JP2009086127A - Liquid crystal device and electronic device - Google Patents

Liquid crystal device and electronic device Download PDF

Info

Publication number
JP2009086127A
JP2009086127A JP2007253620A JP2007253620A JP2009086127A JP 2009086127 A JP2009086127 A JP 2009086127A JP 2007253620 A JP2007253620 A JP 2007253620A JP 2007253620 A JP2007253620 A JP 2007253620A JP 2009086127 A JP2009086127 A JP 2009086127A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal device
substrate
color filter
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007253620A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takumi Seki
▲琢▼巳 関
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2007253620A priority Critical patent/JP2009086127A/en
Publication of JP2009086127A publication Critical patent/JP2009086127A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal device capable of suppressing damage in a step for forming a color filter. <P>SOLUTION: In the liquid crystal device provided with a first substrate 10, a second substrate 11 and a liquid crystal layer 95 interposed between the first substrate 10 and the second substrate 11, the first substrate 10 is provided with a pixel electrode 20, a common electrode 30, a switching element 110 connected to the pixel electrode 20 and a color filter 70. Also, a reflection polarizer 25 reflecting a polarization component in a specified direction of light transmitted by the first substrate 10 and made incident on the first substrate side and transmitting the remaining polarization component is provided on the surface on the liquid crystal layer 95 side of the second substrate 11. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。   The present invention relates to a liquid crystal device and an electronic apparatus.

携帯電話、ウォッチ等の携帯型の電子機器の分野において、外光の利用により消費電力を低減可能な反射型液晶装置あるいは半透過反射型液晶装置の採用が進んでいる。かかる液晶装置において、外光を反射する反射層に反射偏光子を用いて、小型化を図った技術がある（例えば、特許文献１又は２参照）。一方の基板上に上記の反射偏光子を形成して、表示領域に配置された画素毎に、他方の基板を介して入射された外光を該一方の基板に向けて反射することで画像を表示している。   In the field of portable electronic devices such as mobile phones and watches, the adoption of reflective liquid crystal devices or transflective liquid crystal devices that can reduce power consumption by using external light is advancing. In such a liquid crystal device, there is a technique for reducing the size by using a reflective polarizer for a reflective layer that reflects external light (see, for example, Patent Document 1 or 2). The reflective polarizer is formed on one substrate, and for each pixel arranged in the display region, the external light incident through the other substrate is reflected toward the one substrate, thereby displaying an image. it's shown.

かかる液晶装置がカラー液晶装置である場合、外光から所定の波長範囲の光を強調可能なカラーフィルタを用いることが一般的である。ここで、透過型液晶装置においては、スイッチング素子が形成された一方の基板と、カラーフィルタが形成された他方の基板とで液晶層を狭持する形式が一般的である。したがって、反射型あるいは半透過反射型の液晶装置においても、上記反射偏光子は、上記画素を制御するスイッチング素子と上記カラーフィルタとのどちらか一方と共に基板上に形成されている。   When such a liquid crystal device is a color liquid crystal device, it is common to use a color filter capable of enhancing light in a predetermined wavelength range from outside light. Here, in a transmissive liquid crystal device, a type in which a liquid crystal layer is sandwiched between one substrate on which a switching element is formed and the other substrate on which a color filter is formed is common. Therefore, in the reflective or transflective liquid crystal device, the reflective polarizer is formed on the substrate together with either the switching element for controlling the pixel or the color filter.

特開２００５−１２８４０８号公報JP 2005-128408 A 特開２００６−２７６１１１号公報JP 2006-276111 A

しかしＡｌ（アルミニウム）等の金属を用いた反射偏光子の場合、上記スイッチング素子あるいは上記カラーフィルタの形成工程においてダメージを受け、偏光能力を低下し得るという課題があった。   However, in the case of a reflective polarizer using a metal such as Al (aluminum), there has been a problem that the polarizing ability can be lowered due to damage in the step of forming the switching element or the color filter.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］
第１の基板と、第２の基板と、上記第１の基板と上記第２の基板との間に狭持される液晶層と、を備える液晶装置であって、上記第１の基板は、画素電極と、共通電極と、該画素電極に接続されたスイッチング素子と、カラーフィルタと、を備え、上記第２の基板の上記液晶層側の面には、上記第１の基板を透過して入射する光のうちの特定方向の偏光成分を上記第１の基板側に反射し、残りの偏光成分を透過する反射偏光子を備えることを特徴とする液晶装置。 [Application Example 1]
A liquid crystal device comprising: a first substrate; a second substrate; and a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate, wherein the first substrate comprises: A pixel electrode; a common electrode; a switching element connected to the pixel electrode; and a color filter. The liquid crystal layer side surface of the second substrate is transmitted through the first substrate. A liquid crystal device comprising a reflective polarizer that reflects a polarized component in a specific direction of incident light toward the first substrate and transmits the remaining polarized component.

このような構成によれば、カラーフィルタの形成時の影響による反射偏光子の偏光能力等の劣化が抑制されるため、良好な反射表示能力を有する横電界方式の液晶装置を得ることができる。   According to such a configuration, since deterioration of the polarizing ability of the reflective polarizer due to the influence at the time of forming the color filter is suppressed, a horizontal electric field type liquid crystal device having a good reflective display ability can be obtained.

［適用例２］
第１の基板と、第２の基板と、上記第１の基板と上記第２の基板との間に狭持される液晶層と、複数の画素領域と、を備える液晶装置であって、上記第１の基板は、画素電極と、該画素電極に接続されたスイッチング素子と、カラーフィルタと、を備え、上記第２の基板は、上記複数の画素領域にわたって設けられた共通電極を備え、上記第２の基板の上記液晶層側の面には、上記第１の基板を透過して入射する光のうちの特定方向の偏光成分を上記第１の基板側に反射し、残りの偏光成分を透過する反射偏光子を備えることを特徴とする液晶装置。 [Application Example 2]
A liquid crystal device comprising: a first substrate; a second substrate; a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate; and a plurality of pixel regions, The first substrate includes a pixel electrode, a switching element connected to the pixel electrode, and a color filter. The second substrate includes a common electrode provided over the plurality of pixel regions. On the surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, the polarized light component in a specific direction out of the light transmitted through the first substrate is reflected to the first substrate side, and the remaining polarized light component is reflected on the surface of the second substrate. A liquid crystal device comprising a reflective polarizer that transmits light.

このような構成によれば、カラーフィルタの形成時の影響による反射偏光子の偏光能力等の劣化が抑制されるため、良好な反射表示能力を有する縦電界方式の液晶装置を得ることができる。   According to such a configuration, since deterioration of the polarizing ability of the reflective polarizer due to the influence at the time of forming the color filter is suppressed, a vertical electric field type liquid crystal device having a good reflective display ability can be obtained.

［適用例３］
上記の液晶装置であって、上記反射偏光子がワイヤーグリッド偏光子であることを特徴とする液晶装置。 [Application Example 3]
The above-mentioned liquid crystal device, wherein the reflective polarizer is a wire grid polarizer.

ワイヤーグリッド偏光子は高い偏光特性を有する。したがって、このような構成によれば、コントラスト等の表示品質が向上した液晶装置を得ることができる。   Wire grid polarizers have high polarization properties. Therefore, according to such a configuration, a liquid crystal device with improved display quality such as contrast can be obtained.

［適用例４］
上記の液晶装置であって、上記反射偏光子の上層には透光性絶縁膜が形成されており、上記共通電極は該透光性絶縁膜の上層に形成されていることを特徴とする液晶装置。 [Application Example 4]
The liquid crystal device according to the above aspect, wherein a translucent insulating film is formed on an upper layer of the reflective polarizer, and the common electrode is formed on an upper layer of the translucent insulating film. apparatus.

上記反射偏光子の上層に、上記第２の電極と合わせて２種類の透光性材料膜を積層することにより増感作用を得ることができる。したがって、このような構成により、反射率の低下を抑制して、表示品質の向上した液晶装置を得ることができる。   A sensitizing effect can be obtained by laminating two types of translucent material films together with the second electrode on the reflective polarizer. Therefore, with such a configuration, it is possible to obtain a liquid crystal device with improved display quality while suppressing a decrease in reflectance.

［適用例５］
上記の液晶装置であって、上記カラーフィルタは上記スイッチング素子の上層に形成されており、上記画素電極と上記スイッチング素子とは、上記カラーフィルタの一部の領域を除去して形成されたコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする液晶装置。 [Application Example 5]
In the liquid crystal device, the color filter is formed in an upper layer of the switching element, and the pixel electrode and the switching element are contact holes formed by removing a partial region of the color filter. A liquid crystal device, wherein the liquid crystal device is connected via

このような構成によれば、カラーフィルタを上記スイッチング素子と上記画素電極との間の層間絶縁膜としても機能させることができる。したがって、製造工程を簡略化でき、製造コストを低減できる。   According to such a configuration, the color filter can also function as an interlayer insulating film between the switching element and the pixel electrode. Therefore, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.

［適用例６］
上記の液晶装置であって、上記カラーフィルタは上記スイッチング素子と上記第１の基板との間に形成されていることを特徴とする液晶装置。 [Application Example 6]
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the color filter is formed between the switching element and the first substrate.

このような構成によれば、上記スイッチング素子、及び上記スイッチング素子間を接続する配線からの反射を抑制できる。したがって、表示品質の向上した液晶装置を得ることができる。
なお、上記画素電極と上記スイッチング素子との間には、透明性絶縁材料からなる層間絶縁膜が別途形成されている。 According to such a configuration, reflection from the switching element and the wiring connecting the switching elements can be suppressed. Therefore, a liquid crystal device with improved display quality can be obtained.
An interlayer insulating film made of a transparent insulating material is separately formed between the pixel electrode and the switching element.

［適用例７］
上記の液晶装置を搭載することを特徴とする電子機器。 [Application Example 7]
An electronic apparatus comprising the liquid crystal device described above.

このような構成の液晶装置を備えることにより、表示品質の優れた電子機器を得ることが可能となる。   By providing the liquid crystal device having such a configuration, an electronic device having excellent display quality can be obtained.

（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態にかかる液晶装置ついて、図面を参照しつつ説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。 (First embodiment)
Hereinafter, a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings shown below, the dimensions and ratios of the components are appropriately different from the actual ones in order to make the components large enough to be recognized on the drawings.

本実施形態の液晶装置は、基板に対して水平方向の電界（横電界）を液晶層に印加し、該液晶層が含有する液晶分子（以下、単に「液晶分子」と称する。）の配向方向を制御する横電界方式のうち、ＩＰＳ方式と呼ばれる方式を用いた半透過反射型の液晶装置である。スイッチング素子としてはＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いている。   In the liquid crystal device of this embodiment, an electric field (transverse electric field) in the horizontal direction with respect to the substrate is applied to the liquid crystal layer, and the alignment direction of liquid crystal molecules (hereinafter simply referred to as “liquid crystal molecules”) contained in the liquid crystal layer. This is a transflective liquid crystal device using a method called an IPS method among horizontal electric field methods for controlling the above. A TFT (thin film transistor) is used as the switching element.

図１は、第１の実施形態、及び後述する第２〜第５の各実施形態に共通する、液晶装置の全体構成を模式的に示す回路構成図である。規則的に配置された個々の画素を個別に制御して表示領域１００に画像を形成するアクティブマトリクス型の液晶装置の回路図である。   FIG. 1 is a circuit configuration diagram schematically showing an overall configuration of a liquid crystal device common to the first embodiment and second to fifth embodiments described later. 1 is a circuit diagram of an active matrix liquid crystal device that forms an image in a display region 100 by individually controlling individual pixels that are regularly arranged. FIG.

画像を形成する光が射出される領域である表示領域１００の周辺には、走査線駆動回路１２０、及びデータ線駆動回路１３０が形成されている。走査線１０２には、走査線駆動回路１２０から、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて走査信号が順次供給される。そして、データ線１０４にはデータ線駆動回路１３０から画像信号が供給される。   A scanning line driving circuit 120 and a data line driving circuit 130 are formed around the display area 100 where light for forming an image is emitted. Scanning signals are sequentially supplied from the scanning line driving circuit 120 to the scanning lines 102 in accordance with various signals supplied from an external circuit (not shown). Then, an image signal is supplied from the data line driving circuit 130 to the data line 104.

