JP2009128007A - Inspection device, inspection method and memory medium - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、パターンが形成されたマスク層を備えた基板またはレチクルに対して、真空雰囲気にて電子線を照射し、前記パターンの欠陥の検査を行う技術分野に関する。 The present invention relates to a technical field in which a substrate or a reticle provided with a mask layer on which a pattern is formed is irradiated with an electron beam in a vacuum atmosphere to inspect defects in the pattern.
半導体装置の製造工程において、例えば半導体ウエハ(以下ウエハという)上に形成されたレジストパターンの欠陥検査方法については、光学式検査方法があるが、当該方法ではレジストパターンの線幅が例えば32nm以下になると当該パターンの欠陥を検出することができない場合がある。
そこで、パターンの線幅が32nm以下、例えば15nmにおける当該パターンの欠陥を検査できる方法として、電子線を用いたSEM(Scanning Electron Microscope)式の検査方法がある(例えば特許文献1参照)。
In a semiconductor device manufacturing process, for example, there is an optical inspection method for a defect inspection method for a resist pattern formed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer). In this method, the line width of the resist pattern is, for example, 32 nm or less. Then, there is a case where the defect of the pattern cannot be detected.
Therefore, there is a scanning electron microscope (SEM) type inspection method using an electron beam as a method for inspecting a defect of the pattern when the line width of the pattern is 32 nm or less, for example, 15 nm (for example, see Patent Document 1).
このSEM式の検査方法は、図6に示すように、真空容器100の上方側に設けられた電子放出部101から載置台102上のウェハWに対して電子線(1次電子)を照射し、ウエハWの表層から放出される2次電子を検出器103において検出して、その強度分布を調べることによって、レジストパターンの欠陥検査を行う方法である。電子線の入射により、ウェハWからは電子線が弾性的に反射した反射電子と、ウェハWの内部で発熱や遷移などによりエネルギーが電子線よりも小さくなった2次電子と、が放出されるが、図7に示すように、反射電子よりも2次電子の方がウェハWから放出される量が多いので、このような検査装置では、欠陥の検出に2次電子を利用している。尚、この2次電子のエネルギーは、照射する電子線のエネルギーに関わらず、おおよそ1000eV以下となっている。
As shown in FIG. 6, this SEM type inspection method irradiates an electron beam (primary electrons) onto the wafer W on the mounting table 102 from the
例えば図8(a)、(b)に示すように、シリコン層110上に、被エッチング膜である絶縁膜111、露光時の反射を防止するための主に有機成分からなる反射防止膜113及び有機膜であるフォトレジストマスク116が下側からこの順番で積層されたウェハWに対して、露光及び現像を行うことにより、例えばライン状の開口部114を含むパターンを形成する場合には、開口部114内にフォトレジストマスク116の残渣115が付着してしまうおそれがある。このような残渣115は、その後のエッチングにおいて被エッチング膜のパターンに転写されてしまうおそれのあることから、この残渣115の付着状況を検査により把握する必要がある。そこで、この残渣115の付着の有無を検査するために、上記SEM式の検査装置が用いられる。
For example, as shown in FIGS. 8A and 8B, an
ところで、ウェハWの表面に既述の開口部114などの凹凸が形成されている場合には、このウェハWに対して図9(a)に示すように電子線を照射すると、同図(b)に示すように、エッジ部から放出される2次電子の量が多くなるエッジ効果が現れる。このため、2次電子の輝度情報に基づくパターン画像について補正しなければならず、その場合配線密度が高くなって開口部114の開口幅が狭くなると、エッジ同士が近づいて各エッジ効果に基づく輝度のピーク同士が重なり合うことから、パターン画像の補正が困難になり、結果として残渣115を精度高く検出することが困難になる。
また、電子線の加速電圧を増やしていくにつれて電子線の到達深さが深くなっていくので、2次電子は、電子線の到達深さに対応した深さ位置から放出される。このため、開口部114において、残渣115の付着した部位については残渣115を透過しないように、また残渣115の付着していない部位についてはフォトレジストマスク116の下側の層内に到達するように加速電圧を調整しなければならず、従って加速電圧の調整が極めて難しい。このため、残渣115の厚さが薄くなっていくと、残渣115の付着した部位と付着してしない部位との間の輝度差が大きく取れなくなり、残渣115の検出が困難になる。
By the way, when unevenness such as the above-described
