JP2009152190A - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、フリットを加熱して両基板を封着する時、基板の全体的な変形と基板内部構成要素の変形を最少化するプラズマディスプレイパネル、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるプラズマディスプレイパネルは、互いにずれて重なって配置され、互いに重なった部分に形成される封着ラインに沿って装着される第１基板と第２基板、前記封着ラインに対応して前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくとも一つの基板側に形成されるメタル層、および前記メタル層上に形成されるフリット層を含む。
【選択図】図１０

Description

本発明はプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法に関し、より詳しくはフリット（半溶融ガラス：frit）を加熱して両基板を封着する時に、基板と基板内部構成要素の変形を少なくできるプラズマディスプレイパネル、およびその製造方法に関するものである。

一般にプラズマディスプレイパネルは気体放電でプラズマを発生させ、プラズマ状態で放射される真空紫外線（ＶＵＶ:Vacuum Ultra-Violet）で蛍光体を励起させ、励起された蛍光体が安定化しながら発生する赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の可視光で画像を表示する。例えば、３電極構造および２電極構造のプラズマディスプレイパネルが挙げられる。

例えば、３電極構造のプラズマディスプレイパネルは、アドレス電極を背面基板に形成し、維持電極と走査電極を対として前面基板に形成し、維持電極および走査電極とアドレス電極との交差地点に放電セルを形成する。

例えば、２電極構造のプラズマディスプレイパネルは、前面基板と背面基板との間に互いに交差する方向に２つの電極（以下、「第１電極と第２電極」という）を配置し、第１電極と第２電極との交差地点に放電セルを形成する。

２電極構造または３電極構造において、プラズマディスプレイパネルは両基板の内部にマトリックス（Matrix）状で配列される数百万個以上の単位放電セルを含むことになる。

２電極構造のプラズマディスプレイパネルをより具体的に説明すると、第１電極と第２電極は放電セルの側方を囲む構造に形成されるため、放電セルの前方開口率を増大させ、また放電セルの中心に放電を集中させられる。

第１電極と第２電極は放電セルの側方に形成されて放電セルの前方に照射される可視光を遮断しないため、不透明な金属材で形成できる。

誘電層は金属材の第１電極と第２電極を覆っているため、第１電極と第２電極に印加される電圧信号によって壁電荷を形成および蓄積する。従って、誘電層は複数の放電セルの中で点灯される放電セルを選択するアドレス放電と、選択された放電セルで画像を表示する維持放電を各々低電圧で表示できるようにする。

プラズマディスプレイパネルの製造方法は、少なくとも両基板の間に３電極または２電極を放電セルに対応するように形成し、両基板を互いにずれて重ねて封着させ、両基板の内部空間に残留するガスを排出した後、内部空間に放電ガスを注入することによってプラズマディスプレイパネルを製造する。

プラズマディスプレイパネルは相互に封着された両基板の重なった領域内で区切られる表示領域（Display Area、ＤＡ）と非表示領域（Non-Display Area、ＮＤ）を含む。表示領域は画像を表示し、非表示領域は表示領域の外郭で画像を表示しない。

両基板は重なった周縁ラインに沿って提供されるフリットによって封着される。プラズマディスプレイパネルの製造方法の複数の工程の中で、封着段階はフリットを加熱して両基板を封着するために高温のチャンバー内で行われる。この時、両基板は全体的に熱と圧着力を同時に受けてフリットによって封着される。

封着段階では実際に両基板を加熱しないでフリットのみを加熱して両基板に圧着力を加えて封着するのが良い。なぜならば、封着段階において不要にプラズマディスプレイパネル全体を加熱することによって、基板と基板内部構成要素が変移・変形し易くなるためである。

内部構成要素としては、放電を起こす電極、電極を囲む誘電層、放電セルを形成する隔壁、および隔壁に形成される蛍光体層がある。内部構成要素は放電セルに対応するように予め設定されたパターンを形成する。

封着段階において、プラズマディスプレイパネル全体を加熱する場合、不要な加熱によって両基板内部空間の放電セルを中心に形成される内部構成要素のパターンが変移・変形する可能性もある。

本発明の目的はフリットを加熱して両基板を封着させる時、基板の全体的な変形と基板内部構成要素の変形を最少化できるプラズマディスプレイパネル、およびその製造方法を提供することである。

