JP2009105366A - Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device as well as package of semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To stably adhere a heat spreader, consisting of metal layers, to a semiconductor chip and, further, raise heat dissipating property from the semiconductor chip. <P>SOLUTION: Insulating resin 4 with a tapered part 4a formed on the side surface thereof is filled between the semiconductor chip 5 and a tape carrier 1 and a resin layer 7 is formed so as to be adhered to the rear side of the semiconductor chip 5, onto the tape carrier 1 and the tapered part 4a, further, the metal layer 9, equipped with a recess 8 and having a configuration of being adhered to the resin layer 7, thereby the metal layer 9, functions as the heat spreader, is adhered stably to the semiconductor chip 5 and, further, heat generated from the semiconductor chip 5 is efficiently transmitted from not only the rear side of the semiconductor chip 5 but also from the side surface of the same to the metal layer 9 for the dissipation of heat thereby permitting the improvement of heat dissipating property. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、テープ配線基板のように、導体配線を設けた柔軟な絶縁性の基材上に構成された半導体装置、その製造方法、およびそれを用いた実装体に関する。   The present invention relates to a semiconductor device configured on a flexible insulating base material provided with conductor wiring, such as a tape wiring board, a manufacturing method thereof, and a mounting body using the same.

テープ配線基板を使用したパッケージモジュールの一種として、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）やＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）が知られている。ＴＣＰやＣＯＦは、柔軟な絶縁性のテープ配線基板の上に半導体チップが実装され、樹脂で封止することにより実装部が保護された構造を有する。テープ配線基板は、主たる要素として、絶縁性のフィルム基材とその面上に形成された多数本の導体配線を含む。フィルム基材としては一般的にポリイミドが、導体配線としては銅が使用される。必要に応じて導体配線上には、金属めっき被膜および絶縁樹脂であるソルダーレジストの層が形成される。   TCP (Tape Carrier Package) and COF (Chip On Film) are known as a type of package module using a tape wiring board. TCP and COF have a structure in which a semiconductor chip is mounted on a flexible insulating tape wiring substrate and the mounting portion is protected by sealing with resin. The tape wiring board includes, as main elements, an insulating film base material and a large number of conductor wirings formed on the surface thereof. Generally, polyimide is used as the film substrate, and copper is used as the conductor wiring. If necessary, a metal plating film and a solder resist layer which is an insulating resin are formed on the conductor wiring.

ＴＣＰやＣＯＦの主要な用途は、液晶パネル等の表示パネル駆動用ドライバーの実装である。その場合、テープ配線基板上の導体配線は、出力信号用外部端子を形成する第１群と、入力信号用外部端子を形成する第２群に分けて配置され、両群の導体配線間に半導体素子が実装される。テープ配線基板上の導体配線における半導体チップとの接続端部であるインナーリードが、突起電極を介して半導体チップ上の電極パッドと接続される。一方の群の導体配線における出力信号用外部端子を形成するアウターリードボンディング部は、表示パネルの周縁部に形成された電極に接続され、他方の群の導体配線における入力信号用外部端子を形成するアウターリードボンディング部は、マザー基板の端子に接続される。   The main use of TCP and COF is mounting a driver for driving a display panel such as a liquid crystal panel. In that case, the conductor wiring on the tape wiring board is divided into a first group that forms the output signal external terminals and a second group that forms the input signal external terminals. The element is mounted. Inner leads, which are connection ends with the semiconductor chip in the conductor wiring on the tape wiring substrate, are connected to the electrode pads on the semiconductor chip via the protruding electrodes. An outer lead bonding portion that forms an output signal external terminal in one group of conductor wirings is connected to an electrode formed on a peripheral portion of the display panel, and forms an input signal external terminal in the other group of conductor wirings. The outer lead bonding part is connected to a terminal of the mother board.

さらには、ＴＣＰやＣＯＦはＬＣＤ等の製品の筐体に固定されることが多い。
上述のような半導体装置の一例について、図１２を参照して説明する。図１２は従来の半導体装置の構造を示す断面図であり、テープキャリア上に半導体チップ実装部を含む要部領域を示す断面図である。 Furthermore, TCP and COF are often fixed to a housing of a product such as an LCD.
An example of the semiconductor device as described above will be described with reference to FIGS. FIG. 12 is a cross-sectional view showing a structure of a conventional semiconductor device, and is a cross-sectional view showing a main part region including a semiconductor chip mounting portion on a tape carrier.

図１２において、１は可撓性で絶縁性のテープキャリアの一部を示し、テープキャリア１上には、導体配線２が形成される。５は半導体チップであり、５ａは半導体チップ５に形成された凸部である。半導体チップ５の表面は突起電極６を介してテープキャリア１の導体配線２に接合されている。さらには、絶縁性樹脂４により前記半導体チップ５の表面及び側面が封止されている。さらに、放熱器のヒートスプレッタ１７が前記半導体チップ５の裏面に接着剤１６により取り付けられている。   In FIG. 12, reference numeral 1 denotes a part of a flexible and insulating tape carrier, and a conductor wiring 2 is formed on the tape carrier 1. Reference numeral 5 denotes a semiconductor chip, and reference numeral 5 a denotes a convex portion formed on the semiconductor chip 5. The surface of the semiconductor chip 5 is bonded to the conductor wiring 2 of the tape carrier 1 through the protruding electrode 6. Further, the surface and side surfaces of the semiconductor chip 5 are sealed with the insulating resin 4. Further, a heat spreader 17 of a radiator is attached to the back surface of the semiconductor chip 5 with an adhesive 16.

従来の放熱性封止型半導体装置において、半導体チップの裏面と放熱器との接着性が樹脂の回り込みによって不均一であったが、半導体チップの側面に樹脂の回り込み防止のための凸部を設け、半導体チップの樹脂による封止後に半導体チップの裏面にヒートスプレッダを接着させることで半導体チップの破壊を回避しながら放熱性を確保する構成も用いられている（例えば、特許文献１参照）。
特開平９−２３７８０７号公報 In the conventional heat-dissipating encapsulated semiconductor device, the adhesion between the back surface of the semiconductor chip and the heatsink was not uniform due to the wraparound of the resin, but a protrusion was provided on the side of the semiconductor chip to prevent the wraparound of the resin. A configuration is also used in which heat dissipation is ensured while avoiding destruction of the semiconductor chip by adhering a heat spreader to the back surface of the semiconductor chip after sealing the semiconductor chip with resin (see, for example, Patent Document 1).
JP-A-9-237807

上記の構成の半導体装置においては、半導体チップの裏面のみに放熱用のヒートスプレッタが形成されていたためにヒートスプレッタの取り付けが半導体チップの裏面の状態に左右されて効率的な取り付けが阻害されてしまうことになっていた。さらにはヒートスプレッタとの接続が半導体チップ裏面のみであったために放熱効果が十分ではなかった。   In the semiconductor device having the above configuration, since the heat spreader for heat dissipation is formed only on the back surface of the semiconductor chip, the mounting of the heat spreader depends on the state of the back surface of the semiconductor chip, and the efficient mounting is hindered. It was. Furthermore, since the connection with the heat spreader was only on the back surface of the semiconductor chip, the heat dissipation effect was not sufficient.

本発明は上記問題点を解決するために、金属層からなるヒートスプレッタと半導体チップを安定して固着し、さらには半導体チップからの放熱性を高めることを目的とする。   In order to solve the above-described problems, an object of the present invention is to stably fix a heat spreader made of a metal layer and a semiconductor chip, and further improve heat dissipation from the semiconductor chip.

上記目的を達成するために、請求項１記載の半導体装置は、半導体チップをテープキャリアに搭載してなる半導体装置であって、前記テープキャリアと前記半導体チップとの間隙に充填され側面にテーパー部が形成されている絶縁性樹脂と、前記半導体チップの裏面上及び前記テープキャリア上の少なくとも一部ならびに前記テーパー部上に接触するように形成される前記絶縁性樹脂より熱伝導率が高い樹脂層と、前記半導体チップ及び前記テーパー上の絶縁性樹脂層と相応する形状の凹みを備えて前記樹脂層と密着するように形成される金属層とを有することを特徴とする。   In order to achieve the above object, a semiconductor device according to claim 1 is a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a tape carrier, and is filled in a gap between the tape carrier and the semiconductor chip and has a tapered portion on a side surface. And a resin layer having a higher thermal conductivity than the insulating resin formed so as to be in contact with at least a part of the back surface of the semiconductor chip and the tape carrier and the tapered portion. And an insulating resin layer on the taper and a metal layer formed so as to be in close contact with the resin layer with a correspondingly shaped recess.

請求項２記載の半導体装置は、半導体チップをテープキャリアに搭載してなる半導体装置であって、前記テープキャリアの半導体チップに対向する領域に穴が形成され、前記半導体チップの表面を覆うように充填され側面にテーパー部が形成されている絶縁性樹脂と、前記半導体チップの裏面上及び前記テープキャリア上の少なくとも一部ならびに前記テーパー部上に接触するように形成される前記絶縁性樹脂より熱伝導率が高い樹脂層と、前記半導体チップ及び前記テーパー上の絶縁性樹脂層と相応する形状の凹みを備えて前記樹脂層と密着するように形成される金属層とを有することを特徴とする。   3. The semiconductor device according to claim 2, wherein a semiconductor chip is mounted on a tape carrier, and a hole is formed in a region of the tape carrier facing the semiconductor chip so as to cover the surface of the semiconductor chip. An insulating resin that is filled and has a tapered portion formed on its side surface, and heat from the insulating resin that is formed so as to contact at least a part of the back surface of the semiconductor chip and the tape carrier and the tapered portion. A resin layer having a high conductivity, and a metal layer formed so as to be in close contact with the resin layer with a recess having a shape corresponding to the semiconductor chip and the insulating resin layer on the taper. .

