JP2009162805A - Laser light source device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、波長変換素子を利用したレーザ光源装置に関し、特に装置内で発生する汚染物質を低減する技術に関するものである。 The present invention relates to a laser light source device using a wavelength conversion element, and more particularly to a technique for reducing contaminants generated in the device.
従来、グリーンレーザ光源には、半導体体レーザ素子光源での実現が難しく、ArガスレーザやKrガスレーザ等のガスレーザ光源が使用されてきた。しかし、ガスレーザ光源では、エネルギー変換効率が0.1%と低く、また冷却機構が必要なため、装置の小型化が難しかった。そのため近年では、高効率で高出力が可能なSHG波長変換素子を用いたレーザダイオード励起SHGグリーンレーザ光源の開発が行われてきている。 Conventionally, a green laser light source is difficult to realize with a semiconductor laser element light source, and a gas laser light source such as an Ar gas laser or a Kr gas laser has been used. However, in the gas laser light source, the energy conversion efficiency is as low as 0.1% and a cooling mechanism is required, so that it is difficult to reduce the size of the apparatus. Therefore, in recent years, a laser diode pumped SHG green laser light source using an SHG wavelength conversion element capable of high efficiency and high output has been developed.
図7および図8に代表的なSHG波長変換素子を用いたレーザダイオード励起SHGレーザ光源として、ファイバーレーザ方式とDPSS(Diode-pumped solid-state)レーザ方式の概要図を示す。 7 and 8 show schematic diagrams of a fiber laser system and a DPSS (Diode-pumped solid-state) laser system as laser diode-pumped SHG laser light sources using typical SHG wavelength conversion elements.
図7にファイバーレーザ方式を示す。密閉筐体112内に主にファイバーレーザ部100とSHG波長変換部101から構成されている。ファイバーレーザ部100は、レーザダイオード102から出射されたレーザ光がYb添加ダブルクラッドファイバー103によって、1000nmおよび1100nmの間の範囲の波長、例えば1064nmに励起され、Yb添加ダブルクラッドファイバー両端に配置された第1及び第2のブラッグ回折格子104、105によって共振器構造を形成することで、1064nmのレーザ光がSHG波長変換部101に出射される。SHG波長変換部101では、この出射した基本波レーザ光をコリメートレンズ106によって平行光にし、集光レンズ107によって、SHG波長変換素子108内部に集光され、532nmのレーザ光へ変換される。その後、この532nmのレーザ光、および変換されなかった1064nmのレーザ光成分がダイクロイックミラー109によって分離する。そして、分離された532nmのレーザ光は光出射窓110を通過して、密閉筐体112の外部へ出力される。ここで分離されて不要光となった1064nmのレーザ光成分はIRブロック110によって処理される(例えば、特許文献1参照。)。
FIG. 7 shows a fiber laser system. The
次に、図8にDPSSレーザ方式を示す。密閉筐体内209に主にレーザダイオード部200と共振器部201から構成されている。レーザダイオード部200は、レーザダイオード202からのレーザ光、例えば808nmのレーザ光を集光レンズ203によって、共振器部201に出射される。共振器部201は、Ndをドープした固体レーザ媒体であるYAG結晶204(以下、Nd:YAG結晶と表記)と、このNd:YAG結晶204の前方側および後方側に配置された第一および第二の共振器ミラー205,206と、SHG波長変換素子207とで形成されている。レーザダイオード部200から出射された光はNd:YAG結晶204と第一および第二の共振ミラー205,206によって945nmのレーザ光として発振が行われ、この945nmのレーザ光はSHG波長変換素子207によって、半分の473nmに変換される。そして、この473nmのレーザ光のみが、光出射窓208を通過して、密閉筐体209の外部へ出力される(例えば、特許文献2参照。)。
Next, FIG. 8 shows a DPSS laser system. The sealed
これらのSHG波長変換素子を用いたレーザダイオード励起SHGレーザ光源は、一般にクラス4のレーザダイオードを使用するため、レーザ光源の筐体内は密閉構造を有していなければならない。そして、使用される集光レンズなどの各種レンズや共振器ミラーやSHG波長変換素子等の光学素子はこの密閉筐体内に接着剤(例えば、シリコン系やエポキシ系やUV系等)で固定されている。集光レンズなどは一度レンズホルダーに接着剤で固定した後に、そのレンズホルダーを密閉筐体内にネジなどで固定している。高温下でこのレーザダイオード励起SHGレーザ光源を使用する場合には、これらの接着剤等から密閉筐体内に発生するガス状の汚染物質(以下、単に汚染物質と言う)が光学素子等に固着し、出力低下を招いていた。そのため、共振器部内に光触媒効果を有する機能膜210を共振ミラー206の両端に設けることで、汚染物質を化学的に分解する技術が開示されている(例えば、特許文献3参照。)。
しかしながら、前記従来の構成では、出力レーザ光の光路上に光触媒効果を有する機能膜を設けているため、この機能膜自体により出力ロスが生じるという課題を有していた。 However, in the conventional configuration, since a functional film having a photocatalytic effect is provided on the optical path of the output laser light, there is a problem that output loss occurs due to the functional film itself.
