JP2009150422A - Fluid device - Google Patents
Fluid device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009150422A JP2009150422A JP2007326544A JP2007326544A JP2009150422A JP 2009150422 A JP2009150422 A JP 2009150422A JP 2007326544 A JP2007326544 A JP 2007326544A JP 2007326544 A JP2007326544 A JP 2007326544A JP 2009150422 A JP2009150422 A JP 2009150422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluid
- conductive layer
- liquid
- passage
- diaphragm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Valve Housings (AREA)
Abstract
Description
本発明は、流体機器に設けられた膜部の絶縁破壊を抑制する技術に関する。 The present invention relates to a technique for suppressing dielectric breakdown of a film portion provided in a fluid device.
従来から、流体通路を流通する流体が直に接触する膜部（例えば、ダイアフラム膜部やベローズ等）を備えた流体機器では、膜部の表面に帯電が生じた場合に、その帯電によって膜部の絶縁破壊が生じることが懸念されている。 Conventionally, in a fluid device having a membrane portion (for example, a diaphragm membrane portion or a bellows) in which a fluid flowing through a fluid passage is in direct contact, when the surface of the membrane portion is charged, the membrane portion is caused by the charge. There is concern that dielectric breakdown will occur.
そこで、その対策として、ダイアフラムの膜部近傍に、耐食性を有する導電性部材を流体通路側に貫通して設けるとともに、ボディ本体に、導電性部材をアースするアース手段を設けた流体機器が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 Therefore, as a countermeasure, a fluid device has been proposed in which a conductive member having corrosion resistance is provided in the vicinity of the membrane portion of the diaphragm so as to penetrate the fluid passage side, and a grounding means for grounding the conductive member is provided on the body body. (For example, refer to Patent Document 1).
この流体機器では、ダイアフラムの膜部の屈曲動作を妨げることなく同ダイアフラムを正常に動作させることができるため、ダイアフラムの特性を損なうことなく簡易な構成にてダイアフラムの膜部の絶縁破壊を防止できるとしていた。
しかしながら、上記流体機器では、流体通路に導電性部材が露出しているため、長期に使用されると導電性部材が溶出し、それに起因して流体通路内が汚染されるおそれがある。この場合、導電性部材として耐食性を有する材料を使うとしても、都度使用する流体に応じて適用可能な材料が制限される等の不都合も生じ得る。また、上記の流体機器では、ダイアフラムの膜部の屈曲動作を維持するべく導電性部材がダイアフラムの周縁部分に設けられているため、ダイアフラムの中央に近い側の膜部については帯電が解消されにくいと考えられる。 However, in the fluid device, since the conductive member is exposed in the fluid passage, the conductive member may be eluted when used for a long period of time, and the inside of the fluid passage may be contaminated due to the elution. In this case, even if a material having corrosion resistance is used as the conductive member, there may be a disadvantage that the applicable material is limited depending on the fluid to be used each time. Further, in the fluid device described above, since the conductive member is provided at the peripheral portion of the diaphragm so as to maintain the bending operation of the membrane portion of the diaphragm, charging is difficult to be eliminated for the membrane portion near the center of the diaphragm. it is conceivable that.
そこで、本発明は、流体通路等の汚染を抑制しつつ、膜部の帯電による絶縁破壊を抑制できる流体機器の提供を主たる目的とするものである。 Therefore, the present invention mainly aims to provide a fluid device that can suppress a dielectric breakdown due to charging of a film portion while suppressing contamination of a fluid passage or the like.
本発明は、上記課題を解決するために、以下の手段を採用した。 The present invention employs the following means in order to solve the above problems.
第１の発明では、絶縁材料からなり、流体が流通する流体通路が形成された流路ボディと、前記流体通路の途中に設けられ、絶縁材料からなるとともに、前記流体通路を流通する流体に接触する流体接触面を有する膜部と、を備えた流体機器であって、前記流体通路の周囲の一部は外部に露出する殻部によって形成され、該殻部の外面には導電層が形成されるとともに、該導電層に電荷放出手段が接続されている。 In the first invention, the flow path body is formed of an insulating material and formed with a fluid passage through which a fluid flows, and is provided in the middle of the fluid passage and is made of an insulating material and is in contact with the fluid flowing through the fluid passage. A fluid device having a fluid contact surface, wherein a part of the periphery of the fluid passage is formed by a shell portion exposed to the outside, and a conductive layer is formed on the outer surface of the shell portion. At the same time, charge discharging means is connected to the conductive layer.