請求項３記載の半導体装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置において、前記金属層が前記樹脂層の形状に沿って形成されるシート状の金属層であることを特徴とする。   The semiconductor device according to claim 3 is the semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein the metal layer is a sheet-like metal layer formed along the shape of the resin layer. Features.

請求項４記載の半導体装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置において、前記半導体チップ上領域の前記金属層の一部に１または複数の穴が形成されることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor device according to the first or second aspect, one or more holes are formed in a part of the metal layer in the upper region of the semiconductor chip. Features.

請求項５記載の半導体装置は、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、前記金属層の凹みが形成される反対の表面に切り込みを有することを特徴とする。
請求項６記載の半導体装置は、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、前記テープキャリアの裏面に第２の金属層を有することを特徴とする。 A semiconductor device according to a fifth aspect is the semiconductor device according to any one of the first to fourth aspects, wherein a notch is formed on an opposite surface where the recess of the metal layer is formed.
A semiconductor device according to a sixth aspect is the semiconductor device according to any one of the first to fifth aspects, further comprising a second metal layer on a back surface of the tape carrier.

請求項７記載の半導体装置は、請求項６記載の半導体装置において、前記第２の金属層の前記半導体チップに対向する領域が前記テープキャリアの方向に突出することを特徴とする。   The semiconductor device according to claim 7 is the semiconductor device according to claim 6, wherein a region of the second metal layer facing the semiconductor chip protrudes in the direction of the tape carrier.

請求項８記載の半導体装置は、請求項２記載の半導体装置において、前記テープキャリアの裏面に第２の樹脂層を有することを特徴とする。
請求項９記載の半導体装置は、請求項８記載の半導体装置において、前記第２の樹脂層の裏面に前記半導体チップに対向する領域が前記テープキャリアの方向に突出する突出部を備える筐体を有することを特徴とする。 A semiconductor device according to an eighth aspect is the semiconductor device according to the second aspect, wherein a second resin layer is provided on the back surface of the tape carrier.
A semiconductor device according to claim 9 is the semiconductor device according to claim 8, wherein a housing provided with a protruding portion in which a region facing the semiconductor chip protrudes in a direction of the tape carrier on a back surface of the second resin layer. It is characterized by having.

請求項１０記載の半導体装置は、請求項６または請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、前記金属層、前記テープキャリア及び前記第２の金属層がネジまたはリベットにて固定されることを特徴とする。   The semiconductor device according to claim 10 is the semiconductor device according to claim 6 or 7, wherein the metal layer, the tape carrier, and the second metal layer are fixed with screws or rivets. It is characterized by.

請求項１１記載の半導体装置は、請求項８または請求項９のいずれかに記載の半導体装置において、前記金属層、前記テープキャリア及び前記第２の樹脂層がネジまたはリベットにて固定されることを特徴とする。   The semiconductor device according to claim 11 is the semiconductor device according to claim 8 or 9, wherein the metal layer, the tape carrier, and the second resin layer are fixed with screws or rivets. It is characterized by.

請求項１２記載の半導体装置は、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、前記ネジまたは前記リベットが前記テープキャリア及び前記金属層を貫通することを特徴とする。   A semiconductor device according to a twelfth aspect is the semiconductor device according to any one of the first to fifth aspects, wherein the screw or the rivet penetrates the tape carrier and the metal layer.

請求項１３記載の半導体装置は、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、前記テープキャリアの裏面に第３の金属層を形成し、前記ネジまたは前記リベットが前記第３の金属層、前記テープキャリア及び前記金属層を貫通することを特徴とする。   The semiconductor device according to claim 13 is the semiconductor device according to any one of claims 1 to 5, wherein a third metal layer is formed on a back surface of the tape carrier, and the screw or the rivet is the third. The metal layer, the tape carrier, and the metal layer are penetrated.

請求項１４記載の半導体装置は、請求項１０〜請求項１３のいずれかに記載の半導体装置において、前記ネジ及び前記リベットが前記半導体チップから５０ｍｍ以内に設けられることを特徴とする。   A semiconductor device according to a fourteenth aspect is the semiconductor device according to any one of the tenth to thirteenth aspects, wherein the screw and the rivet are provided within 50 mm from the semiconductor chip.

請求項１５記載の半導体装置は、請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の半導体装置において、前記樹脂層に導電性のフィラーが混在していることを特徴とする。
請求項１６記載の半導体装置は、請求項１〜請求項１５のいずれかに記載の半導体装置において、前記樹脂層に低融点の金属フィラーを有することを特徴とする。 The semiconductor device according to claim 15 is the semiconductor device according to any one of claims 1 to 14, wherein a conductive filler is mixed in the resin layer.
A semiconductor device according to a sixteenth aspect is the semiconductor device according to any one of the first to fifteenth aspects, wherein the resin layer includes a metal filler having a low melting point.

請求項１７記載の半導体装置は、請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の半導体装置において、前記樹脂層が熱可塑性の樹脂であることを特徴とする。
請求項１８記載の半導体装置の製造方法は、半導体チップをテープキャリアに搭載してなる半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面に形成される複数の電極パッドと前記テープキャリアに形成されて前記電極パッドと対応する複数の導体配線とを突起電極を介して位置合わせして接続する工程と、前記テープキャリアと前記半導体チップとの間隙に側面にテーパー部が形成されるように絶縁性樹脂を充填する工程と、前記半導体チップの裏面上及び前記テープキャリア上の少なくとも一部ならびに前記テーパー部上に接触するように前記絶縁性樹脂層より熱伝導率が高い樹脂層を形成する工程と、前記半導体チップ及び前記テーパー部上の絶縁性樹脂層と相応する形状の凹みを備える金属層を前記樹脂層と密着するように固着する工程とを有することを特徴とする。 A semiconductor device according to a seventeenth aspect is the semiconductor device according to any one of the first to fourteenth aspects, wherein the resin layer is a thermoplastic resin.
19. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 18, wherein the semiconductor chip is mounted on a tape carrier, and is formed on the tape carrier and a plurality of electrode pads formed on the surface of the semiconductor chip. Insulating so that a taper portion is formed on the side surface in the gap between the tape carrier and the semiconductor chip, and the step of aligning and connecting the electrode pads and the corresponding conductor wirings through the protruding electrodes A step of filling a conductive resin, and a step of forming a resin layer having a higher thermal conductivity than the insulating resin layer so as to be in contact with at least a part of the back surface of the semiconductor chip and the tape carrier and the tapered portion. And a metal layer having a recess having a shape corresponding to the insulating resin layer on the semiconductor chip and the tapered portion, so as to be in close contact with the resin layer. Characterized by a step of.

請求項１９記載の半導体装置の製造方法は、半導体チップをテープキャリアに搭載してなる半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面に形成される複数の電極パッドと前記テープキャリアに形成されて前記電極パッドと対応する複数の導体配線とを突起電極を介して位置合わせして接続する工程と、前記テープキャリアと前記半導体チップとの間隙に側面にテーパー部が形成されるように絶縁性樹脂を充填する工程と、前記半導体チップ及び前記テーパー部上の絶縁性樹脂層と相応する形状の凹みを備える金属層に前記絶縁性樹脂層より熱伝導率が高い樹脂層を形成する工程と、前記半導体チップの裏面上及び前記テープキャリア上の少なくとも一部ならびに前記テーパー部上に前記樹脂層が接触するように前記金属層を固着する工程とを有することを特徴とする。   20. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 19, wherein the semiconductor device is formed by mounting a semiconductor chip on a tape carrier, and is formed on the tape carrier and a plurality of electrode pads formed on the surface of the semiconductor chip. Insulating so that a taper portion is formed on the side surface in the gap between the tape carrier and the semiconductor chip, and the step of aligning and connecting the electrode pads and the corresponding conductor wirings through the protruding electrodes Filling a conductive resin; and forming a resin layer having a higher thermal conductivity than the insulating resin layer on a metal layer having a recess corresponding to the shape of the insulating resin layer on the semiconductor chip and the tapered portion; The metal layer is fixed so that the resin layer is in contact with at least a part of the back surface of the semiconductor chip, the tape carrier, and the tapered portion. And having a that step.

請求項２０記載の半導体装置の製造方法は、請求項１８または請求項１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂層がシート状の形態であることを特徴とする。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 20 is the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 18 or 19, wherein the resin layer is in a sheet form.

請求項２１記載の半導体装置の製造方法は、請求項１８または請求項１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂層がペースト状であることを特徴とする。   A semiconductor device manufacturing method according to a twenty-first aspect is the semiconductor device manufacturing method according to any one of the eighteenth or nineteenth aspects, wherein the resin layer is in a paste form.

請求項２２記載の半導体装置の製造方法は、請求項１８または請求項１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記金属層の前記半導体チップ上の一部に１または複数の穴が形成されることを特徴とする。   The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 22 is the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 18 or 19, wherein one or more holes are formed in a part of the metal layer on the semiconductor chip. It is formed.

請求項２３記載の半導体装置の製造方法は、請求項１８〜請求項２２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記金属層を固着する工程の後に、加熱して前記金属層をさらに密着させることを特徴とする。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 23 is the method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 18 to 22, further comprising heating the metal layer after the step of fixing the metal layer. It is characterized by being in close contact.

請求項２４記載の半導体装置の実装体は、請求項１〜請求項１７記載の半導体装置をネジにより筐体に実装することを特徴とする。
請求項２５記載の半導体装置の実装体は、請求項１〜請求項１７記載の半導体装置をリベットにより筐体に実装することを特徴とする。 A semiconductor device mounting body according to a twenty-fourth aspect is characterized in that the semiconductor device according to the first to seventeenth aspects is mounted on a housing with a screw.
According to a twenty-fifth aspect of the present invention, there is provided a mounting body for a semiconductor device, wherein the semiconductor device according to the first to seventeenth aspects is mounted on a casing by rivets.