表示領域１００には、複数の走査線１０２と、該走査線と直交する複数のデータ線１０４と、走査線１０２と平行に延びる複数の容量線１０６が形成されている。上記３種類の配線で囲まれる区画が画素領域である。そして、上記画素領域に形成されている各要素の集合体が画素である。なお、本明細書では、走査線１０２の延在方向をＸ方向（Ｘ軸）、データ線１０４の延在方向をＹ方向（Ｙ軸）と定義する。   In the display region 100, a plurality of scanning lines 102, a plurality of data lines 104 orthogonal to the scanning lines, and a plurality of capacitance lines 106 extending in parallel with the scanning lines 102 are formed. A section surrounded by the three types of wirings is a pixel region. A group of elements formed in the pixel area is a pixel. In this specification, the extending direction of the scanning line 102 is defined as the X direction (X axis), and the extending direction of the data line 104 is defined as the Y direction (Y axis).

各々の画素には画素電極２０と該画素電極を制御するスイッチング素子としてのＴＦＴ１１０が形成されており、データ線１０４がＴＦＴ１１０のソース電極６１（図２参照）に接続されている。データ線駆動回路１３０は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線１０４を介して各画素に供給する。   Each pixel is provided with a pixel electrode 20 and a TFT 110 as a switching element for controlling the pixel electrode, and a data line 104 is connected to a source electrode 61 (see FIG. 2) of the TFT 110. The data line driving circuit 130 supplies image signals S 1, S 2,..., Sn to each pixel via the data line 104.

ＴＦＴ１１０のゲート電極（図２参照）は、走査線１０２の一部である。そしてゲート電極には、走査線駆動回路１２０から所定のタイミングで走査線１０２にパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次で印加される。画素電極２０は、ＴＦＴ１１０のドレイン電極６２（図２参照）に電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ１１０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線１０４から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極２０に書き込まれるようになっている。   The gate electrode (see FIG. 2) of the TFT 110 is a part of the scanning line 102. Scan signals G1, G2,..., Gm supplied in a pulsed manner from the scanning line driving circuit 120 to the scanning line 102 at a predetermined timing are applied to the gate electrode in this order in a line-sequential manner. The pixel electrode 20 is electrically connected to the drain electrode 62 (see FIG. 2) of the TFT 110. The TFT 110 serving as a switching element is turned on for a certain period by the input of scanning signals G1, G2,..., Gm, so that the image signals S1, S2,. Writing is performed on the pixel electrode 20.

画素電極２０を介して後述する液晶層９５（図３参照）に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極２０と後述する共通電極３０（図２参照）との間で一定期間保持される。そして、かかる期間中、該画素電極と対向する領域の液晶分子の配向方向を一定の方向に保つ。   Image signals S1, S2,..., Sn written to a liquid crystal layer 95 (see FIG. 3), which will be described later, via the pixel electrode 20 are transmitted between the pixel electrode 20 and a common electrode 30 (see FIG. 2) described later. Held for a certain period of time. During this period, the alignment direction of the liquid crystal molecules in the region facing the pixel electrode is maintained in a certain direction.

ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極２０と共通電極３０との間に形成される液晶容量と並列に、蓄積容量１０８が形成されている。蓄積容量１０８は、後述するように、ＴＦＴ１１０のドレイン電極６２と容量線１０６との間に形成されている（図３参照）。   Here, in order to prevent the held image signal from leaking, the storage capacitor 108 is formed in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 20 and the common electrode 30. As will be described later, the storage capacitor 108 is formed between the drain electrode 62 of the TFT 110 and the capacitor line 106 (see FIG. 3).

なお、本実施形態の液晶装置、及び後述する第２〜第５の各実施形態にかかる液晶装置は、カラーフィルタ７０（図３参照）を用いてカラー表示を可能としている。したがって表示領域１００には、赤色光を射出する画素、緑色光を射出する画素、青色光を射出する画素、の３種類の画素が規則的に配置されている。以下、本実施形態の液晶装置の画素について述べる。   Note that the liquid crystal device according to the present embodiment and the liquid crystal devices according to the second to fifth embodiments described later enable color display using the color filter 70 (see FIG. 3). Therefore, in the display area 100, three types of pixels are regularly arranged: a pixel that emits red light, a pixel that emits green light, and a pixel that emits blue light. Hereinafter, the pixel of the liquid crystal device of this embodiment will be described.

図２は、本実施形態の液晶装置の画素の模式平面図である。本実施形態の液晶装置は、上述したように明所では外光の反射量を制御して画像を表示し、暗所では通常の透過型の液晶装置と同様に内部の光源（バックライト）により画像を表示する、半透過反射型の液晶装置である。したがって、画素内に透過表示領域７７と反射表示領域７８の双方の領域を備えている。   FIG. 2 is a schematic plan view of a pixel of the liquid crystal device of the present embodiment. As described above, the liquid crystal device of the present embodiment displays an image by controlling the amount of reflection of external light in a bright place, and in the dark place by an internal light source (backlight) as in a normal transmissive liquid crystal device. This is a transflective liquid crystal device that displays an image. Therefore, both the transmissive display area 77 and the reflective display area 78 are provided in the pixel.

画素は、ＴＦＴ１１０と、該ＴＦＴに接続された画素電極２０及び蓄積容量１０８（図３参照）、そして、画素電極２０との間で液晶層９５に電圧を印加するための共通電極３０を主な構成要素としている。   The pixel mainly includes a TFT 110, a pixel electrode 20 connected to the TFT, a storage capacitor 108 (see FIG. 3), and a common electrode 30 for applying a voltage to the liquid crystal layer 95 between the pixel electrode 20. As a component.

ＴＦＴ１１０は、データ線１０４の一部を分岐するように延長して形成したソース電極６１と、ドレイン電極６２と、アモルファスシリコンの真性半導体層６３（図３参照）と、ゲート電極として機能する走査線１０２と、そしてゲート絶縁膜６５（図３参照）とからなる。走査線１０２が平面視方向で真性半導体層６３と重なる領域がゲート電極である。なお、真性半導体層６３とソース電極６１及びドレイン電極６２間にはｎ+シリコン層６４（図３参照）が形成されている。 The TFT 110 includes a source electrode 61 formed by extending a part of the data line 104, a drain electrode 62, an amorphous silicon intrinsic semiconductor layer 63 (see FIG. 3), and a scanning line functioning as a gate electrode. 102 and a gate insulating film 65 (see FIG. 3). A region where the scanning line 102 overlaps with the intrinsic semiconductor layer 63 in a plan view direction is a gate electrode. Note that an n + silicon layer 64 (see FIG. 3) is formed between the intrinsic semiconductor layer 63 and the source and drain electrodes 61 and 62.

ドレイン電極６２は、データ線１０４と同一の材料層からなり、平面視方向でＬ字型にパターニングされている。Ｌ字の一方の辺は容量線１０６とゲート絶縁膜６５を介して重なり、該重なった領域が蓄積容量１０８となる。そしてＬ字の屈曲部で、画素電極２０と接続されている。
なお、本実施形態におけるデータ線１０４は、Ａｌとモリブデンとチタニウムも積層した膜層をフォトリソグラフィーによりパターニングして形成されている。しかし形成材料は上記に限定されるものではなく、他種の金属層を含む膜層、あるいはＡｌ等の単層の金属層をパターニングして形成してもよい。 The drain electrode 62 is made of the same material layer as that of the data line 104 and is patterned in an L shape in a plan view direction. One side of the L shape overlaps with the capacitor line 106 via the gate insulating film 65, and the overlapped region becomes the storage capacitor 108. The pixel electrode 20 is connected to the L-shaped bent portion.
Note that the data line 104 in the present embodiment is formed by patterning a film layer in which Al, molybdenum, and titanium are stacked by photolithography. However, the forming material is not limited to the above, and may be formed by patterning a film layer including other types of metal layers or a single metal layer such as Al.

画素電極２０の平面形状はフォークの先端部に類似する形状であり、Ｙ方向に互いに平行に延在する複数本の帯状部と、Ｘ方向に延在する基端部とからなる。基端部の一部が、コンタクトホール６６を介してドレイン電極６２と接続されている。   The planar shape of the pixel electrode 20 is similar to the tip portion of the fork, and includes a plurality of strip-like portions extending in parallel with each other in the Y direction and a base end portion extending in the X direction. A part of the base end portion is connected to the drain electrode 62 through the contact hole 66.

共通電極３０は、画素電極２０と同様に、Ｙ方向に互いに平行に延在する複数本の帯状部と、Ｘ方向に延在する基端部とからなる。該基端部は、表示領域１００内をＸ方向に延在している。そして、Ｙ方向に複数本形成されている上述の基端部は、表示領域１００の外側で全て電気的に接続されている。したがって、共通電極３０は画素電極２０とは異なり、表示領域１００の全域で同電位となっている。   Similar to the pixel electrode 20, the common electrode 30 includes a plurality of strip-shaped portions extending in parallel to each other in the Y direction and a base end portion extending in the X direction. The base end portion extends in the X direction in the display area 100. A plurality of the base end portions formed in the Y direction are all electrically connected outside the display region 100. Therefore, unlike the pixel electrode 20, the common electrode 30 has the same potential throughout the display area 100.

画素電極２０の帯状部と共通電極３０の帯状部とは、互いに平行に延在している。したがって、画素電極２０に電圧を印加すると、画素電極２０の帯状部と共通電極３０の帯状部とが延在している領域に基板に水平方向の電界（横電界）が発生する。共通電極３０の電位は表示領域１００全域で共通であり、ＴＦＴ１１０は画素毎に制御されるため、上記電界の大きさは画素毎に任意の値をとることができる。   The strip portion of the pixel electrode 20 and the strip portion of the common electrode 30 extend in parallel with each other. Therefore, when a voltage is applied to the pixel electrode 20, a horizontal electric field (lateral electric field) is generated in the substrate in the region where the band of the pixel electrode 20 and the band of the common electrode 30 extend. Since the potential of the common electrode 30 is common throughout the display region 100 and the TFT 110 is controlled for each pixel, the magnitude of the electric field can take any value for each pixel.

上述の電界が発生する領域が、反射光、又は透過光の光量を制御することにより画像を形成する領域である。そして上記領域における、分割線７５を境界とする上半分（コンタクトホール６６から遠い方）が上述の反射表示領域７８であり、下半分が上述の透過表示領域７７である。外光を利用できる明所では、該外光を反射表示領域７８を用いて反射させて画像を形成する。そして暗所では、透過表示領域７７を、バックライトユニット９０（図３参照）から照射される光を透過させて画像を形成する。   The region where the electric field is generated is a region where an image is formed by controlling the amount of reflected light or transmitted light. In the above region, the upper half (the far side from the contact hole 66) with the dividing line 75 as the boundary is the reflective display region 78, and the lower half is the transmissive display region 77. In a bright place where external light can be used, the external light is reflected using the reflective display area 78 to form an image. In the dark place, the transmissive display area 77 transmits light emitted from the backlight unit 90 (see FIG. 3) to form an image.

反射表示領域７８には反射偏光子としてのワイヤーグリッド偏光子（以下、「ワイヤーグリッド」と称する。）２５（図３参照）が形成されている。ワイヤーグリッド２５は、平板状の反射部材とは異なり、照射される光の偏光方向により反射あるいは透過の態様が異なる部材である。ワイヤーグリッド２５の構造等については後述する。   In the reflective display area 78, a wire grid polarizer (hereinafter referred to as “wire grid”) 25 (see FIG. 3) as a reflective polarizer is formed. The wire grid 25 is a member that differs in reflection or transmission depending on the polarization direction of the irradiated light, unlike the flat reflection member. The structure of the wire grid 25 will be described later.

次に、本実施形態の液晶装置の画素の断面方向の構成について述べる。図３は、図２のＡ−Ａ’線における断面を、バックライトユニット９０と共に示す模式断面図である。なお、バックライトユニット９０は、蛍光管９３から出射される光を導光板９１及び反射板９２により進行方向を調整して、対向基板１１に対して略垂直に射出するユニットである。本実施形態の液晶装置は、透過表示時においては、上述のバックライトユニット９０から照射される光を、液晶層９５及びカラーフィルタ７０を介して表示領域１００から射出して画像を形成する。   Next, the configuration in the cross-sectional direction of the pixel of the liquid crystal device of this embodiment will be described. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a cross section taken along line A-A ′ of FIG. 2 together with the backlight unit 90. Note that the backlight unit 90 is a unit that emits light emitted from the fluorescent tube 93 substantially vertically with respect to the counter substrate 11 by adjusting the traveling direction by the light guide plate 91 and the reflection plate 92. In the transmissive display, the liquid crystal device according to the present embodiment emits light emitted from the above-described backlight unit 90 from the display region 100 through the liquid crystal layer 95 and the color filter 70 to form an image.