本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイパネルは、互いにずれて重なって配置され、互いに重なった部分に形成される封着ラインに沿って封着される第１基板および第２基板、前記封着ラインに対応して前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくとも一つの基板側に形成されるメタル層、および前記メタル層上に形成されるフリット層を含むことができる。

また、本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイパネルは、前記封着ラインに対応して前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくとも一つの基板に形成される保護層を含み、前記メタル層は前記保護層上に形成できる。

前記保護層は前記封着ラインに沿って予め設定された幅を有する帯状に形成できる。前記メタル層は前記封着ラインに沿って予め設定された幅を有する帯状に形成できる。前記フリット層は前記メタル層に沿って予め設定された幅を有する帯状に形成されてもよい。

前記保護層は断熱／緩衝材で形成できる。前記保護層は前記第１基板の内表面に形成される第１保護層と、前記第１保護層と対向して前記第２基板の内表面に形成される第２保護層を含むことができる。

前記メタル層は前記第１保護層上に形成される第１メタル層と、前記第１メタル層と対向して前記第２保護層上に形成される第２メタル層を含むことができる。

前記フリット層は前記第１メタル層と前記第２メタル層間に形成できる。

また、本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイパネルは、前記互いに重なった部分に形成されて放電を起こす複数の電極を含み、前記電極は複数の連結部を通して、前記封着ライン外部に引出されて、前記複数の連結部は前記封着ライン上で前記フリット層によって囲まれる。

前記連結部において、前記フリット層に対応する部分は、アルミニウムで形成される導電部と、前記導電部の表面に形成されたアルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）で形成される誘電層を含むことができる。

また、本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、封着ラインに対応して、第１基板と第２基板のうちの少なくとも一つの基板側にメタル層を形成するメタル層形成段階、前記メタル層上にフリット層を形成するフリット層形成段階、および誘導電流で前記メタル層を加熱して前記第１基板と前記第２基板を加圧して、前記フリット層で両基板を互いに封着させる加熱／封着段階を含むことができる。

また、本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、前記封着ラインに対応して、前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくとも一つの基板に保護層を形成する保護層の形成段階を含み、前記メタル層形成段階では前記保護層上に前記メタル層を形成してもよい。

前記保護層形成段階では前記封着ラインに沿って保護層を予め設定された幅を有する帯状に形成する。前記メタル層形成段階では、前記保護層ラインに沿ってメタル層を予め設定された幅を有する帯状に形成する。前記フリット層形成段階では、前記メタル層に沿ってフリット層を予め設定された幅を有する帯状に形成する。

前記保護層形成段階は、前記第１基板の内表面に第１保護層を形成する第１保護層形成段階と、前記第１保護層と対向するように前記第２基板の内表面に第２保護層を形成する第２保護層形成段階を含むことができる。

前記メタル層形成段階は前記第１保護層上に第１メタル層を形成する第１メタル層形成段階と、前記第１メタル層と対向するように前記第２保護層上に第２メタル層を形成する第２メタル層形成段階を含むことができる。

前記フリット層形成段階は前記第１メタル層上に第１フリット層を形成する第１フリット層形成段階と、前記第１フリット層に対向するように前記第２メタル層上に第２フリット層を形成する第２フリット層形成段階を含むことができる。

本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、封着ラインにメタル層を形成し、メタル層にフリット層を備えて誘導電流でメタル層を加熱し、この熱によりフリットに流動性を与えて両基板を封着させることができる。

従って、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、プラズマディスプレイパネルを形成する両基板の全体的な変移・変形が防止されて、両基板内部構成要素の変移・変形を少なくできる効果がある。

また、本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、封着ラインに沿って保護層を形成し、保護層上にメタル層を形成する場合、保護層はメタル層で発生する熱が両基板に伝達されるのを遮断し、圧着衝撃を吸収する。

従って、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、両基板の変形および内部構成要素の変形をさらに防止できる。

以下、添付図を参照して本発明の実施形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は多様な形態に具現化され、ここで説明する実施形態に限られない。図面において本発明を明確に説明するために説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同じ参照符号を付けた。

図１は本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイパネルを分解して概略的に示した斜視図である。

図１を参照すると、プラズマディスプレイパネルは所定の間隔で対向配置される第１基板１０（以下、「背面基板」という）と第２基板２０（以下、「前面基板」という）、および両基板１０、２０の間に形成される隔壁層２６と電極層３０を含む。

