JP2009141056A - Method and device for manufacturing solar cell module - Google Patents

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Toshihiko Nakagawa
敏彦 中川
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    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a solar cell module with an efficient and precise hot spot test. <P>SOLUTION: A hot spot inspecting device is provided with an upper probe 320 and a lower probe 330, which are connected to a cell 310, a reverse bias power supply 340, an ammeter 350, a thermo-camera 360 and an analysis device 370. The thermo-camera 360 measures a temperature of the cell 310 when the reverse bias power supply 340 applies voltage. The analysis device 370 determines whether the cell 310 generates heat based on a measurement results of the thermo-camera 360. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、太陽電池モジュールの製造方法に関し、特に、不良セルを検出する検査工程を伴う太陽電池モジュールの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a solar cell module, and more particularly to a method for manufacturing a solar cell module with an inspection process for detecting defective cells.

エネルギー問題に対する意識の向上から、近年、太陽光発電に対する期待が高まっている。需要が多岐に広がるにつれ、さまざまな設置環境下において、太陽電池を安全かつ有効に稼動させるため、太陽電池モジュールの製造プロセスにもさまざまな試験・検査方法の導入が求められている。   In recent years, expectations for photovoltaic power generation have increased due to the increased awareness of energy issues. As demand spreads widely, in order to operate solar cells safely and effectively in various installation environments, it is required to introduce various test / inspection methods in the manufacturing process of solar cell modules.

近年、太陽電池は一般家屋に設置されることも多くなり、設置される場所が一般住居地区になると、太陽電池の特定部分に影が生じる場所に設置される事も少なくない。この様な設置環境に置かれた太陽電池モジュールはホットスポット熱による故障を誘発する危険がある。   In recent years, solar cells are often installed in ordinary houses, and when the installation location is a general residential area, it is often the case that the solar cell is installed in a location where a specific part of the solar cell is shaded. The solar cell module placed in such an installation environment has a risk of inducing a failure due to hot spot heat.

ＪＩＳ Ｃ ８９３８：「アモルファス太陽電池モジュールの環境試験方法及び耐久性試験方法」、ＪＩＳ Ｃ ８９１７：「結晶系太陽電池モジュールの環境試験方法及び耐久性試験方法」にホットスポット試験についての記載がある。ここでは、「太陽電池モジュールに太陽電池セル性能のばらつき、クラックまたは局部的な影（外部構造物の影やモジュール表面への不透明物体の付着等）によって短絡電流のミスマッチなどが発生した場合、そのセルが電気的負荷として作用し、異常に発熱（ホットスポット熱という。）するが、そのホットスポット熱によって生じるストレスに対するモジュールの耐久性を判定する事を目的とする。」と説明されている。   JIS C 8938: “Environmental test method and durability test method of amorphous solar cell module” and JIS C 8917: “Environmental test method and durability test method of crystalline solar cell module” describe the hot spot test. Here, “If a short-circuit current mismatch occurs due to variations in the performance of solar cells, cracks or local shadows (such as shadows of external structures or adhesion of opaque objects on the module surface), The cell acts as an electrical load and abnormally generates heat (referred to as hot spot heat), but the purpose is to determine the durability of the module against the stress caused by the hot spot heat.

さて、従来の太陽電池モジュールの製造プロセスを図１から図１０に従い説明する。一例として、Ｐ型多結晶Ｓｉ半導体基板（以下、基板とよぶ）を使用する場合の製造プロセスを説明する。製造プロセスは、以下の各工程からなる。   Now, a manufacturing process of a conventional solar cell module will be described with reference to FIGS. As an example, a manufacturing process in the case of using a P-type polycrystalline Si semiconductor substrate (hereinafter referred to as a substrate) will be described. The manufacturing process includes the following steps.

（ｉ）エッチング
図１は、エッチング工程について説明するための図である。エッチング工程では、図１（ａ）に示すように、基板１０を、８０℃前後の数％アルカリ水溶液(ＮａＯＨ等)に数秒間浸漬し、表面の洗浄、および、シリコンウエハのスライス時に表面に発生した欠陥層（表面ダメージ層１１）のエッチング除去を行う。その後、アルカリ水溶液の中和処理を行い、表面を純水で洗浄する。図１（ｂ）は、エッチング工程後の基板１０の様子を示す図である。 (I) Etching FIG. 1 is a diagram for explaining an etching process. In the etching process, as shown in FIG. 1A, the substrate 10 is immersed in a several percent alkaline aqueous solution (NaOH, etc.) at around 80 ° C. for several seconds, and is generated on the surface during cleaning of the surface and slicing of the silicon wafer. The defective layer (surface damage layer 11) is removed by etching. Thereafter, the aqueous alkali solution is neutralized and the surface is washed with pure water. FIG. 1B is a diagram showing a state of the substrate 10 after the etching process.

（ｉｉ）拡散剤塗布
図２は、拡散剤塗布工程について説明するための図である。図２（ａ）に示すように、リン等の拡散源を含む薬液を、基板１０の表面に、数百〜数千ｒｐｍの回転速度でスピン塗布し、塗布膜２０を形成する。図２（ｂ）は、拡散剤塗布工程後の基板１０の様子を示す図である。 (Ii) Diffusing Agent Application FIG. 2 is a diagram for explaining a diffusing agent application process. As shown in FIG. 2A, a chemical solution containing a diffusion source such as phosphorus is spin-coated on the surface of the substrate 10 at a rotational speed of several hundred to several thousand rpm to form a coating film 20. FIG. 2B is a diagram illustrating a state of the substrate 10 after the diffusing agent application step.

（ｉｉｉ）Ｎ型拡散層形成
図３は、Ｎ型拡散層形成工程について説明するための図である。図３（ａ）に示すように、塗布膜２０が形成された基板１０を９００℃程度の高温の炉内で数十分処理し、Ｎ＋を拡散させて、基板１０の表面にＮ型拡散層３０を形成する。Ｎ＋の拡散後、塗布膜２０を除去する。図３（ｂ）は、Ｎ型拡散層形成工程後の基板１０の様子を示す図である。 (Iii) N-type diffusion layer formation FIG. 3 is a diagram for explaining an N-type diffusion layer formation step. As shown in FIG. 3A, the substrate 10 on which the coating film 20 is formed is treated for several tens of minutes in a furnace at a high temperature of about 900 ° C., and N + is diffused to form an N-type diffusion layer on the surface of the substrate 10. 30 is formed. After the diffusion of N +, the coating film 20 is removed. FIG. 3B is a diagram showing the state of the substrate 10 after the N-type diffusion layer forming step.