本実施形態の液晶装置は、第１の基板としての素子基板１０と第２の基板としての対向基板１１とで液晶層９５を狭持し、液晶分子の配向方向を制御することで、透過光及び反射光の光量を制御している。素子基板１０と対向基板１１は、ガラス、石英、プラスチック等の透光性材料からなる。   The liquid crystal device according to the present embodiment holds the liquid crystal layer 95 between the element substrate 10 as the first substrate and the counter substrate 11 as the second substrate, and controls the alignment direction of the liquid crystal molecules, thereby transmitting the transmitted light. And the amount of reflected light is controlled. The element substrate 10 and the counter substrate 11 are made of a translucent material such as glass, quartz, or plastic.

素子基板１０の第１の面（液晶層９５に対向する側の面）にはＴＦＴ１１０が形成されており、裏面（液晶層９５側の面の反対側の面）には第１の偏光板８１が貼付されている。ＴＦＴ１１０の構成は上述した通りである。ゲート絶縁膜６５は酸化シリコンあるいは窒化シリコン等からなり、表示領域１００全域に形成されている。そして、容量線１０６とドレイン電極６２とが重なる領域では、蓄積容量１０８の誘電体膜としても機能している。
走査線１０２と容量線１０６は同一の材料層をフォトリソグラフィーによりパターニングして形成されている。本実施形態では、上記材料層はＡｌで形成されているが、他の金属あるいはＡｌを含む複数種の金属層を積層して形成してもよい。 A TFT 110 is formed on the first surface (surface facing the liquid crystal layer 95) of the element substrate 10, and the first polarizing plate 81 is formed on the back surface (surface opposite to the surface on the liquid crystal layer 95 side). Is affixed. The configuration of the TFT 110 is as described above. The gate insulating film 65 is made of silicon oxide, silicon nitride, or the like, and is formed over the entire display region 100. In the region where the capacitor line 106 and the drain electrode 62 overlap, it also functions as a dielectric film of the storage capacitor 108.
The scanning line 102 and the capacitor line 106 are formed by patterning the same material layer by photolithography. In the present embodiment, the material layer is formed of Al, but may be formed by stacking other metals or a plurality of types of metal layers containing Al.

ｎ+シリコン層６４は、真性半導体層６３とソース電極６１とが重なる領域、及び真性半導体層６３とドレイン電極６２とが重なる領域に形成されている。そして、真性半導体層６３とソース電極６１との間のコンタクト抵抗、及び真性半導体層６３とドレイン電極６２との間のコンタクト抵抗を低減して、ＴＦＴ１１０の信頼性を向上させる機能を果たしている。 The n + silicon layer 64 is formed in a region where the intrinsic semiconductor layer 63 and the source electrode 61 overlap and in a region where the intrinsic semiconductor layer 63 and the drain electrode 62 overlap. Further, the contact resistance between the intrinsic semiconductor layer 63 and the source electrode 61 and the contact resistance between the intrinsic semiconductor layer 63 and the drain electrode 62 are reduced, and the function of improving the reliability of the TFT 110 is achieved.

ＴＦＴ１１０の上層にはカラーフィルタ７０が形成されている。カラーフィルタ７０は、所定の範囲の波長の光を吸収することで、白色光を赤色光、緑色光、青色光のうちのいずれかの光に変換できる。ＴＦＴ１１０とカラーフィルタ７０の間には酸化シリコンからなる第２の保護膜４２が形成され、カラーフィルタ７０の形成材料がＴＦＴ１１０と直接接触することを回避している。なお、カラーフィルタ７０は、フォトリソグラフィー法あるいは液滴吐出法等で形成することが好ましい。
カラーフィルタ７０の上層には、画素電極２０及び共通電極３０が形成されている。上記双方の電極は透明導電材料であるＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）からなり、カラーフィルタ７０上に形成したＩＴＯ薄膜をパターニングして形成されている。 A color filter 70 is formed on the upper layer of the TFT 110. The color filter 70 can convert white light into any one of red light, green light, and blue light by absorbing light having a wavelength in a predetermined range. A second protective film 42 made of silicon oxide is formed between the TFT 110 and the color filter 70 to prevent the material for forming the color filter 70 from coming into direct contact with the TFT 110. The color filter 70 is preferably formed by a photolithography method, a droplet discharge method, or the like.
The pixel electrode 20 and the common electrode 30 are formed on the upper layer of the color filter 70. Both electrodes are made of ITO (indium oxide / tin alloy), which is a transparent conductive material, and formed by patterning an ITO thin film formed on the color filter 70.

画素電極２０とドレイン電極６２とを接続するコンタクトホール６６は、カラーフィルタ７０の一部を選択的にエッチングして形成されている。したがって、カラーフィルタ７０はスイッチング素子としてのＴＦＴ１１０と、画素電極２０及び共通電極３０と、の間を絶縁する機能も果たしている。そして、画素電極２０と共通電極３０の上層には、第１の配向膜８３が形成されている。   A contact hole 66 connecting the pixel electrode 20 and the drain electrode 62 is formed by selectively etching a part of the color filter 70. Therefore, the color filter 70 also functions to insulate the TFT 110 as a switching element from the pixel electrode 20 and the common electrode 30. A first alignment film 83 is formed on the pixel electrode 20 and the common electrode 30.

対向基板１１の液晶層９５側の面上の反射表示領域７８にはワイヤーグリッド２５が形成されており、該ワイヤーグリッドの上層には全面に第１の保護膜４１が形成されている。そして、第１の保護膜４１の上層には、第２の配向膜８４が形成されている。したがって、液晶層９５は、素子基板１０の表面である第１の配向膜８３と対向基板１１の表面である第２の配向膜８４とで狭持されている。なお、対向基板１１の裏面（液晶層９５側の面の反対側の面）には第２の偏光板８２が貼付されている。   A wire grid 25 is formed in the reflective display region 78 on the surface of the counter substrate 11 on the liquid crystal layer 95 side, and a first protective film 41 is formed on the entire surface of the wire grid. A second alignment film 84 is formed on the upper layer of the first protective film 41. Therefore, the liquid crystal layer 95 is sandwiched between the first alignment film 83 that is the surface of the element substrate 10 and the second alignment film 84 that is the surface of the counter substrate 11. A second polarizing plate 82 is attached to the back surface of the counter substrate 11 (the surface opposite to the surface on the liquid crystal layer 95 side).

好ましくは、ワイヤーグリッド２５の下層に透明な感光性樹脂等を用いて凹凸を形成し、散乱機能を付与してもよい。かかる散乱機能により反射表示時の光量を増加させて、表示品質をより一層向上させることができる。   Preferably, unevenness may be formed in the lower layer of the wire grid 25 using a transparent photosensitive resin or the like to impart a scattering function. With such a scattering function, the amount of light at the time of reflective display can be increased, and the display quality can be further improved.

ここで、ワイヤーグリッド２５について説明する。図４（ａ）はワイヤーグリッド２５の模式斜視図、図４（ｂ）はワイヤーグリッド２５の模式断面図である。ワイヤーグリッド２５は、透明基板２６上に所定のピッチをもって略平行に配列された多数の金属体（金属細線）２１からなる。各金属体は、幅及び高さも共通である。金属体２１の形成材料は、反射率の高いＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）が好ましい。   Here, the wire grid 25 will be described. 4A is a schematic perspective view of the wire grid 25, and FIG. 4B is a schematic cross-sectional view of the wire grid 25. The wire grid 25 includes a large number of metal bodies (metal thin wires) 21 arranged on the transparent substrate 26 in a substantially parallel manner with a predetermined pitch. Each metal body has the same width and height. The material for forming the metal body 21 is preferably Al (aluminum) or Ag (silver) having a high reflectance.

かかる構造のワイヤーグリッド２５は、上方から照射される光、すなわち金属体２１から透明基板２６の方向に進む光を偏光分離する性質を有する。具体的には、波長が上述のピッチ、幅、及び高さよりも小さい光が本図における上方から照射された場合、上記光を構成する振動成分のうち、金属体２１の長手方向（延在方向）と平行する偏光成分を反射し、金属体の長手方向と直交する偏光成分を透過させる性質を有している。以下、上述の長手方向と直交する方向を図５に示すように第３の透過軸３３と称し、長手方向を反射軸３５と称する。   The wire grid 25 having such a structure has a property of polarizing and separating light irradiated from above, that is, light traveling from the metal body 21 toward the transparent substrate 26. Specifically, when light having a wavelength smaller than the above-described pitch, width, and height is irradiated from above in the drawing, among the vibration components constituting the light, the longitudinal direction (extending direction) of the metal body 21 ) Is reflected, and the polarized light component perpendicular to the longitudinal direction of the metal body is transmitted. Hereinafter, the direction orthogonal to the above-described longitudinal direction is referred to as a third transmission axis 33 as shown in FIG. 5, and the longitudinal direction is referred to as a reflection axis 35.

本実施形態のワイヤーグリッド２５は、金属体２１の上層が酸化シリコン等からなる透光性絶縁膜としての保護膜２７で覆われている。そして、ワイヤーグリッド２５が、反射偏光子としての機能を充分に発揮するためには、互いに隣り合う金属体２１間に充填されている物質の屈折率と保護膜２７の屈折率との差が、できる限り大きいことが好ましい。保護膜２７に酸化シリコンを用いると屈折率は略１．５となり、かかる値よりも充分小さな物質となると大気が好ましい。したがって上記の隣り合う金属体間は空洞であることが好ましく、そのためには、保護膜２７の形成材料も含む何らかの材料が充填されることを抑制する必要がある。   In the wire grid 25 of the present embodiment, the upper layer of the metal body 21 is covered with a protective film 27 as a translucent insulating film made of silicon oxide or the like. And in order for the wire grid 25 to fully exhibit the function as a reflective polarizer, the difference between the refractive index of the substance filled between the mutually adjacent metal bodies 21 and the refractive index of the protective film 27 is: It is preferable that it is as large as possible. When silicon oxide is used for the protective film 27, the refractive index is approximately 1.5, and the atmosphere is preferable if the material is sufficiently smaller than this value. Therefore, it is preferable that the space between the adjacent metal bodies is a cavity. For this purpose, it is necessary to suppress filling of any material including the material for forming the protective film 27.

保護膜２７の形成をスパッタにより行う際に、酸化シリコン粒子を斜め方向（透明基板２６に垂直な線を、金属体２１の長手方向と直交する方向に傾けた方向）から照射することで、金属体２１間に酸化シリコン粒子が入り込むことを抑制しつつ保護膜２７を形成できる。本実施形態、及び後述する各実施形態と各変形例では、金属体２１は透明材料からなる対向基板１１上に直接形成されており、対向基板１１が本図における透明基板２６として機能している。また、本実施形態では、第１の保護膜４１が本図における保護膜２７として機能している。   When the protective film 27 is formed by sputtering, the silicon oxide particles are irradiated from an oblique direction (a direction perpendicular to the transparent substrate 26 is inclined in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the metal body 21). The protective film 27 can be formed while suppressing the silicon oxide particles from entering between the bodies 21. In the present embodiment, and in each of the embodiments and modifications described later, the metal body 21 is directly formed on the counter substrate 11 made of a transparent material, and the counter substrate 11 functions as the transparent substrate 26 in the drawing. . In the present embodiment, the first protective film 41 functions as the protective film 27 in the drawing.

本実施形態の液晶装置は、バックライトユニット９０から射出される光、又は外光を用いて画像を形成する。そして上述の光は双方とも様々な波長の光が混合されている。したがって、上記ピッチ等は充分に小さいことが好ましい。具体的には、ピッチは１４０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、金属体２１の平面視方向の幅は数十ｎｍである。ここで、本実施形態の液晶装置における、第３の透過軸３３と、他の構成要素の光学軸（透過軸）の関係を図５に示す。   The liquid crystal device of this embodiment forms an image using light emitted from the backlight unit 90 or external light. The above light is mixed with light of various wavelengths. Therefore, it is preferable that the pitch or the like is sufficiently small. Specifically, the pitch is 140 nm to 150 nm, and the width of the metal body 21 in the plan view direction is several tens of nm. Here, the relationship between the third transmission axis 33 and the optical axis (transmission axis) of other components in the liquid crystal device of the present embodiment is shown in FIG.