前提構成を有する流体機器に超純水等の絶縁性の高い流体を流すと、流体通路の内面やその途中に設けられた膜部と流体との摩擦により静電気が発生し、流体の電子が移動して通路内面や膜部表面が負に帯電することが考えられる。この場合、特に、膜部表面の帯電はそれに起因して膜部の絶縁破壊が生じることが懸念される。 When a highly insulating fluid such as ultrapure water is allowed to flow through a fluid device that has the pre-requisite configuration, static electricity is generated due to friction between the inner surface of the fluid passage or a film part provided in the middle of the fluid passage, and the fluid electrons move. Thus, it is conceivable that the inner surface of the passage and the surface of the film part are negatively charged. In this case, in particular, there is a concern that the charging of the surface of the film part may cause dielectric breakdown of the film part.
この点、第１の発明によれば、導入された流体が流体通路を通過する際、殻部の内面に帯電した流体の電子は導電層と電荷放出手段とを通じて放出されるため、流体は電子が少ない状態で膜部に到達することになる。このため、膜部と流体との摩擦により膜部表面が負に帯電することが低減される。これにより、膜部の絶縁破壊を抑制できる。また、流体通路の周囲の一部を形成する殻部の外面に導電層が設けられているため、導電性物質の溶出によって流体通路が汚染されるといった不都合を回避できる。その結果、流体通路の汚染を抑制しつつ、膜部の帯電による絶縁破壊を好適に抑制できる。 In this regard, according to the first invention, when the introduced fluid passes through the fluid passage, the electrons of the fluid charged on the inner surface of the shell are emitted through the conductive layer and the charge discharging means. It reaches the film part in a state where there is little. For this reason, negative charging of the surface of the film part due to friction between the film part and the fluid is reduced. Thereby, the dielectric breakdown of a film part can be suppressed. In addition, since the conductive layer is provided on the outer surface of the shell portion that forms a part of the periphery of the fluid passage, it is possible to avoid the disadvantage that the fluid passage is contaminated by the elution of the conductive substance. As a result, it is possible to suitably suppress dielectric breakdown due to charging of the film part while suppressing contamination of the fluid passage.
なお、前記流体通路は入口側通路から前記膜部を通過して出口側通路につながる通路であり、少なくとも前記入口側通路の周囲の一部が殻部によって形成され、少なくとも当該入口側通路の殻部の外面に前記導電層が形成されることが好ましい。これにより、電子が少なくなった状態の流体だけが膜部に到達することになるため、膜部表面の帯電低減という効果を確実に得ることができる。 The fluid passage is a passage connecting from the inlet side passage to the outlet side passage through the membrane portion, and at least a part of the periphery of the inlet side passage is formed by a shell portion, and at least the shell of the inlet side passage is formed. The conductive layer is preferably formed on the outer surface of the portion. Thereby, only the fluid in a state where the number of electrons is reduced reaches the film part, so that the effect of reducing the charge on the surface of the film part can be reliably obtained.
第２の発明では、前記流路ボディの一部には凹状の肉盗み部が設けられ、該肉盗み部で前記殻部が外部に露出している。 In the second invention, a concave meat stealing portion is provided in a part of the flow path body, and the shell portion is exposed to the outside at the meat stealing portion.
流路ボディがフッ素樹脂等の合成樹脂からなる場合、成形時のヒケを防止すること等を目的として、流路ボディに肉盗み部が形成される。第２の発明によれば、このような肉盗み部の形成によって外部に露出した殻部の外面に導電層が形成されているため、肉盗み部を利用して導電層を容易に形成することができる。 When the flow path body is made of a synthetic resin such as a fluororesin, a meat stealing portion is formed in the flow path body for the purpose of preventing sink marks during molding. According to the second invention, since the conductive layer is formed on the outer surface of the shell portion exposed to the outside by the formation of the meat stealing portion, the conductive layer can be easily formed using the meat stealing portion. Can do.
