JP2009139524A - 光の偏向方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
ットワークシステムを構成するための光スイッチや光変調器などの能動素子に寄与する装
置を提供すること。
【解決手段】 光を受入する入力部と、光を射出する出力部と、入力部と出力部との間の
光路に位置して光を誘導する誘導部材と、誘導部材に磁場を印加する磁場印加手段とを備
えた構成で、光の進行方向を制御する方法であって、誘導部材の素材に、屈折率テンソル
の非対角成分が磁場に応答する物質を用い、誘導部材を小片の集合体で構成し、その小片
の配置を、入力部で受入する光の波長と同程度か或いはそれ以下の所定間隔で、規則正し
く周期的に配列させることで、微細構造を形成し、誘導部材に磁場を印加して、そこを通
る光の屈折率を変化させると共に、微細構造における光の干渉によってその進行方向を変
化させる。
【選択図】 図5
Description
、機械的なミラーといった手法がとられてきた。
しかし、それらの従来技術による光の偏向角度は、ミラーを除けば10°程度と小さく
、原理的に90°には達しなかった。また、受信機側から返答される復路の光が、往路と
同一の経路となるため、混線の危惧が伴っていた。
変調器など、様々な光デバイスが使用されていて、高速化や、大容量化、高信頼化、小型
化、低コスト化などを実現するための技術開発が進められている。
リズムやフィルタなどのデバイスを形成できるフォトニック結晶が注目されている。
フォトニック結晶とは、屈折率の異なる複数の物質を光の波長以下のサイズで規則正し
く周期的に配列させた構造体である。
同じタイプであり、波動性も類似している。半導体中における電子の波に、伝導帯や、価
電子帯、禁制帯があるのと同様に、フォトニック結晶中でも電磁波の伝搬が許される波長
帯域や禁制帯域が存在する。
フォトニック結晶は、ナノ構造内部における光の回折や、散乱、干渉を利用するので、
可視光帯で用いるフォトニック結晶の構造の周期は、光の波長の半分程度、すなわち、20
0 nm程度で極めて微細である。
フォトニック結晶中では、その配列周期や、形状、屈折率などに応じて、半導体等にお
ける電子のバンド構造と同様に、光のバンド構造が変調され、特異なバンド構造を形成さ
れる。例えば、ブリュアンゾーン近傍では、フォトニックバンドギャップと呼ばれる光の
禁制帯が形成され、その周波数帯域ではフォトニック結晶の内部で光が存在できなくなる
。また、フォトニックバンドギャップ近傍のバンドが大きく変調され、その周波数分散面
は通常の光学結晶とは大きく異なることになる。
して期待されている。
例えば、光導波路型光スイッチでは、高速化及び多チャネル化に対応して、光の偏向角
度を調節することが必須である。光導波路型の光スイッチにおいて、大きな偏向角度を得
るために、フォトニック結晶を用いることが着目されている。
ている。
非線形効果が高く、分散特性の設計自由度が高く、急峻な屈曲でも光が洩れないなどの特
性を有している。
2次元フォトニック結晶のバンド端における光の群速度零を利用して、大面積コヒーレ
ント発振するレーザも開発されつつある。
2次元フォトニック結晶を光デバイスに適用する研究として、その構造中に共振器や導
波路を作り、光を数十万サイクル蓄積したり、進行速度を真空中速度より2桁程度低くで
きることが確
かめられ、量子通信や演算、スローライト、ストッピングライトへの応用が期待されてい
る。
を利用する自己成形プロセスが開発され、撮像素子や、光ディスクの記録再生素子、計測
システム、通信デバイスなどへの応用が期待されている。
る。
角や透
過帯域などの特性を自由に変化させることができなかった。
施し、
光ネットワークシステムを構成するための光スイッチや光変調器などの能動素子に寄与す
る装
置を提供することを課題とする。
すなわち、光の進行方向を制御する素子であって、光を受入する入力部と、光を射出す
る出力部と、入力部と出力部との間の光路に位置して光を誘導する誘導部材と、誘導部材
に磁場を印加する磁場印加手段とを備え、誘導部材が小片の集合体で構成され、その小片
の配置が、入力部で受入する光の波長と同程度か或いはそれ以下の所定間隔で、規則正し
く周期的に配列させた構造であり、誘導部材の素材が、屈折率テンソルの非対角成分が磁
