JP2009158645A - Laser module - Google Patents

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由朗 滝口
Ko Naganuma
香 長沼
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser module capable of relaxing a stress when being implemented even if an intermediate body is not interposed between a laser array and a cooling body. <P>SOLUTION: The laser module 10 includes a laser array 11 comprising a plurality of light emitting parts 13 and a cooling body 12 comprising a laser mounting region where the laser array 11 is mounted. In the laser mounting region of the cooling body 12, a plurality of grooves 21 are provided side by side in the same direction as the plurality of light emitting parts 13. A composite material 22, whose linear expansion coefficient is lower than the component material of the cooling body 12, is embedded in each of the grooves 21. The laser array 11 is positioned above the grooves 21 in which the composite materials 22 are embedded, being implemented on the cooling body 12. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、光源として用いられるレーザモジュールに関する。   The present invention relates to a laser module used as a light source.

高出力の半導体レーザは、高出力、高密度、波長が非常に鋭いピークを持つ事、小型といった特徴から、高効率な固体レーザの励起用光源などの産業用途として使用されている。また、更なる高出力、高集積化を実現するために、レーザダイオード等の半導体レーザ素子を１つのチップにアレイ状に並べた形態のレーザアレイも一般化している。しかし、レーザアレイは、例えば１０ｍｍ×１〜２ｍｍのチップサイズに対して出力と同程度の数十Ｗの熱を発生する。半導体レーザ素子の動作性能や寿命は駆動温度に依存するため，効率的な放熱構造が望まれている。このため、レーザアレイは、当該レーザアレイを冷却体の上に実装したレーザモジュールの形態で用いられている。   High-power semiconductor lasers are used in industrial applications such as high-efficiency solid-state laser excitation light sources because of their high output, high density, extremely sharp peaks in wavelength, and small size. Further, in order to realize further higher output and higher integration, a laser array having a configuration in which semiconductor laser elements such as laser diodes are arranged in an array on one chip is also generalized. However, the laser array generates several tens of watts of heat that is about the same as the output for a chip size of 10 mm × 1 to 2 mm, for example. Since the operating performance and life of semiconductor laser elements depend on the driving temperature, an efficient heat dissipation structure is desired. For this reason, the laser array is used in the form of a laser module in which the laser array is mounted on a cooling body.

図１１はレーザアレイを用いた従来のレーザモジュールの構成を示す正面図である。レーザモジュール５０は、大きくは、レーザアレイ５１、中間体５２及び冷却体５３によって構成されている。レーザアレイ５１は第１のはんだ層５４を用いて中間体５２の上面に接合されている。中間体５２は第２のはんだ層５５を用いて冷却体５３の上面に接合されている。   FIG. 11 is a front view showing a configuration of a conventional laser module using a laser array. The laser module 50 mainly includes a laser array 51, an intermediate body 52, and a cooling body 53. The laser array 51 is bonded to the upper surface of the intermediate body 52 using the first solder layer 54. The intermediate body 52 is bonded to the upper surface of the cooling body 53 using the second solder layer 55.

レーザアレイ５１は、同一の半導体基板上に複数の半導体レーザ素子を一体に形成したもので、細長い棒状に形成されている。レーザアレイ５１の前端面には複数の半導体レーザ素子と１：１の関係で複数の発光部５６が設けられている。中間体５２は、応力緩和を目的として設けられたもので、平板状に形成されている。冷却体５３は、レーザアレイ５１で発生した熱を効率良く逃がすためのもので、四角柱のブロック形状に形成されている。この種のレーザモジュール５０としては、例えば特許文献１に開示されたものが公知となっている。   The laser array 51 is formed by integrally forming a plurality of semiconductor laser elements on the same semiconductor substrate, and is formed in an elongated rod shape. A plurality of light emitting portions 56 are provided on the front end surface of the laser array 51 in a 1: 1 relationship with a plurality of semiconductor laser elements. The intermediate body 52 is provided for the purpose of stress relaxation and is formed in a flat plate shape. The cooling body 53 is for efficiently releasing the heat generated in the laser array 51, and is formed in a quadrangular prism block shape. As this type of laser module 50, for example, the one disclosed in Patent Document 1 is known.

複数の半導体レーザ素子を有するレーザアレイ５１は、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）に代表される化合物半導体基板を用いて作製されるのに対して、冷却体５３は、熱伝導性が高く、比較安価に入手可能なＣｕ（銅）などの金属材料を用いて作製される。ＧａＡｓの線膨張係数は６．５ｐｐｍ／Ｋであるが、銅の線膨張係数はＧａＡｓの２．５倍強に相当する１６．５ｐｐｍ／Ｋである。このため、レーザアレイ５１と冷却体５３の線膨張係数差による応力を緩和するために、中間体５２は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＣｕＷ（銅タングステン）、ダイヤモンドなどの材料を用いて作製されている。   The laser array 51 having a plurality of semiconductor laser elements is manufactured using a compound semiconductor substrate typified by GaAs (gallium arsenide), whereas the cooling body 53 has high thermal conductivity and is available at a comparatively low price. It is made using a possible metal material such as Cu (copper). The linear expansion coefficient of GaAs is 6.5 ppm / K, while the linear expansion coefficient of copper is 16.5 ppm / K corresponding to 2.5 times that of GaAs. For this reason, in order to relieve the stress due to the difference in linear expansion coefficient between the laser array 51 and the cooling body 53, the intermediate body 52 is made of a material such as AlN (aluminum nitride), SiC (silicon carbide), CuW (copper tungsten), diamond or the like. It is made using.

特開２００６−３３９５１１号公報（第１図）JP 2006-339511 A (FIG. 1)

上記従来のモジュール構造においては、レーザアレイ５１から冷却体５３への排熱効率を考えると、中間体５２の厚み寸法が小さいほど好ましく、究極的には中間体５２を間に介在させずに、レーザアレイ５１を冷却体５３にダイレクトに実装することが望ましい。   In the conventional module structure, considering the heat exhaust efficiency from the laser array 51 to the cooling body 53, the thickness of the intermediate body 52 is preferably as small as possible. Ultimately, the intermediate body 52 is not interposed, and the laser is not interposed. It is desirable to mount the array 51 directly on the cooling body 53.

