JP2009145184A - Probe control method and apparatus - Google Patents

Probe control method and apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2009145184A
JP2009145184A JP2007322431A JP2007322431A JP2009145184A JP 2009145184 A JP2009145184 A JP 2009145184A JP 2007322431 A JP2007322431 A JP 2007322431A JP 2007322431 A JP2007322431 A JP 2007322431A JP 2009145184 A JP2009145184 A JP 2009145184A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
sample
charged particle
particle beam
secondary particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007322431A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Kageyama
晃 影山
Noriyuki Kaneoka
則幸 兼岡
Kaoru Umemura
馨 梅村
Koji Ishiguro
浩二 石黒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2007322431A priority Critical patent/JP2009145184A/en
Publication of JP2009145184A publication Critical patent/JP2009145184A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe control method and apparatus, accurately and automatically recognizing the shape of a probe independently of the state of an observation image at the time of sampling. <P>SOLUTION: A probe 12 has a rectangular cross section. The attitude of the probe 12 is controlled in such a way that the side wall of the probe 12 in its longitudinal direction is in parallel with the incident direction of a focused ion beam 11 when the probe 12 is close to a micro sample 23. Inner-shell electrons having energy equal to a work function or greater among inner-shell electrons excited by the incidence of the focused ion beam 11 onto a sample 10 are emitted from a sample surface as secondary electrons. An end part of the side wall of the probe 12 has a large amount of secondary electrons emitted from the probe 12. Since the cross section of the probe 12 is as large as a few microns while irregularities of a pattern part on the sample are less than or equal to one micron, secondary electrons from the probe 12 take extremely large values in comparison with secondary electrons from a wafer surface to easily determine the external shape of the probe 12. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、検査装置等で検出された異物や欠陥箇所を含む微小サンプルの切り出しに使用されるプローブの制御方法及び装置に関する。   The present invention relates to a probe control method and apparatus used for cutting out a micro sample including a foreign object or a defect portion detected by an inspection apparatus or the like.

半導体製造においては、良品を歩留まり良く大量に生産することが求められる。一方、半導体の製造工程は数百工程程度にもおよび、ある工程での不良発生を知らずに製造工程を進めると、不良品を大量に作り込むことになり、膨大な損失となる。これを防止する為に、ある工程毎に入念な検査が行われ早い段階での不良の原因追及、対策を行っている。   In semiconductor manufacturing, it is required to produce good products in large quantities with a high yield. On the other hand, there are several hundred semiconductor manufacturing processes, and if the manufacturing process is advanced without knowing that a defect has occurred in a certain process, a large number of defective products will be produced, resulting in a huge loss. In order to prevent this, careful inspection is performed for each certain process, and the cause of the defect is investigated and countermeasures are taken at an early stage.

検査では回路パターン寸法の計測や、回路パターンの欠陥検査や異物分析がなされる。このため、各種の手段が用意され利用されている。検査方法として、製作パターン寸法を計測する、測長用走査電子顕微鏡、異物、欠陥検査用に光を利用する光学検査装置、電子ビームを利用するＳＥＭ式検査装置、回路の断線や短絡などの電気的不良を検査するナノプローバ検査装置などがある。   In the inspection, circuit pattern dimensions are measured, circuit pattern defects are inspected, and foreign matter analysis is performed. For this reason, various means are prepared and used. As inspection methods, measuring pattern dimensions, scanning electron microscope for length measurement, foreign matter, optical inspection device using light for defect inspection, SEM inspection device using electron beam, electric circuit breakage and short circuit etc. There is a nano prober inspection device that inspects mechanical defects.

特に、不良個所が製品の内部に存在する場合は、集束イオンビームを利用した微細加工観察装置が用いられる。集束イオンビームにより不良箇所を含むミクロンオーダーの微小領域（マイクロサンプル）を切り出し、そのマイクロサンプルを針状のプローブを含むマニピュレータにより摘出し保持してマイクロサンプルの位置と姿勢を調節して最適形状に追加工し、観察・分析する方法が特許文献１に記載されている。   In particular, when a defective part exists inside the product, a microfabrication observation apparatus using a focused ion beam is used. Using a focused ion beam, a micro area (micro sample) including a defective portion is cut out, and the micro sample is extracted and held by a manipulator including a needle-like probe to adjust the position and posture of the micro sample to an optimum shape. Patent Document 1 describes a method of performing additional processing and observing / analyzing.

また、観察部位を含むミクロンオーダーのマイクロサンプルを針状のプローブを含むマニピュレータにより摘出する場合、プローブを不良箇所が含まれるマイクロサンプルに高速に、かつ安定的に接触させる必要がある。プローブをマイクロサンプルに接触させた時にプローブ自身の破損やマイクロサンプルの損傷を発生し、作業のやり直しが発生すると、迅速な不良箇所の分析、解析、対策のフィードバックが出来ず、結果的にラインの生産性低下を生じる為である。   Further, when a microsample of micron order including an observation site is extracted with a manipulator including a needle-like probe, it is necessary to bring the probe into contact with the microsample including a defective portion at high speed and stably. If the probe itself or the microsample is damaged when the probe is brought into contact with the microsample, and if the work is re-executed, the failure point cannot be quickly analyzed, analyzed, and countermeasures cannot be fed back. This is because productivity decreases.

プローブの自動認識の方法については、事前にプローブの形状の画像を登録し、プローブ駆動時には観察画像から、プローブに最も近い形状を見つけ出す方法(パターンマッチング)が一般的である。   As a method of automatically recognizing a probe, a method (pattern matching) in which an image of a probe shape is registered in advance and a shape closest to the probe is found from an observation image when the probe is driven (pattern matching) is generally used.

プローブの試料への接触の検知については、例えば走査イオン顕微鏡像(Scanning Ion Microscope Image,以下SIM像と称す)に発生するプローブの影を検出することによってプローブの試料に対する高さを検出し、その情報をもとにプローブの試料への接触を検知する方法が、特許文献２に開示されている。   For detecting contact of the probe with the sample, for example, the height of the probe relative to the sample is detected by detecting the shadow of the probe generated in a scanning ion microscope image (hereinafter referred to as SIM image). A method of detecting contact of a probe with a sample based on information is disclosed in Patent Document 2.

