JP2009146919A - Method of determining exposure position - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、半導体装置の製造工程中の、フォトリソグラフィ工程において、レジスト層の露光位置を決定する方法に関する。 The present invention relates to a method for determining an exposure position of a resist layer in a photolithography process during a manufacturing process of a semiconductor device.
従来周知の通り、多層構造の半導体装置を製造する際には、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により、下地上に既に形成された下層のパターンに対応させて、上層のパターンを形成する。 As is conventionally known, when a semiconductor device having a multilayer structure is manufactured, an upper layer pattern is formed by a photolithography process and an etching process so as to correspond to a lower layer pattern already formed on the base.
フォトリソグラフィ工程では、まず、下層の上側に形成された材料層にレジストを塗布して、レジスト層を形成する。次に、フォトマスクを用いてレジスト層に対する露光を行った後、現像を行う。この現像により露光箇所が除去されることによって、レジスト層に、間隔としてのレジストパターンが形成される。 In the photolithography process, first, a resist is applied to the material layer formed on the upper side of the lower layer to form a resist layer. Next, the resist layer is exposed using a photomask and then developed. By removing the exposed portion by this development, a resist pattern as an interval is formed in the resist layer.
エッチング工程では、得られたレジストパターン付きレジスト層をマスクとして用いた異方性のエッチングを行うことによって、レジストパターンを材料層に転写して、所定のパターンの上層を形成する。 In the etching step, anisotropic etching is performed using the obtained resist layer with a resist pattern as a mask, whereby the resist pattern is transferred to the material layer to form an upper layer of a predetermined pattern.
フォトマスクを用いた露光の際には、下地を保持したウエハステージと、露光用のフォトマスク(レチクル)を保持したレチクルステージとの相対的な位置調整、すなわちアライメントを行う。アライメントでは、下地上とフォトマスクとの双方に形成されたアライメントマークを光学的に検出して、下地とフォトマスクとの位置合わせが行われる。 At the time of exposure using a photomask, relative position adjustment, that is, alignment, is performed between the wafer stage holding the base and the reticle stage holding the exposure photomask (reticle). In the alignment, alignment marks formed on both the base and the photomask are optically detected to align the base and the photomask.
多層構造の半導体装置を製造する場合には、各層間の重ね合わせの位置精度が、製造される半導体装置の歩留まりに影響を与える。そこで、上述したアライメントマークとは別に、重なり合う下層と上層とのパターンの形状に応じて、下層に位置決めマークを形成する必要がある。そして、この位置決めマークに基づいて、上層のパターンの位置決め、すなわちレジスト層に形成するレジストパターンの位置決めを行う(例えば、特許文献1参照)。 In the case of manufacturing a semiconductor device having a multilayer structure, the positional accuracy of the overlap between the respective layers affects the yield of the manufactured semiconductor device. Therefore, apart from the alignment marks described above, it is necessary to form positioning marks in the lower layer according to the pattern shapes of the overlapping lower layer and upper layer. Based on the positioning marks, the upper layer pattern is positioned, that is, the resist pattern formed on the resist layer is positioned (see, for example, Patent Document 1).
ここで、例えば図8(A)に示すような、下地101上の素子領域103に、メモリセル領域105と周辺回路領域107とを具える下層109の上側に、続く上層を形成する場合のレジストパターンの位置決め方法について説明する。この方法では、図8(A)に示す構造体の形成工程中に、素子領域103以外の領域、例えば下地101のスクライブライン領域に、上述した位置決めマークを形成する。そして、この位置決めマークを用いて、レジストパターンの位置決めを行う。
Here, for example, as shown in FIG. 8A, in the
そこで、まず、図8(A)に示す構造体を得るための形成工程(以下、素子形成工程とも称する)について簡単に説明する。この形成工程は、第1工程から第4工程までを含んでいる。以下、第1工程から順に各工程につき説明する。 Therefore, first, a formation process for obtaining the structure shown in FIG. 8A (hereinafter also referred to as an element formation process) will be briefly described. This forming step includes the first step to the fourth step. Hereinafter, each step will be described in order from the first step.
図7(A)〜(C)は、素子形成工程を説明する工程図である。図8(A)及び(B)は、図7(C)に続く工程図である。これらの図は、それぞれ、各製造段階で得られた構造体の断面の切り口を示してある。 7A to 7C are process diagrams illustrating an element formation process. 8A and 8B are process diagrams following FIG. 7C. Each of these figures shows a cut section of the cross section of the structure obtained in each manufacturing stage.
まず、第1工程では、下地101の上側表面101a(以下、下地面101aとも称する)のメモリセル領域105にメモリセル用第1導体層111a(以下、単に第1導体層111aとも称する)を、また周辺回路領域107に周辺回路用第1導体層111b(以下、単に第1導体層111bとも称する)を形成して、図7(A)に示すような構造体を得る。
First, in the first step, the memory cell
第1導体層111a及び111bは、まず、下地面101aを被覆する一体的な第1導体層の材料層を堆積し、その後、この材料層を周知のエッチング技術によってパターニングすることによって形成される。このパターニングによって、第1導体層111aには、下地面101aを露出させかつ間隔長W3を有する間隔113が除去形成される。尚、図7(A)では、第1導体層111aに、間隔113が、間隔長W3方向に一定間隔で複数形成された構成例を示している。
The
また、この形成工程では、例えば、第1導体層111a間の間隔が狭く、かつ周知のセルフアラインコンタクトエッチング法を適用する場合には、第1導体層111(111a,111b)を含む下地101の全面に導体保護膜115を形成するのが好ましい。尚、図7(A)では、導体保護膜115を形成した場合の構成例を示している。
Further, in this formation step, for example, when the interval between the
導体保護膜115は、メモリセル領域105を被覆する導体保護膜115a、及び周辺回路領域107を被覆する導体保護膜115bを含む一体的な膜として形成される。
The conductor
また、導体保護膜115aは、第1導体層111aの上側表面111aaを覆う第1導体保護膜115aa、間隔113の第1間隔長方向に対向する内側側面113a及び113bを覆う第2導体保護膜115ab、及び間隔113から露出した下地面101aの露出面101aaを覆う第3導体保護膜115acを含む。
The conductor
また、導体保護膜115bは、第1導体層111bの上側表面111baを覆う第1導体保護膜115ba、第1導体層111bの間隔113の間隔長W3方向に対向する両側側面を覆う第2導体保護膜115bb、及び下地面101aを覆う第3導体保護膜115bcを含む。
In addition, the conductor
ここで、導体保護膜115を形成した場合には、間隔長W3は、間隔113内において、対向する両側の第2導体保護膜115ab間の離間距離とする。
Here, when the conductor
次に、第2工程では、間隔113を埋め込むとともに、第1導体層111及び導体保護膜115を含む下地101の全面を覆うように第1絶縁体層117を形成して、図7(B)に示すような構造体を得る。
Next, in the second step, the
次に、第3工程では、メモリセル領域105において、第3導体保護膜115ac、及び第3導体保護膜115acの上側に存在する、第1絶縁体層117の領域層を除去する。この除去によって、除去された領域部分に第4間隔119を除去形成して、図7(C)に示すような構造体を得る。ここで、第4間隔119の間隔長、すなわち間隔長W4は、間隔長W3よりも大きい値に設定する。
Next, in the third step, in the
次に、第4工程では、第4間隔119を埋め込むように第2導体層121を形成して、図8(A)に示すような構造体を得る。
Next, in the fourth step, the
第2導体層121は、上側表面121aが第1絶縁体層117の上側表面117aと同一面位置となるように形成される。そして、この工程によって、第1導体層111、導体保護膜115、第1絶縁体層117、及び第2導体層121を含む下層109が形成される。
The
このように形成された、図8(A)に示すような構造体において、例えばメモリセル領域105の第2導体層121と、周辺回路領域107の第1導体層111bを電気的に導通させるためには、第2導体層121及び第1導体層111bの上側に、それぞれ新たな導体層を形成し、これらを、下層109の上側に形成される上層において接続する必要がある。
In the structure as shown in FIG. 8A formed as described above, for example, the
そのために、まず下層109の全面に、下層109と、後に形成される上層との層間絶縁体層として、第2絶縁体層123を形成する。次いで、第2絶縁体層123の上側全面を覆うようにレジストを塗布することによりレジスト層125を形成する。更に、レジスト層125を用いて、上述したフォトリソグラフィ工程を行う。そして、このフォトリソグラフィ工程によって、位置決めされ、レジスト層125に形成されたレジストパターンに対応して、メモリセル領域105では、第2導体層121の上側に、第2導体層121と後に形成される上層とを導通する導体層を形成するための、第5間隔127aが空けられる。また、同時に、周辺回路領域107では、第1導体層111bの上側に、第1導体層111bと後に形成される上層とを導通する導体層を形成するための、第5間隔127bが空けられる(図8(B)参照)。
For this purpose, first, a
ここで、既に説明したように、多層構造の半導体装置を製造する場合には、各層間の重ね合わせの位置精度が、製造される半導体装置の歩留まりに影響を与える。すなわち、図8(B)に示す構成例の場合には、第5間隔127aと第2導体層121、及び第5間隔127bと第1導体層111bの、重ね合わせを高精度で行う必要がある。そのために、フォトリソグラフィ工程において、レジスト層125に形成するレジストパターンの位置決め、すなわちレジスト層125の露光位置の位置決めを正確に行うことが重要である。
Here, as described above, when a semiconductor device having a multilayer structure is manufactured, the positional accuracy of the overlap between the respective layers affects the yield of the manufactured semiconductor device. That is, in the case of the configuration example shown in FIG. 8B, it is necessary to superimpose the
そこで、図8(B)に示す構成例において、レジスト層125に形成するレジストパターンの位置決めを行うためには、例えば間隔113の形状に対応した位置決めマーク(以下、第1位置決めマークとも称する)、または、第4間隔119の形状、すなわち第2導体層121の形状に対応した位置決めマーク(以下、第2位置決めマークとも称する)を素子領域103外の領域に形成し、これら位置決めマークを基準としてレジストパターンの位置決めを行うことが予測される。以下、このような予測ケースにおける第1位置決めマーク及び第2位置決めマークについて説明する。
Therefore, in the configuration example shown in FIG. 8B, in order to position the resist pattern formed on the resist
第1位置決めマーク129は、第1導体層111aと同じ形状の第1膜131を含む(図9(A)参照)。
The
この第1位置決めマーク129は、上述した第1工程において、メモリセル領域105に形成される第1導体層111aと同時に、かつ同様の方法で例えばスクライブライン領域135に形成される。従って、第1膜131は、第1導体層111aと同じ膜厚で形成され、かつ第3間隔長W3を有した間隔113に対応し、第1間隔長W1を有した間隔137を有している。
The
ここで、上述した第1工程において、導体保護膜115aを形成した場合には、導体保護膜115aと同じ形状及び寸法のサブ保護膜133を、このサブ保護膜133及び第1膜131が、導体保護膜115a及び第1導体層111aと同じ配置関係となるように形成する。尚、図9(A)では、サブ保護膜133を形成した場合の構成例を示している。
Here, when the conductor
このような第1位置決めマーク129を、位置決めマークとして用いて、レジストパターンの位置決めを行う場合には、この第1位置決めマーク129を光学的に検出することによって、第3間隔113(図8(B)参照)の位置を認識する。そして、認識された第3間隔113の位置を、第2導体層121の位置と見なし、この位置を基準とし、第1導体層111bの位置を決定して、レジスト層125を露光し、第5間隔127a及び127b(図8(B)参照)を形成するためのレジストパターンを開口する。
When such a
また、第2位置決めマーク139は、第2導体層121と同じ形状の第2膜141を含む(図9(B)参照)。
Further, the
この第2位置決めマーク139は、上述した第4工程において、メモリセル領域105に形成される第2導体層121と同時に、かつ同様の方法で例えばスクライブライン領域135に形成される。すなわち、第1絶縁体層117に、既に説明した間隔長W4を有する間隔を空け、この間隔を埋め込むように第2膜141を形成する。従って、第2膜141は、第2導体層121と同じ膜厚で、かつ第2間隔長W2を有したホールを埋め込んで形成される。
The
このような第2位置決めマーク139を、位置決めマークとして用いて、レジストパターンの位置決めを行う場合には、この第2位置決めマーク139を光学的に検出することによって、第2導体層121(図8(B)参照)の位置を認識する。そして、認識された第2導体層121の位置を第3間隔113の位置と見なす。そして、この第3間隔113の位置を基準とし、第1導体層111bの位置を決定して、レジスト層125を露光し、第5間隔127a及び127bを形成するためのレジストパターンを開口する。
When the resist pattern is positioned using such a
図8(B)に示す構成例において、レジストパターンを開口する場合には、上述した、第1位置決めマークまたは第2位置決めマークのいずれか一方を形成して、その位置決めマークを用いることによって、レジストパターンの開口位置を決定することが考えられる。
しかしながら、第1位置決めマークまたは第2位置決めマークのいずれか一方を用いて、図8(B)に示す構成例におけるレジストパターンの露光位置を決定する方法では、上述した第4間隔119が第3間隔113からずれて、すなわちオフセットして空けられた場合、すなわち第4間隔119内に形成される第2導体層121と第3間隔113とがずれて形成された場合に、レジスト層125の露光位置、すなわちレジストパターンの開口位置にずれが生じる。
However, in the method of determining the exposure position of the resist pattern in the configuration example shown in FIG. 8B using either the first positioning mark or the second positioning mark, the above-described
すなわち、第1位置決めマーク129を用いて位置決めを行う方法では、第3間隔113の位置を第2導体層121の位置と見なして位置決めを行うため、第2導体層121が第3間隔113からオフセットしている場合に、このオフセットした第2導体層121と第5間隔127aとに合わせずれが生じる。
That is, in the method of positioning using the
また、第2位置決めマーク139を用いて位置決めを行う方法では、第2導体層121の位置を基準として位置決めを行うため、第2導体層121が第3間隔113からずれている場合に、このずれた第2導体層121を基準として位置決めされた第1導体層111bと第5間隔127bとに合わせずれが生じる。
Further, in the method of positioning using the
この発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり。従って、この発明の目的は、第2導体層121及び第3間隔113にずれが生じている場合であっても、第2導体層121と第5間隔127aと、及び第1導体層111bと第5間隔127bとの双方において、合わせずれを抑えてレジスト層125の露光位置の決定方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-described problems. Accordingly, the object of the present invention is to provide the
そこで、上述の目的の達成を図るため、この発明の第1の要旨による露光位置決定方法は、以下の過程を含む。 In order to achieve the above object, the exposure position determination method according to the first aspect of the present invention includes the following steps.
