JP2009076578A - Workpiece processing system, workpiece processing method, exposure apparatus, exposure method, coater/developer, coating/developing method and device manufacturing method - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a workpiece processing system capable of forming a uniform pattern, and to provide a workpiece processing method, exposure apparatus, exposure method, coater/developer, coating/developing method and device manufacturing method. <P>SOLUTION: The workpiece processing system has: a first processing device 50 for performing first processing; and a second processing device 10 for executing second processing to a workpiece and supplying the workpiece after second processing to the first processing device. The system further has: a communication device for connecting the first processing device to the second processing device, and allowing communication between the first processing device and the second processing device; and a controller for putting the workpiece in a standby state at least at any one selected from a second processing position for performing the second processing and a third processing position on the upper part of the second processing position until the start of the second processing on the basis of information about the first processing informed from the first processing device to the second processing device via the communication device. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法、塗布現像装置、塗布現像方法及びデバイス製造方法に関するものである。   The present invention relates to an object processing system, an object processing method, an exposure apparatus, an exposure method, a coating and developing apparatus, a coating and developing method, and a device manufacturing method.

電子部品等の物体の製造工程では、複数の処理装置を用いた処理が行われることがある。このような複数の処理装置を用いて処理が行われる電子部品の製造工程の一例として、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）のリソグラフィ工程では、例えば基板（物体）上にレジストなどの感光材を塗布する機能と、露光後に基板の現像を行う機能とを有するコータ・デベロッパ装置（以下Ｃ／Ｄ装置）を露光装置にインラインで接続したインライン・リソグラフィシステムを用いることがある（例えば、特許文献１参照）。インライン・リソグラフィシステムでは、塗布処理、露光処理及び現像処理を連続して行うことができるため、効率的な処理が可能となる。   In the manufacturing process of an object such as an electronic component, processing using a plurality of processing apparatuses may be performed. As an example of a manufacturing process of an electronic component that is processed using such a plurality of processing apparatuses, in a lithography process of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”), for example, a photosensitive material such as a resist on a substrate (object) In some cases, an in-line lithography system in which a coater / developer apparatus (hereinafter referred to as a C / D apparatus) having a function of coating a substrate and a function of developing a substrate after exposure is connected in-line to the exposure apparatus may be used (for example, Patent Documents). 1). In the in-line lithography system, coating processing, exposure processing, and development processing can be performed continuously, so that efficient processing is possible.

このようなインライン・リソグラフィシステムでは、従来と同様、ロットごとにウエハに対して塗布処理、露光処理及び現像処理を行うのが一般的である。具体的には、ロットごとに塗布処理を行い、塗布処理の終了したウエハを露光装置に搬送して露光処理を行う。露光処理の終了後には、露光装置からＣ／Ｄ装置へとウエハが搬送され、Ｃ／Ｄ装置に設けられた温調部によってウエハの温度調節を行ってから現像処理に移る。   In such an in-line lithography system, it is common to perform a coating process, an exposure process, and a development process on a wafer for each lot, as in the past. Specifically, the coating process is performed for each lot, and the wafer after the coating process is transferred to the exposure apparatus to perform the exposure process. After the exposure process is completed, the wafer is transported from the exposure apparatus to the C / D apparatus, the temperature of the wafer is adjusted by a temperature control unit provided in the C / D apparatus, and then the development process is started.

ウエハに塗布されたレジストは、時間の経過と共に化学的性質が変化することがある。特に露光処理が完了してから、ウエハの温度調整を行いウエハの現像処理にいたるまでの間、レジストの化学的性質が変化しやすくなる。レジストの化学的性質がウエハごとに異なる状態で現像処理を行うと、ウエハに形成される例えば配線パターンの幅などにバラつきが生じてしまう。このため、レジストの化学的性質が変化しやすい時間、すなわち、露光処理の終了からウエハの現像処理が行われるまでの時間（以下、「ＰＥＤ時間」という）をウエハごとに均一にし、当該レジストの化学的性質をウエハごとに均一にした状態で現像処理を行うようにしている。
特開２００５−２４４２３２号公報 The resist applied to the wafer may change in chemical properties over time. In particular, the chemical properties of the resist easily change after the exposure process is completed and before the wafer temperature is adjusted and the wafer is developed. If the development process is performed in a state where the chemical properties of the resist are different for each wafer, the width of the wiring pattern formed on the wafer varies. For this reason, the time during which the chemical properties of the resist are likely to change, that is, the time from the end of the exposure process until the development process of the wafer is performed (hereinafter referred to as “PED time”) is uniform for each wafer. Development processing is performed with the chemical properties uniform for each wafer.
JP 2005-244232 A

露光終了後、Ｃ／Ｄ装置においてウエハの温度調節を行う際、温度調節のタイミングとしては、例えばロットごとにその温度を変更する。複数のロットについて連続して処理を行う場合では、ロットが切り替わるときに温調部の温度が変更されることがあり、温調部の温度を変更する間、露光終了後のウエハをＣ／Ｄ装置内に搬送することができないため、ＰＥＤ時間にバラつきが生じてしまう。このため、ウエハに形成されるパターンにバラつきが生じるという問題がある。
After the exposure, when the temperature of the wafer is adjusted in the C / D apparatus, the temperature adjustment timing is changed, for example, for each lot. In the case where a plurality of lots are processed continuously, the temperature of the temperature adjustment unit may be changed when the lots are switched, and the wafer after exposure is subjected to C / D while changing the temperature of the temperature adjustment unit. Since it cannot be transported into the apparatus, the PED time varies. For this reason, there is a problem that variations occur in the pattern formed on the wafer.