しかしながら、前述したようにレーザアレイ５１と冷却体５３の線膨張係数を比較すると、両者の乖離が大きく、単純にレーザアレイ５１を冷却体５３の上面にはんだ接合した場合は、実装時（はんだ接合時）に生じる応力によって、レーザアレイ５１の破損やはんだ接合界面の剥離といった問題を招く恐れがある。このため、多くのレーザモジュール５０では、モジュール構成部材の一つとして中間体５２を必要としており、それと同時に中間体５２の介在による熱抵抗の増大が問題視されている。   However, when the linear expansion coefficients of the laser array 51 and the cooling body 53 are compared as described above, the difference between the two is large, and when the laser array 51 is simply solder-bonded to the upper surface of the cooling body 53, mounting (solder bonding) May cause problems such as breakage of the laser array 51 and peeling of the solder joint interface. For this reason, in many laser modules 50, the intermediate body 52 is required as one of the module components, and at the same time, an increase in thermal resistance due to the intermediate body 52 is regarded as a problem.

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、レーザアレイと冷却体の間に中間体を介在させなくても、実装時の応力を緩和することができるレーザモジュールを提供することにある。   The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the object of the present invention is to relieve stress during mounting without interposing an intermediate between the laser array and the cooling body. It is to provide a laser module.

本発明に係るレーザモジュールは、
複数の発光部を有するレーザアレイと、
前記レーザアレイが実装されるレーザ実装領域を有する冷却体とを備え、
前記冷却体のレーザ実装領域には、複数の溝部が前記複数の発光部と同じ方向に並んで設けられるとともに、前記各々の溝部には、前記冷却体の構成材料よりも線膨張係数が小さい材料が埋め込まれ、
前記レーザアレイは、前記複数の溝部上に位置して前記冷却体に実装されている
ことを特徴とするものである。 The laser module according to the present invention includes:
A laser array having a plurality of light emitting portions;
A cooling body having a laser mounting area on which the laser array is mounted,
In the laser mounting region of the cooling body, a plurality of groove portions are provided side by side in the same direction as the plurality of light emitting portions, and each groove portion has a material having a smaller linear expansion coefficient than the constituent material of the cooling body Is embedded,
The laser array is located on the plurality of grooves and mounted on the cooling body.

本発明に係るレーザモジュールにおいては、冷却体のレーザ実装領域に複数の溝部を設けるとともに、各々の溝部に冷却体の構成材料よりも線膨張係数が小さい材料を埋め込むことにより、レーザ実装領域の実効的な線膨張係数が小さくなる。このため、複数の溝部上に位置してレーザアレイを冷却体に実装することで、実装時の応力緩和が図られる。   In the laser module according to the present invention, a plurality of groove portions are provided in the laser mounting region of the cooling body, and a material having a smaller linear expansion coefficient than that of the constituent material of the cooling body is embedded in each groove portion. The linear expansion coefficient becomes smaller. For this reason, the stress relaxation at the time of mounting is achieved by mounting the laser array on the cooling body located on the plurality of grooves.

本発明のレーザモジュールによれば、冷却体のレーザ実装領域に複数の溝部を設けるとともに、各々の溝部に冷却体の構成材料よりも線膨張係数が小さい材料を埋め込むことにより、レーザ実装領域の実効的な線膨張係数を小さくすることができる。したがって、レーザアレイと冷却体の間に中間体を介在させなくても、実装時の応力を緩和することができる。その結果、中間体を介在させる場合に比較して、レーザアレイと冷却体との間の熱抵抗を大幅に下げることができる。このため、排熱効率に優れたレーザモジュールを実現することが可能となる。   According to the laser module of the present invention, a plurality of grooves are provided in the laser mounting region of the cooling body, and a material having a smaller linear expansion coefficient than that of the constituent material of the cooling body is embedded in each of the groove portions. The effective linear expansion coefficient can be reduced. Therefore, the stress at the time of mounting can be relieved without interposing an intermediate body between the laser array and the cooling body. As a result, the thermal resistance between the laser array and the cooling body can be greatly reduced as compared with the case where an intermediate is interposed. For this reason, it becomes possible to implement | achieve the laser module excellent in exhaust heat efficiency.

以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、本発明の技術的範囲は以下に記述する実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。   Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the technical scope of the present invention is not limited to the embodiments described below, and various modifications and improvements have been made within the scope of deriving specific effects obtained by the constituent requirements of the invention and combinations thereof. Also includes form.

図１は本発明の実施形態に係るレーザモジュールの構成を示す平面図であり、図２は当該レーザモジュールの構成を示す正面図である。また、図３は図１のＡ−Ａ矢視断面図であり、図４は図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。図示したレーザモジュール１０は、大きくは、レーザアレイ１１と、冷却体１２とを備えた構成となっている。一般に冷却体１２はヒートシンクと呼ばれている。   FIG. 1 is a plan view showing the configuration of a laser module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a front view showing the configuration of the laser module. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. The illustrated laser module 10 is largely configured to include a laser array 11 and a cooling body 12. Generally, the cooling body 12 is called a heat sink.

本明細書においては、レーザモジュール１０の構成上、レーザアレイ１１の長手方向に平行な方向をＸ軸方向、レーザアレイ１１の短手方向に平行な方向をＹ軸方向、レーザアレイ１１の厚み方向に平行な方向をＺ軸方向と定義する。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向は、互いに直交する３軸方向となる。ここで定義したＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の直交３軸方向は、レーザモジュール１０全体にわたって各部の構造や位置関係を特定するために随時用いる。また、Ｘ軸方向は、その向きによってＸ方向と−Ｘ方向に区分する。同様に、Ｙ軸方向はＹ方向と−Ｙ方向に区分し、Ｚ軸方向はＺ方向と−Ｚ方向に区分する。   In this specification, due to the configuration of the laser module 10, the direction parallel to the longitudinal direction of the laser array 11 is the X-axis direction, the direction parallel to the short direction of the laser array 11 is the Y-axis direction, and the thickness direction of the laser array 11. The direction parallel to is defined as the Z-axis direction. The X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction are triaxial directions that are orthogonal to each other. The orthogonal three-axis directions of the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction defined here are used as needed to specify the structure and positional relationship of each part throughout the laser module 10. The X-axis direction is divided into an X direction and a −X direction depending on the direction. Similarly, the Y-axis direction is divided into a Y direction and a −Y direction, and the Z-axis direction is divided into a Z direction and a −Z direction.