すなわち、まず、第1過程では、下地上の第1膜に空けられた、下地面を露出させかつ第1間隔長を有する第1間隔を埋め込んで、第1膜を被覆する第2膜を形成する。 That is, first, in the first process, the second film that covers the first film is formed by filling the first gap that is exposed in the first film on the foundation, exposes the foundation surface, and has the first gap length. To do.
次に、第2過程では、第2膜に、上述した下地面を露出させ、かつ第1間隔長と等しい長さ及び方向の第2間隔長を有する第2間隔を空ける。 Next, in the second process, the second film is exposed to the above-described base surface, and a second gap having a length equal to the first gap length and a second gap length in the direction is provided.
次に、第3過程では、第2間隔に、上側表面が第2膜の上側表面と同一面位置となるように第3膜を埋め込む。 Next, in the third step, the third film is embedded in the second interval so that the upper surface is flush with the upper surface of the second film.
次に、第4過程では、下地面に対して垂直方向から可視光を照射し、この可視光の反射光の、第2膜及び第3膜の膜厚の変化に基づく段差に対応した、第1間隔長方向に沿った光強度分布を測定する。 Next, in the fourth process, visible light is irradiated from a direction perpendicular to the base surface, and the reflected light of the visible light corresponds to the step difference based on the change in film thickness of the second film and the third film. The light intensity distribution along the one-interval length direction is measured.
次に、第5過程では、光強度分布の光強度の最小値と最大値との中間値における、第1間隔長方向に沿った光強度分布の中点を、第3膜の中心位置として認識する。 Next, in the fifth process, the middle point of the light intensity distribution along the first interval length direction at the intermediate value between the minimum value and the maximum value of the light intensity distribution is recognized as the center position of the third film. To do.
また、この発明の第2の要旨による露光位置決定方法は、以下の過程を含む。 An exposure position determination method according to the second aspect of the present invention includes the following steps.
すなわち、まず、上述した第1の要旨による露光位置決定方法と同様の第1過程から第4過程までを行い光強度分布を測定する。 That is, first, the light intensity distribution is measured by performing from the first process to the fourth process similar to the exposure position determination method according to the first aspect described above.
ここで、第1間隔に対し第2間隔が、第1間隔長方向にオフセットした状態では、それぞれの光強度分布は、下地上の層領域として、第1層領域、第2層領域、第3層領域、第4層領域、及び第5層領域に対応する。ここで、第1層領域では、第1膜と第2膜の部分とが積層している。第2層領域は、第3膜のうちの下地と接触する上側の部分からなる。第3層領域は、第1層領域及び第2層領域間の第2膜の部分からなる。第4層領域では、第1膜の部分と第3膜の部分とが積層している。第5層領域では、第1膜の部分と第2層領域の部分とが積層している。 Here, in a state where the second interval is offset in the first interval length direction with respect to the first interval, the respective light intensity distributions are the first layer region, the second layer region, the third layer as the layer region on the base. This corresponds to the layer region, the fourth layer region, and the fifth layer region. Here, in the first layer region, the first film and the second film are stacked. The second layer region is composed of an upper portion of the third film that contacts the base. The third layer region includes a portion of the second film between the first layer region and the second layer region. In the fourth layer region, the first film portion and the third film portion are laminated. In the fifth layer region, the first film portion and the second layer region are stacked.
また、光強度分布は、第1層領域及び第5層領域において光強度の最大値をとり、第2層領域において光強度の最小値をとり、これら最大値及び最小値を結ぶ第3層領域において光強度が連続的に変化した第1傾斜光強度分布部を含み、最大値及び最小値を結ぶ第4層領域において光強度が連続的に変化した第2傾斜光強度分布部を含む。 The light intensity distribution takes a maximum value of light intensity in the first layer region and the fifth layer region, takes a minimum value of light intensity in the second layer region, and a third layer region connecting these maximum value and minimum value. Includes a first gradient light intensity distribution portion in which the light intensity continuously changes, and a second gradient light intensity distribution portion in which the light intensity continuously changes in the fourth layer region connecting the maximum value and the minimum value.
第5過程では、このような光強度分布を利用して、第1傾斜光強度分布部及び第2傾斜光強度分布部の傾きの絶対値の差を算出する。 In the fifth process, using such a light intensity distribution, a difference between absolute values of inclinations of the first inclined light intensity distribution part and the second inclined light intensity distribution part is calculated.
次に、第6過程では、予め作成しておいた、傾きの絶対値の差対オフセット量の参照データを参照して、傾きの絶対値の差からオフセット量を算出することによって、第3膜の中心位置を認識する。 Next, in the sixth step, the third film is calculated by calculating the offset amount from the difference between the absolute values of the slopes with reference to the reference data of the absolute value of the slopes versus the offset amount that has been created in advance. Recognize the center position.
ここで、参照データは以下のように作成される。すなわち、まず、第1過程から第3過程までによって得られる構造体と同様の参照用構造体を形成する。この参照用構造体は、第1間隔に対応する参照用第1間隔と、第2間隔に対応する参照用第2間隔との間隔長方向に沿ったオフセット量を変化させて複数形成される。次に、これら各参照用構造体に対して上述した第4過程と同様の過程を行うことによって、光強度分布をそれぞれ測定する。そして、この測定結果から、第1傾斜光強度分布部及び第2傾斜光強度分布部の傾きの絶対値の差に対する、それぞれのオフセット量を記録することによって作成する。 Here, the reference data is created as follows. That is, first, a reference structure similar to the structure obtained by the first process to the third process is formed. A plurality of the reference structures are formed by changing the offset amount along the interval length direction between the first reference interval corresponding to the first interval and the second reference interval corresponding to the second interval. Next, the light intensity distribution is measured by performing the same process as the above-described fourth process on each of the reference structures. And it produces by recording each offset amount with respect to the difference of the absolute value of the inclination of a 1st inclination light intensity distribution part and a 2nd inclination light intensity distribution part from this measurement result.
第1の要旨による露光位置決定方法によれば、第2工程において、第1膜に空けられた第1間隔を埋め込んで形成された第2膜の層領域に、第2間隔を空ける。そして、第3工程において、第2間隔を埋め込むように第3膜を形成する。ここで、第1間隔と第3膜との配置関係は、背景技術において上述したが第3間隔113と第2導体層121との配置関係に対応する(図8(A)参照)。第1の要旨による露光位置決定方法では、これら第3間隔113及び第2導体層121を、可視光の反射光による強度分布として検出する。
According to the exposure position determination method according to the first aspect, in the second step, the second interval is provided in the layer region of the second film formed by filling the first interval provided in the first film. In the third step, a third film is formed so as to fill the second interval. Here, the arrangement relationship between the first interval and the third film corresponds to the arrangement relationship between the
ここで、第2工程において、第2間隔が第1間隔から第1間隔長方向にオフセットして空けられた場合には、第2間隔を埋め込んで形成される第3膜も、第1間隔からずれて形成される。そして、第3膜は、第2間隔が第1間隔からずれた距離分だけ、すなわちオフセット量だけオフセット方向の第1膜上に形成される。そのため、第3膜は、異なる膜厚を有した、下地面上に存在する層領域及び第1膜上に存在する層領域を含む。 Here, in the second step, when the second interval is offset from the first interval in the first interval length direction, the third film formed by embedding the second interval is also separated from the first interval. Formed out of alignment. Then, the third film is formed on the first film in the offset direction by the distance that the second interval is shifted from the first interval, that is, by the offset amount. For this reason, the third film includes a layer region existing on the base surface and a layer region existing on the first film having different film thicknesses.
また、第2間隔が第1間隔から第1間隔長方向にオフセットして空けられた場合には、第1間隔内を埋め込む第2膜の領域部分が残存する。そのため、第2膜は、異なる膜厚を有した、第1間隔内に残存する層領域及び第1膜上に存在する層領域を含む。 In addition, when the second interval is offset from the first interval in the first interval length direction, the region portion of the second film that fills the first interval remains. Therefore, the second film includes a layer region having a different film thickness and remaining in the first interval and a layer region existing on the first film.