本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、均一なパターンを形成することが可能な物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法、塗布現像装置、塗布現像方法及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of the above points, and an object processing system, an object processing method, an exposure apparatus, an exposure method, a coating and developing apparatus, a coating and developing method, and a method capable of forming a uniform pattern, and An object is to provide a device manufacturing method.

上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図５に対応付けした以下の構成を採用している。   In order to achieve the above object, the present invention adopts the following configuration corresponding to FIGS. 1 to 5 showing the embodiment.

本発明に係る物体処理システム（１００）は、第１処理を行う第１処理装置（５０）と、物体（Ｗ）に第２処理を行い前記第２処理後の前記物体を前記第１処理装置に供給する第２処理装置（１０）とを備えた物体処理システムであって、前記第１処理装置と前記第２処理装置とを接続し、前記第１処理装置と前記第２処理装置との間で情報を通信させる通信装置（ＣＳ）と、前記第１処理装置から前記第２処理装置へ前記通信装置を介して通知された前記第１処理に関する情報に基づいて、前記第２処理が行われる第２処理位置及び当該第２処理位置（ＰＬ）の上流側に位置する第３処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で前記第２処理の開始まで前記物体を待機させる制御装置（１２０）とを備えることを特徴とする。   The object processing system (100) according to the present invention includes a first processing device (50) that performs a first processing, and performs a second processing on the object (W) and converts the object after the second processing into the first processing device. An object processing system comprising: a second processing apparatus (10) for supplying to the first processing apparatus; wherein the first processing apparatus and the second processing apparatus are connected, and the first processing apparatus and the second processing apparatus are connected to each other. The second process is performed based on information related to the first process notified from the first processing apparatus to the second processing apparatus via the communication apparatus. The control device (120) that waits for the object until the start of the second process at least one of the second process position and the third process position (PSU, 114A) located upstream of the second process position (PL). ).

本発明によれば、第１処理装置（５０）から第２処理装置（１０）に通信装置（ＣＳ）を介して第１処理に関する情報が通知されると、制御装置（１２０）は第２処理が行われる第２処理位置（ＰＬ）及び当該第２処理位置の上流側に位置する第３処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で第２処理の開始まで物体（Ｗ）を待機させる。第２処理が行われた後で待機させるのではなく、第２処理が行われる前に物体を待機させるため、物体に第２処理が行われてから第１処理装置に供給されるまでの時間を均一にすることができる。   According to the present invention, when information about the first process is notified from the first processing device (50) to the second processing device (10) via the communication device (CS), the control device (120) performs the second processing. At least one of the second processing position (PL) where the processing is performed and the third processing position (PSU, 114A) located upstream of the second processing position causes the object (W) to wait until the start of the second processing. Time until the object is supplied to the first processing apparatus after the second process is performed to wait for the object before the second process is performed instead of waiting after the second process is performed. Can be made uniform.

また、本発明に係る物体処理方法は、第１処理装置（５０）にて第１処理を行い、第２処理装置（１０）にて物体（Ｗ）に第２処理を行い前記第２処理後の前記物体を前記第１処理装置に供給する物体処理方法であって、前記第１処理装置から前記第２処理装置へ前記第１処理に関する情報を通知する通知工程と、前記第１処理に関する情報に基づいて、前記第２処理が行われる第２処理位置（ＰＬ）及び当該第２処理位置の上流側に位置する第３処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で前記第２処理の開始まで前記物体を待機させる待機工程とを備えることを特徴とする。   In the object processing method according to the present invention, the first processing device (50) performs the first processing, the second processing device (10) performs the second processing on the object (W), and after the second processing. An object processing method of supplying the object to the first processing apparatus, wherein a notification step of notifying the second processing apparatus of information related to the first process from the first processing apparatus, and information related to the first process Based on the start of the second process at least one of the second process position (PL) where the second process is performed and the third process position (PSU, 114A) located upstream of the second process position. And a standby step of waiting the object until.

本発明によれば、第１処理装置（５０）から第２処理装置（１０）に第１処理に関する情報が通知されると、待機工程において第２処理が行われる第２処理位置（ＰＬ）及び当該第２処理位置の上流側に位置する第３処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で第２処理の開始まで物体（Ｗ）を待機させることになる。第２処理が行われた後で物体が待機するのではなく、第２処理が行われる前に物体を待機させるため、物体に第２処理が行われてから第１処理装置に供給されるまでの時間を均一にすることができる。   According to the present invention, when information related to the first process is notified from the first processing apparatus (50) to the second processing apparatus (10), the second processing position (PL) in which the second process is performed in the standby process and At least one of the third processing positions (PSU, 114A) located upstream of the second processing position causes the object (W) to wait until the start of the second processing. Since the object waits before the second process is performed instead of waiting for the object after the second process is performed, the object is supplied to the first processing apparatus after the second process is performed. Can be made uniform.

