JP2009087896A - Image display device - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the reliability of sealing of an enclosure in an FED (Field Emission Display) without deteriorating the emission characteristics of electron sources. <P>SOLUTION: The enclosuer of the FED is constituted of: a cathode board 1; an anode board 2; and a sealing frame 31. The anode board 2 is bonded to the sealing frame 31 with a frit glass 32, while the cathode board 1 is bonded to the sealing frame 31 with a frit glass 33. After the anode board 2 is bonded at a high temperature to the sealing frame 31 using the frit glass 32, the cathode board 1 is bonded at a lower temperature to the sealing frame 31 using the frit glass 33. Because the cathode board 1 is bonded at a relatively low temperature, the emission characteristics of electron sources formed on the cathode board 1 are not deteriorated in the bonding process. On the other hand, bonding the anode board 2 at a relatively high temperature gives a necessary strength to a sealing portion. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、内部を真空にし、背面基板に電子放出源をマトリクス状に配置し、前面基板に対応する蛍光体を配置したフラット型表示装置における、真空封止の信頼性に関連する。   The present invention relates to the reliability of vacuum sealing in a flat display device in which the inside is evacuated, electron emission sources are arranged in a matrix on the rear substrate, and phosphors corresponding to the front substrate are arranged.

２枚のガラス基板に挟まれた内部を真空にして、一方の基板上に電子放出源をマトリクス状に配置し、対向基板に蛍光体を配置したいわゆるフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）の開発が進んでいる。ＦＥＤは電子放出源からの電子が蛍光体に射突して発光することによって画像を形成するもので、明るさ、コントラスト、動画特性等でブラウン管並の優れた性能を得ることが出来るので、将来のＴＶ用ディスプレイとして期待されている。   Development of a so-called field emission display (FED) in which the inside between two glass substrates is evacuated, electron emission sources are arranged in a matrix on one substrate, and phosphors are arranged on the opposite substrate is progressing. Yes. The FED forms an image when electrons from an electron emission source strike a phosphor and emits light. In the future, brightness, contrast, moving image characteristics, etc. can provide excellent performance similar to a cathode ray tube. It is expected as a TV display.

ＦＥＤは電子を蛍光体に射突させて発光させるため、ＦＥＤの内部は真空に保つ必要がある。ＦＥＤはマトリクス状に配置された電子源を有するカソード基板と、蛍光体を有するアノード基板とから構成されている。そして、カソード基板およびアノード基板の周辺に封止枠を配置し、フリットガラスから成る封着材を用いて封止している。封着後はカソード基板に形成された排気孔を通して排気する。枠の高さによってアノード基板とカソード基板の間隔を決定する。   Since the FED emits light by projecting electrons onto the phosphor, the inside of the FED needs to be kept in a vacuum. The FED is composed of a cathode substrate having an electron source arranged in a matrix and an anode substrate having a phosphor. A sealing frame is disposed around the cathode substrate and the anode substrate and sealed with a sealing material made of frit glass. After sealing, the air is exhausted through exhaust holes formed in the cathode substrate. The distance between the anode substrate and the cathode substrate is determined by the height of the frame.

表示領域におけるアノード基板とカソード基板の正確な間隔はスペーサによって決められる。一方、アノード基板とカソード基板の平面方向の位置合わせも重要である。「特許文献１」には、封止枠とアノード基板の間の封着材と、封止枠とカソード基板の間の封着材との軟化温度を変えることによってアノード基板とカソード基板の平面方向の位置あわせを正確に決める技術を記載している。「特許文献１」ではカソード基板側の封着材の厚さを大きくし、かつ、カソード基板側の封着材の軟化温度をアノード基板側の封着材の軟化温度よりも高くすることによって、平面方向の位置決めを正確に行なう技術が記載してある。   The exact distance between the anode substrate and the cathode substrate in the display area is determined by the spacer. On the other hand, alignment of the anode substrate and the cathode substrate in the planar direction is also important. In “Patent Document 1”, the planar direction of the anode substrate and the cathode substrate is described by changing the softening temperature between the sealing material between the sealing frame and the anode substrate and the sealing material between the sealing frame and the cathode substrate. Describes a technique for accurately determining the alignment of the. In “Patent Document 1”, by increasing the thickness of the sealing material on the cathode substrate side and making the softening temperature of the sealing material on the cathode substrate side higher than the softening temperature of the sealing material on the anode substrate side, A technique for accurately positioning in the planar direction is described.

封止枠はガラスあるいはセラミック等の絶縁物で形成され、矩形状の枠である。材料の歩留まりを良くするために封止枠はガラスの棒状の材料を融着するか、フリットガラス等によってガラス棒を接合して枠状としている。   The sealing frame is formed of an insulating material such as glass or ceramic, and is a rectangular frame. In order to improve the yield of the material, the sealing frame is formed by fusing a glass rod-shaped material or by joining glass rods with frit glass or the like.

例えば、ガラス棒をフリットガラスによって、接合して封止枠を作る場合は、ＦＥＤメーカーが、ガラスメーカーからガラス棒を購入して、ＦＥＤメーカーにおいて封止枠に組み立てることが出来るという利点がある。この場合は、接合する部分でリークを起こさないよう、封止部分のガラス棒の端部の形状、あるいは、接合するフリットガラスの特性等を考慮しなければならない。このような技術を記載したものとして「特許文献２」がある。   For example, when a glass rod is joined with frit glass to form a sealing frame, there is an advantage that an FED manufacturer can purchase a glass rod from a glass manufacturer and assemble it into the sealing frame at the FED manufacturer. In this case, the shape of the end of the glass rod at the sealing portion or the characteristics of the frit glass to be bonded must be taken into consideration so as not to cause leakage at the bonded portion. There exists "patent document 2" as what described such a technique.

特開２００６−１２０４７９号公報JP 2006-120479 A 特開２００５−２２２８９５号公報JP 2005-222895 A

アノード基板とカソード基板をフリットガラスを用いて封止枠によって封止する場合、フリットで接着できるよう封着する必要がある。この接着温度あるいは封着温度(以後接着温度という)は４００℃近辺と非常に高い。カソード基板には多数の電子源が形成されており、電子源は高温で過熱することによって特性が劣化する。特に大気中で高温に曝すと酸化が進み、特性の劣化が大きい。電子源の種類としてはカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、スピント、ＭＩＭ、ＳＥＤ等があるが、いずれの電子源も高温にさらされることによって特性が劣化する現象は同様である。本発明は、フリットガラスによる接着工程を経ても、電子源の特性劣化が少ないＦＥＤを実現することである。   When the anode substrate and the cathode substrate are sealed with a sealing frame using frit glass, it is necessary to seal the anode substrate and the cathode substrate so that they can be bonded with the frit. This bonding temperature or sealing temperature (hereinafter referred to as bonding temperature) is very high around 400 ° C. A large number of electron sources are formed on the cathode substrate, and the characteristics of the electron source deteriorate due to overheating at a high temperature. In particular, when exposed to high temperatures in the atmosphere, oxidation proceeds and the characteristics are greatly degraded. The types of electron sources include carbon nanotubes (CNT), Spindt, MIM, SED, and the like, but the phenomenon that all electron sources are deteriorated by exposure to high temperatures is the same. An object of the present invention is to realize an FED with little deterioration in the characteristics of an electron source even after an adhesion process using frit glass.

また、ＦＥＤは内部を真空に維持するために、種々の構造物をフリットガラスを使用して封止している。各構造物の接着面積は構造物あるいは構造物の取り付け位置によって異なる。また、フリットガラスを使用する部位は全て真空封止される部分のみではない。このような場合、フリットの材料あるいは接着条件を画一的に決めると場所によって封止の信頼性、あるいは接着の信頼性が悪い部分が生ずる。本発明の他の課題は、フリットガラスによって封着される各部分の信頼性を一定にし、ＦＥＤ全体として信頼性を高めることである。   Further, in order to keep the inside of the FED in a vacuum, various structures are sealed using frit glass. The bonding area of each structure varies depending on the structure or the mounting position of the structure. Further, the part where the frit glass is used is not only the part to be vacuum-sealed. In such a case, if the frit material or the bonding conditions are determined uniformly, a portion with poor sealing reliability or bonding reliability may occur depending on the location. Another object of the present invention is to make the reliability of each part sealed with frit glass constant and to improve the reliability of the FED as a whole.

本発明は以上のような課題を解決するために、フリットガラスによって、ＦＥＤの構造物を封止する際、各部位によって接着温度の異なるフリットガラスを用いる。これによって、エミッション特性を劣化させることなく、また、蛍光体の発光特性を劣化させることなく信頼性の高い封止を行なうことが出来る。具体的な手段は以下のとおりである。   In order to solve the above-described problems, the present invention uses a frit glass having a different bonding temperature depending on each part when the FED structure is sealed with the frit glass. This makes it possible to perform highly reliable sealing without deteriorating the emission characteristics and without degrading the light emission characteristics of the phosphor. Specific means are as follows.

（１）電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、前記封止枠は前記アノード基板に第１のフリットガラスによって接着され、前記封止枠は前記カソード基板に第２のフリットガラスによって接着され、前記第１のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする表示装置。
（２）前記第１のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも５０℃以上高いことを特徴とする（１）に記載の表示装置。 (1) A cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron emission source, The cathode substrate and the anode substrate are sealed through a sealing frame, and the inside is maintained in a vacuum. The sealing frame is bonded to the anode substrate with a first frit glass, The sealing frame is bonded to the cathode substrate by a second frit glass, and the bonding temperature of the first frit glass is 20 ° C. or more higher than the bonding temperature of the second frit glass. .
(2) The display device according to (1), wherein an adhesion temperature of the first frit glass is 50 ° C. higher than an adhesion temperature of the second frit glass.