隔壁層２６は背面基板１０と前面基板２０との間に配置されて、内部空間を複数の放電セル２７に区画化する。隔壁層２６は本実施形態のように前面基板２０側に形成できる。また、隔壁層は背面基板側に形成でき、両基板側に各々形成されてもよい（図示せず）。

図２は図１のＩＩ-ＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。図２および図１を参照すると、放電セル２７は前面基板２０と別途に形成される隔壁層２６に形成されている。また放電セルは前面基板または背面基板をエッチングして、基板と一体に形成できる（図示せず）。

図３は図１のＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。図３および図１を参照すると、放電セル２７は円筒形に形成される。円筒形放電セル２７は内周面から中心に達する距離を一定にする。また、放電セルはその横断面が四角形または六角形のような多様な形状に形成できる（図示せず）。

蛍光体層２９は隔壁層２６によって形成される放電セル２７の内面と、放電セル２７を形成する前面基板２０の内表面に形成される。蛍光体層２９は放電セル２７の内部で真空紫外線を吸収して、前面基板２０側に可視光を透過させる透過型蛍光体で形成される。

蛍光体層は背面基板に形成されてもよく、両基板に形成されてもよい。背面基板に形成される蛍光体層は放電セル内部で前面基板側に可視光を反射させる反射型蛍光体で形成できる。

プラズマ放電で真空紫外線を発生できるように放電セル２７内には放電ガス（例えば、ネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）等を含む混合ガス）が満たされている。

プラズマ放電で画像を表示するため、電極層３０は各放電セル２７に対応して形成される第１電極３１と第２電極３２を含む。本実施形態において隔壁層２６は前面基板２０側に形成され、電極層３０は背面基板１０側に形成されている。

また、隔壁層は背面基板側に形成され、電極層は前面基板側に形成されてもよい。隔壁層が両基板側に各々形成される場合、電極層は両隔壁層の間に形成されてもよい。

図４は図１のプラズマディスプレイパネルにおける電極のみ示した斜視図である。図４を参照すると、第１電極３１は放電セル２７を囲む構造に形成され、第１方向（ｙ軸方向）に延びると共に、ｙ軸方向に隣接する放電セル２７に連続的に対応する。

複数の第１電極３１は第１方向と交差する第２方向（ｘ軸方向）に沿って隣接する放電セル２７に各々対応するように予め設定された間隔を維持すると共に、互いに並んで配列される。

第２電極３２は第１電極３１と対向すると共に、放電セル２７を囲む構造に形成され、第１電極３１と交差するｘ軸方向に延びると共に、ｘ軸方向に隣接する放電セル２７に連続的に対応する。

複数の第２電極３２はｙ軸方向に沿って隣接される放電セル２７に各々対応するように予め設定された間隔を維持すると共に、互いに並んで配列される。

第１電極３１と第２電極３２は電極層３０内でｙ軸およびｘ軸方向と交差する第３方向（ｚ軸方向）に互いに離隔配置される。第１電極３１は背面基板１０側で放電セル２７の側方を囲んでいて、第２電極３２は前面基板２０側で放電セル２７の側方を囲んでいる。

従って、第１電極３１と第２電極３２は放電セル２７から前方（図面のｚ軸方向）に照射される可視光を遮断しない。第１電極３１と第２電極３２は優れた通電性と不透明性を有する金属電極で形成できる。

再び図１および図２を参照すると、電極層３０は誘電層３４を含むことができる。誘電層３４は第１電極３１と第２電極３２を互いに絶縁させて埋め込み、実質的に第１電極３１および第２電極３２の形状に対応する円筒形状の放電セル２７を形成する。

放電セル２７は前面基板２０側では隔壁層２６によって形成され、背面基板１０側では誘電層３４によって形成され、両側に互いに連結される。誘電層３４は放電時壁電荷を形成および蓄積する空間を提供する。

保護膜３６は背面基板１０側で放電セル２７を形成する誘電層３４の内表面に形成される。保護膜３６は放電から誘電層３４を保護して高い二次電子放出係数を有する。

保護膜３６は放電セル２７の側面に形成されるため、可視光非透過性物質で構成できる。例えば、可視光非透過性ＭｇＯは可視光透過性ＭｇＯに比べて、はるかに高い二次電子放出係数（secondary electron emission coefficient）値を有する。従って、可視光非透過性ＭｇＯは、可視光透過性ＭｇＯに比べて、放電開始電圧をより低くすることができる。