本発明は、前記課題を解決するものであり、レーザ光源を有する密閉された筐体内部で発生する汚染物質を低減して出力ロスの少ないレーザ光源装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a laser light source device with reduced output loss by reducing contaminants generated inside a sealed housing having a laser light source.
前記従来の課題を解決するために、本発明のレーザ光源装置は、第一の波長のレーザ光を放出するためのレーザ光源モジュールと、前記レーザ光源モジュールの出射光路上に配置され前記第一の波長のレーザ光を第二の波長のレーザ光に変換するための分極反転型デバイスモジュールと、前記分極反転型デバイスモジュールに配置された光触媒材料からなる汚染物質分解素子と、前記分極反転型デバイスモジュールの出射光路上に配置された前記第二の波長のレーザ光を透過し前記第一の波長のレーザ光を反射するための波長選択素子と、前記波長選択素子とからの反射光を受けて前記染物質分解素子に前記第一の波長のレーザ光を反射するように設けられた反射ミラーとを備えたを特徴としたものである。 In order to solve the above-described conventional problems, a laser light source device of the present invention includes a laser light source module for emitting laser light having a first wavelength, and the first light source device disposed on an emission optical path of the laser light source module. A domain-inverted device module for converting a laser beam having a wavelength into a laser beam having a second wavelength, a pollutant decomposing element made of a photocatalytic material disposed in the domain-inverted device module, and the domain-inverted device module A wavelength selecting element for transmitting the laser light of the second wavelength and reflecting the laser light of the first wavelength disposed on the emission optical path, and receiving the reflected light from the wavelength selecting element, The dyeing substance decomposing element includes a reflection mirror provided to reflect the laser beam having the first wavelength.
本発明のレーザ装置によれば、出力光の光路上に光触媒効果を有する機能膜を設けず、別の光路上に光触媒材料を設けてレーザ装置内で発生する汚染物質を防止するので、出力ロスの少ないレーザ光源装置を実現できる。 According to the laser device of the present invention, no functional film having a photocatalytic effect is provided on the optical path of output light, and a photocatalyst material is provided on another optical path to prevent contaminants generated in the laser device. Can be realized.