場に応答する物質であることを特徴とする。
するいずれかの誘導部材小片の間隔をdとし、光が偏向される角度をθとし、光の波長を
λとしたとき、2dsinθ=nλ(nは整数)を満たす構造であると偏向が精確である。
循環させるサーキュレータや光導波路型光スイッチが挙げられる。
用できる。
。
すなわち、光を受入する入力部と、光を射出する出力部と、入力部と出力部との間の光
路に位置して光を誘導する誘導部材と、誘導部材に磁場を印加する磁場印加手段とを備え
た構成で、光の進行方向を制御する方法であって、誘導部材の素材に、屈折率テンソルの
非対角成分が磁場に応答する物質を用い、誘導部材を小片の集合体で構成し、その小片の
配置を、入力部で受入する光の波長と同程度か或いはそれ以下の所定間隔で、規則正しく
周期的に配列させることで、微細構造を形成し、誘導部材に磁場を印加して、そこを通る
光の屈折率を変化させると共に、微細構造における光の干渉によって、その進行方向を変
化させることを特徴とする。
化に寄与させてもよい。
を構成するいずれかの誘導部材小片の間隔をdとし、光が偏向される角度をθとし、光の
波長をλとしたとき、2dsinθ=nλ(nは整数)を満たすように設定して、偏向の精
確化に寄与させてもよい。
制御可能にして、偏向の用途増大に寄与させてもよい。
形成して、その欠陥準位で発光制御可能にして、光デバイスの多様化に寄与させてもよい
。
ブ等の用途に寄与させてもよい。
すなわち、誘電体等の誘導部材の小片が、結晶のように配列されるので、磁場の印加に
よって屈折率を変化させられ、光の進行方向を制御することが可能になる。特に、進行方
向を広角度に曲げられるので、通信用光デバイスへの応用に寄与する。
の例示に限らず、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で、前記特許文献など従来公知の技術
を用いて適宜設計変更可能である。
図1及び2は、屈折率の分布による光の偏向を示す模式図である。
屈折率は通常、図1(イ)のようにスカラー量であり、図1(ロ)のようgradで表現さ
れる。ここに、光を入射させると、図1(ハ)のように、屈折率勾配を示す矢印に逆らっ
て進む。その出射位置から再び光を入射させると、図1(ニ)のように、元の入射位置に
戻ることになり、光の往路と復路が同一になる。
のようrotで表現される。ここに、光を入射させると、図2(ハ)のように、屈折率勾配
を示す矢印に逆らって進み、その出射位置から再び光を入射させると、図2(ニ)のよう
に、元の入射位置には戻らず、光の往路と復路が異なることになる。
進行光と戻り光の経路を変えられると、通信における混線の抑止などに有用に用いられ
る。
物質に、電場や、磁場、応力、熱などの外場を印加すると、その電子状態が変化し、分
極率の変化に伴い、屈折率の変化も生じ得る。例えば、等方的な液体や固体も、外場の印
加によって異方性が現れ、異方性のある物質についても、外場の印加によって主屈折率が
変化する。
磁場が光に及ぼす効果は、光磁気ディスクに代表されるような磁気記録の光による読み
出しや、通信デバイスとして光アイソレータなどに応用されている。
磁場による物質への影響としては、磁気光学効果が知られている。これは、磁場の印加
によって、電子スピンが偏極したり、電子の軌道運動が右回りと左回りで非対称になるこ
とに基づく現象である。
また、ファラデー効果や、コットンムートン効果(フォークト効果)、磁気カー効果、
ゼーマン効果等も知られている。
いが生じるものである。これにより、旋光性や円二色性と似た現象が見られる。キラルな
物質の自然旋光性とは、磁化方向によって偏光が回転することである。光が媒質を通って
ミラーで反射されて再び媒質を通って戻ってくる場合、自然旋光性では、往路と復路でk
ベクトルが逆転するため、偏光の回転方向が打ち消されるが、ファラデー回転では回転角
が2倍になって戻ってくる。
そのため、レーザ光を光ファイバに導入する際に反射光を遮断するための光アイソレー
タ等に用いることができる。
な直線偏光と直交する直線偏光が存在することになる。これにより、複屈折や線二色性が
現れるものである。
変化を光の透過で観察したものであり、屈折率の変化が反射係数にも現れるものである。