プローブ制御部によってプローブを試料に接近させ、ある距離以内に接近すると、２次電子検出器から見てプローブの後方にあたる領域から放出される２次電子、反射電子等が、プローブが障害物となり２次電子検出器に届きにくくなることによりプローブの影が出現する。この影の出現にてプローブの移動速度を低下させ、輝度の急激な上昇によりプローブの接触を認知する。   When the probe is brought close to the sample by the probe control unit and approached within a certain distance, secondary electrons, reflected electrons, etc. emitted from the area behind the probe as viewed from the secondary electron detector become the obstacle 2 The shadow of the probe appears due to the difficulty of reaching the secondary electron detector. The appearance of this shadow reduces the moving speed of the probe, and recognizes the contact of the probe by a sudden increase in luminance.

特開２００２−１５０９９０号公報JP 2002-150990 A 特開２００２−４０１０７号公報JP 2002-40107 A

プローブの自動認識時に、回路パターンが作られたウエハからサンプリングを行う場合、サンプリング時の観察画像に、プローブの形状に似たパターンが含まれると、そちらをプローブとして誤検出する場合がある。   When sampling is performed from a wafer on which a circuit pattern is formed during automatic probe recognition, if a pattern similar to the shape of the probe is included in the observation image at the time of sampling, that may be erroneously detected as a probe.

この対策としては、予めプローブが無い状態の観察画像を撮像し、プローブがある画像からの引き算により、プローブのみの画像を製作する方法がある。しかし、この方法では、撮像のタイミングが異なるため、試料を乗せるステージのドリフトや、帯電状況の変化による明るさの変化により、引き算後の画像にプローブ以外の画像が含まれ、誤検出する場合もある。   As a countermeasure, there is a method in which an observation image without a probe is taken in advance and an image with only the probe is produced by subtraction from the image with the probe. However, in this method, since the timing of imaging is different, the image after subtraction includes an image other than the probe due to the drift of the stage on which the sample is placed and the change in brightness due to the change in the charging state, and erroneous detection may occur. is there.

また、従来の円錐形のプローブでは、外形の境界部分がなだらかであるため、2次電子の発生もなだらかになる傾向があり、自動認識の前にアンシャープマスク等の画像処理による、端部の先鋭化が必要となっている。   In addition, in the conventional conical probe, since the boundary of the outer shape is gentle, the generation of secondary electrons tends to be gentle, and the edge of the edge by image processing such as an unsharp mask before automatic recognition. Sharpening is necessary.

他方、プローブの試料への接触の検知については、試料表面の帯電状況に大きく左右される。   On the other hand, the detection of contact of the probe with the sample greatly depends on the charged state of the sample surface.

試料表面に絶縁物がある場合、絶縁物表面は集束イオンビームまたは電子ビーム等の荷電粒子ビームによって正または負に帯電する場合が多い。例えば、正に帯電する場合は、半導体であるシリコンウエハ上に形成された絶縁物に集束イオンビームが照射される場合であり、絶縁物表面にプラスの電荷が蓄積することと、２次電子放出により等価的にさらにプラスの電荷が蓄積することによる。   When there is an insulator on the sample surface, the insulator surface is often positively or negatively charged by a charged particle beam such as a focused ion beam or an electron beam. For example, when positively charged, the insulator formed on the silicon wafer, which is a semiconductor, is irradiated with a focused ion beam, and positive charges accumulate on the insulator surface and secondary electron emission. This is due to the accumulation of more positive charges equivalently.

負に帯電する場合とは、例えば絶縁物に、電子ビームが照射された場合で、しかも１次電子量にたいする２次電子発生量の比αが１より小さい場合である。逆にαが１より大きいと、絶縁物の表面は正に帯電する。αは、観察対象、入射させる１次電子ビームのエネルギー値によっても変化する。   The case of negative charging is, for example, a case where an insulator is irradiated with an electron beam and a ratio α of the amount of secondary electrons generated to the amount of primary electrons is smaller than 1. Conversely, when α is greater than 1, the surface of the insulator is positively charged. α also varies depending on the observation target and the energy value of the incident primary electron beam.

試料が正または負に帯電すると、プローブを接近させた場合、プローブが接触する位置でのプローブ近傍の計測領域での輝度の変化が小さくなり、実際、プローブの接近を認識することが困難になる。何故ならば、例えば観察位置が正に帯電している場合、２次電子は試料の正の電界によって、試料側に押し戻され、検出器に入射する２次電子量が低下するため全体的にＳＩＭ画像は暗くなる。この状態でアース電位を印加されたプローブを接近させると、計測領域での輝度はプローブが検出器から見て障害物となり２次電子等の信号量がさらに低下し輝度が低下するが、その変化分はプローブが接近する前にすでに輝度が低下しているため変化率が小さくなり、試料へのプローブの接近が認識しずらくなる。   When the sample is charged positively or negatively, when the probe is brought closer, the change in luminance in the measurement region near the probe at the position where the probe comes into contact is reduced, and it is actually difficult to recognize the approach of the probe. . This is because, for example, when the observation position is positively charged, the secondary electrons are pushed back to the sample side by the positive electric field of the sample, and the amount of secondary electrons incident on the detector is reduced, so that the entire SIM The image becomes darker. In this state, when a probe to which a ground potential is applied is brought closer, the luminance in the measurement region becomes an obstacle when viewed from the detector, and the signal amount of secondary electrons and the like further decreases and the luminance decreases. Since the luminance has already decreased before the probe approaches, the rate of change becomes small, and it is difficult to recognize the approach of the probe to the sample.

また、試料が負に帯電している場合、２次電子は試料の負の電界によって、２次電子検出器側に加速され、また放出量も増加するため、２次電子量が増加するためSIM像全体の輝度は大きくなり、明るくなる。アース電位を印加されたプローブの接近により上記の如く低下するが、その変化分は小さく、プローブの接近が目視ですら認識困難である。   Also, when the sample is negatively charged, secondary electrons are accelerated to the secondary electron detector side by the negative electric field of the sample, and the amount of secondary electrons increases, so that the amount of secondary electrons increases. The brightness of the entire image increases and becomes brighter. Although it decreases as described above due to the approach of the probe to which the ground potential is applied, the change is small and the approach of the probe is difficult to recognize even visually.