Further, since the arrival depth of the electron beam becomes deeper as the acceleration voltage of the electron beam is increased, secondary electrons are emitted from a depth position corresponding to the arrival depth of the electron beam. For this reason, in the
また、フォトレジストマスク116の下層側の反射防止膜113は、フォトレジストマスク116よりも炭素が多いので、フォトレジストマスク116と反射防止膜113との間では輝度差が生じるが、どちらも有機物であることから、図9(c)に示すように、その輝度差が小さい。そして、最近では、エッチング選択比を大きく取るために、反射防止膜113中に例えばシリコンなどの無機成分を微量に含有させるものもあるが、この場合でも輝度差がそれ程大きくならず、やはり残渣115の判別は容易ではない。
特許文献2には、ウェハWに対して電子線を照射し、このウェハWから放出される反射電子を検出する技術が記載されているが、上記の課題については記載されていない。
In addition, since the
Patent Document 2 describes a technique for irradiating a wafer W with an electron beam and detecting reflected electrons emitted from the wafer W, but does not describe the above problem.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、マスク層を有する被検査体に対して電子線を照射することにより、マスクのパターン上の残渣の付着の有無を検査するにあたり、高い精度で残渣の有無を検査することのできる技術を提供することにある。 This invention is made | formed in view of such a situation, The objective is test | inspecting the adhesion of the residue on the pattern of a mask by irradiating the to-be-inspected object which has a mask layer with an electron beam. In doing so, an object is to provide a technique capable of inspecting for the presence or absence of residue with high accuracy.
本発明の検査装置は、
パターンが形成されたマスク層と、下層膜と、が上側からこの順番で積層された被検査体に対して電子線を照射することにより、当該パターン上の残渣の有無を検査する検査装置において、
被検査体を載置する載置台がその内部に設けられた真空容器と、
この真空容器内を真空排気するための真空排気手段と、
前記載置台上の被検査体に対して電子線を照射するための電子放出部と、
前記被検査体から放出される反射電子を検出するための電子検出手段と、
前記電子検出手段と前記被検査体との間に設けられ、前記被検査体から放出される2次電子を前記被検査体側に押し戻すために、負電圧である逆バイアス電圧が印加される逆バイアス電極と、を備えたことを特徴とする。
前記マスク層は、レジスト層であることが好ましい。
前記下層膜は、有機成分を主成分とする反射防止膜であることが好ましく、更にシリコンと酸素及びシリコンを含む化合物との少なくとも一方を含むことが好ましい。
The inspection apparatus of the present invention is
In an inspection apparatus for inspecting the presence or absence of a residue on the pattern by irradiating an electron beam to an object to be inspected in which the mask layer on which the pattern is formed and the lower layer film are laminated in this order from the upper side,
A vacuum vessel in which a mounting table for mounting the object to be inspected is provided;
Evacuation means for evacuating the inside of the vacuum vessel;
An electron emission portion for irradiating an electron beam to the object to be inspected on the mounting table;
An electron detection means for detecting reflected electrons emitted from the object to be inspected;
A reverse bias, which is provided between the electron detection means and the object to be inspected, is applied with a reverse bias voltage which is a negative voltage in order to push back secondary electrons emitted from the object to be inspected back to the object to be inspected. And an electrode.
The mask layer is preferably a resist layer.
The lower layer film is preferably an antireflection film containing an organic component as a main component, and preferably further contains at least one of silicon and a compound containing oxygen and silicon.