請求項２６記載の半導体装置の実装体は、請求項２４または請求項２５のいずれかに記載の半導体装置の実装体において、前記テープキャリアの裏面の第２の金属層を介して筐体に実装することを特徴とする。   27. The semiconductor device package according to claim 26, wherein the semiconductor device package is mounted on the housing via the second metal layer on the back surface of the tape carrier. It is characterized by doing.

請求項２７記載の半導体装置の実装体は、請求項２４〜請求項２６のいずれかに記載の半導体装置の実装体において、前記半導体装置と前記筐体を第２の樹脂層を介して密着させることを特徴とする。   A semiconductor device package according to claim 27 is the semiconductor device package according to any one of claims 24 to 26, wherein the semiconductor device and the housing are in close contact via a second resin layer. It is characterized by that.

以上により、ヒートスプレッタとして機能する金属層と半導体チップを安定に固着し、さらには半導体チップからの放熱性を高めることができる。   As described above, the metal layer functioning as a heat spreader and the semiconductor chip can be stably fixed, and further, heat dissipation from the semiconductor chip can be improved.

本発明によると、半導体チップとテープキャリア間に、その側面にテーパー部が形成される絶縁性樹脂を充填し、半導体チップの裏面，テープキャリア上及びテーパー部上に樹脂層を密着形成し、さらに、凹みを備えて樹脂層に密着する形状の金属層を形成することにより、ヒートスプレッタとして機能する金属層と半導体チップを安定して固着し、さらには半導体チップから発熱される熱が半導体チップの裏面だけでなく側面からも放熱用の金属層に効率的に伝達され、放熱性を向上することができる。   According to the present invention, between the semiconductor chip and the tape carrier, an insulating resin having a tapered portion formed on its side surface is filled, and a resin layer is formed in close contact with the back surface of the semiconductor chip, on the tape carrier, and on the tapered portion. By forming a metal layer that has a recess and is in close contact with the resin layer, the metal layer that functions as a heat spreader and the semiconductor chip are stably fixed, and further, heat generated from the semiconductor chip is transferred to the back surface of the semiconductor chip. In addition, the heat is efficiently transmitted to the heat radiating metal layer not only from the side surface, but the heat dissipation can be improved.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１は実施の形態１における半導体装置の構造を示す断面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of the semiconductor device according to the first embodiment.

図１において、テープキャリア１上には、導体配線２が設けられ、その端部がインナーリードを形成している。各インナーリードと対向する位置には、突起電極６を介して、半導体チップ５に配置された電極パッドが接合されている。さらには、導体配線２の一部を覆うようにソルダーレジスト３が形成されている。   In FIG. 1, a conductor wiring 2 is provided on a tape carrier 1, and an end thereof forms an inner lead. An electrode pad disposed on the semiconductor chip 5 is bonded to the position facing each inner lead via the protruding electrode 6. Furthermore, a solder resist 3 is formed so as to cover a part of the conductor wiring 2.

ここで、半導体チップ５の表面を保護するために絶縁性樹脂４がテープキャリア１と半導体チップ５の間に充填されている。その絶縁性樹脂４は、半導体チップ５の側面部の一部にも形成されてテーパー部４ａを形成している。   Here, an insulating resin 4 is filled between the tape carrier 1 and the semiconductor chip 5 in order to protect the surface of the semiconductor chip 5. The insulating resin 4 is also formed on a part of the side surface portion of the semiconductor chip 5 to form a tapered portion 4a.

さらに、半導体チップ裏面、絶縁性樹脂４のテーパー部４ａ及びソルダーレジスト３を含むテープキャリア１上の少なくとも一部に密着して絶縁性樹脂４よりも熱伝導率の高い樹脂層７が形成されている。   Further, a resin layer 7 having a higher thermal conductivity than the insulating resin 4 is formed in close contact with at least a part of the back surface of the semiconductor chip, the taper portion 4a of the insulating resin 4 and the tape carrier 1 including the solder resist 3. Yes.

さらに、前記樹脂層７上に前記半導体チップ５及び絶縁性樹脂層４のテーパー部４ａと相応するように凹み８有する金属層９が密着して形成されている。
このように、前記半導体チップ５及び絶縁性樹脂層４のテーパー部４ａ上に形成された樹脂層７と密着する形状の金属層９を形成することにより、ヒートスプレッタとして機能する金属層９と半導体チップ５を安定して固着することができ、半導体チップ５の裏面及び側面から効率的に熱を熱伝導の優れた金属層９に安定して伝達することが可能となる。 Further, a metal layer 9 having a recess 8 is formed on the resin layer 7 so as to correspond to the taper portion 4 a of the semiconductor chip 5 and the insulating resin layer 4.
Thus, the metal layer 9 and the semiconductor chip functioning as a heat spreader are formed by forming the metal layer 9 in close contact with the semiconductor layer 5 and the resin layer 7 formed on the tapered portion 4a of the insulating resin layer 4. 5 can be stably fixed, and heat can be efficiently transferred from the back surface and side surface of the semiconductor chip 5 to the metal layer 9 having excellent heat conduction.

次に、実施の形態１における半導体装置の製造方法について図２を用いて説明する。
図２は実施の形態１における半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、図２（ａ）において、テープキャリア１上に、その端部をインナーリードとして用いる導体配線２を設ける。そして、各インナーリードと対向する位置に形成された突起電極６を介して電極パッドが配置されるように半導体チップ５を接合する。さらに、導体配線２の一部を覆うようにソルダーレジスト３を形成する。ここで、テープキャリア１としては、ポリイミド材などが一般的に用いられるが、それ以外の樹脂でもかまわない。また、導体配線２としては、銅、銀、アルミ、錫、パラジウム、ニッケル、金などを主成分とする材料が使用されることが好ましい。また、突起電極６としては、銅、アルミ、錫、パラジウム、ニッケル、金などを主成分とする金属からなる材料が好ましい。 Next, a method for manufacturing the semiconductor device in the first embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 2 is a process sectional view showing the method of manufacturing the semiconductor device in the first embodiment.
First, in FIG. 2A, a conductor wiring 2 using an end portion thereof as an inner lead is provided on a tape carrier 1. Then, the semiconductor chip 5 is bonded so that the electrode pads are arranged via the protruding electrodes 6 formed at positions facing the respective inner leads. Further, a solder resist 3 is formed so as to cover a part of the conductor wiring 2. Here, as the tape carrier 1, a polyimide material or the like is generally used, but other resins may be used. The conductor wiring 2 is preferably made of a material mainly composed of copper, silver, aluminum, tin, palladium, nickel, gold or the like. The protruding electrode 6 is preferably made of a metal composed mainly of copper, aluminum, tin, palladium, nickel, gold or the like.

次に、図２（ｂ）では半導体チップ５の表面を保護するために絶縁性樹脂４を半導体チップ５とテープキャリア１の間に充填する。その絶縁性樹脂４は、半導体チップ５の側面部の一部にも形成されてテーパー部４ａが形成されるように適量を滴下封止する。本実施の形態においては、導体配線付きのテープキャリア１と半導体チップ５とが突起電極６を介して接合された後に絶縁性樹脂４をテープキャリア１と半導体チップ５の間に充填している。また、別の方法として、事前に絶縁性樹脂４を塗布することにより導体配線付きのテープキャリア１と半導体チップ５とを接合する際に同時に封止することも可能である。   Next, in FIG. 2B, an insulating resin 4 is filled between the semiconductor chip 5 and the tape carrier 1 in order to protect the surface of the semiconductor chip 5. The insulating resin 4 is also formed on a part of the side surface portion of the semiconductor chip 5 to drop and seal an appropriate amount so as to form the tapered portion 4a. In the present embodiment, the insulating resin 4 is filled between the tape carrier 1 and the semiconductor chip 5 after the tape carrier 1 with the conductor wiring and the semiconductor chip 5 are joined via the protruding electrodes 6. As another method, the insulating resin 4 can be applied in advance so that the tape carrier 1 with the conductor wiring and the semiconductor chip 5 can be sealed at the same time.

次に、図２（ｃ）では、ソルダーレジスト３上を含むテープキャリア１上、半導体チップ５の裏面及び絶縁性樹脂４のテーパー部４ａに密着するようにシート状の樹脂層を貼り付けることにより樹脂層７を形成する。ここで、前記樹脂層７にはシリカなどの無機フィラーや導電性を有するカーボン、ニッケルなどと言った低融点の金属フィラーが充填されていることが好ましい。熱伝導性の高いフィラーを充填することにより樹脂層７の熱伝導性は向上する。フィラーの充填量としては多い方が熱伝導性は向上するが、多すぎると形状の維持が困難になるなどの問題が発生するので、用途に応じて２０ｗｔ％〜８０ｗ％程度充填するのが好ましい。また、樹脂層７の厚みについては、薄い方が熱伝導性は向上するので、２０ｕｍ〜５００ｕｍ程度の厚みにすることが好ましい。厚みの均一性についても、全体的に均一にしても良いが、半導体チップ裏面からの放熱が最も多いため半導体チップの裏面部の厚みを薄くする方が好ましい。また、本実施の形態ではシート状の樹脂層７を貼り付けたがペースト状の樹脂を塗布することで同等の形状が形成できる。ここで樹脂層７は粘着性を有していることが好ましい。   Next, in FIG.2 (c), by sticking a sheet-like resin layer on the tape carrier 1 including the solder resist 3, on the back surface of the semiconductor chip 5 and the taper portion 4a of the insulating resin 4 Resin layer 7 is formed. Here, the resin layer 7 is preferably filled with an inorganic filler such as silica, or a low-melting-point metal filler such as conductive carbon or nickel. By filling the filler with high thermal conductivity, the thermal conductivity of the resin layer 7 is improved. The larger the filler filling amount, the better the thermal conductivity, but if it is too much, problems such as difficulty in maintaining the shape occur, so it is preferable to fill about 20 wt% to 80 w% depending on the application. . Moreover, about the thickness of the resin layer 7, since the heat conductivity improves the thinner one, it is preferable to set it as the thickness of about 20um-500um. The thickness uniformity may be uniform as a whole, but since the heat radiation from the back surface of the semiconductor chip is the largest, it is preferable to reduce the thickness of the back surface portion of the semiconductor chip. In this embodiment, the sheet-like resin layer 7 is attached, but an equivalent shape can be formed by applying a paste-like resin. Here, the resin layer 7 preferably has adhesiveness.

