JP2009142832A - レーザー加工装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウエーハの裏面に所定のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの表面に損傷を与えることなくウエーハの裏面側にストリートに沿ってレーザー加工溝を形成することができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】ウエーハを保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段とを具備するレーザー加工装置であって、レーザー光線照射手段はレーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光する集光レンズを備えた集光器とを具備し、集光レンズはレーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光点において急峻な分布で集光し、集光点を通過したレーザー光線を空間強度分布が一様な分布で発散させるように構成されている。
【選択図】図3

Description

本発明は、光デバイスウエーハ等のウエーハに所定のストリートに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工装置に関する。
サファイヤ基板等の表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体層(EPI層)が積層された光デバイスが形成された光デバイスウエーハは、ストリートに沿って個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
このような光デバイスウエーハ等のウエーハのストリートに沿った切断は、通常、切削ブレードを高速回転して切削する切削装置によって行われている。しかしながら、サファイヤ等の基板はモース硬度が高く難削材であるため、加工速度を遅くする必要があり、生産性が悪いという問題がある。
一方、ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、被加工物に形成されたストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿ってメカニカルブレーキング装置によって割断する方法が提案されている。(例えば、特許文献1参照。)
特開平10−305420号公報
また、サファイヤ基板に該基板に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成する方法が提案されている。(例えば、特許文献2参照。)
特開2004−9139号公報
サファイヤ基板等の表面に複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハにレーザー加工溝を形成する場合には、基板の表面に形成された光デバイスにレーザー加工時に発生するデブリが付着することによる損傷を防止するために、ウエーハの裏面側からレーザー光線を照射している。しかるに、レーザー光線は直進性があるため、ウエーハを構成する基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射しても、レーザー光線の全てのエネルギーが基板に吸収されることはなく、吸収されなかったレーザー光線は入射側と反対側の面に放出される。従って、基板に吸収されなかったレーザー光線が基板の表面に至ると、基板の表面に形成されたデバイス層を損傷させ、光デバイスの品質を低下させるという問題がある。このような問題は、レーザー光線を集光する集光レンズがガウシアン分布によるエネルギー分布を形成するからである。即ち、図9に示すように球面レンズからなる一般の集光レンズLは、集光点Pにおいてレーザー光線LBのエネルギーが最も高いガウシアン分布を形成する。また、集光レンズLは、集光点Pを通過したレーザー光線LBのエネルギー分布もガウシアン分布を形成する。そして、集光点Pにおけるピークエネルギーを1とすると、集光点Pを例えば100μm通過した位置Sにおけるピークエネルギーは0.05程度である。従って、ウエーハ基板Wの厚みが100μmの場合、集光点Pにおけるピークエネルギーの5%が基板の表面に形成されたデバイス層に至るため、デバイス層を損傷させることになる。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハの裏面に所定のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの表面に損傷を与えることなくウエーハの裏面側にストリートに沿ってレーザー加工溝を形成することができるレーザー加工装置を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光する集光レンズを備えた集光器とを具備し、
該集光レンズは、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光点において急峻な分布で集光し、集光点を通過したレーザー光線を空間強度分布が一様な分布で発散させるように構成されている、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
本発明によれば、レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光する集光レンズは、集光点において急峻な分布で集光し、集光点を通過したレーザー光線を空間強度分布が一様な分布で発散させるように構成されているので、集光レンズによって集光されるレーザー光線の集光点をウエーハの裏面(入射側の面)付近に位置付けてストリートに沿って照射することにより、ウエーハの裏面側はレーザー光線のピークエネルギーによって加工される。一方、集光点を通過したレーザー光線のエネルギー分布は上述したように一様な分布で発散せしめられるので、ウエーハの表面(入射側と反対の面)付近におけるエネルギーが極めて低くなる。従って、ウエーハの表面に損傷を与えることなくウエーハの裏面側にストリートに沿ってレーザー加工溝を形成することができる。
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図1に示すレーザー加工装置は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示す加工送り方向に移動可能に配設されウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2に上記矢印Xで示す方向と直角な矢印Yで示す割り出し方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構4と、該レーザー光線ユニット支持機構4に矢印Zで示す焦点位置調整方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット5とを具備している。
上記チャックテーブル機構3は、静止基台2上に矢印Xで示す方向に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上に矢印Xで示す方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持された支持テーブル35と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36を具備している。このチャックテーブル36は多孔性材料から形成され被加工物保持面361を備えており、チャックテーブル36上に板状の被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル36は、円筒部材34内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。
上記第1の滑動ブロック32は、その下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、その上面に矢印Yで示す方向に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す方向に移動させるための加工送り手段37を具備している。加工送り手段37は、上記一対の案内レール31と31の間に平行に配設された雄ネジロッド371と、該雄ネジロッド371を回転駆動するためのパルスモータ372等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド371は、その一端が上記静止基台2に固定された軸受ブロック373に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ372の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372によって雄ネジロッド371を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック32は案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられる。