本発明の検査方法は、
パターンが形成されたマスク層と、下層膜と、が上側からこの順番で積層された被検査体に対して電子線を照射することにより、当該パターン上の残渣の有無を検査する検査方法において、
被検査体を真空容器内の載置台に載置して、前記真空容器内を真空排気する工程と、
前記被検査体に電子線を照射する工程と、
前記被検査体から放出される2次電子を前記被検査体側に押し戻すために、前記被検査体と前記被検査体から放出される反射電子を検出するための電子検出手段との間に負電圧である逆バイアス電圧を印加する工程と、
次いで、前記被検査体から放出される反射電子を検出する工程と、を含むことを特徴とする。
The inspection method of the present invention comprises:
In the inspection method for inspecting the presence or absence of residues on the pattern by irradiating the inspection target layered in this order from the upper side with the mask layer on which the pattern is formed and the lower layer film,
Placing the object to be inspected on a mounting table in a vacuum vessel, and evacuating the vacuum vessel;
Irradiating the inspection object with an electron beam;
In order to push back the secondary electrons emitted from the object to be inspected back to the object to be inspected, a negative voltage is applied between the object to be inspected and an electron detection means for detecting reflected electrons emitted from the object to be inspected. Applying a reverse bias voltage of
And a step of detecting reflected electrons emitted from the object to be inspected.
本発明の記憶媒体は、
コンピュータ上で動作するプログラムを格納する記憶媒体であって、
前記プログラムは、上記検査方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
The storage medium of the present invention is
A storage medium for storing a program that runs on a computer,
The program has a group of steps so as to execute the inspection method.
本発明によれば、パターンが形成されたマスク層と、下層膜と、が上側からこの順番で積層された被検査体に対して電子線を照射することにより、当該パターン上の残渣の有無を検査するにあたり、被検査体と、被検査体から放出される電子を検出する電子検出手段と、の間に負電圧である逆バイアス電圧を印加して、被検査体から放出される2次電子を被検査体側に押し戻し、被検査体の表層から放出される反射電子を検出するようにしている。そのために、2次電子に特有のエッジ効果がなくなり、パターンの開口幅が狭い領域においても鮮明な画像が得られるので、高い精度で残渣の有無を検出できる。また、被検査体の表層において反射される反射電子を用いることにより、被検査体の表層の情報を得ることができるので、薄い残渣であっても精度高く検出することができる。更に、被検査体の表層で反射する反射電子を利用することによって、加速電圧を変えても被検査体の表層からの情報を取得することができるので、加速電圧の調整幅が広くなり、加速電圧の調整が容易になる。更にまた、反射電子を用いることにより、被検査体の表層の組成に基づいた情報を得ることができるので、僅かな組成の差であっても判別可能となり、残渣と下層膜との間の組成が近く、2次電子では残渣と下層膜との輝度差が小さい場合であっても、大きな輝度差を得ることができ、残渣を精度高く検出できる。 According to the present invention, by irradiating an electron beam to an object to be inspected in which a mask layer on which a pattern is formed and a lower layer film are stacked in this order from above, the presence or absence of residues on the pattern is determined. In inspecting, secondary electrons emitted from the object to be inspected by applying a reverse bias voltage, which is a negative voltage, between the object to be inspected and the electron detecting means for detecting electrons emitted from the object to be inspected. Is pushed back toward the object to be inspected, and the reflected electrons emitted from the surface layer of the object to be inspected are detected. For this reason, the edge effect peculiar to the secondary electrons is eliminated, and a clear image can be obtained even in a region where the opening width of the pattern is narrow. Therefore, the presence or absence of a residue can be detected with high accuracy. In addition, since information on the surface layer of the object to be inspected can be obtained by using the reflected electrons reflected on the surface layer of the object to be inspected, even a thin residue can be detected with high accuracy. Furthermore, by using the reflected electrons reflected from the surface layer of the object to be inspected, information from the surface layer of the object to be inspected can be acquired even if the acceleration voltage is changed. The voltage can be easily adjusted. Furthermore, by using reflected electrons, information based on the composition of the surface layer of the object to be inspected can be obtained, so even a slight difference in composition can be determined, and the composition between the residue and the lower layer film Even when the secondary electrons have a small luminance difference between the residue and the lower layer film, a large luminance difference can be obtained, and the residue can be detected with high accuracy.
