JP2009088583A - 増幅回路及びこれを備える光ピックアップ - Google Patents

Abstract

【課題】ゲイン決定用抵抗の抵抗値を変化させても最適な位相補償結果を得ることのできる増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明による増幅回路は、増幅部と、前記増幅部に接続されたゲイン決定用抵抗１６及び位相補償用キャパシタ１７の複数の組み合わせと、複数の組み合わせ１７の中から少なくとも１つを選択するスイッチ手段と、を備えることを特徴とする。抵抗１６の抵抗値の変化に併せてキャパシタ１７を切り替えることができるので、抵抗１６の抵抗値を変化させても最適な位相補償結果を得ることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は増幅回路に関し、特に、フォトダイオードの出力信号の増幅に用いることが好適な増幅回路に関する。また、本発明はこのような増幅回路を備えた光ピックアップに関する。

ＣＤ、ＤＶＤ、ブルーレイディスク等の光ディスクへのデータの記録及び再生を行う光記録再生装置は光ピックアップを備えている。光ピックアップには、光源であるレーザーダイオードや、光ディスクにて反射したレーザービームを受光するフォトダイオードなどが備えられている。フォトダイオードは、受光したレーザービームを電気信号に変換する素子であり、その出力信号を参照することにより光ディスクに記録されている情報を読み取ることが可能となる。

しかしながら、フォトダイオードの出力信号は極めて微弱であることから、これを外部に出力するためには、増幅回路が必要である。したがって、光ピックアップにはこのような増幅回路（受光アンプ）も搭載されることになる。

この種の増幅回路においては、発振防止のための位相補償が必要となる。位相補償の具体的方法には種々のものがあり、例えば特許文献１にはその一例が示されている。また、図７には、位相補償を行う増幅回路の別の一例を示している。図７の例における増幅回路１００１は、フォトダイオード１０００の出力信号を増幅するためのものであり、オペアンプ１００３と、帰還抵抗１００６と、を備えている。帰還抵抗１００６は進み位相補償用のキャパシタ１００７と並列接続されている。
特開２０００−３３２５４６号公報

ところで、例えば図７の増幅回路１００１の電圧増幅度（ゲイン）は、帰還抵抗１００６及びフォトダイオード１０００の内部抵抗（以下、ゲイン決定用抵抗と総称する。）の抵抗値によって決まる。このことから、本願の発明者は、スイッチで切り替え可能に構成した複数のゲイン決定用抵抗を増幅回路内に予め設置しておくことにより、電圧増幅度可変の増幅回路を作成することに想い到った。

しかしながら、ゲイン決定用抵抗を切り替えると、その抵抗値の変化によって増幅回路のポールやゼロが変化してしまう。そのため、最適な位相補償結果が得られない場合が生ずるという問題があった。

したがって、本発明の目的は、ゲイン決定用抵抗の抵抗値を変化させても最適な位相補償結果を得ることのできる増幅回路を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、フォトダイオード用の改良された増幅回路を提供することにある。

また、本発明のさらに他の目的は、このような増幅回路を備える光ピックアップを提供することにある。

上記目的を達成するための本発明にかかる増幅回路は、増幅部と、前記増幅部に接続されたゲイン決定用抵抗及び位相補償用キャパシタの複数の組み合わせと、前記複数の組み合わせの中から少なくとも１つを選択するスイッチ手段と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、ゲイン決定用抵抗のみでなく位相補償用キャパシタも切り替えることができるので、ゲイン決定用抵抗の抵抗値を変化させても最適な位相補償結果を得ることができる。

また、上記増幅回路において、前記ゲイン決定用抵抗は、前記増幅部の出力端と入力端の間に接続された帰還抵抗である、こととしてもよい。これによれば、帰還抵抗の切り替えにより電圧増幅度可変を実現できる。

また、この増幅回路において、前記位相補償用キャパシタと前記ゲイン決定用抵抗とは並列回路を構成する、こととしてもよい。これによれば、進み位相補償を行うための位相補償用キャパシタを帰還抵抗とともに切り替えることができるようになる。