第１電極３１に印加されるアドレスパルスと第２電極３２に印加されるスキャンパルスによって、２つの電極３１、３２の間にはアドレス放電が起こる。つまり、アドレス放電は点灯される放電セル２７を選択するようになる。

第１電極３１を基準電圧（０Ｖ）に維持すると共に、第２電極３２に交互に印加される正（＋）の維持電圧パルスと負（-）の維持電圧パルスによって、２つの電極３１、３２の間には維持放電が起こる。つまり、維持放電は選択された放電セル２７を駆動させて画像を表示する。

第１電極３１および第２電極３２は印加される信号電圧によりその役割を異ならせるため、電極３１、３２と信号電圧の関係は前記の記載に限られない。

一方、電極層３０は第１電極３１と第２電極３２を陽極酸化させて形成できる。例えば、第１電極３１と第２電極３２をアルミニウム（Ａｌ）で形成し、第１、第２電極３１、３２の表面に陽極酸化によるアルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）を形成し、誘電層３４を形成することによって電極層３０を形成することができる。

再び図１乃至図３を参照すると、背面基板１０側で放電セル２７を形成する誘電層３４はアルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）で形成される。

また、第１電極層４１と第２電極層４２が各々別途に形成されて積層されると共に、電極層３０を構成することもでき（図１および図２参照）、電極層３０が第１電極層４１と第２電極層４２を含んで一体的に形成できる。第１電極層４１は第１電極３１を陽極酸化させて形成され、第２電極層４２は第２電極３２を陽極酸化させて形成される。

一体的に形成される電極層３０はシート状に形成でき、また、分離形成される第１電極層４１および第２電極層４２は各々シート状に形成できる。

プラズマディスプレイパネルの製造方法としては、背面基板１０に電極層３０を形成し、前面基板２０に隔壁層２６を形成した後、両基板１０、２０を互いに封着する方法がある。

プラズマディスプレイパネルの製造方法には、別途の工程で製造された電極層３０を両基板１０、２０の間に置いた後、両基板１０、２０を互いに封着する方法もありうる。

また、プラズマディスプレイパネルの製造方法には、別途の工程で製造された第１電極層４１および第２電極層４２を両基板１０、２０の間に重ねておいた後、両基板１０、２０を互いに封着する方法も可能である。

図５乃至図１０は、図示上の便利を考慮してパネル内部に配置される電極の具体的な形状の表現は省略し、周縁の構成を中心に単純化して示したが、前記図１乃至図４を参照として説明した電極構造が適用できるのは当然である。

図５は本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法の説明のためのプラズマディスプレイパネルの概略的な構成と誘導電流発生器の配置関係を示した斜視図である。

本実施形態のプラズマディスプレイパネルの製造方法により図１乃至図４を参照して説明したプラズマディスプレイパネルに追加される構成がある。便宜上、追加構成はプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明の際に共に説明する。

互いにずれて重なっている背面基板１０と前面基板２０は重なっている外郭に沿って封着ライン（ＳＬ）を形成する。背面基板１０と前面基板２０は封着ライン（ＳＬ）に沿って封着される。

封着ライン（ＳＬ）は前面基板２０の長辺に対向して背面基板１０の長辺側に形成される第１封着ライン（ＳＬ１０）と、背面基板１０の短辺に対向する前面基板２０の短辺に形成される第２封着ライン（ＳＬ２０）を含む。

本実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、保護層形成段階（ＳＴ１０）（図６参照）、メタル層形成段階（ＳＴ２０）（図７参照）、フリット層形成段階（ＳＴ３０）（図８参照）および加熱／封着段階（ＳＴ４０）（図１０参照）を含む。

保護層形成段階（ＳＴ１０）では封着ライン（ＳＬ）に対応して保護層５１を形成する（図６参照）。メタル層形成段階（ＳＴ２０）では保護層５１上にメタル層６１を形成する（図７参照）。フリット層形成段階（ＳＴ３０）ではメタル層６１上にフリット層７１を形成する（図８参照）。