そして、第1の要旨による露光位置決定方法では、このような第3膜の膜厚の変化に基づく段差に対応した、光強度分布を測定する。従って、測定された光強度分布には、第1間隔と第3膜とのオフセット量が反映される。第1の要旨による露光位置決定方法では、このようにオフセット量が反映された光強度分布の、最小値と最大値との中間の値における、第1間隔長方向に沿った光強度分布の中点を、第3膜の中心位置として認識する。これによって、第1間隔と第3膜とにオフセットが生じている場合において、これら第1間隔と第3膜とのオフセット量の中間の値を、第3膜の中心位置として認識することができる。従って、第1の要旨による露光位置決定方法によって認識された第3膜の中心位置を用いて、例えば上述した第2導体層121の位置決めを行えば、上述した図8(B)に示す構成例におけるレジスト層125の露光位置を決定する際に、第2導体層121及び第1導体層111bの双方に対して、第5間隔127a及び127bとの合わせずれを小さく抑えるように、レジスト層の露光位置を決定することができる。
In the exposure position determination method according to the first aspect, the light intensity distribution corresponding to the step based on the change in the film thickness of the third film is measured. Accordingly, the measured light intensity distribution reflects the offset amount between the first interval and the third film. In the exposure position determination method according to the first aspect, in the light intensity distribution along the first interval length direction in the intermediate value between the minimum value and the maximum value of the light intensity distribution reflecting the offset amount in this way. The point is recognized as the center position of the third film. As a result, when there is an offset between the first interval and the third film, an intermediate value of the offset amount between the first interval and the third film can be recognized as the center position of the third film. . Therefore, if the
また、第2の要旨による露光位置決定方法によれば、第1の要旨による露光位置決定方法と同様の第1過程から第4過程までを、第1間隔に対し第2間隔を、第1間隔長方向にオフセットさせながら、複数回行うことによって、光強度分布をそれぞれ測定する。そして、これらの光強度分布を用いて、第1傾斜光強度分布部及び第2傾斜光強度分布部の傾きの絶対値の差に対する、それぞれオフセット量を記録し参照データを作成する。 Further, according to the exposure position determination method according to the second aspect, the first interval to the fourth step, which are the same as the exposure position determination method according to the first aspect, are set with the second interval relative to the first interval. Each of the light intensity distributions is measured by performing a plurality of times while offsetting in the long direction. Then, using these light intensity distributions, offset amounts are recorded for the difference between the absolute values of the inclinations of the first inclined light intensity distribution portion and the second inclined light intensity distribution portion, and reference data is created.
第2の要旨による露光位置決定方法では、この参照データを参照することによって、第1傾斜光強度分布部及び第2傾斜光強度分布部の傾きの絶対値の差から、オフセット量を算出することができる。オフセット量から第3膜の中心位置を認識する。 In the exposure position determination method according to the second aspect, the offset amount is calculated from the difference between the absolute values of the inclinations of the first inclined light intensity distribution portion and the second inclined light intensity distribution portion by referring to the reference data. Can do. The center position of the third film is recognized from the offset amount.
従って、第2の要旨による露光位置決定方法では、算出されたオフセット量に基づいて、オフセットした第1間隔と第3膜と間の中間の位置を、第3膜の中心位置として認識することができる。そして、算出したオフセット量から、例えばオフセット量の1/2の値、すなわちオフセットした第1間隔の中心位置と、第3膜の中心位置との離間距離の中点を、第3膜の中心位置として認識することができる。従って、第2の要旨による露光位置決定方法では、第1間隔と第3膜とにオフセットが生じている場合において、認識された第3膜の中心位置を用いて、例えば上述した第2導体層121の位置決めを行えば、上述した図8(B)に示す構成例におけるレジスト層の露光位置を決定する際に、第2導体層121及び第1導体層111bの双方に対して、第5間隔127a及び127bとの合わせずれを最小に抑えるように、レジスト層の露光位置を決定することができる。
Therefore, in the exposure position determination method according to the second aspect, based on the calculated offset amount, an intermediate position between the offset first interval and the third film can be recognized as the center position of the third film. it can. Then, from the calculated offset amount, for example, the value of ½ of the offset amount, that is, the midpoint of the separation distance between the offset center position of the first interval and the center position of the third film is the center position of the third film. Can be recognized as. Therefore, in the exposure position determination method according to the second aspect, when the offset is generated between the first interval and the third film, the above-described second conductor layer is used by using the recognized center position of the third film, for example. If the positioning of 121 is performed, when the exposure position of the resist layer in the configuration example shown in FIG. 8B described above is determined, the fifth interval with respect to both the
以下、図面を参照して、この発明による実施の形態に係る露光位置決定方法について説明する。尚、各図は、この発明が理解できる程度に、各構成要素の形状、大きさ、及び配置関係を概略的に示してあるに過ぎない。従って、この発明の構成は、何ら図示の構成例にのみ限定されるものではない。 Hereinafter, an exposure position determination method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Each figure only schematically shows the shape, size, and arrangement relationship of each component to the extent that the present invention can be understood. Therefore, the configuration of the present invention is not limited to the illustrated configuration example.
〈第1の実施の形態〉
第1の実施の形態では、下地の素子領域以外の領域、例えばスクライブライン領域に、第1膜、第2膜、及び第3膜を形成し、これらを用いてレジスト層の露光位置を決定する露光位置決定方法について説明する。この露光位置決定方法は、第1過程から第5過程までを含んでいる。
<First Embodiment>
In the first embodiment, a first film, a second film, and a third film are formed in a region other than the underlying element region, for example, a scribe line region, and the exposure position of the resist layer is determined using these. An exposure position determination method will be described. This exposure position determination method includes a first process to a fifth process.
また、この実施の形態では、第1過程から第5過程までの各過程を、下地の素子領域における素子形成工程、すなわち、上述した背景技術において説明した第1工程から第4工程と並行して、同じ下地の素子領域以外の領域に対して行う。そこで、以下、第1工程から第4工程とともに、各過程につき説明する。 In this embodiment, each process from the first process to the fifth process is performed in parallel with the element formation process in the underlying element region, that is, the first process to the fourth process described in the background art described above. This is performed for regions other than the same underlying element region. Therefore, each process will be described below together with the first process to the fourth process.
尚、素子形成工程における第1工程から第4工程については、上述した背景技術と同様であるため、共通する構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。 Since the first to fourth steps in the element forming step are the same as those in the background art described above, common constituent elements are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
図1は、この発明の第1の実施の形態を説明する工程図である。また、図2は、図1に続く工程図である。また、図3は、図2に続く工程図である。また、図4は、図3に続く工程図である。これらの各図は、それぞれ、各段階で得られた構造体の断面を切り口で示してある。 FIG. 1 is a process diagram for explaining a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a process diagram following FIG. FIG. 3 is a process diagram following FIG. FIG. 4 is a process diagram following FIG. In each of these drawings, the cross section of the structure obtained at each stage is shown by a cut.
ここで、既に説明したようにこの実施の形態における各過程は、上述の第1工程から第4工程と同じ下地の、異なる領域に対して行われる。そこで、この実施の形態における各過程及び上述の第1工程から第4工程(以下、素子形成工程とも称する)において、共通して用いられる下地は、重複した符号を付して下地101と記載する。