また、上記増幅回路において、前記増幅部は従属接続された少なくとも第１及び第２の増幅器からなり、前記位相補償用キャパシタの一端は接地され、他端は前記第１の増幅器の出力端と前記第２の増幅器の入力端との間に接続される、こととしてもよい。これによれば、ゼロ点調整による位相補償を行うための位相補償用キャパシタを帰還抵抗とともに切り替えることができるようになる。

また、上記増幅回路において、前記増幅部は従属接続された少なくとも第１及び第２の増幅器からなり、前記各組み合わせはそれぞれ２つの位相補償用キャパシタを含み、前記２つの位相補償用キャパシタのうちの一方と前記ゲイン決定用抵抗とは並列回路を構成し、前記２つの位相補償用キャパシタのうちの他方の一端は接地され、他端は前記第１の増幅器の出力端と前記第２の増幅器の入力端との間に接続される、こととしてもよい。これによれば、進み位相補償を行うための位相補償用キャパシタとゼロ点調整による位相補償を行うためのキャパシタの両方を、帰還抵抗とともに切り替えることができるようになる。

また、上記増幅回路において、前記増幅部の入力信号がフォトダイオードの出力信号であることとしてもよい。これによれば、フォトダイオードの出力信号を増幅するための増幅回路において、ゲイン決定用抵抗の抵抗値を変化させても最適な位相補償結果を得ることができるようになる。

また、本発明にかかる光ピックアップは、レーザービームを受光するフォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力信号を増幅する増幅回路とを備える光ピックアップであって、前記増幅回路は、増幅部と、前記増幅部に接続されたゲイン決定用抵抗及び位相補償用キャパシタの複数の組み合わせと、前記複数の組み合わせの中から少なくとも１つを選択するスイッチ手段と、を備える、ことを特徴とする。これによれば、光ピックアップ内の増幅回路において、ゲイン決定用抵抗の抵抗値を変化させても最適な位相補償結果を得ることができるようになる。

このように、本発明によれば、ゲイン決定用抵抗の抵抗値を変化させても最適な位相補償結果を得ることのできる増幅回路が得られる。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。

［実施形態１］
図１は、本発明の実施形態１にかかる増幅回路１及びフォトダイオード２の基本構成を示す回路図である。

図１に示すように、増幅回路１はオペアンプ１０（増幅部）を備えて構成される。このオペアンプ１０は差動増幅回路２０（第１の増幅器）及びソースフォロア回路３０（第２の増幅器）からなり、これらが従属接続された構成を有している。つまり、差動増幅回路２０が第１段の増幅回路を、ソースフォロア回路３０が第２段の増幅回路をそれぞれ構成している。

差動増幅回路２０の反転入力端子（−）にはフォトダイオード２が接続され、差動増幅回路２０の非反転入力端子（＋）には基準電圧源１４が接続されている。また、増幅回路１は、ソースフォロア回路３０の出力端と差動増幅回路２０の反転入力端子（−）とを接続する帰還回路を備えている。この帰還回路は、増幅回路１のゲイン決定用抵抗としての帰還抵抗（ここでは抵抗１６−１と抵抗１６−２の２つ）を含んで構成される。これらの構成により、増幅回路１は所謂反転増幅回路を構成している。

また、増幅回路１は、抵抗１６及びキャパシタ１７の複数の組み合わせと、複数の組み合わせの中から少なくとも１つを選択するスイッチ手段と、を備えている。ここでは、この組み合わせは、抵抗１６−１、キャパシタ１７−１−１、及びキャパシタ１７−１−２からなる第１の組み合わせと、抵抗１６−２、キャパシタ１７−２−１、及びキャパシタ１７−２−２からなる第２の組み合わせと、を含んで構成される。また、スイッチ手段は、スイッチ１８−１−１，１８−１−２，１８−２−１，及び１８−２−２により構成される。これらの構成の詳細については後述する。