第３の発明では、前記流体通路は一対の開口ポートに通ずるとともに、その両開口ポートとは別に前記膜部を有する流通調整用の弁体が設けられる弁体側開口部を有し、前記弁体側開口部は前記流路ボディの一面に設けられ、それとは異なる面の前記殻部に前記導電層が形成されている。 In the third invention, the fluid passage communicates with a pair of opening ports, and has a valve body side opening portion provided with a valve body for flow regulation having the membrane portion separately from the both opening ports, The opening is provided on one surface of the flow channel body, and the conductive layer is formed on the shell on a surface different from the opening.
弁体側開口部が設けられた一面で露出する殻部がある場合、その殻部の外面にも導電層が形成される構成では、その形成作業時に、弁体側開口部奥の通路内面が導電層の構成材料で汚されないよう、例えばマスキング処理等の特別な処理が必要となる。この点、第３の発明によれば、導電層が弁体側開口部が設けられた一面とは異なる面の殻部に形成された構成であるため、そのような処理をあえて施さなくても導電層の形成が可能となる。これにより、導電層を容易に形成できる。 When there is a shell that is exposed on one side where the valve element side opening is provided, in the configuration in which a conductive layer is also formed on the outer surface of the shell, the inner surface of the passage behind the valve element side opening is the conductive layer during the forming operation. For example, a special process such as a masking process is required so as not to be contaminated with the constituent materials. In this regard, according to the third invention, since the conductive layer is formed on the shell portion of the surface different from the one surface provided with the valve element side opening, the conductive layer can be conductive without performing such treatment. Layer formation is possible. Thereby, a conductive layer can be formed easily.
第４の発明では、前記導電層が形成された殻部を有する面は、機器取付用の取付板が設置される取付板設置部である。 In 4th invention, the surface which has the shell part in which the said conductive layer was formed is an attachment plate installation part in which the attachment plate for apparatus attachment is installed.
この第４の発明によれば、取付板を金属等の導電性材料によって形成するとともに、その取付板と接触するように導電層を広く形成した場合、取付板を電荷放出手段として利用することが可能となる。また、取付板に設けられるボルト等の締結部材を電荷放出手段として利用することも可能となる。このような点から、取付板等を電荷放出手段に利用して電荷放出手段を簡素化できる。その結果、電荷放出手段を備えた流体機器の製造が容易となるとともにそのコストも低減できる。 According to the fourth aspect of the present invention, when the mounting plate is formed of a conductive material such as metal, and the conductive layer is widely formed so as to be in contact with the mounting plate, the mounting plate can be used as a charge discharging means. It becomes possible. Further, a fastening member such as a bolt provided on the mounting plate can be used as the charge discharging means. From this point, the charge discharging means can be simplified by using the mounting plate or the like as the charge discharging means. As a result, it is easy to manufacture a fluid device including the charge discharging means and the cost can be reduced.
以下、本発明を具体化した第１の実施形態を図面に従って説明する。本実施形態では、半導体製造装置等にて使用される液体供給システムにおいて、同システムに用いられる液体制御弁について説明する。この液体制御弁によって、制御対象流体としての液体の流通（出入り）が制御される。 Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, a liquid control valve used in a liquid supply system used in a semiconductor manufacturing apparatus or the like will be described. The liquid control valve controls the flow (in / out) of the liquid as the control target fluid.
