアス角度45度の突起部レジスト膜(突起部;高さ10μm)からなる格子状パターンが形成された。
絶縁層の形成は実施例1と同様に行った。
絶縁層が付着した基板から、実施例1と同様に凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したDLC膜を剥離し、めっき用導電性基材を得た。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは5〜6μmであった。また、凹部の底部での幅は、39〜41μm、開口部での幅(最大幅)は49〜53μmであった。凹部のピッチはピッチ300μmであった。
実施例1と同様にめっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ7μmになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
実施例1で作製した転写用粘着フィルムの粘着層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度25℃、圧力0.1MPa、ラインスピード1m/minとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これにより、ライン幅63〜69μm、ラインピッチ300±2μm、導体層厚さ(最大)7〜8μmの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。導体層の形状は、凹部の形状を反映して、下部から上部(粘着層)に向かって幅広になっており、さらに凹部からあふれた部分が傘のように広がっていた。転写後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁層が剥離している箇所はなかった。
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−剥離の工程を上記と同様にして500回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び剥離性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、めっき用導電性を切り取って窒化クロムの表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
前記した「(導電性無機材料膜の形成)」におけるのと同様にしてガラス板の上に導電性無機材料膜を形成し、体積抵抗率を四端針抵抗測定法(ロレスターGP、三菱化学株式会社製)により測定した。その結果、体積抵抗率は、7×10−4Ω・cmであった。
スパッタリング装置(株式会社神戸製鋼所製、UBMS504)を用いて導電性DLC膜を形成した。100mm□のチタン基板(TP550、#400研磨仕上げ、厚み0.5mm、株式会社神戸製鋼所製。以下、基板)を真空チャンバー内に入れ、最初にArガスによるプラズマを励起し基板のクリーニングを行なった。ターゲットとしてクロムを用いて中間層を0.2μm形成した。最初タングステンカーバイド(WC)とカーボンを同時に成膜して傾斜層を作った後、カーボンのみを成膜して水素フリーの導電性DLCを厚み1μmになるまで成膜し、導電性DLCが最表面に形成された基板を得た。
凸部パターンの形成は実施例1と同様に行い、導電性DLCの上に凸部パターンを形成した。同マスクを用いて同条件で行ったので、基板の上にライン幅39〜41μm、ラインピッチ300μm、バイアス角度45度の突起部レジスト膜(突起部;高さ10μm)からなる格子状パターンが形成された。
絶縁層の形成は実施例1と同様に行った。
絶縁層が付着した基板から、実施例1と同様に凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したDLC膜を剥離し、めっき用導電性基材を得た。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは5〜6μmであった。また、凹部の底部での幅は、39〜41μm、開口部での幅(最大幅)は49〜53μmであった。凹部のピッチはピッチ300μmであった。
実施例1と同様にめっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ7μmになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
実施例1で作製した転写用粘着フィルムの粘着層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度25℃、圧力0.1MPa、ラインスピード1m/minとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これにより、ライン幅63〜69μm、ラインピッチ300±2μm、導体層厚さ(最大)7〜8μmの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。導体層の形状は、凹部の形状を反映して、下部から上部(粘着層)に向かって幅広になっており、さらに凹部からあふれた部分が傘のように広がっていた。転写後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁層が剥離している箇所はなかった。
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−剥離の工程を上記と同様にして300回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び剥離性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、300回使用後にめっき用導電性を切り取って導電性DLCの表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
前記した「(導電性DLC膜の形成)」におけるのと同様にしてガラス板の上に中間層及びその上に水素フリーの導電性DLC膜を形成し、体積抵抗率を四端針抵抗測定法(ロレスターGP、三菱化学株式会社製)により測定した。その結果、体積抵抗率は、3×10−4Ω・cmであった。また、ガラス板の上に中間層を形成することなく、水素フリーの導電性DLC膜のみを前記と同様にして形成し、同様に、体積抵抗率を測定した結果、体積抵抗率は、5Ω・cmであった。
2:導電性基材
3:絶縁層
4:凹部
5:感光性レジスト層(感光性樹脂層)
6:突起部
7:DLC膜
8:中間層
9:導体層パターン
10:転写用基材
11:別の基材
12:粘着剤層
13:他の基材
14:保護樹脂
15:接着剤
16:他の基材
17:接着剤又は粘着剤
18:保護フィルム
19:パターン化金属箔
20:穴
21:段差部
22:傾斜部
100:電解浴
101:電解液
102:陽極
103:回転体
104:配管
105:ポンプ
106:金属
107:フィルム
108:圧着ロール
109:導体層パターン付き基材
110:フープ状の導電性基材
111〜128:搬送ロール
129:前処理槽
130:めっき槽(電解浴槽)
131:水洗槽
132:黒化処理槽
133:水洗槽
134:防錆処理槽
135:水洗槽
136:プラスチックフィルム基材(接着フィルム)
137:圧着ロール
138:導体層パターン付き基材
Claims (40)
- 表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜が形成されているめっき用導電性基材。
- 基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜を含むめっき用導電性基材。
- 基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含むめっき用導電性基材であって、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、水素フリーのダイヤモンドライクカーボン膜である請求項2に記載のめっき用導電性基材。
- 基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含むめっき用導電性基材であって、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、導電性を付与するための不純物を含むものである請求項2に記載のめっき用導電性基材。
- 基材及びその基材の表面に形成されている導電性無機材料膜を含むめっき用導電性基材であって、導電性無機材料膜が窒化クロム膜である請求項2に記載のめっき用導電性基材。
- 基材と導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜との間にTi、Cr、W、Si、Ta、Nb、Zr又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか1以上を含む中間層を介在させている請求項2〜5のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
- 基材の表面が、鋼、Ti、ニッケル基合金、クロム若しくはニッケルの合金めっき又は溶射された金属からなる請求項2〜6のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