上記第2の滑動ブロック33は、その下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、矢印Yで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32に設けられた一対の案内レール322、322に沿って矢印Yで示す方向に移動させるための第1の割り出し送り手段38を具備している。第1の割り出し送り手段38は、上記一対の案内レール322と322の間に平行に配設された雄ネジロッド381と、該雄ネジロッド381を回転駆動するためのパルスモータ382等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド381は、その一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ382の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382によって雄ネジロッド381を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
上記レーザー光線照射ユニット支持機構4は、静止基台2上に矢印Yで示す方向に沿って平行に配設された一対の案内レール41、41と、該案内レール41、41上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台42を具備している。この可動支持基台42は、案内レール41、41上に移動可能に配設された移動支持部421と、該移動支持部421に取り付けられた装着部422とからなっている。装着部422は、一側面に矢印Zで示す方向に延びる一対の案内レール423、423が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構4は、可動支持基台42を一対の案内レール41、41に沿って矢印Yで示す方向に移動させるための第2の割り出し送り手段43を具備している。第2の割り出し送り手段43は、上記一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロッド431と、該雄ねじロッド431を回転駆動するためのパルスモータ432等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド431は、その一端が上記静止基台2に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ432の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド431は、可動支持基台42を構成する移動支持部421の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ432によって雄ネジロッド431を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台42は案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられたレーザー光線照射手段52を具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられた一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、矢印Zで示す方向に移動可能に支持される。
上記レーザー光線照射手段52について、図1および図2を参照して説明する。
図示のレーザー光線照射手段52は、上記ユニットホルダ51に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング521と、該ケーシング521内に配設されたパルスレーザー光線発振手段522および出力調整手段523と、ケーシング521の先端に装着されパルスレーザー光線発振手段522から発振されたレーザー光線を集光する集光器524を具備している。
上記パルスレーザー光線発振手段522は、YAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器522aと、これに付設された繰り返し周波数設定手段522bとから構成されている。上記出力調整手段523は、パルスレーザー光線発振手段522から発振されたパルスレーザー光線LBの出力を所定の出力に調整する。これらパルスレーザー光線発振手段522および出力調整手段523は、図示しない制御手段によって制御される。
上記集光器524は、図2に示すようにハウジング524aと、該ハウジング524a内に配設されパルスレーザー光線発振手段522から発振されたレーザー光線LBを下方に向けて方向変換する方向変換ミラー524bと、該方向変換ミラー524bによって方向変換されたレーザー光線を集光する集光レンズ524cを具備している。この集光レンズ524cは、レーザー光線発振手段522から発振されたレーザー光線LBを集光点において急峻な分布で集光し、集光点を通過したレーザー光線を空間強度分布が一様な分布で発散させるように構成されている。このよう構成された集光レンズ524cによって集光されるレーザー光線LBのエネルギー分布について、図3を参照して説明する。図3に示すように集光レンズ524cによって集光されウエーハWに照射されるレーザー光線LBのエネルギー分布は、集光点Pにおいて急峻なガウシアン分布を形成する。そして、集光レンズ524cによって集光され集光点Pを通過したレーザー光線LBのエネルギー分布は、空間強度分布が一様な分布で発散せしめられる。このようなエネルギー分布においては、集光点Pにおけるピークエネルギーを1とすると、集光点Pを例えば100μm通過した位置Sにおけるピークエネルギーは0.02(2%)程度である。従って、集光点Pを例えば100μm通過した位置におけるピークエネルギーは、上記図9に示す従来一般に用いられている集光レンズLの集光点Pを100μm通過した位置Sにおけるピークエネルギーと比較して2/5に低下する。このような集光レンズ524cは、非球面レンズ、回析光学素子またはマスク光学系によって構成することができる。
図1に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段52を構成するケーシング521の前端部には、上記レーザー光線照射手段52によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段6が配設されている。この撮像手段6は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51を一対の案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向に移動させるための移動手段54を具備している。移動手段54は、一対の案内レール423、423の間に配設された雄ネジロッド(図示せず)と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ542等の駆動源を含んでおり、パルスモータ542によって図示しない雄ネジロッドを正転または逆転駆動することにより、ユニットホルダ51およびレーザー光線照射手段52を一対の案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においては、パルスモータ542を正転駆動することによりレーザー光線照射手段52を上方に移動し、パルスモータ542を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段52を下方に移動するようになっている。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
ここで、上記レーザー加工装置によって加工される被加工物であるウエーハとしての光デバイスウエーハについて、図4および図5を参照して説明する。図4には、光デバイスウエーハの斜視図が示されており、図5には図4に示す光デバイスウエーハの要部拡大断面図が示されている。