Here, as already described, each process in this embodiment is performed on a different region of the same base as in the first to fourth processes described above. Therefore, in each process in this embodiment and the above-described first to fourth steps (hereinafter also referred to as element forming steps), a common base is denoted by a duplicated
また、既に説明したようにこの実施の形態における各過程は、下地101の、例えばスクライブライン領域に対して行われる。そこで、この第1の実施の形態では、スクライブライン領域において、各過程を行う場合について説明する。
Further, as already described, each process in this embodiment is performed on, for example, the scribe line region of the
まず、第1過程では、スクライブライン領域19において、下地101上の第1膜13に空けられた、下地面101aを露出させかつ第1間隔長W1を有する第1間隔15を埋め込んで、第1膜13を被覆する第2膜17を形成して、図1に示すような構造体を得る。
First, in the first process, in the
また、この実施の形態では、第1過程を行う際に、同時に、メモリセル領域105及び周辺回路領域107を含む素子領域103において、上述した素子形成工程における第1工程から第2工程までを行う。第1工程では、素子領域103に第1導体層111a及び第1導体層111bを含む第1導体層111を形成する。すなわち、メモリセル領域105の下地面101aに、下地面101aを露出させ、かつ第1間隔長と等しい方向の第3間隔長W3を有する第3間隔113が空けられたメモリセル用第1導体層111aを、また周辺回路領域107の下地面101aに周辺回路用第1導体層111bをそれぞれ形成する。しかる後、第2工程では、第3間隔113を埋め込むとともに、第1導体層111を含む下地101の全面を被覆する第1絶縁体層117を形成する(図1参照)。
In this embodiment, when the first process is performed, the first step to the second step in the above-described element formation step are simultaneously performed in the
下地101は、従来周知の半導体基板であり、例えば、Si基板、SOI基板、その他の半導体基板の中から設計に応じて好適なものを用いればよい。図1に示す構成例では、下地101として、Si基板を用いていた場合を示している。そこで、以下、下地101をSi基板101とも称する。
The
また、下地101は、既に説明したように、背景技術において用いた下地101と同じものを用いる。すなわち、下地101は、メモリセル領域105及び周辺回路領域107を含む、素子領域103を有している。更に、下地101は、この素子領域103の外周部に、素子領域103を囲んで形成されている、素子領域103間を電気的に分離するスクライブライン領域19を有している。
Further, as already described, the
第1膜13は、素子形成工程の第1工程においてメモリセル領域105に形成される、第1導体層111aに対応して、スクライブライン領域19に形成されている。この第1膜13に空けられた第1間隔15は、第1導体層111aに空けられた第3間隔113に対応する位置決めマークとして機能する。そのために、第1膜13と第1導体層111とは、同時に、かつ同様の方法で形成される。より具体的には、まず、例えばタングステン等の材料層を、周知のCVD法を用いて、均一な膜厚で下地面101aの全面を被覆するように堆積する。その後、この材料層を周知のエッチング技術を用いて、パターニングすることによって、素子領域103に第1導体層111が、また、スクライブライン領域19に第1膜13がそれぞれ形成される。このとき、第1膜13に空けられた第1間隔15が、第3間隔113の位置決めマークとして機能するために、第1膜13と第1導体層111aとが同じ形状となるように、材料層をパターニングする。そして、第1間隔15では、第1膜13から、下地面101aの露出面111abが露出している。そして、第1間隔15の第1間隔長W1及び第3間隔113の第3間隔長W3は、等しい間隔長方向に設定される。
The
第1膜13は、例えば170nm程度の膜厚で形成するのが好ましい。また、その場合には、第1間隔長W1は、例えば0.80〜2.0μm程度に設定するのが好ましい。
The
また、第1導体層111aは、例えば170nmの膜厚で形成するのが好ましい。また、その場合には、第3間隔長W3は、例えば0.10〜0.20μm程度に設定するのが好ましい。
The
また、第1導体層111bは、例えば170nmの膜厚で形成するのが好ましい。
The
ここで、第1導体層111aは、メモリセル105領域において、メモリセルゲート素子として、また、第1導体層111bは、周辺回路領域107において、周辺回路ゲート素子としてそれぞれ機能する。
Here, the
また、この実施の形態では、第1導体層111a及び第1導体層111bの形成前に、下地101に対してP型またはN型のいずれかの導電型を有する第1導電型の不純物を導入しておく。
Further, in this embodiment, before forming the
そして、第1導体層111a及び第1導体層111bの形成後に、これら第1導体層111a及び第1導体層111bをマスクとして用い、第1導電型とは逆の導電型である、第2導電型を有する不純物を、下地101に対して導入する。その結果、下地101の第1導体層111a及び第1導体層111bの下側の領域は、第2導電型の不純物が導入されない非導入領域となる。従って、第1導体層111a及び第1導体層111bの下側は、第2導電型の不純物が導入されずに、第1導電型不純物領域として残存する。この残存した第1導電型不純物領域は、メモリセル105領域においてチャネル領域112a、また周辺回路領域107においてチャネル領域112bとなる。一方、このチャネル領域112a及び112bを挟むように、第2導電型の不純物が導入された下地101の領域は、メモリセル105領域においてソースまたはドレインとして機能する主電極領域114a、また周辺回路領域107においてソースまたはドレインとして機能する主電極領域114bとなる。
Then, after the formation of the
また、素子形成工程の第1工程において、素子領域103に導体保護膜115を形成する場合、すなわちメモリセル領域105に導体保護膜115aを形成する場合には、スクライブライン領域19にも、導体保護膜115aに対応するサブ保護膜21を形成する。尚、図1の構成例では、サブ保護膜21を形成した場合を示している。
Further, in the first step of the element formation process, when the conductor
導体保護膜115aは、メモリセル領域105において、第1導体層111aと、後の第4工程において形成される第2導体層との、電気的な短絡を防止するために形成される。ここで、第1間隔15を第3間隔113の位置決めマークとして機能させるためには、第1間隔15の第1間隔長W1及び第3間隔113の第3間隔長W3を同一条件で設定する必要がある。そして、既に説明したように、導体保護膜115を形成する場合には、第3間隔113の第3間隔長W3は、第3間隔113内において、対向する両側の第2導体保護膜115ab間の離間距離として設定する。そこで、第1間隔15の第1間隔長W1及び第3間隔113の第3間隔長W3を同一条件で設定するために、導体保護膜115を形成する場合には、スクライブライン領域19に、導体保護膜115に対応するサブ保護膜21を形成する必要がある。そのために、サブ保護膜21は、導体保護膜115と同時に、かつ同様の方法で形成される。より具体的には、例えばシリコン窒化膜の材料層を、周知のCVD法を用いて、第1膜13及び第1導体層111を含む、下地面101aの全面を被覆するように形成する。これによって、素子領域103に導体保護膜115が、また、スクライブライン領域19にサブ保護膜21がそれぞれ形成される。
In the
サブ保護膜21は、第1膜13の上側表面13aを覆う第1サブ保護膜21a、第1間隔15の第1間隔長方向に対向する内側側面15a及び15bを覆う第2サブ保護膜21b、及び第1間隔15から露出した露出面101abを覆う第3サブ保護膜21cを含む、一体的な膜として形成される。そして、サブ保護膜21を、導体保護膜115a及びサブ保護膜21を同じ形状で、かつサブ保護膜21及び第1膜13が、導体保護膜115a及び第1導体層111aと同じ位置関係となるように形成することによって、第1間隔15の第1間隔長W1及び第3間隔113の第3間隔長W3は、同一条件で設定される。ここで、サブ保護膜21を形成する場合には、第1間隔15の第1間隔長W1は、第1間隔15内において、対向する両側の第2サブ保護膜21b間の離間距離とする。
The sub
ここで、上述した第1膜13を170nm程度の膜厚で形成した場合には、第1サブ保護膜21aを170nm程度で、また、第2サブ保護膜21b及び第3サブ保護膜21cを、それぞれ例えば30nm程度で形成するのが好ましい。そして、第1間隔15を例えば0.80〜2.0μmの間隔長で形成し、かつ第2サブ保護膜21bを例えば30nm程度で形成した場合には、第1間隔長W1は、0.74〜1.94μm程度となる。
Here, when the
また、上述した第1導体層111aを170nm程度の膜厚で形成した場合には、第1導体保護膜115aaを170nm程度で、また、第2導体保護膜115ab及び第3導体保護膜115acを、それぞれ例えば30nm程度で形成するのが好ましい。そして、第3間隔113を0.10〜0.20μmの間隔長で形成し、かつ第2サブ保護膜21b及び第2導体保護膜115abをそれぞれ例えば30nm程度で形成した場合には、第3間隔長W3は、0.04〜0.14μm程度となる。
When the
第2膜17は、素子形成工程の第2工程において素子領域103に形成される、第1絶縁体層117に対応して、スクライブライン領域19に形成される。そこで、第2膜17と第1絶縁体層117とを、同時に、かつ同様の方法で形成する。すなわち、第2膜17及び第1絶縁体層117の共通の材料を、周知のCVD法を用いて、下地面101aの全面を一体的に被覆するように堆積する。これによって、素子領域103に第1絶縁体層117が、また、スクライブライン領域19に第2膜17がそれぞれ形成される。このとき、素子領域103とスクライブライン領域19とに渡って、共通の条件で成膜を行うことによって、第2膜17の、第1間隔15を埋め込む層領域、及び第1絶縁体層117の、第3間隔113を埋め込む層領域は、等しい膜厚となる。また、同様に、第2膜17の、第1膜13の上側に存在する層領域、及び第1絶縁体層117の、第1導体層111aの上側に存在する層領域は、等しい膜厚となる。
The
また、第2膜17及び第1絶縁体層117は、第1膜13及びサブ保護膜21と比して、反射率が低い材料によって形成する。従って、タングステンを材料として第1膜13を、またシリコン窒化膜を材料としてサブ保護膜21をそれぞれ形成した場合には、第2膜17は、例えば、シリコン酸化膜を材料として形成するのが好ましい。第2膜17は、下地面101aから、例えば540nm程度の膜厚で形成するのが好ましい。
The
次に、第2過程では、第2膜17に、下地面101aの露出面101abを露出させ、かつ第1間隔長W1と等しい長さ及び方向の第2間隔長W2を有する第2間隔23を空けて、図2に示すような構造体を得る。
Next, in the second process, the
また、この実施の形態では、第2過程を行う際に、同時に、素子領域103において上述した素子形成工程における第3工程を行う。第3工程では、第1絶縁体層117に、下地面101aの露出面101aaを露出させ、かつ第3間隔長W3よりも長く、かつ第3間隔長W3と等しい方向の第4間隔長W4を有する第4間隔119を空ける(図2参照)。
In this embodiment, when the second process is performed, the third process in the element formation process described above is performed in the
第2間隔23は、素子形成工程の第3工程においてメモリセル領域105に空けられる、第4間隔119に対応して形成される。
The
第4間隔119は、続く工程において、この第4間隔119を埋め込んで形成される第2導体層を、下地101の主電極領域114aと電気的に導通させるために、空けられる。そこで、上述した素子形成工程の第2工程において、第1絶縁体層117によって埋め込まれた、第3間隔113からの露出面101aa、すなわち主電極領域114aの上側表面101aaを、第4間隔119を空けることによって、再度露出させる。そして、このとき、露出面101aaを正確に露出させるために、第4間隔119の間隔長、すなわち第4間隔長W4は、第3間隔113の長さ、すなわち第3間隔長W3よりも長く、かつ第3間隔長W3と等しい方向に設定する。例えば、上述したように第3間隔長W3が0.04〜0.14μm程度に設定されている場合には、第4間隔長Wを240nm程度に設定するのが好ましい。
In the subsequent process, the
また、第2間隔23は、第4間隔119に対応して、上述した第1過程において、第2膜17によって埋め込まれた、第1間隔15からの露出面101abが露出するように空ける。そして、第2間隔23は、第1間隔長W1と等しい長さ及び方向の第2間隔長W2で形成される。
Further, the
そこで、第2間隔23及び第4間隔119は、いわゆる周知のセルフアライメント法によって、同時に形成される。
Therefore, the
まず、周知のフォトリソグラフィ技術を用いて、第2膜17及び第1絶縁体層117を含む下地101の全面にレジストパターン付きのレジスト層を形成する(図示せず)。レジスト層に形成されたレジストパターンは、第2間隔23及び第4間隔119の形成予定領域の上側に存在する領域部分が、除去されることによって空けられる。ここで、第2間隔23及び第4間隔119は、露出面101aa及び101abを露出させる目的で形成する。そのために、第2間隔23及び第4間隔119の形成位置、すなわちレジストパターンの開口位置は、第1間隔15及び第3間隔113の直上位置に設定される。
First, a resist layer with a resist pattern is formed on the entire surface of the base 101 including the
また、第1間隔15及び第3間隔113間の相対的な配置関係に対応して、第2間隔23の形成予定領域及び第4間隔119の形成位置間の相対的な配置関係を設定する。このように設定された、第2間隔23及び第4間隔119の形成位置上に、レジストパターンを開口形成する。
Corresponding to the relative arrangement relationship between the
そして、このレジストパターン付きのレジスト層をマスクとした、周知のエッチング技術を用いて、スクライブライン領域19では、第2膜17を除去して、この除去した領域部分に第2間隔23を形成する。また、メモリセル領域105では、第1絶縁体層117を除去して、この除去した領域部分に第4間隔119を形成する。その結果、第2間隔23内では、底面に下地面101aの露出面101abが露出する。また、第4間隔119内では、底面に下地面101aの露出面101aaが露出する。