（ｉｖ）反射防止膜形成
図４は、反射防止膜形成工程について説明するための図である。図４（ａ）に示すように、反射防止膜およびパッシベーション膜（表面保護膜）となるＳｉ３Ｎ４膜４０を、Ｐ−ＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマ化学蒸着法）にて、基板１０の表面に成膜する。図４（ｂ）は、反射防止膜形成後の基板１０の様子を示す図である。 (Iv) Antireflection Film Formation FIG. 4 is a diagram for explaining the antireflection film formation step. As shown in FIG. 4A, an Si3N4 film 40 that becomes an antireflection film and a passivation film (surface protective film) is formed on a substrate by a P-CVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) method (plasma chemical vapor deposition). 10 is formed on the surface. FIG. 4B is a diagram illustrating a state of the substrate 10 after the formation of the antireflection film.

（ｖ）裏面電極形成（１）（２）
図５および図６は、それぞれ、裏面電極形成工程（１）、裏面電極形成工程（２）について説明するための図である。図５（ａ）に示すように、裏面電極形成工程（１）では、基板１０の裏面に、銀（Ａｇ）ペースト５０の電極パターンを印刷法にて形成する。図５（ｂ）は、裏面電極形成工程（１）後の基板１０を裏面から見た図である。続いて、裏面電極形成工程（２）では、図６（ａ）に示すように、アルミ（Ａｌ）ペースト６０の電極パターンを印刷法にて形成する。７００〜８００℃程度の高温の炉内で熱処理を行い、電極金属を基板１０と合金化することで、コンタクトを形成する。また、アルミ電極下に形成されるＰ＋層６２は、ＢＳＦ（ｂａｃｋ ｓｕｒｆａｃｅ ｆｉｅｌｄ）構造となるため、長波長側の分光感度を向上させることができる。図６（ｂ）は、裏面電極形成工程（２）後の基板１０を裏面から見た図である。 (V) Back electrode formation (1) (2)
FIG. 5 and FIG. 6 are diagrams for explaining the back electrode forming step (1) and the back electrode forming step (2), respectively. As shown in FIG. 5A, in the back electrode forming step (1), an electrode pattern of silver (Ag) paste 50 is formed on the back surface of the substrate 10 by a printing method. FIG.5 (b) is the figure which looked at the board | substrate 10 after a back surface electrode formation process (1) from the back surface. Subsequently, in the back electrode forming step (2), as shown in FIG. 6A, an electrode pattern of an aluminum (Al) paste 60 is formed by a printing method. A heat treatment is performed in a high temperature furnace of about 700 to 800 ° C., and the electrode metal is alloyed with the substrate 10 to form a contact. Further, since the P + layer 62 formed under the aluminum electrode has a BSF (back surface field) structure, the spectral sensitivity on the long wavelength side can be improved. FIG. 6B is a view of the substrate 10 after the back electrode forming step (2) as viewed from the back surface.

（ｖｉ）表面電極形成
図７は、表面電極形成工程について説明するための図である。図７（ａ）に示すように、基板１０の表面に、銀ペースト７０の電極パターンを印刷法にて形成する。そして、７００〜８００℃程度の高温の炉内で熱処理を行い、Ｓｉ３Ｎ４膜をファイヤースルーすることで、電極金属を基板１０と合金化させ、コンタクトを形成する。図７（ｂ）は、表面電極形成後の基板１０を表面から見た図である。 (Vi) Surface Electrode Formation FIG. 7 is a diagram for explaining the surface electrode formation step. As shown in FIG. 7A, an electrode pattern of a silver paste 70 is formed on the surface of the substrate 10 by a printing method. Then, heat treatment is performed in a high-temperature furnace of about 700 to 800 ° C., and the Si3N4 film is fired through to alloy the electrode metal with the substrate 10 to form a contact. FIG.7 (b) is the figure which looked at the board | substrate 10 after surface electrode formation from the surface.

（ｖｉｉ）はんだコート
図８は、はんだコート形成工程について説明するための図である。表面・裏面の銀電極表面に無鉛はんだメッキ層８０を形成する。図８（ｂ）は、はんだコート形成工程後の基板１０を表面から見た図である。 (Vii) Solder Coat FIG. 8 is a diagram for explaining a solder coat forming step. Lead-free solder plating layers 80 are formed on the front and back silver electrode surfaces. FIG. 8B is a view of the substrate 10 after the solder coat forming process as seen from the surface.

（ｖｉｉｉ）ソーラーシュミレータによるＩ−Ｖ測定
次に、図９に示すように、擬似太陽光照射下にて、（ｉ）〜（ｖｉｉ）の工程を経て作成された太陽電池セル（以下、セル９０とよぶ）のＩ−Ｖ測定を行い、セル９０の電気特性を調べる。 (Viii) IV Measurement by Solar Simulator Next, as shown in FIG. 9, a solar battery cell (hereinafter referred to as cell 90) created through the steps (i) to (vii) under irradiation with simulated sunlight. IV) measurement is performed, and the electrical characteristics of the cell 90 are examined.

工程（ｉ）〜（ｖｉｉｉ）の一連の処理をセルプロセスとよび、以下の工程（ｉｘ）からの一連の処理をモジュールプロセスとよぶ。モジュールプロセスでは、ストリング配線・組み付け等を経て、太陽電池セルをモジュール化する。以下、モジュールプロセスについて図１０を参照しつつ説明する。図１０は、モジュールプロセスについて説明するための図である。   A series of processes of steps (i) to (viii) is called a cell process, and a series of processes from the following process (ix) is called a module process. In the module process, solar cells are modularized through string wiring and assembly. The module process will be described below with reference to FIG. FIG. 10 is a diagram for explaining the module process.

（ｉｘ）セル配線
図１０（ａ）は、セル配線工程について説明するための図である。セル９０の表面電極と銅配線（リードタブ１００）とをはんだ付け接続する。 (Ix) Cell Wiring FIG. 10A is a diagram for explaining a cell wiring process. The surface electrode of the cell 90 and the copper wiring (lead tab 100) are connected by soldering.

（ｘ）ストリング配線
次に、図１０（ｂ）に示すように、リードタブの付いたセルを直線配置し、リードタブと隣接セルの裏面電極とを、はんだ付けにより、直列接続する。直列接続されたセル９０をセル列１１０と呼ぶ。 (X) String Wiring Next, as shown in FIG. 10B, cells with lead tabs are arranged in a straight line, and the lead tab and the back electrode of the adjacent cell are connected in series by soldering. The cells 90 connected in series are referred to as a cell row 110.

（ｘｉ）バスバー付け
次に、図１０（ｃ）に示すように、複数のセル列１１０を併設し、バスバー１２０によりストリング配線をはんだ付け接続する。 (Xi) Bus Bar Attaching Next, as shown in FIG. 10C, a plurality of cell rows 110 are provided, and the string wiring is soldered and connected by the bus bar 120.