本発明の検査装置の一例について、図1及び図2を参照して説明する。図1は、検査装置の一例を示す横断面図である。この検査装置は、同図中手前側から、大気搬送室23、左右に並ぶ2台のロードロックモジュール22、22、横断面形状が5角形をなす真空搬送室21及び例えば1台のSEM式の検査モジュール30がこの順番で並び、また各々がゲートバルブGを介して気密に接続されるように構成されている。
An example of the inspection apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an inspection apparatus. This inspection apparatus includes an
大気搬送室23の手前側には、複数枚例えば25枚の被検査体であるウエハWを収納可能な密閉型の基板搬送容器である、FOUPと呼ばれるウエハキャリア(以下、キャリアという)200を取り付けるための搬入出ポート24が例えば2カ所に設けられている。これらの搬入出ポート24には、夫々図示しないシャッターが設けられており、搬入出ポート24にキャリア200が取り付けられると、このシャッターが外れて、キャリア200内と大気搬送室23とが気密に連通するように構成されている。また、大気搬送室23には、キャリア200とロードロックモジュール22との間において、ウエハWの受け渡しを行うための多関節構造の搬送アーム機構27が鉛直方向軸回りに回転及び進退自在に設けられており、この搬送アーム機構27は、左右に並ぶ2個のキャリア200の配列に沿ってレール28上を走行可能となっている。
At the front side of the
ロードロックモジュール22は、内部を大気雰囲気と真空雰囲気とに切り替えて、ウェハWを待機させるための領域であり、ウェハWを載置するための載置台71と、排気バルブ及びリーク弁(いずれも図示せず)と、を備えている。
真空搬送室21には、検査モジュール30とロードロックモジュール22との間においてウェハWの受け渡しを行うための基板搬送手段である搬送アーム機構50が回転及び進退自在に設けられており、この搬送アーム機構50の回転中心は、真空搬送室21の略中央に配置されている。
The
The
次に、SEM式の検査モジュール30について図2を参照して説明する。図2中の31は真空容器であり、この真空容器31内の下部には、ウエハWを載置するための載置台32が設けられている。この載置台32は、X−Y駆動機構33によって水平方向に移動できるように構成されている。載置台32の表面には、ウェハWを保持するための静電チャック34が設けられており、また載置台32の内部には、既述の搬送アーム機構50との間においてウエハWの受け渡しを行うための図示しない昇降ピンが設けられている。この載置台32の内部には、電子線の照射により昇温するウェハWの冷却を行うための冷却機構36が設けられている。この冷却機構36は、例えば真空容器31の外部との間において冷媒が循環するように構成されており、載置台32の上面に開口する図示しないガス供給口からウェハWの裏面に供給されるバックサイドガスにより、この冷却機構36とウェハWとの間における熱交換が速やかに行われる。この載置台32には、ウェハW近傍に放出される電子線(1次電子)の速度を遅くするために、負の電圧をウェハWに対して印加するための電源35が接続されている。
Next, the SEM
また、真空容器31の天井部には、載置台32に対向するように、ウエハWに電子線を照射するための電子放出部60が設けられている。この電子放出部60には、負の電圧を印加するための電源61が接続されており、この電源61と既述の載置台32の電源35とに印加される電圧の差は、ウェハWに照射される電子線の加速電圧となる。また、電子放出部60と載置台32との間には、電子放出部60から放出された電子線を集束させるための集束レンズ62、電子線の通過範囲を規制するアパーチャ63及び電子線を走査するための走査コイル64が上側からこの順番で設けられている。これらのアパーチャ63及び走査コイル64は、接地されている。さらに載置台32と走査コイル64との間には、電子線の照射によってウエハWから放出される反射電子を検出するために、電子放出部60の中心軸の延長線を囲むようにリング状に形成された電極からなる電子検出手段69が設けられている。この電子検出手段69には、ウェハWから放出される反射電子を引き寄せるために、例えば10kVの正の電圧を印加する電源80に接続されている。この電子検出手段69とウェハWとの間には、ウェハWから放出される2次電子をウェハW側に押し戻すために、負の電圧が印加される逆バイアス電極81がリング状に設けられている。ここで、既述の図7に示すように、反射電子のエネルギーは、2次電子のエネルギーよりも大きい。そのため、当該逆バイアス電極81を通過しようとする反射電子のエネルギーについては消失させずに、且つ2次電子のエネルギーが消失するように、負の電圧(逆バイアス)が印加されている。この例では、ウェハWには電源35により−10kVの電圧が印加されているので、負電圧電源82により逆バイアス電圧を例えば−11kVに設定することで、エネルギーが例えば1000eV以下の電子がウェハW側に押し戻されることとなる。
真空容器31の底部には、排気ポート66が形成されており、この排気ポート66にはバルブV1を介して真空排気手段である真空ポンプ67が接続されている。真空容器31の側壁には、搬送口68が形成されており、この搬送口68を介してウェハWが真空容器31内に搬入されることとなる。
In addition, an electron emitting unit 60 for irradiating the wafer W with an electron beam is provided on the ceiling of the
An