加熱／封着段階（ＳＴ４０）では誘導電流でメタル層６０、６１、６２を加熱して、背面基板１０と前面基板２０を加圧して、フリット層７０、７１、７２で両基板１０、２０を互いに封着する（図１０参照）。

保護層５０、５１、５２は第１封着ライン（ＳＬ１０）および第２封着ライン（ＳＬ２０）のうちいずれか一側または両側に形成できる。つまり、保護層５０は第１保護層５１および第２保護層５２のうちいずれか一つまたは二つに形成できる（図９および図１０参照）。

保護層形成段階（ＳＴ１０）は第１保護層５１を形成する第１保護層形成段階と、第２保護層５２を形成する第２保護層形成段階のうちいずれか一つまたは二つを含むことができる。

第１保護層形成段階では、背面基板１０の内表面に第１保護層５１を形成する。第２保護層形成段階では第１保護層５１と対向するように前面基板２０の内表面に第２保護層５２を形成する（図９および図１０参照）。

メタル層６０は第１保護層５１および第２保護層５２のうちいずれか一側または両側に形成できる。つまり、メタル層６０は第１メタル層６１および第２メタル層６２のうちのいずれか一つまたは二つに形成できる（図９および図１０参照）。

メタル層形成段階（ＳＴ２０）は第１メタル層６１を形成する第１メタル層形成段階と、第２メタル層６２を形成する第２メタル層形成段階のうちいずれか一つまたは二つを含むことができる。

第１メタル層形成段階では、第１保護層５１上に第１メタル層６１を形成する。第１メタル層形成段階では第１メタル層６１と対向するように第２保護層５２上に第２メタル層６２を形成する。

フリット層７０は第１メタル層６１および第２メタル層６２のうちいずれか一側または両側に形成できる。つまり、フリット層７０は第１フリット層７１および第２フリット層７２のうちいずれか一つまたは二つに形成できる（図９参照）。

フリット層形成段階（ＳＴ３０）は第１フリット層７１を形成する第１フリット層形成段階と、第２フリット層７２を形成する第２フリット層形成段階うちいずれか一つまたは二つを含むことができる。

第１フリット層形成段階では第１メタル層６１上に第１フリット層７１を形成する。第１フリット層形成段階では第１フリット層７１に対向するように、第２メタル層６２上に第２フリット層７２を形成する。

便宜上、保護層５０、メタル層６０およびフリット層７０を形成する段階に関する具体的な説明は第１保護層５１、第１メタル層６１および第１フリット層７１を形成する段階で説明する（図６乃至図８参照）。

第１保護層５１、第１メタル層６１および第１フリット層７１を形成する各々の段階と同様に説明できる第２保護層５２、第２メタル層６２および第２フリット層７２を形成する段階については説明は省略する。

図６は両基板の封着ラインに対応する保護層を形成する段階を説明するための斜視図である。図６を参照すると、保護層形成段階（ＳＴ１０）では封着ライン（ＳＬ）上に保護層５０、５１、５２を形成する。例えば、保護層形成段階（ＳＴ１０）では背面基板１０の長辺側第１封着ライン（ＳＬ１０）に沿って第１保護層５１を予め設定された幅を有する帯状に形成する。

また、保護層形成段階（ＳＴ１０）では前面基板２０の第２封着ライン（ＳＬ２０）に対応する背面基板１０の短辺側にも第１保護層５１を予め設定された幅を有する帯状に形成する。

第１保護層５１は封着熱が背面基板１０に伝えられるのを遮断し、封着衝撃を吸収するように断熱材または緩衝材で形成される。第１保護層５１は背面基板１０の四辺を熱と衝撃から保護できる。

図７は保護層上にメタル層を形成する段階を説明するための斜視図である。図７を参照すると、メタル層形成段階（ＳＴ２０）では保護層５０、５１、５２上にメタル層６０、６１、６２を形成する。例えば、メタル層形成段階（ＳＴ２０）では背面基板１０の長辺側第１保護層５１上に第１メタル層６１を予め設定された幅を有する帯状に形成する。

また、メタル層形成段階（ＳＴ２０）では第１保護層５１上に第１メタル層６１を予め設定された幅を有する帯状に形成する。

第１メタル層６１は封着時誘導電流によって加熱されて熱を発生させる。第１メタル層６１は背面基板１０の四辺で熱を発生させる。

第１メタル層６１の幅は第１保護層５１の幅より狭いこともある。この場合、第１メタル層６１から発生される熱は第１保護層５１で効果的に遮断されて、封着衝撃は効果的に吸収される。