（ｘｉｉ）材料セッティング
図１０（ｄ）に示すように、バックカバー１３０、セル列１３２、セル列を挟む２枚のＥＶＡ（エチレンビニールアセテート）１３４、ガラス１３６を位置あわせし、重ね合わせる。 (Xii) Material Setting As shown in FIG. 10 (d), the back cover 130, the cell row 132, two EVA (ethylene vinyl acetate) 134 and glass 136 sandwiching the cell row are aligned and overlapped.

（ｘｉｉｉ）ラミネート、端子ボックス＆アルミ枠取付け
セッティングした材料を真空脱気しながら加熱し、ＥＶＡを溶融させ、基材をラミネートする。そして、ラミネートされた基材に、端子ボックス１４０およびアルミ枠１４２を取付ける。この工程で、太陽電池モジュールができ上がる。 (Xiii) Lamination, terminal box & aluminum frame attachment The set material is heated while being vacuum deaerated to melt the EVA and laminate the substrate. Then, the terminal box 140 and the aluminum frame 142 are attached to the laminated base material. In this step, a solar cell module is completed.

（ｘｉｖ）完成品検査
最後に、完成した太陽電池モジュールのＩ−Ｖ特性および出力動作確認を行う。正常に動作するものを出荷する。 (Xiv) Finished Product Inspection Finally, the IV characteristics and output operation confirmation of the completed solar cell module are performed. Ships that operate normally.

従来、太陽電池の性能検査は、上記工程（ｘｉｖ）のように、モジュールプロセスにて行われていた。   Conventionally, the performance inspection of a solar cell has been performed by a module process as in the above step (xiv).

例えば、特許文献１（特開２００１−２４２０４号公報）には、太陽電池モジュールを遮蔽する手段と、温度を検知する手段をあわせもつ検査装置を用いて、太陽電池モジュールの遮蔽した部分の温度を検出することで、ホットスポットが発生するセルを特定することが記載されている。   For example, in Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-24204), the temperature of a shielded portion of a solar cell module is measured using an inspection device that has both a means for shielding the solar cell module and a means for detecting temperature. It is described that a cell in which a hot spot is generated is specified by detection.

また、太陽電池モジュールあるいは太陽電池セルに逆バイアス電圧を印加し、そのときのリーク電流値から、それらの異常を検出する方法が知られている。特許文献２（特開２００４−３６３１９６号公報）には、太陽電池モジュールに逆バイアス電圧を印加し、リーク電流を四端子法により計測し、その計測値を予め求めておいた値と比べることにより太陽電池モジュール内部の接触不良箇所の有無を検査する方法が記載されている。図１１は、特許文献２に記載の検査方法に用いられる装置の概略図である。この装置は、太陽電池モジュール２１０、太陽電池モジュール２１０に接続された上プローブ２２０および下プローブ２３０、逆バイアス電源２４０、電流計２５０を備える。この装置によるモジュールの検査は、例えば、次のようにして行なわれる。まず、逆バイアス電源２４０により一定の逆バイアス電圧を太陽電池モジュール２１０に印加し、その際に上プローブ２２０と下プローブ２３０に流れる電流値を測定する。そして、その測定値が、予め求めておいた正常な太陽電池モジュールの電流値の範囲にない場合に、太陽電池モジュール２１０内部に接触不良箇所が有ると判断する。
特開２００１−２４２０４号公報 特開２００４−３６３１９６号公報 Further, a method is known in which a reverse bias voltage is applied to a solar cell module or a solar cell, and those abnormalities are detected from a leak current value at that time. In Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-363196), a reverse bias voltage is applied to a solar cell module, a leakage current is measured by a four-terminal method, and the measured value is compared with a value obtained in advance. A method for inspecting the presence or absence of poor contact inside the solar cell module is described. FIG. 11 is a schematic diagram of an apparatus used in the inspection method described in Patent Document 2. This apparatus includes a solar cell module 210, an upper probe 220 and a lower probe 230 connected to the solar cell module 210, a reverse bias power source 240, and an ammeter 250. The module inspection by this apparatus is performed, for example, as follows. First, a constant reverse bias voltage is applied to the solar cell module 210 by the reverse bias power source 240, and current values flowing through the upper probe 220 and the lower probe 230 at that time are measured. Then, when the measured value is not in the range of the normal current value of the normal solar cell module obtained in advance, it is determined that there is a poor contact location inside the solar cell module 210.
Japanese Patent Laid-Open No. 2001-24204 JP 2004-363196 A

従来、特許文献１に記載の方法により検出されるモジュール状態での発熱は、セル内部におけるリーク電流によるものであることは認識されていた。そのため、太陽電池セルに対するリーク電流測定は行われていた。しかしながら、昨今の市場不良解析から、モジュール状態での発熱の原因は、発熱の局所性であることが明らかとなってきている。つまり、不良セルの検査にあたっては、このような局所発熱をもつセルを抽出する必要がある。   Conventionally, it has been recognized that the heat generation in the module state detected by the method described in Patent Document 1 is due to the leakage current inside the cell. Therefore, leakage current measurement for solar cells has been performed. However, recent market failure analysis has revealed that the cause of heat generation in the module state is locality of heat generation. That is, when inspecting a defective cell, it is necessary to extract a cell having such local heat generation.

前述の特許文献１に記載されたようなモジュール形態での発熱検査では、ガラス、ＥＶＡ、金属フレーム等の構造機構部材の影響でセルの発熱が分散され、本当に抽出すべき局所発熱をもつセルの抽出ができていなかった。   In the heat generation inspection in the module form as described in the above-mentioned Patent Document 1, the heat generation of the cell is dispersed by the influence of the structural mechanism members such as glass, EVA, metal frame, etc. The extraction was not completed.

また、モジュール形態での検査では、検査によって不良と判断されたモジュールから不良セルを取り除くために、太陽電池モジュールを解体・修理する必要がある。工程（ｘｉｉｉ）のラミネートまで完了したあとに検査を行なった場合には、異常が発見されたモジュールは、廃棄せざるを得ないこととなる。さらに、不良セルを含むセルが、モジュールプロセスに投入されるため、モジュール生産効率が悪くなる。   Further, in the inspection in the module form, it is necessary to disassemble and repair the solar cell module in order to remove the defective cell from the module determined to be defective by the inspection. When the inspection is performed after the completion of the lamination in the step (xiii), the module in which the abnormality is found has to be discarded. Furthermore, since cells including defective cells are input to the module process, module production efficiency is deteriorated.

一方、特許文献２のように、リーク電流を測定して、太陽電池セルの異常を発見する方法を、ホットスポット試験に用いると、過剰判定となる可能性がある。例えば、太陽電池セル周辺部に見られるリーク電流は、接合分離が不十分である事により生じるもので、局所的な電流密度の増加をもたらすわけではない。つまり、リーク電流を検出されたセルのいずれもが、故障に繋がるようなホットスポット熱を生じるわけではない。   On the other hand, when a method of measuring leakage current and finding an abnormality of a solar battery cell as in Patent Document 2 is used for a hot spot test, there is a possibility of over-determination. For example, the leakage current found in the periphery of the solar battery cell is caused by insufficient junction separation and does not cause a local increase in current density. That is, none of the cells in which the leak current is detected does not generate hot spot heat that leads to failure.