また、樹脂層７としては熱硬化性の樹脂（エポキシ系など）が好ましい。また、熱可塑性の樹脂を用いると熱をかけて金属層９を密着させることにより、密着性が向上する接着が可能となる。   The resin layer 7 is preferably a thermosetting resin (such as epoxy). In addition, when a thermoplastic resin is used, the metal layer 9 is brought into close contact with heat so that adhesion with improved adhesion is possible.

次に、図２（ｄ）に示すように、前記の樹脂層７上に前記半導体チップ５及び絶縁性樹脂４のテーパー部４ａに沿った形の凹み８を有する金属層９を貼り付ける。金属層９の凹み８は絶縁性樹脂４のテーパー部４ａの形状に即した形状になっていることが好ましい。また、密着時に加熱してもかまわない。また、密着させた後に加熱してもかまわない。熱を加えることにより密着性が向上する。   Next, as shown in FIG. 2 (d), a metal layer 9 having a recess 8 having a shape along the tapered portion 4 a of the semiconductor chip 5 and the insulating resin 4 is pasted on the resin layer 7. It is preferable that the recess 8 of the metal layer 9 has a shape corresponding to the shape of the tapered portion 4 a of the insulating resin 4. Moreover, you may heat at the time of close_contact | adherence. Further, heating may be performed after the contact. Adhesion is improved by applying heat.

図３は実施の形態１における半導体装置の実装形態の構造を示す断面図であり、本発明の半導体装置を製品の筐体に接続した場合の実装体の実施例を示す。
図３に示すように、実施の形態１における半導体装置の実装体は、前記半導体装置の一部の金属層９、樹脂層７、テープキャリア１を貫通するように穴が形成されており、さらにその穴を通って製品の筐体１０に固定するようにネジ１１にて半導体装置が固定されている。この際にテープキャリア１上の導体配線２とネジ１１とが接続されている場合、導体配線２からの熱がネジ１１から筐体１０に伝導してゆくので、さらなる放熱効果がえられる。さらに、前記導体配線２がＧＮＤ電位に接続されている場合は、ＧＮＤ電位が電気的に安定になるため、電気特性が向上する効果もえられる。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of the mounting form of the semiconductor device in Embodiment 1, and shows an example of the mounting body when the semiconductor device of the present invention is connected to the housing of the product.
As shown in FIG. 3, the mounting body of the semiconductor device according to the first embodiment has holes formed so as to penetrate a part of the metal layer 9, the resin layer 7, and the tape carrier 1 of the semiconductor device. The semiconductor device is fixed with a screw 11 so as to be fixed to the housing 10 of the product through the hole. At this time, when the conductor wiring 2 on the tape carrier 1 and the screw 11 are connected, the heat from the conductor wiring 2 is conducted from the screw 11 to the housing 10, so that a further heat radiation effect can be obtained. Further, when the conductor wiring 2 is connected to the GND potential, the GND potential becomes electrically stable, so that an effect of improving electrical characteristics can be obtained.

筐体１０としては、金属からなることが好ましい。また、半導体装置と筐体１０とが密着していることが好ましい。この際に密着性を向上させるために半導体装置と筐体１０の間に樹脂層を形成してもかまわない。この樹脂層にも上記樹脂層のようなフィラー等の放熱特性を向上させる材料を付加することが好ましい。   The housing 10 is preferably made of metal. Further, it is preferable that the semiconductor device and the housing 10 are in close contact with each other. In this case, a resin layer may be formed between the semiconductor device and the housing 10 in order to improve adhesion. It is preferable to add a material for improving heat dissipation characteristics such as a filler to the resin layer.

今回は固定のためにネジ１１を使用したが、リベットでもかまわない。
また、実装する半導体装置は、後述の実施の形態２〜実施の形態４における半導体装置を同様に実装することができる。 This time, the screw 11 is used for fixing, but a rivet may be used.
In addition, the semiconductor device to be mounted can be mounted in the same manner as the semiconductor devices in Embodiments 2 to 4 described later.

この構成により、従来であると半導体チップの裏面からのみの放熱であったところが、ヒートスプレッタとして機能する金属層と半導体チップ、テープキャリアを固定することが可能となり、金属層を安定して固着でき、さらに放熱性については半導体チップの裏面だけでなく側面からも効果的に半導体チップの熱を放熱することが可能となり、放熱特性を向上させることができる。
（実施の形態２）
図４は実施の形態２における半導体装置の構造を示す断面図である。 With this configuration, it was possible to fix the metal layer and the semiconductor chip that function as a heat spreader, and the tape carrier, where the heat dissipation was only from the back surface of the semiconductor chip in the past, and the metal layer could be stably fixed, Furthermore, with respect to heat dissipation, it becomes possible to effectively dissipate heat from the semiconductor chip not only from the back surface but also from the side surface, and the heat dissipation characteristics can be improved.
(Embodiment 2)
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of the semiconductor device according to the second embodiment.

この実施の形態においては、図４において、テープキャリア１上には、導体配線２が設けられ、その端部がインナーリードを形成している。各インナーリードと対向する位置には、突起電極６を介して、半導体チップ５の電極パッドが配置され接合されている。さらには導体配線２の一部を覆うようにソルダーレジスト３が形成されている。   In this embodiment, in FIG. 4, the conductor wiring 2 is provided on the tape carrier 1, and its end portion forms an inner lead. The electrode pads of the semiconductor chip 5 are disposed and bonded to the positions facing the inner leads via the protruding electrodes 6. Furthermore, a solder resist 3 is formed so as to cover a part of the conductor wiring 2.

ここで、半導体チップ５の表面を保護するために絶縁性樹脂４がテープキャリア１と半導体チップ５の間に充填されている。その絶縁性樹脂４は、半導体チップ５の側面部の一部にも形成されてテーパー部４ａを形成している。   Here, an insulating resin 4 is filled between the tape carrier 1 and the semiconductor chip 5 in order to protect the surface of the semiconductor chip 5. The insulating resin 4 is also formed on a part of the side surface portion of the semiconductor chip 5 to form a tapered portion 4a.

さらに、テープキャリア１上、半導体チップ５の裏面及び絶縁性樹脂４のテーパー部４ａに密着して樹脂層７が形成されている。
さらに、前記樹脂層７上に前記半導体チップ５及び絶縁性樹脂４のテーパー部４ａに沿った形の凹み８を有する金属層９が密着して形成されている。ここで、金属層９の半導体チップ５の領域上に穴１２が形成されている。この穴１２により金属層９の表面積が増し、放熱効果が向上する。ここで、穴１２は金属層９を貫通していても良いし、貫通していなくても良い。貫通している場合には、樹脂層７にも前記金属層９に形成された穴１２に相対する位置に穴を形成することで、金属層９を半導体チップ５に密着させた際のエア噛みを防止可能となる。いずれの場合においても、形成する穴１２は、図４のように１つでも良いし、複数個形成しても良い。 Further, a resin layer 7 is formed on the tape carrier 1 in close contact with the back surface of the semiconductor chip 5 and the tapered portion 4 a of the insulating resin 4.
Further, a metal layer 9 having a recess 8 having a shape along the tapered portion 4 a of the semiconductor chip 5 and the insulating resin 4 is formed in close contact with the resin layer 7. Here, a hole 12 is formed on the region of the semiconductor chip 5 of the metal layer 9. The hole 12 increases the surface area of the metal layer 9 and improves the heat dissipation effect. Here, the hole 12 may penetrate the metal layer 9 or may not penetrate. When penetrating, by forming a hole in the resin layer 7 at a position opposite to the hole 12 formed in the metal layer 9, the air bite when the metal layer 9 is brought into close contact with the semiconductor chip 5 is formed. Can be prevented. In either case, the number of holes 12 to be formed may be one as shown in FIG. 4, or a plurality of holes 12 may be formed.

このような構造により、半導体チップの裏面及び側面から効率的に熱を熱伝導の優れた金属層に安定して伝達することが可能となる。
次に、実施の形態２における半導体装置の製造方法について図５を用いて説明する。図５は実施の形態２における半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。 With such a structure, heat can be efficiently transferred from the back surface and the side surface of the semiconductor chip to the metal layer having excellent heat conduction.
Next, a method for manufacturing the semiconductor device in the second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a process sectional view showing the method for manufacturing the semiconductor device in the second embodiment.

図５（ａ）において、テープキャリア１上に、その端部をインナーリードとして用いる導体配線２を設ける。そして、各インナーリードと対向する位置に形成された突起電極６を介して電極パッドが配置されるように、半導体チップ５を接合する。さらに、導体配線２の一部を覆うようにソルダーレジスト３を形成する。ここで、テープキャリア１としては、ポリイミド材などが一般的に用いられるが、それ以外の樹脂でもかまわない。また、導体配線２としては、銅、銀、アルミ、錫、パラジウム、ニッケル、金などを主成分とする材料が使用されることが好ましい。また、突起電極６としては、銅、アルミ、錫、パラジウム、ニッケル、金などを主成分とする金属からなる材料が好ましい。   In FIG. 5 (a), a conductor wiring 2 is provided on a tape carrier 1 using its end as an inner lead. And the semiconductor chip 5 is joined so that an electrode pad may be arrange | positioned through the protruding electrode 6 formed in the position facing each inner lead. Further, a solder resist 3 is formed so as to cover a part of the conductor wiring 2. Here, as the tape carrier 1, a polyimide material or the like is generally used, but other resins may be used. The conductor wiring 2 is preferably made of a material mainly composed of copper, silver, aluminum, tin, palladium, nickel, gold or the like. The protruding electrode 6 is preferably made of a metal composed mainly of copper, aluminum, tin, palladium, nickel, gold or the like.