Then, by using a well-known etching technique using the resist layer with the resist pattern as a mask, the
また、上述した第1過程及び第1工程において、サブ保護膜21及び導体保護膜115を形成した場合には、この第1過程及び第3工程における第2間隔23及び第4間隔119形成の際に、露出面101abを被覆する第3サブ保護膜21c及び露出面101aaを被覆する第3導体保護膜115acについても除去する。
Further, when the sub
ここで、上述したように、第2間隔23の形成予定領域及び第4間隔119の形成位置間の相対的な配置関係は、第1間隔15及び第3間隔113間の相対的な配置関係に対応している。すなわち、形成される第2間隔23の中心位置及び第4間隔119の中心位置間の相対的な配置関係は、第1間隔長W1の中点45及び第3間隔長W3の中点46間の相対的な配置関係に対応している。そのため、例えば、第2間隔23及び第4間隔119の形成位置が、第1間隔15及び第3間隔113の直上位置から、第2間隔長W2方向、すなわち第4間隔長W4方向にオフセットした場合には、第2間隔23と第1間隔15とのオフセット量、及び第4間隔119と第3間隔113とのオフセット量が等しくなる。
Here, as described above, the relative arrangement relationship between the formation planned region of the
また、第2間隔23及び第4間隔119の形成位置が、第1間隔15及び第3間隔113の直上位置から、第2間隔長W2方向にオフセットした場合には、第2間隔23が形成されることによって、第2間隔23の内側側面23a及び23bのうちの、オフセット方向の側から、第1膜13が部分的に露出する。そして、第1膜13が部分的に露出するのと反対の側では、このオフセットによって残存した第2膜17が、露出面101abを部分的に被覆する。このとき、上述した第1過程及び第1工程において、サブ保護膜21及び導体保護膜115を形成していた場合には、第2間隔23の内側側面23a及び23bのうちの、オフセット方向の側から、サブ保護膜21が部分的に露出する。そして、サブ保護膜21が部分的に露出するのと反対の側では、このオフセットによって残存した第2膜17及び第3サブ保護膜21cの積層体が、露出面101abを部分的に被覆する。尚、図2の構成例では、第2間隔23の形成位置が、第1間隔15の直上位置から、第2間隔長W2方向であって、第2間隔23の内側側面23bの側にオフセットした場合を示している。尚、既に説明したように、第4間隔119は、露出面101aaを正確に露出させるために、第4間隔長W4が、第3間隔長W3よりも長く設定されているため、オフセットが生じた場合及び生じていない場合共に、第4間隔119内では、第4間隔119の内側側面119a及び119bの両側から、第1導体層111aが部分的に露出する。導体保護膜115を形成していた場合には、第4間隔119の内側側面119a及び119bの両側から、導体保護膜115aが部分的に露出する。そして、オフセットが生じた場合においても、露出面101aaは、全面的に露出する。
In addition, when the formation position of the
また、第2間隔23及び第4間隔119の形成位置が、第1間隔15及び第3間隔113の直上位置と一致した場合、すなわちずれが生じていない場合には、第2間隔23は、内側側面23a及び23bが、第1間隔15の内側側面15a及び15bと一致して空けられる(図示せず)。
Further, when the formation positions of the
次に、第3過程では、第2間隔23に、上側表面25aが第2膜17の上側表面17aと同一面位置となるように第3膜25を埋め込んで、図3に示すような構造体を得る。
Next, in the third process, the
また、この実施の形態では、第3過程を行う際に、同時に、素子領域103において上述した素子形成工程における第4工程を行う。第4工程では、第4間隔119に、上側表面121aが第1絶縁体層117の上側表面117aと同一面位置となるように第2導体層121を埋め込む(図3参照)。
In this embodiment, when the third process is performed, the fourth process in the element formation process described above in the
第3膜25は、素子形成工程の第4工程において、素子領域103に形成される第2導体層121に対応する、位置決めマークとして機能する。そこで、第3膜25と第2導体層121とを同時に、かつ同様の方法で形成する。すなわち、まず、例えば周知のCVD法を用いて、第2間隔23及び第4間隔119を埋め込むとともに、下地101の全面を被覆するように、第3膜25及び第2導体層121の材料層を堆積する。その後、例えば周知のCMP法を用いて、材料層のうち、第2膜17の上側表面17a及び第1絶縁体層117の上側表面117aの面位置よりも上側にある領域部分を除去する。これによって、第2間隔23内に残存した当該材料層の領域部分から、第3膜25を残存形成する。また、第4間隔119内に残存した当該材料層の領域部分から、第2導体層121を残存形成する。
The
ここで、第2導体層121は、メモリセル105領域において、ソースまたはドレインとして機能する主電極領域114a、及びチャネル領域112aを含むメモリセルと、後に上層として形成されるビットラインとの接続用配線とを電気的に接続するために形成される。
Here, in the
ここで、例えば、上述した第2過程において、第2間隔23及び第4間隔119が、第1間隔15及び第3間隔113の直上位置から、第2間隔長W2方向、すなわち第4間隔長W4方向にずれて形成された場合(図4参照)には、この第3過程で第3膜25が形成されることによって、スクライブライン領域19には、以下の5つの層領域が形成される。すなわち、スクライブライン領域19には、第1膜13と第2膜17の部分とが積層した第1層領域27、第3膜25のうちの、下地面101aすなわち露出面101abと接触する上側の部分からなる第2層領域29、第1層領域27及び第2層領域29間の、第2膜17の部分からなる第3層領域31、第1膜17の部分と第3膜25の部分とが積層した第4層領域33、及び第4層領域33に隣接する、第1膜13の部分と第2膜17の部分とが積層した第5層領域35が形成される。
Here, for example, in the above-described second process, the
ここで、上述の第1過程において、サブ保護膜21を形成した場合には、上述の第1層領域27に第1サブ保護膜21a及び第2サブ保護膜21bが、また第3領域31に第3サブ保護膜21cが、それぞれ含まれる。また、第2間隔23及び第1間隔15間のオフセット量が、第2サブ保護膜21bの膜厚よりも大きい場合には、第4層領域33に第1サブ保護膜21a及び第2サブ保護膜21bが、また第5層領域35に第1サブ保護膜21aがそれぞれ含まれる。また、第2間隔23及び第1間隔15間のオフセット量が、第2サブ保護膜21bの膜厚よりも小さい場合には、第4層領域33は第2サブ保護膜21bの部分と第3膜25の部分とが積層した構造となり、また第5層領域35に第1サブ保護膜21a及び第2サブ保護膜21bが含まれる。尚、図1(C)の構成例では、第2間隔23の形成位置が、第1間隔15の直上位置から、第2間隔長W2方向であって、第2間隔23の内側側面23bの側に、第2サブ保護膜21bの膜厚よりも大きくずれた場合を示している。
Here, when the
また、上述の第2過程において、第2間隔23及び第1間隔15間にオフセットが生じていない場合には、この第3過程によって、第1間隔15内に第2膜25が形成されるため、スクライブライン領域19に、第1層領域27、第2層領域29、及び第5層領域35のみが形成される(図示せず)。
In the second process described above, if no offset is generated between the
また、第3膜25は、第1膜13及びサブ保護膜21と比して、反射率が低く、かつ第2膜17と同程度の反射率を有する材料によって形成する。従って、タングステンを材料として第1膜13を、シリコン窒化膜を材料としてサブ保護膜21を、また、シリコン酸化膜を材料として第2膜17をそれぞれ形成した場合には、第3膜25は、例えば、ポリシリコン膜を材料として形成するのが好ましい。尚、ここでいう第2膜17と同程度の反射率とは、第2膜17が有する反射率の近傍の反射率という意味であるが、この実施の形態においては、第3膜25を、第2膜17と等しい、若しくは第2膜17と比して低い反射率を有する材料によって形成する。
Further, the
背景技術において既に説明したように、第4工程を行った後に、素子領域103では、第2導体層121及び第1導体層111bを電気的に導通させる配線層を形成するために、新たな上層を形成し、これら第2導体層121及び第1導体層111b上に、第5間隔を空ける。そのために、素子領域103では、第4工程までで得られた構造体の上側に、第2絶縁体層123、及び第2絶縁体層123の上側全面を覆うようにレジスト層125が順次形成される(図8(B)参照)。このとき、第2絶縁体層123及びレジスト層125は、下地101の全面に一体的に形成されるため、スクライブライン領域19上にも形成される。そのため、第3過程までにおいて形成した第1膜13、第2膜17、及び第3膜25を含むスクライブライン領域19は、全面的に第2絶縁体層123及びレジスト層125によって被覆される(図4参照)。
As already described in the background art, after performing the fourth step, in the
ここで、第2絶縁体層123は、第2膜17と同様にシリコン酸化膜を材料として形成する。従って、第2絶縁体層123は、第1膜13及びサブ保護膜21と比して、反射率が低く、かつ第2膜17と同程度の反射率を有する。
Here, the
また、レジスト層125は、第1膜13及びサブ保護膜21と比して、低い反射率を有している。
In addition, the resist
この第1の実施の形態では、以下に説明する第4過程及び第5過程を行うことによって、第2導体層121及び第1導体層111bを位置決めし、この位置決めに基づいて、レジスト層125に、上述した第5間隔形成のためのレジストパターンを形成する。
In the first embodiment, the
次に、第4過程では、上述した第2絶縁体層123及びレジスト層125を形成した後、下地面101aに対して垂直方向から可視光を照射し、この可視光の反射光の、第2膜17及び第3膜25の膜厚の変化に基づく段差に対応した、第1間隔長W1方向に沿った光強度分布を測定する(図5参照)。
Next, in the fourth step, after the
第4過程は、上述した第3過程までにおいて形成した、第3間隔113に対応する位置決めマークである第1間隔15、及び第2導体層121に対応する位置決めマークである第3膜25を、光学的に検出する目的で行われる。また、この第4過程は、第3過程までにおいて形成した構造体に、上述した第2絶縁体層123及びレジスト層125を形成して得た構造体、すなわち図4に示す構造体36に対して行われる。尚、図5に示す構造体36は、図4に示す構造体36に対応している。
In the fourth process, the
光強度分布を測定するために、まず、例えばハロゲン光等の可視光を光源とした測定用顕微鏡を用いて、下地面101aに対して垂直方向から、構造体36へ可視光を照射する。そして、照射された可視光の、構造体36からの反射光によって、構造体36に対応する明暗像を取得する(図示せず)。更に、測定用顕微鏡を用いて、得られた明暗像の第1間隔長W1方向に沿った方向の、反射光の光強度分布を測定する。この実施の形態では、測定された光強度分布を、CCD素子を用いて光電変換し、図5に示すような、波形37として取得する。
In order to measure the light intensity distribution, first, the
この実施の形態では、光強度分布を波形37として取得するために、上述した測定用顕微鏡及びCCD素子を具えた周知の露光装置を用いるのが好ましい。
In this embodiment, in order to acquire the light intensity distribution as the
ここで、図5における波形37は、構造体36の、第1間隔長W1方向に沿った方向の、光強度分布を、波形として取得した場合を示している。また、波形37は、縦軸すなわち振幅が光強度を、また、横軸が第1間隔長W1方向の距離を示している。そして、波形37は、範囲37aが第1層領域27に、範囲37bが第2層領域29に、範囲37cが第3層領域31に、範囲37dが第4層領域33に、及び範囲37eが第5層領域35に、それぞれ対応した、光強度分布を示している。
Here, the
既に説明したように、第2膜17及び第3膜25は、同程度の反射率を有し、かつ第1膜13及びサブ保護膜21と比して低い反射率を有する。そして、波形37は、構造体36からの反射光による光強度分布を示している。そのため、波形37は、第2層領域29に対応する範囲37bにおいて光強度の最小値Aとなる。また、第1層領域27に対応する範囲37a、及び第5層領域35に対応する範囲37eにおいて光強度の最大値Bとなる。そして、波形37は、第3層領域31に対応する範囲37cにおいて、最小値A及び最大値Bの中間の光強度の値をとり、従って、範囲37a及び範囲37b間を結ぶ波形37の部分では、光強度が連続して変化した第1傾斜光強度分布部39aすなわち傾斜部39aを含む。また、波形37は、第4層領域33に対応する範囲37dにおいて、最小値A及び最大値Bの中間の光強度の値をとり、従って、範囲37b及び範囲37e間を結ぶ波形37の部分では、光強度が連続的に変化した第2傾斜光強度分布部39bすなわち傾斜部39bを含む。尚、下地101、第2絶縁体層123、及びレジスト層125は、第1層領域27、第2層領域29、第3層領域31、第4層領域33、及び第5層領域35に渡って、共通した膜厚で形成されているため、これらの反射率は、波形37の線形には影響しない。
As already described, the
また、第3層領域31は、上述した第1過程において、サブ保護膜21を形成した場合には、相対的に反射率の高い第3サブ保護膜21c、及び第3膜25と同程度に反射率の低い第2膜17を含む積層体である。また、第3層領域31は、上述した第1過程において、サブ保護膜21を形成していない場合には、第3膜25と同程度に反射率の低い第2膜17のみを含む積層体である。ここで、既に具体的な膜厚を示して説明したように、第3サブ保護膜21cは、第2膜17と比して膜厚が極端に小さい。以上から、第3層領域31では、サブ保護膜21の有無に係わらず、主に第2膜17の反射率が反射光の光強度に影響する。そのため、第3層領域31、及び第3層領域31と隣接する第2層領域29からの反射光は、同程度の光強度となる。また、第3層領域31、及び第2層領域29とは反対側で第3層領域31と隣接する第1層領域27からの反射光には、大きな光強度差が生じる。その結果、波形37は、第3層領域31に対応する範囲37cにおいて、範囲37c及び第2層領域29に対応する範囲37bの境界から、第1層領域27に対応する範囲37aにかけて、範囲37bと同程度の値をとる。そして、波形37は、範囲37c及び第1層領域29に対応する範囲37aの境界付近に、これら範囲37c及び第範囲37aにおける値を結ぶ傾斜部39aを含む。