一方、フォトダイオード２は、光ディスクにて反射したレーザービームを受光し、光電変換を行う素子である。一例では、フォトダイオード２はＰＮダイオード、逆バイアス電源、抵抗を含んで構成され、ＰＮダイオードにレーザービームが当たることによって抵抗の両端の電圧が変動する。この電圧は所定の電圧値（バイアス電圧）を基準として上下に変動し、フォトダイオード２の出力Ｖｉｎとなる。以下では、このバイアス電圧は１．６５Ｖであるとする。

フォトダイオード２の出力Ｖｉｎはまず差動増幅回路２０に供給され、さらに差動増幅回路２０の出力がソースフォロア回路３０に供給される。これらの構成により、増幅回路１は、フォトダイオード２の出力Ｖｉｎを増幅して出力する。その結果、増幅回路１の出力Ｖｏｕｔには、受光したレーザービームの強度に応じた出力が得られる。

図２は、本実施形態による増幅回路１をより詳細に示す回路図である。

図２に示すように、差動増幅回路２０は、カレントミラー接続されたＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２１，２２と、トランジスタ２１，２２にそれぞれ直列接続されたＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２３，２４と、トランジスタ２３，２４のソースに接続された定電流源２５によって構成されている。トランジスタ２３のゲートはフォトダイオード２に接続され、トランジスタ２４のゲートは基準電圧源１４に接続されている。基準電圧源１４はフォトダイオード２のバイアス電圧と同値の電圧（ここでは１．６５Ｖ。）を発生する。差動増幅回路２０の出力は、トランジスタ２１とトランジスタ２３の接続点から取り出される。

ソースフォロア回路３０は、差動増幅回路２０の出力がゲートに供給されるＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３１と、トランジスタ３１のソースに接続された定電流源３２によって構成されている。ソースフォロア回路３０の出力は、トランジスタ３１のソースから取り出され、増幅回路１の出力Ｖｏｕｔとなる。トランジスタ３１は、いわゆるデプレッション型のＭＯＳトランジスタである。すなわち、トランジスタ３１のしきい値電圧Ｖｔｈはゼロ又はマイナス値である。

なお、トランジスタ２１，２２の各ソース，及びトランジスタ３１のドレインには電源電圧Ｖｄｄが供給されている。

ここで、増幅回路１の電圧増幅度（ゲイン）は、抵抗１６の抵抗値とフォトダイオード２の内部抵抗値の調節により、適宜設定される。ただし、フォトダイオード２の出力電圧がバイアス電圧の電圧値１．６５Ｖである場合、電圧増幅度にかかわらず、ソースフォロア回路３０の出力電圧（トランジスタ３１のソース電圧）は約１．６５Ｖ程度となる。

トランジスタ３１のしきい値電圧をＶｔｈとすると、トランジスタ３１のゲート電圧は、Ｖｏｕｔ＋Ｖｔｈで与えられるが、本実施形態においてはトランジスタ３１がデプレッション型であるため、Ｖｔｈ≦０である。したがって、トランジスタ３１のゲート電圧は、ソース電圧とほぼ同じか、寧ろこれよりも低くなる。例えば、しきい値電圧Ｖｔｈがほぼ０Ｖであるとすると、トランジスタ３１のゲート電圧は出力Ｖｏｕｔの電圧とほぼ一致することになる。その結果、例えば出力Ｖｏｕｔの電圧が約１．６５Ｖであるとすれば、トランジスタ３１のゲート電圧も約１．６５Ｖとなる。

これにより、カレントミラー回路を構成するトランジスタ２１，２２のソースドレイン間電圧が、トランジスタ３１としてエンハンスメント型のトランジスタを用いる場合に比べて拡大される。つまり、トランジスタ３１としてエンハンスメント型のトランジスタを用いると、トランジスタ３１のゲート電圧は出力Ｖｏｕｔの電圧よりもしきい値電圧分高くなり、その結果、トランジスタ２１，２２のソースドレイン間電圧が低下し、ダイナミックレンジが狭くなる。このため、ダイナミックレンジを十分に確保するためには、上述したように、電源電圧Ｖｄｄを高くする必要が生じる。