（３）電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成された表示領域を有するアノード基板を備え、前記表示領域には前記アノード基板と前記カソード基板の間隔を保持するためのスペーサが設置され、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、前記封止枠は前記アノード基板に第１のフリットガラスによって接着され、前記封止枠は前記カソード基板に第２のフリットガラスによって接着され、前記スペーサは前記アノード基板に第３のフリットガラスによって接着され、前記第１のフリットガラスと前記第３のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする表示装置。
（４）前記第１のフリットガラスと前記第３のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも５０℃以上高いことを特徴とする（３）に記載の表示装置。
（５）前記第１のフリットガラスと前記第３のフリットガラスは同一であることを特徴とする（３）に記載の表示装置。
（６）前記スペーサは前記カソード基板と第４のフリットガラスによって接着されており、前記第１のフリットガラスと前記第３のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスと前記第４のフリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする（３）に記載の表示装置。
（７）前記第２のフリットガラスと前記第４のフリットガラスは同一であることを特徴とする（３）に記載の表示装置。 (3) A cathode substrate having an electron emission source formed in a matrix, and an anode having a display region facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and a phosphor formed at a location corresponding to the electron emission source The display area is provided with a spacer for maintaining a gap between the anode substrate and the cathode substrate, the cathode substrate and the anode substrate are sealed through a sealing frame, and the inside is vacuumed The sealing frame is bonded to the anode substrate by a first frit glass, the sealing frame is bonded to the cathode substrate by a second frit glass, and the spacer is the display device. An anode substrate is bonded with a third frit glass, and the bonding temperature between the first frit glass and the third frit glass is the second frit glass. Display device characterized by high 20 ° C. or higher than the bonding temperature of Ttogarasu.
(4) The display device according to (3), wherein an adhesion temperature between the first frit glass and the third frit glass is 50 ° C. higher than an adhesion temperature between the second frit glass.
(5) The display device according to (3), wherein the first frit glass and the third frit glass are the same.
(6) The spacer is bonded to the cathode substrate by a fourth frit glass, and the bonding temperature between the first frit glass and the third frit glass is the second frit glass and the fourth frit. The display device according to (3), which is 20 ° C. or more higher than the glass bonding temperature.
(7) The display device according to (3), wherein the second frit glass and the fourth frit glass are the same.

（８）電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、前記封止枠は前記アノード基板に第１のフリットガラスによって接着され、前記封止枠は前記カソード基板に第２のフリットガラスによって接着され、前記封止枠は矩形であり、棒状のガラスを第５のフリットガラスによって接着して形成され、前記第５のフリットガラスの接着温度は前記第１および前記第２のフリットガラスの接着温度よりも高く、前記第１のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする表示装置。
（９）前記第１のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも５０℃以上高いことを特徴とする（８）に記載の表示装置。 (8) a cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and a phosphor formed at a location corresponding to the electron emission source; The cathode substrate and the anode substrate are sealed through a sealing frame, and the inside is maintained in a vacuum. The sealing frame is bonded to the anode substrate with a first frit glass, The sealing frame is bonded to the cathode substrate with a second frit glass, the sealing frame is rectangular, formed by bonding a rod-shaped glass with a fifth frit glass, and the fifth frit glass. The bonding temperature is higher than the bonding temperature of the first and second frit glasses, and the bonding temperature of the first frit glass is equal to the bonding temperature of the second frit glass. A display device, wherein the high 20 ° C. or higher.
(9) The display device according to (8), wherein an adhesion temperature of the first frit glass is 50 ° C. higher than an adhesion temperature of the second frit glass.

（１０）電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、
前記封止枠は前記アノード基板に第１のフリットガラスによって接着され、前記封止枠は前記カソード基板に第２のフリットガラスによって接着され、
前記封止枠は矩形であり、棒状のガラスを第５のフリットガラスによって接着して形成され、前記第５のフリットガラスの接着温度は前記第１のフリットガラスの接着温度と同じであり、前記第１のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする表示装置。
（１１）前記第１のフリットガラスと前記第５のフリットガラスとは同一であることを特徴とする（１０）に記載の表示装置。 (10) a cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron emission source; The cathode substrate and the anode substrate are sealed through a sealing frame, and the inside is held in a vacuum,
The sealing frame is bonded to the anode substrate by a first frit glass, the sealing frame is bonded to the cathode substrate by a second frit glass,
The sealing frame is rectangular and is formed by bonding a rod-shaped glass with a fifth frit glass. The bonding temperature of the fifth frit glass is the same as the bonding temperature of the first frit glass, A display device, wherein an adhesion temperature of the first frit glass is 20 ° C. or more higher than an adhesion temperature of the second frit glass.
(11) The display device according to (10), wherein the first frit glass and the fifth frit glass are the same.

（１２）電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、前記封止枠は前記アノード基板に第１のフリットガラスによって接着され、前記カソード基板に第２のフリットガラスによって接着され、前記カソード基板には排気のための孔が形成され、前記孔を囲んで排気室が形成され、前記排気室は排気管を有する排気基板と前記カソード基板と前記排気基板とを接続する枠体で形成され、前記枠体と前記カソード基板とは第６のフリットガラスによって接着され、前記枠体と前記排気基板とは第７のフリットガラスによって接着され、前記排気管は前記排気基板に第８のフリットガラスによって接着され、前記第８のフリットガラスの接着温度は、前記第１のフリットガラス、前記第２のフリットガラス、前記第６のフリットガラスの接着温度よりも高く、前記第１のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする表示装置。
（１３）前記第８のフリットガラスと前記第７のフリットガラスの接着温度は同じであることを特徴とする（１２）に記載の表示装置。 (12) A cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron emission source, The cathode substrate and the anode substrate are sealed through a sealing frame, and the inside is maintained in a vacuum. The sealing frame is bonded to the anode substrate with a first frit glass, The cathode substrate is bonded with a second frit glass, and an exhaust hole is formed in the cathode substrate, and an exhaust chamber is formed surrounding the hole, and the exhaust chamber includes an exhaust substrate having an exhaust pipe and the exhaust substrate. The frame body and the exhaust substrate are formed by a frame body that connects the cathode substrate and the exhaust substrate, and the frame body and the cathode substrate are bonded by a sixth frit glass. Is bonded by a seventh frit glass, the exhaust pipe is bonded to the exhaust substrate by an eighth frit glass, and the bonding temperature of the eighth frit glass is the first frit glass and the second frit glass. A display device, characterized in that it is higher than the bonding temperature of glass and the sixth frit glass, and the bonding temperature of the first frit glass is 20 ° C. higher than the bonding temperature of the second frit glass.
(13) The display device according to (12), wherein the bonding temperature of the eighth frit glass and the seventh frit glass is the same.

（１４）電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、前記封止枠は前記アノード基板に第１のフリットガラスによって接着され、前記カソード基板に第２のフリットガラスによって接着され、前記カソード基板には高電圧導入のための孔が形成され、前記孔を囲んで高電圧導入室が形成され、前記高電圧導入室は高電圧導入端子を有する高電圧導入基板と、前記カソード基板と前記高電圧導入基板とを接続する枠体で形成され、前記枠体と前記カソード基板とは第６のフリットガラスによって接着され、前記枠体と前記高電圧導入基板とは第７のフリットガラスによって接着され、前記高電圧導入端子は前記高電圧導入基板に第９のフリットガラスによって接着され、前記第９のフリットガラスの接着温度は、前記第１のフリットガラス、前記第２のフリットガラス、前記第６のフリットガラスの接着温度よりも高く、前記第１のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする表示装置。
（１５）前記第９のフリットガラスの接着温度と前記第７のフリットガラスの接着温度は同じであることを特徴とする（１４）に記載の表示装置。 (14) a cathode substrate in which an electron emission source is formed in a matrix, an anode substrate facing the cathode substrate, an anode voltage is applied, and a phosphor is formed at a location corresponding to the electron emission source; The cathode substrate and the anode substrate are sealed through a sealing frame, and the inside is maintained in a vacuum. The sealing frame is bonded to the anode substrate with a first frit glass, Bonded to the cathode substrate by a second frit glass, a hole for introducing a high voltage is formed in the cathode substrate, a high voltage introducing chamber is formed surrounding the hole, and the high voltage introducing chamber is a high voltage A high voltage introduction substrate having an introduction terminal, and a frame body connecting the cathode substrate and the high voltage introduction substrate, the frame body and the cathode substrate being a sixth frit glass Therefore, the frame body and the high voltage introduction substrate are adhered by a seventh frit glass, and the high voltage introduction terminal is adhered to the high voltage introduction substrate by a ninth frit glass. The bonding temperature of the glass is higher than the bonding temperature of the first frit glass, the second frit glass, and the sixth frit glass, and the bonding temperature of the first frit glass is that of the second frit glass. A display device characterized by being 20 ° C. higher than the bonding temperature.
(15) The display device according to (14), wherein an adhesion temperature of the ninth frit glass and an adhesion temperature of the seventh frit glass are the same.

本発明によれば、封止枠とアノード基板とを接着するフリットガラスの接着温度を封止枠とカソード基板とを接着するフリットガラスの接着温度より高くしたので、フリットガラスの接着強度がアノード基板側で強くなっている。したがって、封止の大気圧に対する強度が強くなり、封止の信頼性を向上することが出来る。また、カソード基板側のフリットガラスの接着温度を低く抑えているために、電子源の電子放出効率の低下を防止することが出来る。   According to the present invention, the bonding temperature of the frit glass for bonding the sealing frame and the anode substrate is set higher than the bonding temperature of the frit glass for bonding the sealing frame and the cathode substrate. It is getting stronger on the side. Therefore, the strength with respect to the atmospheric pressure of the sealing is increased, and the reliability of the sealing can be improved. In addition, since the bonding temperature of the frit glass on the cathode substrate side is kept low, it is possible to prevent a decrease in the electron emission efficiency of the electron source.