本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであって、効率的かつ正確なホットスポット試験を盛り込んだ太陽電池モジュールの製造方法を提供する事である。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a solar cell module incorporating an efficient and accurate hot spot test.

１つの局面に係る本願発明は、太陽電池モジュールの製造方法であって、半導体基板から複数の太陽電池セルを製造するステップと、複数の太陽電池セルの各々について、電圧を印加した際の太陽電池セルの温度を測定するステップと、測定結果に基づき、太陽電池セルに、設定された閾値以上の温度の発熱箇所があるかどうかを判定するステップと、発熱箇所があると判定されていない太陽電池セルを電気的に接続して太陽電池モジュールを製造するステップとを備える。   This invention which concerns on one situation is a manufacturing method of a solar cell module, Comprising: The step which manufactures several photovoltaic cells from a semiconductor substrate, and the solar cell at the time of applying a voltage about each of several photovoltaic cells A step of measuring the temperature of the cell, a step of determining whether or not the solar battery cell has a heat generation point having a temperature equal to or higher than a set threshold based on the measurement result, and a solar cell that is not determined to have a heat generation point Electrically connecting the cells to produce a solar cell module.

好ましくは、発熱箇所があると判定された太陽電池セルに対し、発熱箇所の修復処理を行なうステップをさらに備える。   Preferably, the method further includes a step of performing a repair process of the heat generation point on the solar battery cell determined to have the heat generation point.

好ましくは、発熱箇所があると判定された太陽電池セルを分割切断するステップをさらに備える。   Preferably, the method further includes the step of dividing and cutting the solar battery cell that is determined to have a heat generation location.

さらに好ましくは、修復処理が行なわれた太陽電池セルに電圧を印加した際の、修復処理が行なわれた太陽電池セルの温度を測定するステップと、測定結果に基づき、修復処理が行なわれた太陽電池セルに発熱箇所があるかどうかを判定するステップと、修復処理が行なわれた太陽電池セルのうち、発熱箇所があると判定された太陽電池セルを分割切断するステップとをさらに備える。   More preferably, the step of measuring the temperature of the solar cell subjected to the repair process when a voltage is applied to the solar cell subjected to the repair process, and the solar cell subjected to the repair process based on the measurement result The method further includes the step of determining whether or not the battery cell has a heat generation location, and the step of dividing and cutting the solar battery cell determined to have the heat generation location among the solar cells subjected to the repair process.

好ましくは、太陽電池セルに電圧を印加し、電圧を印加された際に発生する電流を測定するステップと、電流が設定された値以上であるかどうかを判定するステップとをさらに備え、電流が設定された値以上である場合に温度を測定し、発熱箇所があるかどうかを判定する。   Preferably, the method further includes: applying a voltage to the solar battery cell; measuring a current generated when the voltage is applied; and determining whether the current is equal to or greater than a set value. If the temperature is equal to or higher than the set value, the temperature is measured to determine whether there is a heat generation point.

好ましくは、温度の測定を非接触の温度識別装置で行なう。
他の局面に係る本願発明は、太陽電池セルを接続して太陽電池モジュールを製造する太陽電池モジュール製造装置であって、太陽電池セルに電圧を印加する電源と、電源により電圧を印加された太陽電池セルの温度を測定する温度識別装置と、温度識別装置の測定結果に基づき、設定された閾値以上の温度の発熱箇所が太陽電池セルにあるかどうかを判定する解析装置と、発熱箇所があると判定された太陽電池セルを太陽電池モジュールの製造ラインから排出する移動手段と、移動手段により排出されていない太陽電池セルを電気的に接続する接続装置とを備える。 Preferably, the temperature is measured by a non-contact temperature identification device.
This invention which concerns on another situation is a solar cell module manufacturing apparatus which connects a photovoltaic cell and manufactures a photovoltaic module, Comprising: The power source which applies a voltage to a photovoltaic cell, and the solar where the voltage was applied by the power source There are a temperature identification device that measures the temperature of the battery cell, an analysis device that determines whether or not the solar cell has a heat generation point having a temperature equal to or higher than a set threshold based on the measurement result of the temperature identification device, and a heat generation point It is provided with the moving means which discharges | emits the photovoltaic cell determined to from the manufacturing line of a solar cell module, and the connection apparatus which electrically connects the photovoltaic cell which is not discharged | emitted by the moving means.

本発明によれば、電圧を印加された太陽電池セルの発熱箇所の有無を判定し、発熱箇所のない太陽電池セルをモジュールプロセスに投入する。したがって、モジュールプロセスに投入される太陽電池セルはホットスポットの原因となる高発熱セルが排除されたものであるため、モジュールプロセスでの歩留まり向上が可能となる。   According to the present invention, the presence or absence of a heat generation location of a solar cell to which a voltage is applied is determined, and a solar cell without a heat generation location is input to the module process. Therefore, since the solar cells that are put into the module process are those in which the high heat generation cells that cause hot spots are excluded, the yield in the module process can be improved.

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部分には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがってそれらについての詳細な説明は繰り返さない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same parts are denoted by the same reference numerals. Their names and functions are also the same. Therefore, detailed description thereof will not be repeated.

本発明に係る太陽電池セルの製造方法に含まれるホットスポット検査に用いる装置について、図１２を参照しつつ説明する。図１２は、ホットスポット検査装置の構成図である。ホットスポット検査装置は、図１２（ａ）に示すように、セルプロセスを完了した太陽電池セル３１０（以下、単にセルとよぶ）に接続される上プローブ３２０および下プローブ３３０、逆バイアス電源３４０、電流計３５０、サーモカメラ３６０、解析装置３７０を備える。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示したホットスポット検査装置を、上側から見た図である。逆バイアス電源３４０は、上プローブ３２０と下プローブ３３０との間に逆バイアス電圧を印加する。サーモカメラ３６０は、太陽電池セル３１０の温度を測定する。サーモカメラ３６０は、温度識別装置の一例であり、他の種類の温度識別装置を用いてもよい。ただし、被測定物（セル３１０）との接触部の耐久性が問題とならず、ハンドリングも容易で、製造工数が増加しない非接触型の温度識別装置を用いることが好ましい。解析装置３７０は、サーモカメラ３６０の測定結果を解析する。   The apparatus used for the hot spot test | inspection included in the manufacturing method of the photovoltaic cell concerning this invention is demonstrated referring FIG. FIG. 12 is a configuration diagram of the hot spot inspection apparatus. As shown in FIG. 12 (a), the hot spot inspection apparatus includes an upper probe 320 and a lower probe 330, a reverse bias power source 340, which are connected to a solar cell 310 (hereinafter simply referred to as a cell) that has completed the cell process. An ammeter 350, a thermo camera 360, and an analysis device 370 are provided. FIG. 12B is a view of the hot spot inspection apparatus shown in FIG. The reverse bias power source 340 applies a reverse bias voltage between the upper probe 320 and the lower probe 330. The thermo camera 360 measures the temperature of the solar battery cell 310. The thermo camera 360 is an example of a temperature identification device, and other types of temperature identification devices may be used. However, it is preferable to use a non-contact type temperature identification device that does not matter the durability of the contact portion with the object to be measured (cell 310), is easy to handle, and does not increase the number of manufacturing steps. The analysis device 370 analyzes the measurement result of the thermo camera 360.