本発明の目的は、サンプリング時に観察画像の状態によらず、プローブの形状を正確に自動認識させることが可能なプローブの制御方法及び装置を実現することである。   An object of the present invention is to realize a probe control method and apparatus capable of automatically and accurately recognizing the probe shape regardless of the state of the observation image at the time of sampling.

本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成される。   In order to solve the above problems, the present invention is configured as follows.

荷電粒子ビームが試料及びプローブに照射され、試料及びプローブから放出される２次粒子又は反射粒子が検出されて画像化され、得られた画像に基いて、上記プローブにより上記試料から微小サンプルを切り出すために、上記プローブの動作が制御されるプローブ制御方法及び装置であって、上記プローブは、このプローブの長手方向側面に一つ以上の平面部を有し、この平面部を、上記荷電粒子ビームの上記試料への照射方向と平行とし、上記プローブから放出された２次粒子又は反射粒子に基いて、上記プローブを画像化して上記プローブの位置を検出する。   The charged particle beam is irradiated onto the sample and the probe, and secondary particles or reflected particles emitted from the sample and the probe are detected and imaged. Based on the obtained image, a minute sample is cut out from the sample by the probe. Therefore, there is provided a probe control method and apparatus in which the operation of the probe is controlled, wherein the probe has one or more plane portions on the side surface in the longitudinal direction of the probe, and the plane portion is used as the charged particle beam. The position of the probe is detected by imaging the probe based on secondary particles or reflection particles emitted from the probe in parallel with the irradiation direction of the sample.

また、上記プローブの平面部を、荷電粒子ビームの試料への照射方向と所定角度傾斜させ、上記プローブから放出された２次粒子又は反射粒子に基いて、上記プローブを画像化して、上記プローブの形状を検出しながら、上記プローブを上記試料に接近させ、上記プローブの曲がり量が一定値以上となったとき、上記プローブが試料に接触したと判断する。   In addition, the flat part of the probe is inclined at a predetermined angle with the irradiation direction of the charged particle beam to the sample, and the probe is imaged based on secondary particles or reflected particles emitted from the probe, While detecting the shape, the probe is brought close to the sample, and when the amount of bending of the probe becomes a certain value or more, it is determined that the probe is in contact with the sample.

サンプリング時に観察画像の状態によらず、プローブの形状を正確に自動認識させることが可能なプローブの制御方法及び装置を実現することができる。   A probe control method and apparatus capable of automatically and accurately recognizing the probe shape regardless of the state of the observation image at the time of sampling can be realized.

以下、図を参照して本発明の実施の形態を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施形態における集束イオンビーム加工装置の概略構成図である。   FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a focused ion beam processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

図１において、試料室１は、ドライポンプ、ターボ分子ポンプを有する排気系２で排気され、約１０−４から１０−５Ｐａ程度の高真空に保たれている。試料室１には、集束イオンビームカラム３、電子検出部４、デポジションやエッチング処理を行う為のガスノズル２２を有するガス銃５、試料１０よりマイクロサンプルを摘出する為のプローブ１２を有するマイクロサンプリングユニット６、試料室１の真空度を計測するピラニーやペニング真空ゲージ７、５軸ステージ８、試料１０が配置される試料ホルダ（試料台）９が備えられている。 In FIG. 1, a sample chamber 1 is evacuated by an exhaust system 2 having a dry pump and a turbo molecular pump, and is kept at a high vacuum of about 10 −4 to 10 −5 Pa. The sample chamber 1 includes a focused ion beam column 3, an electron detector 4, a gas gun 5 having a gas nozzle 22 for performing deposition and etching, and a microsampling having a probe 12 for extracting a microsample from the sample 10. A unit 6, a pilani for measuring the degree of vacuum in the sample chamber 1, a Penning vacuum gauge 7, a 5-axis stage 8, and a sample holder (sample stage) 9 on which a sample 10 is arranged are provided.

各ユニットは、各々の制御部１３〜１８に接続させており、これらを統合して制御する中央制御部２０がある。中央制御部２０には操作卓１９、画像処置装置２１が接続されている。   Each unit is connected to each control unit 13-18, and there is a central control unit 20 that controls these units in an integrated manner. A console 19 and an image treatment device 21 are connected to the central control unit 20.

以上の構成により、試料１０には、ビーム電流が数十ナノアンペアから０．１ピコアンペア程度で、直径が数ナノメートルから数マイクロメートルのビームを１辺が数ミリメートルから数マイクロメートルの照射範囲で照射できる。このため、ビーム照射によるスパッタリングによりミクロンオーダーの穴加工が出来る。   With the above configuration, the sample 10 has a beam current of about several tens of nanoamperes to 0.1 picoamperes and a beam with a diameter of several nanometers to several micrometers in an irradiation range of several millimeters to several micrometers on one side. Can be irradiated. For this reason, micron-order hole processing can be performed by sputtering by beam irradiation.

光学検査装置、ＳＥＭ式検査装置等で見つけた異物、コンタクト不良などの不良箇所を含む、配線、保護膜成膜等の処理をされたシリコンウエハである試料１０をＸ軸（左右方向）、Ｙ軸（奥行き方向）、Ｚ軸（天地方向）、ウエハ回転用のＲ軸、傾斜軸の５軸ステージ８に搭載する。５軸ステージ８は５軸ステージ制御部１８に接続され、サブミクロン程度の位置決め精度を有する。   Sample 10 which is a silicon wafer that has been subjected to processing such as wiring and protective film formation, including a foreign matter found by an optical inspection apparatus, SEM type inspection apparatus, etc., or a defective portion such as a contact failure, X axis (left and right direction), Y It is mounted on a 5-axis stage 8 having an axis (depth direction), a Z-axis (top-and-bottom direction), an R-axis for rotating the wafer, and an inclined axis. The 5-axis stage 8 is connected to the 5-axis stage controller 18 and has a positioning accuracy of about submicron.