図１は、液体制御弁１０の構成を示す断面図である。図１において、液体制御弁１０は、カバー１１及びシリンダボディ１２からなる駆動部１３と、液体通路が形成された流路ボディ１４とを備え、それらが一体に結合される構成となっている。カバー１１及びシリンダボディ１２はポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂等の合成樹脂（絶縁材料）よりなり、流路ボディ１４はフッ素樹脂（例えば、パーフロロアルキルビニルエーテル（ＰＦＡ）樹脂）等の合成樹脂（絶縁材料）よりなる。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of the
シリンダボディ１２には、カバー１１側から流路ボディ１４側に貫通する円筒状の摺動孔１５が形成されており、その摺動孔１５内にピストンロッド１６が摺動可能に収容されている。詳しくは、摺動孔１５は、いずれも同軸の大径孔部１５ａと小径孔部１５ｂとを有しており、大径孔部１５ａにピストンロッド１６の大径部１６ａが摺動可能に収容され、小径孔部１５ｂにピストンロッド１６の小径部１６ｂが摺動可能に収容されている。
The
ピストンロッド１６とカバー１１との間にはバネ室１８が形成されており、そのバネ室１８にコイルバネ１９が配設されている。したがって、ピストンロッド１６は、コイルバネ１９によって常に図の下方（後述するダイアフラム弁体２６を閉弁させる方向）に付勢されている。ピストンロッド１６は、ステンレス鋼やアルミニウム等の金属材料により構成されている。なお、液体制御弁１０は、本実施形態のようにノーマリクローズ式とする以外でも実現でき、例えばノーマリオープン式とすることも可能である。
A
ピストンロッド１６とシリンダボディ１２とにより囲まれた空間部は圧力制御室２１となっており、その圧力制御室２１にはエア導入ポート２２及びエア通路２３を経由して、外部装置（図示しない電空レギュレータ等）から操作エアが導入される構成となっている。この場合、圧力制御室２１内のエア圧力が上昇することにより、ピストンロッド１６がコイルバネ１９の付勢力に抗して移動（図の上方に移動）することができるようになっている。ピストンロッド１６の大径部１６ａ及び小径部１６ｂの外周部には、圧力制御室２１の気密性を高めるべく環状のシール部材２４が配設されている。
A space surrounded by the
また、ピストンロッド１６の下端部（流路ボディ１４側の先端部）には、フッ素樹脂（例えば、四フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）樹脂）等の合成樹脂（絶縁材料）よりなるダイアフラム弁体２６が連結されている。ダイアフラム弁体２６は、ピストンロッド１６に連結されるボス部２６ａと、シリンダボディ１２及び流路ボディ１４に狭持される周縁部２６ｂと、ボス部２６ａ及び周縁部２６ｂの間に形成される膜部としてのダイアフラム膜部２６ｃとを有する。ボス部２６ａには雄ネジ部２６ｄが設けられており、その雄ネジ部２６ｄがピストンロッド１６のネジ孔１６ｃにねじ入れられることで、ピストンロッド１６とダイアフラム弁体２６とが一体化されている。ダイアフラム弁体２６は、図の下面が接液面（流体接触面）、図の上面が非接液面となっている。なお、ピストンロッド１６が金属材料により構成されていることで、ネジ連結部の強度が確保されている。
In addition, a
流路ボディ１４は略直方体形状をなし、対向側面に２つの開口ポート３１，３２が形成されるとともに、それら各ポート３１，３２に通じる流体通路としての液体通路３３，３４が形成されている。これら液体通路３３，３４は、ダイアフラム弁体２６の作動位置によって連通又は連通遮断される。
The
詳しくは、一方の開口ポート３１に連通する液体通路３３は、ダイアフラム弁体２６側の通路端（開口ポート３１と逆側の通路端）が流路ボディ１４の中央部に位置するよう形成されているのに対し、他方の開口ポート３２に連通する液体通路３４は、ダイアフラム弁体２６側の通路端（開口ポート３２と逆側の通路端）が液体通路３３を囲むようにして形成されている。つまり、液体通路３４は、ダイアフラム弁体２６側の通路端部が環状通路となっている。したがって、液体通路３３，３４のダイアフラム弁体２６側の通路端は弁体側開口部３３ａ，３４ａであり、それは流路ボディ１４の一面（駆動部１３の取付面１４ａ）に設けられている。そして、この場合、ダイアフラム弁体２６付近において、液体通路３３と液体通路３４との間には円筒状の突起部３５が形成され、その突起部３５の先端部（図の上端部）が弁座３６となっている。
Specifically, the