本発明においては、次の検査方法で、セルが不良かどうか検査する。
まず、逆バイアス電源３４０によりセル３１０に逆バイアスを印加し、電流計３５０によりリーク電流を測定する。そして、規定値以上のリーク電流が検出されると、サーモカメラ３６０は、逆バイアスの印加中に、規定値以上のリーク電流が検出されたセル３１０の温度計測を行う。このように、リーク電流が大きく、ホットスポットを生じる可能性があるセルについてのみ、後のホットスポット試験を行うことで、試験の効率が向上する。ただし、リーク電流を測定する工程を省くことも可能である。なお、上述の規定値は、予め設定されているものであってもよいし、利用者が設定するものであってもよい。 In the present invention, a cell is inspected for defects by the following inspection method.
First, a reverse bias is applied to the cell 310 by the reverse bias power source 340 and the leak current is measured by the ammeter 350. When a leak current greater than the specified value is detected, the thermo camera 360 measures the temperature of the cell 310 in which the leak current greater than the specified value is detected during application of the reverse bias. As described above, the efficiency of the test is improved by performing the subsequent hot spot test only for the cell having a large leak current and the possibility of generating a hot spot. However, it is possible to omit the step of measuring the leakage current. Note that the specified value described above may be set in advance, or may be set by the user.

解析装置３７０は、サーモカメラ３６０の測定結果から、セル３１０の温度、発熱箇所、および、発熱面積を求める。ここで、発熱箇所とは、設定された閾値以上の温度の箇所のことをいう。また、発熱面積とは、設定された閾値以上の温度になった発熱部の面積のことをいう。閾値は、予め設定されているものであってもよい。また、利用者により設定されるものであってもよい。この場合、利用者は、セルに求められるホットスポット耐性に応じて、閾値を定めることができる。解析装置３７０は、解析結果に応じて、例えば、図１３に示すような画面を表示するものとする。図１３は、解析結果の表示の一例を示す図である。発熱部は、セル３１０を表す図内で色を変えて示している部分である。また、発熱箇所、発熱面積も表示されている。このように、発熱箇所や発熱面積を求めておくことにより、不良セルの再利用が容易になる。   The analysis device 370 obtains the temperature, the heat generation location, and the heat generation area of the cell 310 from the measurement result of the thermo camera 360. Here, the exothermic part means a part having a temperature equal to or higher than a set threshold value. The heat generation area refers to the area of the heat generation portion that has reached a temperature equal to or higher than a set threshold value. The threshold value may be set in advance. Further, it may be set by the user. In this case, the user can set a threshold according to the hot spot resistance required for the cell. The analysis device 370 displays, for example, a screen as shown in FIG. 13 according to the analysis result. FIG. 13 is a diagram illustrating an example of analysis result display. The heat generating portion is a portion shown in a different color in the drawing showing the cell 310. In addition, a heat generation location and a heat generation area are also displayed. As described above, by determining the heat generation location and the heat generation area, it becomes easy to reuse a defective cell.

解析装置３７０は、セルの発熱状態に基づき、不良セルの選別を行なう。そして、不良であると判定されたセルは、モジュールの製造ラインから排出される。ここで、「発熱箇所が存在する」かどうかは、発熱面積と、設定された閾値を比較して判定する場合も含むものとする。すなわち、解析装置３７０は、発熱面積が閾値以上の場合に、「発熱箇所が存在する」と判定してもよい。   The analysis device 370 selects defective cells based on the heat generation state of the cells. The cells determined to be defective are discharged from the module production line. Here, whether or not “a heat generation location exists” includes a case where a determination is made by comparing the heat generation area with a set threshold value. That is, the analysis device 370 may determine that “a heat generation location exists” when the heat generation area is equal to or greater than the threshold value.

上述の不良セルの排出は、装置により自動的に行なうことができる。例えば、解析装置３７０は、不良であると判定されたセルを、モジュールの製造ラインから排出するように他の機器に指示する。なお、この場合、各セルに、セルを識別するための識別番号が付されているものとする。セルの検査、排出は、識別番号により管理される。   The above-mentioned defective cell can be discharged automatically by the apparatus. For example, the analysis device 370 instructs other devices to discharge cells determined to be defective from the module production line. In this case, it is assumed that an identification number for identifying the cell is assigned to each cell. Cell inspection and discharge are managed by identification numbers.

不良であると判定されていないセルは、モジュールプロセスに投入される。モジュールプロセスでは、背景技術で説明したように、太陽電池セルが電気的に接続され、太陽電池モジュールが製造される。   Cells that are not determined to be defective are input to the module process. In the module process, as described in the background art, solar cells are electrically connected to manufacture a solar cell module.

このように本発明においてモジュールプロセスに投入される太陽電池セルは、ホットスポットの原因となる高発熱セルが排除されたものである。したがって、本発明を用いることによりモジュールプロセスでの歩留まり向上が可能となる。   Thus, in the present invention, the solar battery cell that is put into the module process is one in which a high heat generation cell that causes a hot spot is excluded. Therefore, the yield in the module process can be improved by using the present invention.

さらに、本発明においては、不良セルの修復を行なってもよい。不良セルの修復工程を含む太陽電池モジュールの製造方法について、図１４を参照しつつ説明する。図１４は、不良セルの修復工程を含む太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。   Furthermore, in the present invention, defective cells may be repaired. A method for manufacturing a solar cell module including a defective cell repair step will be described with reference to FIG. FIG. 14 is a diagram for explaining a method of manufacturing a solar cell module including a defective cell repairing step.

まず、セル製造装置５００により、半導体からセル３１０が製造される。解析装置３７０は、サーモカメラ３６０の測定結果から、セル３１０が不良であると判定すると、Ｘ−Ｙテーブル等の移動装置５１０に、セル３１０を修復作業を行う箇所に移動させるための指示を送る。指示を受け付けた移動装置５１０は、セル３１０を製造ラインから修復ラインに移動する。セル３１０が正常の場合は、セル３１０は、そのまま、モジュールプロセスへと送られる。モジュールプロセスでは、接続装置３１０により複数のセル３１０が接続され、太陽電池モジュールが製造される。   First, the cell 310 is manufactured from a semiconductor by the cell manufacturing apparatus 500. If the analysis device 370 determines from the measurement result of the thermo camera 360 that the cell 310 is defective, the analysis device 370 sends an instruction for moving the cell 310 to a location where the repair work is performed, to the moving device 510 such as an XY table. . Upon receiving the instruction, the moving device 510 moves the cell 310 from the manufacturing line to the repair line. If the cell 310 is normal, the cell 310 is sent to the module process as it is. In the module process, a plurality of cells 310 are connected by the connection device 310 to manufacture a solar cell module.