Further, the
また、第4層領域33は、上述した第1過程において、サブ保護膜21を形成した場合には、相対的に反射率の高い第1膜、相対的に反射率の高いサブ保護膜21、及び反射率の低い第3膜25を含む積層体である。また、第4層領域33は、上述した第1過程において、サブ保護膜21を形成していない場合には、相対的に反射率の高い第1膜13及び反射率の低い第3膜25を含む積層体である。そのため、第4層領域33は、この第4層領域33と隣接する第2層領域29、及びこの第4層領域33と、第2層領域29とは反対側で隣接する第5層領域35の中間の反射率を有する。その結果、波形37は、第4層領域33に対応する範囲37dにおいて、この第4層領域33に渡って、範囲37b及び範囲37e間を結ぶ傾斜部39bを含む。
Further, in the
ここで、傾斜部39a及び39bの傾き、すなわち距離に対する光強度の変化量の絶対値は、上述した明暗像のコントラスト、すなわち隣接する層領域からの反射光間の光強度差に比例する。
Here, the inclination of the
傾斜部39aは、範囲37a及び範囲37cを結ぶ波形37の部分である。従って、第1層領域27及び第3層領域31からの反射光間の光強度差によって傾きが決定する。
The
また、傾斜部39bは、範囲37dに渡って、範囲37b及び範囲37eを結ぶ波形37の部分である。従って、第2層領域29と第4層領域33からの反射光間の光強度差、及び第4層領域33と第5層領域35からの反射光間の段階的な光強度差によって傾きが決定する。
The
既に説明したように、波形37は、第1層領域27に対応する範囲37a及び第5層領域35に対応する範囲37eにおいて光強度が最大値Bとなる。また、既に説明した、第1膜13、サブ保護膜21、第2膜17、及び第3膜25の膜厚、及び相対的な反射率から明らかなように、第4層領域33は、第3層領域31に比して反射率が高いため、反射光の光強度が大きい。
As already described, the
以上の説明から明らかなように、第1層領域27及び第3層領域31の反射光間の光強度差は、第2層領域29と第4層領域33からの反射光間の段階的な光強度差、及び第4層領域33と第5層領域35からの反射光間の段階的な光強度差と比して大きい。その結果、傾斜部39aの傾きの絶対値は、傾斜部39bの傾きの絶対値と比して大きくなる。
As is clear from the above description, the difference in light intensity between the reflected light in the
このように、第1間隔15と第2膜25とにオフセットが生じた構造体36では、このオフセット量に対応して、第2膜17及び第3膜25の膜厚の変化に基づいた段差が生じるため、得られる光強度分布は、波形37のように傾きの絶対値が異なる傾斜部39a及び39bを含む。
As described above, in the
また、第1間隔15と第2膜25とにオフセットが生じていない場合には、第3層領域31及び第4層領域33が形成されないため、波形37は、範囲37c及び範囲37dを含まない。従って、波形37は、範囲37bと範囲37aとの境界において傾斜部39aが、また範囲37bと範囲37eとの境界において傾斜部39bが、それぞれ光強度の最小値Aと最大値Bとを横軸に対して垂直に結ぶ線形となる(図示せず)。
In addition, when there is no offset between the
次に、第5過程では、光強度分布の光強度の最小値Aと最大値Bとの中間値Cにおける、第1間隔長方向W1に沿った光強度分布の中点41を、第3膜25の中心位置43として認識する(図5参照)。
Next, in the fifth process, the
光強度の中間値Cは、光強度分布を示す波形37の、最小値A及び最大値B間の値のうち、波形変化の検出感度が良好な値に設定される。ここで、検出感度が良好な値とは、波形37が含む傾斜部39aの傾きの絶対値と、傾斜部39bの傾きの絶対値との差が大きい値である。この検出感度が良好な値は、最小値A及び最大値B間の半値であることが、経験的に確認されている。そこで、この第5過程では、中間値Cを最小値A及び最大値B間の半値に設定するのが好ましい。
The intermediate value C of the light intensity is set to a value with good detection sensitivity of the waveform change among the values between the minimum value A and the maximum value B of the
また、中間値Cにおける第1間隔長方向W1に沿った光強度分布の中点41は、この中間値Cにおいて、波形の傾斜部39a及び39b間を結ぶ線分の中点41である。
The
中心位置43は、中点41に対応した位置として認識される。そして、第1間隔15と第3膜25とにオフセットが生じている場合、中心位置43は、これら第1間隔15と第3膜25とのオフセット量、すなわち、第1間隔15の中心45、すなわち第1間隔長W1の中点45及び第3膜25の中心47、すなわち第2間隔長W2の中点47間の第1間隔長方向W1に沿った離間距離の中間位置に存在する。
The
既に説明したように、第1間隔15は、第3間隔113に対応する位置決めマークとして機能する。また、第3膜25は、第2導体層121に対応する位置決めマークとして機能する。従って、第1間隔15及び第3膜25の配置関係は、第3間隔113及び第2導体層121の配置関係に対応している。そのため、第1間隔15及び第3膜25間のオフセット量は、第3間隔113及び第2導体層121間のオフセット量と等しくなる。従って、第1間隔15の中心45及び中心位置43間の第1間隔長方向W1に沿った距離と等しい距離を、第3間隔113の中心位置46、すなわち第3間隔長W3の中点46から第1間隔長方向W1、すなわち第3間隔長W3方向に沿ってずらした位置を、第2導体層121の中心位置として認識する。そして、認識された第2導体層121の中心位置48を基準とし、第1導体層111bの中心位置50を認識する(図4参照)。
As already described, the
また、第1間隔15と第3膜25とにオフセットが生じていない場合には、第1間隔15の中心45及び第3膜25の中心47が一点に重なる。この場合には、中心位置43は、重なった第1間隔15の中心45及び第3膜25の中心47と同じ位置に認識される。
Further, when there is no offset between the
そして、第2導体層121及び第1導体層111bの各中心位置48及び50から位置決めされた、これら第2導体層121及び第1導体層111bの上側に存在するレジスト層125を露光する。この露光によって除去されたレジスト層125をマスクとして用いて、第2導体層121及び第1導体層111bの上側に存在する第2絶縁体層123を除去する。しかる後、第2絶縁体層123の除去領域に、例えば、第2導体層121及び第1導体層111bを電気的に接続するための配線層等の上層を埋め込み形成する。
Then, the resist
このように、第1の実施の形態では、第1間隔15と第3膜25とのオフセットによって生じる、第2膜17及び第3膜25の膜厚の変化に基づく段差に対応した、第1間隔長W1方向に沿った反射光の光強度分布を測定することによって、第3膜25の中心位置43を認識する。そして、この中心位置43は、第1間隔15の中心45と第3膜25の中心47との中間に位置する。そのため、この中心位置43に基づいて露光位置を決定することによって、第2導体層121及び第1導体層111bの双方に対して、上述した第5間隔127a及び127bとの合わせずれを小さく抑えるように、レジスト層125の露光位置を決定することができる。
As described above, in the first embodiment, the first step corresponding to the step based on the change in the film thickness of the
尚、実際にレジスト層125を露光する際には、下地101上に複数形成した第1膜13、第2膜17、及び第3膜25から、それぞれ中心位置43を認識して、これらから平均的に決定した第2導体層121の中心位置を用いる。また、その際には、従来周知の通り、下地101の伸縮量及び回転量等の誤差を考慮して位置決めが行われる。
When the resist
〈第2の実施の形態〉
第2の実施の形態では、上述した第1の実施の形態と同様に、下地の素子領域以外の領域、例えばスクライブライン領域に、第1膜、第2膜、及び第3膜を含む位置決めマークを形成し、これらを用いてレジスト層の露光位置を決定する露光位置決定方法について説明する。この露光位置決定方法は、第1過程から第6過程までを含んでいる。
<Second Embodiment>
In the second embodiment, as in the first embodiment described above, a positioning mark including a first film, a second film, and a third film in a region other than the underlying element region, for example, a scribe line region. An exposure position determination method for determining the exposure position of the resist layer using these will be described. This exposure position determination method includes a first process to a sixth process.
この第2の実施の形態による半導体装置の製造方法が、第1の実施の形態による半導体装置の製造方法と相違するのは、上述した光強度分布の傾斜部39a及び39bの傾きの絶対値の差から、オフセット量を算出し、このオフセット量から第3膜の中心位置を決定する点である。その他の構成要素及び作用効果は、第1の実施の形態と同様であるので、共通する構成要素については、同一の符号を付すとともに共通の図面を参照し、それらの重複する説明を省略する。
The manufacturing method of the semiconductor device according to the second embodiment is different from the manufacturing method of the semiconductor device according to the first embodiment in that the absolute values of the slopes of the
また、第2の実施の形態における第1過程から第4過程までは、上述した第1の実施の形態における第1過程から第4過程までと同様であるため、説明を省略する。 Further, since the first process to the fourth process in the second embodiment are the same as the first process to the fourth process in the first embodiment described above, the description thereof is omitted.
第2の実施の形態では、まず、上述の第1の実施の形態と同様の第1〜第4過程を行う。 In the second embodiment, first, the first to fourth processes similar to those in the first embodiment are performed.
次に、第5過程では、上述の第4過程によって取得した光強度分布(図5参照)を利用して、第1傾斜光強度分布部39a及び第2傾斜光強度分布部39bの傾きの絶対値の差を算出する。
Next, in the fifth process, using the light intensity distribution (see FIG. 5) acquired in the fourth process, the absolute inclinations of the first inclined light
第1の実施の形態において既に説明したように、第1間隔15と、第2間隔23及びこの第2間隔23を埋め込む第3膜25とが、第1間隔長W1方向に沿って、第2間隔23の内側側面23bの側にオフセットしている場合には、傾斜部39aの傾きの絶対値は、傾斜部39bの傾きの絶対値と比して大きくなる。すなわち、傾斜部39a及び39bは、傾きの絶対値がそれぞれ異なる。第5過程では、傾斜部39a及び39bの傾きの絶対値がそれぞれ異なることを利用して、傾斜部39a及び39bの傾きの絶対値の差を計算する。
As already described in the first embodiment, the
次に第6過程では、予め作成しておいた、傾きの絶対値の差対オフセット量の参照データ49を参照して、上述の第5過程において算出した傾きの絶対値の差から、オフセット量を算出することによって、第3膜25の中心位置43を認識する(図5及び図6参照)。
Next, in the sixth step, the offset amount is calculated from the difference between the absolute values of the slopes calculated in the above-described fifth step with reference to the
まず、傾きの絶対値の差対オフセット量の参照データ49を作成するために、上述した第1過程から第3過程までによって得られる構造体(図3参照)と同様の参照用構造体を複数形成する(図示せず)。これら参照用構造体は、第1間隔15に対応する参照用第1間隔と、第2間隔23に対応する参照用第2間隔との間隔長方向に沿ったオフセット量を変化させて形成される。
First, in order to create the
次に、これら各参照用構造体に対して上述した第4過程と同様の過程を行うことによって、図5に示すのと同様の光強度分布をそれぞれ測定する。 Next, the same light intensity distribution as shown in FIG. 5 is measured by performing the same process as the above-described fourth process on each of the reference structures.
これらの光強度分布を利用して、第1傾斜光強度分布部及び第2傾斜光強度分布部の傾きの絶対値の差に対する、それぞれのオフセット量を記録し、図6に示すような参照データ49を作成する。 Using these light intensity distributions, the respective offset amounts with respect to the difference between the absolute values of the inclinations of the first inclined light intensity distribution portion and the second inclined light intensity distribution portion are recorded, and reference data as shown in FIG. 49 is created.