弁座３６は液体通路３３の開口部を囲むようにして環状に設けられ、その弁座３６に、ダイアフラム弁体２６のボス部２６ａの底面が当接する。ダイアフラム弁体２６のボス部２６ａが弁座３６に対して当接する又は離間することにより、液体通路３３，３４を通じての液体の流通が阻止又は許容される。
The
ちなみに、開口ポート３１及び液体通路３３と、開口ポート３２及び液体通路３４とは、いずれか一方が液体の入口側、他方が液体の出口側となる。
Incidentally, one of the
また、流路ボディ１４には、開口ポート３１，３２が設けられた対向側面を除く各外面に、凹状の肉盗み部３７が形成されている。この肉盗み部３７が形成されていることにより、流路ボディ１４を成形する際にヒケが発生することが抑制される。このような肉盗み部３７が設けられた部分では、液体通路３３，３４を形成する殻部３８が外部に露出している。つまり、液体通路３３，３４の周囲の一部が殻部３８によって形成され、その殻部３８の外面が肉盗み部３７の底面の一部として現れている。そして、この殻部３８では、液体通路３３，３４の内面と外面との間の肉厚が比較的薄肉に形成されている。
In addition, a concave
上記構成の液体制御弁１０では、圧力制御室２１への操作エアの導入（エア圧力の上昇）によりピストンロッド１６が移動し、それに伴いダイアフラム弁体２６のボス部２６ａが弁座３６から離れると、ボス部２６ａと弁座３６との間の隙間を通じて液体が流通する。かかる場合、ボス部２６ａと弁座３６との間の離間距離（弁開度に相当）は、圧力制御室２１への操作エアの導入量（エア圧力）により調整され、これにより、流出する液体の圧力が調整されるようになっている。
In the
ところで、液体制御弁１０において、フッ素樹脂等により形成される流体通路３３，３４に絶縁性の高い液体（例えば、超純水等）を流すと、液体とフッ素樹脂等の表面との摩擦により静電気が発生し、通路内面及びダイアフラム表面に帯電（液体の電子が付着）する。特に、ダイアフラム膜部２６ｃは薄い膜であるため、帯電により絶縁破壊が生じることが懸念される。そこで、本実施の形態では、流体通路３３，３４の周囲の一部を形成する殻部３８の外面に導電層を設けることにより、ダイアフラム膜部２６ｃの帯電を低減させている。
By the way, in the
図２（ａ）（ｂ）には、流路ボディ１４の断面構造を拡大して示す。具体的には、一方の開口ポート３１及び液体通路３３側を拡大した断面構造であり、流体通路３３側を入口側とした場合を想定している。
2A and 2B show an enlarged cross-sectional structure of the
図２（ａ）に示すように、殻部３８の外面３８ａ，３８ｂには、その全域にわたって導電層４１が形成されている。導電層４１は、図示のように一層でもよいし、抵抗の異なる複数の層を積層して除電が徐々に行われるように構成してもよい。そして、この導電層４１にはアース線Ｅ１を介してアース部材Ｅ２が接続されている。なお、本実施の形態では、このアース線Ｅ１及びアース部材Ｅ２によって電荷放出手段が構成されている。
As shown in FIG. 2A, a
導電層４１は、導電性ゴム、半導体、金属、カーボン入りシリコン樹脂等のいずれかの材料からなる薄肉の導電体である。そして、接着（貼り付け）、蒸着、コーティング（被膜処理）、渡金（メッキ）、殻部３８への埋設等、用いられる材料の種類に応じた適宜の方法により、殻部３８の外面３８ａ，３８ｂに設けられる。
The
なお、殻部３８の外面３８ａ，３８ｂに形成される導電層４１は、駆動部１３の取付面１４ａと逆側（図の下側）の外面３８ａに設けられるだけでもよい。このため、駆動部１３側の外面３８ｂに導電層４１を設けない構成とすることも可能である。
The
上記のように液体通路３３，３４を形成する殻部３８の外面３８ａ，３８ｂに導電層４１が設けられていることにより、図２（ｂ）に示すように、殻部３８の内面に帯電した液体原子Ａの電子は内面側から外面側へ移動した後、さらに導電層４１へと流れる。この導電層４１に流れた電子はアース線Ｅ１に流れる。こうして流体通路３３を通過した液体の原子Ａは電子が少なくなるため、ダイアフラム膜部２６ｃに到達する液体は電子が少ない状態となる。これにより、ダイアフラム膜部２６ｃの帯電が低減され、その絶縁破壊が抑制される。また、この構造により液体の電子を常に奪い続けることができるため、絶縁破壊の抑制効果が落ちることはない。
As described above, the
以上詳述した本実施形態によれば、以下の優れた効果を奏する。 According to the embodiment described in detail above, the following excellent effects are obtained.