レーザアレイ１１は、例えばＧａＡｓなどの化合物半導体材料を用いて構成されるもので、全体に棒状のチップ形状に形成される。レーザアレイ１１のＸ軸方向の寸法（長手寸法）は、例えば１０ｍｍに設定され、レーザアレイ１１のＹ軸方向の寸法（短手寸法）は、例えば約２ｍｍに設定される。レーザアレイ１１は、一次元に並ぶ複数の半導体レーザ素子（不図示）を一体に有するものである。複数の半導体レーザ素子は、レーザアレイ１１の長手方向となるＸ軸方向に一定のピッチで並んでいる。このため、半導体レーザ素子の配列方向（並び方向）には、複数の半導体レーザ素子と同じピッチで複数の発光部（レーザ光の出射部）１３がＸ軸方向に並んだ構造となっている。   The laser array 11 is configured by using a compound semiconductor material such as GaAs, for example, and is formed in a rod-like chip shape as a whole. The dimension (longitudinal dimension) of the laser array 11 in the X-axis direction is set to, for example, 10 mm, and the dimension (short dimension) of the laser array 11 in the Y-axis direction is set to, for example, about 2 mm. The laser array 11 integrally has a plurality of semiconductor laser elements (not shown) arranged in a one-dimensional manner. The plurality of semiconductor laser elements are arranged at a constant pitch in the X-axis direction that is the longitudinal direction of the laser array 11. Therefore, in the arrangement direction (alignment direction) of the semiconductor laser elements, a plurality of light emitting portions (laser light emitting portions) 13 are arranged in the X-axis direction at the same pitch as the plurality of semiconductor laser elements.

各々の発光部１３は、Ｙ軸方向の一方の端面（以下、「前端面」と記す）１４に横一列に並んで配列されている。このため、レーザアレイ１１を駆動した場合は、Ｘ軸方向に並ぶ各々の発光部１３からＹ方向に向けてレーザ光が出射されることになる。レーザアレイ１１を構成する各々の半導体レーザ素子は、素子内部にレーザ共振器を有するもので、その共振器長方向はＹ軸方向に一致している。   Each light emitting unit 13 is arranged in a horizontal row on one end face (hereinafter referred to as “front end face”) 14 in the Y-axis direction. For this reason, when the laser array 11 is driven, laser light is emitted in the Y direction from the light emitting units 13 arranged in the X-axis direction. Each semiconductor laser element constituting the laser array 11 has a laser resonator inside the element, and the resonator length direction coincides with the Y-axis direction.

レーザアレイ１１の上面には複数の半導体レーザ素子と１：１の関係で複数の電極１５が設けられており、それと反対側（裏側）となるレーザアレイ１１の下面にも複数の半導体レーザ素子と１：１の関係で複数の電極１６が設けられている。電極１５及び電極１６のうち、電極１５はｎ（負極）側の電極であり、電極１６はｐ（正極）側の電極である。その場合、ｎ側の電極１５は、半導体基板側から順に、例えば金（Ａｕ）層、金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）の合金層及び金（Ａｕ）層を積層して形成され、ｐ側の電極１６は、半導体基板側から順に、例えばチタン（Ｔｉ）層、白金（Ｐｔ）層及び金（Ａｕ）層を積層して形成される。レーザアレイ１１は、ｐ側の電極１６が冷却体１２に対向する向きで実装されている。また、上述した複数の発光部１３は、Ｚ軸方向でｐ側の電極１６寄り（近傍）に設けられている。   A plurality of electrodes 15 are provided in a 1: 1 relationship with a plurality of semiconductor laser elements on the upper surface of the laser array 11, and a plurality of semiconductor laser elements are also disposed on the lower surface of the laser array 11 on the opposite side (back side). A plurality of electrodes 16 are provided in a 1: 1 relationship. Of the electrodes 15 and 16, the electrode 15 is an n (negative electrode) side electrode, and the electrode 16 is a p (positive electrode) side electrode. In that case, the n-side electrode 15 is formed, for example, by laminating a gold (Au) layer, an alloy layer of gold (Au) and germanium (Ge), and a gold (Au) layer in this order from the semiconductor substrate side. The electrode 16 is formed by laminating, for example, a titanium (Ti) layer, a platinum (Pt) layer, and a gold (Au) layer in this order from the semiconductor substrate side. The laser array 11 is mounted such that the p-side electrode 16 faces the cooling body 12. The plurality of light emitting units 13 described above are provided near (near) the p-side electrode 16 in the Z-axis direction.

Ｘ軸方向において、レーザアレイ１１を構成する複数の半導体レーザ素子の配列ピッチと、当該複数の半導体レーザ素子に対応する複数の発光部１３、複数の電極１５及び複数の電極１６の各配列ピッチは、互いに同じピッチに設定されている。このため、例えば、レーザアレイ１１の長手方向（Ｘ軸方向）に４００μｍのピッチで複数の半導体レーザ素子が並ぶものと仮定すると、これと同じピッチで複数の発光部１３、複数の電極１５及び複数の電極１６がレーザアレイ１１の長手方向に並ぶことになる。これら半導体レーザ素子の発光部１３、電極１５及び電極１６の各中心位置は、Ｘ軸方向で同じ位置となるように設定されている。   In the X-axis direction, the arrangement pitch of the plurality of semiconductor laser elements constituting the laser array 11 and the arrangement pitch of the plurality of light emitting units 13, the plurality of electrodes 15 and the plurality of electrodes 16 corresponding to the plurality of semiconductor laser elements are as follows: Are set to the same pitch. Therefore, for example, assuming that a plurality of semiconductor laser elements are arranged at a pitch of 400 μm in the longitudinal direction (X-axis direction) of the laser array 11, a plurality of light emitting units 13, a plurality of electrodes 15, and a plurality of semiconductor laser elements are arranged at the same pitch. The electrodes 16 are arranged in the longitudinal direction of the laser array 11. The center positions of the light emitting part 13, the electrode 15 and the electrode 16 of these semiconductor laser elements are set to be the same position in the X-axis direction.