集束イオンビーム１１を試料１０上に照射し、ビーム照射域から出てきた２次電子、反射電子等を約１０ｋVの正の電位を与えたシンチレータおよび光電子倍増管で構成される電子検出部4で捕捉し、検出器制御部１５からの信号と集束イオンビーム１１の走査を同期させて中央制御部２０でＳＩＭ像を得て、これを画像処理装置２１の表示部に表示させる。   An electron detector 4 is formed of a scintillator and a photomultiplier tube that irradiates the sample 10 with the focused ion beam 11 and gives secondary electrons, reflected electrons, and the like emitted from the beam irradiation region to a positive potential of about 10 kV. The central control unit 20 obtains a SIM image by synchronizing the signal from the detector control unit 15 and scanning of the focused ion beam 11 and displays the SIM image on the display unit of the image processing device 21.

タングステンでできた先端が数マイクロメータの先細りのプローブ１２はマイクロサンプリングユニット６、マイクロサンプリング制御部１３によって、X軸（左右方向）、Y軸（奥行き方向）、Z軸（天地方向）に各々数ミリメータ移動可能で、位置決め精度は数ミクロンメートルである。   The probe 12 made of tungsten and having a tapered tip of several micrometers is respectively measured in the X-axis (left-right direction), Y-axis (depth direction), and Z-axis (top-bottom direction) by the micro-sampling unit 6 and the micro-sampling control unit 13. It can be moved by millimeters, and the positioning accuracy is several micrometers.

約６０℃程度に温度コントロールされたタングステンカーバイトのガス源（図示せず）とガスノズル２２およびノズル駆動部を有するガス銃５は、ガスを対象部に照射し、数十ピコアンペアの集束イオンビーム１１で走査することでガスを分解、反応させてタングステンの数マイクロメータ角のデポジッション膜を数分間で形成できる。   A gas source 5 (not shown) of tungsten carbide whose temperature is controlled to about 60 ° C., a gas gun 22 having a gas nozzle 22 and a nozzle driving unit irradiates the target unit with gas, and a focused ion beam 11 of several tens of picoamperes. By scanning with, gas can be decomposed and reacted to form a tungsten deposition film of several micrometers square in a few minutes.

図２は、集束イオンビーム１１によるマイクロサンプル２３の切り出し作業の概略説明図である。   FIG. 2 is a schematic explanatory diagram of the cutting operation of the microsample 23 by the focused ion beam 11.

図２において、不良箇所を含む、縦が１０マイクロメートル、奥行きが５マイクロメートル、深さが５マイクロメートルのマイクロサンプル２３を試料１０から集束イオンビーム１１によるスパッタリングにより切り出す。斜めの溝加工は試料台９を傾斜させることで行う。図２に示した例の場合、試料台９を４５°傾斜させている。   In FIG. 2, a microsample 23 including a defective portion and having a length of 10 μm, a depth of 5 μm, and a depth of 5 μm is cut out from the sample 10 by sputtering with the focused ion beam 11. Diagonal grooving is performed by inclining the sample stage 9. In the case of the example shown in FIG. 2, the sample stage 9 is inclined 45 °.

図示していないが、マイクロサンプル２３と試料１０とは、マイクロサンプル２３の下部で切り残しがあり、完全に分離されているわけでは無い。マイクロサンプル２３を試料より完全に分離するためには、プローブ１２をマイクロサンプル２３に接触させ、接触部にガスノズル２２からデポガス２４を照射する。さらに、別方向から集束イオンビーム１１を照射することにより、マイクロサンプル２３とプローブ１２をデポ膜２５にて機械的に接着する。   Although not shown, the microsample 23 and the sample 10 are left uncut at the bottom of the microsample 23 and are not completely separated. In order to completely separate the micro sample 23 from the sample, the probe 12 is brought into contact with the micro sample 23, and the deposit gas 24 is irradiated from the gas nozzle 22 to the contact portion. Furthermore, the micro sample 23 and the probe 12 are mechanically bonded by the deposition film 25 by irradiating the focused ion beam 11 from another direction.

接着終了後、再度、集束イオンビーム１１で切り残しを除去し、マイクロサンプル２３を試料より分離する。   After the bonding is completed, the uncut portion is removed again by the focused ion beam 11, and the micro sample 23 is separated from the sample.

図３は、マイクロサンプル２３にプローブ１２を接近させるときのプローブ制御方法の説明図である。   FIG. 3 is an explanatory diagram of a probe control method when the probe 12 is brought close to the micro sample 23.

図３において、プローブ１２の断面は長方形であり、マイクロサンプル２３への接近時、プローブ１２の長手方向における側壁を集束イオンビームの入射方向と平行になる方向となるようにプローブ１２の姿勢を制御する。プローブ１２の姿勢制御は、制御部１３により行なわれ、プローブ１２の長手方向軸を中心とした回転動作も行なわれる。   In FIG. 3, the cross section of the probe 12 is rectangular, and when approaching the microsample 23, the posture of the probe 12 is controlled so that the side wall in the longitudinal direction of the probe 12 becomes parallel to the incident direction of the focused ion beam. To do. The posture control of the probe 12 is performed by the control unit 13, and the rotation operation about the longitudinal axis of the probe 12 is also performed.

集束イオンビーム１１の試料１０への入射により励起された殻内電子のうち、仕事関数以上のエネルギーを有するものは、２次電子として試料表面より放出される。   Among the electrons in the shell excited by the incidence of the focused ion beam 11 on the sample 10, those having energy higher than the work function are emitted from the sample surface as secondary electrons.

殻内電子のうち、２次電子として放出されるものは、試料表面より５〜５０ｎｍの深さのものに限定されるため、集束イオンビーム１１の入射軸と平行なほど２次電子が多く放出される。よって、上述したように、プローブ１２の側壁を集束イオンビームの入射方向と平行方向となるようにプローブ１２の姿勢を制御している。   Of the electrons in the shell, those emitted as secondary electrons are limited to those having a depth of 5 to 50 nm from the surface of the sample, so that more secondary electrons are emitted as they are parallel to the incident axis of the focused ion beam 11. Is done. Therefore, as described above, the posture of the probe 12 is controlled so that the side wall of the probe 12 is parallel to the incident direction of the focused ion beam.