次に、図５（ｂ）に示すように、半導体チップ５の表面を保護するために絶縁性樹脂４を半導体チップ５とテープキャリア１の間に充填する。その絶縁性樹脂４は、半導体チップ５の側面部の一部にも形成されてテーパー部４ａが形成されるように適量を滴下封止する。本実施の形態においては、導体配線付きのテープキャリア１と半導体チップ５とが突起電極６を介して接合された後に絶縁性樹脂４がテープキャリア１と半導体チップ５の間に充填されている。また、別の方法として、事前に絶縁性樹脂４を塗布することにより導体配線付きのテープキャリア１と半導体チップ５とを接合する際に同時に封止することも可能である。   Next, as shown in FIG. 5B, an insulating resin 4 is filled between the semiconductor chip 5 and the tape carrier 1 in order to protect the surface of the semiconductor chip 5. The insulating resin 4 is also formed on a part of the side surface portion of the semiconductor chip 5 to drop and seal an appropriate amount so as to form the tapered portion 4a. In the present embodiment, the insulating resin 4 is filled between the tape carrier 1 and the semiconductor chip 5 after the tape carrier 1 with the conductor wiring and the semiconductor chip 5 are joined via the protruding electrodes 6. As another method, the insulating resin 4 can be applied in advance so that the tape carrier 1 with the conductor wiring and the semiconductor chip 5 can be sealed at the same time.

次に、図５（ｃ）に示すように、ソルダーレジスト３上を含むテープキャリア１上、半導体チップ５の裏面及び絶縁性樹脂４のテーパー部４ａに密着するようにシート状の樹脂層を、前記半導体チップ５及び絶縁性樹脂４のテーパー部４ａに沿った形の凹み８を有する金属層９にあらかじめ貼り付けることにより樹脂層７を金属層９に形成する。ここで、前記樹脂層７にはシリカなどの無機フィラーや導電性を有するカーボン、ニッケルなどと言った低融点の金属フィラーが充填されていることが好ましい。熱伝導性の高いフィラーを充填することにより樹脂層７の熱伝導性は向上する。フィラーの充填量としては多い方が熱伝導性は向上するが、多すぎると形状の維持が困難になるなどの問題が発生するので、用途に応じて２０ｗｔ％〜８０ｗ％程度充填するのが好ましい。また、樹脂層７の厚みについては、薄い方が熱伝導性は向上するので、２０ｕｍ〜５００ｕｍ程度の厚みにすることが好ましい。厚みの均一性についても、全体的に均一にしても良いが、半導体チップ裏面からの放熱が最も多いため半導体チップ５の裏面部の厚みを薄くする方が好ましい。本実施の形態ではシート状の樹脂層７を貼り付けたがペースト状の樹脂を塗布することで同等の形状が形成できる。   Next, as shown in FIG.5 (c), on the tape carrier 1 including the solder resist 3, the sheet-like resin layer is adhered so as to be in close contact with the back surface of the semiconductor chip 5 and the tapered portion 4a of the insulating resin 4. The resin layer 7 is formed on the metal layer 9 by pasting the semiconductor chip 5 and the metal layer 9 having the recesses 8 along the tapered portion 4a of the insulating resin 4 in advance. Here, the resin layer 7 is preferably filled with an inorganic filler such as silica, or a low-melting-point metal filler such as conductive carbon or nickel. By filling the filler with high thermal conductivity, the thermal conductivity of the resin layer 7 is improved. The larger the filler filling amount, the better the thermal conductivity, but if it is too much, problems such as difficulty in maintaining the shape occur, so it is preferable to fill about 20 wt% to 80 w% depending on the application. . Moreover, about the thickness of the resin layer 7, since the heat conductivity improves the thinner one, it is preferable to set it as the thickness of about 20um-500um. Although the thickness uniformity may be uniform as a whole, it is preferable to reduce the thickness of the back surface portion of the semiconductor chip 5 because the heat radiation from the back surface of the semiconductor chip is the largest. In this embodiment, the sheet-like resin layer 7 is attached, but an equivalent shape can be formed by applying a paste-like resin.

このとき、半導体チップ５の領域上に穴１２が形成されている金属層９を用いる。この穴１２により金属層９の表面積が増し、放熱効果が向上する。さらに樹脂層７についても、前記金属層９に形成された穴１２に相対する位置に穴１２が形成されているものを用いても良い。このような構成にすることで、金属層９を半導体チップ５に密着させた際のエア噛みを防止可能となる。   At this time, the metal layer 9 in which the hole 12 is formed on the region of the semiconductor chip 5 is used. The hole 12 increases the surface area of the metal layer 9 and improves the heat dissipation effect. Further, the resin layer 7 may be one in which holes 12 are formed at positions opposite to the holes 12 formed in the metal layer 9. With such a configuration, it is possible to prevent air biting when the metal layer 9 is brought into close contact with the semiconductor chip 5.

また、樹脂層７として熱可塑性の樹脂を用いることが好ましい。この場合熱をかけて金属層９を密着させることにより、密着性が向上する接着が可能となる。
次に、図５（ｄ）に示すように、前記半導体チップ５及び絶縁性樹脂４のテーパー部４ａに凹み８を有する樹脂層７を形成した金属層９が相応するように貼り付ける。ここで、樹脂層７は粘着性を有していることが好ましい。金属層９の凹み８は絶縁性樹脂４のテーパー部４ａの形状に即した形状になっていることが好ましい。 Further, it is preferable to use a thermoplastic resin as the resin layer 7. In this case, by applying heat, the metal layer 9 is brought into close contact with each other, so that the adhesion can be improved.
Next, as shown in FIG. 5D, the semiconductor layer 5 and the metal layer 9 formed with the resin layer 7 having the recesses 8 on the tapered portion 4a of the insulating resin 4 are affixed correspondingly. Here, it is preferable that the resin layer 7 has adhesiveness. It is preferable that the recess 8 of the metal layer 9 has a shape corresponding to the shape of the tapered portion 4 a of the insulating resin 4.

また、実施の形態１と同様に、実施の形態２の半導体装置を筐体に接続して半導体装置の実装体を形成することもできる。
この構成により、従来であると半導体チップの裏面からのみの放熱であったところが、ヒートスプレッタとして機能する金属層と半導体チップ、テープキャリアを固定することが可能となり、金属層を安定して固着でき、さらに放熱性については半導体チップの裏面だけでなく側面からも効果的に半導体チップの熱を放熱することが可能となり、放熱特性を向上させることができる。 Similarly to the first embodiment, the semiconductor device of the second embodiment can be connected to a housing to form a mounting body of the semiconductor device.
With this configuration, it was possible to fix the metal layer and the semiconductor chip that function as a heat spreader, and the tape carrier, where the heat dissipation was only from the back surface of the semiconductor chip in the past, and the metal layer could be stably fixed, Furthermore, with respect to heat dissipation, it becomes possible to effectively dissipate heat from the semiconductor chip not only from the back surface but also from the side surface, and the heat dissipation characteristics can be improved.

また、図７は実施の形態２の別の半導体装置の構造を示す断面図である。この構造によると金属層９の凹み８の反対側に切り込み２１が形成されている。この切り込みは金属層９の中で止まっていてもいいし、凹み８まで達していてもよい。また、金属層９の表面全体に複数の切り込み２１が形成されていてもかまわない。また、穴１２と切り込み２１の両方を形成しても良い。   FIG. 7 is a sectional view showing the structure of another semiconductor device according to the second embodiment. According to this structure, the notch 21 is formed on the opposite side of the recess 8 of the metal layer 9. This notch may stop in the metal layer 9 or may reach the recess 8. A plurality of cuts 21 may be formed on the entire surface of the metal layer 9. Further, both the hole 12 and the notch 21 may be formed.

これにより金属層９の表面積が増加し、放熱性を向上することが可能となる。また、切り込みが凹み８まで達している場合、樹脂層７に発生しやすい半導体チップと金属層との接着時のエアかみによる密着性の悪化を防止できる。
（実施の形態３）
図６は実施の形態３における半導体装置の構造を示す断面図である。 Thereby, the surface area of the metal layer 9 increases, and it becomes possible to improve heat dissipation. In addition, when the cut reaches the recess 8, it is possible to prevent deterioration of adhesion due to air pockets when the semiconductor chip and the metal layer are easily bonded to the resin layer 7.
(Embodiment 3)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of the semiconductor device according to the third embodiment.

