JP2009088419A

JP2009088419A - Electroluminescent device and its manufacturing method, and display device

Info

Publication number: JP2009088419A
Application number: JP2007259337A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiko Takahashi; 祐彦高橋; Koichi Suzuki; 幸一鈴木; Kazunori Ueno; 和則上野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2007-10-03
Filing date: 2007-10-03
Publication date: 2009-04-23

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electroluminescent device having a luminescent layer containing semiconductor nano particles, wherein luminescence derived from compounds other than the semiconductor nano particles is minimized as much as possible. <P>SOLUTION: The electroluminescent device 1 comprises an anode (a transparent electrode 12) and a cathode 16, and a laminate held between the anode and the cathode 16 and having at least a hardened film layer 13 and the luminescent layer (a nano particle luminescent layer) 14 laminated in sequence. The luminescent layer 14 and the hardened film layer 13 are close to each other, and the luminescent layer 14 contains the semiconductor nano particles. The hardened film layer 13 contains at least one of cross-linking agent and is a hardened film where cross-linking agent is polymerized. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は電界発光素子及びその製造方法、並びに表示装置に関する。 The present invention relates to an electroluminescent element, a manufacturing method thereof, and a display device.

有機電界発光素子（ＯＬＥＤ；ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）は、蛍光又は燐光発光性有機化合物、電荷輸送性有機化合物等を薄膜状に形成し、電極で挟み込んだ構造の発光素子である。この電極間に電圧を印加することにより、電子と正孔とが有機薄膜中に注入され再結合することにより、発光性有機化合物内に励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、ＯＬＥＤは光を放出する。 An organic light emitting device (OLED) is a light emitting device having a structure in which a fluorescent or phosphorescent organic compound, a charge transporting organic compound, or the like is formed in a thin film and sandwiched between electrodes. When a voltage is applied between the electrodes, electrons and holes are injected into the organic thin film and recombined to generate excitons in the light-emitting organic compound, and these excitons return to the ground state. In addition, the OLED emits light.

ＯＬＥＤは、低電圧駆動、高発光効率、高速応答、自発光で視野角制限が無い、多様な発光波長、軽量といった特徴を持ち、薄型ディスプレイから照明まで、幅広い分野において次世代の発光デバイスとして期待されている。 OLED has features such as low voltage drive, high luminous efficiency, high-speed response, self-emission, no viewing angle limitation, various emission wavelengths, and light weight, and is expected as a next-generation light-emitting device in a wide range of fields from thin displays to lighting Has been.

ところで、大きさが数ｎｍ乃至２０ｎｍ程度である半導体ナノ粒子は、発光材料として有用であり、多くの報告がなされている。例えばＣｄＳｅナノ粒子は、発光性有機化合物と比べて、耐久性が高く、スペクトル幅が狭く、同一材料でも粒径により発光色の制御可能である、といった特徴を持つ。さらに、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ等のコアシェル構造にすることで、表面欠陥の不活性化や内部量子閉じ込めの増大といった効果が得られ、５０％を超える高い内部量子効率が実現されている。このような半導体ナノ粒子を用いることで、バルクでは見られないような物理的・化学的性質が発現し、従来以上の特性をもつデバイスの実現が期待されている。 Meanwhile, semiconductor nanoparticles having a size of several nanometers to 20 nm are useful as a light emitting material, and many reports have been made. For example, CdSe nanoparticles have characteristics such as high durability, narrow spectrum width, and control of emission color depending on the particle diameter even with the same material, compared with luminescent organic compounds. Furthermore, by using a core-shell structure such as CdSe / ZnS, effects such as inactivation of surface defects and an increase in internal quantum confinement are obtained, and a high internal quantum efficiency exceeding 50% is realized. By using such semiconductor nanoparticles, physical and chemical properties that cannot be seen in the bulk are expressed, and realization of devices having characteristics higher than those of conventional devices is expected.

また、半導体ナノ粒子の最表面を有機化合物からなる配位子で覆うと、半導体ナノ粒子同士が凝集することなく有機溶媒中に分散できる。これにより、電界発光素子の製作プロセスにおいて半導体ナノ粒子からなる薄膜を塗布成膜することが可能であり、低コストかつ大面積な発光デバイスへの対応も期待できる。 Further, when the outermost surface of the semiconductor nanoparticles is covered with a ligand made of an organic compound, the semiconductor nanoparticles can be dispersed in the organic solvent without agglomeration. Thereby, it is possible to apply and form a thin film made of semiconductor nanoparticles in the process of manufacturing the electroluminescent element, and it can be expected to correspond to a low-cost and large-area light-emitting device.

一方、半導体ナノ粒子を発光材料とした電界発光素子に関してはいくつか報告されている。例えば、非特許文献１では、塗布による簡易なプロセスで、ＣｄＳｅ／ＺｎＳナノ粒子薄膜を成膜することで得られた電界発光素子について、３０ｎｍ前後の非常に狭いスペクトル幅を実現したことが報告されている。しかし、これまで報告されているナノ粒子を構成材料とする電界発光素子では、電圧を印加する際に、半導体ナノ粒子由来の発光とは別種の、スペクトル幅が広く、かつ発光ピーク位置も半導体ナノ粒子とは異なる発光スペクトルが混ざっていた。これは、正孔輸送層と電子輸送層とが発光層面内で半導体ナノ粒子を介することなく直接接合することで発生した界面由来の発光と考えられる。この界面が存在することにより、本来半導体ナノ粒子に期待されている高い色純度が得られないことが課題となっている。 On the other hand, several electroluminescent devices using semiconductor nanoparticles as a light emitting material have been reported. For example, Non-Patent Document 1 reports that an electroluminescent device obtained by forming a CdSe / ZnS nanoparticle thin film by a simple process by coating has realized a very narrow spectral width of about 30 nm. ing. However, in the electroluminescent device composed of nanoparticles reported so far, when a voltage is applied, it is different from the emission derived from semiconductor nanoparticles, and has a broad spectrum width and the emission peak position is also different from that of semiconductor nanoparticles. Emission spectra different from the particles were mixed. This is considered to be light emission originating from the interface generated by directly bonding the hole transport layer and the electron transport layer in the plane of the light emitting layer without passing through the semiconductor nanoparticles. Due to the presence of this interface, the high color purity originally expected for semiconductor nanoparticles cannot be obtained.

このような半導体ナノ粒子以外の発光を抑制するための手段としては、半導体ナノ粒子の面方向の密度が極力高く、正孔輸送層と電子輸送層との直接接合により発生する界面がほとんどないナノ粒子発光層を形成することが挙げられる。ここで非特許文献１では、半導体ナノ粒子と正孔輸送材料との混合液を塗布し、自然な相分離を利用して、正孔輸送層の上面にナノ粒子発光層を形成している。また、特許文献１ではナノ粒子を含む発光層を塗布形成する際に使用する溶媒を、ヘキサン等の下層の正孔輸送層を構成する高分子材料を溶解しない溶媒にすることで、ナノ粒子を含む発光層を高い膜密度で形成している。 As a means for suppressing light emission other than such semiconductor nanoparticles, the density of the semiconductor nanoparticles in the plane direction is as high as possible, and there is almost no interface generated by direct bonding between the hole transport layer and the electron transport layer. For example, a particle light emitting layer is formed. Here, in Non-Patent Document 1, a mixed solution of semiconductor nanoparticles and a hole transport material is applied, and a nanoparticle light emitting layer is formed on the upper surface of the hole transport layer using natural phase separation. Moreover, in patent document 1, the solvent used when apply | coating formation of the light emitting layer containing a nanoparticle is made into the solvent which does not melt | dissolve the polymeric material which comprises lower hole transport layers, such as hexane, A nanoparticle is made. The light emitting layer is formed with a high film density.

特開２００５−３５３５９５号公報JP 2005-353595 A Ｎａｔｕｒｅ，２００２、Ｖｏｌ．４２０，ｐ．８００Nature, 2002, Vol. 420, p. 800

しかし、相分離を利用してナノ粒子発光層を形成する方法（例えば非特許文献１）では、塗布溶液中の半導体ナノ粒子の濃度や塗布条件、塗布後の膜の扱い等、種々の要因によりナノ粒子発光層の構造が大きく影響を受ける。そのため、半導体ナノ粒子以外の化合物に由来する発光の抑制が非常に困難である。一方、ナノ粒子発光層を塗布形成する際に使用する溶媒を工夫する手法（例えば特許文献１）では、下層の正孔輸送材料と、ナノ粒子発光層用塗布溶液として使用する溶媒との組み合わせが極度な限定を受けてしまう。 However, in the method of forming a nanoparticle light-emitting layer using phase separation (for example, Non-Patent Document 1), it depends on various factors such as the concentration of semiconductor nanoparticles in the coating solution, coating conditions, and handling of the film after coating. The structure of the nanoparticle emitting layer is greatly affected. Therefore, it is very difficult to suppress light emission derived from compounds other than semiconductor nanoparticles. On the other hand, in the technique of devising the solvent used when applying and forming the nanoparticle light emitting layer (for example, Patent Document 1), the combination of the lower layer hole transport material and the solvent used as the coating solution for the nanoparticle light emitting layer is used. You will receive extreme limitations.