すなわち、反射光の状態が磁場によって変化する現象であり、入射光、反射光の偏光の関
係によって、極カー、縦カー、横カーと分類される。例えば、光磁気ディスクのディスク
面に垂直に記録された磁化の方向を、半導体レーザの極カー回転によって読み取ることな
どに用いられている。
は、その際の光の進行を示す平面説明図である。
偏向対象の光を受入する端子等の入力部と、その光を射出する端子等の出力部との間の
光路に位置して光を誘導する誘導部材としての誘電体に、磁石等により磁場を印加した状
態で、光を入射する。磁場の印加方向は、入射光に垂直が好ましい。
誘導部材の素材としては、誘電体など、屈折率テンソルの非対角成分が磁場に応答する
任意の物質が利用可能である。誘電体としては、常誘電体や、圧電体、焦電体、強誘電体
のいずれも利用できる。
、入射光は偏向されず直進する。
磁場を印加した場合は、図5のように、ゼーマン効果によって電子のエネルギー準位の
縮退が解け振動数に差が生じ、輻射寿命に関係して出射光が偏向される。
電体を格子状に配列した場合の光の進行を示す平面説明図である。
図5における出射光の偏向方向に、更に誘電体を配置すると、偏向方向を更に変えるこ
とができる。このように偏向先に、誘電体を次々と配置していくことで、偏向角度を大き
く設定することができる。
光は常に進行方向に対して垂直な偏向を受けるため、図7のように360°までの偏向
が可能である。
磁場を印加した誘電体の所定配列によって光の進行を制御しサイクロトロン運動させるこ
とが可能である。その運動を量子化しエネルギー準位を離散化すれば、ランダウ準位が光
の波長で決められる。
に、入射光と戻り光は別な経路を辿り元へは戻らない。
そのため、受信機側からの返答の光は別の経路となるため、混線しにくい特徴がある。
例えば、複数の回線を順に接続していくサーキュレータなどに利用できる。サーキュレー
タは3端子の高周波部品であり、各端子に進入した信号を隣に誘導して循環させる回路素
子であり、移動体通信の基地局においては送受信信号を整流させるために必要な重要部品
である。
離散的なフォトニック結晶と異なり、バルク結晶は連続体のため、光は横へシフトする
のみで方向は変化しない。そのため、誘電体に磁場を印加して光を偏向する本発明は、コ
ットンムートン効果とは異なる。
その構造はフォトニック結晶に相応している。
図9は、誘電体の配列例を示す説明図である。
図示の例では、正方形状に4体の誘電体が配列されている。ここで、光の進行方向に垂
直な面において隣接する2体の誘電体から、光の進行方向における下流側に隣接する誘電
体への光路差(a√2−a)が、光の波長の整数倍となるように設定し、誘電体の間隔を、
光の波長と同程度か或いはそれ以下の所定間隔で、規則正しく周期的に配列させることで
、微細構造を形成する。
図示の例では、3通りの偏向形態が示されている。三角格子状に配列されるいずれかの
誘電体の間隔(d)が、
光の偏向される角度(θ)と光の波長(λ)との関係において、2dsinθ=nλを満た
すように配列して微細構造を形成すればよい。ここで、nは整数である。
図11の例では、5通りの偏向形態が示されている。図12では、同じ四角格子状配列
に対して、光の入射方向が異なる。どちらの場合も、四角格子状に配列されるいずれかの
誘電体の間隔(d)が、光の偏向される角度(θ)と光の波長(λ)との関係において、
2dsinθ=nλを満たすように配列して微細構造を形成すればよい。ここで、nは整数
である。
偏向される光には多様なパターンがあるが、X線結晶回折におけるブラッグ条件と同様の
条件を満たせばよい。
そのため、本発明の誘導部材には、三斜晶、単斜晶、斜方晶、六方晶、三方晶、正方晶
、立方晶の7晶系、単純三斜、単純単斜、底心単斜、単純斜方、体心斜方、面心斜方、底
心斜方、単純六方、単純菱面体、単純正方、体心正方、単純立方、体心立方、面心立方の
14種のブラベー格子を形成するいずれも利用可能である。
が変化する現象は、光の回折に類似している。回折は、光を波長毎に分ける分光技術、レ
ーザの発振波長を選択するデバイスや、ホログラフィ、光フィルタなど様々な用途に応用
されている。そのため、本発明による素子によっても同様に、様々な光機能の制御が可能
である。
分布をもつ構造体や、2次元的な屈折率分布をもつ構造体が製造可能である。