この実施の形態においては、図６に示すように、実施の形態１または実施の形態２で示した半導体装置のテープキャリア１の裏面に別の金属層１３を有する。さらには、ネジ１４が前記テープキャリア裏面の金属層１３、テープキャリア１、樹脂層７を貫通して金属層９に固定されている。ここではネジ１４を使用したがリベットでもかまわない。また、前記ネジ１４は半導体チップ５に近い方が好ましく、５０ｍｍ以内に形成されていることが好ましい。これにより半導体チップ５が発熱した際の熱による樹脂層７と金属層９との熱膨張係数差によるストレスから発生する樹脂層７のはがれを防止することが可能となる。また、本構成によるとネジ１４を伝達して熱がテープキャリア裏面にも伝達され、テープキャリア１の裏面の金属層１３に熱が伝達されて放熱効果が向上する。本実施の形態では、テープキャリア１の裏面に別の金属層１３を形成しているが、金属層１３を形成せずに、ネジ１４にて金属層９に固定してもかまわない。   In this embodiment, as shown in FIG. 6, another metal layer 13 is provided on the back surface of the tape carrier 1 of the semiconductor device shown in the first embodiment or the second embodiment. Further, screws 14 are fixed to the metal layer 9 through the metal layer 13, the tape carrier 1, and the resin layer 7 on the back surface of the tape carrier. Although the screw 14 is used here, a rivet may be used. The screw 14 is preferably closer to the semiconductor chip 5 and is preferably formed within 50 mm. As a result, it is possible to prevent the resin layer 7 from peeling off due to stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the resin layer 7 and the metal layer 9 due to heat generated when the semiconductor chip 5 generates heat. Moreover, according to this structure, the screw 14 is transmitted and heat is transmitted to the back surface of the tape carrier, and heat is transmitted to the metal layer 13 on the back surface of the tape carrier 1 to improve the heat dissipation effect. In the present embodiment, another metal layer 13 is formed on the back surface of the tape carrier 1. However, the metal layer 13 may be fixed to the metal layer 9 with screws 14 without forming the metal layer 13.

また、前記ネジ１４は導体配線２のＧＮＤ電位に接続している場合、前記金属層１３をＧＮＤ電位に接合されることになりシールド効果を向上させることが可能となる。
（実施の形態４）
図８は実施の形態４における半導体装置の構造を示す断面図である。 Further, when the screw 14 is connected to the GND potential of the conductor wiring 2, the metal layer 13 is bonded to the GND potential, and the shielding effect can be improved.
(Embodiment 4)
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the structure of the semiconductor device in the fourth embodiment.

図８において、テープキャリア１上には、導体配線２が設けられ、その端部がインナーリードを形成している。各インナーリードと対向する位置には、突起電極６を介して、半導体チップ５の電極パッドが配置され接合されている。さらには導体配線２の一部を覆うようにソルダーレジスト３が形成されている。   In FIG. 8, the conductor wiring 2 is provided on the tape carrier 1, and the end part forms an inner lead. The electrode pads of the semiconductor chip 5 are disposed and bonded to the positions facing the inner leads via the protruding electrodes 6. Furthermore, a solder resist 3 is formed so as to cover a part of the conductor wiring 2.

ここで、半導体チップ５の表面を保護するために絶縁性樹脂４がテープキャリア１と半導体チップ５の間に充填されている。その絶縁性樹脂４は、半導体チップ５の側面部の一部にも形成されてテーパー部４ａを形成している。   Here, an insulating resin 4 is filled between the tape carrier 1 and the semiconductor chip 5 in order to protect the surface of the semiconductor chip 5. The insulating resin 4 is also formed on a part of the side surface portion of the semiconductor chip 5 to form a tapered portion 4a.

さらに、テープキャリア１上、半導体チップ５の裏面及び絶縁性樹脂４のテーパー部４ａに密着して実施の形態１等と同様の樹脂層７が形成されている。ここで、前記樹脂層７にはシリカなどの無機フィラーや導電性を有するカーボン、ニッケルなどと言った低融点の金属フィラーが充填されていることが好ましい。また、樹脂層７としては熱硬化性の樹脂（エポキシ系など）が好ましい。また、熱可塑性の樹脂を用いると熱をかけて金属層９を密着させることにより、密着性が向上する接着が可能となる。   Further, a resin layer 7 similar to that of the first embodiment is formed on the tape carrier 1 in close contact with the back surface of the semiconductor chip 5 and the tapered portion 4a of the insulating resin 4. Here, the resin layer 7 is preferably filled with an inorganic filler such as silica, or a low-melting-point metal filler such as conductive carbon or nickel. The resin layer 7 is preferably a thermosetting resin (such as epoxy). In addition, when a thermoplastic resin is used, the metal layer 9 is brought into close contact with heat so that adhesion with improved adhesion is possible.

さらに、前記樹脂層７上に前記前記樹脂７に沿うようにシート状の金属層１５が密着して形成されている。
このような構造により、半導体チップの裏面及び側面から効率的に熱を熱伝導の優れた金属層に安定して伝達することが可能となる。 Furthermore, a sheet-like metal layer 15 is formed in close contact with the resin layer 7 along the resin 7.
With such a structure, heat can be efficiently transferred from the back surface and the side surface of the semiconductor chip to the metal layer having excellent heat conduction.

この構成によるとシート状の金属層が使用可能となり、安価な半導体装置を提供できるようになる。
（実施の形態５）
図９は実施の形態５における半導体装置の構造を示す断面図である。 According to this configuration, a sheet-like metal layer can be used, and an inexpensive semiconductor device can be provided.
(Embodiment 5)
FIG. 9 is a cross-sectional view showing the structure of the semiconductor device in the fifth embodiment.

図９において、テープキャリア１上には導体配線２が設けられ、その端部がインナーリードを形成している。各インナーリードと対向する位置には突起電極６を介して半導体チップ５の電極パッドが配置され接合されている。さらには導体配線２の一部を覆うようにソルダーレジスト３が形成されている。   In FIG. 9, the conductor wiring 2 is provided on the tape carrier 1, and the end part forms an inner lead. Electrode pads of the semiconductor chip 5 are disposed and bonded to each inner lead at positions opposite to the protruding electrodes 6. Furthermore, a solder resist 3 is formed so as to cover a part of the conductor wiring 2.

ここで半導体チップ５の表面を保護するために絶縁性樹脂４がテープキャリア１と半導体チップ５の間に充填されている。その絶縁性樹脂４は、半導体チップ５の側面部の一部にも形成されてテーパー部４ａを形成している。   Here, an insulating resin 4 is filled between the tape carrier 1 and the semiconductor chip 5 in order to protect the surface of the semiconductor chip 5. The insulating resin 4 is also formed on a part of the side surface portion of the semiconductor chip 5 to form a tapered portion 4a.

さらに、テープキャリア１上、半導体チップ５の裏面及び絶縁性樹脂４のテーパー部４ａに密着して実施の形態１等と同様の樹脂層７が形成されている。ここで、前記樹脂層７にはシリカなどの無機フィラーや導電性を有するカーボン、ニッケルなどと言った低融点の金属フィラーが充填されていることが好ましい。また、樹脂層７としては熱硬化性の樹脂（エポキシ系など）が好ましい。また、熱可塑性の樹脂を用いると熱をかけて金属層９を密着させることにより、密着性が向上する接着が可能となる。   Further, a resin layer 7 similar to that of the first embodiment is formed on the tape carrier 1 in close contact with the back surface of the semiconductor chip 5 and the tapered portion 4a of the insulating resin 4. Here, the resin layer 7 is preferably filled with an inorganic filler such as silica, or a low-melting-point metal filler such as conductive carbon or nickel. The resin layer 7 is preferably a thermosetting resin (such as epoxy). In addition, when a thermoplastic resin is used, the metal layer 9 is brought into close contact with heat so that adhesion with improved adhesion is possible.

さらに、前記樹脂層７上に前記半導体チップ５及び絶縁性樹脂２９のテーパー部４ａに沿った形の凹み８を有する金属層９が密着して形成されている。
さらに、テープキャリア１の導体配線２が形成される面に対する裏面側には金属層２６が形成されており、この金属層２６の半導体チップ５に対向する領域に凸部２３を形成している。これにより半導体チップ５を押し上げる力が発生し、テープキャリアの変形２２を発生させて、半導体チップ５を金属層９に近づけることが可能となる。それにより、半導体チップ５と樹脂層７の密着性が向上し、放熱特性を向上させることが可能となる。 Further, a metal layer 9 having a recess 8 having a shape along the tapered portion 4 a of the semiconductor chip 5 and the insulating resin 29 is formed in close contact with the resin layer 7.
Further, a metal layer 26 is formed on the back side of the surface of the tape carrier 1 on which the conductor wiring 2 is formed, and a convex portion 23 is formed in a region of the metal layer 26 facing the semiconductor chip 5. As a result, a force for pushing up the semiconductor chip 5 is generated, and the deformation 22 of the tape carrier is generated so that the semiconductor chip 5 can be brought close to the metal layer 9. Thereby, the adhesiveness between the semiconductor chip 5 and the resin layer 7 is improved, and the heat dissipation characteristics can be improved.

ここで、凸部２３を形成することなく、テープキャリア１の裏面に金属層２６を形成することにより、半導体チップ５の表面側からの放熱特性を向上させることができる。
また、実施の形態２と同様に、金属層９の半導体チップ５の領域上に１または複数の穴または切り込みを形成しても良い。 Here, by forming the metal layer 26 on the back surface of the tape carrier 1 without forming the convex portion 23, the heat dissipation characteristics from the front surface side of the semiconductor chip 5 can be improved.
Further, similarly to the second embodiment, one or a plurality of holes or notches may be formed on the region of the semiconductor chip 5 of the metal layer 9.

また、実施の形態３と同様に、ネジが前記テープキャリア裏面の金属層２６、テープキャリア１、樹脂層７を貫通して金属層９に固定しても良い。ここではネジを使用したがリベットでもかまわない。   As in the third embodiment, the screw may pass through the metal layer 26 on the back surface of the tape carrier 26, the tape carrier 1, and the resin layer 7 and be fixed to the metal layer 9. Although screws are used here, rivets may be used.

また、実施の形態１と同様に、前記半導体装置の一部の金属層９、樹脂層７、テープキャリア１及び金属層２６を貫通するように穴を形成し、さらにその穴を通って製品の筐体に固定するようにネジにて半導体装置を固定することにより半導体装置の実装体を形成することができる。
（実施の形態６）
図１０は実施の形態６における半導体装置の実装形態の構造を示す断面図である。 Similarly to the first embodiment, a hole is formed so as to penetrate a part of the metal layer 9, the resin layer 7, the tape carrier 1 and the metal layer 26 of the semiconductor device, and further through the hole, A mounting body of the semiconductor device can be formed by fixing the semiconductor device with screws so as to be fixed to the housing.
(Embodiment 6)
FIG. 10 is a cross-sectional view showing the structure of the mounting form of the semiconductor device in the sixth embodiment.