これに対し、本実施形態では、トランジスタ３１としてデプレッション型のトランジスタを用いていることから、電源電圧Ｖｄｄが比較的低くてもダイナミックレンジを十分に確保することが可能となる。例えば、電源電圧Ｖｄｄが３．３Ｖであるとすると、トランジスタ２１，２２のソースドレイン間電圧の振幅の最大値（差動増幅回路２０が出力し得る信号の振幅の最大値）は約１．６５Ｖ（＝３．３Ｖ−１．６５Ｖ（フォトダイオード２のバイアス電圧の電圧値））となり、十分な振幅が確保される。なお、この場合における増幅回路１のダイナミックレンジの上限値は３．３Ｖとなる。

なお、本実施形態ではトランジスタ３１としてデプレッション型のＭＯＳトランジスタを用いているが、エンハンスメント型のＭＯＳトランジスタをトランジスタ３１として用いることも可能である。

さて、各抵抗１６、各キャパシタ１７、及び上記スイッチ手段の構成について、以下で詳細に説明する。

まず、図１及び図２に示すように、キャパシタ１７−１−１及び１７−２−１は、それぞれ対応する抵抗１６（同じ組み合わせ内の抵抗１６）と並列回路を構成している。一方、キャパシタ１７−１−２及び１７−２−２については、一端が接地され、他端が差動増幅回路２０の出力端とソースフォロア回路３０の入力端との間に接続されている。

キャパシタ１７−１−１及び１７−２−１についてより詳しく説明する。まず、抵抗１６−１は、ソースフォロア回路３０の出力端と差動増幅回路２０の反転入力端子（−）とを接続している。抵抗１６−２は、ソースフォロア回路３０の出力端及び抵抗１６−１の間と、差動増幅回路２０の反転入力端子（−）及び抵抗１６−１の間と、に接続されている。なお、以下では、抵抗１６−１から差動増幅回路２０の反転入力端子（−）に至る回路と、抵抗１６−２から差動増幅回路２０の反転入力端子（−）に至る回路との接続点を接続点Ａと称する。また、抵抗１６−２からソースフォロア回路３０の出力端に至る回路と、抵抗１６−２からソースフォロア回路３０の出力端に至る回路との接続点を接続点Ｃと称する。

キャパシタ１７−１−１は、抵抗１６−１と差動増幅回路２０の入力端の間の回路上の接続点Ａより抵抗１６−１側と、抵抗１６−１とソースフォロア回路３０の出力端の間の回路上の接続点Ｃより抵抗１６−１側と、に接続されている。なお、以下では、抵抗１６−１から接続点Ａに至る回路と、キャパシタ１７−１−１から接続点Ａに至る回路の接続点を接続点Ｂ１と称する。

同様に、キャパシタ１７−２−１は、抵抗１６−２と差動増幅回路２０の入力端の間の回路上の接続点Ａより抵抗１６−２側と、抵抗１６−２とソースフォロア回路３０の出力端の間の回路上の接続点Ｃより抵抗１６−２側と、に接続されている。なお、以下では、抵抗１６−２から接続点Ａに至る回路と、キャパシタ１７−２−１から接続点Ａに至る回路の接続点を接続点Ｂ２と称する。

次に、スイッチ手段について説明する。上述したように、スイッチ手段はスイッチ１８−１−１，１８−１−２，１８−２−１，及び１８−２−２により構成されており、このうち、スイッチ１８−１−１は接続点Ａと接続点Ｂ１の間に、スイッチ１８−２−１は接続点Ａと接続点Ｂ２の間に、それぞれ設けられている。また、スイッチ１８−１−２は、差動増幅回路２０の出力端とソースフォロア回路３０の入力端との間と、キャパシタ１７−１−２と、に接続されている。さらに、スイッチ１８−２−２は、差動増幅回路２０の出力端とソースフォロア回路３０の入力端との間と、キャパシタ１７−２−２と、に接続されている。

スイッチ手段は、各スイッチ１８の動作により、上述した第１の組み合わせ又は第２の組み合わせのいずれかを選択する。この動作の結果、選択された組み合わせは回路に組み入れられ、選択されなかった組み合わせは回路から外される。