レーザアレイ１１は冷却体１２の上面１８に実装されている。レーザアレイ１１は、はんだ層１７によって冷却体１２に接合されている。はんだ層１７は、レーザアレイ１１を冷却体１２にはんだ接合するにあたって、はんだ材料を所定の温度（接合温度）に加熱して溶融した後、温度降下によって固化することにより形成されるものである。はんだ層１７は、冷却体１２の上面１８内でレーザアレイ１１の長手方向の両端部と短手方向の一端部から、それぞれ外側（Ｘ方向、−Ｘ方向、−Ｙ方向）にはみ出す状態で形成されている。はんだ層１７は、レーザアレイ１１と冷却体１２の間の熱抵抗が小さくなるように、極力薄く形成することが望ましい。   The laser array 11 is mounted on the upper surface 18 of the cooling body 12. The laser array 11 is joined to the cooling body 12 by a solder layer 17. When soldering the laser array 11 to the cooling body 12, the solder layer 17 is formed by heating and melting a solder material to a predetermined temperature (joining temperature) and then solidifying by a temperature drop. The solder layer 17 is formed on the upper surface 18 of the cooling body 12 so as to protrude outward (X direction, −X direction, −Y direction) from both ends in the longitudinal direction of the laser array 11 and one end in the lateral direction. Has been. It is desirable to form the solder layer 17 as thin as possible so that the thermal resistance between the laser array 11 and the cooling body 12 is reduced.

冷却体１２は、熱的には高い熱伝導性を有し、電気的には高い導電性を有するものである。冷却体１２は、例えば銅などの金属材料を用いて構成されるもので、全体に四角柱のブロック形状に形成されている。冷却体１２は、レーザアレイ１１よりも外形寸法（体積）が大きく形成されている。すなわち、冷却体１２のＸ軸方向の寸法（幅寸法）は、レーザアレイ１１の長手寸法よりも大きく設定され、冷却体１２のＹ軸方向の寸法（奥行き寸法）は、レーザアレイ１１の短手寸法よりも大きく設定されている。また、冷却体１２のＺ軸方向の寸法（厚み寸法）は、レーザアレイ１１の厚み寸法よりも大きく設定されている。   The cooling body 12 has high thermal conductivity in terms of heat, and has high conductivity in terms of electricity. The cooling body 12 is configured using, for example, a metal material such as copper, and is formed in a square columnar block shape as a whole. The cooling body 12 is formed to have a larger outer dimension (volume) than the laser array 11. That is, the dimension (width dimension) of the cooling body 12 in the X-axis direction is set larger than the longitudinal dimension of the laser array 11, and the dimension (depth dimension) of the cooling body 12 in the Y-axis direction is short of the laser array 11. It is set larger than the dimension. Further, the dimension (thickness dimension) of the cooling body 12 in the Z-axis direction is set larger than the thickness dimension of the laser array 11.

冷却体１２の熱伝導性は、レーザアレイ１１で発生する熱を冷却体１２側に効率良く逃がして、レーザアレイ１１の駆動温度を所定温度以下に維持するために必要となる特性である。冷却体１２の導電性は、例えば冷却体１２を通してレーザアレイ１１に電流を供給する場合に、電気抵抗を低く抑えるために必要となる特性である。   The thermal conductivity of the cooling body 12 is a characteristic necessary for efficiently releasing the heat generated in the laser array 11 to the cooling body 12 side and maintaining the driving temperature of the laser array 11 below a predetermined temperature. The conductivity of the cooling body 12 is a characteristic that is necessary to keep the electrical resistance low when supplying current to the laser array 11 through the cooling body 12, for example.

冷却体１２の上面１８は、レーザアレイ１１が実装される面（以下、「レーザ実装面」と記す）となっており、冷却体１２の下面１９は、冷却体１２を含むレーザモジュール１０全体を図示しないベース部材に実装する際の基準平面（以下、「実装基準面」と記す）となっている。   The upper surface 18 of the cooling body 12 is a surface on which the laser array 11 is mounted (hereinafter referred to as “laser mounting surface”), and the lower surface 19 of the cooling body 12 is the entire laser module 10 including the cooling body 12. This is a reference plane for mounting on a base member (not shown) (hereinafter referred to as “mounting reference plane”).

冷却体１２のレーザ実装面１８内には、実際にレーザアレイ１１が実装される領域（以下、「レーザ実装領域」と記す）が存在する。レーザ実装領域は、レーザアレイ１１の外形寸法に対応して規定される領域である。例えば、レーザアレイ１１の長手寸法が“Ｌ１”、同短手寸法が“Ｌ２”であるとすると、レーザ実装領域は、冷却体１２のレーザ実装面１８内で“（Ｌ１＋α）×（Ｌ２＋β）”の大きさで規定されるものである。α及びβは、レーザアレイ１１の寸法公差や位置合わせの許容寸法などを見込んで設定される正の値である。   In the laser mounting surface 18 of the cooling body 12, there is an area where the laser array 11 is actually mounted (hereinafter referred to as “laser mounting area”). The laser mounting area is an area defined corresponding to the outer dimensions of the laser array 11. For example, if the longitudinal dimension of the laser array 11 is “L1” and the short dimension is “L2”, the laser mounting area is “(L1 + α) × (L2 + β)” within the laser mounting surface 18 of the cooling body 12. It is prescribed by the size of. α and β are positive values set in consideration of the dimensional tolerance of the laser array 11 and the allowable dimension for alignment.