図１０において、テープキャリア１上には導体配線２が設けられ、その端部がインナーリードを形成しているインナーリード部のテープキャリア１の半導体チップ５と対向する領域には穴部２８が形成されている。各インナーリードと対向する位置には突起電極６を介して半導体チップ５の電極パッドが配置され接合されている。さらには導体配線２の一部を覆うようにソルダーレジスト３が形成されている。   In FIG. 10, the conductor wiring 2 is provided on the tape carrier 1, and the hole 28 is formed in a region facing the semiconductor chip 5 of the tape carrier 1 in the inner lead portion where the end portion forms the inner lead. Has been. Electrode pads of the semiconductor chip 5 are disposed and bonded to each inner lead at positions opposite to the protruding electrodes 6. Furthermore, a solder resist 3 is formed so as to cover a part of the conductor wiring 2.

ここで半導体チップ５の表面を保護するために絶縁性樹脂２９がテープキャリア１の穴部２８と半導体チップ５の表面を覆うように充填されている。その絶縁性樹脂２９は、半導体チップ５の側面部の一部にも形成されてテーパー部４ａを形成している。   Here, in order to protect the surface of the semiconductor chip 5, an insulating resin 29 is filled so as to cover the hole 28 of the tape carrier 1 and the surface of the semiconductor chip 5. The insulating resin 29 is also formed on a part of the side surface portion of the semiconductor chip 5 to form a tapered portion 4a.

さらに、テープキャリア１上、半導体チップ５の裏面及び絶縁性樹脂２９のテーパー部４ａに密着して樹脂層７が形成されている。ここで、前記樹脂層７にはシリカなどの無機フィラーや導電性を有するカーボン、ニッケルなどと言った低融点の金属フィラーが充填されていることが好ましい。また、樹脂層７としては熱硬化性の樹脂（エポキシ系など）が好ましい。また、熱可塑性の樹脂を用いると熱をかけて金属層９を密着させることにより、密着性が向上する接着が可能となる。   Further, the resin layer 7 is formed on the tape carrier 1 in close contact with the back surface of the semiconductor chip 5 and the tapered portion 4 a of the insulating resin 29. Here, the resin layer 7 is preferably filled with an inorganic filler such as silica, or a low-melting-point metal filler such as conductive carbon or nickel. The resin layer 7 is preferably a thermosetting resin (such as epoxy). In addition, when a thermoplastic resin is used, the metal layer 9 is brought into close contact with heat so that adhesion with improved adhesion is possible.

さらに、前記樹脂層７上に前記半導体チップ５及び絶縁性樹脂２９のテーパー部４ａに沿った形の凹み８を有する金属層９が密着して形成されている。金属層９の凹み８は絶縁性樹脂４のテーパー部４ａの形状に即した形状になっていることが好ましい。また、密着時に加熱してもかまわない。また、密着させた後に加熱してもかまわない。熱を加えることにより密着性が向上する。ここで、実施の形態２と同様に、金属層９の半導体チップ５の領域上に１または複数の穴または切り込みを形成しても良い。   Further, a metal layer 9 having a recess 8 having a shape along the tapered portion 4 a of the semiconductor chip 5 and the insulating resin 29 is formed in close contact with the resin layer 7. It is preferable that the recess 8 of the metal layer 9 has a shape corresponding to the shape of the tapered portion 4 a of the insulating resin 4. Moreover, you may heat at the time of close_contact | adherence. Further, heating may be performed after the contact. Adhesion is improved by applying heat. Here, as in the second embodiment, one or a plurality of holes or notches may be formed on the region of the semiconductor chip 5 of the metal layer 9.

さらに、絶縁性樹脂２９及びテープキャリア１の下部に樹脂層２７を形成することができる。
さらに、金属層９、樹脂層７、テープキャリア１、樹脂層２７、絶縁性樹脂２９を貫通するように穴が形成されており、さらにその穴を通って製品の筐体１０に固定するようにネジ１１にて半導体装置を固定することもできる。 Furthermore, the resin layer 27 can be formed under the insulating resin 29 and the tape carrier 1.
Further, a hole is formed so as to penetrate the metal layer 9, the resin layer 7, the tape carrier 1, the resin layer 27, and the insulating resin 29. Further, the hole is fixed to the housing 10 of the product through the hole. The semiconductor device can also be fixed with the screw 11.

今回は固定のためにネジ１１を使用したが、リベットでもかまわない。
この構成により、従来であると半導体チップの裏面からのみの放熱であったところが、ヒートスプレッタとして機能する金属層と半導体チップ、テープキャリアを固定することが可能となり、金属層を安定して固着でき、さらに放熱性については半導体チップの裏面だけでなく側面からも効果的に半導体チップの熱を放熱することが可能となり、放熱特性を向上させることができる。 This time, the screw 11 is used for fixing, but a rivet may be used.
With this configuration, it was possible to fix the metal layer and the semiconductor chip that function as a heat spreader, and the tape carrier, where the heat dissipation was only from the back surface of the semiconductor chip in the past, and the metal layer could be stably fixed, Furthermore, with respect to heat dissipation, it becomes possible to effectively dissipate heat from the semiconductor chip not only from the back surface but also from the side surface, and the heat dissipation characteristics can be improved.

また、図１１は実施の形態６における半導体装置の実装形態の別の構造を示す断面図であり、上記半導体装置の実装体における筐体の表面に凸部２４を有した場合の実装構造を示した断面図である。   FIG. 11 is a cross-sectional view showing another structure of the mounting form of the semiconductor device according to the sixth embodiment, and shows the mounting structure when the surface of the housing of the mounting body of the semiconductor device has a convex portion 24. FIG.

ここでは、この筐体１０の半導体チップ５に対応する領域に凸部２４を形成している。これにより半導体チップ５を押し上げる力が発生し、テープキャリアを変形させて、半導体チップ５を金属層９に近づけることが可能となる。さらに、ネジ１１にて固定することで安定に金属層９へ半導体チップ５を近づけることが可能となる。それにより放熱特性を向上させることが可能となる。ここでは筐体１０に凸部２４を形成したが、筐体の代わりに実施の形態５に示すように金属層２６に凸部２３を形成する構成としてもかまわない。   Here, a convex portion 24 is formed in a region corresponding to the semiconductor chip 5 of the housing 10. As a result, a force for pushing up the semiconductor chip 5 is generated, and the tape carrier can be deformed to bring the semiconductor chip 5 closer to the metal layer 9. Furthermore, the semiconductor chip 5 can be brought close to the metal layer 9 stably by fixing with the screw 11. Thereby, it is possible to improve the heat dissipation characteristics. Here, the convex portion 24 is formed on the housing 10, but the convex portion 23 may be formed on the metal layer 26 as shown in Embodiment 5 instead of the housing.

本発明は、ヒートスプレッタとして機能する金属層と半導体チップを安定して固着し、さらには半導体チップからの放熱性を高めることができ、導体配線を設けた柔軟な絶縁性の基材上に構成された半導体装置、その製造方法、およびそれを用いた実装体等に有用である。   The present invention stably adheres a metal layer functioning as a heat spreader to a semiconductor chip, and can further improve heat dissipation from the semiconductor chip, and is configured on a flexible insulating substrate provided with conductor wiring. It is useful for a semiconductor device, a manufacturing method thereof, a mounted body using the semiconductor device, and the like.

実施の形態１における半導体装置の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the semiconductor device in Embodiment 1 実施の形態１における半導体装置の製造方法を示す工程断面図Sectional drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device in Embodiment 1 実施の形態１における半導体装置の実装形態の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the mounting form of the semiconductor device in Embodiment 1 実施の形態２における半導体装置の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the semiconductor device in Embodiment 2 実施の形態２における半導体装置の製造方法を示す工程断面図Process sectional drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device in Embodiment 2 実施の形態３における半導体装置の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the semiconductor device in Embodiment 3 実施の形態２における半導体装置の別の構造を示す断面図Sectional drawing which shows another structure of the semiconductor device in Embodiment 2 実施の形態４における半導体装置の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the semiconductor device in Embodiment 4 実施の形態５における半導体装置の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the semiconductor device in Embodiment 5 実施の形態６における半導体装置の実装形態の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the mounting form of the semiconductor device in Embodiment 6 実施の形態６における半導体装置の実装形態の別の構造を示す断面図Sectional drawing which shows another structure of the mounting form of the semiconductor device in Embodiment 6 従来の半導体装置の構造を示す断面図Sectional view showing the structure of a conventional semiconductor device

符号の説明Explanation of symbols

１ テープキャリア
２ 導体配線
３ ソルダーレジスト
４ 絶縁性樹脂
４ａ テーパー部
５ 半導体チップ
５ａ 凸部
６ 突起電極
７ 樹脂層
８ 凹み
９ 金属層
１０ 筐体
１１ ネジ
１２ 穴
１３ 金属層
１４ ネジ
１５ 金属層
１６ 接着層
１７ ヒートスプレッタ
２１ 切り込み
２２ テープキャリアの変形
２３ 凸部
２４ 凸部
２６ 金属層
２７ 樹脂層
２８ 穴部
２９ 絶縁性樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Tape carrier 2 Conductor wiring 3 Solder resist 4 Insulating resin 4a Tapered part 5 Semiconductor chip 5a Convex part 6 Projection electrode 7 Resin layer 8 Depression 9 Metal layer 10 Housing | casing 11 Screw 12 Hole 13 Metal layer 14 Screw 15 Metal layer 16 Adhesion Layer 17 Heat spreader 21 Notch 22 Tape carrier deformation 23 Convex part 24 Convex part 26 Metal layer 27 Resin layer 28 Hole 29 Insulating resin