そして、プローブ１２からの２次電子放出量は、図３に示したグラフ２６のように、プローブ１２の側壁の端部で大となる。試料であるウエハ面上のパターン部の凹凸は、大きくても1ミクロン以下であるのに対し、プローブ１２の断面は数ミクロンと大きいため、プローブ１２からの２次電子は、ウエハ面からの２次電子に比較して極端に大きな値となる。   The amount of secondary electrons emitted from the probe 12 becomes large at the end of the side wall of the probe 12 as shown in the graph 26 shown in FIG. The unevenness of the pattern portion on the wafer surface, which is the sample, is 1 micron or less at most, whereas the cross section of the probe 12 is as large as several microns, so that secondary electrons from the probe 12 are 2 from the wafer surface. The value is extremely large compared to the secondary electrons.

図４は、図３に示した状態で、観察画像からプローブ１２を識別する方法の説明図である。   FIG. 4 is an explanatory diagram of a method for identifying the probe 12 from the observation image in the state shown in FIG.

図４において、試料１０とプローブ１２とを含んだ観察画像２７について、画像処理装置２１を使用し、明るさを横軸、縦軸にその明るさの画素の総和をとったヒストグラム２８を算出する。   In FIG. 4, for the observation image 27 including the sample 10 and the probe 12, the image processing device 21 is used to calculate a histogram 28 in which the brightness is taken on the horizontal axis and the vertical axis represents the sum of the pixels of the brightness. .

プローブ１２とプローブ１２以外の明るさの間に閾値２９を設定し、画像処理装置２１にて閾値２９を境に２値化を実行すれば、プローブ１２の外形のみの画像３０が得られる。   If the threshold value 29 is set between the brightnesses of the probes 12 and other than the probe 12 and the binarization is executed by the image processing device 21 with the threshold value 29 as a boundary, an image 30 of only the outer shape of the probe 12 is obtained.

切り出すマイクロサンプル２３の位置は、加工時に中央制御部２０で認識しているため、プローブ１２の現在位置がわかれば、マイクロサンプル２３とプローブ１２との位置関係を把握することができる。   Since the central control unit 20 recognizes the position of the microsample 23 to be cut out, the positional relationship between the microsample 23 and the probe 12 can be grasped if the current position of the probe 12 is known.

このように、プローブ１２の加工前の画像を取得し、試料１０とプローブ１２とを含んだ観察画像との差分を計算しなくとも、プローブ１２の現在位置を把握することが可能である。   Thus, it is possible to grasp the current position of the probe 12 without acquiring an image before processing the probe 12 and calculating a difference between the observation image including the sample 10 and the probe 12.

図５はプローブ１２をマイクロサンプル２３に接近させる段階でのプローブ１２先端のマイクロサンプル２３への接触検知方法の説明図である。図５の（Ａ）は、本発明とは異なる形状である円柱形状のプローブ３１を使用する場合と示し、図５の（Ｂ）は、本発明の実施形態である長方形断面を有するプローブ１２を使用する場合を示す。   FIG. 5 is an explanatory diagram of a method for detecting contact of the tip of the probe 12 with the microsample 23 when the probe 12 is brought close to the microsample 23. 5A shows that a cylindrical probe 31 having a shape different from that of the present invention is used, and FIG. 5B shows the probe 12 having a rectangular cross section according to the embodiment of the present invention. Indicates when to use.

図５の（Ｂ）において、プローブ１２の長方形の断面を任意の角度（プローブ１２の長手方向側部の平面を、集束イオンビームの試料照射方向とのなす角度）を、例えば４５°となるようにプローブ１２を回転した後、マイクロサンプル２３に接近させる。   In FIG. 5B, the rectangular cross section of the probe 12 has an arbitrary angle (the angle formed by the plane of the longitudinal side portion of the probe 12 and the sample irradiation direction of the focused ion beam), for example, 45 °. After the probe 12 is rotated, the micro sample 23 is moved closer.

この時、図５の（Ａ）に示すように、断面が円形の円柱状プローブ３１では、試料２３への接触後のこのプローブ３１の曲がりは、このプローブ３１の真上方向から照射される集束イオンビーム１１では検出できない。   At this time, as shown in FIG. 5A, in the cylindrical probe 31 having a circular cross section, the bending of the probe 31 after contact with the sample 23 is focused from the direction directly above the probe 31. It cannot be detected by the ion beam 11.

これに対して、図５の（Ｂ）に示すような、断面が長方形のプローブ１２を、上述したように傾斜させて、試料２３に接触させた場合は、長方形断面の短辺方向に曲がる。このため、プローブ１２の真上方向から照射される集束イオンビーム１１でも、プローブ１２の曲がり量３２を画像認識により検出することができる。この画像認識においては、図４に示したように、得られた画像の明るさに閾値を設定して２値化し、プローブの外形のみを画像化することが可能である。   On the other hand, when the probe 12 having a rectangular cross section as shown in FIG. 5B is tilted as described above and brought into contact with the sample 23, it bends in the short side direction of the rectangular cross section. Therefore, even with the focused ion beam 11 irradiated from directly above the probe 12, the bending amount 32 of the probe 12 can be detected by image recognition. In this image recognition, as shown in FIG. 4, it is possible to set a threshold value to the brightness of the obtained image to binarize it, and to image only the outer shape of the probe.

この曲がり量３２を計測し、一定量以上曲がったときに、プローブ１２の先端が試料２３に接触したと判断することができる。   The bending amount 32 is measured, and it can be determined that the tip of the probe 12 is in contact with the sample 23 when the bending amount exceeds a certain amount.

以上のように、本発明の一実施形態によれば、プローブの長手方向側面が一つ以上の平面を有する形状とし、この平面を集束イオンビームの試料への入射方向と平行となるようにして、この平面からの２次電子の発生量を増加させて、プローブの位置を２次電子量の観察により、容易に検出可能としている。   As described above, according to an embodiment of the present invention, the longitudinal side surface of the probe has a shape having one or more planes, and the plane is parallel to the incident direction of the focused ion beam to the sample. By increasing the amount of secondary electrons generated from this plane, the position of the probe can be easily detected by observing the amount of secondary electrons.