解析装置３７０は、発熱箇所および発熱面積に基づき、発熱部周辺にレーザー光が照射されるように、移動装置５１０、固体レーザー５２０に指示を与える。指示を受けた移動装置５１０は、セル３１０を登録座標に移動する。そして、解析装置３７０の指示に基づいて固体レーザー５２０から出射されるレーザー光により、修復ラインに送られたセル３１０の発熱部周辺のＮ＋層および表面電極は、完全に分断する形で切断され、部分的にＰＮ接合が破壊される。   The analysis device 370 gives an instruction to the moving device 510 and the solid-state laser 520 so that the laser light is irradiated around the heat generating portion based on the heat generation location and the heat generation area. Receiving the instruction, the moving device 510 moves the cell 310 to the registered coordinates. Then, the N + layer and the surface electrode around the heat generating part of the cell 310 sent to the repair line are cut in a completely divided manner by the laser light emitted from the solid state laser 520 based on the instruction of the analysis device 370, Partially the PN junction is destroyed.

なお、固体レーザー５２０は、セル３１０の表面部を切断できる装置の一例であり、他の装置を用いてもよい。また、上記の説明では、固体レーザー５２０を固定し、セル３１０を移動させるものとしたが、固体レーザー５２０を動かしてもよい。   The solid-state laser 520 is an example of an apparatus that can cut the surface portion of the cell 310, and other apparatuses may be used. In the above description, the solid laser 520 is fixed and the cell 310 is moved. However, the solid laser 520 may be moved.

発熱部の分断の様子を図１５に示す。図１５は、発熱部の分断の様子を説明するための図である。図１５（ａ）は、セル３１０を上面から見た図である。発熱部６１０を囲むレーザー照射領域６２０に、レーザーを照射することで、発熱部６１０を正常な部分から分断する。図１５（ｂ）は、図１５（ａ）中のＡ−Ｂの断面図である。セル３１０は、反射防止膜およびパッシベーション膜（表面保護膜）として機能するＳｉ３Ｎ４膜６３０、表面電極６４０、Ｓｉ３Ｎ４膜６３０と表面電極６４０を接続する表面電極コンタクト部６５０、Ｎ＋層６６０、Ｐ型Ｓｉ６７０、Ｐ＋層６８０、裏面電極６９０からなる。レーザーによりＮ＋層が破壊され、レーザー切断痕６９５が生じる。   FIG. 15 shows how the heat generating part is divided. FIG. 15 is a diagram for explaining how the heat generating portion is divided. FIG. 15A is a view of the cell 310 as seen from above. By irradiating the laser irradiation region 620 surrounding the heat generating part 610 with a laser, the heat generating part 610 is separated from a normal part. FIG. 15B is a cross-sectional view taken along line AB in FIG. The cell 310 includes a Si3N4 film 630 functioning as an antireflection film and a passivation film (surface protective film), a surface electrode 640, a surface electrode contact portion 650 connecting the Si3N4 film 630 and the surface electrode 640, an N + layer 660, P-type Si 670, It consists of a P + layer 680 and a back electrode 690. The N + layer is destroyed by the laser, and a laser cutting mark 695 is generated.

なお、発熱箇所の修復方法は上記のものに限られない。例えば、不良セルの判定において、発熱箇所の位置による分類を行ない、発熱箇所がセルの外周辺の場合、端面部をブラッシング、つまり、軽く研磨してもよい。セルの外周辺の発熱の原因は、主としてセル端面での絶縁破壊によるリーク電流であり、ブラッシングにより容易に発熱が改善されることが多い。   The method for repairing the heat generation point is not limited to the above. For example, in determining a defective cell, classification may be performed according to the position of the heat generation portion, and when the heat generation portion is the outer periphery of the cell, the end face portion may be brushed, that is, lightly polished. The cause of heat generation around the outside of the cell is mainly a leakage current due to dielectric breakdown at the cell end face, and the heat generation is often easily improved by brushing.

上述のような発熱箇所の修復処理を行った後、再度、Ｉ−Ｖ測定、サーモカメラ３６０によるホットスポット検査を実施し、異常がない場合、モジュールプロセスへセルを進める。   After carrying out the repairing process of the heat generation point as described above, the IV measurement and the hot spot inspection by the thermo camera 360 are performed again, and if there is no abnormality, the cell is advanced to the module process.

発熱箇所の改善が見られない場合、ダイシング装置５４０によりセルダイシングを行なうことができる。セルダイシングについて、図１６を用いて説明する。図１６は、セルダイシングについて説明するための図である。セルダイシングでは、セル３１０を切断し、小さなサイズのセルを作る。図１６では、まず、セル３１０を縦のダイシングライン７１０ａに沿って切断する。すると、右半分のセルは、発熱部６１０を含まないため、再利用できる。また、左半分のセルは、さらに横のダイシングライン７１０ｂに沿って切断する。すると、下半分のセルは、再利用できる。つまり、廃棄部分７２０の面積を小さくできる。なお、図１６では、１／２サイズ、１／４サイズのセルを作る例を示したが、ダイシングラインの位置を変えることで、他のサイズのセルを作って再利用してもよい。このようにセルダイシングにより、発電に有効な太陽電池部分を選択利用する事が可能となる。   When the improvement of the heat generation point is not observed, cell dicing can be performed by the dicing apparatus 540. Cell dicing will be described with reference to FIG. FIG. 16 is a diagram for explaining cell dicing. In the cell dicing, the cell 310 is cut to make a small size cell. In FIG. 16, first, the cell 310 is cut along the vertical dicing line 710a. Then, since the right half cell does not include the heat generating portion 610, it can be reused. Further, the left half cell is further cut along the horizontal dicing line 710b. Then, the lower half cell can be reused. That is, the area of the discard part 720 can be reduced. Although FIG. 16 shows an example in which cells of 1/2 size and 1/4 size are created, cells of other sizes may be created and reused by changing the position of the dicing line. Thus, by cell dicing, it becomes possible to selectively use a solar cell portion effective for power generation.

なお、ここでは、発熱箇所の修復後に、セルダイシングを行なうものとしたが、発熱箇所の修復をせずに、セルダイシングを行なっても構わない。   Here, cell dicing is performed after repairing the heat generation portion, but cell dicing may be performed without repairing the heat generation portion.