図８はメタル層上にフリット層を形成する段階を説明するための斜視図である。図８を参照すると、フリット層形成段階（ＳＴ３０）ではメタル層６０上にフリット層７０、７１、７２を形成する。例えば、フリット層形成段階（ＳＴ２０）では背面基板１０の長辺側第１メタル層６１上に第１フリット層７１を予め設定された幅を有する帯状に形成する。

また、フリット層形成段階（ＳＴ３０）では第１メタル層６１上に第１フリット層７１を予め設定された幅を有する帯状に形成する。

図９は図５のＩＸ-ＩＸ線に沿って切断して示した両基板の封着前整列段階を説明するための断面図である。図９を参照すると、整列段階（ＳＴ４０）では図６乃至図８のような段階を各々経た背面基板１０と前面基板２０を整列する。本実施形態は別途に形成された電極層３０を両基板１０、２０の間に整列する構成を例示している。

整列状態は電極層３０を間において上下方向に対称構造を形成する。つまり、背面基板１０、第１保護層５１、第１メタル層６１、第１フリット層７１、電極層３０、第２フリット層７２、第２メタル層６２、第２保護層５２、および前面基板２０は下から上へ順次に配置されている。

図１０は誘導電流発生器で発生された誘導電流でメタル層を加熱して両基板を封着する段階を説明するための断面図である。図１０を参照すると、加熱／封着段階（ＳＴ５０）では誘導電流発生器８０、８１、８２から発生された誘導電流を用いてメタル層６０を加熱し、これによってメタル層６０から伝えられる熱でフリット７０に流動性を与えながら両基板１０、２０を加圧して封着する。

誘導電流発生器８０、８１、８２は封着ライン（ＳＬ）に対応するように四角形に形成できる。誘導電流発生器８０、８１、８２は封着ライン（ＳＬ）に対応する部分でメタル層６０、６１、６２を加熱する。

誘導電流発生器８０は背面基板１０側に提供される第１誘導電流発生器８１と前面基板２０側に提供される第２誘導電流発生器８２を含む。第１誘導電流発生器８１は背面基板１０の第１封着ライン（ＳＬ１０）に対応される第１メタル層６１を加熱し、第２誘導電流発生器８２は前面基板２０の第２封着ライン（ＳＬ２０）に対応される第２メタル層６２を加熱する。

第１メタル層６１は第１フリット層７１に熱を伝達し、第２メタル層６２は第２フリット層７２に熱を伝達する。この時、第１保護層５１は背面基板１０へ熱と衝撃が伝えられるのを防止し、第２保護層５２は前面基板２０へ熱と衝撃が伝えられるのを防止する。

溶融されて互いに付着される第１フリット層７１と第２フリット層７２は一つのフリット層７０を形成する。電極層３０に連結される連結部３５はフリット層７０外部に突出されて、電極層３０を封着ライン（ＳＬ）の外部に引き出す。複数の連結部３５は封着ライン（ＳＬ）上でフリット層７０によって囲まれる（図１０参照）。

一方、電極層３０を陽極酸化によって形成した場合、複数の連結部３５はフリット層７０に対応する部分に形成される導電部１３５と酸化物層２３５を含む。導電部１３５はアルミニウム（Ａｌ）で形成され、酸化物層２３５は導電部１３５の表面に形成されたアルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）で形成される。

以上、本発明の望ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるのではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明および添付図の範囲内で多様に変形して実施するのが可能であり、これらも本発明の範囲に属するのは当然である。

本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイパネルを分解して、概略的に示した斜視図である。 図１のＩＩ-ＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。 図１のＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。 図１のプラズマディスプレイパネルにおける電極のみを示した斜視図である。 本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法の説明のためのプラズマディスプレイパネルの概略的な構成と誘導電流発生器の配置関係を示した斜視図である。 両基板の封着ラインに対応される保護層を形成する段階を説明するための斜視図である。 保護層上にメタル層を形成する段階を説明するための斜視図である。 メタル層上にフリット層を形成する段階を説明するための斜視図である。 図５のＩＸ-ＩＸ線に沿って切断して示した両基板の封着前整列段階を説明するための断面図である。 誘導電流発生器で発生された誘導電流でメタル層を加熱して、両基板を封着させる段階を説明するための断面図である。