レーザ実装領域は、レーザ実装面１８内でＹ方向端に寄せて設定されている。レーザ実装領域には複数の溝部２１が設けられ、これら複数の溝部２１上に位置してレーザアレイ１１が冷却体１２のレーザ実装面１８に実装されている。各々の溝部２１は、Ｙ軸方向から見て凹形状に形成されている。各々の溝部２１は、冷却体１２の構成材料（主材料）よりも線膨張係数が低い材料２２で埋め込まれている。具体的には、例えば冷却体１２を銅で構成した場合は、それよりも線膨張係数が低い材料２２で溝部２１を埋め込む。溝部２１を埋め込む材料２２は、冷却体１２の構成材料に比較して十分に線膨張係数が低い材料（例えば、線膨張係数が銅の１／２以下の材料）が好ましいものの、実際に溝部２１を埋め込むには、材料が固化（硬化）した状態で冷却体１２と一体構造をなすように、冷却体１２との高い接合性が要求される。   The laser mounting area is set close to the Y direction end within the laser mounting surface 18. A plurality of groove portions 21 are provided in the laser mounting area, and the laser array 11 is mounted on the laser mounting surface 18 of the cooling body 12 so as to be positioned on the plurality of groove portions 21. Each groove portion 21 is formed in a concave shape when viewed from the Y-axis direction. Each groove portion 21 is embedded with a material 22 having a lower linear expansion coefficient than the constituent material (main material) of the cooling body 12. Specifically, for example, when the cooling body 12 is made of copper, the groove portion 21 is embedded with a material 22 having a lower linear expansion coefficient. The material 22 for embedding the groove portion 21 is preferably a material having a sufficiently low linear expansion coefficient compared to the constituent material of the cooling body 12 (for example, a material having a linear expansion coefficient of ½ or less of copper). In order to embed the material, a high bondability with the cooling body 12 is required so as to form an integral structure with the cooling body 12 in a state where the material is solidified (cured).

このため、本発明の実施形態においては、冷却体１２の構成材料よりも線膨張係数が低い材料として、ＳｉＣの粒子状材料２３をＡｕＳｎ系のはんだ材料２４に混合してなる複合材料２２で溝部２１を埋め込んだ構造を採用している。ＡｕＳｎ系のはんだ材料は、冷却体１２の構成材料として用いられる銅との接合性が良好である。このため、ＡｕＳｎ系のはんだ材料２４にＳｉＣの粒子状材料２３を混合して得られる複合材料２２を用いて溝部２１を埋め込むことにより、溝部２１の埋め込み部分を冷却体１２と一体化させることができる。その場合、例えばＡｕＳｎ系のはんだ材料としてＡｕ２０Ｓｎを用いるものとすると、ＳｉＣの線膨張係数は３．７ｐｐｍ／Ｋであるのに対して、Ａｕ２０Ｓｎの線膨張係数は１６．２ｐｐｍ／Ｋとなる。このため、複合材料２２の組成として、相対的にＳｉＣの混合比率を高くすると、複合材料２２の線膨張係数が低くなり、ＳｉＣの混合比率を低くすると、複合材料２２の線膨張係数が高くなる。したがって、粒子状材料２３の混合比率をパラメータとして複合材料２２の線膨張係数を調整することが可能となる。   For this reason, in the embodiment of the present invention, as a material having a lower linear expansion coefficient than that of the constituent material of the cooling body 12, the groove portion is formed of the composite material 22 obtained by mixing the SiC particulate material 23 with the AuSn-based solder material 24. A structure in which 21 is embedded is adopted. The AuSn-based solder material has good bondability with copper used as a constituent material of the cooling body 12. For this reason, the embedded portion of the groove portion 21 can be integrated with the cooling body 12 by embedding the groove portion 21 using the composite material 22 obtained by mixing the SiC particulate material 23 with the AuSn-based solder material 24. it can. In this case, for example, when Au20Sn is used as the AuSn solder material, the linear expansion coefficient of SiC is 3.7 ppm / K, whereas the linear expansion coefficient of Au20Sn is 16.2 ppm / K. For this reason, as the composition of the composite material 22, when the mixing ratio of SiC is relatively high, the linear expansion coefficient of the composite material 22 decreases, and when the mixing ratio of SiC is low, the linear expansion coefficient of the composite material 22 increases. . Therefore, the linear expansion coefficient of the composite material 22 can be adjusted using the mixing ratio of the particulate material 23 as a parameter.

複数の溝部２１は、冷却体１２の素子実装面１８にＸ軸方向に並んだ状態で設けられている。また、各々の溝部２１は、Ｘ軸方向で発光部１３の直下を除いた部分に設けられている。このため、レーザアレイ１１の発光部１３の直下を除いた部分は、図３の断面図で分かるように、溝部２１を複合材料２２で埋め込んだ構造になっており、その上にレーザアレイ１１がはんだ層１７で接合されている。これに対して、レーザアレイ１１の発光部１３の直下部分は、図４の断面図で分かるように、冷却体１２の構成材料がそのまま存在する構造になっており、その上にレーザアレイ１１がはんだ層１７で接合されている。   The plurality of groove portions 21 are provided on the element mounting surface 18 of the cooling body 12 in a state of being aligned in the X-axis direction. In addition, each groove portion 21 is provided in a portion excluding the portion immediately below the light emitting portion 13 in the X-axis direction. Therefore, the portion of the laser array 11 except for the portion immediately below the light emitting portion 13 has a structure in which the groove portion 21 is embedded with the composite material 22 as can be seen in the cross-sectional view of FIG. Bonded by a solder layer 17. On the other hand, the portion immediately below the light emitting portion 13 of the laser array 11 has a structure in which the constituent material of the cooling body 12 is present as it is, as can be seen from the sectional view of FIG. Bonded by a solder layer 17.

溝部２１のＸ軸方向の寸法（溝幅）Ｗは、Ｘ軸方向で隣り合う発光部１３のピッチよりも小となる条件で、例えば、発光部１３の幅が６０μｍ，発光部１３のピッチが４００μｍのとき３００μｍに設定されており、溝部２１のＹ軸方向の寸法（奥行き寸法）Ｌは、レーザアレイ１１の短手寸法よりも大となる条件で、例えば、レーザアレイ１１の短手寸法が１ｍｍのとき１．５ｍｍに設定されている。また、溝部２１のＺ軸方向の寸法（溝深さ）Ｄは、例えば１００μｍに設定されており、Ｘ軸方向で隣り合う溝部２１のピッチ（溝ピッチ）Ｐは、上述した半導体レーザ素子の配列ピッチと同じピッチに設定されている。ただし、半導体レーザ素子の発光部１３の中心位置と溝部２１の中心位置は、Ｘ軸方向で０．５ピッチ分だけずれている。   The dimension (groove width) W in the X-axis direction of the groove portion 21 is, for example, a condition in which the width of the light-emitting portion 13 is 60 μm and the pitch of the light-emitting portions 13 is smaller than the pitch of the light-emitting portions 13 adjacent in the X-axis direction. It is set to 300 μm when 400 μm, and the dimension (depth dimension) L in the Y-axis direction of the groove 21 is larger than the short dimension of the laser array 11. For example, the short dimension of the laser array 11 is At 1 mm, it is set to 1.5 mm. Further, the dimension (groove depth) D in the Z-axis direction of the groove 21 is set to, for example, 100 μm, and the pitch (groove pitch) P of the grooves 21 adjacent in the X-axis direction is the arrangement of the semiconductor laser elements described above. The same pitch as the pitch is set. However, the center position of the light emitting portion 13 of the semiconductor laser element and the center position of the groove portion 21 are shifted by 0.5 pitch in the X-axis direction.