図１７を用いて、本実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造の流れを説明する。図１７は、本実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造の流れを示すフローチャートである。   The flow of manufacturing the solar cell module according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 17 is a flowchart showing a flow of manufacturing the solar cell module according to the present embodiment.

まず、ステップＳ１０１において、製造装置は、例えば、背景技術の（ｉ）から（ｖｉｉｉ）で説明した処理により、半導体基板から太陽電池セルを作成する。   First, in step S101, the manufacturing apparatus creates solar cells from a semiconductor substrate, for example, by the processing described in (i) to (viii) of the background art.

次に、ステップＳ１０３において、逆バイアス電源３４０によりセル３１０に逆バイアス電流を印加し、電流計３５０によりリーク電流を測定する。そして、解析装置３７０がリーク電流が規定値未満であると判断したとき（ステップＳ１０３においてＮｏ）、セル３１０をモジュールプロセスに進める。   Next, in step S <b> 103, a reverse bias current is applied to the cell 310 by the reverse bias power source 340, and the leak current is measured by the ammeter 350. When analysis device 370 determines that the leakage current is less than the specified value (No in step S103), cell 310 is advanced to the module process.

リーク電流が規定値以上であると判断した場合（ステップＳ１０３においてＹｅｓ）、解析装置３７０は、ステップＳ１０５において、セル３１０に発熱があるかどうか判断する。具体的には、例えば、すでに説明したように、閾値以上の温度の箇所が存在するとき、あるいは、閾値以上の温度の領域の面積が規定の面積よりも大きいときに、発熱があると判断する。解析装置３７０は、セル３１０に発熱がないと判断したとき（ステップＳ１０５においてＮｏ）、セル３１０をモジュールプロセスに進める。   If it is determined that the leakage current is greater than or equal to the specified value (Yes in step S103), analysis device 370 determines whether or not cell 310 has heat generation in step S105. Specifically, for example, as described above, it is determined that heat is generated when a location having a temperature equal to or higher than the threshold exists or when the area of the temperature equal to or higher than the threshold is larger than a specified area. . When analyzing device 370 determines that cell 310 does not generate heat (No in step S105), it advances cell 310 to the module process.

セルに発熱があると判断された場合（ステップＳ１０５においてＹｅｓ）、ステップＳ１０７において、製造装置は、セルの不良箇所の修復を行なう。例えば、固体レーザー５２０により、発熱部周辺のＰＮ接合の切断を行う。   If it is determined that the cell has heat generation (Yes in step S105), in step S107, the manufacturing apparatus repairs the defective portion of the cell. For example, the solid state laser 520 cuts the PN junction around the heat generating portion.

次に、製造装置は、ステップＳ１０７において、セルの不良箇所が修復したかどうか判断する。具体的には、ステップＳ１０３およびステップＳ１０５と同様の検査が行なわれ、解析装置３７０は、リーク電流が規定値未満、かつ、セルに発熱がない場合に、セルの不良箇所が修復したと判断する。解析装置３７０が不良箇所が修復したと判断したとき（ステップＳ１０９においてＹｅｓ）、セル３１０をモジュールプロセスに進める。   Next, in step S107, the manufacturing apparatus determines whether the defective portion of the cell has been repaired. Specifically, the same inspection as in step S103 and step S105 is performed, and analysis device 370 determines that the defective portion of the cell has been repaired when the leakage current is less than a specified value and the cell does not generate heat. . When analysis device 370 determines that the defective portion has been repaired (Yes in step S109), cell 310 is advanced to the module process.

不良箇所が修復したと判断された場合（ステップＳ１０９においてＮｏ）、ステップＳ１０６において、ダイシング装置５４０により、セル３１０を小さなサイズのセルに分割する。この分割でできた発熱箇所を含まない他サイズのセルは、他の用途に転用できる。   If it is determined that the defective portion has been repaired (No in step S109), in step S106, the dicing apparatus 540 divides the cell 310 into small-sized cells. The cells of other sizes that do not include the heat generation part made by this division can be diverted to other uses.

製造装置は、ステップＳ１１３において、上記の各工程でモジュールプロセスにまわされたセルから、太陽電池モジュールを製造する。ステップＳ１１３は、例えば、背景技術の（ｉｘ）から（ｘｉｉｉ）で説明した工程からなる。   In step S113, the manufacturing apparatus manufactures a solar cell module from the cells that have been subjected to the module process in each of the above steps. Step S113 includes the steps described in (ix) to (xiii) of the background art, for example.

このように本発明は、セルに対して発熱検査を行うため、効率的かつ正確にホットスポットの試験を行える。また、セルへの検査であるため、検査システムの小型化が可能である。さらに、高温高湿環境下でのホットスポット検査を行う等、市場要求に柔軟な検査が可能となる。   As described above, since the present invention performs the heat generation inspection on the cell, the hot spot test can be performed efficiently and accurately. In addition, since the inspection is performed on the cell, the inspection system can be downsized. Furthermore, it is possible to flexibly inspect market demands such as hot spot inspection in a high temperature and high humidity environment.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