また、本発明によれば、棒状のガラスをフリットガラスによって接合した封止枠を用いるので、封止枠の材料歩留まりを上げることが出来る。また、フリットガラスの接着温度をＦＥＤの各構造体の部位によって異ならしめているために、高い信頼性を持つＦＥＤを実現することが出来る。   Further, according to the present invention, since the sealing frame obtained by joining rod-shaped glass with frit glass is used, the material yield of the sealing frame can be increased. In addition, since the frit glass bonding temperature is varied depending on the position of each structure of the FED, a highly reliable FED can be realized.

また、本発明は、構造体をフリットガラスによって接合する際、接着面積の差によってフリットガラスの接着温度を異ならしめているために、各部における封止の信頼性を向上することが出来、結果としてＦＥＤ全体の信頼性を向上させることが出来る。   Further, according to the present invention, when the structures are bonded with the frit glass, the frit glass has a different bonding temperature due to the difference in the bonding area, so that the reliability of sealing in each part can be improved, and as a result, the FED Overall reliability can be improved.

以下、本発明の最良の形態を実施例の図面を参照して詳細に説明する。   The best mode of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings of the embodiments.

図１は本発明の第１の実施例を示す平面図である。図１において、カソード基板１の上には封着部３を介してアノード基板２が設置されている。カソード基板１上には横方向には走査線が、縦方向にはデータ信号線が延在している。走査線、データ信号線には端子５を介して外部から信号が供給される。走査線とデータ信号線の交差部付近には電子放出源が配置されている。したがって、多数の電子放出源がマトリクス状に配列されている。電子放出源としては、いわゆるＭＩＭ方式、ＳＥＤ方式、Ｓｐｉｎｄｔ方式等種々のもが開発されているが、いずれの電子放出源の場合にも本発明を適用可能である。   FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, an anode substrate 2 is installed on a cathode substrate 1 via a sealing portion 3. On the cathode substrate 1, scanning lines extend in the horizontal direction, and data signal lines extend in the vertical direction. A signal is supplied to the scanning line and the data signal line from the outside via the terminal 5. An electron emission source is disposed in the vicinity of the intersection between the scanning line and the data signal line. Therefore, a large number of electron emission sources are arranged in a matrix. Various electron emission sources such as the so-called MIM system, SED system, and Spindt system have been developed. The present invention can be applied to any electron emission source.

カソード基板１とアノード基板２と周辺を囲む封着部３の内部は真空に保たれる。したがって、大気圧によってアノード基板２、カソード基板１が撓み、カソード基板１とアノード基板２の間隔が確保できなくなる。あるいは、カソード基板１あるいはアノード基板２が破壊してしまう。これを避けるために、カソード基板１とアノード基板２との間にスペーサ４が設置される。このスペーサ４はセラミックまたはガラスで形成され、画像形成の妨げにならないように一般的には走査線上に設置される。   The inside of the sealing part 3 surrounding the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 and the periphery is kept in a vacuum. Therefore, the anode substrate 2 and the cathode substrate 1 are bent by the atmospheric pressure, and the interval between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 cannot be secured. Alternatively, the cathode substrate 1 or the anode substrate 2 is destroyed. In order to avoid this, a spacer 4 is provided between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2. The spacer 4 is made of ceramic or glass and is generally installed on the scanning line so as not to hinder image formation.

アノード基板２上には電子ビームの射突によって光を発する赤、緑、青の蛍光体が電子放出源に対応して形成されている。蛍光体の周囲にはブラックマトリクス（ＢＭ）が形成されており、画像のコントラスを向上させる。ブラックマトリクスを覆ってＡｌによるメタルバクが形成されている。メタルバックには高電圧が印加され、カソードから出射する電子ビームを加速して蛍光体２１に射突させる。   On the anode substrate 2, red, green, and blue phosphors that emit light by projecting an electron beam are formed corresponding to the electron emission sources. A black matrix (BM) is formed around the phosphor to improve image contrast. A metal backing made of Al is formed covering the black matrix. A high voltage is applied to the metal back, and the electron beam emitted from the cathode is accelerated and projected onto the phosphor 21.

電子ビームによって蛍光体から光を発生させるためには電子ビームはある程度のエネルギーをもっていなければならないので、アノード基板２のメタルバックには８ＫＶから１０ＫＶの高電圧が印加される。本実施例では外部からの高電圧導入端子６０はカソード基板１側に設けられ、コンタクトスプリング５０を介してアノード基板２に高電圧が供給される。図１おいて、コンタクトスプリング５０とアノード基板２が接触するアノード端子２４が表示装置のコーナー部に形成されている。表示装置の内部は真空に保たなければならないので、図１における表示装置の他のコーナー部に排気のための排気孔８１が形成されている。   In order to generate light from the phosphor by the electron beam, the electron beam must have a certain amount of energy, so that a high voltage of 8 KV to 10 KV is applied to the metal back of the anode substrate 2. In this embodiment, the external high voltage introduction terminal 60 is provided on the cathode substrate 1 side, and a high voltage is supplied to the anode substrate 2 via the contact spring 50. In FIG. 1, an anode terminal 24 where the contact spring 50 and the anode substrate 2 are in contact is formed at a corner portion of the display device. Since the inside of the display device must be kept in a vacuum, exhaust holes 81 for exhaust are formed in the other corners of the display device in FIG.

図２は図１をＣ方向から見た側面図である。図２において、カソード基板１とアノード基板２は封着部３を介して所定の距離を持って対向している。カソード基板１のほうが端子５等が設置される分大きく形成されている。カソード基板１の下には、排気管８を取り付けるための排気基板６が取り付けられている。排気基板６は排気基板封着部７を介してカソード基板１に取り付けられている。図２では排気基板６には表示装置の内部を真空にするための排気管８がチップオフされた状態で描かれている。   FIG. 2 is a side view of FIG. 1 viewed from the C direction. In FIG. 2, the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 face each other with a predetermined distance through the sealing portion 3. The cathode substrate 1 is formed larger as the terminals 5 and the like are installed. Under the cathode substrate 1, an exhaust substrate 6 for attaching the exhaust pipe 8 is attached. The exhaust substrate 6 is attached to the cathode substrate 1 via an exhaust substrate sealing portion 7. In FIG. 2, an exhaust pipe 8 for evacuating the inside of the display device is drawn on the exhaust substrate 6 in a state where the chip is turned off.

図３は図１のＡ−Ａ断面図である。図３において、データ信号線１２が紙面と垂直方向に延在している。本実施例ではこのデータ信号線１２の上に電子放出源１３が形成されている。絶縁膜１４を介して走査線１１がデータ信号線１２と直角方向に形成されている。図３において、走査線１１は封着部３の外部に延在している。走査線１１の上にはカソード基板１とアノード基板２との距離を保つためのスペーサ４が設置されている。スペーサ４は固着材４１によってアノード基板２側のメタルバック２３に固着されている。固着材４１は導電性のフリットガラスよって形成されている。このスペーサ４には１０^９から１０^１１Ω程度の導電性が与えられ、カソードとアノードとの間にわずかに電流を流すことによってスペーサ４の帯電を防止している。 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. In FIG. 3, the data signal line 12 extends in a direction perpendicular to the paper surface. In this embodiment, an electron emission source 13 is formed on the data signal line 12. The scanning line 11 is formed in a direction perpendicular to the data signal line 12 through the insulating film 14. In FIG. 3, the scanning line 11 extends outside the sealing portion 3. A spacer 4 for maintaining the distance between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 is provided on the scanning line 11. The spacer 4 is fixed to the metal back 23 on the anode substrate 2 side by a fixing material 41. The fixing material 41 is made of conductive frit glass. The spacer 4 is given a conductivity of about 10 ⁹ to 10 ¹¹ Ω, and the spacer 4 is prevented from being charged by passing a slight current between the cathode and the anode.

スペーサ４のカソード基板１側の端面４１５には金属によってメタライズ面が形成されている。この金属は例えば、Ｍｏのスパッタリング膜である。ＦＥＤが排気された後は、大気圧によってアノード基板２およびカソード基板１はスペーサ端面に押し付けられる。したがって、カソード基板１側において、スペーサ端面が走査線に固着されていなくともスペーサ４と走査線との導通をとることが出来る。   A metallized surface is formed of metal on the end surface 415 of the spacer 4 on the cathode substrate 1 side. This metal is, for example, a Mo sputtering film. After the FED is exhausted, the anode substrate 2 and the cathode substrate 1 are pressed against the end surfaces of the spacer by the atmospheric pressure. Therefore, on the cathode substrate 1 side, the spacer 4 and the scanning line can be electrically connected even if the spacer end face is not fixed to the scanning line.

アノード基板２側では、電子放出源１３に対応する場所には、赤、緑、青等の蛍光体２１が配置され、この蛍光体２１は電子ビームに射突されることによって発光し、画像が形成される。蛍光体２１の間はＢＭ２２で充填され、画像のコントラストの向上に寄与する。ＢＭ２２は例えば、クロムおよび酸化クロムの２層構造になっている。酸化クロムがアノード基板２側に形成され、その上にクロムが形成されている。蛍光体２１およびＢＭ２２を覆ってＡｌによるメタルバック２３が形成されている。メタルバック２３には約８ＫＶから１０ＫＶ程度の高電圧が印加され、電子ビームを加速する。加速された電子ビームはメタルバック２３を突き抜けて蛍光体２１に射突し、蛍光体２１を発光させる。   On the anode substrate 2 side, phosphors 21 such as red, green, and blue are arranged at locations corresponding to the electron emission sources 13, and the phosphors 21 emit light by being projected onto the electron beam, and an image is displayed. It is formed. The space between the phosphors 21 is filled with BM 22 and contributes to the improvement of the contrast of the image. For example, the BM 22 has a two-layer structure of chromium and chromium oxide. Chromium oxide is formed on the anode substrate 2 side, and chromium is formed thereon. A metal back 23 made of Al is formed so as to cover the phosphor 21 and the BM 22. A high voltage of about 8 KV to 10 KV is applied to the metal back 23 to accelerate the electron beam. The accelerated electron beam penetrates the metal back 23 and strikes the phosphor 21 to cause the phosphor 21 to emit light.