これにより、プローブの位置を正確に検出することが可能となる。   Thereby, the position of the probe can be accurately detected.

また、プローブの断面形状を長方形状とし、プローブが試料に接触したときに、このプローブが曲がり、曲がり量を検出することにより、試料に接触したことを正確検知することができる。   In addition, when the probe has a rectangular cross-sectional shape and the probe is in contact with the sample, the probe is bent and the amount of bending can be detected to accurately detect that the probe is in contact with the sample.

なお、上述した例では、プローブを四角形状としたが、長手方向側面に平面を一つのみ有するような形状のプローブであっても、本発明を適用することが可能である。   In the above-described example, the probe has a quadrangular shape, but the present invention can be applied even to a probe having a shape having only one plane on the side surface in the longitudinal direction.

プローブの長手方向側面に形成される平面は、短辺が１ミクロン以上であれば本発明を適用することが可能である。これは、電子顕微鏡の性能上、許容可能な寸法である。   The present invention can be applied to the plane formed on the side surface in the longitudinal direction of the probe if the short side is 1 micron or more. This is an allowable dimension for the performance of the electron microscope.

また、本発明は、集束イオンビーム加工装置のみならず、プローブを使用するものであって、電子顕微鏡等の２次電子を発生させて対象物を観察する方法及び装置に適用可能である。   The present invention uses not only a focused ion beam processing apparatus but also a probe, and can be applied to a method and apparatus for observing an object by generating secondary electrons such as an electron microscope.

つまり、荷電粒子ビーム発生部と、荷電粒子ビーム照射光学系部と、試料より放出される２次粒子、反射粒子等を検出する検出部と、この検出信号とビーム走査を同期させて観察像を得る制御部と、上記試料より微小サンプルを切り出すために使用する探針（プローブ）と、そのプローブ駆動制御部を有する装置であれば、適用可能である。   That is, a charged particle beam generation unit, a charged particle beam irradiation optical system unit, a detection unit that detects secondary particles, reflected particles, and the like emitted from a sample, and an observation image by synchronizing this detection signal and beam scanning. The present invention is applicable to any device that has a control unit to obtain, a probe (probe) used to cut out a micro sample from the sample, and the probe drive control unit.

本発明の一実施形態における集束イオンビーム加工装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the focused ion beam processing apparatus in one Embodiment of this invention. 集束イオンビームによるマイクロサンプルの切り出し作業の概略説明図である。It is a schematic explanatory drawing of the cutting-out operation | work of the micro sample by a focused ion beam. マイクロサンプルにプローブを接近させるときのプローブ制御方法の説明図である。It is explanatory drawing of the probe control method when making a probe approach a micro sample. 図３に示した状態で、観察画像からプローブ１２を識別する方法の説明図である。It is explanatory drawing of the method of identifying the probe 12 from an observation image in the state shown in FIG. プローブをマイクロサンプルに接近させる段階でのプローブ先端のマイクロサンプルへの接触検知方法の説明図である。It is explanatory drawing of the contact detection method to the micro sample of the probe front-end | tip in the step which makes a probe approach a micro sample.

符号の説明Explanation of symbols

１・・・試料室、２・・・排気系、３・・・集束イオンビームカラム、４・・・電子検出部、５・・・ガス銃、６・・・マイクロサンプリングユニット、７・・・真空ゲージ、８・・・５軸ステージ、９・・・ホルダ、１０・・・試料、１１・・・集束イオンビーム、１２・・・プローブ、１３・・・マイクロサンプリング制御部、１４・・・集束イオンビーム制御部、１５・・・検出器制御部、１６・・・ガス銃制御部、１７・・・真空系制御部、１８・・・５軸ステージ制御部、１９・・・操作卓、２０・・・中央制御部、２１・・・画像処理装置、２２・・・ガスノズル、２３・・・マイクロサンプル、２４・・・デポガス、２５・・・デポ膜、２６・・・２次電子放出量のグラフ、２７・・・プローブを含んだ観察画像、２８・・・明るさのヒストグラム、２９・・・閾値、３０・・・２値化画像、３１・・・断面が円形のプローブ、３２・・・プローブの曲がり量   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Sample chamber, 2 ... Exhaust system, 3 ... Focused ion beam column, 4 ... Electron detection part, 5 ... Gas gun, 6 ... Micro sampling unit, 7 ... Vacuum gauge, 8 ... 5-axis stage, 9 ... holder, 10 ... sample, 11 ... focused ion beam, 12 ... probe, 13 ... microsampling control unit, 14 ... Focused ion beam control unit, 15 ... detector control unit, 16 ... gas gun control unit, 17 ... vacuum system control unit, 18 ... 5-axis stage control unit, 19 ... console DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 ... Central control part, 21 ... Image processing apparatus, 22 ... Gas nozzle, 23 ... Micro sample, 24 ... Deposition gas, 25 ... Deposition film, 26 ... Secondary electron emission Graph of quantity, 27 ... Observation image including probe, 28 ... That of the histogram, 29 ... threshold, 30 ... binarized image, 31 ... cross-section a circular probe, the bending amount of 32 ... Probe

Claims (9)