続いて、本発明の実施形態に係るレーザモジュールの製造方法について説明する。まず、図５の平面図及び図６の正面図に示すように、四角柱のブロック形状をなす冷却体１２の上面１８に、Ｘ軸方向に一列に並ぶかたちで複数の溝部２１を形成する。溝部２１の形成方法としては、例えば機械加工やエッチング加工などを利用することができる。その際、各々の溝部２１の奥行き寸法Ｌは、レーザアレイ１１を構成する半導体レーザ素子の共振器長（レーザアレイ１１の短手寸法）よりも長く設定する。図７は図５のＣ−Ｃ矢視断面図である。この図７から分かるように、Ｘ軸方向で隣り合う溝部２１は、冷却体１２の構成材料からなる壁部２５で仕切られている。壁部２５の肉厚寸法Ｔは、発光部１３のＸ軸方向の寸法（発光幅）よりも大きく設定されている。例えば、発光部１３の幅が６０μｍであるとすると、壁部２５の肉厚寸法Ｔは、発光幅よりも大きな寸法となるように、例えば１００μｍに設定される。   Then, the manufacturing method of the laser module which concerns on embodiment of this invention is demonstrated. First, as shown in the plan view of FIG. 5 and the front view of FIG. 6, a plurality of grooves 21 are formed on the upper surface 18 of the cooling body 12 having a quadrangular prism block shape in a line in the X-axis direction. As a method for forming the groove 21, for example, machining or etching can be used. At this time, the depth dimension L of each groove portion 21 is set to be longer than the cavity length of the semiconductor laser elements constituting the laser array 11 (short dimension of the laser array 11). 7 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. As can be seen from FIG. 7, the adjacent groove portions 21 in the X-axis direction are partitioned by a wall portion 25 made of the constituent material of the cooling body 12. The wall thickness T is set to be larger than the dimension (light emission width) of the light emitting unit 13 in the X-axis direction. For example, if the width of the light emitting portion 13 is 60 μm, the wall thickness T of the wall portion 25 is set to, for example, 100 μm so as to be larger than the light emitting width.

次に、図８の平面図及び図９の正面図に示すように、予め粒子状材料２３をはんだ材料２４に混ぜ合わせて生成した複合材料２２を各々の溝部２１に充填した後、加熱によってはんだ材料２４を溶融させ、且つ温度降下（自然冷却など）によってはんだ材料２４を固化することにより、全ての溝部２１を複合材料２２で埋め込んだ状態にする。はんだ材料２４にＡｕ２０Ｓｎを用いた場合は、その融点（２８０℃）以上の温度まで加熱することにより、はんだ材料２４を溶融する。この場合、溝部２１を埋め込んだ複合材料２２の上面は、冷却体１２のレーザ実装領域に凹凸が生じないように、レーザ実装面１８と面一な状態に形成されることが望ましい。また、溝部２１の幅Ｗが狭い場合は、溶融した複合材料２２は毛細管現象によって溝部２１から流出することはない。溝部２１が広い場合は、ソルダーレジストを冷却体１２の正面部に塗布・硬化、または、フィルム状のソルダーレジスト，耐熱性ポリイミドフィルム等を冷却体１２の正面部に押し当てることにより、溶融した複合材料２２が溝部２１から流出することを防ぐ必要がある。   Next, as shown in the plan view of FIG. 8 and the front view of FIG. 9, each of the groove portions 21 is filled with a composite material 22 generated by mixing the particulate material 23 with the solder material 24 in advance, and then soldered by heating. All the grooves 21 are filled with the composite material 22 by melting the material 24 and solidifying the solder material 24 by a temperature drop (such as natural cooling). When Au20Sn is used for the solder material 24, the solder material 24 is melted by heating to a temperature equal to or higher than its melting point (280 ° C.). In this case, it is desirable that the upper surface of the composite material 22 in which the groove portion 21 is embedded is formed so as to be flush with the laser mounting surface 18 so that the laser mounting region of the cooling body 12 is not uneven. Further, when the width W of the groove 21 is narrow, the molten composite material 22 does not flow out of the groove 21 due to a capillary phenomenon. When the groove portion 21 is wide, the composite melted by applying and curing a solder resist on the front portion of the cooling body 12 or pressing a film-like solder resist, a heat-resistant polyimide film or the like against the front portion of the cooling body 12. It is necessary to prevent the material 22 from flowing out of the groove 21.

その後、冷却体１２のレーザ実装領域に、はんだ材料２４よりも融点が低いはんだ材料（はんだ層１７の素材）を用いて、レーザアレイ１１を冷却体１２のレーザ実装面１８にはんだ接合する。このとき、上記図２に示すように、レーザアレイ１１の発光部１３の直下に溝部２１が配置されないように、Ｘ軸方向でレーザアレイ１１と冷却体１２の位置合わせを行なうとともに、レーザアレイ１１の前端面１４が冷却体１２のＹ方向の端面と面一になるように、Ｙ軸方向でレーザアレイ１１と冷却体１２の位置合わせを行なう。また、はんだ接合に際しては、加熱温度をはんだ材料２４の融点よりも低い温度に設定することにより、複合材料２２を固化したままで、レーザアレイ１１を冷却体１２にはんだ接合する。はんだ層１７の素材となるはんだ材料としては、例えばＩｎ（インジウム）を主成分とする低融点のはんだ材料を用いることができる。   Thereafter, the laser array 11 is soldered to the laser mounting surface 18 of the cooling body 12 using a solder material (material of the solder layer 17) having a melting point lower than that of the solder material 24 in the laser mounting area of the cooling body 12. At this time, as shown in FIG. 2, the laser array 11 and the cooling body 12 are aligned in the X-axis direction so that the groove 21 is not disposed immediately below the light emitting portion 13 of the laser array 11, and the laser array 11 The laser array 11 and the cooling body 12 are aligned in the Y-axis direction so that the front end face 14 is flush with the Y-direction end face of the cooling body 12. In solder joining, the laser array 11 is solder-joined to the cooling body 12 while the composite material 22 is solidified by setting the heating temperature to a temperature lower than the melting point of the solder material 24. As a solder material used as the material of the solder layer 17, for example, a low melting point solder material mainly containing In (indium) can be used.

