JP2009087951A - 有機el表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機材からなる層を含む下地層2と、下地層2上の有機EL素子領域3と、基板1上周辺部分の有機EL素子3Aからの引出電極30に対し接続対象4を接続する接続部5とを有する有機EL表示装置で、下地層2は有機EL素子3A毎の凹凸を埋める平坦化層20を有し、その上にパシベーション層21,有機EL素子3Aが順次形成され、接続部5は全てパシベーション層21で覆われ、その上に引出電極30が形成され、有機EL素子領域3から接続部5までパシベーション層21上に形成され、引出電極30と接続対象4との間に異方性導電膜6を介在させ熱圧着で接続され、熱圧着箇所に合わせ平坦化層20を除去し、接続部5に面する下地層除去面20Aは基板1に対し45°±30°の範囲内で傾斜した上向きのテーパ面である。
【選択図】図2
Description
2 下地層
20 平坦化層
20A 下地層除去面
21 パシベーション層
3 有機EL素子領域
3A,3B,3C 有機EL素子
30A,31A 電極
32A,32B,32C 有機発光機能層
33,33A 機能要素
30,31 引出電極
4 接続対象
40 電極
5 接続部
6 異方性導電膜
7 熱圧着部材
8 薄膜トランジスタ(TFT)
9A,9B,9C 色変換フィルタ又はカラーフィルタ
100 レジスト層
100A 開口
Claims (2)
- 基板上に有機材からなる層を少なくとも1層含む下地層を形成し、該下地層の上に有機EL素子を形成する有機EL素子領域と、前記基板上の周辺部分で、前記有機EL素子からの引出電極に対して接続対象を電気的に接続する接続部と、を有する有機EL表示装置において、
前記下地層は、基板上に形成された前記有機EL素子毎に設けられる薄膜トランジスタ、色変換フィルタ又はカラーフィルタの凹凸を埋める平坦化層を有し、かつ、最上層にガスバリア性のパシベーション層が形成され、該パシベーション層上に前記有機EL素子が形成され、
前記接続部は、全て前記パシベーション層で覆われており、その上に前記引出電極が形成されており、
前記引出電極は画素電極と接続し、前記有機EL素子領域から前記接続部まで前記パシベーション層上に形成され、前記引出電極と前記接続対象との間に異方性導電膜を介在させ熱圧着により接続され、
前記接続部は、前記接続時の熱圧着箇所に合わせて、前記平坦化層の少なくとも有機材からなる1層を除去し、
前記接続部に面する下地層除去面は、前記基板に対して45°±30°の範囲内で傾斜した上向きのテーパ面であることを特徴とする有機EL表示装置。 - 基板上に有機材からなる層を少なくとも1層含む下地層を形成する工程と、
前記下地層は、基板上に形成された前記有機EL素子毎に設けられる薄膜トランジスタ、色変換フィルタ又はカラーフィルタの凹凸を埋める平坦化層を有し、前記平坦化層の少なくとも有機材からなる1層を部分的に除去することによって接続部を形成する工程と、
前記平坦化層の上面及び前記接続部上にパシベーション層を形成する工程と、
前記基板上の有機EL素子領域の前記パシベーション層の上に有機EL素子を形成すると共に前記基板上の周辺部分の前記接続部に引出電極を形成する工程と、
前記接続部において、前記引出電極と接続対象の電極との間に異方性導電膜を介在させてこれらを熱圧着する工程とを有し、
前記引出電極は画素電極と接続し、前記有機EL素子領域から前記接続部まで前記パシベーション層上に形成され、
前記接続部に面する下地層除去面は、前記基板に対して45°±30°の範囲内で傾斜した上向きのテーパ面であることを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。
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