第1の実施の形態において上述したように、第1間隔15と、第2間隔23及びこの第2間隔23を埋め込む第3膜25とが、第1間隔長W1方向に沿って、第2間隔23の内側側面23bの側にオフセットしている場合には、傾斜部39aの傾きの絶対値は、傾斜部39bの傾きの絶対値と比して大きくなる。すなわち、傾斜部39a及び39bは、傾きの絶対値がそれぞれ異なる。
As described above in the first embodiment, the
また、既に説明したように、傾斜部39aは、第1層領域27及び第3層領域31からの反射光間の光強度差によって傾きが決定する。ここで、第1間隔15と第3膜25との、第1間隔長W1方向に沿った、第2間隔23の内側側面23bの側へのオフセット量が大きくなる場合には、オフセット量の増加に伴って、第3層領域31が第1間隔長W1方向に拡大する。しかし、第1層領域27及び第3層領域31からの反射光間の光強度差は変化しない。そのため、傾斜部39aの傾きは、第3層領域31が第1間隔長W1方向に拡大した場合であっても、変化しない。
Further, as already described, the inclination of the
また、既に説明したように、傾斜部39bは、第2層領域29と第4層領域33からの反射光間の光強度差、及び第4層領域33と第5層領域35からの反射光間の段階的な光強度差によって傾きが決定する。ここで、第1間隔15と第3膜25との、第1間隔長W1方向に沿った、第2間隔23の内側側面23bの側へのオフセット量が大きくなる場合には、オフセット量の増加に伴って、第4層領域33が第1間隔長W1方向に拡大する。この場合には、波形37は、第4層領域33に対応する範囲37dが、横軸方向に拡大する。その結果、範囲37dに渡って、範囲37b及び範囲37eを結ぶ傾斜部39bは、オフセット量の増加に伴って、傾きが小さくなる。
Further, as already described, the
従って、傾斜部39a及び39bの傾きの絶対値の差は、オフセット量に比例して大きくなる。そこで、上述した参照用構造体を、第1間隔15に対応する参照用第1間隔と、第2間隔23に対応する参照用第2間隔との間隔長方向に沿ったオフセット量を変化させて複数形成し、これらの光強度分布の波形を取得する。尚、参照用構造体を構成する構成要素は、上述した第1過程から第3過程を行うことによって得られる構造体と同様である。そこで、図示の重複を避けるために、仮に図3に示した構成例を参照用構造体の構造、及びこの参照用構造体から得られた波形とし、以下、共通の符号を用いるとともに、これを参照して説明する。特に、参照用第1間隔を、対応する第1間隔15と共通の符号を付して、参照用第1間隔15とも称する。また、参照用第2間隔を、対応する第2間隔23と共通の符号を付して、参照用第2間隔23とも称する。
Therefore, the difference between the absolute values of the inclinations of the
それぞれの波形37の傾斜部39a及び39bの傾きの絶対値の差を記録することによって、オフセット量と傾斜部39a及び39bの傾きの絶対値の差との相関関係を示す直線Iとして、参照データ49を得ることができる(図6参照)。尚、図6の構成例では、横軸は傾斜部39aの傾きの絶対値から39bの傾きの絶対値を引いた差(以下、単に傾きの絶対値の差とも称する)を示している。また縦軸はオフセット量を示している。
By recording the difference between the absolute values of the inclinations of the
ここで、オフセット量が0、すなわち、参照用第1間隔と参照用第2間隔とにオフセットが生じていない場合には、既に説明したように、波形37は、範囲37c及び範囲37dを含まない。そして、波形37は、範囲37bと範囲37aとの境界において傾斜部39aが、また範囲37bと範囲37eとの境界において傾斜部39bが、それぞれ光強度の最小値Aと最大値Bとを横軸に対して垂直に結ぶ線形となる。従って、オフセット量が0の場合には、傾き絶対値の差は、0となる。従って、図6に示した参照データ49では、第1間隔15と第3膜25とにオフセットが生じていない場合に、直線Iは原点に位置する。
Here, when the offset amount is 0, that is, when there is no offset between the first reference interval and the second reference interval, the
また、オフセット量が負の値、すなわち、参照用第1間隔と参照用第2間隔とを、第1間隔長W1方向に沿って、第2間隔23の内側側面23aの側にオフセットした場合には、図5の構成例における構造体36における各層領域が、参照用第1間隔の中心45を通り下地面101aに垂直な中心線に対して、線対称に配置される(図示せず)。そして、これに対応して波形37の線形も線対称型となる(図示せず)。従って、上述した傾斜部39aの傾きの絶対値が、傾斜部39bの傾きの絶対値に比して大きくなる理由と同様の理由で、傾斜部39bの傾きの絶対値が、傾斜部39aの傾きの絶対値に比して大きくなる。また、この場合には、上述した傾斜部39bの傾きの絶対値が小さくなる理由と同様の理由で、オフセット量が内側側面23aの側に増加するのに伴って、傾斜部39aの傾きは小さくなる。また、この場合には、上述した傾斜部39aの傾きが変化しない理由と同様の理由で、オフセット量が内側側面23aの側に増加しても、傾斜部39bの傾きの絶対値は変化しない。従って、オフセット量が負の値をとる場合には、傾きの絶対値の差は正の値となる。従って、図6に示した参照データ49では、参照用第1間隔と参照用第2間隔とを、第1間隔長W1方向に沿って、参照用第2間隔の内側側面23aの側にオフセットした場合に、傾きの絶対値の差は正の値となる。
Further, when the offset amount is a negative value, that is, when the first reference interval and the second reference interval are offset toward the
このような参照データ49を参照して、上述の第5過程において算出した傾きの絶対値の差から、オフセット量を算出する。すなわち、参照データ49の直線Iを用いて、第5過程において算出した傾き絶対値の差から、オフセット量を算出する。参照データ49を用いて、オフセット量を算出するためは、例えば、予め作成しておいた参照データ49を、露光装置に組み込まれたコンピュータの記憶部に記憶させておく。そして、このコンピュータに取得した傾きの絶対値の差を入力することによって、直線Iで表される傾きの絶対値の差対オフセット量の相関関係から、オフセット量を算出する。
With reference to
第2の実施の形態では、このように参照データ49を参照することによって、算出した第1間隔15と第3膜25とのオフセット量を算出することができる。そして、オフセット量は、第1間隔15の中心45及び第3膜25の中心47間の、第1間隔長方向W1に沿った離間距離である。そこで、第1間隔15の中心45から、第1間隔長方向W1に沿って、オフセット方向にオフセット量だけ離間した点までの中間の値を、第3膜25の中心位置43として認識する。このとき、好ましくは、第1間隔の中心点45から、第1間隔長に沿ってオフセット方向に、オフセット量の1/2の値だけ離間した点、すなわち、第1間隔15の中心45及び第3膜25の中心47間の中点を第3膜25の中心位置43として認識する。
In the second embodiment, the offset amount between the calculated
既に説明したように、第1間隔15は、第3間隔113に対応する位置決めマークとして機能する。また、第3膜25は、第2導体層121に対応する位置決めマークとして機能する。従って、第1間隔15及び第3膜25の配置関係は、第3間隔113及び第2導体層121の配置関係に対応している。そのため、参照データ49を参照することによって算出した、第1間隔15及び第3膜25間のオフセット量は、第3間隔113及び第2導体層121間のオフセット量と等しくなる。従って、第1間隔15の中心45及び中心位置43間の第1間隔長方向W1に沿った距離と等しい距離を、第3間隔113の中心位置46から第1間隔長方向W1、すなわち第3間隔長W3方向に沿ってずらした位置を、第2導体層121の中心位置48として認識する。そして、認識された第2導体層121の中心位置48を基準とし、第1導体層111bの中心位置50を認識して(図4参照)、レジスト層125を露光する。
As already described, the
このように、第2の実施の形態では、参照データ49から算出したオフセット量に基づいて、第3膜25の中心位置43を認識する。そして、この中心位置43は、第1間隔15の中心45と第3膜25の中心47との中間に位置する。また、特に、第1間隔の中心点から、第1間隔長に沿ってオフセット方向に、オフセット量の1/2の値だけ離間した点を第3膜25の中心位置43として認識した場合には、この中心位置43は、第1間隔15の中心45及び第3膜25の中心47間の中点に位置する。この場合には、認識される第2導体層121の中心位置は、第3間隔113の中心位置と第2導体層121の実際の中心位置との間の中点となる。そのため、この中心位置43に基づいて露光位置を決定することによって、第2導体層121及び第1導体層111bの双方に対して、上述した第5間隔127a及び127bとの合わせずれを最小に抑えて、レジスト層の露光位置を決定することができる。
As described above, in the second embodiment, the
尚、第2の実施の形態では、上述した第1の実施の形態と同様に、実際にレジスト層125を露光する際には、下地101上に複数形成した第1膜13、第2膜17、及び第3膜25から、それぞれ中心位置43を認識して、これらから平均的に決定した第2導体層121の中心位置を用いる。また、その際には、従来周知の通り、下地101の伸縮量及び回転量等の誤差を考慮して位置決めが行われる。
In the second embodiment, as in the first embodiment described above, when the resist
13、131:第1膜
15:第1間隔
17、141:第2膜
19:スクライブライン領域
21、133:サブ保護膜
23:第2間隔
25:第3膜
27:第1層領域
29:第2層領域
31:第3層領域
33:第4層領域
35:第5層領域
36:構造体
37:波形
39a、39b:傾斜部
41:中点
43:中心位置
45:第1間隔の中心(第1間隔長の中点)
46:第3間隔(第3間隔長の中点)
47:第3膜の中心(第2間隔長の中点)
48:第2導体層の中心位置
49:参照データ
50:周辺回路用第1導体層の中心位置
101:下地
103:素子領域
105:メモリセル領域
107:周辺回路領域
109:下層
111:第1導体層
111a:メモリセル用第1導体層
111b:周辺回路用第1導体層
113:第3間隔
115(115a,115b):導体保護膜
117:第1絶縁体層
119:第4間隔
121:第2導体層
123:第2絶縁体層
125:レジスト層
127a、127b:第5間隔
129:第1位置決めマーク
137:間隔
139:第2位置決めマーク
13, 131: first film 15:
46: 3rd interval (midpoint of 3rd interval length)
47: Center of the third film (midpoint of the second interval length)
48: Center position of second conductor layer 49: Reference data 50: Center position of first conductor layer for peripheral circuit 101: Base 103: Element region 105: Memory cell region 107: Peripheral circuit region 109: Lower layer 111:
Claims (10)
該第2膜に、前記下地面を露出させ、かつ前記第1間隔長と等しい長さ及び方向の第2間隔長を有する第2間隔を空ける第2過程と、
該第2間隔に、上側表面が前記第2膜の上側表面と同一面位置となるように第3膜を埋め込む第3過程と、
前記下地面に対して垂直方向から可視光を照射し、該可視光の反射光の、前記第2膜及び前記第3膜の膜厚の変化に基づく段差に対応した、前記第1間隔長方向に沿った光強度分布を測定する第4過程と、
該光強度分布の光強度の最小値と最大値との中間値における、前記第1間隔長方向に沿った前記光強度分布の中点を、前記第3膜の中心位置として認識する第5過程と
を含むことを特徴とする露光位置決定方法。 A first step of forming a second film covering the first film by exposing a base surface and filling a first gap having a first gap length, which is formed in the first film on the foundation;
A second step of exposing the second film to the second film and forming a second interval having a length and direction equal to the first interval length and a second interval length;
A third step of embedding the third film in the second interval so that the upper surface is flush with the upper surface of the second film;
The first interval length direction corresponding to a step based on a change in film thickness of the second film and the third film of the reflected light of the visible light irradiated from the perpendicular direction to the base surface A fourth step of measuring the light intensity distribution along
Fifth step of recognizing the midpoint of the light intensity distribution along the first interval length direction as the center position of the third film at an intermediate value between the minimum value and the maximum value of the light intensity distribution An exposure position determination method comprising:
前記第3膜を、前記第1膜と比して低い反射率を有し、かつ前記第2膜と同程度の反射率を有する材料によって形成する
ことを特徴とする露光位置決定方法。 The exposure position determination method according to claim 1,
The exposure position determining method, wherein the third film is formed of a material having a lower reflectance than the first film and having a reflectance comparable to that of the second film.