表示装置の内部を真空に保つために、封止枠３１とアノード側封着材３２およびカソード側封着材３３によってカソード基板１とアノード基板２がシールされている。封着材３２および３３はいずれもフリットガラスである。カソード基板１の厚さおよびアノード基板２の厚さは３ｍｍ程度である。また、カソード基板１とアノード基板２との距離は約２．８ｍｍ程度であり、表示装置の内側は高電界となっている。   In order to keep the inside of the display device in a vacuum, the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 are sealed by the sealing frame 31, the anode side sealing material 32, and the cathode side sealing material 33. The sealing materials 32 and 33 are both frit glass. The thickness of the cathode substrate 1 and the thickness of the anode substrate 2 are about 3 mm. The distance between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 is about 2.8 mm, and the inside of the display device has a high electric field.

図４は図１のＢ―Ｂ断面図である。図４において、データ信号線が紙面の横方向に延在し、絶縁膜を挟んで走査線が紙面の鉛直方向に延在している。スペーサ４は画像形成の妨げにならないようにアノード基板２側では蛍光体が形成された部分ではなく、ＢＭ部分に設置されている。また、スペーサ４はＢＭの上に形成されたメタルバック膜にフリットガラスからなるアノード側固着材４１によって固着している。スペーサ４のカソード基板１側の端面４１５にはメタライズ膜が形成され、スペーサ４と走査線の導通を取っている。走査線と走査線の間には電子源１３が形成されている。   4 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. In FIG. 4, the data signal line extends in the horizontal direction of the paper surface, and the scanning line extends in the vertical direction of the paper surface with the insulating film interposed therebetween. The spacer 4 is installed not on the portion where the phosphor is formed on the anode substrate 2 side but on the BM portion so as not to hinder image formation. The spacer 4 is fixed to a metal back film formed on the BM by an anode side fixing material 41 made of frit glass. A metallized film is formed on the end surface 415 of the spacer 4 on the cathode substrate 1 side, and the spacer 4 and the scanning line are electrically connected. An electron source 13 is formed between the scanning lines.

図１から図４に示すＦＥＤの製造順序は次のとおりである。すなわち、先ずアノード基板２側に封止枠３１をフリットガラスであるアノード側封着材３２で接着し、同時に、スペーサ４をアノード基板２側固着材４１によって接着する。この接着のためのベーキン温度は４３０℃から４８０℃で行なわれる。アノード基板２には蛍光体が形成されているが、蛍光体が４８０℃以上でベークされると特性が劣化するので、上限を４８０℃としている。   The manufacturing order of the FED shown in FIGS. 1 to 4 is as follows. That is, first, the sealing frame 31 is bonded to the anode substrate 2 side by the anode side sealing material 32 that is frit glass, and at the same time, the spacer 4 is bonded by the anode substrate 2 side fixing material 41. The baking temperature for this bonding is 430 ° C. to 480 ° C. Although the phosphor is formed on the anode substrate 2, the upper limit is set to 480 ° C. because the characteristics deteriorate when the phosphor is baked at 480 ° C. or higher.

アノード基板２側のフリットガラス３２は鉛系フリットガラス、ビスマス系フリットガラス、スズ系フリットガラス、バナジウム系フリットガラス等が用いられる。このフリットガラスは封止枠３１を接着するアノード側封着材３２、スペーサ４を接着するアノード側固着材４１とも共通に用いることが出来る。   As the frit glass 32 on the anode substrate 2 side, lead-based frit glass, bismuth-based frit glass, tin-based frit glass, vanadium-based frit glass, or the like is used. This frit glass can be used in common for both the anode side sealing material 32 for bonding the sealing frame 31 and the anode side fixing material 41 for bonding the spacer 4.

次にカソード基板１を封止枠３１にフリットガラスであるカソード基板１側封着材３３によって接着し、ＦＥＤの外囲器が形成される。接着のためのベーキング温度は３８０℃から４３０℃程度である。カソード基板１には電子源１３が形成されているが、電子源１３を４３０℃以上でベーキングすると電子放出特性が劣化するので、カソード基板１のベーキング温度は４３０℃に抑えている。   Next, the cathode substrate 1 is bonded to the sealing frame 31 with the cathode substrate 1 side sealing material 33, which is frit glass, to form an FED envelope. The baking temperature for bonding is about 380 ° C to 430 ° C. Although the electron source 13 is formed on the cathode substrate 1, if the electron source 13 is baked at 430 ° C. or higher, the electron emission characteristics deteriorate, so the baking temperature of the cathode substrate 1 is suppressed to 430 ° C.

カソード側封着材３３の材料としては、鉛系フリットガラス、ビスマス系フリットガラス、スズ系フリットガラス、バナジウム系フリットガラス、シリコン接着材等を用いることが出来る。   As the material of the cathode side sealing material 33, lead-based frit glass, bismuth-based frit glass, tin-based frit glass, vanadium-based frit glass, silicon adhesive, or the like can be used.

アノード側フリットガラス３２の接着温度のほうがカソード側フリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高く、より好ましくは５０℃以上高く設定する。フリットガラスはベーキング温度が高いほうが接着強度が強い。本発明では、アノード基板２と封止枠３１の接着温度を高くすることによってアノード側での接着強度を十分強くしておく。そして、カソード基板１を封止枠３１に接着するときは接着温度を低く抑える。このようにすることによって、電子源１３の特性が高温のベーキングによって劣化することを防止することが出来る。一方、カソード基板１と封止枠３１との接着強度はアノード基板２と封止枠３１との接着強度よりも弱くなるが、これはアノード基板２と封止枠３１の接着強度で補い、ＦＥＤ全体として十分な信頼性を保てばよい。
また、スペーサ４とアノード基板２を接着するフリットガラスも高温で接着するフリットガラスを使用するので、スペーサ４とアノード基板２との接着強度を大きくすることが出来る。すなわち、フリットガラスは高温で接着する場合のほうが接着力が大きい。一方、スペーサ４は板厚が薄いために、アノード基板２をスペーサ４を接着する固着材４１は強いものでなければならない。本発明では、アノード基板２側のフリットガラスに高温で接着するフリットガラスを用いるので、スペーサ固着の信頼性を上げることが出来る。 The bonding temperature of the anode frit glass 32 is set to 20 ° C. or higher, more preferably 50 ° C. or higher than the bonding temperature of the cathode frit glass. Frit glass has higher adhesive strength at higher baking temperatures. In the present invention, the bonding temperature on the anode side is sufficiently increased by increasing the bonding temperature between the anode substrate 2 and the sealing frame 31. When bonding the cathode substrate 1 to the sealing frame 31, the bonding temperature is kept low. By doing in this way, it can prevent that the characteristic of the electron source 13 deteriorates by high temperature baking. On the other hand, the adhesive strength between the cathode substrate 1 and the sealing frame 31 is weaker than the adhesive strength between the anode substrate 2 and the sealing frame 31, which is compensated by the adhesive strength between the anode substrate 2 and the sealing frame 31. It is sufficient to maintain sufficient reliability as a whole.
In addition, since the frit glass that bonds the spacer 4 and the anode substrate 2 is also used at a high temperature, the bonding strength between the spacer 4 and the anode substrate 2 can be increased. That is, the frit glass has a higher adhesive force when bonded at a high temperature. On the other hand, since the spacer 4 is thin, the fixing material 41 for bonding the anode substrate 2 to the spacer 4 must be strong. In the present invention, since the frit glass that adheres to the frit glass on the anode substrate 2 side at a high temperature is used, the reliability of spacer fixation can be improved.

以上のようにしてＦＥＤの外囲器が形成される。その後、アノード基板２、カソード基板１、および封止枠３１によって封止されたＦＥＤの内部を排気管８を通して排気する。排気時は、ＦＥＤ内部の構造物に吸着された水分その他のガスを排気するために、ＦＥＤを高温にベーキングしながら排気する。排気時のベーキング温度は３５０℃程度である。   As described above, the envelope of the FED is formed. Thereafter, the inside of the FED sealed by the anode substrate 2, the cathode substrate 1, and the sealing frame 31 is exhausted through the exhaust pipe 8. At the time of exhaust, in order to exhaust moisture and other gases adsorbed on the structure inside the FED, the FED is exhausted while baking at a high temperature. The baking temperature during exhaust is about 350 ° C.