この検査装置には、例えばコンピュータからなる制御部2が設けられている。この制御部2はプログラム、メモリ、CPUからなるデータ処理部などを備えており、前記プログラムには制御部2から検査装置の各部に制御信号を送り、後述の検査方法を進行させるように命令(各ステップ)が組み込まれている。また、例えばメモリにはウェハWに照射する電子線の加速電圧、検査時の圧力、温度などの検査パラメータの値が書き込まれる領域を備えており、CPUがプログラムの各命令を実行する際これらの検査パラメータが読み出され、そのパラメータ値に応じた制御信号がこの検査装置の各部位に送られることになる。このプログラム(処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む)は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)などの記憶部8に格納されて制御部2にインストールされる。 The inspection apparatus is provided with a control unit 2 composed of, for example, a computer. The control unit 2 includes a program, a memory, a data processing unit including a CPU, and the like. The control unit 2 sends a control signal to each unit of the inspection apparatus from the control unit 2 and instructs the program to proceed with an inspection method described later ( Each step) is incorporated. Further, for example, the memory includes an area in which values of inspection parameters such as an acceleration voltage of an electron beam irradiated on the wafer W, a pressure at the time of inspection, and a temperature are written, and when the CPU executes each instruction of the program, The inspection parameter is read out, and a control signal corresponding to the parameter value is sent to each part of the inspection apparatus. This program (including programs related to processing parameter input operations and display) is stored in the storage unit 8 such as a computer storage medium such as a flexible disk, a compact disk, a hard disk, or an MO (magneto-optical disk) and installed in the control unit 2. The
次に、上述した検査装置を用いた検査方法について説明する。先ず、この検査方法が適用される被検査体であるウェハWについて説明する。このウェハWは、例えば図3(a)に示すように、シリコン層11、被エッチング対象膜である絶縁膜12、ハードマスクであるカーボンを含むカーボン膜13、露光時の反射を防止するための下層膜である反射防止膜14及びマスク層であるレジストパターン15が下側からこの順番で積層された構成となっている。反射防止膜14はレジストパターン15よりも炭素の含有量が多く、またこの例では被エッチング膜である絶縁膜12に対してエッチング選択比を大きくとるために、無機成分であるシリコンが微量に混入されている。
レジストパターン15には、例えばライン状の開口部16からなるパターンが露光及び現像により形成されており、この開口部16内には、同図(b)にも示すように、レジストパターン15の残渣17が付着している。この残渣17は、現像時に付着したものである。
Next, an inspection method using the above-described inspection apparatus will be described. First, the wafer W, which is an object to be inspected to which this inspection method is applied, will be described. For example, as shown in FIG. 3A, the wafer W includes a silicon layer 11, an insulating
In the resist
初めに、このウェハWが複数枚収納されたキャリア200を搬入出ポート24に取り付けて、図示しないシャッターを開放する。そして、搬送アーム機構27により1枚のウェハWをキャリア200内から取り出し、大気雰囲気のロードロックモジュール22の載置台71にこのウェハWを載置する。次いで、ロードロックモジュール22内の雰囲気を大気雰囲気から真空雰囲気に切り替えた後、搬送アーム機構50によりウェハWを検査モジュール30内に搬送し、載置台32に載置する。
First, the
しかる後、このウェハWを静電吸着すると共に、所定の温度となるように温度を調整し、また真空容器31内を所定の真空度に設定する。また、ウェハWに供給される電子線の加速電圧が5keV以上となるように、既述の電源35、61の電圧をそれぞれ−10kV、−12kVに調整する。また、既述のように、逆バイアス電極81の負電圧電源82に負電圧例えば−11kVを印加すると共に、反射電子を電子検出手段69に引き込むために、電源80に正の電圧例えば10kVを印加する。