具体的には、外部からロー信号が入力されたときに、スイッチ手段は第１の組み合わせを選択する。すなわち、外部からロー信号が入力されたときに、スイッチ１８−１−１及びスイッチ１８−１−２がともにオンとなり、スイッチ１８−２−１及びスイッチ１８−２−２がともにオフとなる。この動作の結果、抵抗１６−１が帰還抵抗となり、キャパシタ１７−１−１が進み位相補償を、キャパシタ１７−１−２がゼロ点調節による位相補償を、それぞれ行うことになる。

一方、ハイ信号が入力されたときには、スイッチ手段は第２の組み合わせを選択する。すなわち、外部からロー信号が入力されたときに、スイッチ１８−１−１及びスイッチ１８−１−２がともにオフとなり、スイッチ１８−２−１及びスイッチ１８−２−２がともにオンとなる。この動作の結果、抵抗１６−２が帰還抵抗となり、キャパシタ１７−２−１が進み位相補償を、キャパシタ１７−２−２がゼロ点調節による位相補償を、それぞれ行うことになる。

このように、増幅回路１では、外部信号によって帰還抵抗が切り替わることによって電圧増幅度を切り替えることができるようにされている。そしてその際、帰還抵抗のみでなく位相補償用のキャパシタも切り替えることができるので、帰還抵抗の抵抗値を変化させても最適な位相補償結果を得ることが可能となっている。

なお、上記実施形態では帰還抵抗を切り替え可能に構成したが、フォトダイオード２の内部抵抗を切り替え可能に構成してもよい。この場合においても、内部抵抗の抵抗値に応じた容量の位相補償キャパシタを予め用意しておき、内部抵抗の切り替えとともにキャパシタも切り替えるようにすることで、内部抵抗の抵抗値を変化させても最適な位相補償結果を得ることが可能となる。

［実施形態２］
増幅回路１は、フォトダイオード２と同一チップ上に集積することができ、このようなチップは、通常、フォトダイオードＩＣ（ＰＤＩＣ）と呼ばれる。本実施形態では、このＰＤＩＣを用いる光記録再生装置の回路構成の具体例を挙げ、さらに、この光記録再生装置内において用いられる光ピックアップの構成について説明する。

まず、図３は、光ディスクの記録再生を行う光記録再生装置において用いられるＰＤＩＣ１００の外観例を示す図である。同図に示すＰＤＩＣ１００は、光記録再生装置の中でも特にＣＤ(Compact Disc)／ＤＶＤ／ＢＤ(Blu-ray Disc(登録商標))コンパチブルレコーダーに用いられるものであり、２０個のフォトダイオード（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ１，ｅ２，ｆ１，ｆ２）を備えている。各フォトダイオードは、それぞれ受光部Ｒ−１〜６のいずれかに配置されている。

受光部Ｒ−１〜３はＢＤ／ＤＶＤ記録再生用に用いられるものである。受光部Ｒ−１は４つのフォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄにより構成され、ＢＤ又はＤＶＤで反射したメインビームＭＢを受光する。また、受光部Ｒ−２は４つのフォトダイオードＥ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４により構成され、ＢＤ又はＤＶＤで反射したサブビームＳＢ１を受光する。また、受光部Ｒ−３は４つのフォトダイオードＦ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４により構成され、ＢＤ又はＤＶＤで反射したサブビームＳＢ２を受光する。

受光部Ｒ−４〜６はＣＤ記録再生用に用いられるものである。受光部Ｒ−４は４つのフォトダイオードａ，ｂ，ｃ，ｄにより構成され、ＣＤで反射したメインビームＭＢを受光する。また、受光部Ｒ−５は２つのフォトダイオードｅ１，ｅ２により構成され、ＣＤで反射したサブビームＳＢ１を受光する。また、受光部Ｒ−６は２つのフォトダイオードｆ１，ｆ２により構成され、ＣＤで反射したサブビームＳＢ２を受光する。