Claims (27)

半導体チップをテープキャリアに搭載してなる半導体装置であって、
前記テープキャリアと前記半導体チップとの間隙に充填され側面にテーパー部が形成されている絶縁性樹脂と、
前記半導体チップの裏面上及び前記テープキャリア上の少なくとも一部ならびに前記テーパー部上に接触するように形成される前記絶縁性樹脂より熱伝導率が高い樹脂層と、
前記半導体チップ及び前記テーパー上の絶縁性樹脂層と相応する形状の凹みを備えて前記樹脂層と密着するように形成される金属層と
を有することを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a tape carrier,
An insulating resin filled in a gap between the tape carrier and the semiconductor chip and having a tapered portion formed on a side surface;
A resin layer having higher thermal conductivity than the insulating resin formed so as to contact at least a part of the back surface of the semiconductor chip and the tape carrier and the tapered portion;
A semiconductor device comprising: the semiconductor chip and an insulating resin layer on the taper; and a metal layer provided with a recess having a corresponding shape and formed in close contact with the resin layer. 半導体チップをテープキャリアに搭載してなる半導体装置であって、
前記テープキャリアの半導体チップに対向する領域に穴が形成され、前記半導体チップの表面を覆うように充填され側面にテーパー部が形成されている絶縁性樹脂と、
前記半導体チップの裏面上及び前記テープキャリア上の少なくとも一部ならびに前記テーパー部上に接触するように形成される前記絶縁性樹脂より熱伝導率が高い樹脂層と、
前記半導体チップ及び前記テーパー上の絶縁性樹脂層と相応する形状の凹みを備えて前記樹脂層と密着するように形成される金属層と
を有することを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a tape carrier,
An insulating resin having a hole formed in a region facing the semiconductor chip of the tape carrier, filled so as to cover the surface of the semiconductor chip and having a tapered portion formed on a side surface,
A resin layer having higher thermal conductivity than the insulating resin formed so as to contact at least a part of the back surface of the semiconductor chip and the tape carrier and the tapered portion;
A semiconductor device comprising: the semiconductor chip and an insulating resin layer on the taper; and a metal layer provided with a recess having a corresponding shape and formed in close contact with the resin layer. 前記金属層が前記樹脂層の形状に沿って形成されるシート状の金属層であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the metal layer is a sheet-like metal layer formed along the shape of the resin layer. 前記半導体チップ上領域の前記金属層の一部に１または複数の穴が形成されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。   3. The semiconductor device according to claim 1, wherein one or a plurality of holes are formed in a part of the metal layer in the upper region of the semiconductor chip. 前記金属層の凹みが形成される反対の表面に切り込みを有することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置。   5. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a notch on an opposite surface on which the recess of the metal layer is formed. 前記テープキャリアの裏面に第２の金属層を有することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, further comprising a second metal layer on a back surface of the tape carrier. 前記第２の金属層の前記半導体チップに対向する領域が前記テープキャリアの方向に突出することを特徴とする請求項６記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 6, wherein a region of the second metal layer facing the semiconductor chip protrudes in the direction of the tape carrier. 前記テープキャリアの裏面に第２の樹脂層を有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 2, further comprising a second resin layer on a back surface of the tape carrier. 前記第２の樹脂層の裏面に前記半導体チップに対向する領域が前記テープキャリアの方向に突出する突出部を備える筐体を有することを特徴とする請求項８記載の半導体装置。   9. The semiconductor device according to claim 8, further comprising: a housing having a protruding portion protruding in a direction of the tape carrier in a region facing the semiconductor chip on a back surface of the second resin layer. 前記金属層、前記テープキャリア及び前記第２の金属層がネジまたはリベットにて固定されることを特徴とする請求項６または請求項７のいずれかに記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 6, wherein the metal layer, the tape carrier, and the second metal layer are fixed with screws or rivets. 前記金属層、前記テープキャリア及び前記第２の樹脂層がネジまたはリベットにて固定されることを特徴とする請求項８または請求項９のいずれかに記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 8, wherein the metal layer, the tape carrier, and the second resin layer are fixed with screws or rivets. 前記ネジまたは前記リベットが前記テープキャリア及び前記金属層を貫通することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the screw or the rivet penetrates the tape carrier and the metal layer. 前記テープキャリアの裏面に第３の金属層を形成し、前記ネジまたは前記リベットが前記第３の金属層、前記テープキャリア及び前記金属層を貫通することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置。   6. A third metal layer is formed on the back surface of the tape carrier, and the screw or the rivet penetrates the third metal layer, the tape carrier, and the metal layer. The semiconductor device according to any one of the above. 前記ネジ及び前記リベットが前記半導体チップから５０ｍｍ以内に設けられることを特徴とする請求項１０〜請求項１３のいずれかに記載の半導体装置。   14. The semiconductor device according to claim 10, wherein the screw and the rivet are provided within 50 mm from the semiconductor chip. 前記樹脂層に導電性のフィラーが混在していることを特徴とする請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein a conductive filler is mixed in the resin layer. 前記樹脂層に低融点の金属フィラーを有することを特徴とする請求項１〜請求項１５のいずれかに記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the resin layer includes a low melting point metal filler. 前記樹脂層が熱可塑性の樹脂であることを特徴とする請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the resin layer is a thermoplastic resin. 半導体チップをテープキャリアに搭載してなる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの表面に形成される複数の電極パッドと前記テープキャリアに形成されて前記電極パッドと対応する複数の導体配線とを突起電極を介して位置合わせして接続する工程と、
前記テープキャリアと前記半導体チップとの間隙に側面にテーパー部が形成されるように絶縁性樹脂を充填する工程と、
前記半導体チップの裏面上及び前記テープキャリア上の少なくとも一部ならびに前記テーパー部上に接触するように前記絶縁性樹脂層より熱伝導率が高い樹脂層を形成する工程と、
前記半導体チップ及び前記テーパー部上の絶縁性樹脂層と相応する形状の凹みを備える金属層を前記樹脂層と密着するように固着する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a tape carrier,
A step of aligning and connecting a plurality of electrode pads formed on the surface of the semiconductor chip and a plurality of conductor wirings formed on the tape carrier and corresponding to the electrode pads via protruding electrodes;
Filling an insulating resin so that a tapered portion is formed on a side surface in a gap between the tape carrier and the semiconductor chip;
Forming a resin layer having a higher thermal conductivity than the insulating resin layer so as to be in contact with at least a part of the back surface of the semiconductor chip and the tape carrier and the tapered portion;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of fixing a metal layer having a recess corresponding to the shape of the semiconductor chip and the insulating resin layer on the tapered portion so as to be in close contact with the resin layer. 半導体チップをテープキャリアに搭載してなる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの表面に形成される複数の電極パッドと前記テープキャリアに形成されて前記電極パッドと対応する複数の導体配線とを突起電極を介して位置合わせして接続する工程と、
前記テープキャリアと前記半導体チップとの間隙に側面にテーパー部が形成されるように絶縁性樹脂を充填する工程と、
前記半導体チップ及び前記テーパー部上の絶縁性樹脂層と相応する形状の凹みを備える金属層に前記絶縁性樹脂層より熱伝導率が高い樹脂層を形成する工程と、
前記半導体チップの裏面上及び前記テープキャリア上の少なくとも一部ならびに前記テーパー部上に前記樹脂層が接触するように前記金属層を固着する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a tape carrier,
A step of aligning and connecting a plurality of electrode pads formed on the surface of the semiconductor chip and a plurality of conductor wirings formed on the tape carrier and corresponding to the electrode pads via protruding electrodes;
Filling an insulating resin so that a tapered portion is formed on a side surface in a gap between the tape carrier and the semiconductor chip;
Forming a resin layer having a higher thermal conductivity than the insulating resin layer on a metal layer having a recess corresponding to the shape of the insulating resin layer on the semiconductor chip and the tapered portion;
And a step of fixing the metal layer so that the resin layer is in contact with at least a part of the back surface of the semiconductor chip, the tape carrier, and the taper portion. 前記樹脂層がシート状の形態であることを特徴とする請求項１８または請求項１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 18, wherein the resin layer has a sheet shape. 前記樹脂層がペースト状であることを特徴とする請求項１８または請求項１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 18, wherein the resin layer is in a paste form. 前記金属層の前記半導体チップ上の一部に１または複数の穴が形成されることを特徴とする請求項１８または請求項１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。   20. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 18, wherein one or a plurality of holes are formed in a part of the metal layer on the semiconductor chip. 前記金属層を固着する工程の後に、加熱して前記金属層をさらに密着させることを特徴とする請求項１８〜請求項２２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 18 to 22, wherein after the step of fixing the metal layer, the metal layer is further adhered by heating. 請求項１〜請求項１７記載の半導体装置をネジにより筐体に実装することを特徴とする半導体装置の実装体。   18. A semiconductor device mounting body, wherein the semiconductor device according to claim 1 is mounted on a housing with a screw. 請求項１〜請求項１７記載の半導体装置をリベットにより筐体に実装することを特徴とする半導体装置の実装体。   18. A semiconductor device mounting body, wherein the semiconductor device according to claim 1 is mounted on a housing by rivets. 前記テープキャリアの裏面の第２の金属層を介して筐体に実装することを特徴とする請求項２４または請求項２５のいずれかに記載の半導体装置の実装体。   26. The semiconductor device package according to claim 24, wherein the semiconductor device package is mounted on a housing via a second metal layer on a back surface of the tape carrier. 前記半導体装置と前記筐体を第２の樹脂層を介して密着させることを特徴とする請求項２４〜請求項２６のいずれかに記載の半導体装置の実装体。   27. The semiconductor device package according to claim 24, wherein the semiconductor device and the housing are in close contact with each other via a second resin layer.
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