以下に、本発明のレーザ光源装置の実施の形態を図面とともに詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1は、本実施例のレーザ光源装置は、レーザダイオード1と、ファイバーレーザ部2と、コリメートレンズ3と集光レンズ4と、周期的な分極反転領域が形成された分極反転型デバイス5を有する分極反転型デバイスモジュール6と、波長選択フィルタ7と、全反射ミラー8と、光触媒材料からなる汚染物質分解素子9で構成されている。
レーザダイオード1から励起された波長の励起光(ここでは、915nm)がファイバーレーザ部2に入射され、ファイバーレーザ部2で1000nmおよび1100nmの間の波長の光(ここでは、1064nm)である第一の波長の光が生成される。具体的な発生原理について説明する。ファイバーレーザ部2としては、Yb添加ダブルクラッドファイバー10の両端に第1および第2のブラッグ回折格子11、12がライディングされることでファブリーペロー共振器が形成されている。ここでレーザダイオード1からの915nmの波長の励起光は、Yb添加ダブルクラッドファイバー10内のYbイオンによって励起され、1064nmで第一の波長の光が生成される。なお、本実施例ではファイバーレーザ方式を用いて、波長1064nmの第一の波長の励起光の発振を行っているが、同様の構成でブラッグ回折格子の特性を変化させることにより、他の波長の励起光の発振をさせたり、YAGレーザや半導体レーザといった他のレーザ媒体を用いても良い。
Embodiments of the laser light source device of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 shows a laser light source device of this embodiment comprising a
Excitation light having a wavelength pumped from the laser diode 1 (here, 915 nm) is incident on the
ファイバーレーザ部2から出射された1064nmのレーザ光はコリメートレンズ3によって平行光にされ、集光レンズ4によって分極反転型デバイス5の端面を通り分極反転領域内に集光される。分極反転領域を伝播して、1064nmのレーザ光の成分が高調波(ここでは、第二の波長である532nmの波長の光)に変換され、この第二の波長の光および変換されなかった第一の波長の光が分極反転型デバイス5の出射端面より出射される。その後、変換されなかった第一の波長の光は波長選択フィルタ7によって取り除かれ、第二の波長の光である二次高調波のみが外部へと出射される。従来は、この変換されなかった第一の波長の光はその後不要光として赤外吸収ブロック等で処理されていた。本実施例では、この変換されなかった第一の波長の光は全反射ミラー8によって分極反転型デバイスモジュール6内に構成された光触媒材料からなる汚染物質分解素子9に照射される構成をしている。この光触媒材料からなる汚染物質分解素子9の詳細については図2を使って説明をする。
The 1064 nm laser light emitted from the
図2は分極反転型デバイスモジュール6の模式図を示した図である。分極反転型デバイス5としては、例えばMgO添加LiNbO3などの強誘電体基板の表面に櫛形電極、裏面には平面電極を形成し、電極に電圧を印加することで周期状の分極反転領域を形成している。分極反転型デバイス5は、ベースプレート13に上面に導電性銀ペースト14で固着され、ベースプレート13下面には電子的に温度を可変することのできる温度可変手段15(ここでは、ペルチェ素子)が熱伝導接着シート16で固着され、そのペルチェ素子15の反対面には廃熱用のフィン17と熱伝導接着シート18で固着されている。また、ベースプレート13下面のペルチェ素子15が固着されていない領域に光触媒材料からなる汚染物質分解素子9が構成されている。
FIG. 2 is a diagram showing a schematic diagram of the polarization inversion
ここで、本実施例のレーザ光源装置を高温状況下で使用した場合には、導電性銀ペースト14に使用されている希釈液や熱伝導接着シートの接着層に使われている接着剤等から炭化水素等のアウトガスが発生してしまい、分極反転型デバイス5等の光学素子に固着してしまう恐れがある。特に、分極反転型デバイス5の端面にアウトガスの固着が起きてしまうと極端に出力低下が起きてしまうために、本実施例ではこの分極反転型デバイス5の近傍に配置している。そして、図1、及び図2に示すように分極反転型デバイス5で変換されなかった第一の波長の光を全反射ミラー8によって光触媒材料からなる汚染物質分解素子9に照射させ、その第一の波長の光の活性化によって、光触媒材料は光触媒効果を示す。この光触媒材料からなる汚染物質分解素子9は、揮発性有機化合物などの汚染物質の酸化分解を促進するものを言い、一般的に光触媒材料としては、Ti(チタン)、Zn(亜鉛)、Fe(鉄)、W(タングステン)などの金属酸化膜が使用されている。本実施例では、第一の波長(1064nm)で触媒活性効果を示すPd/TiO2、もしくはPd/RuO2/TiO2を使用している。
Here, when the laser light source device of the present embodiment is used under a high temperature condition, from the diluted solution used for the
ここで、分極反転型デバイスモジュール6は、例えば図3に示す工程で製造することができる。図3(a)に示すようにベースプレート13下面に金属マスクを使ったスパッタ成膜によって光触媒材料からなる汚染物質分解素子9を形成する。そして、光触媒材料からなる汚染物質分解素子が形成されていない領域に熱伝導性接着シートを貼り、その上に図3(b)に示すようにペルチェ素子16を配置させる。次に図3(c)のようにペルチェ素子16の反対面に熱伝導接着シート18を貼り、廃熱用のフィン17を取り付ける。そして、図3(d)のようにベースプレート13の上面に導電性銀ペースト14を塗り、分極反転型デバイス5をその上に配置し、分極反転型モジュールが完成する。
Here, the polarization inversion