排気時のベーキング温度が高い程、ＦＥＤ内の吸着ガスを放出することが出来る。したがって、長期間、高い真空度を維持することが出来る。しかし、封止枠３１の接着時のベーキング温度と排気時のベーキング温度とが近いと封着材３２、３３が軟化してフリット抜けを起こしてしまう。これを防止するために、排気時のベーキング温度は３５０℃程度としている。
排気時のベーキング温度はカソード基板１と封止枠３１を接着するときのベーキング温度よりも２０℃以上、好ましくは５０℃以上低くするのが良い。排気時のベーキングではＦＥＤの内部が真空になっている。フリットガラスは、接着温度よりも低い温度で軟化する。ＦＥＤ内部が真空になっている状態では封止枠３１にも大気圧がかかり、排気時のベーキング温度がカソード基板１と封止枠３１との接着温度に近づくとカソード基板１と封止枠３１とを接着しているフリットガラスが軟化して封止枠３１がずれ、フリット抜けの原因となる。このような条件になった場合であっても、本発明では、アノード基板２と封止枠３１との接着に用いているフリットガラスの接着温度が高いために、封止枠３１に対する大気圧に対しては、アノード側の接着強度によって持ちこたえることができる。つまり、封止枠３１が大気によって動かされるということは無いので、フリット抜けを防ぐことが出来る。 The higher the baking temperature during exhaust, the more the adsorbed gas in the FED can be released. Therefore, a high degree of vacuum can be maintained for a long time. However, if the baking temperature at the time of adhering the sealing frame 31 is close to the baking temperature at the time of exhaust, the sealing materials 32 and 33 are softened and the frit is lost. In order to prevent this, the baking temperature during exhaust is set to about 350 ° C.
The baking temperature at the time of evacuation should be 20 ° C. or more, preferably 50 ° C. or more lower than the baking temperature when the cathode substrate 1 and the sealing frame 31 are bonded. In baking at the time of exhaust, the inside of the FED is evacuated. The frit glass softens at a temperature lower than the bonding temperature. In a state where the inside of the FED is in a vacuum, atmospheric pressure is also applied to the sealing frame 31, and when the baking temperature during exhaust approaches the bonding temperature between the cathode substrate 1 and the sealing frame 31, the cathode substrate 1 and the sealing frame 31. The frit glass adhering to each other is softened, the sealing frame 31 is displaced, and the frit is lost. Even in such a condition, in the present invention, the frit glass used for bonding between the anode substrate 2 and the sealing frame 31 has a high bonding temperature, so that the atmospheric pressure with respect to the sealing frame 31 is maintained. On the other hand, it can be held by the adhesive strength on the anode side. That is, since the sealing frame 31 is not moved by the atmosphere, it is possible to prevent the frit from being removed.

以上のように、本発明によれば、カソード基板１に形成された電子源の特性が高温ベーキングによって劣化することを防止することが出来る。さらに、排気時のベーキング温度を比較的高く設定しても、封止枠３１とアノード基板２の強い接着力によってフリット抜けを防止することが出来る。また、排気時のベーキン温度を脱ガスに必要な温度にまで上げることが出来るので、長期間にわたって、真空度を維持でき、優れた寿命特性を持つＦＥＤを実現することが出来る。   As described above, according to the present invention, the characteristics of the electron source formed on the cathode substrate 1 can be prevented from being deteriorated by high temperature baking. Furthermore, even if the baking temperature at the time of exhaust is set to be relatively high, it is possible to prevent the frit from being removed by the strong adhesive force between the sealing frame 31 and the anode substrate 2. In addition, since the baking temperature during exhaust can be raised to a temperature necessary for degassing, the degree of vacuum can be maintained over a long period of time, and an FED having excellent life characteristics can be realized.

図５は本発明の第２の実施例である。図５は図１のＡ−Ａ断面に相当する。図５が実施例１の図３と異なる点は、スペーサ４のカソード基板１側を固着する側にはフリットガラス４２が形成されている点である。このフリットガラス４２は導電性である。
図６は図５の直角方向の断面図であり、図１のＢ―Ｂ断面に相当する。図６が実施例１の図４と異なるところは、スペーサ４がカソード基板１に形成された走査線上にフリットガラス４２を介して接着されている点である。 FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention. FIG. 5 corresponds to the AA cross section of FIG. FIG. 5 differs from FIG. 3 of the first embodiment in that a frit glass 42 is formed on the side of the spacer 4 to which the cathode substrate 1 is fixed. The frit glass 42 is conductive.
6 is a cross-sectional view in the direction perpendicular to FIG. 5 and corresponds to the BB cross section of FIG. 6 differs from FIG. 4 of the first embodiment in that the spacer 4 is bonded to the scanning line formed on the cathode substrate 1 via the frit glass 42.

本実施例では、スペーサ４の端面にメタライズ処理を施す必要が無い。スペーサ４と走査線の導通は導電性フリットガラス４２によって取るからである。スペーサ４とアノード基板２に形成されたメタルバックを接着するフリットガラス４１は実施例１と同様高温で接着するフリットガラスである。すなわち、接着温度は４３０℃から４８０℃である。
一方、スペーサ４とカソード基板１に形成された走査線とを接着するフリットガラス４２は封止枠３１とカソード基板１と接着するフリットガラスを接着するフリットガラス３３と同じである。すなわち、接着温度は３８０℃から４３０である。封止枠３１のカソード基板１との接着とスペーサ４のカソード基板１との接着は同一工程で行なわれる。本実施例におけるスペーサ４はアノード基板２とカソード基板１の両方に接着しているために、実施例１の場合よりも固着強度は強く安定である。 In this embodiment, it is not necessary to perform metallization on the end face of the spacer 4. This is because the conduction between the spacer 4 and the scanning line is taken by the conductive frit glass 42. The frit glass 41 for bonding the spacer 4 and the metal back formed on the anode substrate 2 is a frit glass bonded at a high temperature as in the first embodiment. That is, the bonding temperature is 430 ° C. to 480 ° C.
On the other hand, the frit glass 42 for bonding the spacer 4 and the scanning line formed on the cathode substrate 1 is the same as the frit glass 33 for bonding the sealing frame 31 and the frit glass bonded to the cathode substrate 1. That is, the bonding temperature is 380 ° C. to 430. Adhesion of the sealing frame 31 to the cathode substrate 1 and adhesion of the spacer 4 to the cathode substrate 1 are performed in the same process. Since the spacer 4 in this embodiment is bonded to both the anode substrate 2 and the cathode substrate 1, the fixing strength is stronger and more stable than that in the first embodiment.

その他の工程は実施例１の場合と同様である。本実施例によれば、実施例１と同様に封止枠部分でのフリット抜けを防止できるとともに、実施例１の場合に比してスペーサ固着の安定性が高い。   Other steps are the same as those in the first embodiment. According to the present embodiment, it is possible to prevent the frit from being removed at the sealing frame portion as in the first embodiment, and the stability of spacer fixing is higher than that in the first embodiment.

図７は本発明の第３の実施例を説明するための模式図である。図７はＦＥＤの外囲器を構成するアノード基板２とカソード基板１と封止枠３１の分解斜視図である。図７に示す封止枠３１は長尺のガラス棒である、短辺用ガラス棒３１１と長辺用ガラス棒３１２をフリットガラス３７によって接合している。接合位置は短辺側でなされている。   FIG. 7 is a schematic diagram for explaining a third embodiment of the present invention. FIG. 7 is an exploded perspective view of the anode substrate 2, the cathode substrate 1 and the sealing frame 31 constituting the envelope of the FED. The sealing frame 31 shown in FIG. 7 is a long glass rod, and a short-side glass rod 311 and a long-side glass rod 312 are joined by a frit glass 37. The joining position is made on the short side.

図８はアノード基板２とカソード基板１が短辺封止枠３１１および長辺封止枠３１２によって封着されている状況を示している。図９は図８をＡ−Ａ方向から見た図である。図９では３種類のフリットガラスが使用されている。まず、ガラス棒を接合して封止枠３１を形成するためのフリットガラス３７である。この接合部は長尺のガラスを小さな断面で支えるので接着強度は十分強くなければならない。また、ガラス棒の接着なので、ガラスの軟化点等、ガラス自体の問題を除けば温度に対する制約は無い。フリットガラスはベーキング温度が高いほど接着強度を上げることが出来る。また、後の工程でのベーキングでも軟化しないよう、この部分のフリットガラス３７は高温で接着するものを用いる。フリットガラス３７の接着温度は４４０℃から５５０℃である。   FIG. 8 shows a situation where the anode substrate 2 and the cathode substrate 1 are sealed by the short side sealing frame 311 and the long side sealing frame 312. FIG. 9 is a diagram when FIG. 8 is viewed from the AA direction. In FIG. 9, three types of frit glass are used. First, a frit glass 37 for forming a sealing frame 31 by bonding glass rods. Since this joint supports a long glass with a small cross section, the adhesive strength must be sufficiently strong. Further, since the glass rod is bonded, there is no restriction on the temperature except for the problems of the glass itself such as the softening point of the glass. The frit glass can increase the adhesive strength as the baking temperature is higher. Further, in order to prevent softening even when baking is performed in a later process, the frit glass 37 in this portion is bonded at a high temperature. The bonding temperature of the frit glass 37 is 440 ° C. to 550 ° C.

アノード基板２と封止枠３１を接着する温度は実施例１と同様で、４３０℃から４８０℃である。この理由も実施例１と同様である。また、カソード基板１と封止枠３１を接着する温度も実施例１と同様で、３８０℃から４３０℃である。その後ＦＥＤを排気するときのベーキング温度は３５０℃である。   The temperature at which the anode substrate 2 and the sealing frame 31 are bonded is the same as in Example 1 and is 430 ° C. to 480 ° C. The reason for this is the same as in the first embodiment. The temperature at which the cathode substrate 1 and the sealing frame 31 are bonded is the same as that in the first embodiment, and is 380 ° C. to 430 ° C. Thereafter, the baking temperature when the FED is exhausted is 350 ° C.

本実施例においては、封止枠３１をフリットガラス３７を用いて最初に接合するので、封止枠３１を接合するフリットガラス３７の接着温度が最も高い。後工程でアノード基板２と封止枠３１の接着をするとき、あるいは、カソード基板１と封止枠３１の接着をするときに、封止枠３１の接合部が軟化してフリット抜けを生じさせないためである。次いで、アノード基板２と封止枠３１の接着をするフリットガラス３２の接着温度が高く、カソード基板１と封止枠３１を接着するフリットガラス３３の接着温度がもっとも低い。この理由は実施例１で述べたとおりである。   In this embodiment, since the sealing frame 31 is first bonded using the frit glass 37, the frit glass 37 bonding the sealing frame 31 has the highest bonding temperature. When the anode substrate 2 and the sealing frame 31 are bonded in a subsequent process, or when the cathode substrate 1 and the sealing frame 31 are bonded, the joined portion of the sealing frame 31 is softened so that the frit is not removed. Because. Next, the bonding temperature of the frit glass 32 that bonds the anode substrate 2 and the sealing frame 31 is high, and the bonding temperature of the frit glass 33 that bonds the cathode substrate 1 and the sealing frame 31 is the lowest. The reason for this is as described in the first embodiment.