また、半導体ナノ粒子以外の発光成分をカラーフィルター等により除去する構造にすると、少なからず半導体ナノ粒子由来の発光もカラーフィルターによる吸収を受けるため、素子の発光効率が低下する。 In addition, when a structure in which a light emitting component other than semiconductor nanoparticles is removed by a color filter or the like, light emission derived from the semiconductor nanoparticles is absorbed by the color filter, and the light emission efficiency of the device is lowered.

さらに、塗布型のＯＬＥＤでよく使用される水溶性のポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子材料から構成される正孔注入層の上に、半導体ナノ粒子薄膜を溶液塗布によって均一に成膜するのは困難である。その上、成膜したとしても得られる素子において駆動時の安定性は著しく低いものである。 Furthermore, a semiconductor nanoparticle thin film is applied onto a hole injection layer made of a polymer material such as water-soluble polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS), which is often used in coating-type OLEDs. Therefore, it is difficult to form a uniform film. Moreover, the stability of the element obtained even when it is formed is extremely low.

ところで、半導体ナノ粒子を含む電界発光素子において、半導体ナノ粒子が本来持つ発光特性を十分に活かすためには、半導体ナノ粒子以外の発光の混在を抑制することが必要である。また、半導体ナノ粒子を含む電界発光素子技術のさらなる発展のためには、材料・プロセス面での制限が少ない、ナノ粒子発光層の形成法が必要である。 By the way, in an electroluminescence device including semiconductor nanoparticles, in order to fully utilize the light emission characteristics inherent to the semiconductor nanoparticles, it is necessary to suppress the mixture of light emission other than the semiconductor nanoparticles. Further, in order to further develop the electroluminescent device technology including semiconductor nanoparticles, a method for forming a nanoparticle light-emitting layer with less restrictions on materials and processes is required.

本発明の目的は、半導体ナノ粒子以外の化合物に由来する発光が極力押さえられた、半導体ナノ粒子からなる発光層を有する電界発光素子を提供することにある。 The objective of this invention is providing the electroluminescent element which has the light emitting layer which consists of a semiconductor nanoparticle by which light emission derived from compounds other than a semiconductor nanoparticle was suppressed as much as possible.

本発明の電界発光素子は、陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に挟持され少なくとも硬化膜層と発光層とがこの順で積層される積層体と、から構成され、該発光層と該硬化膜層とは隣接し、該発光層が半導体ナノ粒子を含み、該硬化膜層が少なくとも一種類の架橋剤を含み該架橋剤が重合した硬化膜であることを特徴とする。 The electroluminescent element of the present invention comprises an anode, a cathode, and a laminate in which at least a cured film layer and a light emitting layer are laminated in this order, sandwiched between the anode and the cathode, and the light emitting layer And the cured film layer are adjacent to each other, the light-emitting layer includes a semiconductor nanoparticle, and the cured film layer includes at least one crosslinking agent, and is a cured film obtained by polymerizing the crosslinking agent.

本発明によれば、半導体ナノ粒子以外の化合物に由来する発光が極力押さえられた、半導体ナノ粒子からなる発光層を有する電界発光素子を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the electroluminescent element which has the light emitting layer which consists of a semiconductor nanoparticle by which light emission derived from compounds other than a semiconductor nanoparticle was suppressed as much as possible can be provided.

まず、本発明の電界発光素子について説明する。本発明の電界発光素子は、陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に挟持され少なくとも硬化膜層と発光層とがこの順で積層される積層体と、から構成される。また該発光層と該硬化膜層とは隣接する。 First, the electroluminescent element of the present invention will be described. The electroluminescent element of the present invention comprises an anode, a cathode, and a laminate that is sandwiched between the anode and the cathode and at least a cured film layer and a light emitting layer are laminated in this order. The light emitting layer and the cured film layer are adjacent to each other.

以下、図面を参照しながら本発明の電界発光素子について詳細に説明する。 Hereinafter, the electroluminescent device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１は、本発明の電界発光素子における第一の実施形態を示す断面図である。図１の電界発光素子１は、基板１１上に、透明電極１２、硬化膜層１３、発光層１４、電子輸送層１５及び陰極１６が順次設けられている。尚、透明電極１２と陰極１６とは、電源１７を介して電気的に接続されている。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of the electroluminescent element of the present invention. In the electroluminescent device 1 of FIG. 1, a transparent electrode 12, a cured film layer 13, a light emitting layer 14, an electron transport layer 15, and a cathode 16 are sequentially provided on a substrate 11. The transparent electrode 12 and the cathode 16 are electrically connected via a power source 17.

図２は、本発明の電界発光素子における第二の実施形態を示す断面図である。図２の電界発光素子２は、図１の電界発光素子１において、透明電極１２と硬化膜層１３との間に正孔注入層２１が設けられている。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the electroluminescent element of the present invention. The electroluminescent element 2 in FIG. 2 is different from the electroluminescent element 1 in FIG. 1 in that a hole injection layer 21 is provided between the transparent electrode 12 and the cured film layer 13.

図３は、本発明の電界発光素子における第三の実施形態を示す断面図である。図３の電界発光素子３は、図２の電界発光素子２において、発光層１４と電子輸送層１５との間に正孔ブロック層３１が設けられている。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing a third embodiment of the electroluminescent element of the present invention. The electroluminescent element 3 in FIG. 3 is different from the electroluminescent element 2 in FIG. 2 in that a hole blocking layer 31 is provided between the light emitting layer 14 and the electron transport layer 15.

ただし、本発明の電界発光素子の実施形態はこれらに限定されず、介在層として、電子注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等をさらに設けてもよい。 However, embodiments of the electroluminescent element of the present invention are not limited to these, and an electron injection layer, a hole transport layer, an electron block layer, and the like may be further provided as an intervening layer.

ここで、本発明の電界発光素子において、発光層１４は半導体ナノ粒子を含む層である。以下、発光層１４は、ナノ粒子発光層と呼ぶことがある。 Here, in the electroluminescent element of the present invention, the light emitting layer 14 is a layer containing semiconductor nanoparticles. Hereinafter, the light emitting layer 14 may be referred to as a nanoparticle light emitting layer.

ナノ粒子発光層１４に含まれる半導体ナノ粒子とは、エネルギー吸収による励起状態からの緩和、もしくは、ナノ粒子中での電荷再結合により発光する微粒子である。また、この微粒子の粒径は、０．１ｎｍ乃至１μｍであり、好ましくは、１ｎｍ乃至２０ｎｍである。 The semiconductor nanoparticles contained in the nanoparticle light-emitting layer 14 are fine particles that emit light by relaxation from an excited state due to energy absorption or charge recombination in the nanoparticles. The particle diameter of the fine particles is 0.1 nm to 1 μm, preferably 1 nm to 20 nm.

半導体ナノ粒子として、具体的には、ＩＩ−ＶＩ族半導体であるＺｎＳ、ＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ等、ＩＩＩ−Ｖ族半導体であるＩｎＰ、ＧａＮ、ＧａＡｓ等、ＩＶ族半導体であるＳｉ、Ｇｅ等が挙げられる。 Specific examples of semiconductor nanoparticles include II-VI group semiconductors such as ZnS, ZnO, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, and CdTe, and III-V group semiconductors such as InP, GaN, and GaAs. Some Si, Ge, etc. are mentioned.

これらの半導体からなるナノ粒子発光材料は、二種類以上の化合物からなるコアシェル構造であってもよい。また、上記半導体材料中に微量の別の化学種がドープされていてもよい。ナノ粒子発光層１４を構成する半導体ナノ粒子発光材料としては、発光スペクトルの半値幅が狭いこと、粒径により発光色制御が可能なことから、ＣｄＳｅナノ粒子が望ましい。特に、ＣｄＳｅの表面がＺｎＳで被覆された構造のＣｄＳｅ／ＺｎＳコアシェル型ナノ粒子が、優れた発光量子収率を示すことから望ましい。ここで半導体ナノ粒子の表面は、トリオクチルフォスフィンオキサイド（ＴＯＰＯ）のような有機系配位子で覆われていてもよい。また、半導体ナノ粒子への電荷注入効率を向上させる目的で、正孔輸送性及び電子輸送性のいずれかを有する有機化合物系配位子を使用してもよい。ここで有機化合物系配位子の構造としては、下記に示されるものが例示されるが、本発明はこれらに限定されない。 The nanoparticle light-emitting material made of these semiconductors may have a core-shell structure made of two or more kinds of compounds. In addition, a small amount of another chemical species may be doped in the semiconductor material. As the semiconductor nanoparticle light-emitting material constituting the nanoparticle light-emitting layer 14, CdSe nanoparticles are desirable because the half-value width of the emission spectrum is narrow and the emission color can be controlled by the particle size. In particular, CdSe / ZnS core-shell type nanoparticles having a structure in which the surface of CdSe is coated with ZnS are desirable because they exhibit an excellent emission quantum yield. Here, the surface of the semiconductor nanoparticles may be covered with an organic ligand such as trioctylphosphine oxide (TOPO). Moreover, you may use the organic compound type ligand which has either a hole transport property and an electron transport property in order to improve the charge injection efficiency to a semiconductor nanoparticle. Here, examples of the structure of the organic compound-based ligand include those shown below, but the present invention is not limited thereto.

一方、本発明の電界発光素子において、硬化膜層１３は少なくとも一種類の架橋剤を含みこの架橋剤が重合した硬化膜である。 On the other hand, in the electroluminescent element of the present invention, the cured film layer 13 is a cured film containing at least one kind of crosslinking agent and polymerizing this crosslinking agent.

硬化膜に含まれ硬化膜層１３を形成する架橋剤としては、加熱や紫外線照射等により、分子間で架橋重合を形成する化合物を使用する。架橋剤の構造としては、架橋重合を形成する官能基を分子内に少なくとも１つ以上有することが必要である。具体的には、下記に示されるものが例示される。 As the crosslinking agent that is included in the cured film and forms the cured film layer 13, a compound that forms cross-linking polymerization between molecules by heating, ultraviolet irradiation, or the like is used. As a structure of the crosslinking agent, it is necessary to have at least one functional group forming a crosslinking polymerization in the molecule. Specifically, what is shown below is illustrated.

（式中、Ａは分子骨格を表し、Ｂは架橋重合を形成する官能基を表す。）

(In the formula, A represents a molecular skeleton, and B represents a functional group that forms cross-linking polymerization.)

ここで、Ａで表される分子骨格として、アルキル骨格、エーテル系骨格、π共役骨格等が例示されるが特に限定されない。好ましくは、下記に示される部分構造、又はこれらの部分構造を二種類以上組み合わせてなる部分構造である。尚、Ａで表される分子骨格には同一種の部分構造を２個以上連結してなる部分構造も含まれる。 Here, examples of the molecular skeleton represented by A include an alkyl skeleton, an ether skeleton, and a π-conjugated skeleton, but are not particularly limited. Preferably, it is a partial structure shown below, or a partial structure formed by combining two or more of these partial structures. The molecular skeleton represented by A includes a partial structure formed by connecting two or more partial structures of the same type.

（式中、ｎ及びｍは、それぞれ１以上、好ましくは、１以上１２以下の整数を表す。Ａｒは芳香族基、アリールアミノ基、縮合多環基、ヘテロ環基等のアリール基を表す。）

(In the formula, n and m each represent an integer of 1 or more, preferably 1 or more and 12 or less. Ar represents an aryl group such as an aromatic group, an arylamino group, a condensed polycyclic group, or a heterocyclic group. )

一方、Ｂで表される架橋重合を形成する官能基は、重合方法を適宜選択すれば特に制限はないが、加熱や紫外線照射等、硬化の容易さから、特に下記に示される官能基が望ましい。 On the other hand, the functional group forming the cross-linking polymerization represented by B is not particularly limited as long as the polymerization method is appropriately selected, but the functional groups shown below are particularly desirable from the viewpoint of easiness of curing such as heating and ultraviolet irradiation. .

（式中、Ｒは水素原子又はメチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基を表す。）

(In the formula, R represents a hydrogen atom or an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, or a propyl group.)

上記の分子骨格Ａ及び官能基Ｂを組み合わせた架橋剤である化合物として、好ましくは、アクリル化合物、スチレン化合物、エポキシ化合物又はオキセタン化合物である。これらの化合物は、薄膜を塗布した後、紫外線照射処理及び加熱処理のいずれかを行うことにより、容易に架橋重合反応を進行することができる。これらの化合物は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を組み合わせて使用してもよい。架橋剤として使用されるアクリル化合物、スチレン化合物、エポキシ化合物及びオキセタン化合物の具体例を以下に示す。ただし本発明はこれに限定されない。 The compound which is a crosslinking agent combining the molecular skeleton A and the functional group B is preferably an acrylic compound, a styrene compound, an epoxy compound, or an oxetane compound. These compounds can easily undergo a crosslinking polymerization reaction by applying either a UV irradiation treatment or a heat treatment after the thin film is applied. These compounds may be used alone or in combination of two or more. Specific examples of the acrylic compound, styrene compound, epoxy compound and oxetane compound used as the crosslinking agent are shown below. However, the present invention is not limited to this.

本発明の電界発光素子において、硬化膜層１３は、陽極となる透明電極１２とナノ粒子発光層１４との間に構成され、かつナノ粒子発光層１４に隣接する層である。またナノ粒子発光層１４内において効率的に電子と正孔との再結合を起こすためにも、硬化膜層１３に正孔輸送能を付与することがより望ましい。 In the electroluminescent element of the present invention, the cured film layer 13 is a layer that is configured between the transparent electrode 12 that serves as an anode and the nanoparticle light-emitting layer 14 and is adjacent to the nanoparticle light-emitting layer 14. Further, in order to efficiently cause recombination of electrons and holes in the nanoparticle light-emitting layer 14, it is more desirable to provide the cured film layer 13 with a hole transport capability.

ここで硬化膜に正孔輸送能を付与する方法としては、以下に挙げる方法が考えられる。 Here, as a method for imparting hole transport ability to the cured film, the following methods can be considered.

（１）硬化膜層１３中に正孔輸送性材料を含有させる方法（第一の方法）
（２）硬化膜層１３を構成する架橋剤分子自体に正孔輸送能を付与する方法（第二の方法）
第一の方法のように、硬化膜層１３中に正孔輸送性の高分子材料を含有することにより、硬化膜層１３からナノ粒子発光層１４への正孔輸送能を向上することができる。また、第二の方法のように、硬化膜層１３の構成材料である架橋剤自体が正孔輸送性を有していても同様の効果が得られる。以下、これらの手法について説明する。 (1) Method of containing hole transport material in cured film layer 13 (first method)
(2) Method of imparting hole transporting ability to the crosslinking agent molecule itself constituting the cured film layer 13 (second method)
By containing a hole transporting polymer material in the cured film layer 13 as in the first method, the hole transport ability from the cured film layer 13 to the nanoparticle light emitting layer 14 can be improved. . Moreover, the same effect is acquired even if the crosslinking agent itself which is a constituent material of the cured film layer 13 has hole transportability like the 2nd method. Hereinafter, these methods will be described.

まず、第一の方法について説明する。硬化膜層１３中に正孔輸送性材料を含有させることとは、具体的には、硬化膜層１３を形成するための架橋剤含有溶液を調製する段階で、架橋剤の他に、正孔輸送性材料も合わせて溶解しておくことをいう。その上で、架橋剤含有溶液を塗布・硬化して硬化膜層１３を形成することにより、硬化膜層１３内に正孔輸送性材料が含まれることになる。これによって正孔輸送性を有する硬化膜層１３を形成することができる。この第一の方法で使用される正孔輸送性材料は特に制限は無く、公知の材料を使用することができるが、硬化膜層１３形成時及び形成後における硬化膜層１３の膜構造安定性の観点から、正孔輸送性の高分子材料が好ましい。具体例を下記に示すが、本発明はこれらの構造に限定されない。 First, the first method will be described. Specifically, the inclusion of the hole transporting material in the cured film layer 13 refers to the step of preparing a crosslinking agent-containing solution for forming the cured film layer 13 in addition to the crosslinking agent. It means that the transportable material is also dissolved. Then, the hole transport material is contained in the cured film layer 13 by applying and curing the crosslinking agent-containing solution to form the cured film layer 13. Thereby, the cured film layer 13 having a hole transporting property can be formed. The hole transporting material used in the first method is not particularly limited, and a known material can be used, but the film structure stability of the cured film layer 13 during and after the formation of the cured film layer 13 is achieved. In view of the above, a hole transporting polymer material is preferable. Specific examples are shown below, but the present invention is not limited to these structures.

架橋剤含有溶液を調製する場合、架橋剤に対する正孔輸送性材料の重量比として、０．２以上２以下が望ましい。重量比が０．２未満であると、硬化膜層１３形成時の正孔輸送能が不十分となり、また重量比が２を超えると、架橋剤間の重合が不十分となり硬化膜層１３の膜構造安定性が低下する。 When preparing the crosslinking agent-containing solution, the weight ratio of the hole transporting material to the crosslinking agent is preferably 0.2 or more and 2 or less. When the weight ratio is less than 0.2, the hole transport ability at the time of forming the cured film layer 13 becomes insufficient, and when the weight ratio exceeds 2, the polymerization between the crosslinking agents becomes insufficient and the cured film layer 13 The film structure stability is reduced.

次に、第二の方法について説明する。硬化膜層１３を構成する架橋剤分子自体に正孔輸送能を付与することとは、具体的には、架橋剤分子の分子骨格に正孔輸送性の構造を盛り込むことをいう。正孔輸送性の構造としては、芳香族環、アリールアミン、縮合多環、ヘテロ環等の構造が挙げられる。特にアリールアミン、チオフェン、カルバゾールといった構造を有することが、正孔輸送能の観点から望ましい。以下に正孔輸送能を有する架橋剤の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。 Next, the second method will be described. Giving hole transportability to the crosslinker molecules themselves constituting the cured film layer 13 specifically means incorporating a hole transporting structure in the molecular skeleton of the crosslinker molecules. Examples of the hole transporting structure include structures such as aromatic rings, arylamines, condensed polycycles, and heterocycles. In particular, a structure such as arylamine, thiophene, and carbazole is desirable from the viewpoint of hole transport ability. Although the specific example of the crosslinking agent which has a hole transport ability is shown below, this invention is not limited to these.

上記に示した正孔輸送性を有する架橋剤を使用して、硬化膜層１３を形成することで、正孔輸送性を有する硬化膜層１３が得られる。尚、正孔輸送性を有する架橋剤に、さらに正孔輸送性の高分子材料等を混合して硬化膜層１３を形成してもよい。 The cured film layer 13 having hole transportability is obtained by forming the cured film layer 13 using the above-described crosslinking agent having hole transportability. The cured film layer 13 may be formed by further mixing a hole transporting polymer material or the like with a crosslinking agent having a hole transporting property.

次に、本発明の電界発光素子を構成する他の部材について説明する。 Next, other members constituting the electroluminescent element of the present invention will be described.

電子輸送層１５の構成材料は、特に限定されないが、公知の電子輸送性材料又は電荷輸送性材料から選ぶことができる。具体的には、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フルオレノン誘導体、アントロン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリノールアルミニウム錯体等の有機金属錯体等の有機化合物が挙げられる。その他、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム、アルミニウム、インジウム、銀、鉛、錫、クロム等の金属単体、フッ化リチウム等の金属フッ化物又は炭酸セシウム等の金属酸化物を単独、もしくは上記有機化合物と混合したものが使用できる。電子輸送層１５と共に電子注入層を形成する場合、その構成材料は電子輸送層１５と同様の材料を使用することができる。 The constituent material of the electron transport layer 15 is not particularly limited, but can be selected from known electron transport materials or charge transport materials. Specifically, oxadiazole derivatives, oxazole derivatives, thiazole derivatives, thiadiazole derivatives, pyrazine derivatives, triazole derivatives, triazine derivatives, perylene derivatives, quinoline derivatives, quinoxaline derivatives, fluorenone derivatives, anthrone derivatives, phenanthroline derivatives, quinolinol aluminum complexes, etc. And organic compounds such as organometallic complexes. In addition, a single metal such as lithium, sodium, potassium, cesium, calcium, magnesium, aluminum, indium, silver, lead, tin, chromium, a metal fluoride such as lithium fluoride, or a metal oxide such as cesium carbonate, or What mixed with the said organic compound can be used. When the electron injection layer is formed together with the electron transport layer 15, the same material as that of the electron transport layer 15 can be used as the constituent material.

陽極となる材料は仕事関数がなるべく大きなものがよい。例えば、金、銀、白金、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム等の金属単体あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフェニレンスルフィド等の導電性ポリマーも使用できる。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよく、二種類以上を併用して使用してもよい。また、陽極は単一の層で構成されていてもよいし、複数の層で構成されていてもよい。 The material for the anode should have a work function as large as possible. For example, simple metals such as gold, silver, platinum, nickel, palladium, cobalt, selenium, vanadium, or alloys combining these metals, metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium tin oxide (ITO), and zinc indium oxide. Things can be used. In addition, conductive polymers such as polyaniline, polypyrrole, polythiophene, and polyphenylene sulfide can also be used. These electrode materials may be used alone or in combination of two or more. The anode may be composed of a single layer or a plurality of layers.

一方、陰極１６となる材料は仕事関数の小さなものがよい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム、アルミニウム、インジウム、銀、鉛、錫、クロム等の金属単体あるいはこれら金属単体を複数組み合わせた合金又はこれらの塩等を使用することができる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。また、陰極は単一の層で構成されていてもよいし、複数の層で構成されていてもよい。 On the other hand, the material for the cathode 16 is preferably a material having a small work function. For example, a single metal such as lithium, sodium, potassium, cesium, calcium, magnesium, aluminum, indium, silver, lead, tin, or chromium, an alloy in which a plurality of these metals are combined, a salt thereof, or the like can be used. A metal oxide such as indium tin oxide (ITO) can also be used. The cathode may be composed of a single layer or a plurality of layers.

本発明の電界発光素子で使用される基板１１は、特に限定するものではないが、金属製基板、セラミックス製基板等の不透明性基板、ガラス、石英、プラスチックシート等の透明性基板が挙げられる。また、基板にカラーフィルター膜、蛍光色変換フィルター膜、誘電体反射膜等を使用して発色光をコントロールすることも可能である。 The substrate 11 used in the electroluminescent element of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include an opaque substrate such as a metal substrate and a ceramic substrate, and a transparent substrate such as glass, quartz, and a plastic sheet. It is also possible to control the color light by using a color filter film, a fluorescent color conversion filter film, a dielectric reflection film or the like on the substrate.

本発明の電界発光素子は、最終的に保護層で覆われていることが好ましい。保護層の素材としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ等の金属単体、ＭｇＯ，ＳｉＯ，ＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，ＮｉＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，Ｆｅ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂等の金属酸化物、ＭｇＦ₂，ＬｉＦ，ＡｌＦ₃，ＣａＦ₂等の金属フッ化物、ＳｉＮ_x，ＳｉＯ_xＮ_y等の窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも一種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。 The electroluminescent element of the present invention is preferably finally covered with a protective layer. As a material for the protective layer, any material may be used as long as it has a function of preventing materials that promote device deterioration such as moisture and oxygen from entering the device. As specific examples, In, Sn, Pb, Au , Cu, Ag, Al, Ti, simple metal such as _{Ni, MgO, SiO, SiO 2,} Al 2 O 3, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 Metal oxides such as O ₃ , Y ₂ O ₃ and TiO ₂ , metal fluorides such as MgF ₂ , LiF, AlF ₃ and CaF ₂ , nitrides such as SiN _x and SiO _x N _y , polyethylene, polypropylene and polymethyl A monomer mixture comprising methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, a copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, tetrafluoroethylene and at least one comonomer. A copolymer obtained by copolymerization, and a fluorine-containing copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain. Copolymer, 1% by weight of the water absorbing water absorption material, water absorption of 0.1% or less of moisture-proof material, and the like.

本発明の電界発光素子は、さらに種々の公知の工夫を加えることにより、光取り出し効率や色純度を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば、微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ電極層・有機化合物層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ電極層・有機化合物層の膜厚を制御すること等が挙げられる。このような工夫を加えることにより、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。また、開口率を向上させる目的で陽極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式であってもよいし、光緩衝によって色純度を調整するキャビティー構造を使用してもよい。 The electroluminescent device of the present invention can improve light extraction efficiency and color purity by adding various known devices. For example, processing the substrate surface shape (for example, forming a fine uneven pattern), controlling the refractive index of the substrate / ITO electrode layer / organic compound layer, controlling the film thickness of the substrate / ITO electrode layer / organic compound layer And so on. By adding such a device, it is possible to improve the light extraction efficiency and the external quantum efficiency. In addition, a so-called top emission method in which light emission is extracted from the anode side for the purpose of improving the aperture ratio may be used, or a cavity structure in which color purity is adjusted by light buffering may be used.

次に、本発明の電界発光素子の製造方法について説明する。本発明の電界発光素子の製造方法は、以下の工程を含むことを特徴とする。
（ａ）陽極を設けた基板上に、直接又は他の層を介して、架橋剤を含む第一の塗布液を塗布して架橋剤含有薄膜を形成する工程（第一の工程）
（ｂ）この架橋剤含有薄膜に、紫外線照射処理及び加熱処理のいずれかを施し、架橋重合を進行させることで硬化膜層１３を形成する工程（第二の工程）
（ｃ）この硬化膜層上に、半導体ナノ粒子を含む第二の塗布液を塗布して半導体ナノ粒子が含まれる発光層（ナノ粒子発光層）１４を形成する工程（第三の工程） Next, the manufacturing method of the electroluminescent element of this invention is demonstrated. The manufacturing method of the electroluminescent element of this invention is characterized by including the following processes.
(A) A step of forming a cross-linking agent-containing thin film by applying a first coating liquid containing a cross-linking agent directly or via another layer on a substrate provided with an anode (first step)
(B) A step of forming the cured film layer 13 by subjecting the cross-linking agent-containing thin film to either ultraviolet irradiation treatment or heat treatment to advance cross-linking polymerization (second step).
(C) A step of forming a light emitting layer (nanoparticle light emitting layer) 14 containing semiconductor nanoparticles by applying a second coating liquid containing semiconductor nanoparticles on the cured film layer (third step).

以上の３つの工程を経ることで、半導体ナノ粒子のみからなる、面方向密度の高い発光層（ナノ粒子発光層）１４を形成することができる。この結果、さらに電子輸送層や陰極を形成して電界発光素子を形成した際、半導体ナノ粒子以外の化合物に由来する発光が抑制された、電界発光素子が得られる。 By passing through the above three steps, a light emitting layer (nanoparticle light emitting layer) 14 having only a semiconductor nanoparticle and having a high surface direction density can be formed. As a result, when an electroluminescent element is formed by further forming an electron transport layer and a cathode, an electroluminescent element in which light emission derived from a compound other than semiconductor nanoparticles is suppressed can be obtained.

まず、第一の工程について説明する。硬化膜層１３を形成するときは、前もって架橋剤を含む第一の塗布液を調製する必要がある。このとき溶質となる架橋剤は一種類でもよく、二種類以上の架橋剤を混合したものでもよい。また使用する架橋剤やその後の硬化処理の条件によっては、上記第一の塗布液に重合開始剤を混合してもよい。一方、第一の塗布液の調製で使用する溶媒は、架橋剤を溶解する有機溶媒であれば特に制限はない。例えば、トルエン、キシレン、クロロホルム、ジクロロエタン、アセトニトリル、これらの溶媒を混合した混合溶媒等が挙げられるが、これらに限定されない。 First, the first step will be described. When the cured film layer 13 is formed, it is necessary to prepare a first coating solution containing a crosslinking agent in advance. At this time, the cross-linking agent to be a solute may be one type or a mixture of two or more types of cross-linking agents. Depending on the crosslinking agent used and the conditions of the subsequent curing treatment, a polymerization initiator may be mixed in the first coating solution. On the other hand, the solvent used in the preparation of the first coating solution is not particularly limited as long as it is an organic solvent that dissolves the crosslinking agent. Examples of the solvent include toluene, xylene, chloroform, dichloroethane, acetonitrile, a mixed solvent obtained by mixing these solvents, and the like, but are not limited thereto.

次に、調製した第一の塗布液を塗布し架橋剤含有薄膜を形成する。具体的には、予め溶媒洗浄やＵＶオゾン洗浄等により表面処理をしたＩＴＯ等の透明電極を有するガラス基板上に、第一の塗布液を滴下・塗布し、スピンコート等を行うことにより、架橋剤含有薄膜を形成する。このとき形成される架橋剤含有薄膜の膜厚は、第一の塗布液の濃度と塗布条件とにより制御することができる。架橋剤含有薄膜の膜厚は、望ましくは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、特に望ましくは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。架橋剤含有薄膜の膜厚が５ｎｍ未満の場合、塗布成膜時の膜の均一性が不十分となる場合がある。一方、架橋剤含有薄膜の膜厚が５０ｎｍを越えると、素子駆動時の駆動電圧が上昇し、素子特性が低下する場合がある。 Next, the prepared first coating liquid is applied to form a crosslinking agent-containing thin film. Specifically, the first coating liquid is dropped and applied on a glass substrate having a transparent electrode such as ITO that has been surface-treated by solvent cleaning or UV ozone cleaning in advance, and then crosslinked by spin coating or the like. An agent-containing thin film is formed. The film thickness of the crosslinking agent-containing thin film formed at this time can be controlled by the concentration of the first coating solution and the coating conditions. The film thickness of the cross-linking agent-containing thin film is desirably 1 nm or more and 100 nm or less, and particularly desirably 5 nm or more and 50 nm or less. When the film thickness of the cross-linking agent-containing thin film is less than 5 nm, the uniformity of the film during coating film formation may be insufficient. On the other hand, when the film thickness of the cross-linking agent-containing thin film exceeds 50 nm, the driving voltage at the time of driving the element increases, and the element characteristics may deteriorate.

尚、硬化膜層１３を形成する前に、電極付基板上にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等からなる正孔注入層２１を形成し、この正孔注入層２１を介した上で、硬化膜層１３を形成すると、素子駆動時の正孔注入効率が向上し、素子特性が向上するため望ましい。 Before forming the cured film layer 13, the hole injection layer 21 made of PEDOT / PSS or the like is formed on the substrate with electrodes, and the cured film layer 13 is formed through the hole injection layer 21. Then, it is desirable because the hole injection efficiency at the time of driving the device is improved and the device characteristics are improved.

次に、第二の工程について説明する。架橋重合を進行させる手段である紫外線照射処理及び加熱処理はいずれも、ラジカルを発生する反応であり、発生したラジカルによって架橋重合が進行する。また、紫外線照射、加熱といった方法は、手法の簡便さ、硬化の均一さの面から考慮しても望ましい。 Next, the second step will be described. Both the ultraviolet irradiation treatment and the heat treatment, which are means for advancing the crosslinking polymerization, are reactions that generate radicals, and the crosslinking polymerization proceeds by the generated radicals. Further, methods such as ultraviolet irradiation and heating are desirable from the viewpoint of simplicity of the method and uniformity of curing.

紫外線照射処理に用いる紫外線源は、架橋剤含有薄膜内の架橋剤分子が吸収をもつ波長域で発光し、架橋剤分子間のラジカル重合を進行させるものであれば特に制限はない。例えば高圧水銀ランプ等を用いることができる。 The ultraviolet ray source used for the ultraviolet irradiation treatment is not particularly limited as long as it emits light in a wavelength region in which the crosslinking agent molecules in the crosslinking agent-containing thin film absorb and allows radical polymerization between the crosslinking agent molecules to proceed. For example, a high pressure mercury lamp can be used.

一方、加熱による硬化処理においては、電界発光素子形成時の発光領域面に対して、均一に加熱処理が行われる条件であれば特に制限は無い。例えば、ホットプレートや炉等で加熱処理を施すことが可能である。加熱処理時の加熱温度については、架橋剤含有薄膜内に含まれる架橋剤の種類に依存する。このため、架橋剤間で十分な架橋重合が進行するような加熱温度・加熱時間を選択すればよい。 On the other hand, the curing process by heating is not particularly limited as long as the heating process is uniformly performed on the surface of the light emitting region when the electroluminescent element is formed. For example, the heat treatment can be performed using a hot plate or a furnace. About the heating temperature at the time of heat processing, it depends on the kind of crosslinking agent contained in a crosslinking agent containing thin film. For this reason, what is necessary is just to select the heating temperature and the heating time which a sufficient crosslinking polymerization advances between crosslinking agents.

上述した、紫外線照射処理、加熱処理のいずれを行うにしても、不活性気体で満たされた条件で行うのが望ましく、具体的には窒素やアルゴンで満たされた環境で行うのが望ましい。 Regardless of whether the ultraviolet irradiation treatment or the heat treatment described above is performed, it is desirably performed under conditions filled with an inert gas, and specifically, performed in an environment filled with nitrogen or argon.

ところで、第一の工程の後第二の工程の前に、架橋剤含有薄膜中に残存する溶媒成分を除去する目的で、架橋重合（重合処理）を目的とする加熱処理とは別に、別途加熱処理過程を設けてもよい。この場合の加熱温度は、架橋剤含有薄膜を塗布形成する際に使用した溶媒の沸点以上とするのが望ましい。ただし、減圧条件下又は真空条件下で加熱処理する場合は、減圧度・真空度に応じて加熱温度も低くしてもよい。また、硬化膜層１３において、膜中に残存する未硬化の架橋剤や重合開始剤を除去する目的で、有機溶媒による洗浄処理や追加熱処理等を繰り返してもよい。 By the way, for the purpose of removing the solvent component remaining in the crosslinking agent-containing thin film after the first step and before the second step, heating is performed separately from the heat treatment for the purpose of crosslinking polymerization (polymerization treatment). A processing process may be provided. In this case, it is desirable that the heating temperature be equal to or higher than the boiling point of the solvent used when the cross-linking agent-containing thin film is formed by coating. However, when the heat treatment is performed under a reduced pressure condition or a vacuum condition, the heating temperature may be lowered according to the degree of reduced pressure and the degree of vacuum. Further, in the cured film layer 13, for the purpose of removing uncured crosslinking agent and polymerization initiator remaining in the film, washing treatment with an organic solvent, additional heat treatment, and the like may be repeated.

次に、第三の工程について説明する。第二の塗布液を調製する際に使用する溶媒としては、下地となる硬化膜層１３を溶解しないものであり、かつ半導体ナノ粒子を安定に分散できる有機溶媒であれば特に制限は無い。例えば、トルエン、キシレン、クロロホルム、ジクロロエタン、アセトニトリル、これらを組み合わせた混合溶溶媒等が挙げられるが、これらに限定されない。また、第二の塗布液を塗布成膜してナノ粒子発光層１４を形成するときは不活性気体で満たされた条件で行うのが望ましい。具体的には窒素やアルゴンで満たされた環境で塗布成膜するのが望ましい。 Next, the third step will be described. The solvent used in preparing the second coating solution is not particularly limited as long as it is an organic solvent that does not dissolve the cured film layer 13 serving as a base and can stably disperse semiconductor nanoparticles. For example, toluene, xylene, chloroform, dichloroethane, acetonitrile, a mixed solvent combining these, and the like are exemplified, but the invention is not limited thereto. In addition, when the nanoparticle light emitting layer 14 is formed by coating the second coating solution, it is desirable to carry out the conditions filled with an inert gas. Specifically, it is desirable to form a coating film in an environment filled with nitrogen or argon.

第二の塗布液を塗布成膜して形成されるナノ粒子発光層１４の膜厚は、第二の塗布液中のナノ粒子の濃度及び塗布条件により制御することができる。形成されるナノ粒子発光層１４の膜厚は、望ましくは、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、特に望ましくは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。ナノ粒子発光層１４の膜厚が５ｎｍ未満の場合は、発光面内においてナノ粒子が存在しない領域が発生する可能性が高く、素子駆動時に、半導体ナノ粒子以外の化合物に由来する発光が混在することがある。一方、ナノ粒子発光層１４の膜厚が３０ｎｍを超えると、素子駆動時の電圧上昇が著しく素子特性が低下することがある。 The film thickness of the nanoparticle light-emitting layer 14 formed by coating the second coating solution can be controlled by the concentration of nanoparticles in the second coating solution and the coating conditions. The film thickness of the formed nanoparticle light-emitting layer 14 is desirably 2 nm or more and 100 nm or less, and particularly desirably 5 nm or more and 30 nm or less. When the film thickness of the nanoparticle light-emitting layer 14 is less than 5 nm, there is a high possibility that a region where no nanoparticles are present in the light-emitting surface is generated, and light emission derived from a compound other than the semiconductor nanoparticles is mixed when the element is driven. Sometimes. On the other hand, if the film thickness of the nanoparticle light-emitting layer 14 exceeds 30 nm, the device characteristics may deteriorate significantly due to a significant increase in voltage when the device is driven.

尚、ナノ粒子発光層１４を塗布形成後、層内に残存する溶媒成分を除去する目的で、追加熱処理を行ってもよい。この場合の加熱温度は、第二の塗布液を調製する際に使用した溶媒の沸点以上とするのが望ましいが、減圧条件下又は真空条件下で加熱処理する場合は、減圧度・真空度に応じて加熱温度を低くしてもよい。このように本発明の電界発光素子では、予め硬化膜層１３を設けることで、ナノ粒子発光層１４を直接かつ単独で形成することが可能である。このため、ナノ粒子発光層１４において、面方向におけるナノ粒子の膜密度を第二の塗布液中のナノ粒子の濃度及び塗布条件によって高めることができるので、素子駆動時に、半導体ナノ粒子以外の化合物に由来する発光を極力抑制することが可能である。 In addition, after application | coating formation of the nanoparticle light emitting layer 14, you may perform additional heat processing in order to remove the solvent component which remains in a layer. In this case, it is desirable that the heating temperature be equal to or higher than the boiling point of the solvent used in preparing the second coating solution. Accordingly, the heating temperature may be lowered. Thus, in the electroluminescent element of this invention, the nanoparticle light emitting layer 14 can be directly and independently formed by providing the cured film layer 13 previously. For this reason, in the nanoparticle light emitting layer 14, the film density of the nanoparticles in the plane direction can be increased by the concentration of the nanoparticles in the second coating solution and the coating conditions. It is possible to suppress the light emission derived from the as much as possible.

以上のようにして形成されたナノ粒子発光層の上に、必要に応じて正孔ブロック層３１、電子輸送層１５、電子注入層、陰極１６等を真空蒸着等により形成し、素子に封止処理を行うことで、本発明の電界発光素子が得られる。 A hole blocking layer 31, an electron transport layer 15, an electron injection layer, a cathode 16 and the like are formed on the nanoparticle light-emitting layer formed as described above by vacuum deposition or the like as necessary, and sealed in the device. By performing the treatment, the electroluminescent element of the present invention is obtained.

先程説明したが、本発明の電界発光素子には保護層を設けてもよい。ここで保護層の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。 As described above, the electroluminescent element of the present invention may be provided with a protective layer. Here, the method for forming the protective layer is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the MBE (molecular beam epitaxy) method, the cluster ion beam method, the ion plating method, the plasma polymerization method ( High frequency excitation ion plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, printing method, transfer method can be applied.

次に、本発明の電界発光素子を具備する表示装置について説明する。以下、図面を参照して、アクティブマトリクス方式を例にとって、本発明の表示装置を詳細に説明する。 Next, a display device including the electroluminescent element of the present invention will be described. Hereinafter, the display device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings, taking an active matrix system as an example.

図４は、表示装置の一形態である、本発明の電界発光素子と駆動手段とを備えた表示装置の構成例を模式的に示す図である。図４の表示装置４０は、走査信号ドライバー４１、情報信号ドライバー４２、電流供給源４３が配置され、それぞれゲート選択線Ｇ、情報信号線Ｉ、電流供給線Ｃに接続される。ゲート選択線Ｇと情報信号線Ｉの交点には、画素回路４４が配置される。走査信号ドライバー４１は、ゲート選択線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３・・・Ｇｎを順次選択し、これに同期して情報信号ドライバー４２から画像信号が情報信号線Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３・・・Ｉｎのいずれかを介して画素回路４４に印加される。 FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a configuration example of a display device including the electroluminescent element of the present invention and a driving unit, which is an embodiment of the display device. 4 includes a scanning signal driver 41, an information signal driver 42, and a current supply source 43, which are connected to a gate selection line G, an information signal line I, and a current supply line C, respectively. A pixel circuit 44 is disposed at the intersection of the gate selection line G and the information signal line I. The scanning signal driver 41 sequentially selects the gate selection lines G1, G2, G3... Gn, and in synchronization with this, the image signal from the information signal driver 42 is one of the information signal lines I1, I2, I3. The voltage is applied to the pixel circuit 44 via these.

次に、画素の動作について説明する。図５は、図４の表示装置に配置されている１つの画素を構成する回路を示す回路図である。図５の画素回路５０においては、ゲート選択線Ｇｉに選択信号が印加されると、第一の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１）５１がＯＮになり、コンデンサー（Ｃ_add）５２に画像信号Ｉｉが供給され、第二の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）５３のゲート電圧を決定する。電界発光素子５４には第二の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）（５３）のゲート電圧に応じて電流供給線Ｃｉより電流が供給される。ここで、第二の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）５３のゲート電位は、第一の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１）５１が次に走査選択されるまでコンデンサー（Ｃ_add）５２に保持される。このため、電界発光素子５４には、次の走査が行われるまで電流が流れ続ける。これにより１フレーム期間中常に電界発光素子５４を発光させることが可能となる。 Next, the operation of the pixel will be described. FIG. 5 is a circuit diagram showing a circuit constituting one pixel arranged in the display device of FIG. In the pixel circuit 50 of FIG. 5, when a selection signal is applied to the gate selection line Gi, the first thin film transistor (TFT1) 51 is turned on, the image signal Ii is supplied to the capacitor (C _add ) 52, and the first The gate voltage of the second thin film transistor (TFT2) 53 is determined. A current is supplied from the current supply line Ci to the electroluminescent element 54 in accordance with the gate voltage of the second thin film transistor (TFT2) (53). Here, the gate potential of the second thin film transistor (TFT2) 53 is held in the capacitor ( _Cadd ) 52 until the first thin film transistor (TFT1) 51 is next selected for scanning. Therefore, current continues to flow through the electroluminescent element 54 until the next scan is performed. As a result, the electroluminescent element 54 can always emit light during one frame period.

図６は、図４の表示装置で用いられるＴＦＴ基板の断面構造の一例を示した模式図である。ＴＦＴ基板の製造工程の一例を示しながら、構造の詳細を以下に説明する。図６の表示装置６０を製造する際には、まずガラス等の基板６１上に、上部に作られる部材（ＴＦＴ又は有機層）を保護するための防湿膜６２がコートされる。防湿膜６２を構成する材料として、酸化ケイ素又は酸化ケイ素と窒化ケイ素との複合体等が用いられる。次に、スパッタリングによりＣｒ等の金属を製膜することで、所定の回路形状にパターニングしてゲート電極６３を形成する。続いて、酸化シリコン等をプラズマＣＶＤ法又は触媒化学気相成長法（ｃａｔ−ＣＶＤ法）等により製膜し、パターニングしてゲート絶縁膜６４を形成する。次に、プラズマＣＶＤ法等により（場合によっては２９０℃以上の温度でアニールして）シリコン膜を製膜し、回路形状に従ってパターニングすることで半導体層６５を形成する。 FIG. 6 is a schematic view showing an example of a cross-sectional structure of a TFT substrate used in the display device of FIG. Details of the structure will be described below while showing an example of the manufacturing process of the TFT substrate. When manufacturing the display device 60 of FIG. 6, a moisture-proof film 62 for protecting a member (TFT or organic layer) formed thereon is first coated on a substrate 61 such as glass. As a material constituting the moisture-proof film 62, silicon oxide or a composite of silicon oxide and silicon nitride is used. Next, a gate electrode 63 is formed by patterning into a predetermined circuit shape by depositing a metal such as Cr by sputtering. Subsequently, silicon oxide or the like is formed by plasma CVD or catalytic chemical vapor deposition (cat-CVD) or the like, and patterned to form the gate insulating film 64. Next, a silicon film is formed by a plasma CVD method or the like (in some cases, annealed at a temperature of 290 ° C. or higher), and a semiconductor layer 65 is formed by patterning according to a circuit shape.

さらに、この半導体膜６５にドレイン電極６６とソース電極６７とを設けることでＴＦＴ素子６８を作製し、図５に示すような回路を形成する。次に、このＴＦＴ素子６８の上部に絶縁膜６９を形成する。次に、コンタクトホール（スルーホール）７０を、金属からなる電界発光素子用の陽極７１とソース電極６７とが接続するように形成する。 Further, a drain electrode 66 and a source electrode 67 are provided on the semiconductor film 65 to produce a TFT element 68, thereby forming a circuit as shown in FIG. Next, an insulating film 69 is formed on the TFT element 68. Next, a contact hole (through hole) 70 is formed so that the anode 71 for the electroluminescent element made of metal and the source electrode 67 are connected.

この陽極７１の上に、多層あるいは単層の有機層７２と、陰極７３とを順次積層することにより、表示装置６０を得ることができる。このとき、電界発光素子の劣化を防ぐために第一の保護層７４や第二の保護層７５を設けてもよい。本発明の電界発光素子を具備した表示装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。また、本発明の電界発光素子は、発光材料として発光ピークの幅が狭い半導体ナノ粒子を使用しているので、カラーフィルター等を介さずとも色純度が高い、表示装置が実現できる。 The display device 60 can be obtained by sequentially laminating a multilayer or single-layer organic layer 72 and a cathode 73 on the anode 71. At this time, a first protective layer 74 or a second protective layer 75 may be provided in order to prevent deterioration of the electroluminescent element. By driving the display device provided with the electroluminescent element of the present invention, stable display can be performed even for long-time display with good image quality. In addition, since the electroluminescent element of the present invention uses semiconductor nanoparticles having a narrow emission peak width as a luminescent material, a display device with high color purity can be realized without using a color filter or the like.

尚、上記の表示装置は、スイッチング素子に特に限定はなく、単結晶シリコン基板やＭＩＭ素子、ａ−Ｓｉ型等でも容易に応用することができる。 Note that the display device is not particularly limited to a switching element, and can be easily applied to a single crystal silicon substrate, an MIM element, an a-Si type, or the like.

（実施例１）
本実施例では、基板上に、陽極、正孔注入層、硬化膜層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極が順次設けられている電界発光素子を作製した。 (Example 1)
In this example, an electroluminescent element was prepared in which an anode, a hole injection layer, a cured film layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode were sequentially provided on a substrate.

まずＩＴＯ電極（陽極）が設けられているガラス基板（基板）の表面を純水、イソプロピルアルコールで順次洗浄した後、４０分間ＵＶオゾン洗浄を施し、基板表面の付着物を除去した。次に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水溶液をＩＴＯ電極表面上にスピンコートした後、大気中において２００℃で１０分加熱処理を施し、次いで窒素雰囲気下において２００℃で１０分加熱処理を施すことで正孔注入層（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ薄膜）を形成した。このとき正孔注入層の膜厚は３０ｎｍであった。 First, the surface of the glass substrate (substrate) provided with the ITO electrode (anode) was sequentially washed with pure water and isopropyl alcohol, and then subjected to UV ozone cleaning for 40 minutes to remove deposits on the substrate surface. Next, after spin-coating the PEDOT / PSS aqueous solution onto the ITO electrode surface, heat treatment is performed at 200 ° C. for 10 minutes in the atmosphere, and then heat treatment is performed at 200 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere. A layer (PEDOT / PSS thin film) was formed. At this time, the thickness of the hole injection layer was 30 nm.

次に、以下に示す試薬、溶媒を混合し、第一の塗布液を調製した。
下記に示される１，４−ブタンジオールジメタクリレート（架橋剤）：２０ｍｇ Next, the following reagent and solvent were mixed to prepare a first coating solution.
1,4-butanediol dimethacrylate (crosslinking agent) shown below: 20 mg

下記に示されるベンゾインエチルエーテル（重合開始剤）：１ｍｇ

Benzoin ethyl ether (polymerization initiator) shown below: 1 mg

トルエン：５ｍｌ

Toluene: 5ml

次に、窒素雰囲気下において、この第一の塗布液を上記正孔注入層上に滴下し、スピンコートすることにより、架橋剤含有薄膜を形成した。次に、この架橋剤含有薄膜に対して、高圧水銀ランプを用いて紫外線照射処理を５分間施した。次いで、１５０℃で１０分間加熱処理を行うことによって、硬化膜層を形成した。このとき硬化膜層の膜厚は１５ｎｍであった。 Next, in a nitrogen atmosphere, the first coating solution was dropped on the hole injection layer and spin-coated to form a cross-linking agent-containing thin film. Next, this crosslinking agent-containing thin film was subjected to ultraviolet irradiation treatment for 5 minutes using a high-pressure mercury lamp. Subsequently, the cured film layer was formed by heat-processing at 150 degreeC for 10 minute (s). At this time, the thickness of the cured film layer was 15 nm.

次に、この硬化膜上に、コア粒径４ｎｍで波長６０５ｎｍに発光ピークを持つＣｄＳｅ／ＺｎＳナノ粒子（エヴィデント社製、濃度５ｍｇ／ｍｌ）のトルエン溶液を滴下し、スピンコートすることにより発光層を形成した。このとき発光層の膜厚は２０ｎｍであった。 Next, a toluene solution of CdSe / ZnS nanoparticles (Evident, concentration 5 mg / ml) having a core particle diameter of 4 nm and an emission peak at a wavelength of 605 nm is dropped on the cured film, and the light emitting layer is formed by spin coating. Formed. At this time, the thickness of the light emitting layer was 20 nm.

次に、バソフェナントロリンを真空蒸着することにより電子輸送層を形成した。このとき電子輸送層の膜厚は４０ｎｍであった。次に、フッ化リチウムを真空蒸着することにより電子注入層を形成した。このとき電子注入層の膜厚は０．５ｎｍであった。次に、アルミニウムを真空蒸着することにより背面電極を形成した。このとき背面電極の膜厚は１２０ｎｍであった。最後に窒素封止することにより電界発光素子を得た。 Next, an electron transport layer was formed by vacuum deposition of bathophenanthroline. At this time, the thickness of the electron transport layer was 40 nm. Next, an electron injection layer was formed by vacuum deposition of lithium fluoride. At this time, the thickness of the electron injection layer was 0.5 nm. Next, aluminum was vacuum deposited to form a back electrode. At this time, the film thickness of the back electrode was 120 nm. Finally, the electroluminescent element was obtained by nitrogen sealing.

得られた電界発光素子について、駆動させた際に得られる発光のスペクトルを評価した。その結果、半導体ナノ粒子以外の化合物に由来する発光がほとんど観測されないことがわかった。 About the obtained electroluminescent element, the spectrum of the light emission obtained when it was driven was evaluated. As a result, it was found that almost no luminescence derived from compounds other than semiconductor nanoparticles was observed.

（実施例２）
実施例１において、以下に示す試薬、溶媒を使用して第一の塗布液を調製した以外は、実施例１と同様の方法により電界発光素子を作製した。
１，４−ブタンジオールジメタクリレート（架橋剤）：２０ｍｇ
ベンゾインエチルエーテル（重合開始剤）：１ｍｇ
下記に示される正孔輸送材料：１２ｍｇ (Example 2)
In Example 1, the electroluminescent element was produced by the same method as Example 1 except having prepared the 1st coating liquid using the reagent and solvent which are shown below.
1,4-butanediol dimethacrylate (crosslinking agent): 20 mg
Benzoin ethyl ether (polymerization initiator): 1mg
Hole transport material shown below: 12mg

トルエン：５ｍｌ

Toluene: 5ml

得られた素子について、実施例１と同様に駆動時の発光スペクトルを評価した。図７は、本実施例の電界発光素子を輝度１００ｃｄ／ｍ²で電界発光させた際の発光スペクトルを示す図である。図７に示される発光スペクトルより、半導体ナノ粒子以外の化合物に由来する発光がほとんど観測されないことがわかった。 About the obtained element, the emission spectrum at the time of driving was evaluated in the same manner as in Example 1. FIG. 7 is a diagram showing an emission spectrum when the electroluminescent element of this example is electroluminescent with a luminance of 100 cd / m ² . From the emission spectrum shown in FIG. 7, it was found that almost no light emission derived from compounds other than semiconductor nanoparticles was observed.

（実施例３）
実施例１において、以下に示す試薬、溶媒を使用して第一の塗布液を調製した以外は、実施例１と同様の方法により電界発光素子を作製した。尚、本実施例で使用する架橋剤は正孔輸送性を有する。
下記に示す架橋剤：２０ｍｇ (Example 3)
In Example 1, the electroluminescent element was produced by the same method as Example 1 except having prepared the 1st coating liquid using the reagent and solvent which are shown below. The cross-linking agent used in this example has a hole transport property.
Cross-linking agent shown below: 20 mg

メチルイソブチルケトン：５ｍｌ

Methyl isobutyl ketone: 5ml

得られた素子について、実施例１と同様に駆動時の発光スペクトルを評価した。その結果、半導体ナノ粒子以外の発光がほとんど観測されないことがわかった。 About the obtained element, the emission spectrum at the time of driving was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, it was found that light emission other than the semiconductor nanoparticles was hardly observed.

（比較例１）
実施例１において、硬化膜層を形成する代わりに、非特許文献１に記載の方法でＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＴＰＤ）からなる正孔輸送層を形成した。また非特許文献１に記載の方法でナノ粒子発光層を形成した。これらを除いては、実施例１と同様の方法により電界発光素子を作製した。 (Comparative Example 1)
In Example 1, instead of forming a cured film layer, holes formed of N, N′-bis (3-methylphenyl) -N, N′-diphenylbenzidine (TPD) by the method described in Non-Patent Document 1 A transport layer was formed. Moreover, the nanoparticle light emitting layer was formed by the method described in Non-Patent Document 1. Except for these, an electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 1.

得られた素子について、実施例１と同様に駆動時の発光スペクトルを評価した。図８は、本比較例の電界発光素子を輝度１００ｃｄ／ｍ²で電界発光させた際の発光スペクトルを示す図である。図８に示される発光スペクトルより、半導体ナノ粒子由来の発光のほかに、波長５００ｎｍ付近にピークを持つ、半値幅の広い発光が混在していることがわかった。 About the obtained element, the emission spectrum at the time of driving was evaluated in the same manner as in Example 1. FIG. 8 is a diagram showing an emission spectrum when the electroluminescent element of this comparative example is electroluminescent at a luminance of 100 cd / m ² . From the emission spectrum shown in FIG. 8, it was found that in addition to the emission derived from the semiconductor nanoparticles, emission having a broad half-value width having a peak in the vicinity of a wavelength of 500 nm was mixed.

（比較例２）
実施例１において、硬化膜層を設けず、正孔注入層（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ薄膜）を形成する際に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水溶液を塗布した後、大気中において２００℃で１０分加熱処理し、次いで窒素雰囲気下において２００℃で１０分加熱処理を施した。これらを除いては、実施例１と同様の方法により電界発光素子を得た。 (Comparative Example 2)
In Example 1, when a hole injection layer (PEDOT / PSS thin film) was formed without providing a cured film layer, after applying a PEDOT / PSS aqueous solution, heat treatment was performed at 200 ° C. in the atmosphere for 10 minutes, and then Heat treatment was performed at 200 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere. Except for these, an electroluminescent device was obtained in the same manner as in Example 1.

得られた素子を駆動すると、極短時間非常に暗く発光した後、素子破壊が起きた。 When the obtained device was driven, the device was destroyed after emitting light very dark for a very short time.

本発明の電界発光素子における第一の実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 1st embodiment in the electroluminescent element of this invention. 本発明の電界発光素子における第二の実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 2nd embodiment in the electroluminescent element of this invention. 本発明の電界発光素子における第三の実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 3rd embodiment in the electroluminescent element of this invention. 表示装置の一形態である、本発明の電界発光素子と駆動手段とを備えた表示装置の構成例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structural example of the display apparatus provided with the electroluminescent element of this invention which is one form of a display apparatus, and a drive means. 図４の表示装置に配置されている１つの画素を構成する回路を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a circuit constituting one pixel arranged in the display device of FIG. 4. 図４の表示装置で用いられるＴＦＴ基板の断面構造の一例を示した模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an example of a cross-sectional structure of a TFT substrate used in the display device of FIG. 4. 実施例２で得られた電界発光素子を輝度１００ｃｄ／ｍ²で電界発光させた際の発光スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the emission spectrum at the time of making the electroluminescent element obtained in Example 2 electroluminescence with the brightness | luminance of 100 cd / m < ² >. 比較例１で得られた電界発光素子を輝度１００ｃｄ／ｍ²で電界発光させた際の発光スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the emission spectrum at the time of making the electroluminescent element obtained by the comparative example 1 electroluminescent with the brightness | luminance of 100 cd / m < ² >.

符号の説明Explanation of symbols

１，２，３，５４電界発光素子
１１基板
１２透明電極
１３硬化膜層
１４発光層（ナノ粒子発光層）
１５電子輸送層
１６陰極
１７電源
２１正孔注入層
３１正孔ブロック層
４０，６０表示装置
４１走査信号ドライバー
４２情報信号ドライバー
４３電流供給源
４４，５０画素回路
５１第一の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１）
５２コンデンサー（Ｃ_add）
５３第二の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）
６１基板
６２防湿層
６３ゲート電極
６４ゲート絶縁膜
６５半導体膜
６６ドレイン電極
６７ソース電極
６８ＴＦＴ素子
６９絶縁膜
７０コンタクトホール（スルーホール）
７１陽極
７２有機層
７３陰極
７４第一の保護層
７５第二の保護層 1, 2, 3, 54 Electroluminescent device 11 Substrate 12 Transparent electrode 13 Cured film layer 14 Light emitting layer (nanoparticle light emitting layer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 15 Electron transport layer 16 Cathode 17 Power supply 21 Hole injection layer 31 Hole block layer 40,60 Display apparatus 41 Scan signal driver 42 Information signal driver 43 Current supply source 44,50 Pixel circuit 51 1st thin-film transistor (TFT1)
52 Capacitor (C _add )
53 Second thin film transistor (TFT2)
61 Substrate 62 Moisture-proof layer 63 Gate electrode 64 Gate insulating film 65 Semiconductor film 66 Drain electrode 67 Source electrode 68 TFT element 69 Insulating film 70 Contact hole (through hole)
71 Anode 72 Organic layer 73 Cathode 74 First protective layer 75 Second protective layer

Claims

陽極と陰極と、
該陽極と該陰極との間に挟持され少なくとも硬化膜層と発光層とがこの順で積層される積層体と、から構成され、
該発光層と該硬化膜層とは隣接し、
該発光層が半導体ナノ粒子を含み、
該硬化膜層が少なくとも一種類の架橋剤を含み該架橋剤が重合した硬化膜であることを特徴とする、電界発光素子。 An anode and a cathode;
A laminated body sandwiched between the anode and the cathode and at least a cured film layer and a light emitting layer are laminated in this order;
The light emitting layer and the cured film layer are adjacent to each other,
The emissive layer comprises semiconductor nanoparticles;
An electroluminescent element, wherein the cured film layer is a cured film containing at least one kind of crosslinking agent and polymerizing the crosslinking agent.

前記架橋剤が、アクリル化合物、スチレン化合物、エポキシ化合物あるいはオキセタン化合物、又はこれらの組み合わせからなることを特徴とする、請求項１に記載の電界発光素子。 The electroluminescent device according to claim 1, wherein the cross-linking agent comprises an acrylic compound, a styrene compound, an epoxy compound, an oxetane compound, or a combination thereof.

前記硬化膜に、正孔輸送性の高分子材料が含まれることを特徴とする、請求項１に記載の電界発光素子。 The electroluminescent device according to claim 1, wherein the cured film includes a hole transporting polymer material.

前記架橋剤が、正孔輸送性を有する化合物であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の電界発光素子。 The electroluminescent device according to claim 1, wherein the crosslinking agent is a compound having a hole transporting property.

陽極を設けた基板上に、直接又は他の層を介して、架橋剤を含む第一の塗布液を塗布して架橋剤含有薄膜を形成する第一の工程と、
該架橋剤含有薄膜に、紫外線照射処理及び加熱処理のいずれかを施し、架橋重合を進行させることで硬化膜層を形成する第二の工程と、
該硬化膜層上に、半導体ナノ粒子を含む第二の塗布液を塗布して半導体ナノ粒子が含まれる発光層を形成する第三の工程と、
を含むことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電界発光素子の製造方法。 A first step of forming a cross-linking agent-containing thin film by applying a first coating liquid containing a cross-linking agent directly or via another layer on a substrate provided with an anode;
A second step of forming a cured film layer by subjecting the cross-linking agent-containing thin film to either an ultraviolet irradiation treatment or a heat treatment to advance cross-linking polymerization;
A third step of forming a light emitting layer containing semiconductor nanoparticles by applying a second coating liquid containing semiconductor nanoparticles on the cured film layer;
5. The method of manufacturing an electroluminescent element according to claim 1, comprising:

請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電界発光素子を具備することを特徴とする、表示装置。 A display device comprising the electroluminescent element according to claim 1.