図4は、レーザ光源装置の高温通電耐久試験の結果で、試験条件としては、LD入力電流8.5A、環境温度50度、ペルチェ設定温度30度、試験時間100時間で行った。ここで、図4(a)は、図1に示す本発明の構成を有するレーザ光源の出力特性、図4(b)は、従来のレーザ光源装置の出力特性である。横軸は時間、縦軸は時間t=0の第二の波長(532nm)の光出力で規格化した数値を示す。上記2種類のレーザ光源装置においては、光触媒モジュールを除いては同様の構成を有している。図4(a)および(b)から、筐体内に光触媒モジュールを配置したことで、出力の低下が発生していないことがわかる。図4(b)の出力低下の原因として、レーザ光源装置の不良解析をした結果、分極反転型デバイスの端面に炭化水素の固着物が析出された。この結果からも、光触媒モジュールを用いることで、筐体内で発生する汚染物質量が減少したことが分かる。 FIG. 4 shows the results of a high-temperature energization endurance test of the laser light source device. The test conditions were an LD input current of 8.5 A, an environmental temperature of 50 degrees, a Peltier set temperature of 30 degrees, and a test time of 100 hours. 4A shows the output characteristics of the laser light source having the configuration of the present invention shown in FIG. 1, and FIG. 4B shows the output characteristics of the conventional laser light source apparatus. The horizontal axis represents time, and the vertical axis represents a numerical value normalized by the optical output of the second wavelength (532 nm) at time t = 0. The two types of laser light source devices have the same configuration except for the photocatalytic module. 4 (a) and 4 (b), it can be seen that the output is not reduced by arranging the photocatalyst module in the housing. As a cause of the decrease in the output in FIG. 4B, as a result of the failure analysis of the laser light source device, a fixed hydrocarbon was deposited on the end face of the domain-inverted device. This result also shows that the amount of pollutants generated in the housing is reduced by using the photocatalyst module.
このように、変化されずに不要光となった第一の波長の光の出射先に光触媒を配置することで、光触媒を活性化して、レーザ光源内の汚染物質を分解することができる。汚染物質がこのように揮発性有機化合物である場合には、光触媒等に接触することで効率よく酸化分解され、水蒸気と二酸化炭素に転嫁することになる。これらは少量ではレーザ光源装置にとっては無害であり、光触媒自体は消耗せず、性能低下をきたさないという利点もある。従って、使用する部品・部材にある程度の汚染を許容することが可能となり、製造コストを低減できる。また、部品・部材の洗浄度を厳しく管理するのであれば、レーザ装置の寿命を増大することができる。このように本発明を用いることにより、本来不必要であった第一の波長の光を使用し、光触媒を活性化することにより、レーザ装置内の汚染物質を除去することができる。また、レーザ光源が今後更なる高出力になった際にも、不要光を用い、出力光である変換された第二の波長とは別光路上に構成されているので、高エネルギーによる劣化等の心配はなく、光触媒材料からなる汚染物質分解素子に照射させるための光学系を最適化すれば良く、直接出力光に影響は与えない。 In this way, by disposing the photocatalyst at the emission destination of the light having the first wavelength that has become unnecessary light without being changed, the photocatalyst can be activated and the contaminants in the laser light source can be decomposed. When the pollutant is thus a volatile organic compound, it is efficiently oxidized and decomposed by contact with a photocatalyst and the like, and is transferred to water vapor and carbon dioxide. These are harmless to the laser light source device in a small amount, and there is an advantage that the photocatalyst itself is not consumed and the performance is not deteriorated. Therefore, it is possible to allow a certain amount of contamination to the parts and members to be used, and the manufacturing cost can be reduced. Further, if the cleaning degree of parts / members is strictly controlled, the life of the laser device can be increased. By using the present invention in this way, contaminants in the laser device can be removed by using light of the first wavelength that was originally unnecessary and activating the photocatalyst. In addition, even when the laser light source becomes even higher in the future, it is configured on a separate optical path from the converted second wavelength that is the output light using unnecessary light. The optical system for irradiating the pollutant decomposing element made of the photocatalytic material may be optimized, and the output light is not directly affected.