液体通路３３，３４の周囲の一部を形成する殻部３８の外面３８ａ，３８ｂに導電層４１が設けられているため、ダイアフラム表面の帯電を低減させて、ダイアフラム膜部２６ｃの絶縁破壊を抑制することができる。
Since the
また、液体通路３３，３４の内面に液体電子が帯電してもその電子は放出されるため、結果的には通路内面の帯電が低減される。このため、液体通路３３，３４に導入された液体に含まれる微粒子（パーティクル）が通路内面に付着してしまうことも抑制できる。
Further, even if liquid electrons are charged on the inner surfaces of the
導電層４１が殻部３８の外面３８ａ，３８ｂに設けられているため、導電性物質の溶出によって液体通路等が汚染されるといった不都合を回避できる。例えば半導体製造装置においては半導体（ワーク）の汚染等を抑制することができる。
Since the
ヒケ等の防止を目的として形成された肉盗み部３７で外部に露出している殻部３８の外面３８ａ，３８ｂに導電層４１が設けられているため、肉盗み部３７を利用して導電層を容易に形成することができる。
Since the
駆動部１３の取付面１４ａと逆側の外面３８ａに導電層４１が設けられただけの構成とすれば、その導電層４１の形成時において、液体通路３３，３４の通路端にマスキング処理等を施す必要がなく、導電層４１を容易に形成できる。
If the
本発明は上記実施形態の記載内容に限定されず、例えば次のように実施されても良い。 The present invention is not limited to the description of the above embodiment, and may be implemented as follows, for example.
上記実施の形態では、発明の実施対象を液体制御弁としたが、これをダイアフラム式ポンプに変更することも可能である。ダイアフラム式ポンプの場合、液体を吸入するポンプ室が形成され、そのポンプ室に片面が接するようにしてダイアフラム部材が設けられる。そして、ダイアフラム部材の動作によりポンプ室の容積が拡張又は縮小され、液体の吸入及び吐出が交互に行われる。すなわち、ダイアフラム部材の動作によりポンプ室の容積が拡張されることに伴い同ポンプ室内に液体が吸入され、逆にダイアフラム部材の動作によりポンプ室の容積が縮小されることに伴い同ポンプ室内の液体が吐出される。こうしたダイアフラム式ポンプの場合にも、ダイアフラム表面に帯電が生じ得るが、その表面（非接液面）に、前述のような導電層を設けることで、ダイアフラム部材の絶縁破壊を抑制することができる。 In the above embodiment, the liquid control valve is the subject of the invention, but this can be changed to a diaphragm pump. In the case of a diaphragm pump, a pump chamber for sucking liquid is formed, and a diaphragm member is provided so that one surface thereof is in contact with the pump chamber. The volume of the pump chamber is expanded or reduced by the operation of the diaphragm member, and the suction and discharge of the liquid are alternately performed. That is, the liquid is sucked into the pump chamber as the volume of the pump chamber is expanded by the operation of the diaphragm member, and conversely, the liquid in the pump chamber is reduced as the volume of the pump chamber is reduced by the operation of the diaphragm member. Is discharged. Even in the case of such a diaphragm pump, charging may occur on the surface of the diaphragm, but by providing the conductive layer as described above on the surface (non-wetted surface), it is possible to suppress the dielectric breakdown of the diaphragm member. .
その他、流体機器としては、ダイアフラム膜部やベローズといった、制御対象流体にさらされる膜部を有するものであればよく、例えば、圧力センサ、流量調整弁、開閉弁、サックバック弁等に変更することも可能である。そして、弁体としては上記実施の形態のようにダイアフラム弁体２６が用いられる他、ベローズが用いられた構成であってもよい。
In addition, any fluid device may be used as long as it has a membrane portion exposed to the fluid to be controlled, such as a diaphragm membrane portion or a bellows. For example, the fluid device may be changed to a pressure sensor, a flow rate adjustment valve, an on-off valve, a suck back valve, Is also possible. And as a valve body, the structure which used the bellows other than the
上記実施の形態では、制御対象の流体を液体とし、その液体を流通させる液体制御機器について具体的構成を説明したが、これに代えて、制御対象の流体を気体とし、その気体を流通させる気体制御機器についての具体化も可能である。例えば、制御対象となる気体として、ドライエアや窒素ガス（Ｎ2ガス）等が挙げられる。制御対象の流体を気体とする気体制御弁や気体ポンプであっても、上述したとおりダイアフラム部材の絶縁破壊を好適に抑制することができる。 In the above-described embodiment, the specific configuration of the liquid control device that uses the fluid to be controlled as a liquid and distributes the liquid has been described. Instead, the gas that controls the fluid as the control target and flows the gas. A control device can be embodied. For example, examples of the gas to be controlled include dry air and nitrogen gas (N2 gas). Even in the case of a gas control valve or a gas pump that uses a fluid to be controlled as a gas, the dielectric breakdown of the diaphragm member can be suitably suppressed as described above.