図４及び図５は、増幅回路１を含む上記ＰＤＩＣ１００の内部回路構成を示す図である。なお、図４及び図５は、２つの図で１つのＰＤＯＣ１００の内部回路構成を示しており、実際には図４の下部と図５の上部とがつながっている。各フォトダイオードにかかる回路構成には互いに類似している部分が多いので、以下では、フォトダイオードＡ及びフォトダイオードａに着目して説明を行うこととする。

図４に示す回路４０は、フォトダイオードＡ及びフォトダイオードａの他、実施形態１で説明した増幅回路１を含み、さらにスイッチ４１及びリミッタ回路４２を含んで構成される。

増幅回路１の反転入力端子（−）（＝差動増幅回路２０の反転入力端子（−））には、外部からの制御に応じたスイッチ４１の動作により、記録再生対象メディアがＢＤ又はＤＶＤである場合にフォトダイオードＡが接続され、記録再生対象メディアがＣＤである場合にフォトダイオードａが接続される。一方、増幅回路１の非反転入力端子（＋）（＝差動増幅回路２０の非反転入力端子（＋））には、所定電圧の電源Ｖｓが接続される。これらの構成により、増幅回路１は、フォトダイオードの出力信号に増幅処理を施す。

増幅回路１内のスイッチ１８−１−１、スイッチ１８−１−２、スイッチ１８−２−１、及びスイッチ１８−２−２（図４では図示していない）のオンオフは、ゲイン制御部５０により制御される。ゲイン制御部５０は、外部からの指示に従ってハイ信号又はロー信号を生成することにより各スイッチ１８を制御する。

リミッタ回路４２は、増幅回路１から出力された信号の振幅が所定の最大値を超えている場合、超えた分の振幅をクリップして、後段に出力する。

リミッタ回路４２の出力信号は、端子ＶＡ／Ｖａから出力されるとともに、合成回路６０にも入力される。端子ＶＡ／Ｖａからの出力信号は、図示しない制御回路において、光スポットのデフォーカスやトラックからのずれを検出するためのサーボ信号として用いられる。

合成回路６０には、上記リミッタ回路４２の出力信号の他、フォトダイオードＢ，Ｃ，Ｄ又はフォトダイオードｂ，ｃ，ｄからも同様にリミッタ回路の出力信号が入力される。これらの各出力信号は合成され、端子ＶＲＦＰ及び端子ＶＲＦＮから出力される。なお、端子ＶＲＦＰ及び端子ＶＲＦＮの出力信号は互いに逆相となる。こうして出力される信号は、図示しない制御回路において、記録されているデータを示すデータ信号として用いられる。

次に、図６は、上記ＰＤＩＣ１００を備える光ピックアップ１０１の構成を示す模式図である。

図６に示すように、光ピックアップ１０１は、レーザ光源１０２と、レーザ光源１０２からのレーザービームを複数に分割する回折格子１０３と、回折格子１０３から出射されたレーザービームを平行光にするコリメートレンズ１０４と、平行光とされたレーザービームを光ディスク２００側へ導くミラー１０５と、ミラー１０５で反射されたレーザービームを円偏光に変換して対物レンズ１０６に入射する１／４波長板１１０と、１／４波長板１１０から入射されたレーザービームをディスク面に収束させる対物レンズ１０６と、光ディスク２００により反射されミラー１０５でさらに反射された光をＰＤＩＣ１００側へ導くビームスプリッタ１０７と、ビームスプリッタ１０７からの反射光を収束させるアナモフィックレンズ１０８と、アナモフィックレンズ１０８によって収束された反射光を受光するＰＤＩＣ１００とを備えている。ＰＤＩＣ１００は、上述したように２０個のフォトダイオードを備え、各フォトダイオードは、上記反射光を受光して光電変換し、反射光の強度に応じた電圧信号を出力する。