- 表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜が形成されている導電性基材及びその導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜の表面に形成されている絶縁層を有し、その絶縁層に開口方向に向かって幅広な凹部であってめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材。
- 導電性基材が基材とその表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜を含むものである請求項8に記載のめっき用導電性基材。
- 導電性基材が、基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含み、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、水素フリーのダイヤモンドライクカーボン膜である請求項9に記載のめっき用導電性基材。
- 導電性基材が、基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含み、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、導電性を付与する不純物を含むものである請求項9に記載のめっき用導電性基材。
- 導電性基材が、表面に窒化クロム膜からなる導電性無機材料膜が形成されているものである請求項9に記載のめっき用導電性基材。
- 導電性基材が、基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含み、その基材と導電性ダイヤモンドライクカーボン膜の間にTi、Cr、W、Si、Ta、Nb、Zr又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか1以上を含む中間層を介在させている請求項9〜12に記載のめっき用導電性基材。
- 基材の表面が、鋼、Ti、ニッケル基合金、クロム若しくはニッケルの合金めっき又は溶射された金属からなる請求項9〜13のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
- めっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている請求項8〜14のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
- 凹部の最小幅が1〜40μm、凹部の最大幅が2〜60μm及び凹部の間隔が50〜1000μmである請求項8〜15のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
- 凹部側面の角度が絶縁層側で30度以上90度未満である請求項8〜16のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
- 絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなる請求項8〜17のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
- 導電性基材と絶縁層の間に、Ti、Cr、W、Si、Zr又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか1以上を含む中間層を介在させている請求項8〜18のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
- (A)表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜が形成されている導電性基材のその導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、
(B)除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、ダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなる絶縁層を形成する工程
及び
(C)絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程
を含むことを特徴とするめっき用導電性基材の製造方法。 - 除去可能な凸状のパターンが、感光性レジストを用いるフォトリソグラフ法により形成されたものである請求項20記載のめっき用導電性基材の製造方法。
- 除去可能な凸部のパターン形状が、幅1〜40μm、間隔が50〜1000μm及び高さ1〜30μmであり、それにより幾何学的図形が描かれるものである請求項20又は21記載のめっき用導電性基材の製造方法。
- 絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン又は無機材料である請求項20〜22のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
- 絶縁層を形成する工程において、導電性基材上と凸状のパターンの側面に性質又は特性の異なる絶縁膜を形成する請求項20〜23のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
- 絶縁層を形成する工程において、形成される絶縁層であるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度が、凸状パターンの側面に形成されるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度よりも大きい請求項24記載のめっき用導電性基材の製造方法。
- 導電性基材上に形成されるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度が、10〜40GPaであり、凸状パターンの側面に形成されるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度が1〜15GPaである請求項25記載のめっき用導電性基材の製造方法。
- 絶縁層を形成する工程において、導電性基材に形成される絶縁層と、除去可能な凸状のパターンの側面に形成される絶縁層との境界面が、全体として凸状パターンの外側に向かって傾斜している請求項24〜26のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
- 境界面の角度が導電性基材の表面に対して30度以上90度未満に形成される請求項27記載のめっき用導電性基材の製造方法。
- 絶縁層であるダイヤモンドライクカーボン膜が真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法またはプラズマCVD法により形成される請求項20〜28のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
- 除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程を行う前に、除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、中間層を形成する工程を行う請求項20〜29のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
- 中間層が、Ti、Cr、W、Si、Ta、Nb、Zr又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか1以上を含む請求項30記載のめっき用導電性基材の製造法。
- (イ)項8〜19のいずれかに記載のめっき用導電性基材の凹部にめっきにより金属を析出させる工程
及び
(ロ)上記導電性基材の凹部に析出させた金属を剥離する工程を含むことを特徴とする導体層パターンの製造方法。 - (イ)請求項8〜19のいずれかに記載のめっき用導電性基材の凹部にめっきにより金属を析出させる工程
及び
(ロ)上記導電性基材の凹部に析出させた金属を別の基材に転写する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。 - めっきにより析出させる金属の厚さを凹部の深さの2倍以下とする請求項33記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
- 別の基材が、表面に少なくとも接着性を有する接着層を有する請求項33又は34のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
- めっき用導電性基材の凹部に析出させた金属を黒化処理する工程を含む請求項33〜35のいずれかに記載の導体層パターン付基材の製造方法。
- さらに、別の基材に転写された金属パターンを黒化処理する工程を含む請求項33〜36のいずれかに記載の導体層パターン付基材の製造方法。
- 請求項33〜37のいずれかに記載の方法により製造された導体層パターン付き基材。
- 請求項38に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。
- 請求項38に記載の導体層パターン付き基材又は請求項39に記載の透光性電磁波遮蔽部材を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽板。
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