上記実施の形態では、アース線Ｅ１及びアース部材Ｅ２によって電荷放出手段が構成されているが、電荷放出手段を空中放電させる構成としてもよい。 In the above-described embodiment, the charge discharge means is configured by the ground wire E1 and the ground member E2, but the charge discharge means may be configured to discharge in the air.
上記実施の形態では、肉盗み部３７の底面のうち殻部３８の外面にだけ導電層４１が設けられているが、肉盗み部３７の底面全域に導電層４１が設けられた構成や、肉盗み部３７の底面だけでなく側壁面に導電層４１が設けられた構成を採用してもよい。また、液体通路３３，３４のうち、入口側となる通路について、その殻部３８の外面３８ａ，３８ｂにだけ導電層４１が設けられた構成であってもよい。
In the above-described embodiment, the
上記実施の形態では説明を省略したが、一般に、流路ボディ１４の外面のうち、駆動部１３の取付面１４ａと逆側の面（図の下面）は、液体制御弁１０を他の装置や部材等に取り付けるための取付板が設けられる取付板設置部となっている。この場合、その取付板を金属等の導電性材料によって形成するとともに、その取付板と導電層４１とが接触するように導電層４１を形成すれば、取付板を電荷放出手段として利用することが可能となる。また、取付板に設けられるボルト等の締結部材を電荷放出手段として利用することも可能となる。このような点から、取付板等を電荷放出手段に利用して電荷放出手段を簡素化することもできる。そうすれば、電荷放出手段を備えた流体機器の製造が容易となり、かつそのコストも低減できる。
Although the description has been omitted in the above embodiment, generally, the outer surface of the
上記実施の形態では、殻部３８の外面３８ａ，３８ｂにのみ導電層４１が設けられているが、ダイアフラム弁体２６の非接液面側にも導電層を形成し、その導電層にアース線を介してアース部材を接続してもよい。そうすれば、ダイアフラム弁体２６の帯電時に、その導電層と電荷放出手段（アース線及びアース部材）を通じて電荷を放出させることができる。これにより、ダイアフラム弁体２６の絶縁破壊をより一層抑制できる。
In the above embodiment, the
もっとも、ダイアフラム弁体２６に導電層を形成することは、ダイアフラムの特性や耐久性を低下させる等の問題があり、実際上、それを実現することは困難である。そのような観点からすれば、本実施形態のように、流路ボディ１４側に導電層４１を形成することは、膜部に影響を与えることなく前述した各効果が得られる点できわめて有効であるといえる。
However, forming a conductive layer on the
１０…液体制御弁（流体機器）、１４…流路ボディ、２６…ダイアフラム弁体（弁体）、２６ｃ…ダイアフラム膜部（膜部）、３３，３４…液体通路（流体通路）、３３ａ，３４ａ…弁体側開口部、３７…肉盗み部、３８…殻部、４１…導電層、Ｅ１…アース線（電荷放出手段）、Ｅ２…アース部材（電荷放出手段）。
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記流体通路の途中に設けられ、絶縁材料からなるとともに、前記流体通路を流通する流体に接触する流体接触面を有する膜部と、
を備えた流体機器であって、
前記流体通路の周囲の一部は殻部によって形成され、該殻部の外面には導電層が形成されるとともに、該導電層に電荷放出手段が接続されている流体機器。 A flow path body made of an insulating material and having a fluid passage through which a fluid flows; and
A film part provided in the middle of the fluid passage, made of an insulating material, and having a fluid contact surface that comes into contact with the fluid flowing through the fluid passage;
A fluidic device comprising:
A fluid device in which a part of the periphery of the fluid passage is formed by a shell portion, a conductive layer is formed on an outer surface of the shell portion, and charge discharging means is connected to the conductive layer.