本実施例の他の形態として、封止枠３１の接合と封止枠３１とアノード基板２の接合を同時に行うことも出来る。この場合は封止枠３１を接合するためのベーキングと封止枠３１をアノード基板２に接着するベーキングを一度に行うことが出来る。すなわち、２回のベーキングを１回で済ますことが出来るので、工程短縮の効果および製造原価低減の効果が大きい。   As another embodiment of the present embodiment, the sealing frame 31 and the sealing frame 31 and the anode substrate 2 can be bonded at the same time. In this case, baking for bonding the sealing frame 31 and baking for bonding the sealing frame 31 to the anode substrate 2 can be performed at a time. That is, since two baking operations can be performed once, the effect of shortening the process and the effect of reducing the manufacturing cost are great.

この場合は、長辺と短辺の封止枠３１を接合するフリット３７と、封止枠３１とアノード基板２を接合するフリット３２の接着温度を同じにする。封止枠短辺と封止枠長辺をフリットガラス３７を介して接合した状態のものを、フリットガラス３２を介してアノード基板２に載置したものをベーキングによって接合する。この時同時に、スペーサ４をフリットガラス４１を介してアノード基板２に取り付ける
その後の工程は実施例１と同様である。本実施形態によれば、封止枠３１の接合、封止枠３１とアノード基板２の接着、スペーサ４とアノード基板２の接着を同時に行うことが出来るので、工程の短縮が出来、製造原価を低減することが出来る。 In this case, the bonding temperature of the frit 37 for bonding the long side and the short side sealing frame 31 and the frit 32 for bonding the sealing frame 31 and the anode substrate 2 are made the same. A state in which the short side of the sealing frame and the long side of the sealing frame are bonded via the frit glass 37 is bonded to the one placed on the anode substrate 2 via the frit glass 32 by baking. At the same time, the subsequent process of attaching the spacer 4 to the anode substrate 2 via the frit glass 41 is the same as that of the first embodiment. According to this embodiment, since the bonding of the sealing frame 31, the bonding of the sealing frame 31 and the anode substrate 2, and the bonding of the spacer 4 and the anode substrate 2 can be performed at the same time, the process can be shortened and the manufacturing cost can be reduced. It can be reduced.

図１０に本発明の第４の実施例を示す。図１０は図１のＤ−Ｄ断面図である。図１０において、カソード基板１のコーナー部にはＦＥＤの内部を排気するための排気室が形成されている。カソード基板１のコーナー部に形成された通孔１０を囲んで排気室が形成されている。排気室は枠体７１と排気基板６とで構成されている。枠体７１はカソード基板１とフリットガラス３４で、排気基板６とはフリットガラス３５で封着される。   FIG. 10 shows a fourth embodiment of the present invention. 10 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. In FIG. 10, an exhaust chamber for exhausting the inside of the FED is formed at the corner portion of the cathode substrate 1. An exhaust chamber is formed surrounding a through hole 10 formed in a corner portion of the cathode substrate 1. The exhaust chamber includes a frame 71 and an exhaust substrate 6. The frame 71 is sealed with the cathode substrate 1 and the frit glass 34, and the exhaust substrate 6 is sealed with the frit glass 35.

排気基板６には排気管８がフリットガラス３８によって接合されている。排気管８が排気基板６と接合する断面積はカソード基板１と排気基板６を封止する枠体７１、あるいは、アノード基板２とカソード基板１を封止する封止枠３１等の断面積に比較して小さい。接合のための断面積が小さいということはそれだけ、接着の信頼性が低下するということになる。しがって、排気管８と排気基板６とを接着するフリットガラスの接着強度はフリットガラスによる他の箇所の接着よりも接着強度を大きくしなければならない。   An exhaust pipe 8 is joined to the exhaust substrate 6 by a frit glass 38. The cross-sectional area where the exhaust pipe 8 is joined to the exhaust substrate 6 is the cross-sectional area of the frame body 71 that seals the cathode substrate 1 and the exhaust substrate 6 or the sealing frame 31 that seals the anode substrate 2 and the cathode substrate 1. Small compared. The smaller the cross-sectional area for bonding, the lower the bonding reliability. Therefore, the adhesive strength of the frit glass that bonds the exhaust pipe 8 and the exhaust substrate 6 must be greater than the adhesive strength of the other portions by the frit glass.

フリットガラスの接着強度は、接着温度が高い程強くすることが出来る。排気基板６には熱に弱い構造物は設置されていないため、ガラス自体の転移、軟化等の問題を除けば、高温にしても問題は無い。本実施例では排気基板６と排気管８を接合するフリットガラスの接着温度を４３０℃から５００℃程度と、他の部分のフリットガラスの接着温度よりも高くしている。排気基板６と排気管８を接合するフリットガラスは鉛系フリットガラス、ビスマス系フリットガラス、スズ系フリットガラス、バナジウム系フリットガラス等を用いることが出来る。   The bonding strength of the frit glass can be increased as the bonding temperature is higher. Since there is no heat-sensitive structure on the exhaust substrate 6, there is no problem even at high temperatures except for problems such as glass transition and softening. In this embodiment, the adhesion temperature of the frit glass for joining the exhaust substrate 6 and the exhaust pipe 8 is about 430 ° C. to 500 ° C., which is higher than the adhesion temperature of the frit glass in other portions. As the frit glass for joining the exhaust substrate 6 and the exhaust pipe 8, lead-based frit glass, bismuth-based frit glass, tin-based frit glass, vanadium-based frit glass, or the like can be used.

本実施例では、排気基板６と排気管８の接合と、枠体７１と排気基板６とのに接合は同時に行う。この場合は、排気基板６と枠体７１を接着するフリットガラス３５はベーキング温度の制約は無くなるので、高温で接着するフリットガラスを使用することが出来る。すなわち、フリットガラス３８と同じフリットガラスを使用することが出来る。   In this embodiment, the exhaust substrate 6 and the exhaust pipe 8 are joined together and the frame 71 and the exhaust substrate 6 are joined at the same time. In this case, the frit glass 35 that bonds the exhaust substrate 6 and the frame body 71 is free from the restriction of the baking temperature, so that a frit glass that bonds at a high temperature can be used. That is, the same frit glass as the frit glass 38 can be used.

スペーサ４とアノード基板２を接着するフリットガラス４１は実施例１で説明したとおり、アノード基板と封止枠３１を接着するフリットガラス３２と同じ接着温度である。また、スペーサ４とカソード基板１を接着するフリットガラス４２の接着温度は実施例２で説明したとおり、カソード基板１と封止枠３１を接着するフリットガラス３３と同じ接着温度である。本実施例によれば、排気基板６と枠体７１との接着力が強くなるので、封止に対してより信頼性の高いＦＥＤを実現することが出来る。   As described in the first embodiment, the frit glass 41 that bonds the spacer 4 and the anode substrate 2 has the same bonding temperature as the frit glass 32 that bonds the anode substrate and the sealing frame 31. Further, as described in the second embodiment, the bonding temperature of the frit glass 42 that bonds the spacer 4 and the cathode substrate 1 is the same as that of the frit glass 33 that bonds the cathode substrate 1 and the sealing frame 31. According to the present embodiment, since the adhesive force between the exhaust substrate 6 and the frame body 71 becomes strong, it is possible to realize an FED with higher reliability for sealing.

本実施例で使用されるフリットガラスの接着温度を比較すると次のようになる。すなわち、フリットガラス３８の接着温度がもっとも高く、４３０℃から５００℃程度である。次にフリットガラス３２およびフリットガラス４１の接着温度が高く、４３０℃から４８０℃である。フリットガラス３３、フリットガラス３４、およびフリットガラス４２の接着温度が最も低く、３８０℃から４３０℃である。なお。フリットガラス３８の接着温度は、４３０℃から５００℃程度であるとしたが、この場合も、フリットガラス３８の接着温度はフリットガラス３３等の接着温度よりも２０℃以上、このましくは５０℃以上高くする必要がある。   A comparison of the bonding temperatures of the frit glass used in this example is as follows. That is, the adhesion temperature of the frit glass 38 is the highest and is about 430 ° C. to 500 ° C. Next, the bonding temperature of the frit glass 32 and the frit glass 41 is high and is 430 ° C. to 480 ° C. The frit glass 33, the frit glass 34, and the frit glass 42 have the lowest bonding temperature of 380 ° C. to 430 ° C. Note that. The bonding temperature of the frit glass 38 is about 430 ° C. to 500 ° C. In this case as well, the bonding temperature of the frit glass 38 is 20 ° C. or more, preferably 50 ° C., than the bonding temperature of the frit glass 33 or the like. It is necessary to make it higher.

図１１は本発明のさらに他の実施形態である。図１１において、排気管８の排気基板６と接合する部分の断面積が大きくなっている。本実施形態のように排気管８の排気基板６と接合する部分の断面を大きくすれば、この部分に使用するフリットガラスを特に高温で接着するする材料にする必要はなく、製造工程を単純化できる。   FIG. 11 shows still another embodiment of the present invention. In FIG. 11, the cross-sectional area of the portion of the exhaust pipe 8 that joins the exhaust substrate 6 is large. If the cross section of the portion of the exhaust pipe 8 to be joined to the exhaust substrate 6 is enlarged as in the present embodiment, the frit glass used for this portion does not need to be a material that adheres at a particularly high temperature, and the manufacturing process is simplified it can.