Thereafter, the wafer W is electrostatically adsorbed and the temperature is adjusted to a predetermined temperature, and the inside of the
そして、電子線をウェハWに照射すると、図4(a)に示すように、ウェハWから反射電子と2次電子とが放出される。逆バイアス電極81には−11kVの逆バイアス電圧が印加され、ウェハWには−10kVの電圧が印加されているので、ウェハWから逆バイアス電極81に向かう電子の中でエネルギーが1000eV以下のものは逆バイアス電極81で囲まれる領域を通過し、1000eVよりもエネルギーの低い電子はウェハW側に押し戻される。従って、図5に示すように、2次電子がウェハW側に押し戻されるが、反射電子は、電子検出手段69に引き寄せされて到達し、ウェハWの表層の組成に対応する情報が電子検出手段69に伝達されることとなる。
その後、載置台32によりウェハWを水平方向に移動させて、同様にウエハWの表面を順次スキャンしていく。これによって、図示しないデータ処理部により、ウェハW上の各位置における反射電子の輝度のマップを作成し、各輝度と予め設定したしきい値とを比較して、残渣17の有無を判定する。そして、ウェハWは、検査モジュール30に搬入された順序と逆の順序で搬出される。
When the wafer W is irradiated with an electron beam, reflected electrons and secondary electrons are emitted from the wafer W as shown in FIG. Since a reverse bias voltage of −11 kV is applied to the
Thereafter, the wafer W is moved in the horizontal direction by the mounting table 32, and similarly, the surface of the wafer W is sequentially scanned. As a result, a data processing unit (not shown) creates a map of the reflected electron brightness at each position on the wafer W, compares each brightness with a preset threshold value, and determines the presence or absence of the
上述の実施の形態によれば、レジストパターン15と反射防止膜14とが上側からこの順番で積層された基板に対して電子線を照射することによって、開口部16内に付着した残渣17を検出するにあたり、ウェハWの内部から放出される2次電子をウェハW側に押し戻し、一方ウェハWの表層から放出される反射電子を検出するようにしている。そのために、図4(b)に示すように、2次電子に特有のエッジ効果がなくなり、レジストパターン15の開口幅が狭い領域においても鮮明な画像が得られるので、精度高く残渣17の有無を検出できる。また、ウェハWの表層において反射される反射電子を用いることにより、ウェハWの表層の情報を得ることができるので、薄い残渣17であっても精度高く検出することができる。更に、2次電子の場合には、加速電圧を変えると電子線の到達深さが変わるので、得られる情報の深さ位置が変わってしまい、従ってウェハWの表層を観察できる電子線の加速電圧の設定範囲が狭く、加速電圧の調整が困難である。一方、ウェハWの表層で反射する反射電子を利用することによって、加速電圧を変えてもウェハWの表層からの情報を取得することができるので、加速電圧の調整幅が広くなり、従って加速電圧の調整が容易になる。
According to the above-mentioned embodiment, the
また、上記のように、反射防止膜14が微量のシリコンを含んでいても、レジストパターン15と反射防止膜14とが有機物からなるため組成が近く、2次電子によっては残渣17を判別できる程度に輝度差が得られないが、僅かな組成の差であっても判別可能な反射電子を用いているので、図4(c)に示すように、残渣17と反射防止膜14との間の輝度差が大きくなり、この点からも残渣17を精度高く検出することができる。また、反射防止膜14に含まれる化合物としては、シリコンに限られず、例えばSiO(酸化シリコン)、SiOCH(炭素及び水素含有のシリコン酸化物)などの酸素及びシリコンを含む化合物であっても良く、またこれらの化合物の複数であっても良い。
In addition, as described above, even if the
尚、残渣17と反射防止膜14との組成が全く違う場合であっても、残渣17が極めて薄い場合には、2次電子ではその残渣17の検出が困難となる。しかし、反射電子では、そのような場合であっても、残渣17の有無を精度高く検出できる。従って、本発明では、残渣17と反射防止膜14との組成が近い場合のみならず、例えば上記の反射防止膜14が金属膜や無機物からなる膜などであっても良い。また、上記のレジストパターン15としては、有機物に限られず、無機物であっても良い。更にまた、本発明の検査方法は、パターンを形成するときに現像装置において用いられるレチクルに対して適用しても良い。
Even if the composition of the
14 反射防止膜
15 レジストパターン
16 溝
17 有機物
30 検査モジュール
31 真空容器
32 載置台
35 電源
60 電子放出部
69 電子検出手段