(実施の形態2)
本発明の他の実施例について図5を用いて説明する。図5に本実施例におけるレーザ光源装置を示す。本実施例におけるレーザ光源装置は、全反射ミラー8と光触媒材料からなる汚染物質分解素子9の光路の間に波長変換素子19を配置し、分極反転型デバイス5で変換されなかった第一の波長の光を全反射ミラー8と波長変換素子19によって、第一の波長より短い波長の光に変換し、その変換された光を分極反転型デバイスモジュール6内に構成した光触媒材料からなる汚染物質分解素子9に照射する構成をしている。その他の構成は実施の形態1と同様であるので詳細な説明は省略する。
(Embodiment 2)
Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows a laser light source device in this embodiment. In the laser light source device of the present embodiment, the
波長変換素子19としては、本実施例ではアップコンバージョン蛍光ガラスで構成している。アップコンバージョン蛍光ガラスは、1064nmの波長の光より波長の短い光(ここでは、550nmと660nmの光)を発生するものでYb3+−Er3+系の材料から構成している。本実施例では、アップコンバージョン蛍光ガラスを用いて波長変換させているが、その他の手法で行っても問題ない。
In this embodiment, the
本実施例では、前記光触媒材料からなる汚染物質分解素子9の通常環境下での使用において、酸、アルカリ、水、有機溶剤に溶解せず、フッ化水素、塩素、硫化水素など反応性の強いガスとも反応しない、きわめて安定な物質であるTiO2を使用している。また、TiO2は、光触媒として耐久性、耐摩耗性に優れており、経済性、安全性、実用性などで他の光触媒材料に比べて多くの利点を有している。
In this embodiment, when the
本実施例では、波長変換素子19によって、550nm、および660nmの波長の光に変換しているが、光触媒材料が最も効率的に活性化させるためには一般的に紫外光に変換することが望ましい。例えば、光触媒であるTiO2を活性化させるためには、TiO2にバンドギャップ以上のエネルギーを持つ光を照射する必要があるためである。TiO2には、ルチル型、アナターゼ型、ブルッカイト型の3種類の結晶構造がある。これらのバンドギャップの値はルチル型で3.0eV、アナターゼ型とブルッカイト型で3.2eVであるため、それ以上のエネルギーを持った光が必要となる。ここで、アナターゼ型とブルッカイト型のバンドギャップエネルギーを波長に換算すると388nm以下、ルチル型では413nm以下の短波長の光となる。光触媒としては、アナターゼ型のほうがルチル型より高い光触媒活性を示すことが知られており、より効果的に汚染物質を除去するためにはアナターゼ型を使用することが好ましい。このように、熱触媒材料を最も効率的に活性化させるためには、波長変換素子19によって、紫外光の波長の光に変換することがより望ましい。
In this embodiment, the light is converted into light having a wavelength of 550 nm and 660 nm by the
本実施例のようなレーザ光源装置は、本来不必要であった第一の波長の光を利用し、光触媒を活性化することによって、レーザ光源装置内の汚染物質を除去することができる。また、出力光である変換された第二の波長とは別光路上に光触媒モジュールを構成しているので、出力光の劣化も起こらない。
(実施の形態3)
本発明の他の実施例について図6を用いて説明する。図6に本実施例におけるレーザ光源装置を示す。本実施例におけるレーザ光源装置は、波長選択フィルタ7と光触媒材料からなる汚染物質分解素子9の光路の間に砲弾型のリフレクター20を配置し、分極反転型デバイス5で変換されずに不要光となった第一の波長の光をこのリフレクター20によって、分極反転型デバイスモジュール6内に構成した光触媒材料からなる汚染物質分解素子9全面に照射する構成をしている。ここで、砲弾型のリフレクター20を用いたが、光触媒材料からなる汚染物質分解素子9に反射光を効率的に照射するできる機能を持つであれば、砲弾型のリフレクター以外のものでも良い。
The laser light source device as in this embodiment can remove contaminants in the laser light source device by using light of the first wavelength that was originally unnecessary and activating the photocatalyst. Moreover, since the photocatalyst module is configured on a different optical path from the converted second wavelength that is the output light, the output light does not deteriorate.