符号の説明

１０、２０ 基板
２６ 隔壁層
２７ 放電セル
２９ 蛍光体層
３０、４１、４２ 電極層
３１、３２ 電極
３４ 誘電層
３５ 連結部
３６、５０、５１、５２ 保護層
６０、６１、６２ メタル層
７０、７１、７２ フリット層
８０、８１、８２ 誘導電流発生器
１３５ 導電部
２３５ 酸化物層
ＳＬ、ＳＬ１０、ＳＬ２０ 封着ライン

Claims (19)

1. 互いにずれて重なって配置され、互いに重なった部分に形成される封着ラインに沿って装着される第１基板および第２基板と、
   前記封着ラインに対応して前記第１基板および前記第２基板のうち少なくとも一つの基板側に形成されるメタル層と、
   前記メタル層上に形成されるフリット層と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 前記封着ラインに対応して前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくとも一つの基板に形成される保護層を含み、前記メタル層は前記保護層上に形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
3. 前記保護層は、
   前記封着ラインに沿って予め設定された幅を有する帯状に形成されることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
4. 前記メタル層は、
   前記封着ラインに沿って予め設定された幅を有する帯状に形成されることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
5. 前記フリット層は、
   前記メタル層に沿って予め設定された幅を有する帯状に形成されることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
6. 前記保護層は断熱緩衝材で形成されることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 前記保護層は、
   前記第１基板の内表面に形成される第１保護層と、
   前記第１保護層と対向して前記第２基板の内表面に形成される第２保護層と、を含むことを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
8. 前記メタル層は、
   前記第１保護層上に形成される第１メタル層と、
   前記第１メタル層と対向して前記第２保護層上に形成される第２メタル層と、を含むことを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
9. 前記フリット層は前記第１メタル層と前記第２メタル層との間に形成されることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
10. 前記互いに重なった部分に形成されて放電を起こす複数の電極を含み、
    前記電極は複数の連結部を通して前記封着ライン外部に引き出され、
    前記複数の連結部は前記封着ライン上で前記フリット層によって囲まれることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル。
11. 前記連結部において前記フリット層に対応する部分は、
    アルミニウムで形成される導電部と、
    前記導電部の表面に形成されたアルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）で形成される誘電層を含むことを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
12. 封着ラインに対応して、第１基板と第２基板のうち少なくとも一つの基板側にメタル層を形成するメタル層の形成段階と、
    前記メタル層上にフリット層を形成するフリット層の形成段階と、
    誘導電流で前記メタル層を加熱し、前記第１基板と前記第２基板を加圧して前記フリット層に両基板を互いに封着させる加熱／封着段階と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
13. 前記封着ラインに対応して、前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくとも一つの基板に保護層を形成する保護層の形成段階を含み、
    前記メタル層形成段階では前記保護層上に前記メタル層を形成することを特徴とする請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
14. 前記保護層形成段階では、
    前記封着ラインに沿って保護層を予め設定された幅を有する帯状に形成することを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
15. 前記メタル層形成段階では、
    前記保護層ラインに沿ってメタル層を予め設定された幅を有する帯状に形成することを特徴とする請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
16. 前記フリット層形成段階では、
    前記メタル層に沿ってフリット層を予め設定された幅を有する帯状に形成することを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
17. 前記保護層形成段階は、
    前記第１基板の内表面に第１保護層を形成する第１保護層形成段階と、
    前記第１保護層と対向するように前記第２基板の内表面に第２保護層を形成する第２保護層形成段階と、を含むことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
18. 前記メタル層形成段階は、
    前記第１保護層上に第１メタル層を形成する第１メタル層形成段階と、
    前記第１メタル層と対向するように前記第２保護層上に第２メタル層を形成する第２メタル層形成段階と、を含むことを特徴とする請求項１７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
19. 前記フリット層形成段階は、
    前記第１メタル層上に第１フリット層を形成する第１フリット層形成段階と、
    前記第１フリット層に対向するように前記第２メタル層上に第２フリット層を形成する第２フリット層形成段階と、を含むことを特徴とする請求項１８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

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