荷電粒子ビームを試料及びプローブを照射し、試料及びプローブから放出される２次粒子又は反射粒子を検出して画像化し、得られた画像を用いて上記プローブにより上記試料から微小サンプルを切り出すために、上記プローブの動作を制御するプローブ制御方法において、
上記プローブは、このプローブの長手方向側面に一つ以上の平面部を有し、この平面部を、上記荷電粒子ビームの上記試料への照射方向と平行とし、上記プローブから放出された２次粒子又は反射粒子に基いて、上記プローブを画像化して上記プローブの位置を検出することを特徴とするプローブ制御方法。 To irradiate a sample and a probe with a charged particle beam, detect and image secondary particles or reflected particles emitted from the sample and the probe, and cut out a micro sample from the sample by the probe using the obtained image In the probe control method for controlling the operation of the probe,
The probe has one or more flat portions on the side surface in the longitudinal direction of the probe, and the flat portions are parallel to the irradiation direction of the charged particle beam to the sample, and the secondary particles emitted from the probe. Or the probe control method characterized by imaging the said probe and detecting the position of the said probe based on reflective particle | grains. 請求項１記載のプローブ制御方法において、上記試料及びプローブから放出された２次粒子又は反射粒子に基いて、上記試料及びプローブを画像化し、得られた画像のうち、閾値以上の２次粒子量に対応する画素と、上記閾値未満の２次粒子量又は反射粒子量に対応する画素とに分離して２値化し、上記プローブの外形のみを画像化することを特徴とするプローブ制御方法。   2. The probe control method according to claim 1, wherein the sample and the probe are imaged based on the secondary particles or the reflective particles emitted from the sample and the probe, and the amount of secondary particles not less than a threshold value among the obtained images. And a pixel corresponding to the amount of secondary particles or the amount of reflected particles less than the threshold value, and binarized to image only the outer shape of the probe. 荷電粒子ビームを試料及びプローブを照射し、試料及びプローブから放出される２次粒子又は反射粒子を検出して画像化し、得られた画像を用いて上記プローブにより上記試料から微小サンプルを切り出すために、上記プローブの動作を制御するプローブ制御方法において、
上記プローブは、このプローブの長手方向側面に一つ以上の平面部を有し、この平面部を、上記荷電粒子ビームの上記試料への照射方向と所定角度傾斜させ、上記プローブから放出された２次粒子又は反射粒子に基いて、上記プローブを画像化して、上記プローブの形状を検出しながら、上記プローブを上記試料に接近させ、上記プローブの曲がり量が一定値以上となったとき、上記プローブが試料に接触したと判断することを特徴とするプローブ制御方法。 To irradiate a sample and a probe with a charged particle beam, detect and image secondary particles or reflected particles emitted from the sample and the probe, and cut out a micro sample from the sample by the probe using the obtained image In the probe control method for controlling the operation of the probe,
The probe has one or more flat portions on the side surface in the longitudinal direction of the probe, and the flat portions are inclined at a predetermined angle with the irradiation direction of the charged particle beam to the sample, and are emitted from the probe. When the probe is brought close to the sample while detecting the shape of the probe based on the next particle or the reflecting particle and detecting the shape of the probe, the probe is bent when the amount of bending of the probe becomes a certain value or more. A probe control method, characterized in that it is determined that the contact with the sample. 請求項３記載のプローブ制御方法において、上記試料及びプローブから放出された２次粒子又は反射粒子に基いて、上記試料及びプローブを画像化し、得られた画像のうち、閾値以上の２次粒子量に対応する画素と、上記閾値未満の２次粒子量に対応する画素とに分離して２値化し、上記プローブの外形のみを画像化することを特徴とするプローブ制御方法。   The probe control method according to claim 3, wherein the sample and the probe are imaged based on the secondary particles or the reflective particles emitted from the sample and the probe, and the amount of secondary particles equal to or greater than a threshold among the obtained images. And a pixel corresponding to the amount of secondary particles less than the threshold value and binarized to image only the outer shape of the probe. 荷電粒子ビームを試料及びプローブを照射し、試料及びプローブから放出される２次粒子を検出して画像化し、得られた画像を用いて上記プローブにより上記試料から微小サンプルを切り出すために、上記プローブの動作を制御するプローブ制御方法において、
上記プローブは、このプローブの長手方向側面に一つ以上の平面部を有し、この平面部を、上記荷電粒子ビームの上記試料への照射方向と平行とし、上記プローブから放出された２次粒子又は反射粒子に基いて、上記プローブを画像化して上記プローブの位置を検出した後、上記平面部を、上記荷電粒子ビームの上記試料への照射方向と所定角度傾斜させ、上記プローブの形状を検出しながら、上記プローブを上記試料に接近させ、上記プローブの曲がり量が一定値以上となったとき、上記プローブが試料に接触したと判断することを特徴とするプローブ制御方法。 The probe is used to irradiate the sample and the probe with a charged particle beam, detect and image secondary particles emitted from the sample and the probe, and cut out a micro sample from the sample by the probe using the obtained image. In the probe control method for controlling the operation of
The probe has one or more flat portions on the side surface in the longitudinal direction of the probe, and the flat portions are parallel to the irradiation direction of the charged particle beam to the sample, and the secondary particles emitted from the probe. Alternatively, after imaging the probe and detecting the position of the probe based on the reflective particles, the plane portion is inclined at a predetermined angle with the direction of irradiation of the charged particle beam onto the sample to detect the shape of the probe. On the other hand, the probe control method characterized in that the probe is brought into contact with the sample when the probe is brought close to the sample and the bending amount of the probe becomes a certain value or more. 請求項１記載のプローブ制御方法において、上記荷電粒子ビームは、集束イオンビームであり、上記２次粒子又は反射粒子は２次電子であることを特徴とするプローブ制御方法。   2. The probe control method according to claim 1, wherein the charged particle beam is a focused ion beam, and the secondary particles or the reflected particles are secondary electrons. 荷電粒子ビーム発生部と、
長手方向側面に一つ以上の平面部を有するプローブと、
上記荷電粒子ビーム発生部から発生された荷電粒子ビームが試料及び上記プローブに照射されることにより放出される２次粒子又は反射粒子を検出し、画像化する画像処理部と、
上記荷電粒子ビーム発生部、上記プローブ、及び上記画像処理部の動作を制御し、上記プローブの平面部を、上記荷電粒子ビームの上記試料への照射方向と平行とし、上記プローブから放出された２次粒子又は反射粒子に基いて、上記画像処理部により上記プローブを画像化して上記プローブの位置を検出する制御部と、
を備えることを特徴とするプローブ制御装置。 A charged particle beam generator,
A probe having one or more planar portions on a longitudinal side surface;
An image processing unit for detecting and imaging secondary particles or reflected particles emitted by irradiating the sample and the probe with the charged particle beam generated from the charged particle beam generating unit;
The charged particle beam generation unit, the probe, and the image processing unit are controlled so that the plane portion of the probe is parallel to the direction of irradiation of the charged particle beam to the sample and is emitted from the probe. Based on the secondary particles or reflective particles, the control unit that images the probe by the image processing unit and detects the position of the probe;
A probe control device comprising: 荷電粒子ビーム発生部と、
長手方向側面に一つ以上の平面部を有するプローブと、
上記荷電粒子ビーム発生部から発生された荷電粒子ビームが試料及び上記プローブに照射されることにより放出される２次粒子又は反射粒子を検出し、画像化する画像処理部と、
上記荷電粒子ビーム発生部、上記プローブ、及び上記画像処理部の動作を制御し、上記プローブの平面部を、上記荷電粒子ビームの上記試料への照射方向と所定角度傾斜させ、上記プローブから放出された２次粒子又は反射粒子に基いて、上記プローブを画像化して、上記プローブの形状を検出しながら、上記プローブを上記試料に接近させ、上記プローブの曲がり量が一定値以上となったとき、上記プローブが試料に接触したと判断する制御部と、
を備えることを特徴とするプローブ制御装置。 A charged particle beam generator,
A probe having one or more planar portions on a longitudinal side surface;
An image processing unit for detecting and imaging secondary particles or reflected particles emitted by irradiating the sample and the probe with the charged particle beam generated from the charged particle beam generating unit;
The operation of the charged particle beam generation unit, the probe, and the image processing unit is controlled, and the plane part of the probe is inclined at a predetermined angle with the irradiation direction of the charged particle beam to the sample and emitted from the probe. Based on secondary particles or reflective particles, the probe is imaged, and the probe is brought close to the sample while detecting the shape of the probe, and when the bending amount of the probe becomes a certain value or more, A control unit that determines that the probe has contacted the sample;
A probe control device comprising: 荷電粒子ビーム発生部と、
長手方向側面に一つ以上の平面部を有するプローブと、
上記荷電粒子ビーム発生部から発生された荷電粒子ビームが試料及び上記プローブに照射されることにより放出される２次粒子又は反射粒子を検出し、画像化する画像処理部と、
上記荷電粒子ビーム発生部、上記プローブ、及び上記画像処理部の動作を制御し、上記プローブの平面部を、上記荷電粒子ビームの上記試料への照射方向と平行とし、上記プローブから放出された２次粒子又は反射粒子に基いて、上記画像処理部により上記プローブを画像化して上記プローブの位置を検出し、上記プローブの平面部を、上記荷電粒子ビームの上記試料への照射方向と所定角度傾斜させ、上記プローブの形状を検出しながら、上記プローブを上記試料に接近させ、上記プローブの曲がり量が一定値以上となったとき、上記プローブが試料に接触したと判断する制御部と、
を備えることを特徴とするプローブ制御装置。 A charged particle beam generator,
A probe having one or more planar portions on a longitudinal side surface;
An image processing unit for detecting and imaging secondary particles or reflected particles emitted by irradiating the sample and the probe with the charged particle beam generated from the charged particle beam generating unit;
The charged particle beam generation unit, the probe, and the image processing unit are controlled so that the plane portion of the probe is parallel to the direction of irradiation of the charged particle beam to the sample and is emitted from the probe. Based on secondary particles or reflected particles, the probe is imaged by the image processing unit to detect the position of the probe, and the flat portion of the probe is inclined at a predetermined angle with the irradiation direction of the charged particle beam to the sample. And a controller that determines that the probe has contacted the sample when the probe is brought close to the sample while detecting the shape of the probe, and the amount of bending of the probe becomes a certain value or more,
A probe control device comprising:
JP2007322431A 2007-12-13 2007-12-13 Probe control method and apparatus Pending JP2009145184A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007322431A JP2009145184A (en) 2007-12-13 2007-12-13 Probe control method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007322431A JP2009145184A (en) 2007-12-13 2007-12-13 Probe control method and apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009145184A true JP2009145184A (en) 2009-07-02