図4および図5に示す光デバイスウエーハ10は、厚みが例えば100μmのサファイヤ基板11の表面に窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム・ガリウム(AlGaN)等の窒化ガリウム系化合物半導体層(EPI層)が積層されたデバイス層12によって複数の光デバイス13がマトリックス状に形成されている。そして、各光デバイス13は、格子状に形成されたストリート14によって区画されている。
このように構成された光デバイスウエーハ10の裏面10bにレーザー加工を施すには、図6に示すように光デバイスウエーハ10の表面10aに保護テープ20を貼着する(保護テープ貼着工程)。
上述した保護テープ貼着工程を実施したならば、光デバイスウエーハ10の裏面10bにストリート14に沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー光線照射工程を実施する。このレーザー光線照射工程は、先ず上述した図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブル36上に光デバイスウエーハ10の保護テープ20側を載置し、該チャックテーブル36上に光デバイスウエーハ10を吸着保持する。従って、光デバイスウエーハ10は、裏面10bを上側にして保持される。
上述したように光デバイスウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル36は、加工送り手段37によって撮像手段6の直下に位置付けられる。チャックテーブル36が撮像手段6の直下に位置付けられると、撮像手段6および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ10のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段6および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ10の所定方向に形成されているストリート14と、ストリート14に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器524との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、光デバイスウエーハ10に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート14に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、光デバイスウエーハ10のストリート14が形成されている表面10aは下側に位置しているが、撮像手段6が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、裏面10bから透かしてストリート14を撮像することができる。
以上のようにしてチャックテーブル36上に保持された光デバイスウエーハ10に形成されているストリート14を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図7(a)で示すようにチャックテーブル36をレーザー光線照射手段52の集光器524が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート14を集光器524の直下に位置付ける。このとき、図7の(a)で示すように光デバイスウエーハ10は、ストリート14の一端(図7の(a)において左端)が集光器524の直下に位置するように位置付けられる。次に、集光器524からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル36を図7の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図7の(b)で示すようにストリート14の他端(図7(b)において右端)が集光器524の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル36の移動を停止する。このとき、集光器524から照射されるパルスレーザー光線の集光点Pを図7の(a)および図8の(a)に示すように光デバイスウエーハ10の裏面10b(入射側の面)付近に位置付ける。この結果、光デバイスウエーハの裏面10b(入射側の面)側の集光点P付近においては図8の(a)に示すようにレーザー光線LBのエネルギーがガウシアン分布のピークエネルギーによって加工される。一方、集光点Pを通過したレーザー光線LBのエネルギー分布は上述したように一様な分布で発散せしめられ、厚みが100μmの光デバイスウエーハ10の表面10b(入射側と反対の面)付近Sにおいてはピークエネルギーが上記ピークエネルギーの2%程度となる。従って、光デバイスウエーハ10の裏面10b側には図8の(b)に示すように所定のストリート14に沿ってレーザー加工溝15が形成されるが、サファイヤ基板11の表面に形成されたデバイス層12がレーザー光線のエネルギーによって損傷されることはない。
上記レーザー光線照射工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
レーザー光線の光源 :YVO4レーザーまたはYAGレーザー
波長 :355nm
出力 :1W
繰り返し周波数 :100kHz
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :100mm/秒
上述したレーザー光線照射工程を光デバイスウエーハ10に所定方向に形成された全てのストリート14に沿って実施したならば、チャックテーブル36を90度回動する。そして、光デバイスウエーハ10に上記所定方向と直交する方向に形成された全てのストリート14に沿って上述したレーザー光線照射工程を実施する。
以上のようにして光デバイスウエーハ10に形成された全てのストリート14に沿って上述したレーザー光線照射工程を実施したならば、光デバイスウエーハ10は次工程である分割工程に搬送される。そして、分割工程においては、光デバイスウエーハ10のストリート14に沿って形成されたレーザー加工溝15が容易に分割できる深さに形成されているので、メカニカルブレーキングによって容易に分割することができる。
本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。 図1に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段の構成を簡略に示すブロック図。 図2に示すレーザー光線照射手段の集光器を構成する集光レンズによって集光されるレーザー光線のエネルギー分布を示す説明図。 ウエーハとしての光デバイスウエーハの斜視図。 図4に示す光デバイスウエーハの要部拡大断面図。 図4に示す光デバイスウエーハの表面に保護テープを貼着した状態を示す斜視図。 図1に示すレーザー加工装置を用いて実施するレーザー光線照射工程の説明図。 図7に示すレーザー光線照射工程によってレーザー加工される光デバイスウエーハの要部拡大断面図。 従来用いられているレーザー光線照射手段の集光器を構成する集光レンズによって集光されるレーザー光線のエネルギー分布を示す説明図。
符号の説明
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
38:第1の割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
43:第2の割り出し送り手段
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線照射手段
522:パルスレーザー光線発振手段
523:出力調整手段
524:集光器
524c:集光レンズ
6:撮像手段
10:光デバイスウエーハ
11:サファイヤ基板
12:デバイス層
13:光デバイス
14:ストリート
15:レーザー加工溝
20:保護テープ

Claims (1)

  1. ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、を具備するレーザー加工装置において、
    該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光する集光レンズを備えた集光器とを具備し、
    該集光レンズは、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光点において急峻な分布で集光し、集光点を通過したレーザー光線を空間強度分布が一様な分布で発散させるように構成されている、
    ことを特徴とするレーザー加工装置。
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