そのような構造では、半導体において原子核の周期ポテンシャルによって電子波がブラ
ッグ反射を受け、バンドギャップが形成されるのと同様に、周期的な屈折率分布によって
光波がブラッグ反射を受け、光に対するバンドギャップが形成される。
素子中にバンドギャップと等しい波長で発光する材料を導入することで、自然放出光の抑
制が行える。
また、素子中の周期性を一部乱しバンドギャップ中に欠陥準位を形成すれば、その欠陥
準位でのみ発光が許容されることになるので、高効率の単一モード発光ダイオードや、零
閾値レーザなどに応用可能である。
スイッチや、光コンピュータ用の論理ゲート、モニター用の光ビーム制御装置など、多様
な光デバイスに応用可能であり産業上利用価値が高い。
Claims (17)
- 光の進行方向を制御する素子であって、
光を受入する入力部と、光を射出する出力部と、入力部と出力部との間の光路に位置し
て光を誘導する誘導部材と、誘導部材に磁場を印加する磁場印加手段とを備え、
誘導部材が小片の集合体で構成され、その小片の配置が、入力部で受入する光の波長と
同程度か或いはそれ以下の所定間隔で、規則正しく周期的に配列させた構造であり、
誘導部材の素材が、屈折率テンソルの非対角成分が磁場に応答する物質である
ことを特徴とする光の偏向装置。 - 誘導部材の素材が、誘電体である
請求項1に記載の光の偏向装置。 - 誘導部材小片の周期構造において繰り返される単位構造が、
その単位構造を構成するいずれかの誘導部材小片の間隔をdとし、光が偏向される角度を
θとし、光の波長をλとしたとき、2dsinθ=nλ(nは整数)を満たす構造である
請求項1または2に記載の光の偏向装置。 - 請求項1ないし3に記載の偏向装置が、光通信用デバイスの構成要素である
ことを特徴とする光の偏向装置。 - 光通信用デバイスが、
3端子を有し各端子で入力した信号を隣の端子へ誘導して循環させるサーキュレータで
ある
請求項4に記載の光の偏向装置。 - 光通信用デバイスが、光導波路型光スイッチである
請求項4に記載の光の偏向装置。 - 誘導部材小片の周期的配列が、点状の欠陥を導入された配列である
請求項1ないし4に記載の光の偏向装置。 - 請求項7に記載の偏向装置が、単一モード発光ダイオードの構成要素である
ことを特徴とする光の偏向装置。 - 請求項7に記載の偏向装置が、零閾値レーザの構成要素である
ことを特徴とする光の偏向装置。 - 光を受入する入力部と、光を射出する出力部と、入力部と出力部との間の光路に位置し
て光を誘導する誘導部材と、誘導部材に磁場を印加する磁場印加手段とを備えた構成で、
光の進行方向を制御する方法であって、
誘導部材の素材に、屈折率テンソルの非対角成分が磁場に応答する物質を用い、
誘導部材を小片の集合体で構成し、その小片の配置を、入力部で受入する光の波長と同
程度か或いはそれ以下の所定間隔で、規則正しく周期的に配列させることで、微細構造を
形成し、
誘導部材に磁場を印加して、そこを通る光の屈折率を変化させると共に、微細構造にお
ける光の干渉によって、その進行方向を変化させる
ことを特徴とする光の偏向方法。 - 誘導部材に対する磁場の印加方向を、光の進行方向と垂直にする
請求項10に記載の光の偏向方法。 - 誘導部材の素材に、誘電体を用いる
請求項10または11に記載の光の偏向方法。 - 誘導部材小片の配置を、
その周期構造において繰り返される単位構造が、その単位構造を構成するいずれかの誘導
部材小片の間隔をdとし、光が偏向される角度をθとし、光の波長をλとしたとき、2d
sinθ=nλ(nは整数)を満たすように設定する
請求項10ないし12に記載の光の偏向方法。 - 誘導部材小片の屈折率または配置の調整に応じて、光の偏向角を360°までの広角度
制御可能にする
請求項10ないし13に記載の光の偏向方法。 - 誘導部材小片の周期的配列に点状の欠陥を導入し、そのバンドギャップ中に欠陥準位を
形成して、その欠陥準位で発光制御可能にする
請求項10ないし14に記載の光の偏向方法。 - 誘導部材小片の配置を円軌道状にして、光をサイクロトロン運動させる
請求項10ないし15に記載の光の偏向方法。 - ランダウ準位を光の波長によって定める
請求項16に記載の光の偏向方法。
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