81 逆バイアス電極
82 負電圧電源
14
Claims (9)
被検査体を載置する載置台がその内部に設けられた真空容器と、
この真空容器内を真空排気するための真空排気手段と、
前記載置台上の被検査体に対して電子線を照射するための電子放出部と、
前記被検査体から放出される反射電子を検出するための電子検出手段と、
前記電子検出手段と前記被検査体との間に設けられ、前記被検査体から放出される2次電子を前記被検査体側に押し戻すために、負電圧である逆バイアス電圧が印加される逆バイアス電極と、を備えたことを特徴とする検査装置。 In an inspection apparatus for inspecting the presence or absence of a residue on the pattern by irradiating an electron beam to an object to be inspected in which the mask layer on which the pattern is formed and the lower layer film are laminated in this order from the upper side,
A vacuum vessel in which a mounting table for mounting the object to be inspected is provided;
Evacuation means for evacuating the inside of the vacuum vessel;
An electron emission portion for irradiating an electron beam to the object to be inspected on the mounting table;
An electron detection means for detecting reflected electrons emitted from the object to be inspected;
A reverse bias, which is provided between the electron detection means and the object to be inspected, is applied with a reverse bias voltage which is a negative voltage in order to push back secondary electrons emitted from the object to be inspected back to the object to be inspected. An inspection apparatus comprising: an electrode.
被検査体を真空容器内の載置台に載置して、前記真空容器内を真空排気する工程と、
前記被検査体に電子線を照射する工程と、
前記被検査体から放出される2次電子を前記被検査体側に押し戻すために、前記被検査体と前記被検査体から放出される反射電子を検出するための電子検出手段との間に負電圧である逆バイアス電圧を印加する工程と、
次いで、前記被検査体から放出される反射電子を検出する工程と、を含むことを特徴とする検査方法。 In the inspection method for inspecting the presence or absence of residues on the pattern by irradiating the inspection target layered in this order from the upper side with the mask layer on which the pattern is formed and the lower layer film,
Placing the object to be inspected on a mounting table in a vacuum vessel, and evacuating the vacuum vessel;
Irradiating the inspection object with an electron beam;
In order to push back the secondary electrons emitted from the object to be inspected back to the object to be inspected, a negative voltage is applied between the object to be inspected and an electron detection means for detecting reflected electrons emitted from the object to be inspected. Applying a reverse bias voltage of
And a step of detecting reflected electrons emitted from the object to be inspected.
前記プログラムは、請求項5ないし8のいずれか一つに記載された検査方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。 A storage medium for storing a program that runs on a computer,
A storage medium comprising a group of steps so that the program executes the inspection method according to any one of claims 5 to 8.
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