図１１の場合のフリットガラス３８の接着温度は、好ましくは、封止枠３１とアノード基板２を接着するフリットガラス３２と同じ接着温度のものを使用する。また、フリットガラス３５もフリットガラス３２と同様なものを用いることが出来る。本実施例形態によれば、排気管部分において、封止枠３１とアノード基板２を接着するフリットガラス３２を使用するので、フリットガラスの種類が増大することを防止することが出来る。   In the case of FIG. 11, the frit glass 38 preferably has the same adhering temperature as the frit glass 32 that adheres the sealing frame 31 and the anode substrate 2. The frit glass 35 can be the same as the frit glass 32. According to this embodiment, since the frit glass 32 for bonding the sealing frame 31 and the anode substrate 2 is used in the exhaust pipe portion, it is possible to prevent the types of frit glass from increasing.

図１２は本発明の第５の実施例であり、高電圧導入部のシール状況を示すものである。図１２は図１のＣ−Ｃ断面図である。図１２において、カソード基板１には通孔１０が形成されており、この通孔１０を通して高電圧の供給が行なわれる。カソード基板１の通孔１０を覆って排気基板６が排気基板用封着部７を介して設置され、表示装置の内部を真空に保つ。この構成は、図１０等に示す排気室と同じ構成である。本実施例においては、排気基板は高電圧導入基板と、排気基板用封着部は高電圧導入基板用封着部と言い換えてもよいが、排気室と同様に、排気基板、排気基板用封着部という語句を使用する
高電圧導入端子６０が排気基板６にフリットガラス３６によって封着され、外部と気密を保っている。高電圧導入端子６０にはＦｅ−Ｎｉ合金が用いられる。Ｆｅ−Ｎｉ合金の成分比は封着材３２と熱膨張係数を合わせるように選定される。本実施例ではＦｅ５２％、Ｎｉ４８％である。高電圧導入端子６０の外部端子６３は外部からアノード基板２に高電圧を与えるための端子であり、外部のソケットと接続する。 FIG. 12 shows a fifth embodiment of the present invention and shows the sealing state of the high voltage introduction part. 12 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. In FIG. 12, a through hole 10 is formed in the cathode substrate 1, and a high voltage is supplied through the through hole 10. An exhaust substrate 6 is installed through the exhaust substrate sealing portion 7 so as to cover the through hole 10 of the cathode substrate 1, and the inside of the display device is kept in vacuum. This configuration is the same as the exhaust chamber shown in FIG. In this embodiment, the exhaust substrate may be referred to as a high voltage introduction substrate, and the exhaust substrate sealing portion may be referred to as a high voltage introduction substrate sealing portion. The high voltage introduction terminal 60 using the phrase “attachment portion” is sealed to the exhaust substrate 6 by the frit glass 36 and is kept airtight from the outside. An Fe—Ni alloy is used for the high voltage introduction terminal 60. The component ratio of the Fe—Ni alloy is selected so as to match the thermal expansion coefficient with the sealing material 32. In this embodiment, Fe is 52% and Ni is 48%. The external terminal 63 of the high voltage introduction terminal 60 is a terminal for applying a high voltage to the anode substrate 2 from the outside, and is connected to an external socket.

高電圧導入端子６０とカソード基板１を接着するフリットガラス３６は高温で接着するフリットガラスを用いることが出来る。上記のように、高電圧導入端子６０の熱膨張係数は排気基板６の熱膨張係数とあわせてあるので、接着温度を上げても大きな問題にはならない。一方、フリットガラス３６に高温で接着する材料を用いることによって、高電圧導入端子部の封止の信頼性を上げることが出来る。   The frit glass 36 that bonds the high voltage introduction terminal 60 and the cathode substrate 1 can be a frit glass that bonds at a high temperature. As described above, the coefficient of thermal expansion of the high voltage introduction terminal 60 is combined with the coefficient of thermal expansion of the exhaust substrate 6, so that raising the bonding temperature is not a big problem. On the other hand, by using a material that adheres to the frit glass 36 at a high temperature, it is possible to improve the reliability of sealing of the high voltage introduction terminal portion.

フリットガラス３２、フリットガラス３３、フリットガラス３４、フリットガラス３５のフリットガラス３６との関係は実施例４の場合と同様である。すなわち、本実施例においても、フリットガラス３６の接着温度がもっとも高く、次にフリットガラス３２の接着温度が高く、フリットガラス３３、フリットガラス３４、フリットガラス４２の接着温度が最も低い。枠体７１と排気基板６との接着は高電圧導入端子の封着と同時に行うことが出来るので、フリットガラス３５の接着強度はフリットガラス３６の接着強度と同様にすることが出来る。   The relationship between the frit glass 32, the frit glass 33, the frit glass 34, and the frit glass 35 with the frit glass 36 is the same as that in the fourth embodiment. That is, also in this embodiment, the frit glass 36 has the highest bonding temperature, the frit glass 32 has the next highest bonding temperature, and the frit glass 33, the frit glass 34, and the frit glass 42 have the lowest bonding temperature. Since the frame 71 and the exhaust board 6 can be bonded simultaneously with the sealing of the high voltage introduction terminal, the bonding strength of the frit glass 35 can be made the same as the bonding strength of the frit glass 36.

高電圧導入端子６０にはコンタクトスプリング５０がスポット溶接によって取り付けられている。コンタクトスプリング５０によって高電圧導入端子６０に印加された高電圧がアノード基板２側に導入される。コンタクトスプリング５０は先端のコンタクト部がスプリング力によって適切な押圧によってアノード基板２に接触する。   A contact spring 50 is attached to the high voltage introduction terminal 60 by spot welding. The high voltage applied to the high voltage introduction terminal 60 by the contact spring 50 is introduced to the anode substrate 2 side. The contact spring 50 comes into contact with the anode substrate 2 by an appropriate pressing of the contact portion at the tip by the spring force.

アノード基板２にはコンタクトスプリング５０と接触するためのアノード端子２４が形成されている。アノード端子２４には比較的大きな電流が流れるために、信頼性が重要である。本実施例ではアノード端子２４付近の構造は次のようになっている。アノード基板２上にはクロムと酸化クロムのＢＭ２２が形成され、これを覆ってＡｌによるメタルバック２３が形成されている。これは画面の有効面と同じ構成である。本実施例ではメタルバック２３の上に、アノード端子２４としての導電膜が厚さ１０μｍから３０μｍで形成される。本実施例では導電膜は銀ペーストを印刷によって塗布し、その後、焼成することによって形成される。この導電膜の焼成は特別なプロセスを設ける必要は無く、例えば、スペーサ４を固着するときの焼成プロセスと同時に行なわれる。   An anode terminal 24 for contacting the contact spring 50 is formed on the anode substrate 2. Since a relatively large current flows through the anode terminal 24, reliability is important. In this embodiment, the structure near the anode terminal 24 is as follows. A BM 22 of chromium and chromium oxide is formed on the anode substrate 2, and a metal back 23 made of Al is formed so as to cover the BM 22. This is the same configuration as the effective surface of the screen. In this embodiment, a conductive film as the anode terminal 24 is formed on the metal back 23 with a thickness of 10 μm to 30 μm. In this embodiment, the conductive film is formed by applying a silver paste by printing and then baking. There is no need to provide a special process for firing the conductive film, and for example, it is performed simultaneously with the firing process for fixing the spacer 4.

本実施例によれば、ＦＥＤの外囲器の封止の信頼性を上げることができるとともに、高電圧をＦＥＤ内部に供給するための、高電圧導入端子６０を高い信頼性を持ってＦＥＤに封着することができる   According to the present embodiment, the reliability of sealing the envelope of the FED can be increased, and the high voltage introduction terminal 60 for supplying a high voltage to the inside of the FED can be used in the FED with high reliability. Can be sealed

本発明のＦＥＤの平面図である。It is a top view of FED of this invention. 図１の側面図である。It is a side view of FIG. 図１のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 実施例１のＢ−Ｂ断面図である。2 is a cross-sectional view taken along the line BB of Example 1. FIG. 実施例２における図１のＡ−Ａ断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 実施例２における図１のＢ−Ｂ断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. ＦＥＤの外囲器を構成する部品の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the components which comprise the envelope of FED. 実施例３のＦＥＤの平面図である。6 is a plan view of an FED of Example 3. FIG. 図８のＡ−Ａ側面図である。It is an AA side view of FIG. 図１のＤ−Ｄ断面図である。It is DD sectional drawing of FIG. 図１のＤ−Ｄ断面図の他の例である。It is another example of DD sectional drawing of FIG. 図１のＣ−Ｃ断面図である。It is CC sectional drawing of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１・・・カソード基板、２・・・アノード基板、３・・・封着部、４・・・スペーサ、５・・・端子、６・・・排気基板、７・・・排気基板封着部、８・・・排気管、１０・・・通孔、１１・・・走査線、１２・・・データ信号線、１３・・・電子放出源、１４・・・絶縁膜、２１・・・蛍光体、２２・・・ブラックマトリクス、２３・・・メタルバック（陽極電極）、２４・・・アノード端子、３１・・・封止枠、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、４１、４２・・・フリットガラス、５０・・・コンタクトスプリング、６０・・・高電圧導入端子、７１・・・枠体、３１１・・・封止枠の短辺、３１２・・・封止枠の長辺。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Cathode substrate, 2 ... Anode substrate, 3 ... Sealing part, 4 ... Spacer, 5 ... Terminal, 6 ... Exhaust board, 7 ... Exhaust board sealing part , 8 ... exhaust pipe, 10 ... through hole, 11 ... scanning line, 12 ... data signal line, 13 ... electron emission source, 14 ... insulating film, 21 ... fluorescence Body, 22 ... black matrix, 23 ... metal back (anode electrode), 24 ... anode terminal, 31 ... sealing frame, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 41 42 ... Frit glass, 50 ... Contact spring, 60 ... High voltage introduction terminal, 71 ... Frame body, 311 ... Short side of sealing frame, 312 ... Sealing frame The long side.