エッチング工程について説明するための図である。It is a figure for demonstrating an etching process. 拡散剤塗布工程について説明するための図である。It is a figure for demonstrating a diffusing agent application | coating process. Ｎ型拡散層形成工程について説明するための図である。It is a figure for demonstrating an N type diffused layer formation process. 反射防止膜形成工程について説明するための図である。It is a figure for demonstrating an antireflection film formation process. 裏面電極形成工程（１）について説明するための図である。It is a figure for demonstrating a back surface electrode formation process (1). 裏面電極形成工程（２）について説明するための図である。It is a figure for demonstrating a back surface electrode formation process (2). 表面電極形成工程について説明するための図である。It is a figure for demonstrating a surface electrode formation process. はんだコート形成工程について説明するための図である。It is a figure for demonstrating a solder coat formation process. セル９０のＩ−Ｖ測定について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the IV measurement of the cell 90. FIG. モジュールプロセスについて説明するための図である。It is a figure for demonstrating a module process. 特許文献２に記載の検査方法に用いられる装置の概略図である。It is the schematic of the apparatus used for the inspection method of patent document 2. ホットスポット検査装置の構成図である。It is a block diagram of a hot spot inspection apparatus. 解析結果の表示の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a display of an analysis result. 不良セルの修復工程を含む太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of a solar cell module including the repair process of a defective cell. 発熱部の分断の様子を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the mode of the division | segmentation of a heat generating part. セルダイシングについて説明するための図である。It is a figure for demonstrating cell dicing. 本実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of manufacture of the solar cell module which concerns on this Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 基板、１１ 表面ダメージ層、２０ 塗布膜、３０ Ｎ型拡散層、４０ Ｓｉ３Ｎ４膜、５０ 銀ペースト、６０ アルミペースト、６２ Ｐ＋層、７０ 銀ペースト、８０ 無鉛はんだメッキ層、９０ セル、１００ リードタブ、１１０ セル列、１２０ バスバー、１３０ バックカバー、１３２ セル列、１３４ ＥＶＡ、１３６ ガラス、１４０ 端子ボックス、１４２ アルミ枠、２１０ 太陽電池モジュール、２２０ 上プローブ、２３０ 下プローブ、２４０ 逆バイアス電源、２５０ 電流計、３１０ セル、３２０ 上プローブ、３３０ 下プローブ、３４０ 逆バイアス電源、３５０ 電流計、３６０ サーモカメラ、３７０ 解析装置、５１０ 移動装置、５２０ 固体レーザー、５３０ 接続装置、５４０ ダイシング装置、６１０ 発熱部、６２０ レーザー照射領域、６３０ Ｓｉ３Ｎ４膜、６４０ 表面電極、６５０ 表面電極コンタクト部、６６０ Ｎ＋層、６７０ Ｐ型Ｓｉ、６８０ Ｐ＋層、６９０ 裏面電極、６９５ レーザー切断痕、７１０ａ 縦のダイシングライン、７１０ｂ 横のダイシングライン、７２０ 廃棄部分。   10 substrate, 11 surface damage layer, 20 coating film, 30 N-type diffusion layer, 40 Si3N4 film, 50 silver paste, 60 aluminum paste, 62 P + layer, 70 silver paste, 80 lead-free solder plating layer, 90 cells, 100 lead tab, 110 cell row, 120 bus bar, 130 back cover, 132 cell row, 134 EVA, 136 glass, 140 terminal box, 142 aluminum frame, 210 solar cell module, 220 upper probe, 230 lower probe, 240 reverse bias power supply, 250 ammeter , 310 cells, 320 upper probe, 330 lower probe, 340 reverse bias power supply, 350 ammeter, 360 thermo camera, 370 analysis device, 510 moving device, 520 solid state laser, 530 connection device, 540 dicing device, 610 Heat generating part, 620 laser irradiation region, 630 Si3N4 film, 640 surface electrode, 650 surface electrode contact part, 660 N + layer, 670 P-type Si, 680 P + layer, 690 back electrode, 695 laser cutting trace, 710a vertical dicing line, 710b Horizontal dicing line, 720 waste part.

Claims (7)

太陽電池モジュールの製造方法であって、
半導体から複数の太陽電池セルを製造するステップと、
前記複数の太陽電池セルの各々について、電圧を印加した際の各前記太陽電池セルの温度を測定するステップと、
前記測定結果に基づき、各前記太陽電池セルに、設定された閾値以上の温度の発熱箇所があるかどうかを判定するステップと、
前記発熱箇所があると判定されていない前記太陽電池セルを電気的に接続して太陽電池モジュールを製造するステップとを備える、太陽電池モジュールの製造方法。 A method for manufacturing a solar cell module, comprising:
Producing a plurality of solar cells from a semiconductor;
For each of the plurality of solar cells, measuring the temperature of each of the solar cells when a voltage is applied;
Based on the measurement results, determining whether each solar battery cell has a heat generation location having a temperature equal to or higher than a set threshold value;
A method of manufacturing a solar cell module, comprising: electrically connecting the solar cells that have not been determined to have the heat generating portion to manufacture a solar cell module. 前記発熱箇所があると判定された前記太陽電池セルに対し、前記発熱箇所の修復処理を行なうステップをさらに備える、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。   The method for manufacturing a solar cell module according to claim 1, further comprising a step of performing a repair process on the heat generation portion for the solar battery cell determined to have the heat generation portion. 前記発熱箇所があると判定された前記太陽電池セルを分割切断するステップをさらに備える、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。   The method for manufacturing a solar cell module according to claim 1, further comprising a step of dividing and cutting the solar cell that is determined to have the heat generating portion. 前記修復処理が行なわれた太陽電池セルに電圧を印加した際の、前記修復処理が行なわれた太陽電池セルの温度を測定するステップと、
前記測定結果に基づき、前記修復処理が行なわれた太陽電池セルに前記発熱箇所があるかどうかを判定するステップと、
前記修復処理が行なわれた太陽電池セルのうち、前記発熱箇所があると判定された太陽電池セルを分割切断するステップとをさらに備える、請求項２に記載の太陽電池モジュールの製造方法。 Measuring a temperature of the solar cell subjected to the repair process when a voltage is applied to the solar cell subjected to the repair process;
Based on the measurement result, determining whether or not there is the heat generation location in the solar cell that has been subjected to the repair process;
The solar cell module manufacturing method according to claim 2, further comprising a step of dividing and cutting a solar battery cell that is determined to have the heat generating portion among the solar battery cells that have undergone the repair process. 前記太陽電池セルに電圧を印加し、前記電圧を印加された際に発生する電流を測定するステップと、
前記電流が設定された値以上であるかどうかを判定するステップとをさらに備え、
前記電流が設定された値以上である場合に前記温度を測定し、前記発熱箇所があるかどうかを判定する、請求項１から４のいずれか１項に記載の太陽電池モジュールの製造方法。 Applying a voltage to the solar cell and measuring a current generated when the voltage is applied;
Determining whether the current is greater than or equal to a set value,
The method for manufacturing a solar cell module according to any one of claims 1 to 4, wherein when the current is equal to or greater than a set value, the temperature is measured and it is determined whether or not there is the heat generation point. 前記温度の測定を非接触の温度識別装置で行なう、請求項１から５のいずれか１項に記載の太陽電池モジュールの製造方法。   The method for manufacturing a solar cell module according to claim 1, wherein the temperature is measured by a non-contact temperature identification device. 太陽電池セルを接続して太陽電池モジュールを製造する太陽電池モジュール製造装置であって、
前記太陽電池セルに電圧を印加する電源と、
前記電源により前記電圧を印加された前記太陽電池セルの温度を測定する温度識別装置と、
前記温度識別装置の測定結果に基づき、設定された閾値以上の温度の発熱箇所が前記太陽電池セルにあるかどうかを判定する解析装置と、
前記発熱箇所があると判定された太陽電池セルを前記太陽電池モジュールの製造ラインから排出する移動手段と、
前記移動手段により排出されていない前記太陽電池セルを電気的に接続する接続装置とを備える、太陽電池モジュールの製造装置。 A solar cell module manufacturing apparatus for manufacturing a solar cell module by connecting solar cells,
A power source for applying a voltage to the solar cell;
A temperature identification device for measuring the temperature of the solar cell to which the voltage is applied by the power source;
Based on the measurement result of the temperature identification device, an analysis device for determining whether or not the solar battery cell has a heat generation point having a temperature equal to or higher than a set threshold value;
Moving means for discharging the solar battery cell determined to have the heat generating portion from the production line of the solar battery module,
An apparatus for manufacturing a solar cell module, comprising: a connection device that electrically connects the solar cells that are not discharged by the moving means.
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