本発明の実施形態に係るレーザモジュール１０においては、冷却体１２のレーザ実装領域に複数の溝部２１を形成し、これら複数の溝部２１を冷却体１２の構成材料よりも線膨張係数が低い複合材料２２で埋め込んだ構造になっている。このため、冷却体１２のレーザ実装領域に溝部２１を設けない場合に比較して、レーザ実装領域での実効的な線膨張係数（以下、「実効線膨張係数」と記す）が小さくなる。レーザ実装領域の実効線膨張係数は、複合材料２２における粒子状材料２３の混合比率や、溝部２１の寸法（特に、溝幅）によって変化する。   In the laser module 10 according to the embodiment of the present invention, a plurality of grooves 21 are formed in the laser mounting region of the cooling body 12, and the plurality of grooves 21 are composite materials having a lower linear expansion coefficient than the constituent material of the cooling body 12. 22 is embedded. For this reason, the effective linear expansion coefficient in the laser mounting area (hereinafter referred to as “effective linear expansion coefficient”) is smaller than when the groove 21 is not provided in the laser mounting area of the cooling body 12. The effective linear expansion coefficient in the laser mounting region varies depending on the mixing ratio of the particulate material 23 in the composite material 22 and the dimensions (particularly, the groove width) of the groove 21.

図１０は粒子状材料の混合比率とレーザ実装領域の実効線膨張係数の相関を示す図である。図中、□印で示す曲線は、溝幅を２００μｍ、溝ピッチを４００μｍの条件でシミュレーションした結果を示し、△印で示す曲線は、溝幅を３００μｍ、溝ピッチを４００μｍの条件でシミュレーションした結果を示している。このシミュレーションでは、粒子状材料２３にＳｉＣ、はんだ材料２４にＡｕ２０Ｓｎを用いた複合材料２２で溝部２１を埋め込む場合を想定している。このシミュレーション結果を参照して、例えば、溝部２１の溝幅を３００μｍ、ＳｉＣの粒子状材料２３の混合比率を５０％程度に設定することにより、レーザ実装領域の実効線膨張係数を、銅の１／２相当となる８ｐｐｍ／Ｋ程度まで下げることができる。   FIG. 10 is a diagram showing the correlation between the mixing ratio of the particulate material and the effective linear expansion coefficient in the laser mounting region. In the figure, the curve indicated by □ indicates the result of simulation under the condition of the groove width of 200 μm and the groove pitch of 400 μm, and the curve indicated by Δ indicates the result of simulation under the condition of the groove width of 300 μm and the groove pitch of 400 μm. Is shown. In this simulation, it is assumed that the groove 21 is embedded with a composite material 22 using SiC for the particulate material 23 and Au20Sn for the solder material 24. With reference to this simulation result, for example, by setting the groove width of the groove 21 to 300 μm and the mixing ratio of the SiC particulate material 23 to about 50%, the effective linear expansion coefficient of the laser mounting region is set to 1 of copper. Can be reduced to about 8 ppm / K corresponding to / 2.

これにより、サブマウントと呼ばれる中間体を用いることなく、レーザアレイ１１をダイレクトに冷却体１２に実装した場合でも、冷却体１２のレーザ実装領域に設けられた複数の溝部２１を複合材料２２で埋め込むことで、レーザ実装領域の実効線膨張係数を小さくすることにより、実装時の応力を緩和することができる。このため、中間体を用いる場合に比較して、レーザアレイ１１と冷却体１２の間の熱抵抗が大幅に小さくなる。したがって、レーザアレイ１１から冷却体１２に効率良く熱を逃がすことができる。また、中間体を用いる必要がなくなることから、冷却体１２を通してレーザアレイ１１に電流を供給する場合に、中間体でのジュール熱の発生を回避して消費電力の低減を図ることができる。   Thus, even when the laser array 11 is directly mounted on the cooling body 12 without using an intermediate body called a submount, the plurality of grooves 21 provided in the laser mounting area of the cooling body 12 are embedded with the composite material 22. Thus, by reducing the effective linear expansion coefficient in the laser mounting region, it is possible to relieve stress during mounting. For this reason, compared with the case where an intermediate body is used, the thermal resistance between the laser array 11 and the cooling body 12 is significantly reduced. Therefore, heat can be efficiently released from the laser array 11 to the cooling body 12. Further, since it is not necessary to use an intermediate body, when current is supplied to the laser array 11 through the cooling body 12, it is possible to avoid generation of Joule heat in the intermediate body and reduce power consumption.

さらに、レーザアレイ１１の発光部１３の直下を除く部分に溝部２１を設けるようにしたので、特にレーザ駆動時の発熱が顕著になる発光部１３の直下では、冷却体１２の構成材料からなる壁部２５（図７を参照）が存在し、この壁部２５を通して発光部１３の熱を冷却体１２に素早く逃がすことができる。このため、レーザアレイ１１から冷却体１２への排熱効率をより一層高めることができる。   Further, since the groove portion 21 is provided in a portion of the laser array 11 excluding the portion immediately below the light emitting portion 13, the wall made of the constituent material of the cooling body 12, particularly immediately below the light emitting portion 13 where the heat generation during laser driving becomes significant. There is a portion 25 (see FIG. 7), and the heat of the light emitting portion 13 can be quickly released to the cooling body 12 through the wall portion 25. For this reason, the exhaust heat efficiency from the laser array 11 to the cooling body 12 can be further improved.