Claims (15)

電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、
前記封止枠は前記アノード基板に第１のフリットガラスによって接着され、前記封止枠は前記カソード基板に第２のフリットガラスによって接着され、前記第１のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする表示装置。 A cathode substrate having an electron emission source formed in a matrix; and an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and having a phosphor formed at a location corresponding to the electron emission source, the cathode substrate And the anode substrate is sealed through a sealing frame, and the inside is maintained in a vacuum,
The sealing frame is bonded to the anode substrate by a first frit glass, the sealing frame is bonded to the cathode substrate by a second frit glass, and the bonding temperature of the first frit glass is the second frit glass. A display device characterized by being 20 ° C. or higher than the frit glass bonding temperature. 前記第１のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも５０℃以上高いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein an adhesion temperature of the first frit glass is 50 ° C. or more higher than an adhesion temperature of the second frit glass. 電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成された表示領域を有するアノード基板を備え、前記表示領域には前記アノード基板と前記カソード基板の間隔を保持するためのスペーサが設置され、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、
前記封止枠は前記アノード基板に第１のフリットガラスによって接着され、前記封止枠は前記カソード基板に第２のフリットガラスによって接着され、前記スペーサは前記アノード基板に第３のフリットガラスによって接着され、前記第１のフリットガラスと前記第３のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする表示装置。 A cathode substrate having an electron emission source formed in a matrix, and an anode substrate having a display region facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and having a phosphor formed at a location corresponding to the electron emission source The display region is provided with a spacer for maintaining a gap between the anode substrate and the cathode substrate, the cathode substrate and the anode substrate are sealed through a sealing frame, and the inside is held in a vacuum. Display device,
The sealing frame is bonded to the anode substrate by a first frit glass, the sealing frame is bonded to the cathode substrate by a second frit glass, and the spacer is bonded to the anode substrate by a third frit glass. The display device is characterized in that the bonding temperature between the first frit glass and the third frit glass is 20 ° C. or more higher than the bonding temperature between the second frit glass. 前記第１のフリットガラスと前記第３のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも５０℃以上高いことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。   4. The display device according to claim 3, wherein a bonding temperature between the first frit glass and the third frit glass is 50 ° C. or more higher than a bonding temperature between the second frit glass. 前記第１のフリットガラスと前記第３のフリットガラスは同一であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。   The display device according to claim 3, wherein the first frit glass and the third frit glass are the same. 前記スペーサは前記カソード基板と第４のフリットガラスによって接着されており、前記第１のフリットガラスと前記第３のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスと前記第４のフリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。   The spacer is bonded to the cathode substrate by a fourth frit glass, and the bonding temperature of the first frit glass and the third frit glass is the bonding temperature of the second frit glass and the fourth frit glass. The display device according to claim 3, wherein the display device is higher than the temperature by 20 ° C. or more. 前記第２のフリットガラスと前記第４のフリットガラスは同一であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。   The display device according to claim 3, wherein the second frit glass and the fourth frit glass are the same. 電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、
前記封止枠は前記アノード基板に第１のフリットガラスによって接着され、前記封止枠は前記カソード基板に第２のフリットガラスによって接着され、
前記封止枠は矩形であり、棒状のガラスを第５のフリットガラスによって接着して形成され、
前記第５のフリットガラスの接着温度は前記第１および前記第２のフリットガラスの接着温度よりも高く、
前記第１のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする表示装置。 A cathode substrate having an electron emission source formed in a matrix; and an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and having a phosphor formed at a location corresponding to the electron emission source, the cathode substrate And the anode substrate is sealed through a sealing frame, and the inside is maintained in a vacuum,
The sealing frame is bonded to the anode substrate by a first frit glass, the sealing frame is bonded to the cathode substrate by a second frit glass,
The sealing frame is rectangular and is formed by bonding a rod-shaped glass with a fifth frit glass,
The bonding temperature of the fifth frit glass is higher than the bonding temperature of the first and second frit glasses,
The display device according to claim 1, wherein an adhesion temperature of the first frit glass is 20 ° C. or more higher than an adhesion temperature of the second frit glass. 前記第１のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも５０℃以上高いことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。   The display device according to claim 8, wherein an adhesion temperature of the first frit glass is 50 ° C. higher than an adhesion temperature of the second frit glass. 電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、
前記封止枠は前記アノード基板に第１のフリットガラスによって接着され、前記封止枠は前記カソード基板に第２のフリットガラスによって接着され、
前記封止枠は矩形であり、棒状のガラスを第５のフリットガラスによって接着して形成され、
前記第５のフリットガラスの接着温度は前記第１のフリットガラスの接着温度と同じであり、
前記第１のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする表示装置。 A cathode substrate having an electron emission source formed in a matrix; and an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and having a phosphor formed at a location corresponding to the electron emission source, the cathode substrate And the anode substrate is sealed through a sealing frame, and the inside is maintained in a vacuum,
The sealing frame is bonded to the anode substrate by a first frit glass, the sealing frame is bonded to the cathode substrate by a second frit glass,
The sealing frame is rectangular and is formed by bonding a rod-shaped glass with a fifth frit glass,
The bonding temperature of the fifth frit glass is the same as the bonding temperature of the first frit glass;
The display device according to claim 1, wherein an adhesion temperature of the first frit glass is 20 ° C. or more higher than an adhesion temperature of the second frit glass. 前記第１のフリットガラスと前記第５のフリットガラスとは同一であることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。   The display device according to claim 10, wherein the first frit glass and the fifth frit glass are the same. 電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、
前記封止枠は前記アノード基板に第１のフリットガラスによって接着され、前記カソード基板に第２のフリットガラスによって接着され、
前記カソード基板には排気のための孔が形成され、前記孔を囲んで排気室が形成され、前記排気室は排気管を有する排気基板と前記カソード基板と前記排気基板とを接続する枠体で形成され、
前記枠体と前記カソード基板とは第６のフリットガラスによって接着され、前記枠体と前記排気基板とは第７のフリットガラスによって接着され、前記排気管は前記排気基板に第８のフリットガラスによって接着され、
前記第８のフリットガラスの接着温度は、前記第１のフリットガラス、前記第２のフリットガラス、前記第６のフリットガラスの接着温度よりも高く、
前記第１のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする表示装置。 A cathode substrate having an electron emission source formed in a matrix; and an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and having a phosphor formed at a location corresponding to the electron emission source, the cathode substrate And the anode substrate is sealed through a sealing frame, and the inside is maintained in a vacuum,
The sealing frame is bonded to the anode substrate by a first frit glass, and is bonded to the cathode substrate by a second frit glass.
A hole for exhaust is formed in the cathode substrate, an exhaust chamber is formed surrounding the hole, and the exhaust chamber is a frame body that connects the exhaust substrate having an exhaust pipe, the cathode substrate, and the exhaust substrate. Formed,
The frame and the cathode substrate are bonded by a sixth frit glass, the frame and the exhaust substrate are bonded by a seventh frit glass, and the exhaust pipe is bonded to the exhaust substrate by an eighth frit glass. Glued,
The bonding temperature of the eighth frit glass is higher than the bonding temperature of the first frit glass, the second frit glass, and the sixth frit glass.
The display device according to claim 1, wherein an adhesion temperature of the first frit glass is 20 ° C. or more higher than an adhesion temperature of the second frit glass. 前記第８のフリットガラスと前記第７のフリットガラスの接着温度は同じであることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。   The display device according to claim 12, wherein the bonding temperature of the eighth frit glass and the seventh frit glass is the same. 電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、前記カソード基板と前記アノード基板とは封止枠を介して封止され、内部が真空に保持された表示装置であって、
前記封止枠は前記アノード基板に第１のフリットガラスによって接着され、前記カソード基板に第２のフリットガラスによって接着され、
前記カソード基板には高電圧導入のための孔が形成され、前記孔を囲んで高電圧導入室が形成され、前記高電圧導入室は高電圧導入端子を有する高電圧導入基板と前記カソード基板と前記高電圧導入基板とを接続する枠体で形成され、
前記枠体と前記カソード基板とは第６のフリットガラスによって接着され、前記枠体と前記高電圧導入基板とは第７のフリットガラスによって接着され、前記高電圧導入端子は前記高電圧導入基板に第９のフリットガラスによって接着され、
前記第９のフリットガラスの接着温度は、前記第１のフリットガラス、前記第２のフリットガラス、前記第６のフリットガラスの接着温度よりも高く、
前記第１のフリットガラスの接着温度は前記第２のフリットガラスの接着温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする表示装置。 A cathode substrate having an electron emission source formed in a matrix; and an anode substrate facing the cathode substrate, to which an anode voltage is applied, and having a phosphor formed at a location corresponding to the electron emission source, the cathode substrate And the anode substrate is sealed through a sealing frame, and the inside is maintained in a vacuum,
The sealing frame is bonded to the anode substrate by a first frit glass, and is bonded to the cathode substrate by a second frit glass.
A hole for introducing a high voltage is formed in the cathode substrate, a high voltage introducing chamber is formed surrounding the hole, and the high voltage introducing chamber includes a high voltage introducing substrate having a high voltage introducing terminal, the cathode substrate, Formed of a frame connecting the high-voltage introduction substrate,
The frame and the cathode substrate are bonded by a sixth frit glass, the frame and the high voltage introducing substrate are bonded by a seventh frit glass, and the high voltage introducing terminal is connected to the high voltage introducing substrate. Glued by 9th frit glass,
The adhesion temperature of the ninth frit glass is higher than the adhesion temperature of the first frit glass, the second frit glass, and the sixth frit glass.
The display device according to claim 1, wherein an adhesion temperature of the first frit glass is 20 ° C. or more higher than an adhesion temperature of the second frit glass. 前記第９のフリットガラスの接着温度と前記第７のフリットガラスの接着温度は同じであることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。   The display device according to claim 14, wherein an adhesion temperature of the ninth frit glass and an adhesion temperature of the seventh frit glass are the same.

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