(Embodiment 3)
Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows a laser light source device in this embodiment. In the laser light source apparatus in this embodiment, a bullet-
本発明にかかるレーザ装置は、装置内で発生する汚染物質による出力低下を効果的に防止することができ、安定な信頼性で使用可能とする技術として有用である。また本発明にかかるレーザ光源装置は、安定した出力を必要とするレーザ光源に広く適用できる。 The laser apparatus according to the present invention can effectively prevent a decrease in output due to contaminants generated in the apparatus, and is useful as a technique that can be used with stable reliability. The laser light source device according to the present invention can be widely applied to laser light sources that require stable output.
1、102、202 レーザダイオード
2 ファイバーレーザ部
3 コリメートレンズ
4、203 集光レンズ
5 分極反転型デバイス
6 分極反転型デバイスモジュール
7 波長選択フィルタ
8 全反射ミラー
9 光触媒材料からなる汚染物質分解素子
10、103 Yb添加ダブルクラッドファイバー
11、12、104、105 ブラッグ回折格子
13 ベースプレート
14 導電性銀ペースト
16、18 熱伝導接着シート
15 温度可変手段
17 廃熱用のフィン
19 波長変換素子
20 リフレクター
100 ファイバーレーザ部
101 SHG波長変換部
108、207 SHG波長変換素子
109 ダイクロイックミラー
110、208 光出射窓
111 IRブロック
112、209 密閉筐体
200 レーザダイオード部
201 共振器部
204 YAG結晶
205、206 共振器ミラー
210 機能膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,102,202
Claims (9)
前記レーザ光源モジュールの出射光路上に配置され前記第一の波長のレーザ光を第二の波長のレーザ光に変換するための分極反転型デバイスモジュールと、
前記分極反転型デバイスモジュールに配置された光触媒材料からなる汚染物質分解素子と、
前記分極反転型デバイスモジュールの出射光路上に配置された前記第二の波長のレーザ光を透過し前記第一の波長のレーザ光を反射するための波長選択素子と、
前記波長選択素子とからの反射光を受けて前記染物質分解素子に前記第一の波長のレーザ光を反射するように設けられた反射ミラーとを備えたレーザ光源装置。 A laser light source module for emitting laser light of a first wavelength;
A polarization inversion type device module disposed on an output optical path of the laser light source module for converting the laser light of the first wavelength into laser light of the second wavelength;
A pollutant decomposing element comprising a photocatalytic material disposed in the domain-inverted device module;
A wavelength selection element configured to transmit the laser light of the second wavelength and reflect the laser light of the first wavelength, which is disposed on the output optical path of the polarization inverting device module;
A laser light source device comprising: a reflection mirror provided to receive reflected light from the wavelength selection element and to reflect the laser light of the first wavelength to the dye material decomposition element.
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