なお、光ディスク２００に対する対物レンズ１０６の位置は、対物レンズ駆動装置１０９によって高精度に制御される。詳細には、対物レンズ１０６をフォーカス方向へ駆動することにより、光ディスク２００の記録面にビームスポットの焦点を合わせるフォーカス補正が行われ、トラッキング方向へ駆動することにより、光ディスク２００のトラックにビームスポットを追従させるトラッキング補正が行われる。また、タンジェンシャル方向を回転軸にして対物レンズ１０６をトラッキング方向に回転させることにより、ディスクの反りに対応するチルト角の補正が行われる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

例えば、上記実施形態では、本発明による増幅回路をＰＤＩＣに適用した場合を例に説明したが、本発明の適用範囲がこれに限定されるものではない。

また、差動増幅回路の構成についても図２に示した構成に限定されず、これとは異なる回路構成を有していても構わない。

本発明の実施形態１にかかる増幅回路の基本構成を示す回路図である。 本発明の実施形態１にかかる増幅回路をより詳細に示す回路図である。 本発明の実施形態２にかかるＰＤＩＣの外観例を示す図である。 本発明の実施形態２にかかるＰＤＩＣの内部回路構成を示す図である。 本発明の実施形態２にかかるＰＤＩＣの内部回路構成を示す図である。 本発明の実施形態２にかかるＰＤＩＣを備える光ピックアップの構成を示す模式図である。 本発明の背景技術にかかる増幅回路の基本構成を示す回路図である。

符号の説明

１ 増幅回路
２，Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４，ｅ１，ｅ２，ｆ１，ｆ２ フォトダイオード
１０ オペアンプ
１４ 基準電圧源
１６ 抵抗
１７ キャパシタ
１８，４１ スイッチ
２０ 差動増幅回路
２１，２２ ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ
２３，２４ ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ
３１ デプレッション型トランジスタ
２５，３２ 定電流源
３０ ソースフォロア回路
４０ 回路
４２ リミッタ回路
５０ ゲイン制御部
６０ 合成回路
１０１ 光ピックアップ
１０２ レーザ光源
１０３ 回折格子
１０４ コリメートレンズ
１０５ ミラー
１０６ 対物レンズ
１０７ ビームスプリッタ
１０８ アナモフィックレンズ
１０９ 対物レンズ駆動装置
１１０ １／４波長板
２００ 光ディスク

Claims (7)

1. 増幅部と、
   前記増幅部に接続されたゲイン決定用抵抗及び位相補償用キャパシタの複数の組み合わせと、
   前記複数の組み合わせの中から少なくとも１つを選択するスイッチ手段と、
   を備えることを特徴とする増幅回路。
2. 前記ゲイン決定用抵抗は、前記増幅部の出力端と入力端の間に接続された帰還抵抗である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の増幅回路。
3. 前記位相補償用キャパシタと前記ゲイン決定用抵抗とは並列回路を構成する、
   ことを特徴とする請求項２に記載の増幅回路。
4. 前記増幅部は従属接続された少なくとも第１及び第２の増幅器からなり、
   前記位相補償用キャパシタの一端は接地され、他端は前記第１の増幅器の出力端と前記第２の増幅器の入力端との間に接続される、
   ことを特徴とする請求項２に記載の増幅回路。
5. 前記増幅部は従属接続された少なくとも第１及び第２の増幅器からなり、
   前記各組み合わせはそれぞれ２つの位相補償用キャパシタを含み、
   前記２つの位相補償用キャパシタのうちの一方と前記ゲイン決定用抵抗とは並列回路を構成し、
   前記２つの位相補償用キャパシタのうちの他方の一端は接地され、他端は前記第１の増幅器の出力端と前記第２の増幅器の入力端との間に接続される、
   ことを特徴とする請求項２に記載の増幅回路。
6. 前記増幅部の入力信号がフォトダイオードの出力信号であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の増幅回路。
7. レーザービームを受光するフォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力信号を増幅する増幅回路とを備える光ピックアップであって、
   前記増幅回路は、
   増幅部と、
   前記増幅部に接続されたゲイン決定用抵抗及び位相補償用キャパシタの複数の組み合わせと、
   前記複数の組み合わせの中から少なくとも１つを選択するスイッチ手段と、
   を備える、
   ことを特徴とする光ピックアップ。

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