本実施形態の液晶装置は、第３の透過軸３３が第１の偏光板８１の透過軸（以下、「第１の透過軸」と称する）３１と平行となるように配置されており、第２の偏光板８２の透過軸（以下、「第２の透過軸」と称する）３２とは、互いに直交する向きに配置されている。また、第１の配向膜８３と第２の配向膜８４は、平面視方向において同一方向にラビング処理されており、その方向は、図５に示すラビング方向３４である。したがって、ワイヤーグリッド２５は透過軸（第３の透過軸３３）が第１の配向膜８３及び第２の配向膜８４のラビング方向３４と平行になるように配置されている。なお、ラビング方向３４は、画素電極２０の帯状部の延在方向、すなわち図５のＹ軸方向に対して約３０°の角度を有している。   The liquid crystal device of the present embodiment is arranged so that the third transmission axis 33 is parallel to the transmission axis 31 of the first polarizing plate 81 (hereinafter referred to as “first transmission axis”). The transmission axes (hereinafter referred to as “second transmission axes”) 32 of the second polarizing plate 82 are arranged in directions orthogonal to each other. Further, the first alignment film 83 and the second alignment film 84 are rubbed in the same direction in the plan view direction, and the direction is the rubbing direction 34 shown in FIG. Therefore, the wire grid 25 is arranged so that the transmission axis (third transmission axis 33) is parallel to the rubbing direction 34 of the first alignment film 83 and the second alignment film 84. The rubbing direction 34 has an angle of about 30 ° with respect to the extending direction of the strip portion of the pixel electrode 20, that is, the Y-axis direction in FIG.

本実施形態の液晶装置は、かかる構成によりＩＰＳ方式の液晶装置として機能する。ＴＦＴ１１０を介して画素電極２０に画像信号（電圧）を印加することで、画素電極２０と共通電極３０との間に、基板（素子基板１０及び対向基板１１）面に平行で、図５のＸ軸方向を向く電界を発生させることができる。そして、かかる電界によって液晶分子を駆動し、各画素毎に、透過表示領域７７の透過率及び反射表示領域７８の反射率を変化させることで画像を形成できる。   The liquid crystal device of the present embodiment functions as an IPS liquid crystal device with such a configuration. By applying an image signal (voltage) to the pixel electrode 20 via the TFT 110, the pixel electrode 20 and the common electrode 30 are parallel to the surface of the substrate (the element substrate 10 and the counter substrate 11), and are shown in FIG. An electric field directed in the axial direction can be generated. Then, liquid crystal molecules are driven by such an electric field, and an image can be formed by changing the transmittance of the transmissive display region 77 and the reflectance of the reflective display region 78 for each pixel.

上述したように、液晶層９５を挟持して対向する第１の配向膜８３と第２の配向膜８４とは同一方向にラビング処理されている。したがって、画素電極２０に電圧を印加しない状態では、液晶層９５を構成する液晶分子は、素子基板１０と対向基板１１との間でラビング方向３４に沿って水平に配向された状態となっている。   As described above, the first alignment film 83 and the second alignment film 84 facing each other with the liquid crystal layer 95 interposed therebetween are rubbed in the same direction. Therefore, in a state where no voltage is applied to the pixel electrode 20, the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 95 are horizontally aligned between the element substrate 10 and the counter substrate 11 along the rubbing direction 34. .

そして、このような液晶層９５に画素電極２０と共通電極３０との間に形成した電界を作用させると、該電界の大きさに合わせて画素電極２０の帯状部の幅方向（Ｘ軸方向）に沿う方向に液晶分子が運動する。本実施形態の液晶装置は、このような液晶分子の配向方向の差異を利用して、画像を形成している。以下、任意の画素における上述の画像形成の態様を、透過表示領域７７と反射表示領域７８とで分けて述べる。   When an electric field formed between the pixel electrode 20 and the common electrode 30 is applied to such a liquid crystal layer 95, the width direction (X-axis direction) of the band-shaped portion of the pixel electrode 20 is adjusted in accordance with the magnitude of the electric field. The liquid crystal molecules move in the direction along The liquid crystal device of this embodiment forms an image using such a difference in the alignment direction of liquid crystal molecules. Hereinafter, the above-described image formation mode in an arbitrary pixel will be described separately for the transmissive display area 77 and the reflective display area 78.

透過表示領域７７では、バックライトユニット９０から射出された光は、第２の偏光板８２を透過することで第２の透過軸３２に平行な直線偏光に変換され、液晶層９５に入射する。そして、液晶層９５に上述の電界が印加された状態であれば、上記入射光は液晶層９５により第１の透過軸３１と平行な直線偏光に変換される。そしてかかる偏光光は、カラーフィルタ７０を透過して、赤色光、緑色光、青色光のいずれかの色に着色される。そして着色後の光は、第１の偏光板８１を透過して、液晶装置の表示領域１００から射出される。   In the transmissive display area 77, the light emitted from the backlight unit 90 passes through the second polarizing plate 82, is converted into linearly polarized light parallel to the second transmission axis 32, and enters the liquid crystal layer 95. If the above electric field is applied to the liquid crystal layer 95, the incident light is converted into linearly polarized light parallel to the first transmission axis 31 by the liquid crystal layer 95. The polarized light passes through the color filter 70 and is colored in any one color of red light, green light, and blue light. Then, the colored light is transmitted through the first polarizing plate 81 and is emitted from the display region 100 of the liquid crystal device.

一方、液晶層９５がオフ状態（画素電極２０に電圧が印加されていない状態）であれば、入射光は第２の透過軸３２方向の偏光を維持したまま第２の透過軸３２と直交する第１の透過軸３１を有する第１の偏光板８１に達し、そのまま第１の偏光板８１に吸収される。したがって、当該画素は光を射出せず、暗表示となる。   On the other hand, if the liquid crystal layer 95 is in an off state (a state where no voltage is applied to the pixel electrode 20), the incident light is orthogonal to the second transmission axis 32 while maintaining the polarization in the direction of the second transmission axis 32. The light reaches the first polarizing plate 81 having the first transmission axis 31 and is absorbed by the first polarizing plate 81 as it is. Therefore, the pixel does not emit light and is darkly displayed.

反射表示領域７８では、外光が、第１の偏光板８１の上方すなわちバックライトユニット９０が配置されていない側から液晶装置に入射し、第１の偏光板８１及びカラーフィルタ７０を透過する。そして、第１の透過軸３１に平行な直線偏光に変換されて液晶層９５に入射する。   In the reflective display area 78, external light enters the liquid crystal device from above the first polarizing plate 81, that is, the side where the backlight unit 90 is not disposed, and passes through the first polarizing plate 81 and the color filter 70. Then, it is converted into linearly polarized light parallel to the first transmission axis 31 and enters the liquid crystal layer 95.

このとき液晶層９５がオン状態であれば、上記入射光は液晶層９５により第１の透過軸３１と直交する直線偏光に変換された後、ワイヤーグリッド２５に入射する。図５に示したように、反射偏光子であるワイヤーグリッド２５は、第１の透過軸３１と平行な第３の透過軸３３と、第３の透過軸３３と直交する反射軸３５を有している。したがって、上記オン状態の液晶層９５を透過してワイヤーグリッド２５に入射した光は、その偏光状態を保持したまま反射されて液晶層９５に入射する。   At this time, if the liquid crystal layer 95 is in the on state, the incident light is converted into linearly polarized light orthogonal to the first transmission axis 31 by the liquid crystal layer 95 and then enters the wire grid 25. As shown in FIG. 5, the wire grid 25, which is a reflective polarizer, has a third transmission axis 33 parallel to the first transmission axis 31 and a reflection axis 35 orthogonal to the third transmission axis 33. ing. Therefore, the light that has passed through the liquid crystal layer 95 in the on state and entered the wire grid 25 is reflected while maintaining its polarization state, and enters the liquid crystal layer 95.

再度液晶層９５に入射した反射光は、液晶層９５の作用により入射時の偏光状態（第１の透過軸３１と平行な直線偏光）に戻されて、再度カラーフィルタを通過した後、第１の偏光板８１に入射する。これにより第１の偏光板８１を透過した反射光が３原色のいずれかの表示光として視認され、当該画素が明表示となる。   The reflected light incident on the liquid crystal layer 95 again is returned to the polarization state at the time of incidence (linearly polarized light parallel to the first transmission axis 31) by the action of the liquid crystal layer 95, passes through the color filter again, and then passes through the first color filter. Is incident on the polarizing plate 81. As a result, the reflected light transmitted through the first polarizing plate 81 is visually recognized as display light of any of the three primary colors, and the pixel is brightly displayed.

一方、液晶層９５がオフ状態であれば、第１の偏光板８１から液晶層９５に入射した光は、その偏光状態を維持したままワイヤーグリッド２５に入射し、当該光と平行な第３の透過軸３３を有するワイヤーグリッド２５を透過する。そして、この光と直交する第２の透過軸３２を有する第２の偏光板８２によって吸収されるため、表示領域１００から射出されることはない。したがって、当該画素は暗表示となる。   On the other hand, if the liquid crystal layer 95 is in the off state, the light incident on the liquid crystal layer 95 from the first polarizing plate 81 is incident on the wire grid 25 while maintaining the polarization state, and the third parallel to the light. It passes through the wire grid 25 having the transmission axis 33. And since it is absorbed by the 2nd polarizing plate 82 which has the 2nd transmission axis 32 orthogonal to this light, it is not inject | emitted from the display area 100. FIG. Therefore, the pixel is darkly displayed.

なお、上述したように、透過表示領域７７ではバックライトユニット９０から照射された光はカラーフィルタ７０を１回透過して着色されるのに対し、反射表示領域７８では外光がカラーフィルタ７０を２回透過する。したがって、本実施形態の液晶装置のカラーフィルタ７０は、１つの画素を着色する同一の色を２種類の濃度に分けて、透過表示領域７７には濃色部７１、反射表示領域７８には淡色部７２が対向するように形成されている。かかる構成により、透過表示時と反射表示時とで、表示領域１００から射出される光の明度が揃えられて、表示品質が向上している。ただし、透過表示領域７７と反射表示領域７８とに夫々濃度が異なるカラーフィルタを設けることに限定されず、透過表示領域７７と反射表示領域７８とに同じ濃度のカラーフィルタを設けてもよい。   As described above, in the transmissive display area 77, the light emitted from the backlight unit 90 passes through the color filter 70 and is colored once, whereas in the reflective display area 78, external light passes through the color filter 70. Transmits twice. Therefore, the color filter 70 of the liquid crystal device according to the present embodiment divides the same color for coloring one pixel into two types of density, and the transmissive display area 77 has a dark color portion 71 and the reflective display area 78 has a light color. The portions 72 are formed so as to face each other. With this configuration, the brightness of the light emitted from the display region 100 is made uniform during transmissive display and reflective display, and the display quality is improved. However, the transmissive display area 77 and the reflective display area 78 are not limited to providing color filters having different densities, and the transmissive display area 77 and the reflective display area 78 may be provided with color filters having the same density.

このように本実施形態の液晶装置は、画素電極２０と該画素電極を制御するスイッチング素子としてのＴＦＴ１１０とカラーフィルタ７０とを素子基板１０に配置（形成）し、反射偏光子としてのワイヤーグリッド２５は素子基板１０と対向する対向基板１１に形成する型式で、反射表示と透過表示を両立している。   As described above, in the liquid crystal device according to the present embodiment, the pixel electrode 20, the TFT 110 serving as a switching element that controls the pixel electrode, and the color filter 70 are disposed (formed) on the element substrate 10, and the wire grid 25 serving as a reflective polarizer. Is a type formed on the counter substrate 11 facing the element substrate 10 and is compatible with both reflective display and transmissive display.

従来の液晶装置は、カラーフィルタを対向基板に形成する型式が一般的である。かかる型式では、ワイヤーグリッド２５は、ＴＦＴ１１０とカラーフィルタ７０とのいずれか一方が形成された基板上に形成される。   A conventional liquid crystal device is generally of a type in which a color filter is formed on a counter substrate. In this type, the wire grid 25 is formed on a substrate on which either the TFT 110 or the color filter 70 is formed.

ワイヤーグリッド２５とＴＦＴ１１０とを同一の基板（すなわち素子基板１０）上に形成する場合、ＴＦＴ１１０の形成工程の熱履歴により、ワイヤーグリッド２５を構成するＡｌにヒロック成長等により部分的に欠陥が生じ、最終的に液晶装置となった際に点欠陥として認識される可能性がある。   When the wire grid 25 and the TFT 110 are formed on the same substrate (that is, the element substrate 10), due to the thermal history of the formation process of the TFT 110, the Al constituting the wire grid 25 is partially defective due to hillock growth, When it finally becomes a liquid crystal device, it may be recognized as a point defect.