なお、本発明の実施形態においては、複合材料２２を得るにあたって、はんだ材料２４に混合する粒子状材料２３にＳｉＣを用いることとしたが、これに限らず、例えばインバー材や酸化ケイ素（ＳｉＯ２），ダイヤモンド等を用いることも可能である。さらに、はんだ材料２４の代わりに、エポキシ樹脂を用いて、複合材料を構成してもよい。その場合、前述した溝部２１は、冷却体１２の構成材料よりも線膨張係数が小さい粒子状材料２３をエポキシ樹脂に混合してなる複合材料によって埋め込まれることになる。   In the embodiment of the present invention, SiC is used for the particulate material 23 to be mixed with the solder material 24 in obtaining the composite material 22. However, the present invention is not limited to this. For example, invar material or silicon oxide (SiO 2) Diamond or the like can also be used. Furthermore, instead of the solder material 24, an epoxy resin may be used to form the composite material. In that case, the groove part 21 mentioned above will be embedded by the composite material formed by mixing the particulate material 23 with a smaller linear expansion coefficient than the constituent material of the cooling body 12 in an epoxy resin.

また、本発明の実施形態においては、溝部２１の埋め込みに用いるはんだ材料２４とは異なる低融点のはんだ材料を用いて、レーザアレイ１１を冷却体１２にはんだ接合するものとしたが、これに限らず、上記のはんだ材料２４を用いて、レーザアレイ１１を冷却体１２にはんだ接合することも可能である。具体的には、例えば、複数の溝部２１を冷却体１２に形成した後、各々の溝部２１に複合材料２２を充填する段階で、冷却体１２のレーザ実装面１８から少し盛り上がるように、レーザ実装領域を複合材料２２で覆った状態とし、その上にレーザアレイ１１を載せて加熱することにより、複合材料２２と同一材料からなるはんだ層１７を用いて、レーザアレイ１１を冷却体１２にはんだ接合すればよい。   In the embodiment of the present invention, the laser array 11 is soldered to the cooling body 12 using a low melting point solder material different from the solder material 24 used for embedding the groove 21. It is also possible to solder the laser array 11 to the cooling body 12 using the solder material 24 described above. Specifically, for example, after forming the plurality of grooves 21 in the cooling body 12, the laser mounting is performed so that the groove 21 is slightly raised from the laser mounting surface 18 of the cooling body 12 at the stage of filling the respective grooves 21 with the composite material 22. The region is covered with the composite material 22, the laser array 11 is placed thereon and heated, and the solder layer 17 made of the same material as the composite material 22 is used to solder the laser array 11 to the cooling body 12. do it.

本発明の実施形態に係るレーザモジュールの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the laser module which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るレーザモジュールの構成を示す正面図である。It is a front view which shows the structure of the laser module which concerns on embodiment of this invention. 図１のＡ−Ａ矢視断面図である。It is AA arrow sectional drawing of FIG. 図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。It is BB arrow sectional drawing of FIG. レーザモジュールの製造工程で冷却体に溝部を形成した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which formed the groove part in the cooling body in the manufacturing process of the laser module. レーザモジュールの製造工程で冷却体に溝部を形成した状態を示す正面図である。It is a front view which shows the state which formed the groove part in the cooling body in the manufacturing process of the laser module. 図５のＣ−Ｃ矢視断面図である。It is CC sectional view taken on the line of FIG. レーザモジュールの製造工程で冷却体の溝に材料を埋め込んだ状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which embedded the material in the groove | channel of the cooling body in the manufacturing process of the laser module. レーザモジュールの製造工程で冷却体の溝に材料を埋め込んだ状態を示す正面図である。It is a front view which shows the state which embedded the material in the groove | channel of the cooling body in the manufacturing process of the laser module. 粒子状材料の混合比率とレーザ実装領域の実効線膨張係数の相関を示す図である。It is a figure which shows the correlation of the mixing ratio of a particulate material, and the effective linear expansion coefficient of a laser mounting area | region. 従来のレーザモジュールの構成を示す正面図である。It is a front view which shows the structure of the conventional laser module.

符号の説明Explanation of symbols

１０…レーザモジュール、１１…レーザアレイ、１２…冷却体、１３…発光部、１８…レーザ実装面、２１…溝部、２２…複合材料、２３…粒子状材料、２４…はんだ材料   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Laser module, 11 ... Laser array, 12 ... Cooling body, 13 ... Light emission part, 18 ... Laser mounting surface, 21 ... Groove part, 22 ... Composite material, 23 ... Particulate material, 24 ... Solder material

Claims (4)

複数の発光部を有するレーザアレイと、
前記レーザアレイが実装されるレーザ実装領域を有する冷却体とを備え、
前記冷却体のレーザ実装領域には、複数の溝部が前記複数の発光部と同じ方向に並んで設けられるとともに、前記各々の溝部には、前記冷却体の構成材料よりも線膨張係数が小さい材料が埋め込まれ、
前記レーザアレイは、前記複数の溝部上に位置して前記冷却体に実装されている
ことを特徴とするレーザモジュール。 A laser array having a plurality of light emitting portions;
A cooling body having a laser mounting area on which the laser array is mounted,
In the laser mounting region of the cooling body, a plurality of groove portions are provided side by side in the same direction as the plurality of light emitting portions, and each groove portion has a material having a smaller linear expansion coefficient than the constituent material of the cooling body Is embedded,
The laser array is mounted on the cooling body and positioned on the plurality of grooves. 前記溝部は、前記レーザアレイの発光部の直下を除いた部分に設けられている
ことを特徴とする請求項１記載のレーザモジュール。 The laser module according to claim 1, wherein the groove is provided in a portion except for a portion directly below the light emitting portion of the laser array. 前記溝部は、前記冷却体の構成材料よりも線膨張係数が小さい粒子状材料をはんだ材料に混合してなる複合材料によって埋め込まれている
ことを特徴とする請求項１記載のレーザモジュール。 The laser module according to claim 1, wherein the groove is embedded with a composite material obtained by mixing a particulate material having a smaller linear expansion coefficient than the constituent material of the cooling body with a solder material. 前記溝部は、前記冷却体の構成材料よりも線膨張係数が小さい粒子状材料をエポキシ樹脂に混合してなる複合材料によって埋め込まれている
ことを特徴とする請求項１記載のレーザモジュール。 The laser module according to claim 1, wherein the groove is embedded with a composite material obtained by mixing a particulate material having a smaller linear expansion coefficient than that of the constituent material of the cooling body with an epoxy resin.
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