前記中間値を、前記最小値と前記最大値との間の半値に設定する
ことを特徴とする露光位置決定方法。 The exposure position determination method according to claim 1 or 2,
An exposure position determining method, wherein the intermediate value is set to a half value between the minimum value and the maximum value.
前記第1過程を行う際に、メモリセル領域及び周辺回路領域を含む、前記下地の素子領域において、前記メモリセル領域の前記下地面に、該下地面を露出させ、かつ前記第1間隔長と等しい方向の第3間隔長を有する第3間隔が空けられたメモリセル用第1導体層を、また前記周辺回路領域の前記下地面に周辺回路用第1導体層をそれぞれ形成し、しかる後、前記第3間隔を埋め込むとともに、前記メモリセル用第1導体層及び周辺回路用第1導体層を含む前記下地の全面を被覆する第1絶縁体層を形成し、
前記第2過程を行う際に、前記第1絶縁体層に、前記下地面を露出させる第4間隔を空け、
前記第3過程を行う際に、前記第4間隔に、上側表面が前記第1絶縁体層の上側表面と同一面位置となるように第2導体層を埋め込む
ことを特徴とする露光位置決定方法。 An exposure position determination method according to any one of claims 1 to 3,
When performing the first process, in the underlying element region including the memory cell region and the peripheral circuit region, the underlying surface is exposed to the underlying surface of the memory cell region, and the first interval length Forming a first conductor layer for a memory cell having a third interval length in the same direction and a first conductor layer for a peripheral circuit on the underlying surface of the peripheral circuit region, and thereafter, Forming a first insulator layer that fills the third gap and covers the entire surface of the base including the first conductor layer for memory cells and the first conductor layer for peripheral circuits;
When performing the second process, the first insulator layer is provided with a fourth interval exposing the base surface,
An exposure position determining method, wherein the second conductor layer is embedded in the fourth interval so that the upper surface is flush with the upper surface of the first insulator layer when performing the third step. .
前記第3過程の後であって、前記第4過程の前に、前記下地の全面を一体的に覆うようにレジスト層を形成し、
前記第3膜の中心位置及び前記第1間隔長の中点間の該第1間隔長方向に沿った距離と等しい距離を、前記第3間隔長の中点から第3間隔長方向に沿ってずらした位置を、前記第2導体層の中心位置として認識し、
該第2導体層の中心位置を基準として、前記第1導体層の中心位置を認識し、
前記第2導体層の中心位置及び前記第1導体層の中心位置から位置決めされた、該第2導体層及び該第1導体層の上側に存在する前記レジスト層を露光する
ことを特徴とする露光位置決定方法。 The exposure position determination method according to claim 4,
After the third process and before the fourth process, a resist layer is formed so as to integrally cover the entire surface of the base,
A distance equal to the distance along the first interval length direction between the center position of the third film and the midpoint of the first interval length is set along the third interval length direction from the midpoint of the third interval length. Recognizing the shifted position as the center position of the second conductor layer,
Recognizing the center position of the first conductor layer on the basis of the center position of the second conductor layer;
Exposure exposing the resist layer located above the second conductor layer and the first conductor layer, which is positioned from the center position of the second conductor layer and the center position of the first conductor layer. Positioning method.
該第2膜に、前記下地面を露出させ、かつ前記第1間隔長と等しい長さ及び方向の第2間隔長を有する第2間隔を空ける第2過程と、
該第2間隔に、上側表面が前記第2膜の上側表面と同一面位置となるように第3膜を埋め込む第3過程と、
前記下地面に対して垂直方向から可視光を照射し、該可視光の反射光の、前記第2膜及び前記第3膜の膜厚の変化に基づく段差に対応した、前記第1間隔長方向に沿った光強度分布を測定する第4過程と、
前記第1間隔に対し前記第2間隔が、前記第1間隔長方向にオフセットした状態では、前記光強度分布が、前記下地上の層領域であって、前記第1膜と前記第2膜の部分とが積層した第1層領域、前記第3膜のうちの前記下地と接触する上側の部分からなる第2層領域、前記第1層領域及び前記第2層領域間の前記第2膜の部分からなる第3層領域、前記第1膜の部分と前記第3膜の部分とが積層した第4層領域、及び前記第1膜の部分と前記第2層領域の部分とが積層した第5層領域に対応した光強度の分布となっていて、前記第1層領域及び前記第5層領域において光強度の最大値をとり、前記第2層領域において光強度の最小値をとり、前記最大値及び前記最小値を結ぶ前記第3層領域において光強度が連続的に変化した第1傾斜光強度分布部を含み、前記最大値及び前記最小値を結ぶ前記第4層領域において光強度が連続的に変化した第2傾斜光強度分布部を含むことを利用して、
前記第1傾斜光強度分布部及び前記第2傾斜光強度分布部の傾きの絶対値の差を算出する第5過程と、
予め作成しておいた、前記傾きの絶対値の差対オフセット量の参照データを参照して、前記傾きの絶対値の差から前記オフセット量を算出することによって、前記第3膜の中心位置を認識する第6過程と
を含み、
前記参照データを、前記第1過程、前記第2過程、及び前記第3過程によって得られる構造体と同様の参照用構造体を、前記第1間隔に対応する参照用第1間隔と、前記第2間隔に対応する参照用第2間隔との間隔長方向に沿ったオフセット量を変化させて複数形成し、各前記参照用構造体に対して前記第4過程と同様の過程を行うことによって、光強度分布をそれぞれ測定し、該測定結果から、第1傾斜光強度分布部及び第2傾斜光強度分布部の傾きの絶対値の差に対する、それぞれのオフセット量を記録することによって作成する
ことを特徴とする露光位置決定方法。 A first step of forming a second film covering the first film by exposing a base surface and filling a first gap having a first gap length, which is formed in the first film on the foundation;
A second step of exposing the second film to the second film and forming a second interval having a length and direction equal to the first interval length and a second interval length;
A third step of embedding the third film in the second interval so that the upper surface is flush with the upper surface of the second film;
The first interval length direction corresponding to a step based on a change in film thickness of the second film and the third film of the reflected light of the visible light irradiated from the perpendicular direction to the base surface A fourth step of measuring the light intensity distribution along
In a state where the second interval is offset in the first interval length direction with respect to the first interval, the light intensity distribution is a layer region on the base, and the first film and the second film A first layer region laminated with a portion, a second layer region comprising an upper portion of the third film that contacts the base, a second layer region between the first layer region and the second layer region. A third layer region comprising a portion, a fourth layer region in which the first film portion and the third film portion are laminated, and a first layer portion in which the first film portion and the second layer region are laminated. A light intensity distribution corresponding to a five-layer region, wherein a maximum value of light intensity is taken in the first layer region and the fifth layer region, and a minimum value of light intensity is taken in the second layer region; The first inclined light intensity in which the light intensity continuously changes in the third layer region connecting the maximum value and the minimum value. It includes a distribution unit, by utilizing the fact that includes the maximum value and the second inclined light intensity distribution portion in which the light intensity in the fourth layer region connecting the minimum value is continuously changed,
A fifth step of calculating a difference between absolute values of inclinations of the first inclined light intensity distribution part and the second inclined light intensity distribution part;
By calculating the offset amount from the difference in absolute value of the slope with reference to the reference data of the absolute value of the slope versus the offset amount, which has been created in advance, the center position of the third film is determined. A sixth process of recognizing,
A reference structure similar to the structure obtained by the first process, the second process, and the third process is used as the reference data, a reference first interval corresponding to the first interval, and the first process. By forming a plurality of offset amounts along the interval length direction with the second reference interval corresponding to two intervals, and performing the same process as the fourth process on each of the reference structures, Each of the light intensity distributions is measured, and based on the measurement results, the respective offset amounts with respect to the difference between the absolute values of the inclinations of the first inclined light intensity distribution portion and the second inclined light intensity distribution portion are recorded. An exposure position determination method as a feature.
前記第3膜を、前記第1膜と比して低い反射率を有し、かつ前記第2膜と同程度の反射率を有する材料によって形成する
ことを特徴とする露光位置決定方法。 The exposure position determination method according to claim 6,
The exposure position determining method, wherein the third film is formed of a material having a lower reflectance than the first film and having a reflectance comparable to that of the second film.
前記第6過程において、前記第1間隔の中心点から、前記第1間隔長に沿って、前記オフセット方向に、前記オフセット量の1/2の値だけ離間した点を前記第3膜の中心位置として認識する
ことを特徴とする露光位置決定方法。 The exposure position determination method according to claim 6 or 7,
In the sixth step, the center position of the third film is a point separated from the center point of the first interval by a value that is ½ of the offset amount in the offset direction along the first interval length. An exposure position determination method characterized by recognizing as
前記第1過程を行う際に、メモリセル領域及び周辺回路領域を含む、前記下地の素子領域において、前記メモリセル領域の前記下地面に、該下地面を露出させ、かつ前記第1間隔長と等しい方向の第3間隔長を有する第3間隔が空けられたメモリセル用第1導体層を、また前記周辺回路領域の前記下地面に周辺回路用第1導体層をそれぞれ形成し、しかる後、前記第3間隔を埋め込むとともに、前記メモリセル用第1導体層及び周辺回路用第1導体層を含む前記下地の全面を被覆する第1絶縁体層を形成し、
前記第2過程を行う際に、前記第1絶縁体層に、前記下地面を露出させる第4間隔を空け、
前記第3過程を行う際に、前記第4間隔に、上側表面が前記第1絶縁体層の上側表面と同一面位置となるように第2導体層を埋め込む
ことを特徴とする露光位置決定方法。 An exposure position determination method according to any one of claims 6 to 8,
When performing the first process, in the underlying element region including the memory cell region and the peripheral circuit region, the underlying surface is exposed to the underlying surface of the memory cell region, and the first interval length Forming a first conductor layer for a memory cell having a third interval length in the same direction and a first conductor layer for a peripheral circuit on the underlying surface of the peripheral circuit region, and thereafter, Forming a first insulator layer that fills the third gap and covers the entire surface of the base including the first conductor layer for memory cells and the first conductor layer for peripheral circuits;
When performing the second process, the first insulator layer is provided with a fourth interval exposing the base surface,
An exposure position determining method, wherein the second conductor layer is embedded in the fourth interval so that the upper surface is flush with the upper surface of the first insulator layer when performing the third step. .
前記第3過程の後であって、前記第4過程の前に、前記下地の全面を一体的に覆うようにレジスト層を形成し、
前記第3膜の中心位置及び前記第1間隔長の中点間の該第1間隔長方向に沿った距離と等しい距離を、前記第3間隔長の中点から第3間隔長方向に沿ってずらした位置を、前記第2導体層の中心位置として認識し、
該第2導体層の中心位置を基準として、前記第1導体層の中心位置を認識し、
前記第2導体層の中心位置及び前記第1導体層の中心位置から位置決めされた、該第2導体層及び該第1導体層の上側に存在する前記レジスト層を露光する
ことを特徴とする露光位置決定方法。 The exposure position determination method according to claim 9,
After the third process and before the fourth process, a resist layer is formed so as to integrally cover the entire surface of the base,
A distance equal to the distance along the first interval length direction between the center position of the third film and the midpoint of the first interval length is set along the third interval length direction from the midpoint of the third interval length. Recognizing the shifted position as the center position of the second conductor layer,
Recognizing the center position of the first conductor layer on the basis of the center position of the second conductor layer;
Exposure exposing the resist layer located above the second conductor layer and the first conductor layer, which is positioned from the center position of the second conductor layer and the center position of the first conductor layer. Positioning method.
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