JP2009147292A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体素子6の電極部3上に突起部4を形成し、この突起部4に押し当てる構成で、光学部材7を半導体素子6上に接着剤8にて固着する。
【選択図】図1
Description
そのため、半導体素子の研磨後の導通用貫通孔形成時にエッチング時間を短縮でき、コストの安い製品を提供できる。
また、研磨時に形成された半導体素子の凹部はすり鉢状のものとなり、導通用貫通孔内部への導体層形成時のメッキ液が浸入しやすくなって、メッキ処理の歩留まりの高いものが得られる。
図1は本実施の形態の半導体装置としての半導体撮像素子の製造方法を示す工程別概略断面図である。図2は本実施の形態の半導体装置としての半導体撮像素子における導通用貫通孔部分の詳細断面図である。
2 撮像領域
3 電極部
4 突起部
5 切断線
6 半導体素子
7 光学部材
8 接着剤(透明接着部材)
9 凹部
10 貫通孔
11 貫通孔導体部(導体層)
12 外部電極(導体層)
13 はんだボール
14 絶縁膜
15 導通用貫通孔
HR1 発光領域
Claims (9)
- 1主面に突起部が接続された複数の電極部が形成された半導体素子と、
前記半導体素子に対して透明接着部材により前記突起部と前記電極部とを覆うように接着された光学部材とを有し、
前記光学部材が前記突起部に接しており、
応力に対する変位量が、前記突起部より前記透明接着部材のほうが大きく、
かつ、前記複数の電極部が、前記半導体素子に形成された導通用貫通孔を通じて、前記半導体素子の他方の面に形成された外部電極と電気的に接続されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記導通用貫通孔は、
前記電極部の直下に位置しており、
前記導通用貫通孔の側面が前記半導体素子の前記1主面となす角度として、1つの導通用貫通孔において異なる2つの角度を有している
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記導通用貫通孔は、
前記電極部の直下に位置しており、
前記導通用貫通孔の側面が前記半導体素子の前記1主面となす角度として、1つの導通用貫通孔において異なる2つの角度を有し、
それらの角度のうち前記半導体素子の他方の面に近い側の前記導通用貫通孔の側面がなす角度のほうが小さい
ことを特徴とする請求項1〜請求項2のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記突起部が、
Auよりなる金属細線の先端に形成した球状の金属を接合した構造である
ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体装置。 - 半導体ウエハ内に等間隔に仮想分割して半導体素子を複数個形成する工程と、
前記半導体ウエハの1主面上で各半導体素子ごとに複数の電極部を形成する工程と、
各電極部ごとに突起部を接続する工程と、
前記半導体ウエハに対して透明接着部材により光学部材を前記電極部と前記突起部とを覆いかつ前記突起部に接するように接着する工程と、
前記半導体ウエハの他方の面を研磨する工程と、
前記半導体ウエハの他方の面で前記電極部の直下近傍に導通用貫通孔を形成する工程と、
前記導通用貫通孔の内壁及び前記半導体ウエハの他方の面に絶縁膜を形成する工程と、
前記導通用貫通孔内壁の絶縁膜上および前記導通用貫通孔内壁に続く前記半導体ウエハの他方の面の絶縁膜上の一部に導体層を形成することにより、前記導体層の前記半導体ウエハの他方の面側を外部電極として、前記導体層を通じて前記電極部と電気的に接続する工程と、
前記半導体ウエハを各半導体素子ごとに分割切断することにより、半導体装置を個片化する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体ウエハの他方の面の研磨時に、
前記突起部の直下の前記半導体ウエハに前記導通用貫通孔の一部となる凹部を形成することを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。 - 前記導通用貫通孔は前記電極部の直下に位置させ、
前記導通用貫通孔の側面が前記半導体素子の前記1主面となす角度として、前記凹部の側面と前記導通用貫通孔の凹部以外の部分が異なる角度である
ことを特徴とする請求項5〜請求項6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記導通用貫通孔は前記電極部の直下に位置させ、
前記導通用貫通孔の側面が前記半導体素子の前記1主面となす角度として、前記凹部の側面と前記導通用貫通孔の凹部以外の部分が異なる角度であり、その角度は前記凹部のほうが小さい
ことを特徴とする請求項5〜請求項7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記突起部は、
Auよりなる金属細線の先端に形成した球状の金属を接合した構造とする
ことを特徴とする請求項5〜請求項8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (4)
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---|---|---|---|---|
US8138020B2 (en) * | 2010-03-25 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | Wafer level integrated interconnect decal and manufacturing method thereof |
CN102386306B (zh) * | 2010-08-27 | 2016-04-13 | 比亚迪股份有限公司 | 一种led芯片的封装方法及封装结构 |
WO2018198753A1 (ja) * | 2017-04-24 | 2018-11-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
US11309273B2 (en) * | 2017-05-19 | 2022-04-19 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Electronic module |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005022631A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Fujikura Ltd. | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
JP2005209967A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Sharp Corp | 半導体装置、光学装置用モジュール及び半導体装置の製造方法 |
JP2006108328A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
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---|---|---|---|---|
JP2002094082A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-03-29 | Seiko Epson Corp | 光素子及びその製造方法並びに電子機器 |
JP4000507B2 (ja) * | 2001-10-04 | 2007-10-31 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
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US8368096B2 (en) * | 2005-01-04 | 2013-02-05 | Aac Technologies Japan R&D Center Co., Ltd. | Solid state image pick-up device and method for manufacturing the same with increased structural integrity |
JP2007250739A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置 |
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Patent Citations (3)
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---|---|---|---|---|
WO2005022631A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Fujikura Ltd. | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
JP2005209967A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Sharp Corp | 半導体装置、光学装置用モジュール及び半導体装置の製造方法 |
JP2006108328A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010058503A1 (ja) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | パナソニック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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