前記弁体側開口部は前記流路ボディの一面に設けられ、それとは異なる面の前記殻部に前記導電層が形成されている請求項１又は２に記載の流体機器。 The fluid passage communicates with a pair of opening ports, and has a valve body side opening portion provided with a valve body for flow regulation having the membrane portion separately from both opening ports,
3. The fluid device according to claim 1, wherein the valve element side opening is provided on one surface of the flow path body, and the conductive layer is formed on the shell portion on a different surface. 4.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007326544A JP4990118B2 (en) | 2007-12-18 | 2007-12-18 | Fluid equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007326544A JP4990118B2 (en) | 2007-12-18 | 2007-12-18 | Fluid equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009150422A true JP2009150422A (en) | 2009-07-09 |
| JP4990118B2 JP4990118B2 (en) | 2012-08-01 |
Family
ID=40919769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007326544A Active JP4990118B2 (en) | 2007-12-18 | 2007-12-18 | Fluid equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4990118B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012026476A (en) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Diaphragm valve and substrate processing apparatus with the same |
| KR101626075B1 (en) * | 2013-11-11 | 2016-05-31 | 에스엠시 가부시키가이샤 | Valve apparatus |
| JP2016161120A (en) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 株式会社ショーワ | Pump device and ship propulsion machine |
| CN113661349A (en) * | 2018-04-10 | 2021-11-16 | 旭有机材株式会社 | Diaphragm valve |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1054472A (en) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Kiyoshi Takahashi | Valve unit |
| JP2003004176A (en) * | 2001-06-22 | 2003-01-08 | Tokyo Electron Ltd | Fluororesin tube with antistatic finish |
| JP2007078019A (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Advance Denki Kogyo Kk | Structure for preventing dielectric breakdown of fluid machinery |
| JP2007239918A (en) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Ltd | Diaphragm valve and substrate treating device |
-
2007
- 2007-12-18 JP JP2007326544A patent/JP4990118B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1054472A (en) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Kiyoshi Takahashi | Valve unit |
| JP2003004176A (en) * | 2001-06-22 | 2003-01-08 | Tokyo Electron Ltd | Fluororesin tube with antistatic finish |
| JP2007078019A (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Advance Denki Kogyo Kk | Structure for preventing dielectric breakdown of fluid machinery |
| JP2007239918A (en) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Ltd | Diaphragm valve and substrate treating device |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012026476A (en) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Diaphragm valve and substrate processing apparatus with the same |
| KR101626075B1 (en) * | 2013-11-11 | 2016-05-31 | 에스엠시 가부시키가이샤 | Valve apparatus |
| US9638345B2 (en) | 2013-11-11 | 2017-05-02 | Smc Corporation | Valve apparatus |
| JP2016161120A (en) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 株式会社ショーワ | Pump device and ship propulsion machine |
| CN105936333A (en) * | 2015-03-05 | 2016-09-14 | 株式会社昭和 | Pump device and ship propulsion machine |
| CN113661349A (en) * | 2018-04-10 | 2021-11-16 | 旭有机材株式会社 | Diaphragm valve |
| CN113661349B (en) * | 2018-04-10 | 2024-05-14 | 旭有机材株式会社 | Diaphragm valve |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4990118B2 (en) | 2012-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107636374B (en) | Corrugated pipe and valve component | |
| TWI351482B (en) | ||
| US7267113B2 (en) | Fluid control valve | |
| JP4981564B2 (en) | Diaphragm type fluid equipment | |
| KR101386845B1 (en) | Valve manifold assembly | |
| JP4990118B2 (en) | Fluid equipment | |
| KR102368773B1 (en) | Diaphragm valve | |
| JP2015109022A5 (en) | ||
| KR100284896B1 (en) | Suction valve | |
| JP3825342B2 (en) | Suck back valve | |
| KR20060048721A (en) | Suck back valve | |
| EP2454482B1 (en) | Dispensing pump | |
| KR20190132408A (en) | Suction device. | |
| JP2009068568A (en) | Suck-back valve | |
| KR102165250B1 (en) | Diaphragm valve | |
| US20120211096A1 (en) | Check valve and vacuum system | |
| CN113661349A (en) | Diaphragm valve | |
| JP6874232B2 (en) | Diaphragm valve | |
| US10018282B2 (en) | Flow rate adjusting device | |
| US10954934B2 (en) | Pumping installation comprising a pneumatic pump and a valve for regulating supply of the pump with compressed gas | |
| JP2007071251A (en) | Bellows seal valve | |
| EP3502532B1 (en) | Valve | |
| JP2015178896A (en) | Vacuum pressure proportional control valve, valve body, and method of forming flow passage of valve body | |
| JP5989950B2 (en) | On-off valve with detector | |
| US11105429B2 (en) | Valve device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100406 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120207 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120229 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120424 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120501 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4990118 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |