JP2009088200A - Radiation detector - Google Patents

Radiation detector Download PDF

Info

Publication number
JP2009088200A
JP2009088200A JP2007255364A JP2007255364A JP2009088200A JP 2009088200 A JP2009088200 A JP 2009088200A JP 2007255364 A JP2007255364 A JP 2007255364A JP 2007255364 A JP2007255364 A JP 2007255364A JP 2009088200 A JP2009088200 A JP 2009088200A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrode
radiation
thickness
photoconductive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2007255364A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takayuki Fujiwara
隆行 藤原
Nobuyuki Iwasaki
信行 岩▲崎▼
Kiyotaka Oishi
清孝 大石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2007255364A priority Critical patent/JP2009088200A/en
Publication of JP2009088200A publication Critical patent/JP2009088200A/en
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation detector which reduces the attenuation of radiation before it reaches a photoconductive layer and is superior in discharging bubbles produced when filling a load material. <P>SOLUTION: Since the surface of a photoconductive layer 404 is formed of a convex surface so that the thickness of a load material 444 is made small, the penetration of the radiation that penetrates the load material 444 is improved. Accordingly, attenuation of the radiation, before it reaches the photoconductive layer 404, is reduced. Furthermore, since the surface of the photoconductive layer 404 is made to be convex; even when bubbles are mixed into the load material 444, the bubbles move along the convex surface and are easily discharged out of its top as compared to the constitution where the photoconductive layer 404 has a concave surface or a flat surface, and thus, superior properties of discharging air bubbles is obtained. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、医療用のＸ線撮影装置などに用いられる放射線検出器に関する。   The present invention relates to a radiation detector used in a medical X-ray imaging apparatus or the like.

放射線検出器としては、特許文献１に開示される放射線検出器が公知である。特許文献１の放射線検出器では、アモルファスセレン等で形成された電荷変換層上に上部電極部を形成し、バイアス電圧供給用リード線を上部電極部上で上部電極部に接続している。また、上部電極部の上方にカバー部材が設けられ、上部電極部とカバー部材との間には、硬化性合成樹脂が充填されている。   As a radiation detector, the radiation detector disclosed in Patent Document 1 is known. In the radiation detector of Patent Document 1, an upper electrode portion is formed on a charge conversion layer formed of amorphous selenium or the like, and a bias voltage supply lead wire is connected to the upper electrode portion on the upper electrode portion. A cover member is provided above the upper electrode portion, and a curable synthetic resin is filled between the upper electrode portion and the cover member.

また、特許文献１には、有効画素領域の硬化性合成樹脂の厚みを、硬化性合成樹脂がバイアス電圧供給用リード線の接続領域を覆う部分よりも薄くすることが記載されている。   Further, Patent Document 1 describes that the thickness of the curable synthetic resin in the effective pixel region is made thinner than the portion where the curable synthetic resin covers the connection region of the bias voltage supply lead wire.

特許文献１のように、硬化性合成樹脂を充填する構成においては、硬化性合成樹脂を充填する際に気泡が生じると、その気泡を通じて上部電極部や配線との間で放電が発生し、絶縁不良が発生する可能性がある。
特開２００５−２８６１８３号公報 In the configuration in which the curable synthetic resin is filled as in Patent Document 1, when bubbles are generated when the curable synthetic resin is filled, an electric discharge is generated between the upper electrode portion and the wiring through the bubbles, and insulation is performed. Defects may occur.
JP 2005-286183 A

本発明は、上記事実を考慮し、電荷変換層に到達するまでの放射線の減衰を低減すると共に、充填材を充填する際に生じる気泡の排出性に優れる放射線検出器を提供することを目的とする。   In view of the above facts, the present invention has an object to provide a radiation detector that reduces the attenuation of radiation until reaching the charge conversion layer and is excellent in discharging the bubbles generated when filling the filler. To do.

本発明の請求項１に係る放射線検出器は、放射線が入射されることにより電荷を生成し、面積が３００cm2を超える電荷変換層と、前記電荷変換層下に設けられ、前記電荷変換層が生成した電荷を収集する下部電極部と、前記下部電極部が設けられる基板と、前記電荷変換層の表面に形成され、前記電荷変換層へバイアス電圧を印加するための上部電極部と、
前記上部電極部上を覆うカバー部材と、前記カバー部材と前記上部電極部との間に充填された充填材と、を備え、前記電荷変換層の表面を凸面で形成したことを特徴とする。 The radiation detector according to claim 1 of the present invention generates a charge when radiation is incident, and is provided under a charge conversion layer having an area of more than 300 cm 2 and the charge conversion layer, A lower electrode part for collecting the generated charge; a substrate on which the lower electrode part is provided; an upper electrode part formed on a surface of the charge conversion layer and for applying a bias voltage to the charge conversion layer;
A cover member covering the upper electrode portion and a filler filled between the cover member and the upper electrode portion are provided, and the surface of the charge conversion layer is formed as a convex surface.

この構成によれば、上部電極部から電荷変換層へバイアス電圧が印加される。電荷変換層は、放射線が入射されることにより電荷を生成する。電荷変換層が生成した電荷は、下部電極部により収集される。   According to this configuration, a bias voltage is applied from the upper electrode portion to the charge conversion layer. The charge conversion layer generates charges when radiation is incident thereon. The charges generated by the charge conversion layer are collected by the lower electrode part.

なお、電荷変換層が生成した電荷とは、電荷変換層が直接生成したもの以外に、電荷変換層が間接的に生成したものも含み、例えば、電荷変換層が直接生成した電荷に対応して生成される電荷も含む概念である。   The charge generated by the charge conversion layer includes not only the charge conversion layer directly generated but also the charge conversion layer indirectly generated, for example, corresponding to the charge directly generated by the charge conversion layer. It is a concept that includes generated charges.

ここで、請求項１の構成では、電荷変換層の表面が凸面で形成されており、その表面を凸面で形成しない場合に比べて充填材の厚みが薄くできるので、充填材を透過する放射線の透過性が向上する。このため、電荷変換層に到達するまでの放射線の減衰が低減する。   Here, in the configuration of claim 1, since the surface of the charge conversion layer is formed as a convex surface, and the thickness of the filler can be reduced as compared with the case where the surface is not formed as a convex surface, the radiation of the light transmitted through the filler can be reduced. Improves permeability. For this reason, attenuation of the radiation until reaching the charge conversion layer is reduced.

また、請求項１の構成によれば、電荷変換層の表面が凸面で形成されているので、充填材に気泡が混入した場合でも、電荷変換層の表面が凹面や平面で形成されている構成に比べ、気泡は凸面に沿って凸面の頂から外側へ排出されやすいので、気泡の排出性に優れる。   According to the configuration of claim 1, the surface of the charge conversion layer is formed as a convex surface. Therefore, even when bubbles are mixed in the filler, the surface of the charge conversion layer is formed as a concave surface or a plane. Compared with, the bubbles are easily discharged from the top of the convex surface to the outside along the convex surface.

本発明の請求項２に係る放射線検出器は、請求項１の構成において、前記上部電極部と前記カバー部材との間における前記充填材の厚みが１０〜２０００μｍであることを特徴とする。   The radiation detector according to claim 2 of the present invention is characterized in that, in the configuration of claim 1, the thickness of the filler between the upper electrode portion and the cover member is 10 to 2000 μm.

充填材の厚みが１０μｍ未満であると、カバー部材を上部電極上に配置する際に、上部電極に接触等することにより、電荷変換層を圧迫して電荷変換層を劣化させるおそれがある。また、充填材の厚みが２０００μｍを超えると、放射線の透過性が低下し、放射線の検出ができなくなるおそれがある。   When the thickness of the filler is less than 10 μm, when the cover member is disposed on the upper electrode, the charge conversion layer may be compressed by being brought into contact with the upper electrode to deteriorate the charge conversion layer. On the other hand, if the thickness of the filler exceeds 2000 μm, there is a possibility that the radiation permeability is lowered and the radiation cannot be detected.

これに対して、請求項２の構成によれば、上部電極部とカバー部材との間における充填材の厚みが１０〜２０００μｍとされているので、電荷変換層に圧迫して電荷変換層を劣化させることを抑制すると共に、放射線の透過性に優れる。   On the other hand, according to the configuration of claim 2, since the thickness of the filler between the upper electrode portion and the cover member is 10 to 2000 μm, the charge conversion layer is pressed against the charge conversion layer and deteriorated. And is excellent in radiation transparency.

本発明の請求項３に係る放射線検出器は、請求項１又は請求項２の構成において、前記電荷変換層は、最大厚み１に対して最小厚みが０．７５以上であることを特徴とする。   The radiation detector according to claim 3 of the present invention is characterized in that, in the configuration of claim 1 or 2, the charge conversion layer has a minimum thickness of 0.75 or more with respect to a maximum thickness 1. .

電荷変換層の最小厚みが、最大厚み１に対して０．７５未満であると、電荷変換層を通じて絶縁破壊を生じるおそれがある。   If the minimum thickness of the charge conversion layer is less than 0.75 with respect to the maximum thickness 1, dielectric breakdown may occur through the charge conversion layer.

これに対して、請求項３の構成によれば、電荷変換層は、最大厚み１に対して最小厚みが０．７５以上であるので、電荷変換層を通じた絶縁破壊を抑制できる。   On the other hand, according to the configuration of the third aspect, since the minimum thickness of the charge conversion layer is 0.75 or more with respect to the maximum thickness 1, dielectric breakdown through the charge conversion layer can be suppressed.

また、電荷変換層は、最大厚み１に対して最小厚みが０．７５以上であるので、電荷変換層の感度ムラの心配がない。   Moreover, since the minimum thickness of the charge conversion layer is 0.75 or more with respect to the maximum thickness 1, there is no fear of uneven sensitivity of the charge conversion layer.

本発明は、上記構成としたので、電荷変換層に到達するまでの放射線の減衰を低減すると共に、充填材を充填する際に生じる気泡の排出性に優れる。   Since the present invention is configured as described above, the attenuation of radiation until reaching the charge conversion layer is reduced, and the discharge of bubbles generated when the filler is filled is excellent.

以下に、本発明に係る放射線検出器の実施形態の一例を図面に基づき説明する。   Below, an example of an embodiment of a radiation detector concerning the present invention is explained based on a drawing.

本実施形態に係る放射線検出器は、Ｘ線撮影装置等に使用されるものであり、放射線の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層を含む静電記録部を備えてなり、画像情報を担持する放射線の照射を受けて画像情報を記録し、記録した画像情報を表す画像信号を出力するものである。   The radiation detector according to the present embodiment is used in an X-ray imaging apparatus or the like, and includes an electrostatic recording unit including a photoconductive layer that exhibits conductivity when irradiated with radiation. The image information is recorded upon receiving the irradiation of the radiation carrying the image, and the image signal representing the recorded image information is output.

放射線検出器としては、光の照射により電荷を発生する半導体材料を利用して読み取る、いわゆる光読取方式の放射線検出基板500と、放射線の照射により発生した電荷を蓄積し、その蓄積した電荷を薄膜トランジスタ（TFT：thin film transistor）などの電気的スイッチを１画素ずつオン・オフすることにより読み取る方式（以下、TFT方式という）の放射線検出器400等がある。   As the radiation detector, a so-called optical reading type radiation detection substrate 500 that reads using a semiconductor material that generates charges by light irradiation, and charges generated by radiation irradiation are accumulated, and the accumulated charges are stored in a thin film transistor. There is a radiation detector 400 or the like of a method of reading by turning on and off an electrical switch such as a TFT (thin film transistor) one pixel at a time (hereinafter referred to as TFT method).

（TFT方式の放射線検出器400の構成）
まず、TFT方式の放射線検出器400の構成について説明する。図１は、TFT方式の放射線検出器400の全体構成を示す概略図である。図２は、TFT方式の放射線検出器400の要部構成を示すものであり、ガラス基板上に積層された各部を示す図である。 (Configuration of TFT radiation detector 400)
First, the configuration of the TFT radiation detector 400 will be described. FIG. 1 is a schematic diagram showing the overall configuration of a TFT radiation detector 400. FIG. 2 shows the configuration of the main part of a TFT radiation detector 400, and shows each part laminated on a glass substrate.

本実施形態に係るTFT方式の放射線検出器400は、図１及び図２に示すように、放射線の一例としてのＸ線が入射されることにより電荷を生成する電荷変換層として、電磁波導電性を示す光導電層404を備えている。光導電層404としては、暗抵抗が高く、Ｘ線照射に対して良好な電磁波導電性を示し、真空蒸着法により低温で大面積成膜が可能な非晶質（アモルファス）材料が好まれる。   As shown in FIGS. 1 and 2, the TFT radiation detector 400 according to the present embodiment has an electromagnetic wave conductivity as a charge conversion layer that generates charges when X-rays as an example of radiation are incident. The photoconductive layer 404 shown is provided. As the photoconductive layer 404, an amorphous material having a high dark resistance, good electromagnetic wave conductivity with respect to X-ray irradiation, and capable of forming a large area film at a low temperature by a vacuum deposition method is preferred.

非晶質（アモルファス）材料としては、例えば、アモルファスSe（a-Se）膜が用いられている。また、アモルファスSeにAs、Sb、Geをドープした材料が、熱安定性に優れ、光導電層404の好適な材料となる。   For example, an amorphous Se (a-Se) film is used as the amorphous material. A material obtained by doping As, Sb, and Ge into amorphous Se is excellent in thermal stability and is a suitable material for the photoconductive layer 404.

光導電層404上には、光導電層404へバイアス電圧を印加するための上部電極部の一例として、バイアス電極401が形成されている。このバイアス電極401と後述する延長電極部431とから電極層430が構成されている。電極層430には、例えば、金（Au）が用いられる。   On the photoconductive layer 404, a bias electrode 401 is formed as an example of an upper electrode portion for applying a bias voltage to the photoconductive layer 404. An electrode layer 430 is composed of the bias electrode 401 and an extended electrode portion 431 described later. For example, gold (Au) is used for the electrode layer 430.

光導電層404下には、下部電極部の一例として、複数の電荷収集電極407aが形成されている。電荷収集電極407aは、図２に示すように、それぞれ電荷蓄積容量407c及びスイッチ素子407bに接続されている。また、電荷収集電極407aは、ガラス基板408に設けられている。   A plurality of charge collection electrodes 407a are formed under the photoconductive layer 404 as an example of the lower electrode portion. As shown in FIG. 2, the charge collection electrode 407a is connected to the charge storage capacitor 407c and the switch element 407b, respectively. The charge collection electrode 407a is provided on the glass substrate 408.

また、図２に示すように、光導電層404とバイアス電極401との間には、中間層として、正孔注入阻止層402が設けられている。ここで、中間層とは、バイアス電極401と光導電層404の間に存在する層であり、電荷注入阻止層（電荷蓄積とダイオード形成を包含）を兼ねるものであっても良い。電荷注入阻止層として、抵抗層や絶縁層が用いられる場合もあるが、好ましくは、電子に対しては導電体でありながら正孔の注入を阻止する正孔注入阻止層や、正孔に対しては導電体でありながら電子の注入を阻止する電子注入阻止層が用いられる。正孔注入阻止層としては、CeO２、ZnS、Sb２S３を用いることができる。このうちZnSは低温で形成できて望ましい。電子注入阻止層としては、Sb２S３、CdS、TeをドープされたSe、CdTe、有機物系の化合物等がある。なお、Sb２S３は設けられる厚みにより、正孔注入阻止層にも電子注入阻止層にもなる。本実施形態では、バイアス電極が正極であるため、中間層として、正孔注入阻止層402が設けられている。また、光導電層404と電荷収集電極407aとの間には、図２に示すように、電子注入阻止層406が設けられている。 Further, as shown in FIG. 2, a hole injection blocking layer 402 is provided as an intermediate layer between the photoconductive layer 404 and the bias electrode 401. Here, the intermediate layer is a layer existing between the bias electrode 401 and the photoconductive layer 404, and may also serve as a charge injection blocking layer (including charge accumulation and diode formation). Although a resistance layer or an insulating layer may be used as the charge injection blocking layer, it is preferably a hole injection blocking layer that blocks hole injection while being a conductor for electrons, or for holes. For example, an electron injection blocking layer that blocks the injection of electrons while being a conductor is used. As the hole injection blocking layer, CeO 2 , ZnS, Sb 2 S 3 can be used. Of these, ZnS is desirable because it can be formed at a low temperature. Examples of the electron injection blocking layer include Sb 2 S 3 , CdS, Te doped Se, CdTe, organic compounds, and the like. Note that Sb 2 S 3 becomes both a hole injection blocking layer and an electron injection blocking layer depending on the thickness provided. In this embodiment, since the bias electrode is a positive electrode, a hole injection blocking layer 402 is provided as an intermediate layer. Further, as shown in FIG. 2, an electron injection blocking layer 406 is provided between the photoconductive layer 404 and the charge collection electrode 407a.

また、正孔注入阻止層402と光導電層404との間と、図２に示すように、電子注入阻止層406と光導電層404との間とには、それぞれ結晶化防止層403、405が設けられている。結晶化防止層403、405としてはGeSe、GeSe２、Sb２Se３、a-As２Se３や、Se−As、Se−Ge、Se−Sb系化合物等を用いることが可能である。 Further, between the hole injection blocking layer 402 and the photoconductive layer 404 and between the electron injection blocking layer 406 and the photoconductive layer 404 as shown in FIG. Is provided. The crystallization preventing layer 403, 405 GeSe, can be used and GeSe 2, Sb 2 Se 3, a-As 2 Se 3, Se-As, Se-Ge, a Se-Sb-based compounds.

なお、電荷収集電極407aとスイッチ素子407bと電荷蓄積容量407cとからアクティブマトリックス層407が構成され、ガラス基板408とアクティブマトリックス層407とからアクティブマトリックス基板450が構成されている。   Note that an active matrix layer 407 is configured by the charge collection electrode 407a, the switch element 407b, and the charge storage capacitor 407c, and an active matrix substrate 450 is configured by the glass substrate 408 and the active matrix layer 407.

図３は、放射線検出器400の１画素単位の構造を示す断面図であり、図４は、その平面図である。図３及び図４に示す１画素のサイズは、0.1mm×0.1mm〜0.3mm×0.3mm程度であり、放射線検出器全体としてはこの画素がマトリクス状に500×500〜3000×3000画素程度配列されている。   3 is a cross-sectional view showing the structure of one pixel unit of the radiation detector 400, and FIG. 4 is a plan view thereof. The size of one pixel shown in FIGS. 3 and 4 is about 0.1 mm × 0.1 mm to 0.3 mm × 0.3 mm, and this pixel is arranged in a matrix of about 500 × 500 to 3000 × 3000 pixels in the radiation detector as a whole. Has been.

図３に示すように、アクティブマトリックス基板450は、ガラス基板408、ゲート電極411、電荷蓄積容量電極（以下、Cs電極と称する）418、ゲート絶縁膜413、ドレイン電極412、チャネル層415、コンタクト電極416、ソース電極410、絶縁保護膜417、層間絶縁膜420、及び電荷収集電極407aを有している。   As shown in FIG. 3, the active matrix substrate 450 includes a glass substrate 408, a gate electrode 411, a charge storage capacitor electrode (hereinafter referred to as Cs electrode) 418, a gate insulating film 413, a drain electrode 412, a channel layer 415, a contact electrode. 416, a source electrode 410, an insulating protective film 417, an interlayer insulating film 420, and a charge collection electrode 407a.

また、ゲート電極411やゲート絶縁膜413、ソース電極410、ドレイン電極412、チャネル層415、コンタクト電極416等により薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）からなるスイッチ素子407bが構成されており、Cs電極418やゲート絶縁膜413、ドレイン電極412等により電荷蓄積容量407cが構成されている。   The gate electrode 411, the gate insulating film 413, the source electrode 410, the drain electrode 412, the channel layer 415, the contact electrode 416, and the like constitute a switch element 407b made of a thin film transistor (TFT), and a Cs electrode 418. Further, a charge storage capacitor 407c is configured by the gate insulating film 413, the drain electrode 412 and the like.

ガラス基板408は支持基板であり、ガラス基板408としては、例えば、無アルカリガラス基板（例えば、コーニング社製＃1737等）を用いることができる。ゲート電極411及びソース電極410は、図４に示すように、格子状に配列された電極配線であり、その交点には薄膜トランジスタからなるスイッチ素子407bが形成されている。   The glass substrate 408 is a support substrate. As the glass substrate 408, for example, an alkali-free glass substrate (for example, # 1737 manufactured by Corning) can be used. As shown in FIG. 4, the gate electrode 411 and the source electrode 410 are electrode wirings arranged in a lattice pattern, and a switch element 407b made of a thin film transistor is formed at the intersection.

スイッチ素子407bのソース・ドレインは、それぞれ、ソース電極410とドレイン電極412とに接続されている。ソース電極410は、信号線としての直線部分と、スイッチ素子407bを構成するための延長部分とを備えており、ドレイン電極412は、スイッチ素子407bと電荷蓄積容量407cとをつなぐように設けられている。   The source / drain of the switch element 407b is connected to the source electrode 410 and the drain electrode 412 respectively. The source electrode 410 includes a linear portion as a signal line and an extended portion for constituting the switch element 407b, and the drain electrode 412 is provided so as to connect the switch element 407b and the charge storage capacitor 407c. Yes.

ゲート絶縁膜413はSiNxやSiOx等からなっている。ゲート絶縁膜413は、ゲート電極411及びCs電極418を覆うように設けられており、ゲート電極411上に位置する部位がスイッチ素子407bにおけるゲート絶縁膜として作用し、Cs電極418上に位置する部位は電荷蓄積容量407cにおける誘電体層として作用する。つまり、電荷蓄積容量407cは、ゲート電極411と同一層に形成されたCs電極418とドレイン電極412との重畳領域によって形成されている。なお、ゲート絶縁膜413としては、SiNxやSiOxに限らず、ゲート電極411及びCs電極418を陽極酸化した陽極酸化膜を併用することもできる。   The gate insulating film 413 is made of SiNx, SiOx, or the like. The gate insulating film 413 is provided so as to cover the gate electrode 411 and the Cs electrode 418, and a part located on the gate electrode 411 acts as a gate insulating film in the switch element 407b, and a part located on the Cs electrode 418. Acts as a dielectric layer in the charge storage capacitor 407c. That is, the charge storage capacitor 407c is formed by an overlapping region of the Cs electrode 418 and the drain electrode 412 formed in the same layer as the gate electrode 411. The gate insulating film 413 is not limited to SiNx or SiOx, and an anodic oxide film obtained by anodizing the gate electrode 411 and the Cs electrode 418 can be used in combination.

また、チャネル層（ｉ層）415はスイッチ素子407bのチャネル部であり、ソース電極410とドレイン電極412とを結ぶ電流の通路である。コンタクト電極（ｎ＋層）416はソース電極410とドレイン電極412とのコンタクトを図る。   A channel layer (i layer) 415 is a channel portion of the switch element 407 b and is a current path connecting the source electrode 410 and the drain electrode 412. A contact electrode (n + layer) 416 makes contact between the source electrode 410 and the drain electrode 412.

絶縁保護膜417は、ソース電極410及びドレイン電極412上、つまり、ガラス基板408上に、ほぼ全面（ほぼ全領域）にわたって形成されている。これにより、ドレイン電極412とソース電極410とを保護すると共に、電気的な絶縁分離を図っている。また、絶縁保護膜417は、その所定位置、つまり、ドレイン電極412においてCs電極418と対向している部分上に位置する部位に、コンタクトホール421を有している。   The insulating protective film 417 is formed over almost the entire surface (substantially the entire region) on the source electrode 410 and the drain electrode 412, that is, on the glass substrate 408. Thus, the drain electrode 412 and the source electrode 410 are protected, and electrical insulation and separation are achieved. Further, the insulating protective film 417 has a contact hole 421 at a predetermined position thereof, that is, at a portion located on a portion of the drain electrode 412 facing the Cs electrode 418.

電荷収集電極407aは、非晶質透明導電酸化膜からなっている。電荷収集電極407aは、コンタクトホール421を埋めるようにして形成されており、ソース電極410上及びドレイン電極412上に積層されている。電荷収集電極407aと光導電層404とは電気的に導通しており、光導電層404で発生した電荷を電荷収集電極407aで収集できるようになっている。   The charge collection electrode 407a is made of an amorphous transparent conductive oxide film. The charge collection electrode 407a is formed so as to fill the contact hole 421, and is stacked on the source electrode 410 and the drain electrode 412. The charge collection electrode 407a and the photoconductive layer 404 are electrically connected to each other so that charges generated in the photoconductive layer 404 can be collected by the charge collection electrode 407a.

続いて、電荷収集電極407aについて詳細に説明する。本実施形態で用いる電荷収集電極407aは、非晶質透明導電酸化膜によって構成されている。非晶質透明導電酸化膜材料としては、インジウムと錫との酸化物（ITO：Indium-Tin-Oxide）や、インジウムと亜鉛との酸化物（IZO：Indium-Zinc-Oxide）、インジウムとゲルマニウムとの酸化物（IGO：Indium-Germanium-Oxide）等を基本組成とするものを使用することができる。   Next, the charge collection electrode 407a will be described in detail. The charge collection electrode 407a used in this embodiment is composed of an amorphous transparent conductive oxide film. Examples of amorphous transparent conductive oxide film materials include oxides of indium and tin (ITO: Indium-Tin-Oxide), oxides of indium and zinc (IZO: Indium-Zinc-Oxide), indium and germanium. An oxide (IGO: Indium-Germanium-Oxide) or the like having a basic composition can be used.

また、電荷収集電極407aとしては、各種の金属膜や導電酸化膜が使用されているが、下記の理由により、ITO（Indium-Tin-Oxide）等の透明導電酸化膜が用いられることが多い。放射線検出器400において入射Ｘ線量が多い場合、不要な電荷が半導体膜中（あるいは半導体膜と隣接する層との界面付近）に捕獲されることがある。   As the charge collection electrode 407a, various metal films and conductive oxide films are used, and transparent conductive oxide films such as ITO (Indium-Tin-Oxide) are often used for the following reasons. When the incident X-ray dose is large in the radiation detector 400, unnecessary charges may be trapped in the semiconductor film (or in the vicinity of the interface between the semiconductor film and an adjacent layer).

このような残留電荷は、長時間メモリーされたり、時間をかけつつ移動したりするので、以降の画像検出時にＸ線検出特性が劣化したり、残像（虚像）が現れたりして問題になる。そこで、特開平９−９15３号公報（対応米国特許第５５６３４２１号）には、光導電層404に残留電荷が発生した場合に、光導電層404の外側から光を照射することで、残留電荷を励起させて取り除く方法が開示されている。この場合、光導電層404の下側（電荷収集電極407a側）から効率よく光を照射するためには、電荷収集電極407aが照射光に対して透明である必要がある。   Such residual charges are stored in memory for a long time or move while taking time, so that X-ray detection characteristics deteriorate during subsequent image detection, and afterimages (virtual images) appear. Therefore, in Japanese Patent Laid-Open No. 9-9153 (corresponding US Pat. No. 5,563,421), when residual charges are generated in the photoconductive layer 404, the residual charges are reduced by irradiating light from the outside of the photoconductive layer 404. A method of removing by excitation is disclosed. In this case, in order to irradiate light efficiently from the lower side of the photoconductive layer 404 (on the side of the charge collection electrode 407a), the charge collection electrode 407a needs to be transparent to the irradiation light.

また、電荷収集電極407aの面積充填率（フィルファクター）を大きくする目的、またはスイッチ素子407bをシールドする目的で、スイッチ素子407bを覆うように電荷収集電極407aを形成することが望まれるが、電荷収集電極407aが不透明であると、電荷収集電極407aの形成後にスイッチ素子407bを観察することができない。   In addition, for the purpose of increasing the area filling factor (fill factor) of the charge collection electrode 407a or for shielding the switch element 407b, it is desirable to form the charge collection electrode 407a so as to cover the switch element 407b. If the collection electrode 407a is opaque, the switch element 407b cannot be observed after the charge collection electrode 407a is formed.

例えば、電荷収集電極407aを形成後、スイッチ素子407bの特性検査を行う場合、スイッチ素子407bが不透明な電荷収集電極407aで覆われていると、スイッチ素子407bの特性不良が見つかった際、その原因を解明するために光学顕微鏡等で観察することができない。従って、電荷収集電極407aの形成後もスイッチ素子407bを容易に観察することができるように、電荷収集電極407aは透明であることが望ましい。   For example, when the characteristic inspection of the switch element 407b is performed after the charge collection electrode 407a is formed, if the switch element 407b is covered with the opaque charge collection electrode 407a, the cause of the characteristic failure of the switch element 407b is found. Cannot be observed with an optical microscope. Therefore, it is desirable that the charge collection electrode 407a be transparent so that the switch element 407b can be easily observed even after the charge collection electrode 407a is formed.

層間絶縁膜420は、感光性を有するアクリル樹脂からなり、スイッチ素子407bの電気的な絶縁分離を図っている。層間絶縁膜420には、コンタクトホール421が貫通しており、電荷収集電極407aはドレイン電極412に接続されている。コンタクトホール421は、図３に示すように逆テーパ形状で形成されている。   The interlayer insulating film 420 is made of a photosensitive acrylic resin, and serves to electrically isolate the switch element 407b. A contact hole 421 passes through the interlayer insulating film 420, and the charge collection electrode 407 a is connected to the drain electrode 412. The contact hole 421 is formed in a reverse taper shape as shown in FIG.

バイアス電極401とCs電極418との間には、図示しない高圧電源が接続されている。ここで、高圧電源に接続された高電圧線432をバイアス電極401と電気的に接続する構成について説明する。   A high voltage power supply (not shown) is connected between the bias electrode 401 and the Cs electrode 418. Here, a configuration in which the high voltage line 432 connected to the high voltage power source is electrically connected to the bias electrode 401 will be described.

図１に示すように、TFT方式の放射線検出器400は、バイアス電極401からガラス基板408上の光導電層404の無い領域へ延長された延長電極部431を備えている。この延長電極部431とバイアス電極401とは、電極層430を構成し、同一工程で一体成形される。   As shown in FIG. 1, the TFT radiation detector 400 includes an extended electrode portion 431 that extends from the bias electrode 401 to a region without the photoconductive layer 404 on the glass substrate 408. The extension electrode portion 431 and the bias electrode 401 constitute an electrode layer 430 and are integrally formed in the same process.

延長電極部431は、バイアス電極401の側部から突出し、図１に示すように、光導電層404の下方へ傾斜する下り勾配の側面に沿って、放射線検出器400の最低部にあたるガラス基板408まで引き下ろされている。   The extension electrode portion 431 protrudes from the side portion of the bias electrode 401 and, as shown in FIG. 1, along the downwardly inclined side surface inclined downward of the photoconductive layer 404, a glass substrate 408 corresponding to the lowest portion of the radiation detector 400. Has been pulled down.

延長電極部431は、延長電極部431からバイアス電極401を介して光導電層404へバイアス電圧を印加する導線としての高電圧線432と、ガラス基板408上の光導電層404の無い領域で電気的に接続されている。   The extension electrode portion 431 is electrically connected to the high voltage line 432 as a conducting wire for applying a bias voltage from the extension electrode portion 431 to the photoconductive layer 404 via the bias electrode 401 and the region on the glass substrate 408 where the photoconductive layer 404 is absent. Connected.

高電圧線432は、外部から引き込まれており、導電性ペースト433により、延長電極部431の先端部と電気的に接続されている。   The high voltage line 432 is drawn from the outside and is electrically connected to the distal end portion of the extended electrode portion 431 by the conductive paste 433.

（光導電層404を被覆する構成）
次に、光導電層404を被覆する構成について説明する。図１に示すように、バイアス電極401の上方には、バイアス電極401上を覆うカバー部材の一例としてのカバーガラス440が設けられている。カバーガラス440は、平面状にされた板体で形成されている。 (Configuration covering photoconductive layer 404)
Next, a configuration for covering the photoconductive layer 404 will be described. As shown in FIG. 1, a cover glass 440 as an example of a cover member that covers the bias electrode 401 is provided above the bias electrode 401. The cover glass 440 is formed of a flat plate.

ガラス基板408には、カバーガラス440が接合される保護部材442が設けられている。
保護部材442は、光導電層404の周囲を囲んでおり、全体として上部及び下部が開放された箱状に形成されている。 The glass substrate 408 is provided with a protective member 442 to which the cover glass 440 is bonded.
The protective member 442 surrounds the periphery of the photoconductive layer 404, and is formed in a box shape with the upper and lower portions opened as a whole.

また、保護部材442は、ガラス基板408の外周部上に立設された側壁442ａと、側壁442ａの上部からガラス基板408中央部の上方側へ張り出すフランジ部442ｂとを有しており、断面Ｌ字状に形成されている。   Further, the protective member 442 has a side wall 442a erected on the outer peripheral portion of the glass substrate 408, and a flange portion 442b protruding from the upper part of the side wall 442a to the upper side of the central portion of the glass substrate 408. It is formed in an L shape.

カバーガラス440は、その外周部の上面がフランジ部442ｂ下面（内壁）に接合されており、保護部材442により支持されている。   The cover glass 440 has an upper surface of its outer peripheral portion joined to the lower surface (inner wall) of the flange portion 442b and is supported by the protective member 442.

この保護部材442とカバーガラス440との接合部分は、光導電層404の外側に配置されている。すなわち、光導電層404の上方ではなく、ガラス基板408上の光導電層404の無い領域で、保護部材442とカバーガラス440とが接合されている。   The joint between the protective member 442 and the cover glass 440 is disposed outside the photoconductive layer 404. That is, the protective member 442 and the cover glass 440 are bonded to each other in a region where the photoconductive layer 404 on the glass substrate 408 is not present, but not above the photoconductive layer 404.

なお、保護部材442には、絶縁性を有する絶縁性部材が用いられている。絶縁性部材としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリメタクリル酸メチル(アクリル)、ポリ塩化ビニール、ガラスが用いられる。   Note that an insulating member having an insulating property is used for the protective member 442. Examples of the insulating member include polycarbonate, polyethylene terephthalate (PET), polymethyl methacrylate (acrylic), polyvinyl chloride, and glass.

また、保護部材442は、下部開放がガラス基板408で閉鎖されると共に上部開放がカバーガラス440で閉鎖されており、保護部材442内に所定の大きさの閉鎖空間が形成される。この閉鎖空間に光導電層404が収容されて、光導電層404がカバーガラス440、ガラス基板408及び保護部材442で被覆される。   Further, the protective member 442 has a lower opening closed by a glass substrate 408 and an upper opening closed by a cover glass 440, so that a closed space of a predetermined size is formed in the protective member 442. The photoconductive layer 404 is accommodated in the closed space, and the photoconductive layer 404 is covered with the cover glass 440, the glass substrate 408, and the protective member 442.

また、カバーガラス440とバイアス電極401との間には、充填材444が充填されている。充填材444としては、例えば、エポキシ、シリコン等の常温硬化性樹脂が用いられる。   Further, a filler 444 is filled between the cover glass 440 and the bias electrode 401. As the filler 444, for example, a room temperature curable resin such as epoxy or silicon is used.

充填材444は、例えば、カバーガラス440、保護部材442及びガラス基板408に囲まれた空間に流し込むことにより、充填される。充填材444を流し込む充填方法としては、例えば、特開２００５−２８３２６０、特開２００５−３５１６５０に開示される充填方法を用いることができる。   The filler 444 is filled, for example, by pouring into a space surrounded by the cover glass 440, the protection member 442, and the glass substrate 408. As a filling method for pouring the filler 444, for example, a filling method disclosed in JP-A-2005-283260 and JP-A-2005-351650 can be used.

このように、光導電層404とバイアス電極401は、カバーガラス440、保護部材442及び充填材444により、高い耐電圧機能が付与されている。   As described above, the photoconductive layer 404 and the bias electrode 401 are provided with a high withstand voltage function by the cover glass 440, the protective member 442, and the filler 444.

また、本実施形態では、充填材444の線膨張係数を光導電層404と近似させることで、温度変化時のデバイス内部の応力分布を均一化している。光導電層404がアモルファスセレンの場合、線膨張係数は4.78×10^-5である。常温硬化性樹脂は5〜10×10^-5程度であるが、常温硬化性樹脂にシリコンフィラー等を入れることで、4〜5×10^-5に合わせることができる。 In the present embodiment, the stress distribution inside the device at the time of temperature change is made uniform by approximating the linear expansion coefficient of the filler 444 to that of the photoconductive layer 404. When the photoconductive layer 404 is amorphous selenium, the linear expansion coefficient is 4.78 × 10 ^ -5 . Although cold-curable resin is about 5 to 10 × 10 ^ -5, by inserting a silicon filler or the like to a room temperature curable resin, it can be tailored to 4~5 × 10 ^ -5.

また、光導電層404及び充填材444だけでなく、保護部材442及びカバーガラス440の線膨張係数を均一化することで、光導電層404の界面に働く応力の不連続点を解消することができる。   Further, by making the linear expansion coefficients of not only the photoconductive layer 404 and the filler 444 but also the protective member 442 and the cover glass 440 uniform, discontinuities of stress acting on the interface of the photoconductive layer 404 can be eliminated. it can.

具体的には、保護部材442の材質を、放射線検出器400のハンドリングにおいて破損しない限りにおいて剛性を低く、かつ線膨張係数が小さい材料とすることで、光導電層404に加わる熱応力を緩和することが可能となる。例えば、保護部材442の材質を、線膨張係数が1.0×10^-6〜1.0×10^-5のガラスを用いることで、アクティブマトリックス基板450との熱膨張差異を最小限に抑え、熱に起因して光導電層404に加わる歪を最小限にすることが可能である。 Specifically, the thermal stress applied to the photoconductive layer 404 is relieved by using a material having a low rigidity and a low coefficient of linear expansion as long as the material of the protective member 442 is not damaged in handling of the radiation detector 400. It becomes possible. For example, the protective member 442 is made of glass with a linear expansion coefficient of 1.0 × 10 ^ -6 to 1.0 × 10 ^ -5 , minimizing the difference in thermal expansion from the active matrix substrate 450 and reducing heat. As a result, the strain applied to the photoconductive layer 404 can be minimized.

また、図５に示すように、テフロン（登録商標）等の離型性の良好な枠470を利用して、充填材444そのものを保護部材442として用いる構成であっても良い。これにより、デバイス内の応力不連続部を解消し、環境温度に起因して光導電層404に加わるストレスを緩和することが可能となる。ここで、充填材444の熱膨張率を光導電層404と同等にすると、更にその効果は高まる。   Further, as shown in FIG. 5, a configuration in which the filler 444 itself is used as the protective member 442 by using a frame 470 having good releasability such as Teflon (registered trademark) may be used. This eliminates stress discontinuities in the device and can alleviate stress on the photoconductive layer 404 due to ambient temperature. Here, when the thermal expansion coefficient of the filler 444 is made equal to that of the photoconductive layer 404, the effect is further enhanced.

また、充填材444として、ガラス転移点がデバイスの動作可能（保証）温度下限以下の接着剤を充填した構成としても良い。これにより、放射線検出器400の温度に起因する放射線検出器400内ストレスの中で、特に高いストレスを示す周辺部のストレスを緩和することが可能となる。また、保護部材442をガラス基板408に接着する際に使用する接着剤を、弾力を有するシリコンゴム系の接着剤を用いることでも、熱に起因する放射線検出器400のストレスを緩和することが可能である。ここで、接着剤の使用量を低減させることも、ストレスの起因となる熱膨張力を抑える上で有効である。   Further, the filler 444 may be configured to be filled with an adhesive whose glass transition point is lower than the operable (guaranteed) temperature lower limit of the device. This makes it possible to relieve stress in the peripheral portion that shows particularly high stress among the stress in the radiation detector 400 due to the temperature of the radiation detector 400. It is also possible to reduce the stress on the radiation detector 400 due to heat by using an elastic silicone rubber adhesive as the adhesive used to bond the protective member 442 to the glass substrate 408. It is. Here, reducing the amount of adhesive used is also effective in suppressing the thermal expansion force that causes stress.

（光導電層404の構成）
次に、光導電層404の構成について説明する。 (Configuration of photoconductive layer 404)
Next, the configuration of the photoconductive layer 404 will be described.

光導電層404は、中高に形成されており、その表面がカバーガラス440側（放射線入射側）へ膨出した凸面で形成されている。これにより、画像情報を担持した放射線が照射される領域のうち、放射線が検出される検出領域、すなわち画像情報が取得される画像情報取得領域の充填材444の厚みを低減し、光導電層404の感度を向上させる。   The photoconductive layer 404 is formed at a medium height, and the surface thereof is formed as a convex surface that bulges to the cover glass 440 side (radiation incident side). This reduces the thickness of the filler 444 in the detection area where the radiation is detected, that is, the image information acquisition area where the image information is acquired, among the areas irradiated with the radiation carrying the image information, and the photoconductive layer 404 Improve the sensitivity.

ここで、光導電層404の表面が凸面で形成されているとは、光導電層404の表面に凹部が存在しないことをいう。   Here, the surface of the photoconductive layer 404 being formed as a convex surface means that there is no concave portion on the surface of the photoconductive layer 404.

凹部とは、放射線検出器400を水平面に置いたとき、着目している光導電層404の表面の部位よりも、周囲に最低１箇所でも低い部分がある場合は、凹部とは見なさない。全周囲が高く（光導電層404が肉厚に）なった状態を凹部と見なす。また、ここでいう凹凸とは、１μｍ以下のオーダーを含まない。   A concave portion is not regarded as a concave portion when there is at least one lower portion around the surface of the photoconductive layer 404 of interest when the radiation detector 400 is placed on a horizontal plane. A state where the entire periphery is high (the photoconductive layer 404 is thick) is regarded as a recess. Moreover, the unevenness | corrugation here does not include the order of 1 micrometer or less.

中高の度合いは、光導電層404の感度向上に必要な最低厚み、充填材444の厚み、及びその充填材444の放射線吸収度合いによって最適値が異なる。   The medium-high degree differs depending on the minimum thickness necessary for improving the sensitivity of the photoconductive layer 404, the thickness of the filler 444, and the radiation absorption degree of the filler 444.

バイアス電極401とカバーガラス440との間における充填材444の厚みが１０〜２０００μｍ、好ましくは、１０〜３００μｍとされている。すなわち、充填材444は、光導電層404の表面の頂とカバーガラス440の間の厚さＡが、少なくとも１０μｍ以上の厚さとされ、光導電層404の表面の裾側とカバーガラス440の間の厚さＢが、少なくとも２０００μｍ以下の厚さとされる。   The thickness of the filler 444 between the bias electrode 401 and the cover glass 440 is 10 to 2000 μm, preferably 10 to 300 μm. That is, the filler 444 has a thickness A between the top of the surface of the photoconductive layer 404 and the cover glass 440 of at least 10 μm or more. The thickness B is at least 2000 μm or less.

これは、充填材444の厚みが１０μｍ未満であると、カバーガラス440をバイアス電極401上に配置する際に、バイアス電極401に接触等することにより、光導電層404を圧迫して光導電層404を劣化させるおそれがあるためである。また、充填材444の厚みが２０００μｍを超えると、放射線の透過性が低下し、放射線の検出ができなくなるおそれがあるためである。また、充填材444の厚みを３００μｍ以下とすることにより、放射線の感度が格段に向上する。   This is because when the thickness of the filler 444 is less than 10 μm, when the cover glass 440 is disposed on the bias electrode 401, the photoconductive layer 404 is pressed by contacting the bias electrode 401, etc. This is because 404 may be deteriorated. In addition, if the thickness of the filler 444 exceeds 2000 μm, the radiation permeability may be reduced, and radiation may not be detected. In addition, when the thickness of the filler 444 is 300 μm or less, the sensitivity of radiation is remarkably improved.

また、光導電層404は、最大厚み１に対して最小厚みが０．７５以上とされている。これは、光導電層404の最小厚みが、最大厚み１に対して０．７５未満であると、光導電層404を通じて絶縁破壊を生じるおそれがあるためである。   The photoconductive layer 404 has a minimum thickness of 0.75 or more with respect to the maximum thickness 1. This is because if the minimum thickness of the photoconductive layer 404 is less than 0.75 with respect to the maximum thickness 1, dielectric breakdown may occur through the photoconductive layer 404.

また、光導電層404に十分な厚みがあれば、普通、厚みと感度は比例しないが、画像領域にも関わらず、光導電層404の最小厚みが、最大厚み１に対して０．７５未満であると、十分な厚みといえず、放射線を受け止めきれず、感度ムラとなるおそれがあるためでもある。   If the photoconductive layer 404 has a sufficient thickness, the thickness and the sensitivity are usually not proportional, but the minimum thickness of the photoconductive layer 404 is less than 0.75 with respect to the maximum thickness 1 regardless of the image area. This is because the thickness is not sufficient, the radiation cannot be received, and the sensitivity may be uneven.

また、光導電層404を蒸着で形成する場合、蒸着源（ボート）の配置によって蒸着の厚みをコントロールすることができる。   When the photoconductive layer 404 is formed by vapor deposition, the vapor deposition thickness can be controlled by the arrangement of the vapor deposition source (boat).

ここで、光導電層404の蒸着面積が３００cm2を越えると、１個の蒸着源では、信号の均一性を確保するために必要とされる光導電層404の厚みムラを±5％に押さえることが困難である。指向性1.5〜2の坩堝を用いて、坩堝基盤間の距離を500mmに設定した場合、厚みムラ±5％を確保できるのは蒸着面積が３００cm2の範囲であった。 Here, when the vapor deposition area of the photoconductive layer 404 exceeds 300 cm 2 , the thickness unevenness of the photoconductive layer 404 required to ensure signal uniformity is suppressed to ± 5% with one vapor deposition source. Is difficult. When using a crucible with a directivity of 1.5 to 2 and setting the distance between the crucible bases to 500 mm, the thickness unevenness of ± 5% could be secured in the range of 300 cm 2 .

このため、図６に示すように、複数の蒸着源（ボート）を配置にすることで、光導電層404を中高にすることが可能となる。図６の例では、５つの蒸着源（ボート）が配置されている。   For this reason, as shown in FIG. 6, by arranging a plurality of vapor deposition sources (boats), it is possible to make the photoconductive layer 404 medium-high. In the example of FIG. 6, five vapor deposition sources (boats) are arranged.

本実施形態に係る光導電層404は、面積が３００cm2を超えるものであり、図６に示すように、複数の蒸着源の配置にすることで形成されている。 The photoconductive layer 404 according to this embodiment has an area exceeding 300 cm 2 and is formed by arranging a plurality of vapor deposition sources as shown in FIG.

また、光導電層404の表面を凸面で形成すると、図７に示すように、充填材444封入時に発生しがちな気泡を無理なくカバーガラス440周辺部に排出することが可能になる。なお、気泡は、充填材444の粘度が低い方が好ましい。しかしながら、充填材444の粘度が小さいと、カバーガラス440に薄層に塗布しようとすると、塗れ性によっては弾いてしまい、均一な塗布ができないため、気泡混入の一因になる。気泡が発生すると、バイアス電圧によってはカバーガラス440や保護部材442と、バイアス電極401や高電圧線514との間で放電が発生し、絶縁不良が発生する可能性がある。   In addition, when the surface of the photoconductive layer 404 is formed as a convex surface, as shown in FIG. 7, bubbles that tend to be generated when the filler 444 is sealed can be discharged to the periphery of the cover glass 440 without difficulty. Note that the bubbles preferably have a lower viscosity of the filler 444. However, if the viscosity of the filler 444 is small, when it is applied to the cover glass 440 in a thin layer, it is repelled depending on the paintability, and uniform application cannot be performed, which causes bubbles to be mixed. When bubbles are generated, depending on the bias voltage, discharge may occur between the cover glass 440 and the protective member 442, the bias electrode 401 and the high voltage line 514, and insulation failure may occur.

この様な場合、常温硬化性樹脂を経時により硬化させ、それをカバーガラス440に薄層塗布してから、低粘度の状態（エポキシ系の場合、二液を混合し脱泡してから経時による硬化が進行しない間）の充填材444を塗布することで、気泡の混入を防止できる。   In such a case, the room temperature curable resin is cured over time, applied to the cover glass 440 in a thin layer, and then in a low-viscosity state (in the case of an epoxy system, the two liquids are mixed and degassed, and then the By applying the filler 444 while curing does not proceed, mixing of bubbles can be prevented.

（TFT方式の放射線検出器の動作原理）
次に、上記のTFT方式の放射線検出器400の動作原理について説明する。 (Operation principle of TFT radiation detector)
Next, the operation principle of the above-described TFT radiation detector 400 will be described.

光導電層404にＸ線が照射されると、光導電層404内に電荷（電子−正孔対）が発生する。バイアス電極401とCs電極418との間に電圧が印加された状態、すなわちバイアス電極401とCs電極418とを介して光導電層404に電圧が印加された状態において、光導電層404と電荷蓄積容量407cとは電気的に直列に接続された構造となっているので、光導電層404内に発生した電子は＋電極側に、正孔は−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量407cに電荷が蓄積される。   When the photoconductive layer 404 is irradiated with X-rays, charges (electron-hole pairs) are generated in the photoconductive layer 404. In a state where a voltage is applied between the bias electrode 401 and the Cs electrode 418, that is, in a state where a voltage is applied to the photoconductive layer 404 via the bias electrode 401 and the Cs electrode 418, charge accumulation with the photoconductive layer 404 is performed. Since the capacitor 407c is electrically connected in series, the electrons generated in the photoconductive layer 404 move to the + electrode side, and the holes move to the-electrode side. As a result, the charge storage capacitor Charge is accumulated in 407c.

電荷蓄積容量407cに蓄積された電荷は、ゲート電極411への入力信号によってスイッチ素子407bをオン状態にすることによりソース電極410を介して外部に取り出すことが可能となる。そして、ゲート電極411とソース電極410とからなる電極配線、スイッチ素子407b及び電荷蓄積容量407cは、すべてマトリクス状に設けられているため、ゲート電極411に入力する信号を順次走査し、ソース電極410からの信号をソース電極410毎に検知することにより、二次元的にＸ線の画像情報を得ることが可能となる。   The charge stored in the charge storage capacitor 407c can be taken out through the source electrode 410 by turning on the switch element 407b by an input signal to the gate electrode 411. Since the electrode wiring composed of the gate electrode 411 and the source electrode 410, the switch element 407b, and the charge storage capacitor 407c are all provided in a matrix, signals input to the gate electrode 411 are sequentially scanned to obtain the source electrode 410. By detecting the signal from each source electrode 410, X-ray image information can be obtained two-dimensionally.

（TFT方式の放射線検出器の作用効果）
次に、上記のTFT方式の放射線検出器400の作用効果について説明する。 (Effects of TFT radiation detector)
Next, operational effects of the above-described TFT radiation detector 400 will be described.

本実施形態の構成では、光導電層404の表面が凸面で形成されており、充填材444の厚みを薄くできるので、充填材444を透過する放射線の透過性が向上する。このため、光導電層404に到達するまでの放射線の減衰が低減する。   In the configuration of this embodiment, the surface of the photoconductive layer 404 is formed as a convex surface, and the thickness of the filler 444 can be reduced, so that the transmission of radiation that passes through the filler 444 is improved. For this reason, the attenuation of radiation until reaching the photoconductive layer 404 is reduced.

また、本実施形態の構成によれば、光導電層404の表面が凸面で形成されているので、充填材444に気泡が混入した場合でも、光導電層404の表面が凹面や平面で形成されている構成に比べ、気泡は凸面に沿って凸面の頂から外側へ排出されやすいので、気泡の排出性に優れる（図７参照）。   Further, according to the configuration of this embodiment, since the surface of the photoconductive layer 404 is formed as a convex surface, even when bubbles are mixed in the filler 444, the surface of the photoconductive layer 404 is formed as a concave surface or a flat surface. Compared to the configuration, the air bubbles are easily discharged from the top of the convex surface to the outside along the convex surface, so that the air bubbles are excellently discharged (see FIG. 7).

また、本実施形態の構成によれば、放射線が検出される検出領域において、充填材444の厚みが１０〜２０００μｍとされているので、光導電層404に圧迫して光導電層404を劣化させることを抑制すると共に、放射線の透過性に優れる。   Further, according to the configuration of the present embodiment, since the thickness of the filler 444 is 10 to 2000 μm in the detection region where radiation is detected, the photoconductive layer 404 is deteriorated by being pressed against the photoconductive layer 404. In addition to suppressing this, the radiation transmission is excellent.

また、本実施形態の構成によれば、光導電層404は、最大厚み１に対して最小厚みが０．７５以上であるので、光導電層404を通じた絶縁破壊を抑制できる。また、光導電層404は、最大厚み１に対して最小厚みが０．７５以上であるので、電荷変換層の感度ムラの心配がない。   In addition, according to the configuration of the present embodiment, the minimum thickness of the photoconductive layer 404 with respect to the maximum thickness 1 is 0.75 or more, so that dielectric breakdown through the photoconductive layer 404 can be suppressed. Further, since the photoconductive layer 404 has a minimum thickness of 0.75 or more with respect to the maximum thickness 1, there is no fear of uneven sensitivity of the charge conversion layer.

（光読取方式の放射線検出器の構成）
光読取方式の放射線検出器についても、本発明の適用は可能であり、上記の放射線検出器400における光導電層404の構成に準じて適用される。ここで、光読取方式の放射線検出器としての放射線検出基板500について説明する。 (Configuration of optical reading radiation detector)
The present invention can also be applied to an optical reading type radiation detector, and is applied according to the configuration of the photoconductive layer 404 in the radiation detector 400 described above. Here, a radiation detection substrate 500 as an optical reading type radiation detector will be described.

図８（Ａ）、（Ｂ）は、放射線検出基板500の概略図を示している。図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、放射線検出基板500にはTCP510とそれを介して接続される読み出し装置512、高電圧を印加するための高電圧線514が接続されている。   8A and 8B are schematic views of the radiation detection substrate 500. FIG. As shown in FIGS. 8A and 8B, the radiation detection substrate 500 is connected with a TCP 510, a readout device 512 connected thereto, and a high voltage line 514 for applying a high voltage.

TCP(Tape Carrier Package)510は、信号検出用IC(チャージアンプIC)511を搭載したフレキシブルの配線基板である。このTCP510はACF(Anisotropic Conductive Film 異方性導電膜)を用いて熱圧着にて接続される。   A TCP (Tape Carrier Package) 510 is a flexible wiring board on which a signal detection IC (charge amplifier IC) 511 is mounted. The TCP 510 is connected by thermocompression bonding using an ACF (Anisotropic Conductive Film).

検出エリア516上部の上部電極518から延長された延長電極部519が形成されており、この延長電極部519に高電圧線514が接続されている。放射線を検出する検出エリア516は、信号読み出しと高電圧印加のための下部電極520、放射線を電荷に変換する放射線検出層522、高電圧を印加する上部電極518から構成される。   An extended electrode portion 519 extending from the upper electrode 518 above the detection area 516 is formed, and a high voltage line 514 is connected to the extended electrode portion 519. The detection area 516 for detecting radiation includes a lower electrode 520 for reading signals and applying a high voltage, a radiation detection layer 522 for converting radiation into charges, and an upper electrode 518 for applying a high voltage.

下部電極520は、ガラス基板536に設けられており、下部電極520が設けられたガラス基板536により、放射線検出用下部基板524が構成されている。   The lower electrode 520 is provided on the glass substrate 536, and the radiation detection lower substrate 524 is configured by the glass substrate 536 provided with the lower electrode 520.

この放射線検出基板500の製造は大きく分けて、下部電極520を含む放射線検出用下部基板524の製造、放射線検出層522及び上部電極518の形成、高電圧線514の接続に分けられる。   The production of the radiation detection substrate 500 is roughly divided into the production of a radiation detection lower substrate 524 including the lower electrode 520, the formation of the radiation detection layer 522 and the upper electrode 518, and the connection of the high voltage line 514.

以下、放射線検出用下部基板524の構造について説明する。図９には、放射線検出用下部基板524の概略構造が示されている。図９では、TCP510は左右1つずつ、チャンネル数も各3チャンネル、合計6チャンネルと単純化している。放射線検出用下部基板524は、図９に示すように、放射線検出部526、ピッチ変換部528、TCP接続部530から構成されている。   Hereinafter, the structure of the radiation detection lower substrate 524 will be described. FIG. 9 shows a schematic structure of the radiation detection lower substrate 524. In FIG. 9, TCP510 is simplified to one channel on the left and three channels on each side, for a total of 6 channels. The radiation detection lower substrate 524 includes a radiation detection unit 526, a pitch conversion unit 528, and a TCP connection unit 530 as shown in FIG.

放射線検出部526は、信号取り出しのための下部電極520がストライプ状（線状）に配置されている。また、その下層には透明の有機絶縁層532を介して一部任意の波長の光だけを透過させるカラーフィルター層534が形成されている。   In the radiation detection unit 526, lower electrodes 520 for extracting signals are arranged in a stripe shape (line shape). In addition, a color filter layer 534 that partially transmits only light having an arbitrary wavelength is formed under the transparent organic insulating layer 532.

カラーフィルター層534上部にある層を共通Bライン520Ｂ、カラーフィルター層534のない部分にある信号Sライン520Ｓと呼ぶ。Bライン520Ｂは放射線検出部の外側で共通化され、くし型電極構造を有している。Sライン520Ｓは信号ラインとして用いられる。Bライン520Ｂの幅は、例えば20μｍ、Sライン520Ｓの幅は、例えば10μｍとされ、Bライン520ＢとSライン520Ｓとの間隔は、例えば、10μｍである。   The layer above the color filter layer 534 is referred to as a common B line 520B, and the signal S line 520S in a portion without the color filter layer 534. The B line 520B is shared outside the radiation detection unit and has a comb electrode structure. The S line 520S is used as a signal line. The width of the B line 520B is, for example, 20 μm, the width of the S line 520S is, for example, 10 μm, and the interval between the B line 520B and the S line 520S is, for example, 10 μm.

カラーフィルター層534の幅は、例えば、30μｍである。下部電極520は、裏面より光を照射するため透明であることと、高電圧印加時の電界集中による破壊などを避けるため平坦性が必要であり、たとえばIZO、ITOが用いられる。IZOを用いた場合、厚さは0.2μm、平坦性はRa=1nm程度である。   The width of the color filter layer 534 is, for example, 30 μm. The lower electrode 520 is transparent to irradiate light from the back surface, and needs flatness to avoid breakdown due to electric field concentration when a high voltage is applied. For example, IZO or ITO is used. When IZO is used, the thickness is 0.2 μm and the flatness is about Ra = 1 nm.

カラーフィルター層534は、顔料を分散させた感光性のレジスト、例えばLCDのカラーフィルターに用いられる赤色レジストである。このカラーフィルター層534の段差を無くすために感光性有機の透明絶縁層532、たとえばPMMAが用いられる。   The color filter layer 534 is a photosensitive resist in which a pigment is dispersed, for example, a red resist used for an LCD color filter. In order to eliminate the level difference of the color filter layer 534, a photosensitive organic transparent insulating layer 532 such as PMMA is used.

更に支持部材となるガラス基板536は透明で剛性のあるものが望ましく、さらにはソーダライムガラスが望ましい。各層の厚さの一例は、下部電極520が0.2μｍ、カラーフィルター層534が1.2μｍ、有機透明絶縁層532が1.8μｍ、ガラス基板536が1.8mmである。このカラーフィルター層534、有機絶縁層532は放射線検出部526のみにあり、その境界は放射線検出部526、ピッチ変換部528にある。このためIZO配線は有機絶縁層532の境界段差部分を介してTCP接続部530ではガラス基板536上に形成される。   Further, the glass substrate 536 serving as a support member is preferably transparent and rigid, and more preferably soda lime glass. As an example of the thickness of each layer, the lower electrode 520 is 0.2 μm, the color filter layer 534 is 1.2 μm, the organic transparent insulating layer 532 is 1.8 μm, and the glass substrate 536 is 1.8 mm. The color filter layer 534 and the organic insulating layer 532 are provided only in the radiation detection unit 526, and the boundary is in the radiation detection unit 526 and the pitch conversion unit 528. For this reason, the IZO wiring is formed on the glass substrate 536 in the TCP connection portion 530 via the boundary step portion of the organic insulating layer 532.

放射線検出部526ではある数を単位として左右のTCP510へ配線が取り出される。図９では3ライン単位である。ライン数の一例は２５６ラインである。放射線検出部526でのライン幅はTCP接続部530でのライン幅と異なりこれを調整することと、所定のTCP接続位置まで配線を引き回すためピッチ変換部528にてライン幅が調整される。Bライン520Ｂは共通化されて同様にTCP接続部530へ引き出される。   In the radiation detection unit 526, wiring is taken out to the left and right TCPs 510 in units of a certain number. In FIG. 9, it is a unit of 3 lines. An example of the number of lines is 256 lines. The line width in the radiation detection unit 526 is different from the line width in the TCP connection unit 530 and is adjusted, and the line width is adjusted in the pitch conversion unit 528 in order to route the wiring to a predetermined TCP connection position. The B line 520B is made common and similarly drawn out to the TCP connection unit 530.

TCP接続部530では信号Sライン520Ｓと放射線検出部外側で共通化された共通Bライン520Ｂが配置される。共通Bライン520Ｂは信号Sライン520Ｓの外側に配置される。その数の一例としては信号ライン２５６、共通ライン上下各5ラインを用いてTCPへ接続される。その電極ライン/スペースは40/40μｍである。   In the TCP connection unit 530, the signal S line 520S and the common B line 520B shared by the outside of the radiation detection unit are arranged. The common B line 520B is disposed outside the signal S line 520S. As an example of the number, the signal line 256 and the common line are connected to the TCP using five lines above and below. The electrode line / space is 40/40 μm.

また、このTCP接続部530にてTCPを接続するためTCP用のアライメントマークが必要である。透明電極で形成することが望ましいが、透明なため認識が難しく、不透明な材料として、例えばこの基板の構成部材であるカラーフィルター層534を用いて合わせマークを形成する。   In addition, an alignment mark for TCP is necessary to connect TCP with this TCP connection unit 530. Although it is desirable to form with a transparent electrode, it is difficult to recognize because it is transparent, and an alignment mark is formed using, for example, a color filter layer 534 that is a constituent member of this substrate as an opaque material.

次に、放射線検出層522について説明する。図１０は、放射線検出基板500の構成を模式的に示した概略図である。放射線検出層は、図１０に示すように、記録用光導電層542、電荷蓄積層544、読取用光導電層546、電極界面層548、下引き層550、上引き層552を備えて構成されている。   Next, the radiation detection layer 522 will be described. FIG. 10 is a schematic diagram schematically showing the configuration of the radiation detection substrate 500. As shown in FIG. 10, the radiation detection layer includes a recording photoconductive layer 542, a charge storage layer 544, a reading photoconductive layer 546, an electrode interface layer 548, an undercoat layer 550, and an overcoat layer 552. ing.

＜記録用光導電層＞
記録用光導電層542は、電磁波を吸収し電荷を発生する光導電物質であり、アモルファスセレン化合物、Bi12MO20(M：Ti、Si、Ge)、Bi4M3O12(M：Ti、Si、Ge)、Bi2O3、BiMO4（Ｍ：Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ）、Bi2WO6、Bi24B2O39、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe，MNbO3(M：Li、Na、K)、PbO，HgI2、PbI2，CdS、CdSe、CdTe、BiI3、GaAs等のうち少なくとも１つを主成分とする化合物により構成される。この中で特にアモルファスセレン化合物よりなることが好ましい。 <Photoconductive layer for recording>
The recording photoconductive layer 542 is a photoconductive material that absorbs electromagnetic waves and generates charges, and is an amorphous selenium compound, Bi 12 MO 20 (M: Ti, Si, Ge), Bi 4 M 3 O 12 (M: Ti Si, Ge), Bi 2 O 3 , BiMO 4 (M: Nb, Ta, V), Bi 2 WO 6 , Bi 24 B 2 O 39 , ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, MNbO 3 (M: Li, Na, K), PbO, HgI 2 , PbI 2 , CdS, CdSe, CdTe, BiI 3 , GaAs, and the like. Of these, an amorphous selenium compound is particularly preferable.

アモルファスセレン化合物の場合には、その層中にLi, Na, K, Cs, Rb等のアルカリ金属を0.001ppmから１ppmまでの間で微量にドープしたもの、LiF, NaF, KF, CsF, RbF等のフッ化物を10ppmから10000ppmまでの間で微量にドープしたもの、P、As、Sb、Geを50ppmから0.5%までの間添加したもの、Asを10ppmから0.5%までドープしたもの、 Cl、Br、Iを1ppmから100ppmの間で微量にドープしたもの、を用いることができる。   In the case of an amorphous selenium compound, the layer is doped with a small amount of alkali metal such as Li, Na, K, Cs, Rb between 0.001 ppm and 1 ppm, LiF, NaF, KF, CsF, RbF, etc. A small amount of 10 to 10,000 ppm of fluoride, P, As, Sb, Ge added between 50 ppm and 0.5%, As doped from 10 ppm to 0.5%, Cl, Br , I doped in a slight amount between 1 ppm and 100 ppm can be used.

特に、Ａｓを10ppmから200ppm程度含有させたアモルファスセレン、Asを０．２％〜１％程度含有させさらにClを5ppm〜100ppm含有させたアモルファスセレン、0.001ppm〜１ppm程度のアルカリ金属を含有させたアモルファスセレンが好ましく用いられる。   In particular, amorphous selenium containing about 10 ppm to 200 ppm of As, amorphous selenium containing about 0.2% to 1% of As and further containing 5 ppm to 100 ppm of Cl, and alkali metal of about 0.001 ppm to 1 ppm were contained. Amorphous selenium is preferably used.

また、数ナノから数ミクロンのBi12MO20(M：Ti、Si、Ge)、Bi4M3O12(M：Ti、Si、Ge)、Bi2O3、BiMO4（Ｍ：Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ）、Bi2WO6、Bi24B2O39、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe，MNbO3(M：Li、Na、K)、PbO，HgI2、PbI2，CdS、CdSe、CdTe、BiI3、GaAs等の光導電性物質微粒子を含有させたものも用いることができる。 Also, Bi 12 MO 20 (M: Ti, Si, Ge), Bi 4 M 3 O 12 (M: Ti, Si, Ge), Bi 2 O 3 , BiMO 4 (M: Nb, Ta, V), Bi 2 WO 6 , Bi 24 B 2 O 39 , ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, MNbO 3 (M: Li, Na, K), PbO, HgI 2 , PbI 2 , CdS, CdSe, CdTe Those containing fine particles of a photoconductive substance such as BiI 3 or GaAs can also be used.

記録用光導電層542の厚みは、アモルファスセレンの場合100μｍ以上2000μｍ以下であることが好ましい。特にマンモグラフィ用途では150μｍ以上250μｍ以下、一般撮影用途においては500μｍ以上1200μｍ以下の範囲であることが特に好ましい。   The thickness of the recording photoconductive layer 542 is preferably 100 μm or more and 2000 μm or less in the case of amorphous selenium. In particular, it is particularly preferably in the range of 150 μm or more and 250 μm or less for mammography, and in the range of 500 μm or more and 1200 μm or less for general photographing applications.

＜電荷蓄積層＞
電荷蓄積層544は、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性の膜であれば良く、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、BCB、PVA、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等のポリマーやAs2S3、Sb2S3、ZnS等の硫化物、その他に酸化物、フッ化物より構成される。更には、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性であり、それと逆の極性の電荷に対しては導電性を有する方がより好ましく、移動度×寿命の積が、電荷の極性により3桁以上差がある物質が好ましい。 <Charge storage layer>
The charge storage layer 544 may be any film that is insulative with respect to the polar charge to be stored, such as an acrylic organic resin, polyimide, BCB, PVA, acrylic, polyethylene, polycarbonate, polyetherimide, or a polymer such as As 2 S. 3 , sulfides such as Sb 2 S 3 and ZnS, oxides and fluorides. Furthermore, it is more preferable to be insulative with respect to the charge of the polarity to be accumulated, and to be conductive with respect to the charge with the opposite polarity. Substances with differences are preferred.

好ましい化合物としては、As2Se3、As2Se3にCl、Br、Iを500ppmから20000ppmまでドープしたもの、As2Se3のSeをTeで50%程度まで置換したAs2(SexTe1-x)3(0.5<x<1)、As2Se3のSeをSで50%程度まで置換したもの、As2Se3からAs濃度を±15%程度変化させたAsxSey(x+y=100、34≦x≦46)、アモルファスSe-Te系でTeを5-30wt%含むものを挙げることができる。 Preferable compounds include As 2 Se 3 , As 2 Se 3 doped with Cl, Br, I from 500 ppm to 20000 ppm, and As 2 Se 3 Se 2 substituted with Te to about 50% (Se x Te 1-x ) 3 (0.5 <x <1), As 2 Se 3 with Se replaced to about 50%, As x Se y with As concentration changed by ± 15% from As 2 Se 3 ( x + y = 100, 34 ≦ x ≦ 46), an amorphous Se—Te system containing 5-30 wt% Te.

この様なカルコゲナイド系元素を含む物質を用いる場合、電荷蓄積層544の厚みは0.4μｍ以上3.0μｍ以下であること好ましく、より好ましくは0.5μｍ以上２μｍ以下である。この様な電荷蓄積層544は、1度の製膜で形成しても良いし、複数回に分けて積層しても良い。   In the case of using such a substance containing a chalcogenide element, the thickness of the charge storage layer 544 is preferably 0.4 μm to 3.0 μm, more preferably 0.5 μm to 2 μm. Such a charge storage layer 544 may be formed by a single film formation or may be laminated in a plurality of times.

有機膜を用いた好ましい電荷蓄積層544としては、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、BCB、PVA、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等のポリマーに対し、電荷輸送剤をドープした化合物が好ましく用いられる。好ましい電荷輸送剤としては、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(Alq3)、N,N-ジフェニル-N,N-ジ(m-トリル)ベンジジン(TPD)、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)、ポリアルキルチオフェン、ポリビニルカルバゾール(PVK)、トリフェニレン(TNF)、金属フタロシアニン、4-(ジシアノメチレン)-2-メチル-6-(p-ジメチルアミノスチリル)-4H-ピラン(DCM)、液晶分子、ヘキサペンチロキシトリフェニレン、中心部コアがπ共役縮合環あるいは遷移金属を含有するディスコティック液晶分子、カーボンナノチューブ、フラーレンからなる群より選択される分子を挙げることができる。ドープ量は0.1から50wt.%の間で設定される。   As a preferable charge storage layer 544 using an organic film, a compound obtained by doping a charge transport agent with a polymer such as an acrylic organic resin, polyimide, BCB, PVA, acrylic, polyethylene, polycarbonate, or polyetherimide is preferably used. . Preferred charge transport agents include tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3), N, N-diphenyl-N, N-di (m-tolyl) benzidine (TPD), polyparaphenylene vinylene (PPV), polyalkylthiophene. , Polyvinylcarbazole (PVK), triphenylene (TNF), metal phthalocyanine, 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM), liquid crystal molecules, hexapentyloxytriphenylene And a molecule selected from the group consisting of a discotic liquid crystal molecule having a central core containing a π-conjugated condensed ring or a transition metal, a carbon nanotube, and fullerene. The doping amount is set between 0.1 and 50 wt.%.

＜読取用光導電層＞
読取用光導電層546は、電磁波、特に可視光を吸収し電荷を発生する光導電物質であり、アモルファスセレン化合物、アモルファスSi:H、結晶Si、GaAs等のエネルギーギャップが0.7-2.5eVの範囲に含まれる半導体物質を用いることができる。特にアモルファスセレンであることが好ましい。 <Reading photoconductive layer>
The photoconductive layer for reading 546 is a photoconductive material that absorbs electromagnetic waves, particularly visible light, and generates electric charge. The energy gap of amorphous selenium compound, amorphous Si: H, crystalline Si, GaAs, etc. is in the range of 0.7-2.5 eV. The semiconductor substance contained in the can be used. In particular, amorphous selenium is preferable.

アモルファスセレン化合物の場合には、その層中にLi, Na, K, Cs, Rb等のアルカリ金属を0.001ppmから１ppmまでの間で微量にドープしたもの、LiF, NaF, KF, CsF, RbF等のフッ化物を10ppmから10000ppmまでの間で微量にドープしたもの、P、As、Sb、Geを50ppmから0.5%までの間添加したもの、Asを10ppmから0.5%までドープしたもの、Cl、Br、Iを1ppmから100ppmの間で微量にドープしたもの、を用いることができる。
特に、Ａｓを10ppmから200ppm程度含有させたアモルファスセレン、Asを０．２％〜１％程度含有させさらにClを5ppm〜100ppm含有させたアモルファスセレン、0.001ppm〜１ppm程度のアルカリ金属を含有させたアモルファスセレンが好ましく用いられる。 In the case of an amorphous selenium compound, the layer is doped with a small amount of alkali metal such as Li, Na, K, Cs, Rb between 0.001 ppm and 1 ppm, LiF, NaF, KF, CsF, RbF, etc. A small amount of fluoride of 10ppm to 10000ppm, P, As, Sb, Ge added from 50ppm to 0.5%, As doped from 10ppm to 0.5%, Cl, Br , I doped in a slight amount between 1 ppm and 100 ppm can be used.
In particular, amorphous selenium containing about 10 ppm to 200 ppm of As, amorphous selenium containing about 0.2% to 1% of As and further containing 5 ppm to 100 ppm of Cl, and alkali metal of about 0.001 ppm to 1 ppm were contained. Amorphous selenium is preferably used.

読取用光導電層546の厚みは、読取光を十分吸収でき、かつ電荷蓄積層544に蓄積された電荷による電界が光励起された電荷をドリフトできれば良く、1μｍから30μｍ程度が好ましい。   The thickness of the reading photoconductive layer 546 is not limited as long as it can sufficiently absorb the reading light and the electric field generated by the charges accumulated in the charge storage layer 544 can drift the photoexcited charge, and is preferably about 1 μm to 30 μm.

＜電極界面層＞
電極界面層548は、記録用光導電層542と上部電極518の間、あるいは読取用光導電層546と下部電極520の間に敷設される。結晶化を防止する目的において、アモルファスセレンにAsが1%-20%の範囲で添加されたもの、S、Te、P、Sb、Geを1%から10%の範囲で添加したもの、上記の元素と他の元素を組合せて添加したものが好ましい。 <Electrode interface layer>
The electrode interface layer 548 is laid between the recording photoconductive layer 542 and the upper electrode 518 or between the reading photoconductive layer 546 and the lower electrode 520. For the purpose of preventing crystallization, amorphous selenium with As added in the range of 1% -20%, S, Te, P, Sb, Ge added in the range of 1% to 10%, the above What added the combination of an element and another element is preferable.

または、より結晶化温度の高いAs2S3やAs2Se3も好ましく用いることができる。更に、電極層からの電荷注入を防止する目的で上記、添加元素に加えて、特に正孔注入を防止するためにLi、Na、K、Rb、Cs等のアルカリ金属や、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbF、CsF、CsCl、CsBr等の分子を10ppm-5000ppmの範囲でドープすることも好ましい。 逆に電子注入を防止するためには、Cl、I、Br等のハロゲン元素や、In2O3等の分子を10ppm-5000ppmの範囲でドープすることも好ましい。界面層の厚みは、上記目的を十分果たすように0.05μｍから1μｍの間に設定されることが好ましい。 Alternatively, As 2 S 3 and As 2 Se 3 having a higher crystallization temperature can also be preferably used. Furthermore, in addition to the above-mentioned additive elements for the purpose of preventing charge injection from the electrode layer, in particular, alkali metals such as Li, Na, K, Rb, Cs, LiF, NaF, KF to prevent hole injection It is also preferable to dope a molecule such as RbF, CsF, LiCl, NaCl, KCl, RbF, CsF, CsCl, CsBr in the range of 10 ppm to 5000 ppm. Conversely, in order to prevent electron injection, it is also preferable to dope a halogen element such as Cl, I, or Br, or a molecule such as In 2 O 3 in the range of 10 ppm to 5000 ppm. The thickness of the interface layer is preferably set between 0.05 μm and 1 μm so as to sufficiently fulfill the above purpose.

上記の電極界面層548、読取用光導電層546、電荷蓄積層544、記録用光導電層542は、真空度10-3から10-7Torrの間の真空槽内において、基板を25℃以上70℃以下の間に保持し、上記各合金を入れたボート、あるいはルツボを、抵抗加熱あるいは電子ビームにより昇温し、合金、化合物を蒸発または昇華させることにより基板上に積層される。 The electrode interface layer 548, the reading photoconductive layer 546, the charge storage layer 544, and the recording photoconductive layer 542 have a substrate temperature of 25 ° C. or higher in a vacuum chamber having a degree of vacuum of 10 −3 to 10 −7 Torr. The boat or crucible containing each of the above alloys is kept at a temperature of 70 ° C. or lower and heated by resistance heating or electron beam to evaporate or sublimate the alloy or compound, and are laminated on the substrate.

合金、化合物の蒸発温度が大きく異なる場合には、複数の蒸着源に対応した複数のボートを同時に加熱し個々に制御することで、添加濃度、ドープ濃度を制御することも好ましく用いられる。例えば、As2Se3・アモルファスセレン・LiFをそれぞれボートに入れ、As2Se3のボートを340℃、アモルファスセレン(a-Se)のボートを240℃、LiFのボートを800℃として、各ボートのシャッターを開閉することで、As10%ドープアモルファスセレンにLiFを5000ppmドープした層を形成することができる。 When the evaporation temperatures of the alloy and the compound are greatly different, it is also preferable to control the addition concentration and the dope concentration by simultaneously heating and individually controlling a plurality of boats corresponding to a plurality of evaporation sources. For example, As 2 Se 3 / Amorphous selenium / LiF are put in a boat, As 2 Se 3 boat is 340 ° C, Amorphous selenium (a-Se) boat is 240 ° C, LiF boat is 800 ° C, and each boat By opening and closing the shutter, a layer of As10% doped amorphous selenium doped with 5000 ppm LiF can be formed.

＜下引き層＞
読取用光導電層546と下部電極（電荷収集電極）520の間には、下引き層550を設けることが出来る。電極界面層（結晶化防止層（Ａ層））548がある場合には、電極界面層548と下部電極520の間に設けることが好ましい。下引き層550は、暗電流、リーク電流低減の観点から、整流特性を有することが好ましい。上部電極518に正バイアスが印加される時には電子ブロック性を、負バイアスが印加される時にはホールブロック性を有することが好ましい。 <Underlayer>
An undercoat layer 550 can be provided between the reading photoconductive layer 546 and the lower electrode (charge collecting electrode) 520. When there is an electrode interface layer (crystallization prevention layer (A layer)) 548, it is preferably provided between the electrode interface layer 548 and the lower electrode 520. The undercoat layer 550 preferably has rectification characteristics from the viewpoint of reducing dark current and leakage current. It is preferable to have an electron blocking property when a positive bias is applied to the upper electrode 518 and a hole blocking property when a negative bias is applied.

この下引き層の抵抗率は、１０８Ωｃｍ以上であること、膜厚は、０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。電子ブロック性を有する層、すなわち電子注入阻止層としては、Ｓｂ２Ｓ３，Ｓｂ２Ｔｅ３，ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ，Ａｓ２Ｓｅ３，Ａｓ２Ｓ３等の組成から成る層、または有機高分子層が好ましい。有機高分子層としては、ＰＶＫ等のホール輸送性高分子、またはポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、ＮＰＤ，ＴＰＤを混合した膜を好ましく用いることが出来る。 The resistivity of the undercoat layer is preferably 10 8 Ωcm or more, and the film thickness is preferably 0.01 μm to 10 μm. As a layer having an electron blocking property, that is, an electron injection blocking layer, a layer made of a composition such as Sb 2 S 3 , Sb 2 Te 3 , ZnTe, CdTe, As 2 Se 3 , As 2 S 3 , or an organic polymer layer Is preferred. As the organic polymer layer, a film in which NPD or TPD is mixed with a hole transporting polymer such as PVK or an insulating polymer such as polycarbonate, polystyrene, polyimide, or polycycloolefin can be preferably used.

ホールブロック性を有する層、すなわち正孔注入阻止層としては、ＣｄＳ，ＣｅＯ２，等の膜、または有機高分子層が好ましい。有機高分子層としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、Ｃ６０（フラーレン）、Ｃ７０等のカーボンクラスターを混合した膜を好ましく用いることが出来る。 As a layer having a hole blocking property, that is, a hole injection blocking layer, a film of CdS, CeO 2 , or the like, or an organic polymer layer is preferable. The organic polymer layer, polycarbonate, polystyrene, polyimide, the insulating polymer polycycloolefin or the like, C 60 (fullerene), can be preferably used a film obtained by mixing carbon clusters such as C 70.

一方、薄い絶縁性高分子層も好ましく用いることが出来、例えば、パリレン、ポリカーボネート、ＰＶＡ、ＰＶＰ，ＰＶＢ，ポリエステル樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂が好ましい。この時の膜厚としては、２μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。   On the other hand, a thin insulating polymer layer can also be preferably used. For example, parylene, polycarbonate, PVA, PVP, PVB, a polyester resin, an acrylic resin such as polymethyl methacrylate is preferable. The film thickness at this time is preferably 2 μm or less, and more preferably 0.5 μm or less.

＜上引き層＞
記録用光導電層542と上部電極（電圧印加電極）518の間には、上引き層552を設けることが出来る。電極界面層（結晶化防止層（Ｃ層））548がある場合には、電極界面層548と上部電極518の間に設けることが好ましい。上引き層552は、暗電流、リーク電流低減の観点から、整流特性を有することが好ましい。 <Upper layer>
An overcoat layer 552 can be provided between the recording photoconductive layer 542 and the upper electrode (voltage application electrode) 518. When there is an electrode interface layer (crystallization prevention layer (C layer)) 548, it is preferably provided between the electrode interface layer 548 and the upper electrode 518. The overcoat layer 552 preferably has rectification characteristics from the viewpoint of reducing dark current and leakage current.

上部電極518に正バイアスが印加される時にはホールブロック性を、負バイアスが印加される時には電子ブロック性を有することが好ましい。この上塗り層の抵抗率は、１０８Ωｃｍ以上であること、膜厚は、０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。 It is preferable to have a hole blocking property when a positive bias is applied to the upper electrode 518, and an electron blocking property when a negative bias is applied. The resistivity of the overcoat layer is preferably 10 8 Ωcm or more, and the film thickness is preferably 0.01 μm to 10 μm.

電子ブロック性を有する層、すなわち電子注入阻止層としては、Ｓｂ２Ｓ３，ＳｂＴｅ，ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ，ＳｂＳ，ＡｓＳｅ，Ａｓ２Ｓ３等の組成から成る層、または有機高分子層が好ましい。有機高分子層としては、ＰＶＫ等のホール輸送性高分子、またはポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、ＮＰＤ，ＴＰＤを混合した膜を好ましく用いることが出来る。 As a layer having an electron blocking property, that is, an electron injection blocking layer, a layer made of a composition such as Sb 2 S 3 , SbTe, ZnTe, CdTe, SbS, AsSe, As 2 S 3 or an organic polymer layer is preferable. As the organic polymer layer, a film in which NPD or TPD is mixed with a hole transporting polymer such as PVK or an insulating polymer such as polycarbonate, polystyrene, polyimide, or polycycloolefin can be preferably used.

ホールブロック性を有する層、すなわち正孔注入阻止層としては、ＣｄＳ，ＣｅＯ２，等の膜、または有機高分子層が好ましい。有機高分子層としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、Ｃ６０（フラーレン）、Ｃ７０等のカーボンクラスターを混合した膜を好ましく用いることが出来る。 As a layer having a hole blocking property, that is, a hole injection blocking layer, a film of CdS, CeO 2 , or the like, or an organic polymer layer is preferable. The organic polymer layer, polycarbonate, polystyrene, polyimide, the insulating polymer polycycloolefin or the like, C 60 (fullerene), can be preferably used a film obtained by mixing carbon clusters such as C 70.

一方、薄い絶縁性高分子層も好ましく用いることが出来、例えば、パリレン、ポリカーボネート、ＰＶＡ、ＰＶＰ，ＰＶＢ，ポリエステル樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂が好ましい。この時の膜厚としては、２μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。   On the other hand, a thin insulating polymer layer can also be preferably used. For example, parylene, polycarbonate, PVA, PVP, PVB, a polyester resin, an acrylic resin such as polymethyl methacrylate is preferable. The film thickness at this time is preferably 2 μm or less, and more preferably 0.5 μm or less.

次に、上部電極518及びその上部電極518の表面に形成される表面保護層554について説明する。   Next, the upper electrode 518 and the surface protective layer 554 formed on the surface of the upper electrode 518 will be described.

＜上部電極＞
記録用光導電層542の上面に形成される上部電極518としては金属薄膜が好ましく用いられる。材料としてはＡｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｇ、ＭｇＡｇ3-20%合金、Ｍｇ-Ａｇ系金属間化合物、ＭｇＣｕ3-20%合金、Ｍｇ-Ｃｕ系金属間化合物などの金属から形成するようにすればよい。 <Upper electrode>
As the upper electrode 518 formed on the upper surface of the recording photoconductive layer 542, a metal thin film is preferably used. Materials include Au, Ni, Cr, Au, Pt, Ti, Al, Cu, Pd, Ag, Mg, MgAg3-20% alloy, Mg-Ag intermetallic compound, MgCu3-20% alloy, Mg-Cu metal What is necessary is just to make it form from metals, such as an intermetallic compound.

特にＡｕやＰｔ、Ｍｇ-Ａｇ系金属間化合物が好ましく用いられる。例えばＡｕを用いた場合、厚みとして15ｎｍ以上200ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは30nm以上100nm以下である。例えばＭｇＡｇ3-20%合金を用いた場合は、厚さ100ｎｍ以上400ｎｍ以下を用いることがより好ましい。   In particular, Au, Pt, and Mg—Ag intermetallic compounds are preferably used. For example, when Au is used, the thickness is preferably 15 nm to 200 nm, more preferably 30 nm to 100 nm. For example, when an MgAg3-20% alloy is used, it is more preferable to use a thickness of 100 nm to 400 nm.

作成方法は任意であるが、抵抗加熱方式による蒸着により形成されることが好ましい。
たとえば、抵抗加熱方式によりボート内で金属塊が融解後にシャッターを開け、15秒間蒸着し一旦冷却する。抵抗値が十分低くなるまで複数回繰り返すことで形成される。 Although the preparation method is arbitrary, it is preferably formed by vapor deposition by a resistance heating method.
For example, after a metal lump is melted in a boat by a resistance heating method, the shutter is opened, vapor deposition is performed for 15 seconds, and cooling is performed once. It is formed by repeating a plurality of times until the resistance value becomes sufficiently low.

＜表面保護層＞
放射線照射によって放射線検出デバイスに潜像を形成するため、上部電極518には数ｋＶの高電圧を印加する。この上部電極518が大気に開放されていると沿面放電を生じ、被写体が感電する危険がある。上部電極518における沿面放電を防止するため、電極上面に表面保護層554を形成し絶縁処理を施す。 <Surface protective layer>
In order to form a latent image on the radiation detection device by irradiation, a high voltage of several kV is applied to the upper electrode 518. If the upper electrode 518 is open to the atmosphere, creeping discharge is generated, and there is a risk of electric shock of the subject. In order to prevent creeping discharge in the upper electrode 518, a surface protective layer 554 is formed on the upper surface of the electrode and subjected to insulation treatment.

絶縁処理は電極面が全く大気に触れない構造にすることが必要で、絶縁体で密着被覆する構造とする。尚且つ、この絶縁体は印加電位を上回る絶縁破壊強度を有することが必要である。更に、放射線検出デバイスの機能上、放射線透過を妨げない部材であることが必要である。これら要求される被覆性、絶縁破壊強度および放射線透過率の高い材料および製法として、絶縁性ポリマーの蒸着または溶剤塗布が好ましい。   Insulation treatment requires a structure in which the electrode surface does not come into contact with the atmosphere at all, and a structure in which the electrode surface is tightly covered with an insulator. In addition, this insulator needs to have a dielectric breakdown strength exceeding the applied potential. Furthermore, it is necessary for the function of the radiation detection device to be a member that does not interfere with radiation transmission. As a material and manufacturing method of these required covering properties, high dielectric breakdown strength and high radiation transmittance, vapor deposition of insulating polymer or solvent coating is preferable.

具体例としては、常温硬化型エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、アクリル樹脂、ポリパラキシリレン誘導体をＣＶＤ法で成膜する方法等があげられる。この中でも常温硬化型エポキシ樹脂、ポリパラキシリレンをCVD法で成膜するが好ましく、特にポリパラキシリレン誘導体をＣＶＤ法で成膜する方法が好ましい。好ましい膜厚は１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、さらに好ましくは２０μｍ以上１００μｍ以下である。   Specific examples include a room temperature curing type epoxy resin, a polycarbonate resin, a polyvinyl butyral resin, a polyvinyl alcohol resin, an acrylic resin, and a method of forming a polyparaxylylene derivative by a CVD method. Among these, a room temperature curing type epoxy resin and polyparaxylylene are preferably formed by a CVD method, and a method of forming a polyparaxylylene derivative by a CVD method is particularly preferable. A preferable film thickness is 10 μm or more and 1000 μm or less, and more preferably 20 μm or more and 100 μm or less.

ポリパラキシリレン膜は、室温で形成できるため被着体に熱ストレスを与えることなく、極めて段差被覆性の高い絶縁膜が得られるが、化学的に非常に安定であるため、被着体との密着性は一般に好ましくない場合が多い。被着体との密着性を上げるため、ポリパラキシリレン形成前の被着体への処理として、カップリング剤、コロナ放電、プラズマ処理、オゾン洗浄、酸処理、表面租化等の物理的、化学的処理が一般的に知られており用いることができる。特にシランカップリング剤もしくはシランカップリング剤を必要によりアルコール等で希釈したものを、少なくとも被着体との密着性を向上させたい部分に塗布処理を施した後ポリパラキシリレン膜を形成することで被着体との密着性を向上させる方法が好ましい。   A polyparaxylylene film can be formed at room temperature, so that an insulating film with extremely high step coverage can be obtained without applying thermal stress to the adherend, but it is chemically very stable. In general, the adhesion is often not preferred. In order to increase the adhesion with the adherend, as a treatment to the adherend before the formation of polyparaxylylene, physical, such as a coupling agent, corona discharge, plasma treatment, ozone cleaning, acid treatment, surface treatment, Chemical treatment is generally known and can be used. In particular, a polyparaxylylene film is formed after applying a silane coupling agent or a solution obtained by diluting a silane coupling agent with an alcohol or the like if necessary to at least improve the adhesion to the adherend. A method of improving the adhesion with the adherend is preferable.

さらに、放射線検出デバイスの経時劣化防止のため、防湿処理を施すことが好ましい。具体的には防湿部材で覆う構造とする。防湿部材としては、前記絶縁性ポリマーのような樹脂単独では機能不足であり、ガラス、アルミラミネートフィルムといった少なくとも無機材層を有する構成が効果的である。但し、ガラスは放射線透過を減衰するため、防湿部材は薄いアルミラミネートフィルムが望ましい。例えば、一般的に防湿包材として用いられているアルミラミネートフィルムとして、PET12μm/圧延アルミ9μm/ナイロン15μmを積層したものがある。   Furthermore, it is preferable to perform a moisture-proof treatment to prevent the radiation detection device from aging. Specifically, the structure is covered with a moisture-proof member. As the moisture-proof member, a resin alone such as the insulating polymer is insufficient in function, and a configuration having at least an inorganic material layer such as glass or an aluminum laminate film is effective. However, since glass attenuates radiation transmission, the moisture-proof member is preferably a thin aluminum laminate film. For example, as an aluminum laminate film generally used as a moisture-proof packaging material, there is a laminate of PET 12 μm / rolled aluminum 9 μm / nylon 15 μm.

アルミの厚みは５μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、前後のＰＥＴ厚み、ナイロン厚みはそれぞれ１０μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。このフィルムのX線減衰は約１％程度であり、防湿効果とX線透過を両立する部材として最適である。   The thickness of aluminum is preferably 5 μm or more and 30 μm or less, and the front and rear PET thicknesses and nylon thicknesses are each preferably 10 μm or more and 100 μm or less. The X-ray attenuation of this film is about 1%, which is optimal as a member that achieves both a moisture-proof effect and X-ray transmission.

例えば、図１１に示すように、ポリパラキシリレン554Ａによる絶縁処理を施した放射線検出デバイス全面を防湿フィルム554Ｂで覆い、放射線検出デバイス領域外において防湿フィルム554Ｂの周囲を接着剤で基板と接着固定する。これによって、放射線検出デバイスを基板と防湿フィルム554Ｂで密封した構成とする。   For example, as shown in FIG. 11, the entire surface of the radiation detection device subjected to insulation treatment with polyparaxylylene 554A is covered with a moisture-proof film 554B, and the periphery of the moisture-proof film 554B is bonded and fixed to the substrate with an adhesive outside the radiation detection device region. To do. Thus, the radiation detection device is sealed with the substrate and the moisture-proof film 554B.

この接着固定に際し、ポリパラキシリレン554Ａは、化学的に非常に安定であるため、一般的には接着材による他の部材との接着性が悪いが、接着に先立ち紫外光による光照射処理を施すことにより接着性を向上させることが出来る。必要な照射時間は使用する紫外光源の波長、ワット数により適時、最適な時間に調節するが、低圧水銀灯で１から５０Ｗのものが好ましく、光照射は１分から３０分で行なうのが好ましい。   At the time of this adhesion and fixation, polyparaxylylene 554A is chemically very stable, and therefore generally has poor adhesion to other members by an adhesive, but light irradiation treatment with ultraviolet light prior to adhesion is performed. The adhesion can be improved by applying. The necessary irradiation time is appropriately adjusted to the optimum time depending on the wavelength and wattage of the ultraviolet light source to be used, but it is preferably 1 to 50 W with a low-pressure mercury lamp, and the light irradiation is preferably performed for 1 to 30 minutes.

尚、本実施形態に係る放射線検出デバイスは、アモルファスセレンを用いており、40℃以上の高温ではアモルファスセレンが結晶化して潜像形成の機能が得られなくなるおそれがあることから、接着加工においては加熱処理は適さない。そこで、室温硬化型の接着剤が望ましく、接着強度が高い２液混合室温硬化型エポキシ接着剤が最適である。このエポキシ接着剤を放射線検出デバイスの外周に塗布し、防湿フィルム554Ｂを被せる。接着部を防湿フィルム554Ｂの上面から均一に押圧固定し、この状態のまま室温環境にて12時間以上置いて硬化させる。接着剤硬化後に押圧を開放して封止構造が完成する。   In addition, the radiation detection device according to the present embodiment uses amorphous selenium, and amorphous selenium may crystallize at a high temperature of 40 ° C. or higher, so that the function of forming a latent image may not be obtained. Heat treatment is not suitable. Therefore, a room temperature curable adhesive is desirable, and a two-component mixed room temperature curable epoxy adhesive having a high adhesive strength is optimal. This epoxy adhesive is applied to the outer periphery of the radiation detection device and covered with a moisture-proof film 554B. The adhesive portion is pressed and fixed uniformly from the upper surface of the moisture-proof film 554B, and is left in this state for 12 hours or more in a room temperature environment to be cured. After the adhesive is cured, the pressure is released to complete the sealing structure.

封止構造部材について補足する。放射線検出デバイスをマンモグラフィに用いる場合、X線撮影における被曝を抑えるため、低線量での撮影検出が望まれる。低線量照射での陰影変化を検出するため、放射線源からデバイスまでの経路における、被写体（マンモ）以外の部材はX線の透過率を高くすること望ましく、これにより明瞭な画像が得られる。   It supplements about a sealing structure member. When a radiation detection device is used for mammography, imaging detection with a low dose is desired in order to suppress exposure in X-ray imaging. In order to detect a change in shadow caused by low-dose irradiation, it is desirable that members other than the subject (mammo) in the path from the radiation source to the device have a high X-ray transmittance, thereby obtaining a clear image.

好ましい保護層・封止構造の一例を図１１に示しているが、これに限定されるものではない。保護膜の形成によりデバイスの湿度環境が３０％以下、より好ましくは１０％以下になるように維持されることが好ましい。   Although an example of a preferable protective layer / sealing structure is shown in FIG. 11, it is not limited to this. It is preferable to maintain the humidity environment of the device at 30% or less, more preferably 10% or less by forming the protective film.

以下、好ましい層構成の例を示すが、本発明はこれに限定される物ではない。その断面のモデル図を図１０に示す。   Hereinafter, although the example of a preferable layer structure is shown, this invention is not a thing limited to this. A model diagram of the cross section is shown in FIG.

＜構成１＞
図８、図９に示すような、放射線検出用下部基板524の上に、以下の順に層構成を作製した。下部電極520としては表面粗さRa<1nmの平坦なIZO電極を用いた。
下引き層550 ：CeO2 厚み20nm
下電極界面層548 ：As10%ドープアモルファスセレン：LiF500ppmドープ、厚み0.1μｍ
読取用光導電層546：アモルファスセレン、厚み７μｍ
電荷蓄積層544 ：As2Se3、厚み１μｍ
記録用光導電層542：アモルファスセレン Naを0.001ppm含有、厚み２００μｍ
上電極界面層548 ：As10%ドープアモルファスセレン、厚み0.2μｍ
上引き層552 ：Sb2S3、厚み0.5μｍ
上部電極518 ：Au、厚み70nm
＜構成２＞
図８、図９に示すような、放射線検出用下部基板524の上に、以下の順に層構成を作製した。下部電極520としては表面粗さRa<1nmの平坦なIZO電極を用いた。
下引き層550 ：なし
下電極界面層548 ：As3%ドープアモルファスセレン、厚み0.15μｍ
読取用光導電層546：アモルファスセレン、厚み15μｍ
電荷蓄積層544 ：As2Se3、厚み2μｍ
記録用光導電層542：アモルファスセレン Naを0.001ppm含有、厚み１８０μｍ
上電極界面層548 ：As10%ドープアモルファスセレン、厚み0.1μｍ
上引き層552 ：Sb2S3、厚み0.2μｍ
上部電極518 ：Au、厚み150nm
＜構成３＞
図８、図９に示すような、放射線検出用下部基板524の上に、以下の順に層構成を作製した。下部電極520としては表面粗さRa<1nmの平坦なIZO電極を用いた。
下引き層550 ：CeO2、厚み30nm
下電極界面層548 ：As6%ドープアモルファスセレン、厚み0.25μｍ
読取用光導電層546：アモルファスセレン、厚み10μｍ
電荷蓄積層544 ：As2Se3、厚み0.6μｍ
記録用光導電層542：アモルファスセレン Naを0.001ppm含有、厚み２３０μｍ
上電極界面層548 ：As10%ドープアモルファスセレン、厚み0.3μｍ
上引き層552 ：Sb2S3、厚み0.3μｍ
上部電極518 ：Au、厚み100nm
＜電荷取り出しアンプ＞
本実施形態において、電荷はアンプを通して増幅後Ａ／Ｄ変換される。図１２は、電荷取り出しアンプの構成、並びにこれらと放射線検出基板500の外部に配された画像処理装置１５０などとの接続態様を示したブロック図である。 <Configuration 1>
A layer structure was fabricated on the radiation detection lower substrate 524 as shown in FIGS. 8 and 9 in the following order. As the lower electrode 520, a flat IZO electrode having a surface roughness Ra <1 nm was used.
Undercoat layer 550: CeO 2 thickness 20 nm
Lower electrode interface layer 548: As10% doped amorphous selenium: LiF500ppm doped, thickness 0.1μm
Photoconductive layer for reading 546: amorphous selenium, thickness 7 μm
Charge storage layer 544: As 2 Se 3 , thickness 1 μm
Photoconductive layer 542 for recording: 0.001 ppm of amorphous selenium Na, thickness 200 μm
Upper electrode interface layer 548: As10% doped amorphous selenium, thickness 0.2 μm
Overcoat layer 552: Sb 2 S 3 , thickness 0.5 μm
Upper electrode 518: Au, thickness 70 nm
<Configuration 2>
A layer structure was fabricated on the radiation detection lower substrate 524 as shown in FIGS. 8 and 9 in the following order. As the lower electrode 520, a flat IZO electrode having a surface roughness Ra <1 nm was used.
Undercoat layer 550: None Lower electrode interface layer 548: As3% doped amorphous selenium, thickness 0.15 μm
Photoconductive layer for reading 546: amorphous selenium, thickness 15 μm
Charge storage layer 544: As 2 Se 3 , thickness 2 μm
Photoconductive layer 542 for recording: containing 0.001 ppm of amorphous selenium Na, thickness 180 μm
Upper electrode interface layer 548: As10% doped amorphous selenium, thickness 0.1 μm
Overcoat layer 552: Sb 2 S 3 , thickness 0.2 μm
Upper electrode 518: Au, thickness 150 nm
<Configuration 3>
A layer structure was fabricated on the radiation detection lower substrate 524 as shown in FIGS. 8 and 9 in the following order. As the lower electrode 520, a flat IZO electrode having a surface roughness Ra <1 nm was used.
Undercoat layer 550: CeO 2 , thickness 30 nm
Lower electrode interface layer 548: As 6% doped amorphous selenium, thickness 0.25 μm
Photoconductive layer for reading 546: amorphous selenium, thickness 10 μm
Charge storage layer 544: As 2 Se 3 , thickness 0.6 μm
Photoconductive layer 542 for recording: 0.001 ppm of amorphous selenium Na, thickness 230 μm
Upper electrode interface layer 548: As10% doped amorphous selenium, thickness 0.3 μm
Overcoat layer 552: Sb 2 S 3 , thickness 0.3 μm
Upper electrode 518: Au, thickness 100 nm
<Charge extraction amplifier>
In the present embodiment, the charge is A / D converted after being amplified through an amplifier. FIG. 12 is a block diagram showing the configuration of the charge extraction amplifier and the connection mode between the charge extraction amplifier and the image processing apparatus 150 arranged outside the radiation detection substrate 500.

電荷取り出しアンプとしてのチャージアンプＩＣ511は、放射線検出基板500の各エレメント１５ａごとに接続された多数のチャージアンプ３３ａおよびサンプルホールド（Ｓ／Ｈ）３３ｂ、各サンプルホールド３３ｂからの信号をマルチプレクスするマルチプレクサ３３ｃを備えている。   The charge amplifier IC 511 as a charge extraction amplifier is a multiplexer that multiplexes a number of charge amplifiers 33a and sample hold (S / H) 33b connected to each element 15a of the radiation detection substrate 500, and a signal from each sample hold 33b. 33c.

下部電極から流れ出す電流は、各チャージアンプ３３ａにより電圧に変換され、該電圧がサンプルホールド３３ｂにより所定のタイミングでサンプルホールドされ、サンプルホールドされた各エレメント１５ａに対応する電圧がエレメント１５ａの配列順に切り替わるようにマルチプレクサ３３ｃから順次出力される（主走査の一部に相当する）。   The current flowing out from the lower electrode is converted into a voltage by each charge amplifier 33a, the voltage is sampled and held at a predetermined timing by the sample hold 33b, and the voltage corresponding to each sampled and held element 15a is switched in the arrangement order of the elements 15a. Are sequentially output from the multiplexer 33c (corresponding to a part of main scanning).

マルチプレクサ３３ｃから順次出力された信号はプリント基板３１上に設けられたマルチプレクサ３１ｃに入力され、さらに各エレメント１５ａに対応する電圧がエレメント１５ａの配列順に切り替わるようにマルチプレクサ３１ｃから順次出力され主走査が完了する。   The signals sequentially output from the multiplexer 33c are input to the multiplexer 31c provided on the printed circuit board 31. Further, the voltage corresponding to each element 15a is sequentially output from the multiplexer 31c so as to be switched in the arrangement order of the elements 15a, and the main scanning is completed. To do.

マルチプレクサ３１ｃから順次出力された信号はＡ／Ｄ変換部３１ａによりデジタル信号に変換され、デジタル信号がメモリ３１ｂに格納される。一旦メモリ３１ｂに格納された画像信号は、信号ケーブルを介して外部の画像処理装置150に送られ、この画像処理装置150において適当な画像処理が施され、撮影情報と共にネットワーク151にアップロードされ、サーバもしくはプリンタに送られる。   The signals sequentially output from the multiplexer 31c are converted into digital signals by the A / D converter 31a, and the digital signals are stored in the memory 31b. The image signal once stored in the memory 31b is sent to an external image processing device 150 via a signal cable, and appropriate image processing is performed in the image processing device 150, and the image signal is uploaded to the network 151 together with the photographing information, and the server Or it is sent to a printer.

＜画像取得シーケンス＞
本画像記録読取システムの画像形成シーケンスは、基本的には、高圧印加中に記録光（例えばＸ線）を照射し潜像電荷を蓄積する過程、および、高圧印加を終了後、読取光を照射して潜像電荷を読み出す過程からなる。読取光Ｌとしてはライン光源301を電極方向に走査する方法（図１３参照）が最適であるが、他の方法でも可能である。 <Image acquisition sequence>
The image forming sequence of this image recording / reading system basically includes the process of irradiating recording light (for example, X-rays) while applying a high voltage and accumulating latent image charges, and irradiating the reading light after completing the application of high voltage. Then, it consists of a process of reading out the latent image charge. As the reading light L, a method of scanning the line light source 301 in the electrode direction (see FIG. 13) is optimal, but other methods are also possible.

さらに、必要に応じて、読み残した潜像電荷を十分に消去する過程を組み合わせることができる。この消去過程は、パネル全面に消去光を照射することにより行われ、全面に一度に照射させても、あるいはライン光やスポット光を全面に走査させても良く、読取過程の後、または/および、潜像蓄積過程の前に行われる。消去光を照射する際に、高圧印加を組み合わせて消去効率を高めることもできる。また、高圧印加後、記録光を照射する前に「前露光」を行うことにより、高圧印加の際に発生する暗電流による電荷（暗電流電荷）を消去することができる。   Furthermore, a process of sufficiently erasing the unread latent image charges can be combined as necessary. This erasing process is performed by irradiating the entire surface of the panel with erasing light. The entire surface may be irradiated at once, or line light or spot light may be scanned over the entire surface, after the reading process, and / or This is performed before the latent image accumulation process. When irradiating the erasing light, erasing efficiency can be increased by combining high voltage application. Further, by performing “pre-exposure” after applying a high voltage and before irradiating the recording light, it is possible to erase a charge (dark current charge) due to a dark current generated when a high voltage is applied.

さらに、これら以外の原因によっても静電記録体に種々な電荷が記録光の照射の前に蓄積されることが知られている。これらの残存信号は、残像現象として次に出力される画像情報信号に影響を及ぼすため、補正により低減させることが望ましい。   Furthermore, it is known that various charges are accumulated on the electrostatic recording medium before irradiation of recording light due to causes other than these. Since these residual signals affect the image information signal to be output next as an afterimage phenomenon, it is desirable to reduce them by correction.

残像信号を補正する方法として、上記の画像記録読取過程に、残像画像読取過程を加える方法が有効である。この残像画像記録過程は、記録光を照射しないで高圧印加のみ行った後、読取光により「残像画像」を読取ることで行われ、この「残像画像」信号に適当な処理を施し、「記録画像」信号から差し引くことで、残像信号を補正することができる。残像画像読取過程は、画像記録読取過程の前、あるいは後に行われる。また、残像画像読取過程の前、または/および後に、適当な消去過程を組み合わせることができる。   As a method of correcting the afterimage signal, a method of adding an afterimage reading process to the above-described image recording and reading process is effective. This afterimage recording process is performed by applying a high voltage without irradiating the recording light and then reading the “afterimage” with the reading light. The afterimage signal can be corrected by subtracting it from the signal. The afterimage reading process is performed before or after the image recording reading process. Further, an appropriate erasing process can be combined before or after the afterimage reading process.

光読取方式の放射線検出器としての放射線検出基板500では、上部電極518が本発明の上部電極部に相当し、放射線検出層522が本発明に係る電荷変換層に相当し、下部電極520が本発明に係る下部電極部に相当し、ガラス基板536が本発明に係る基板に相当する。   In the radiation detection substrate 500 as an optical reading type radiation detector, the upper electrode 518 corresponds to the upper electrode portion of the present invention, the radiation detection layer 522 corresponds to the charge conversion layer according to the present invention, and the lower electrode 520 corresponds to the main electrode portion. It corresponds to the lower electrode part according to the invention, and the glass substrate 536 corresponds to the substrate according to the present invention.

光読取方式の放射線検出基板500では、上記の放射線検出器400と同様に、以下のように構成することができる。   Similar to the radiation detector 400 described above, the optical reading radiation detection substrate 500 can be configured as follows.

図１４に示すように、上部電極518の上方には、上部電極518上を覆うカバー部材の一例としてのカバーガラス568が設けられている。カバーガラス568は、平面状にされた板体で形成されている。   As shown in FIG. 14, a cover glass 568 as an example of a cover member that covers the upper electrode 518 is provided above the upper electrode 518. The cover glass 568 is formed of a flat plate.

ガラス基板536には、カバーガラス568が接合される保護部材566が設けられている。
保護部材566は、放射線検出層522の周囲を囲んでおり、全体として上部及び下部が開放された箱状に形成されている。 The glass substrate 536 is provided with a protective member 566 to which the cover glass 568 is bonded.
The protective member 566 surrounds the periphery of the radiation detection layer 522, and is formed in a box shape with the upper and lower portions opened as a whole.

また、保護部材566は、ガラス基板536の外周部上に立設された側壁566ａと、側壁566ａの上部からガラス基板536中央部の上方側へ張り出すフランジ部566ｂとを有しており、断面Ｌ字状に形成されている。   The protective member 566 has a side wall 566a erected on the outer peripheral portion of the glass substrate 536, and a flange portion 566b protruding from the upper part of the side wall 566a to the upper side of the central portion of the glass substrate 536, It is formed in an L shape.

カバーガラス568は、その外周部の上面がフランジ部566ｂ下面（内壁）に接合されており、保護部材566により支持されている。   The cover glass 568 has an upper surface of the outer peripheral portion bonded to the lower surface (inner wall) of the flange portion 566b and is supported by the protective member 566.

この保護部材566とカバーガラス568との接合部分は、放射線検出層522の外側に配置されている。すなわち、放射線検出層522の上方ではなく、ガラス基板536上の放射線検出層522の無い領域で、保護部材566とカバーガラス568とが接合されている。   The joint between the protective member 566 and the cover glass 568 is disposed outside the radiation detection layer 522. That is, the protective member 566 and the cover glass 568 are bonded to each other not in the area above the radiation detection layer 522 but in the region where the radiation detection layer 522 is not present on the glass substrate 536.

なお、保護部材566には、絶縁性を有する絶縁性部材が用いられている。絶縁性部材としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリメタクリル酸メチル(アクリル)、ポリ塩化ビニール、ガラスが用いられる。   Note that an insulating member having an insulating property is used for the protective member 566. Examples of the insulating member include polycarbonate, polyethylene terephthalate (PET), polymethyl methacrylate (acrylic), polyvinyl chloride, and glass.

また、保護部材566は、下部開放がガラス基板536で閉鎖されると共に上部開放がカバーガラス568で閉鎖されており、保護部材566内に所定の大きさの閉鎖空間が形成される。この閉鎖空間に放射線検出層522が収容されて、放射線検出層522がカバーガラス568、ガラス基板536及び保護部材566で被覆される。   Further, the protective member 566 has a lower opening closed by a glass substrate 536 and an upper opening closed by a cover glass 568, and a closed space of a predetermined size is formed in the protective member 566. The radiation detection layer 522 is accommodated in the closed space, and the radiation detection layer 522 is covered with the cover glass 568, the glass substrate 536, and the protective member 566.

また、カバーガラス568と上部電極518との間には、充填材570が充填されている。充填材570としては、例えば、エポキシ、シリコン等の常温硬化性樹脂が用いられる。   In addition, a filler 570 is filled between the cover glass 568 and the upper electrode 518. As the filler 570, for example, a room temperature curable resin such as epoxy or silicon is used.

充填材570は、例えば、カバーガラス568、保護部材566及びガラス基板536に囲まれた空間に流し込むことにより、充填される。充填材570を流し込む充填方法としては、例えば、特開２００５−２８３２６０、特開２００５−３５１６５０に開示される充填方法を用いることができる。   The filler 570 is filled by pouring into a space surrounded by the cover glass 568, the protective member 566, and the glass substrate 536, for example. As a filling method for pouring the filler 570, for example, a filling method disclosed in JP-A-2005-283260 and JP-A-2005-351650 can be used.

放射線検出層522は、中高に形成されており、その表面がカバーガラス568側（放射線入射側）へ膨出した凸面で形成されている。これにより、画像情報を担持した放射線が照射される領域のうち、放射線が検出される検出領域、すなわち画像情報が取得される画像情報取得領域の充填材570の厚みを低減し、放射線検出層522の感度を向上させる。   The radiation detection layer 522 is formed at a medium height, and the surface thereof is formed as a convex surface that bulges to the cover glass 568 side (radiation incident side). This reduces the thickness of the filler 570 in the detection region where the radiation is detected among the regions irradiated with the radiation carrying the image information, that is, the image information acquisition region where the image information is acquired. Improve the sensitivity.

ここで、放射線検出層522の表面が凸面で形成されているとは、放射線検出層522の表面に凹部が存在しないことをいう。   Here, the surface of the radiation detection layer 522 being formed as a convex surface means that there is no recess on the surface of the radiation detection layer 522.

凹部とは、着目している放射線検出層522の表面の部位よりも、周囲に最低１箇所でも低い部分がある場合は、凹部とは見なさない。全周囲が高く（放射線検出層522が肉厚に）なった状態を凹部と見なす。また、ここでいう凹凸とは、１μｍ以下のオーダーを含まない。   A concave portion is not regarded as a concave portion when there is at least one lower portion around the surface of the radiation detection layer 522 of interest. A state in which the entire periphery is high (the radiation detection layer 522 is thick) is regarded as a recess. Moreover, the unevenness | corrugation here does not include the order of 1 micrometer or less.

中高の度合いは、放射線検出層522の感度向上に必要な最低厚み、充填材570の厚み、及びその充填材570の放射線吸収度合いによって最適値が異なる。   The optimum value of the medium-high degree differs depending on the minimum thickness necessary for improving the sensitivity of the radiation detection layer 522, the thickness of the filler 570, and the radiation absorption degree of the filler 570.

上部電極518とカバーガラス568との間における充填材570の厚みが１０〜２０００μｍ、好ましくは、１０〜３００μｍとされている。すなわち、充填材570は、放射線検出層522の表面の頂とカバーガラス568の間の厚さＡが、少なくとも１０μｍ以上の厚さとされ、放射線検出層522の表面の裾側とカバーガラス568の間の厚さＢが、少なくとも２０００μｍ以下の厚さとされる。   The thickness of the filler 570 between the upper electrode 518 and the cover glass 568 is 10 to 2000 μm, preferably 10 to 300 μm. That is, the filling material 570 has a thickness A between the top of the surface of the radiation detection layer 522 and the cover glass 568 of at least 10 μm or more, and between the hem side of the surface of the radiation detection layer 522 and the cover glass 568. The thickness B is at least 2000 μm or less.

これは、充填材570の厚みが１０μｍ未満であると、カバーガラス568を上部電極518上に配置する際に、上部電極518に接触等することにより、放射線検出層522を圧迫して放射線検出層522を劣化させるおそれがあるためである。また、充填材570の厚みが２０００μｍを超えると、放射線の透過性が低下し、放射線の検出ができなくなるおそれがあるためである。また、充填材570の厚みを３００μｍ以下とすることにより、放射線の感度が格段に向上する。   This is because, when the thickness of the filler 570 is less than 10 μm, when the cover glass 568 is disposed on the upper electrode 518, the radiation detection layer 522 is pressed by contacting the upper electrode 518, etc. This is because 522 may be deteriorated. In addition, if the thickness of the filler 570 exceeds 2000 μm, the radiation permeability is lowered, and there is a possibility that the radiation cannot be detected. Further, by setting the thickness of the filler 570 to 300 μm or less, the sensitivity of radiation is remarkably improved.

また、放射線検出層522は、最大厚み１に対して最小厚みが０．７５以上とされている。これは、放射線検出層522の最小厚みが、最大厚み１に対して０．７５未満であると、放射線検出層522を通じて絶縁破壊を生じるおそれがある。   The radiation detection layer 522 has a minimum thickness of 0.75 or more with respect to the maximum thickness 1. This is because if the minimum thickness of the radiation detection layer 522 is less than 0.75 with respect to the maximum thickness 1, dielectric breakdown may occur through the radiation detection layer 522.

また、放射線検出層522を蒸着で形成する場合、蒸着源（ボート）の配置によって蒸着の厚みをコントロールすることができる。   When the radiation detection layer 522 is formed by vapor deposition, the vapor deposition thickness can be controlled by the arrangement of the vapor deposition source (boat).

ここで、放射線検出層522の蒸着面積が３００cm2を越えると、１個の蒸着源では、信号の均一性を確保するために必要とされる放射線検出層522の厚みムラを±5％に押さえることが困難である。指向性1.5〜2の坩堝を用いて、坩堝基盤間の距離を500mmに設定した場合、厚みムラ±5％を確保できるのは蒸着面積が３００cm2の範囲であった。 Here, when the vapor deposition area of the radiation detection layer 522 exceeds 300 cm 2 , the thickness unevenness of the radiation detection layer 522 required to ensure signal uniformity is suppressed to ± 5% with one vapor deposition source. Is difficult. When using a crucible with a directivity of 1.5 to 2 and setting the distance between the crucible bases to 500 mm, the thickness unevenness of ± 5% could be secured in the range of 300 cm 2 .

このため、図６に示すように、複数の蒸着源（ボート）を配置にすることで、放射線検出層522を中高にすることが可能となる。   For this reason, as shown in FIG. 6, it becomes possible to make the radiation detection layer 522 middle-high by arranging a plurality of vapor deposition sources (boats).

本実施形態に係る放射線検出層522は、面積が３００cm2を超えるものであり、図６に示すように、複数の蒸着源の配置にすることで形成されている。 The radiation detection layer 522 according to this embodiment has an area exceeding 300 cm 2 and is formed by arranging a plurality of vapor deposition sources as shown in FIG.

本発明は、上記の実施形態に限るものではなく、種々の変形、変更、改良が可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications, changes, and improvements can be made.

図１は、TFT方式の放射線検出器の全体構成を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing the overall configuration of a TFT radiation detector. 図２は、TFT方式の放射線検出器の要部を示す概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a main part of a TFT radiation detector. 図３は、TFT方式の放射線検出器の１画素単位の構造を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of one pixel unit of a TFT radiation detector. 図４は、TFT方式の放射線検出器の１画素単位の構造を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the structure of one pixel unit of a TFT radiation detector. 図５は、TFT方式の放射線検出器において、テフロン（登録商標）等の離型性の良好な枠を利用して、充填材そのものを保護部材として用いる構成を示す概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration in which a filler itself is used as a protective member in a TFT radiation detector using a frame having good releasability such as Teflon (registered trademark). 図６は、光導電層を形成する際において、複数の蒸着源（ボート）を配置した例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an example in which a plurality of vapor deposition sources (boats) are arranged when the photoconductive layer is formed. 図７は、TFT方式の放射線検出器において、充填材に混入した気泡が排出される様子を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a state in which bubbles mixed in the filler are discharged in the TFT radiation detector. 図８は、光読取方式の放射線検出器としての放射線検出基板の概略構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a schematic configuration of a radiation detection substrate as an optical reading type radiation detector. 図９は、図８に示す放射線検出基板の放射線検出用下部基板の概略構造を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a schematic structure of the radiation detection lower substrate of the radiation detection substrate shown in FIG. 図１０は、図８に示す放射線検出基板の構成を模式的に示した概略図である。FIG. 10 is a schematic view schematically showing the configuration of the radiation detection substrate shown in FIG. 図１１は、図８に示す放射線検出基板の上部電極を封止する封止構造を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a sealing structure for sealing the upper electrode of the radiation detection substrate shown in FIG. 図１２は、電荷取り出しアンプの構成並びにこれらと放射線検出基板の外部に配された画像処理装置などとの接続態様を示したブロック図である。FIG. 12 is a block diagram showing a configuration of the charge extraction amplifier and a connection mode between the charge extraction amplifier and an image processing apparatus disposed outside the radiation detection substrate. 図１３は、読取光としてライン光を走査したときの様子を示す概略図である。FIG. 13 is a schematic diagram showing a state when line light is scanned as reading light. 図１４は、図１に示すTFT方式の放射線検出器における光導電層の構成を、図８に示す放射線検出基板に適用した例を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing an example in which the configuration of the photoconductive layer in the TFT radiation detector shown in FIG. 1 is applied to the radiation detection substrate shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

400 放射線検出器
401 バイアス電極（上部電極部）
404 光導電層（電荷変換層）
407a 電荷収集電極（下部電極部）
408 ガラス基板（基板）
440 カバーガラス
444 充填材
500 放射線検出基板（放射線検出器）
518 上部電極（上部電極部）
522 放射線検出層（電荷変換層）
520 下部電極（下部電極部）
536 ガラス基板（基板）
568 カバーガラス
570 充填材 400 radiation detector
401 Bias electrode (upper electrode)
404 Photoconductive layer (charge conversion layer)
407a Charge collection electrode (lower electrode)
408 Glass substrate (substrate)
440 Cover glass
444 Filler
500 Radiation detection board (radiation detector)
518 Upper electrode (upper electrode part)
522 Radiation detection layer (charge conversion layer)
520 Lower electrode (lower electrode part)
536 Glass substrate (substrate)
568 cover glass
570 filler

Claims (3)

放射線が入射されることにより電荷を生成し、面積が３００cm2を超える電荷変換層と、
前記電荷変換層下に設けられ、前記電荷変換層が生成した電荷を収集する下部電極部と、
前記下部電極部が設けられる基板と、
前記電荷変換層の表面に形成され、前記電荷変換層へバイアス電圧を印加するための上部電極部と、
前記上部電極部上を覆うカバー部材と、
前記カバー部材と前記上部電極部との間に充填された充填材と、
を備え、
前記電荷変換層の表面を凸面で形成したことを特徴とする放射線検出器。 A charge conversion layer that generates charges when irradiated with radiation and has an area of more than 300 cm 2 ;
A lower electrode part provided under the charge conversion layer and collecting charges generated by the charge conversion layer;
A substrate on which the lower electrode portion is provided;
An upper electrode portion formed on the surface of the charge conversion layer for applying a bias voltage to the charge conversion layer;
A cover member covering the upper electrode portion;
A filler filled between the cover member and the upper electrode part;
With
A radiation detector, wherein the surface of the charge conversion layer is formed as a convex surface. 前記上部電極部と前記カバー部材との間における前記充填材の厚みが１０〜２０００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。   The radiation detector according to claim 1, wherein a thickness of the filler between the upper electrode portion and the cover member is 10 to 2000 μm. 前記電荷変換層は、最大厚み１に対して最小厚みが０．７５以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の放射線検出器。   The radiation detector according to claim 1, wherein the charge conversion layer has a minimum thickness of 0.75 or more with respect to a maximum thickness of 1.
JP2007255364A 2007-09-28 2007-09-28 Radiation detector Abandoned JP2009088200A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007255364A JP2009088200A (en) 2007-09-28 2007-09-28 Radiation detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007255364A JP2009088200A (en) 2007-09-28 2007-09-28 Radiation detector

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009088200A true JP2009088200A (en) 2009-04-23

Family

ID=40661244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007255364A Abandoned JP2009088200A (en) 2007-09-28 2007-09-28 Radiation detector

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009088200A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105593995A (en) * 2013-12-19 2016-05-18 索尼公司 Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic apparatus
WO2016098594A1 (en) * 2014-12-16 2016-06-23 ソニー株式会社 Semiconductor device, solid-state imaging element, imaging device, and electronic device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005286183A (en) * 2004-03-30 2005-10-13 Shimadzu Corp Flat-panel radiation detector
JP2007044135A (en) * 2005-08-08 2007-02-22 Shimadzu Corp Detector for controlling x-ray exposure and radiographic equipment using the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005286183A (en) * 2004-03-30 2005-10-13 Shimadzu Corp Flat-panel radiation detector
JP2007044135A (en) * 2005-08-08 2007-02-22 Shimadzu Corp Detector for controlling x-ray exposure and radiographic equipment using the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105593995A (en) * 2013-12-19 2016-05-18 索尼公司 Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic apparatus
WO2016098594A1 (en) * 2014-12-16 2016-06-23 ソニー株式会社 Semiconductor device, solid-state imaging element, imaging device, and electronic device
US10153314B2 (en) 2014-12-16 2018-12-11 Sony Corporation Semiconductor apparatus, solid-state image pickup device, image pickup apparatus, and electronic apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5213378B2 (en) Radiation detector
JP5073399B2 (en) Radiation detector
JP2010210590A (en) Radiation detector
US8263189B2 (en) Layer forming method and layer forming apparatus, and method of manufacturing radiation detector
US8022451B2 (en) Radiation detector
JP5230791B2 (en) Radiation detector
JP5052181B2 (en) Radiation detector
JP2009212162A (en) Radiation detector
JP4739298B2 (en) Radiation image detector
US8133536B2 (en) Liquid coating method, liquid coating device, and method of manufacturing radiation detector
JP4940125B2 (en) Radiation detector
JP2012154933A (en) Radiation detector
JP2009233488A (en) Inkjet head, coating method and coating device, and method of manufacturing radiation detector
JP2009088200A (en) Radiation detector
JP5264291B2 (en) Radiation detector
JP2010003713A (en) Radiation detector and method of manufacturing thereof
JP4990084B2 (en) Radiation detector
JP2009036570A (en) Radiation detector
JP5379989B2 (en) Application method, radiation detector manufacturing method
JP5270121B2 (en) Imaging device
JP2010098102A (en) Radiological image detector
JP2009036569A (en) Sheet, radiation detector, and sheet-sticking method
JP2009054923A (en) Method of manufacturing radiograph detector
JP2008252000A (en) Radiation detector
JP2009240861A (en) Liquid coating method, liquid coating device, and method of manufacturing radiation detector

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111025

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111026

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20111222