一方、対向基板１１上にワイヤーグリッド２５を形成し、該ワイヤーグリッドの上層にカラーフィルタ７０を形成する型式では、上述の金属体２１間にカラーフィルタ７０の形成材料が入り込み、偏光能力を低下させる可能性がある。また、カラーフィルタ７０の形成工程時の熱履歴により上述のヒロックのような問題が発生する可能性もある。   On the other hand, in the type in which the wire grid 25 is formed on the counter substrate 11 and the color filter 70 is formed in the upper layer of the wire grid, the forming material of the color filter 70 enters between the above-described metal bodies 21 to reduce the polarization ability. there is a possibility. In addition, there is a possibility that a problem such as the above-mentioned hillock may occur due to the thermal history during the formation process of the color filter 70.

また、上記のどちらの型式でも、ワイヤーグリッド２５上で、何らかの膜層をフォトリソグラフィー法等によりパターニングする工程が必要である。フォトリソグラフィー法においてはワイヤーグリッド２５で反射した特定方向の偏光がレジストに再入射することになるため、パターン精度等に影響を及ぼす可能性がある。さらに、ワイヤーグリッド２５上の膜層にピンホール等がある場合、パターニング時に薬液が滲入し、ワイヤーグリッド２５の形成材料がダメージを受ける可能性がある。   In any of the above types, a process of patterning a certain film layer on the wire grid 25 by a photolithography method or the like is necessary. In the photolithography method, polarized light in a specific direction reflected by the wire grid 25 is incident on the resist again, which may affect pattern accuracy. Furthermore, when there is a pinhole or the like in the film layer on the wire grid 25, the chemical liquid may permeate during patterning, and the material forming the wire grid 25 may be damaged.

本実施形態の液晶装置は、ワイヤーグリッド２５と、カラーフィルタ７０等のパターニングが必要な構成要素と、を別個の基板上に形成することにより、プロセス起因によるワイヤーグリッド２５のダメージを抑制し、表示品質等を向上させている。
（第２の実施形態） The liquid crystal device of the present embodiment suppresses damage to the wire grid 25 due to the process by forming the wire grid 25 and the components such as the color filter 70 that require patterning on separate substrates, thereby displaying the display. Quality is improved.
(Second Embodiment)

図６に、第２の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図を示す。第１の実施形態にかかる液晶装置と同様のＩＰＳ方式の半透過反射型の液晶装置である。したがって、共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は省略している。回路構成は図１に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様であり、構成要素の平面的な態様も図２に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様であるため、図示は省略している。   FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal device according to the second embodiment. This is an IPS transflective liquid crystal device similar to the liquid crystal device according to the first embodiment. Therefore, the same code | symbol is provided to the common component and description of description is abbreviate | omitted. The circuit configuration is the same as that of the liquid crystal device according to the first embodiment shown in FIG. 1, and the planar aspects of the components are the same as those of the liquid crystal device according to the first embodiment shown in FIG. Omitted.

本実施形態の液晶装置はカラーフィルタ７０が素子基板１０とＴＦＴ１１０との間に形成されている点で第１の実施形態にかかる液晶装置と異なっている。すなわち、素子基板１０の液晶層９５側の面にカラーフィルタ７０が形成され、該カラーフィルタの上層にＴＦＴ１１０及び蓄積容量１０８が形成されている。具体的には、素子基板１０上にカラーフィルタ７０が形成され、該カラーフィルタの上層に走査線１０２等が形成されてＴＦＴ１１０となっている。   The liquid crystal device of this embodiment is different from the liquid crystal device according to the first embodiment in that the color filter 70 is formed between the element substrate 10 and the TFT 110. That is, the color filter 70 is formed on the surface of the element substrate 10 on the liquid crystal layer 95 side, and the TFT 110 and the storage capacitor 108 are formed on the color filter. Specifically, the color filter 70 is formed on the element substrate 10, and the scanning line 102 and the like are formed on the upper layer of the color filter to form the TFT 110.

上述したように本実施形態の液晶装置は半透過反射型であるため、カラーフィルタ７０が濃色部７１と淡色部７２とに区画されている点も、第１の実施形態にかかる液晶装置と同様である。   As described above, since the liquid crystal device according to the present embodiment is a transflective type, the color filter 70 is divided into a dark color portion 71 and a light color portion 72, as well as the liquid crystal device according to the first embodiment. It is the same.

ＴＦＴ１１０及び蓄積容量１０８の構成は、第１の実施形態にかかる液晶装置の該構成と同一である。そして、ＴＦＴ１１０及び蓄積容量１０８の上層には、層間絶縁膜４３が形成されている。層間絶縁膜４３は酸化シリコン又は窒化シリコン等からなり、第１の実施形態におけるカラーフィルタ７０と同様に電極（画素電極２０及び共通電極３０）とＴＦＴ１１０の間を絶縁している。そして、ＴＦＴ１１０のドレイン電極６２と画素電極２０とを接続するコンタクトホール６６は層間絶縁膜４３の一部を選択的に除去して形成されている。   The configuration of the TFT 110 and the storage capacitor 108 is the same as that of the liquid crystal device according to the first embodiment. An interlayer insulating film 43 is formed on the TFT 110 and the storage capacitor 108. The interlayer insulating film 43 is made of silicon oxide, silicon nitride, or the like, and insulates the electrodes (the pixel electrode 20 and the common electrode 30) and the TFT 110 in the same manner as the color filter 70 in the first embodiment. A contact hole 66 connecting the drain electrode 62 of the TFT 110 and the pixel electrode 20 is formed by selectively removing a part of the interlayer insulating film 43.

層間絶縁膜４３から第２の偏光板８２にかけての構成要素、及びバックライトユニット９０については第１の実施形態にかかる液晶装置と同様である。すなわち、画素電極２０及び共通電極３０の上層に形成された第１の配向膜８３、対向基板１１及び液晶層９５の構成は第１の実施形態にかかる液晶装置と同様であり、動作原理も同様である。   The components from the interlayer insulating film 43 to the second polarizing plate 82 and the backlight unit 90 are the same as those of the liquid crystal device according to the first embodiment. That is, the configuration of the first alignment film 83, the counter substrate 11 and the liquid crystal layer 95 formed on the pixel electrode 20 and the common electrode 30 is the same as that of the liquid crystal device according to the first embodiment, and the operation principle is also the same. It is.

上述するように、第１の実施形態にかかる液晶装置は、カラーフィルタ７０に、白色光を有色光に変換する機能と、上述の絶縁機能すなわち層間絶縁膜４３としての機能を兼用させている。ここで双方の機能を果たすための膜厚を比較すると、着色機能を果たすために要する膜厚は絶縁機能を果たすために要する膜厚よりも厚い。したがって、ＴＦＴ１１０と電極（画素電極２０及び共通電極３０）との間には必要以上に厚い膜（第１の実施形態ではカラーフィルタ７０）で覆われており、コンタクトホール６６の深さが増大している。その結果、画素電極２０の形成材料であるＩＴＯのつきまわりが悪化して、ドレイン電極６２との導通が損なわれる可能性がある。   As described above, in the liquid crystal device according to the first embodiment, the color filter 70 has the function of converting white light into colored light and the above-described insulating function, that is, the function as the interlayer insulating film 43. Here, when comparing the film thicknesses for performing both functions, the film thickness required for performing the coloring function is larger than the film thickness required for performing the insulating function. Therefore, the TFT 110 and the electrodes (the pixel electrode 20 and the common electrode 30) are covered with an unnecessarily thick film (the color filter 70 in the first embodiment), and the depth of the contact hole 66 increases. ing. As a result, the throwing of ITO, which is a material for forming the pixel electrode 20, may be deteriorated and conduction with the drain electrode 62 may be impaired.

それに対し、本実施形態の液晶装置は、層間絶縁膜４３の膜厚を絶縁機能を果たすために必要な膜厚に設定できるため、コンタクトホール６６の深さを浅くできる。その結果、画素電極２０の形成材料であるＩＴＯのつきまわりを向上でき、画素電極２０とドレイン電極６２との導通の信頼性を向上できる。
なお、本実施形態の液晶装置は、ＴＦＴ１１０が、カラーフィルタ７０ではなく層間絶縁膜４３で覆われている。したがって、第１の実施形態にかかる液晶装置と異なり、第２の保護膜４２は形成されていない。 On the other hand, in the liquid crystal device of the present embodiment, the thickness of the interlayer insulating film 43 can be set to a film thickness necessary for performing the insulating function, so that the depth of the contact hole 66 can be reduced. As a result, it is possible to improve the coverage of ITO, which is a material for forming the pixel electrode 20, and improve the reliability of conduction between the pixel electrode 20 and the drain electrode 62.
In the liquid crystal device of this embodiment, the TFT 110 is covered with the interlayer insulating film 43 instead of the color filter 70. Therefore, unlike the liquid crystal device according to the first embodiment, the second protective film 42 is not formed.

また、本実施形態の液晶装置は、カラーフィルタ７０に反射抑制機能も兼用させることができる。本実施形態の液晶装置は、電極（画素電極２０及び共通電極３０）が透明材料であるＩＴＯで形成されているため、外光の反射は充分低いレベルに抑制できる。一方、ＴＦＴ１１０及び蓄積容量１０８を構成する各々の配線及び電極等は金属材料で形成されているため、外光を反射し易く暗表示の妨げとなり得る。しかし、本実施形態の液晶装置は、素子基板１０とＴＦＴ１１０及び蓄積容量１０８との間にカラーフィルタ７０が形成されているため、上述の反射を抑制でき、コントラストの向上を可能にしている。   In the liquid crystal device according to the present embodiment, the color filter 70 can also have a reflection suppressing function. In the liquid crystal device of this embodiment, since the electrodes (pixel electrode 20 and common electrode 30) are made of ITO, which is a transparent material, reflection of external light can be suppressed to a sufficiently low level. On the other hand, since each wiring, electrode, and the like constituting the TFT 110 and the storage capacitor 108 are formed of a metal material, it is easy to reflect external light and can hinder dark display. However, since the color filter 70 is formed between the element substrate 10, the TFT 110, and the storage capacitor 108 in the liquid crystal device of this embodiment, the above-described reflection can be suppressed and the contrast can be improved.

なお、第１の実施形態にかかる液晶装置と同様に、ワイヤーグリッド２５の下層に透明な感光性樹脂等を用いて凹凸を形成し、散乱機能を付与してもよい。かかる散乱機能により反射表示時の光量を増加させて、表示品質をより一層向上させることができる。
（第３の実施形態） In addition, similarly to the liquid crystal device according to the first embodiment, an unevenness may be formed by using a transparent photosensitive resin or the like in the lower layer of the wire grid 25 to provide a scattering function. With such a scattering function, the amount of light at the time of reflective display can be increased, and the display quality can be further improved.
(Third embodiment)

図７に、第３の実施形態にかかる液晶装置の画素の模式平面図を示す。本実施形態の液晶装置は、縦電界方式を用いた半透過反射型の液晶装置である。したがって、画素電極２０はフォーク状ではなく平板状であり、データ線１０４及び容量線１０６等で囲まれた矩形の領域を占めている。一方、共通電極３０は、対向基板１１の液晶層９５側の略全面に形成されている（図８参照）。したがって、図７においては図示を省略している。   FIG. 7 is a schematic plan view of a pixel of the liquid crystal device according to the third embodiment. The liquid crystal device of this embodiment is a transflective liquid crystal device using a vertical electric field method. Therefore, the pixel electrode 20 has a flat plate shape instead of a fork shape, and occupies a rectangular region surrounded by the data line 104 and the capacitor line 106. On the other hand, the common electrode 30 is formed on substantially the entire surface of the counter substrate 11 on the liquid crystal layer 95 side (see FIG. 8). Therefore, illustration is omitted in FIG.

本実施形態の液晶装置は、画素電極２０と共通電極３０とで液晶層９５を狭持して、縦方向に電圧を印加できる。回路構成は、図１に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様であり、電極以外の構成要素も図２に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様である。そのため、共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は省略している。   In the liquid crystal device of this embodiment, the pixel electrode 20 and the common electrode 30 sandwich the liquid crystal layer 95 and can apply a voltage in the vertical direction. The circuit configuration is the same as that of the liquid crystal device according to the first embodiment shown in FIG. 1, and the components other than the electrodes are the same as those of the liquid crystal device according to the first embodiment shown in FIG. Therefore, the same code | symbol is provided to the common component and description of description is abbreviate | omitted.

図８は、図７のＢ−Ｂ’線における断面を、バックライトユニット９０と共に示す模式断面図である。第１の実施形態にかかる液晶装置と同様に、素子基板１０の液晶層９５側の面には、スイッチング素子としてのＴＦＴ１１０が形成され、さらに該ＴＦＴを覆うようにカラーフィルタ７０が第２の保護膜４２を介して形成されている。そしてカラーフィルタ７０上にはＩＴＯからなる画素電極２０が形成されている。カラーフィルタ７０は、分割線７５を境界として透過表示領域７７には濃色部７１、反射表示領域７８には淡色部７２が夫々形成されている。画素電極２０は平板状ではあるが、画素電極２０毎に独立しているため、第１及び第２の実施形態における画素電極２０と同様に、素子基板１０上の全面に形成したＩＴＯ膜を島状にパターニングして形成されている。そして、該画素電極は、カラーフィルタ７０の一部を選択的に除去して形成されたコンタクトホール６６を介してドレイン電極６２と接続されている。そして、画素電極２０の上層には第１の配向膜８３が形成されている。   FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a cross section taken along line B-B ′ of FIG. 7 together with the backlight unit 90. Similar to the liquid crystal device according to the first embodiment, a TFT 110 as a switching element is formed on the surface of the element substrate 10 on the liquid crystal layer 95 side, and the color filter 70 covers the TFT so as to cover the TFT. It is formed via the film 42. A pixel electrode 20 made of ITO is formed on the color filter 70. The color filter 70 has a dark color portion 71 in the transmissive display area 77 and a light color portion 72 in the reflective display area 78 with the dividing line 75 as a boundary. Although the pixel electrode 20 has a flat plate shape, the pixel electrode 20 is independent for each pixel electrode 20, so that the ITO film formed on the entire surface of the element substrate 10 is formed as an island in the same manner as the pixel electrode 20 in the first and second embodiments. It is formed by patterning. The pixel electrode is connected to the drain electrode 62 through a contact hole 66 formed by selectively removing a part of the color filter 70. A first alignment film 83 is formed on the pixel electrode 20.

対向基板１１の液晶層９５側の面の反射表示領域７８には、第１の実施形態にかかる液晶装置と同様に反射偏光子としてのワイヤーグリッド２５が形成されている。そして、該ワイヤーグリッドが形成された対向基板１１の液晶層９５側の面には、ＩＴＯ膜からなる共通電極３０が形成されている。本実施形態の共通電極３０は、画素電極２０との間に液晶層９５を狭持し該液晶層に縦方向の電圧を印加している。したがって、ＩＴＯ膜は少なくとも表示領域１００内ではパターニングされておらず、全域に形成されている。そのため、本実施形態の共通電極３０は、第１の実施形態における第１の保護膜４１と同じく、ワイヤーグリッド２５を保護する保護膜２７（図４参照）としての機能も果たすことができる。共通電極３０の上層には第２の配向膜８４が形成されている。そして、第１の配向膜８３と第２の配向膜８４とで、液晶層９５を狭持している。   In the reflective display region 78 on the surface of the counter substrate 11 on the liquid crystal layer 95 side, a wire grid 25 as a reflective polarizer is formed as in the liquid crystal device according to the first embodiment. A common electrode 30 made of an ITO film is formed on the surface of the counter substrate 11 on which the wire grid is formed on the liquid crystal layer 95 side. The common electrode 30 of this embodiment holds the liquid crystal layer 95 between the pixel electrode 20 and applies a vertical voltage to the liquid crystal layer. Therefore, the ITO film is not patterned at least in the display region 100 and is formed over the entire region. Therefore, the common electrode 30 of the present embodiment can also function as a protective film 27 (see FIG. 4) that protects the wire grid 25, similarly to the first protective film 41 in the first embodiment. A second alignment film 84 is formed on the common electrode 30. The first alignment film 83 and the second alignment film 84 sandwich the liquid crystal layer 95.

本実施形態の液晶装置は、上記第１及び第２の実施形態にかかる液晶装置とは異なり、第１の配向膜８３のラビング方向は図７に示すＹ方向であり、第２の配向膜８４のラビング方向はＸ方向である。したがって、互いに９０度の角度を有している。そして第１の偏光板８１の透過軸と第２の偏光板８２の透過軸とは双方ともＹ方向すなわち同一方向である。そしてワイヤーグリッド２５の反射軸も上記透過軸と同様にＹ方向である。液晶分子は、オフ状態（上記双方の電極間に電圧が印加されていない状態）では、上記双方のラビング方向と（該液晶分子の）長軸方向が一致するように平面視方向で９０度回転している。そして、オン状態（上記双方の電極間に電圧が印加されている状態）では、（該液晶分子の）の長軸が素子基板１１に対して垂直方向を向く配列となる。   Unlike the liquid crystal devices according to the first and second embodiments, the liquid crystal device of the present embodiment has a rubbing direction of the first alignment film 83 in the Y direction shown in FIG. The rubbing direction is the X direction. Therefore, they have an angle of 90 degrees with each other. The transmission axis of the first polarizing plate 81 and the transmission axis of the second polarizing plate 82 are both in the Y direction, that is, the same direction. The reflection axis of the wire grid 25 is also in the Y direction, similar to the transmission axis. When the liquid crystal molecules are in an off state (a state in which no voltage is applied between the two electrodes), the rubbing direction of both the above and the major axis direction (of the liquid crystal molecules) are rotated by 90 degrees in a plan view direction. is doing. In the ON state (a state in which a voltage is applied between the both electrodes), the major axis (of the liquid crystal molecules) is aligned in the direction perpendicular to the element substrate 11.

透過表示領域７７においては、オン状態では液晶層９５による偏光方向の変化が生じないため、バックライトユニット９０から照射された光は、上記双方の偏光板を透過した後、カラーフィルタ７０により着色されて射出される。オフ状態では、液晶層９５による偏光方向が９０度回転するのに対し、第１の偏光板８１の透過軸と第２の偏光板８２の透過軸とが一致しているため、バックライトユニット９０から照射された光は第２の偏光板８２を通過することはなく、暗表示となる。   In the transmissive display region 77, since the polarization direction is not changed by the liquid crystal layer 95 in the on state, the light emitted from the backlight unit 90 is colored by the color filter 70 after passing through both the polarizing plates. And injected. In the off state, the polarization direction of the liquid crystal layer 95 is rotated by 90 degrees, whereas the transmission axis of the first polarizing plate 81 and the transmission axis of the second polarizing plate 82 coincide with each other. The light emitted from the light does not pass through the second polarizing plate 82, and dark display is obtained.

反射表示領域７８では、オン状態では液晶層９５による偏光方向の変化が生じないため、外光は第１の偏光板８１（及びカラーフィルタ７０）を透過してＹ軸方向に直線偏光される。そして、同一方向の反射軸を持つワイヤーグリッド２５により反射されて、カラーフィルタ７０により着色された後、再度第１の偏光板８１を透過して表示領域１００から射出される。オフ状態では、外光は液晶層９５により偏光方向が９０度回転してＸ軸方向の直線偏光となり、同じくＸ軸方向の透過軸を有するワイヤーグリッド２５を透過する。したがって、外光は反射光として表示領域１００から射出されることはなく、暗表示となる。   In the reflective display region 78, since the polarization direction is not changed by the liquid crystal layer 95 in the on state, the external light is transmitted through the first polarizing plate 81 (and the color filter 70) and linearly polarized in the Y-axis direction. Then, after being reflected by the wire grid 25 having the reflection axis in the same direction and colored by the color filter 70, the light passes through the first polarizing plate 81 again and is emitted from the display region 100. In the off state, external light is rotated by 90 degrees in the polarization direction by the liquid crystal layer 95 to become linearly polarized light in the X-axis direction, and is transmitted through the wire grid 25 having the transmission axis in the X-axis direction. Therefore, external light is not emitted from the display area 100 as reflected light, and dark display is performed.

本実施形態の液晶装置は縦電界方式を採用し、対抗基板１１に共通電極３０を形成しているところに特徴がある。本実施形態の共通電極３０は、基板上の少なくとも表示領域１００の全面に形成されるため、ワイヤーグリッド２５の保護膜としても機能させることができる。したがって、製造コストを抑制しつつ反射偏光子としてワイヤーグリッド２５を用いた半反射透過型の液晶装置を得ることができる。   The liquid crystal device according to this embodiment is characterized in that it employs a vertical electric field method and a common electrode 30 is formed on the counter substrate 11. Since the common electrode 30 of this embodiment is formed on at least the entire surface of the display region 100 on the substrate, it can also function as a protective film for the wire grid 25. Therefore, it is possible to obtain a transflective liquid crystal device using the wire grid 25 as a reflective polarizer while suppressing the manufacturing cost.

なお、第１の実施形態にかかる液晶装置と同様に、ワイヤーグリッド２５の下層に透明な感光性樹脂等を用いて凹凸を形成し、散乱機能を付与してもよい。かかる散乱機能により反射表示時の光量を増加させて、表示品質をより一層向上させることができる。また、第２の保護膜４２は必須ではなく、カラーフィルタ７０の形成材料によっては、ＴＦＴ１１０上に直接カラーフィルタ７０を形成することも可能である。
（第４の実施形態） In addition, similarly to the liquid crystal device according to the first embodiment, an unevenness may be formed by using a transparent photosensitive resin or the like in the lower layer of the wire grid 25 to provide a scattering function. With such a scattering function, the amount of light at the time of reflective display can be increased, and the display quality can be further improved. The second protective film 42 is not essential, and the color filter 70 can be formed directly on the TFT 110 depending on the material for forming the color filter 70.
(Fourth embodiment)

図９に、第４の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図を示す。図７のＢ−Ｂ’線における断面と同一個所の断面を、バックライトユニット９０と共に示す模式断面図である。本実施形態の液晶装置は、第３の実施形態にかかる液晶装置と同様の縦電界方式を用いた半透過反射型の液晶装置である。回路構成は図１に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様であり、構成要素の平面的な態様は図７に示す第３の実施形態にかかる液晶装置と同様である。そこで、回路図及び平面図は省略している。そして、共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は省略している。   FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal device according to the fourth embodiment. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a cross section at the same position as the cross section taken along line B-B ′ of FIG. The liquid crystal device of this embodiment is a transflective liquid crystal device using a vertical electric field method similar to that of the liquid crystal device according to the third embodiment. The circuit configuration is the same as that of the liquid crystal device according to the first embodiment shown in FIG. 1, and the planar aspects of the constituent elements are the same as those of the liquid crystal device according to the third embodiment shown in FIG. Therefore, a circuit diagram and a plan view are omitted. The common constituent elements are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

本実施形態の液晶装置は、共通電極３０が、酸化シリコンからなる第１の保護膜４１上に積層されていることが特徴である。対向基板１１の液晶層９５側の面にはワイヤーグリッド２５が形成され、該ワイヤーグリッドを覆うように、第１の保護膜４１が対向基板１１の液晶層９５側の面の全域に形成されている。したがって、ワイヤーグリッド２５上には、第１の保護膜４１と共通電極３０であるＩＴＯ膜の計２層の膜が積層されている。   The liquid crystal device according to this embodiment is characterized in that the common electrode 30 is stacked on the first protective film 41 made of silicon oxide. A wire grid 25 is formed on the surface of the counter substrate 11 on the liquid crystal layer 95 side, and a first protective film 41 is formed on the entire surface of the counter substrate 11 on the liquid crystal layer 95 side so as to cover the wire grid. Yes. Therefore, a total of two layers of the first protective film 41 and the ITO film that is the common electrode 30 are laminated on the wire grid 25.

酸化シリコンはＩＴＯよりも屈折率が小さいため、かかる構造により増感作用を得て、ワイヤーグリッド２５の反射率を向上させることができる。したがって、明表示時における反射表示領域の輝度を向上させることができ、表示品質の向上した液晶装置を得ることができる。   Since silicon oxide has a refractive index smaller than that of ITO, the sensitization effect can be obtained by such a structure, and the reflectance of the wire grid 25 can be improved. Therefore, the brightness of the reflective display area during bright display can be improved, and a liquid crystal device with improved display quality can be obtained.

また、第３の実施形態にかかる液晶装置のように共通電極３０をワイヤーグリッド２５の保護膜としても機能させる場合、該共通電極３０の膜厚は略１００ｎｍが必要である。しかし、ワイヤーグリッド２５の上層に単一の材料からなる膜厚が１００ｎｍの膜層を形成すると、反射率が低下するとともに、共振による着色作用が生じる。その結果、反射表示領域７８では、明表示時における表示品質が低下する。   When the common electrode 30 is caused to function also as a protective film for the wire grid 25 as in the liquid crystal device according to the third embodiment, the film thickness of the common electrode 30 needs to be approximately 100 nm. However, when a film layer made of a single material and having a film thickness of 100 nm is formed on the upper layer of the wire grid 25, the reflectance is lowered and a coloring action due to resonance occurs. As a result, in the reflective display area 78, the display quality during bright display is degraded.

本実施形態の液晶装置は、共通電極３０であるＩＴＯ膜とワイヤーグリッド２５との間に第１の保護膜４１を別途形成することにより、ワイヤーグリッド２５の反射率の低下を抑制しつつ、反射光の着色作用を抑制できる。したがって、表示品質の向上した半透過反射型の液晶装置を得ることができる。   In the liquid crystal device of the present embodiment, the first protective film 41 is separately formed between the ITO film that is the common electrode 30 and the wire grid 25, thereby suppressing the decrease in the reflectance of the wire grid 25 and reflecting. Light coloring action can be suppressed. Therefore, a transflective liquid crystal device with improved display quality can be obtained.

なお、上記構造における各膜の膜厚は共通電極３０が４０〜５０ｎｍ、第１の保護膜４１が７０〜９０ｎｍが好ましい。また、第１の保護膜４１の形成材料は酸化シリコンに替えて窒化シリコンを用いることもできる。
なお、第１の実施形態にかかる液晶装置と同様に、ワイヤーグリッド２５の下層に透明な感光性樹脂等を用いて凹凸を形成し、散乱機能を付与してもよい。かかる散乱機能により反射表示時の光量を増加させて、表示品質をより一層向上させることができる。
（第５の実施形態） The film thickness of each film in the above structure is preferably 40 to 50 nm for the common electrode 30 and 70 to 90 nm for the first protective film 41. Further, the material for forming the first protective film 41 may be silicon nitride instead of silicon oxide.
In addition, similarly to the liquid crystal device according to the first embodiment, an unevenness may be formed by using a transparent photosensitive resin or the like in the lower layer of the wire grid 25 to provide a scattering function. With such a scattering function, the amount of light at the time of reflective display can be increased, and the display quality can be further improved.
(Fifth embodiment)

図１０に、第５の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図を示す。図７のＢ−Ｂ’線における断面と同一個所の断面を、バックライトユニット９０と共に示す模式断面図である。本実施形態の液晶装置は、第３及び第４の実施形態にかかる液晶装置と同様の、縦電界方式を用いた半透過反射型の液晶装置である。回路構成は図１に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様であり、構成要素の平面的な態様は図７に示す第３の実施形態にかかる液晶装置と同様である。そこで、回路図及び平面図は省略している。そして、共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は省略している。   FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal device according to the fifth embodiment. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a cross section at the same position as the cross section taken along line B-B ′ of FIG. 7 together with the backlight unit 90. The liquid crystal device according to the present embodiment is a transflective liquid crystal device using a vertical electric field method, similar to the liquid crystal devices according to the third and fourth embodiments. The circuit configuration is the same as that of the liquid crystal device according to the first embodiment shown in FIG. 1, and the planar aspects of the constituent elements are the same as those of the liquid crystal device according to the third embodiment shown in FIG. Therefore, a circuit diagram and a plan view are omitted. The common constituent elements are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

本実施形態の液晶装置は、第２の実施形態にかかる液晶装置と同様に、カラーフィルタ７０が素子基板１０とＴＦＴ１１０との間に形成されている点に特徴がある。すなわち、素子基板１０の液晶層９５側の面にカラーフィルタ７０が形成され、該カラーフィルタの上層にＴＦＴ１１０及び蓄積容量１０８が形成されている。また、第４の実施形態にかかる液晶装置と同様に、ワイヤーグリッド２５上には、第１の保護膜４１と共通電極３０であるＩＴＯ膜の計２層の膜が積層されている点も特徴である。したがって、本実施形態の液晶装置は、第２の実施形態にかかる液晶装置と第４の実施形態にかかる液晶装置の双方の効果を併せ持つことができる。すなわち、本実施形態の液晶装置は、カラーフィルタ７０による反射抑制機能によりＴＦＴ１１０による外光の反射を抑制できる。また、ワイヤーグリッド２５の反射効率を向上させつつ反射光が着色されることを抑制できる。したがって、反射表示時の表示品質を向上できる。   The liquid crystal device of the present embodiment is characterized in that the color filter 70 is formed between the element substrate 10 and the TFT 110 as in the liquid crystal device according to the second embodiment. That is, the color filter 70 is formed on the surface of the element substrate 10 on the liquid crystal layer 95 side, and the TFT 110 and the storage capacitor 108 are formed on the color filter. Further, similarly to the liquid crystal device according to the fourth embodiment, a total of two layers of the first protective film 41 and the ITO film as the common electrode 30 are laminated on the wire grid 25. It is. Therefore, the liquid crystal device according to the present embodiment can have both the effects of the liquid crystal device according to the second embodiment and the liquid crystal device according to the fourth embodiment. That is, the liquid crystal device according to the present embodiment can suppress the reflection of external light by the TFT 110 by the reflection suppressing function by the color filter 70. Moreover, it can suppress that reflected light is colored, improving the reflective efficiency of the wire grid 25. FIG. Therefore, the display quality during reflection display can be improved.

なお、第１の実施形態にかかる液晶装置と同様に、ワイヤーグリッド２５の下層に透明な感光性樹脂等を用いて凹凸を形成し、散乱機能を付与してもよい。かかる散乱機能により反射表示時の光量を増加させて、表示品質をより一層向上させることができる。
また本実施形態の液晶装置は、ＴＦＴ１１０が、カラーフィルタ７０ではなく層間絶縁膜４３で覆われている。したがって、第３の実施形態にかかる液晶装置と同じく、第２の保護膜４２は形成されていない。
（変形例１） In addition, similarly to the liquid crystal device according to the first embodiment, an unevenness may be formed by using a transparent photosensitive resin or the like in the lower layer of the wire grid 25 to provide a scattering function. With such a scattering function, the amount of light at the time of reflective display can be increased, and the display quality can be further improved.
In the liquid crystal device of this embodiment, the TFT 110 is covered with the interlayer insulating film 43 instead of the color filter 70. Therefore, as in the liquid crystal device according to the third embodiment, the second protective film 42 is not formed.
(Modification 1)

図１１に、変形例１にかかる液晶装置の模式断面図を示す。図２のＡ−Ａ’線における断面と同一個所の断面を示す図である。本変形例の液晶装置はＩＰＳ方式で駆動される反射型の液晶装置であり、回路構成は図１に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様である。そして、構成要素の平面的な態様は、図２に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と略同様であり、反射偏光子としてのワイヤーグリッド２５が全面に形成されている点で異なっている。   FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal device according to the first modification. It is a figure which shows the cross section of the same location as the cross section in the A-A 'line | wire of FIG. The liquid crystal device of this modification is a reflective liquid crystal device driven by the IPS system, and the circuit configuration is the same as that of the liquid crystal device according to the first embodiment shown in FIG. And the planar aspect of a component is substantially the same as that of the liquid crystal device according to the first embodiment shown in FIG. 2, and is different in that a wire grid 25 as a reflective polarizer is formed on the entire surface. .

ワイヤーグリッド２５が全面に形成され、透過表示領域７７がないため、カラーフィルタ７０は濃色部と淡色部とに区画されておらず、少なくとも画素電極２０が形成されている領域内では同一の濃度である。透過表示を行わないため、第１の実施形態にかかる液晶装置と異なり、バックライトユニット９０及び第２の偏光板８２は備えていない。
本変形例にかかる液晶装置は、第１の実施形態にかかる液晶装置と同様に、プロセス起因によるワイヤーグリッド２５のダメージを抑制できる。したがって、高品質のワイヤーグリッド２５を形成することができ、表示品質を向上させることができる。
（変形例２） Since the wire grid 25 is formed on the entire surface and there is no transmissive display region 77, the color filter 70 is not partitioned into a dark color portion and a light color portion, and at least in the region where the pixel electrode 20 is formed, the same density. It is. Since the transmissive display is not performed, the backlight unit 90 and the second polarizing plate 82 are not provided unlike the liquid crystal device according to the first embodiment.
Similarly to the liquid crystal device according to the first embodiment, the liquid crystal device according to this modification can suppress damage to the wire grid 25 due to the process. Therefore, a high quality wire grid 25 can be formed, and display quality can be improved.
(Modification 2)

図１２に、変形例２にかかる液晶装置の模式断面図を示す。図２のＡ−Ａ’線における断面と同一個所の断面を示す図である。本変形例の液晶装置はＩＰＳ方式で駆動される半透過反射型の液晶装置であり、回路構成は図１に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様である。そして、構成要素の平面的な態様は、図２に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と略同様であり、カラーフィルタ７０の上層すなわちカラーフィルタ７０と画素電極２０（及び共通電極３０）との間に無色透明の樹脂層４４が形成されている点で異なっている。   FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal device according to Modification 2. It is a figure which shows the cross section of the same location as the cross section in the A-A 'line | wire of FIG. The liquid crystal device of this modification is a transflective liquid crystal device driven by the IPS system, and the circuit configuration is the same as that of the liquid crystal device according to the first embodiment shown in FIG. The planar aspects of the components are substantially the same as those of the liquid crystal device according to the first embodiment shown in FIG. 2, and the upper layer of the color filter 70, that is, the color filter 70, the pixel electrode 20 (and the common electrode 30), The point is that a colorless and transparent resin layer 44 is formed between them.

該樹脂層は平坦化膜として機能しており、カラーフィルタ７０の表面に残留しているＴＦＴ１１０で生じた凹凸を打ち消して、画素電極２０（及び共通電極３０）の下層を平坦にしている。平坦化のための膜をカラーフィルタ７０とは別に設けたため、本変形例の液晶装置はカラーフィルタ７０を透過光又は反射光の着色にのみ必要な厚さに形成でき、材料選択の幅を広げることもできる。また、第１の配向膜８３と第２の配向膜８４との間隔すなわち液晶層９５の層厚を均一化できるため、画素内の電界の強度を均一化でき、表示品質を向上させることができる。
なお、樹脂層４４は感光性であることが好ましい。カラーフィルタ７０を各画素毎にパターニングする際のレジストを兼用させることができる。
（変形例３） The resin layer functions as a flattening film, and the unevenness generated in the TFT 110 remaining on the surface of the color filter 70 is canceled to flatten the lower layer of the pixel electrode 20 (and the common electrode 30). Since a flattening film is provided separately from the color filter 70, the liquid crystal device of this modification can form the color filter 70 to a thickness necessary only for coloring transmitted light or reflected light, and widens the range of material selection. You can also. In addition, since the distance between the first alignment film 83 and the second alignment film 84, that is, the layer thickness of the liquid crystal layer 95 can be made uniform, the intensity of the electric field in the pixel can be made uniform, and the display quality can be improved. .
The resin layer 44 is preferably photosensitive. The resist for patterning the color filter 70 for each pixel can also be used.
(Modification 3)

図１３に、変形例３にかかる液晶装置の模式断面図を示す。図２のＡ−Ａ’線における断面と同一個所の断面を示す図である。本変形例の液晶装置はＩＰＳ方式で駆動される半透過反射型の液晶装置であり、回路構成は図１に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様である。   FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal device according to Modification 3. It is a figure which shows the cross section of the same location as the cross section in the A-A 'line | wire of FIG. The liquid crystal device of this modification is a transflective liquid crystal device driven by the IPS system, and the circuit configuration is the same as that of the liquid crystal device according to the first embodiment shown in FIG.

本変形例の液晶装置は、第２の実施形態にかかる液晶装置と同様に、カラーフィルタ７０が素子基板１０とＴＦＴ１１０との間に形成されている。そして、ＴＦＴ１１０が形成されている領域では、カラーフィルタ７０と素子基板１０との層間にブラックマトリクス９８が形成されている。ブラックマトリクス９８は遮光性の樹脂で形成され、外光を吸収することにより、該外光がＴＦＴ１１０により反射されることを回避している。したがって、本変形例の液晶装置は、反射表示時のコントラスト等を改善でき、表示品質を向上させることができる。
（電子機器） In the liquid crystal device according to this modification, the color filter 70 is formed between the element substrate 10 and the TFT 110 as in the liquid crystal device according to the second embodiment. In the region where the TFT 110 is formed, a black matrix 98 is formed between the color filter 70 and the element substrate 10. The black matrix 98 is formed of a light shielding resin and absorbs external light, thereby avoiding reflection of the external light by the TFT 110. Therefore, the liquid crystal device of the present modification can improve the contrast and the like during reflective display, and can improve the display quality.
(Electronics)

次に、実施形態にかかる液晶装置を適用した電子機器の具体例について、図１４を参照して説明する。図１４は、上述の第１〜第５の実施形態にかかる液晶装置のいずれかを備えた携帯電話の斜視図である。携帯電話本体５００に、上述の液晶装置を備えた表示部５０１が備えられている。品質の向上した反射偏光子としてのワーヤーグリッドを備えているため、消費電力の抑制と表示画像の品質を高いレベルで両立している。   Next, a specific example of an electronic apparatus to which the liquid crystal device according to the embodiment is applied will be described with reference to FIG. FIG. 14 is a perspective view of a mobile phone including any one of the liquid crystal devices according to the first to fifth embodiments. The mobile phone body 500 includes a display unit 501 including the above-described liquid crystal device. Since it is equipped with a worker grid as a reflective polarizer with improved quality, it achieves both high power consumption control and display image quality.

液晶装置の全体構成を模式的に示す回路構成図。FIG. 3 is a circuit configuration diagram schematically illustrating an overall configuration of a liquid crystal device. 第１の実施形態にかかる液晶装置の模式平面図。1 is a schematic plan view of a liquid crystal device according to a first embodiment. 第１の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal device according to a first embodiment. （ａ）はワイヤーグリッドの模式斜視図、（ｂ）はワイヤーグリッドの模式断面図。(A) is a schematic perspective view of a wire grid, (b) is a schematic cross section of a wire grid. 第１の実施形態にかかる液晶装置の構成要素の光学軸を示す図。FIG. 3 is a diagram illustrating optical axes of components of the liquid crystal device according to the first embodiment. 第２の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal device according to a second embodiment. 第３の実施形態にかかる液晶装置の模式平面図。FIG. 6 is a schematic plan view of a liquid crystal device according to a third embodiment. 第３の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal device according to a third embodiment. 第４の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal device according to a fourth embodiment. 第５の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal device according to a fifth embodiment. 変形例１にかかる液晶装置の模式断面図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal device according to Modification Example 1. 変形例２にかかる液晶装置の模式断面図。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal device according to Modification 2. 変形例３にかかる液晶装置の模式断面図。10 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal device according to Modification 3. FIG. 実施形態にかかる液晶装置を適用した電子機器の具体例を示す図。FIG. 6 is a diagram illustrating a specific example of an electronic apparatus to which the liquid crystal device according to the embodiment is applied.

符号の説明Explanation of symbols

１０…第１の基板としての素子基板、１１…第２の基板としての対向基板、２０…画素電極、２１…金属体、２５…反射偏光子としてのワイヤーグリッド、２６…透明基板、２７…透光性絶縁膜としての保護膜、３０…共通電極、３１…第１の透過軸、３２…第２の透過軸、３３…第３の透過軸、３４…ラビング方向、３５…反射軸、４１…第１の保護膜、４２…第２の保護膜、４３…層間絶縁膜、４４…樹脂層、６１…ソース電極、６２…ドレイン電極、６３…真性半導体層、６４…ｎ+シリコン層、６５…ゲート絶縁膜、６６…コンタクトホール、７０…カラーフィルタ、７１…濃色部、７２…淡色部、７５…分割線、７７…透過表示領域、７８…反射表示領域、８１…第１の偏光板、８２…第２の偏光板、８３…第１の配向膜、８４…第２の配向膜、９０…バックライトユニット、９１…導光板、９２…反射板、９３…蛍光管、９５…液晶層、９８…ブラックマトリクス、１００…表示領域、１０２…走査線、１０４…データ線、１０６…容量線、１０８…蓄積容量、１１０…スイッチング素子としてのＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１３０…データ線駆動回路、５００…携帯電話本体、５０１…表示部。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Element board | substrate as 1st board | substrate, 11 ... Counter board | substrate as 2nd board | substrate, 20 ... Pixel electrode, 21 ... Metal body, 25 ... Wire grid as reflective polarizer, 26 ... Transparent substrate, 27 ... Transparent Protective film as a light insulating film, 30 ... common electrode, 31 ... first transmission axis, 32 ... second transmission axis, 33 ... third transmission axis, 34 ... rubbing direction, 35 ... reflection axis, 41 ... First protective film 42 ... second protective film 43 ... interlayer insulating film 44 ... resin layer 61 ... source electrode 62 ... drain electrode 63 ... intrinsic semiconductor layer 64 ... n + silicon layer 65 ... Gate insulating film 66 ... Contact hole 70 ... Color filter 71 ... Deep color part 72 ... Light color part 75 ... Partition line 77 ... Transmission display area 78 ... Reflection display area 81 ... First polarizing plate 82: second polarizing plate, 83: first alignment film, 84: Two alignment films, 90 ... Backlight unit, 91 ... Light guide plate, 92 ... Reflector plate, 93 ... Fluorescent tube, 95 ... Liquid crystal layer, 98 ... Black matrix, 100 ... Display area, 102 ... Scanning line, 104 ... Data line , 106 capacitance lines, 108 storage capacitors, 110 TFTs as switching elements, 120 scanning line drive circuits, 130 data line drive circuits, 500 mobile phone bodies, and 501 display units.

Claims (7)

第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に狭持される液晶層と、を備える液晶装置であって、
前記第１の基板は、画素電極と、共通電極と、該画素電極に接続されたスイッチング素子と、カラーフィルタと、を備え、
前記第２の基板の前記液晶層側の面には、前記第１の基板を透過して入射する光のうちの特定方向の偏光成分を前記第１の基板側に反射し、残りの偏光成分を透過する反射偏光子を備えることを特徴とする液晶装置。 A liquid crystal device comprising: a first substrate; a second substrate; and a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate,
The first substrate includes a pixel electrode, a common electrode, a switching element connected to the pixel electrode, and a color filter,
On the surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, a polarized component in a specific direction out of light incident through the first substrate is reflected toward the first substrate, and the remaining polarized component A liquid crystal device comprising a reflective polarizer that transmits light. 第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に狭持される液晶層と、複数の画素領域と、を備える液晶装置であって、
前記第１の基板は、画素電極と、該画素電極に接続されたスイッチング素子と、カラーフィルタと、を備え、
前記第２の基板は、前記複数の画素領域にわたって設けられた共通電極を備え、
前記第２の基板の前記液晶層側の面には、前記第１の基板を透過して入射する光のうちの特定方向の偏光成分を前記第１の基板側に反射し、残りの偏光成分を透過する反射偏光子を備えることを特徴とする液晶装置。 A liquid crystal device comprising: a first substrate; a second substrate; a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate; and a plurality of pixel regions.
The first substrate includes a pixel electrode, a switching element connected to the pixel electrode, and a color filter,
The second substrate includes a common electrode provided over the plurality of pixel regions,
On the surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, a polarized component in a specific direction out of light incident through the first substrate is reflected toward the first substrate, and the remaining polarized component A liquid crystal device comprising a reflective polarizer that transmits light. 前記反射偏光子がワイヤーグリッド偏光子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 1, wherein the reflective polarizer is a wire grid polarizer. 請求項２に記載の液晶装置であって、前記反射偏光子の上層には透光性絶縁膜が形成されており、前記共通電極は該透光性絶縁膜の上層に形成されていることを特徴とする液晶装置。   3. The liquid crystal device according to claim 2, wherein a translucent insulating film is formed on an upper layer of the reflective polarizer, and the common electrode is formed on an upper layer of the translucent insulating film. A characteristic liquid crystal device. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記カラーフィルタは前記スイッチング素子の上層に形成されており、
前記画素電極と前記スイッチング素子とは、前記カラーフィルタの一部の領域を除去して形成されたコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal device according to any one of claims 1 to 4,
The color filter is formed in an upper layer of the switching element,
The liquid crystal device, wherein the pixel electrode and the switching element are connected via a contact hole formed by removing a part of the color filter. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記カラーフィルタは前記スイッチング素子と前記第１の基板との間に形成されていることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal device according to any one of claims 1 to 4,
The liquid crystal device, wherein the color filter is formed between the switching element and the first substrate. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1.
JP2007253620A 2007-09-28 2007-09-28 Liquid crystal device and electronic device Pending JP2009086127A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007253620A JP2009086127A (en) 2007-09-28 2007-09-28 Liquid crystal device and electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007253620A JP2009086127A (en) 2007-09-28 2007-09-28 Liquid crystal device and electronic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009086127A true JP2009086127A (en) 2009-04-23

Family

ID=40659668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007253620A Pending JP2009086127A (en) 2007-09-28 2007-09-28 Liquid crystal device and electronic device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009086127A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011248284A (en) * 2010-05-31 2011-12-08 Sony Chemical & Information Device Corp Polarizing plate and method of manufacturing the same
JP2013045050A (en) * 2011-08-26 2013-03-04 Japan Display Central Co Ltd Liquid crystal display device
US8525958B2 (en) 2010-03-10 2013-09-03 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
US20140293187A1 (en) * 2013-03-28 2014-10-02 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2015180975A (en) * 2015-07-17 2015-10-15 デクセリアルズ株式会社 Manufacturing method of polarizer
JP2019191285A (en) * 2018-04-20 2019-10-31 市光工業株式会社 Mirror for vehicle

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8525958B2 (en) 2010-03-10 2013-09-03 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
JP2011248284A (en) * 2010-05-31 2011-12-08 Sony Chemical & Information Device Corp Polarizing plate and method of manufacturing the same
WO2011152422A1 (en) * 2010-05-31 2011-12-08 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 Polarizing plate and method for producing polarizing plate
US9097857B2 (en) 2010-05-31 2015-08-04 Dexerials Corporation Polarizing plate and method for producing polarizing plate
JP2013045050A (en) * 2011-08-26 2013-03-04 Japan Display Central Co Ltd Liquid crystal display device
US9030636B2 (en) 2011-08-26 2015-05-12 Japan Display Inc. Liquid crystal display apparatus
US20140293187A1 (en) * 2013-03-28 2014-10-02 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9618793B2 (en) * 2013-03-28 2017-04-11 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2015180975A (en) * 2015-07-17 2015-10-15 デクセリアルズ株式会社 Manufacturing method of polarizer
JP2019191285A (en) * 2018-04-20 2019-10-31 市光工業株式会社 Mirror for vehicle
JP7297192B2 (en) 2018-04-20 2023-06-26 美里工業株式会社 vehicle mirror

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100805512B1 (en) Liquid crystal device and electronic equipment
JP4155276B2 (en) Liquid crystal device and electronic device
JP5517717B2 (en) Liquid crystal display
US20080218670A1 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP2004085918A (en) Liquid crystal display device, method for manufacturing same, and electronic apparatus
JP2009086127A (en) Liquid crystal device and electronic device
JP4386084B2 (en) Liquid crystal device and electronic device
JP2006276111A (en) Liquid crystal display device and electronic apparatus
JP2000321566A (en) Liquid crystal display device
KR20060104909A (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP4923847B2 (en) LCD panel
CN1249501C (en) Electro-optical device and electronic equipment
KR100500482B1 (en) Liquid crystal device and electronic equipment using the same
JP2009163085A (en) Electrooptical device, manufacturing method of electrooptical device and electronic equipment
US7746441B2 (en) Spacer positioning to improve display quality in a liquid crystal display apparatus
JP2007093859A (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP6903425B2 (en) Liquid crystal display device
JP3726569B2 (en) Transflective and reflective liquid crystal devices and electronic equipment using them
KR102522531B1 (en) Mirror display panel
KR20180077940A (en) Borderless display device
JP4052293B2 (en) Liquid crystal device and electronic device
JP2008157997A (en) Liquid crystal device and electronic equipment
JP2009294348A (en) Liquid crystal display device and electric equipment
JP2004109797A (en) Semitransmission type liquid crystal display
JP4292863B2 (en) Electro-optical device substrate, electro-optical device, electro-optical device manufacturing method, and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100526

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100526