Family

ID=40915942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007322431A Pending JP2009145184A (en) 2007-12-13 2007-12-13 Probe control method and apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009145184A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020139958A (en) * 2014-06-30 2020-09-03 株式会社日立ハイテクサイエンス Automatic sample preparation device and automatic sample preparation method
CN113075244A (en) * 2021-04-06 2021-07-06 长安大学 Electronic probe sheet sample table and using method thereof

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020139958A (en) * 2014-06-30 2020-09-03 株式会社日立ハイテクサイエンス Automatic sample preparation device and automatic sample preparation method
US11073453B2 (en) 2014-06-30 2021-07-27 Hitachi High-Tech Science Corporation Automatic sample preparation apparatus and automatic sample preparation method
JP7008355B2 (en) 2014-06-30 2022-01-25 株式会社日立ハイテクサイエンス Automatic sample preparation device and automatic sample preparation method
US11835438B2 (en) 2014-06-30 2023-12-05 Hitachi High-Tech Science Corporation Automatic sample preparation apparatus
CN113075244A (en) * 2021-04-06 2021-07-06 长安大学 Electronic probe sheet sample table and using method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10529538B2 (en) Endpointing for focused ion beam processing
JP4528014B2 (en) Sample inspection method
US8399831B2 (en) Forming an image while milling a work piece
CN103403520B (en) Prepared by TEM sample
JP6586261B2 (en) Large-capacity TEM grid and sample mounting method
US20160356729A1 (en) Method of performing electron diffraction pattern analysis upon a sample
US20180204704A1 (en) Charged particle beam apparatus
US20020056808A1 (en) Method and apparatus for charged particle beam microscopy
JP6885576B2 (en) Charged particle beam device
CN110335800B (en) Charged particle beam device
US10658147B2 (en) Charged particle beam apparatus
JP6542608B2 (en) Charged particle beam device
CN104737266A (en) Charged particle beam device and sample preparation method
US9111721B2 (en) Ion beam device and machining method
JP4520905B2 (en) Analysis device, probe control method, and analysis system
CN105910855B (en) Charged particle beam device
JP2009145184A (en) Probe control method and apparatus
TWI516760B (en) Semiconductor inspection device and inspection method using charged particle line
US9305743B2 (en) Marking apparatus and marking method
TW202144772A (en) Charged particle beam apparatus
JP2009294022A (en) Inspection method and device