また、本発明に係る露光装置（１０）は、基板（Ｗ）に露光処理を行い前記露光処理後の前記基板を外部に供給する露光装置であって、前記外部から通知される所定の処理に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる制御装置（１２０）を備えることを特徴とする。   An exposure apparatus (10) according to the present invention is an exposure apparatus that performs an exposure process on a substrate (W) and supplies the substrate after the exposure process to the outside, and relates to a predetermined process notified from the outside. Based on the information, at least one of the exposure position (PL) where the exposure process is performed and the substrate processing position (PSU, 114A) located upstream of the exposure position causes the substrate to wait until the exposure process starts. A control device (120) is provided.

本発明によれば、外部から露光装置（１０）に第１処理に関する情報が通知されると、制御装置（１２０）は露光処理が行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で露光処理の開始まで基板（Ｗ）を待機させる。露光処理が行われた後で基板を待機させるのではなく、露光処理が行われる前に基板を待機させるため、基板に露光処理が行われてから外部に供給されるまでの時間を均一にすることができる。   According to the present invention, when information related to the first process is notified from the outside to the exposure apparatus (10), the control apparatus (120) is positioned at the exposure position (PL) at which the exposure process is performed and on the upstream side of the exposure position. At least one of the substrate processing positions to be performed (PSU, 114A) waits for the substrate (W) until the start of the exposure processing. Rather than waiting the substrate after the exposure processing is performed, the substrate is waited before the exposure processing is performed, so that the time from the exposure processing to the substrate being supplied to the outside is made uniform. be able to.

また、本発明に係る露光方法は、露光装置（１０）によって基板（Ｗ）に露光処理を行い前記露光処理後の前記基板を外部に供給する露光方法であって、外部から通知される所定の処理に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる待機工程を備えることを特徴とする。   An exposure method according to the present invention is an exposure method in which an exposure apparatus (10) performs an exposure process on a substrate (W) and supplies the substrate after the exposure process to the outside. Based on the information related to the processing, the substrate is moved until the exposure processing is started at least one of an exposure position (PL) where the exposure processing is performed and a substrate processing position (PSU, 114A) located upstream of the exposure position. A standby process for waiting is provided.

本発明によれば、外部から露光装置（１０）に第１処理に関する情報が通知されると、制御装置（１２０）は露光処理が行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で露光処理の開始まで基板（Ｗ）が待機することになる。露光処理が行われた後で基板を待機させるのではなく、露光処理が行われる前に基板を待機させるため、基板に露光処理が行われてから外部に供給されるまでの時間を均一にすることができる。   According to the present invention, when information related to the first process is notified from the outside to the exposure apparatus (10), the control apparatus (120) is positioned at the exposure position (PL) at which the exposure process is performed and on the upstream side of the exposure position. At least one of the substrate processing positions to be performed (PSU, 114A) waits until the exposure processing starts. Rather than waiting the substrate after the exposure processing is performed, the substrate is waited before the exposure processing is performed, so that the time from the exposure processing to the substrate being supplied to the outside is made uniform. be able to.

本発明に係る塗布現像装置（５０）は、基板（Ｗ）に塗布処理を行い前記塗布処理後の前記基板を外部に供給すると共に、前記外部において露光処理が行われた前記基板に現像処理を行う塗布現像装置であって、前記塗布処理及び前記現像処理のうち少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる制御装置（６２）を備えることを特徴とする。   A coating and developing apparatus (50) according to the present invention performs a coating process on a substrate (W), supplies the substrate after the coating process to the outside, and performs a developing process on the substrate on which the exposure process has been performed outside. A coating and developing apparatus for performing an exposure position (PL) at which the exposure process is performed and a substrate processing position (upstream of the exposure position) based on information on at least one of the coating process and the development process. At least one of the PSUs 114A) includes a control device (62) for waiting the substrate until the start of the exposure process.

本発明によれば、制御装置（６２）が塗布処理及び現像処理のうち少なくとも一方に関する情報に基づいて、露光処理の行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で露光処理の開始まで基板（Ｗ）を待機させることができる。露光処理が行われた後で基板を待機させるのではなく、露光処理が行われる前に基板を待機させるため、基板に露光処理が行われてから外部に供給されるまでの時間を均一にすることができる。   According to the present invention, based on the information related to at least one of the coating process and the development process, the control device (62) performs the exposure process (PL) and the substrate processing position located upstream of the exposure position. At least one of (PSU, 114A) can wait for the substrate (W) until the start of the exposure process. Rather than waiting the substrate after the exposure processing is performed, the substrate is waited before the exposure processing is performed, so that the time from the exposure processing to the substrate being supplied to the outside is made uniform. be able to.

本発明に係る塗布現像方法は、基板（Ｗ）に塗布処理を行い前記塗布処理後の前記基板を外部に供給すると共に、前記外部において露光処理が行われた前記基板に現像処理を行う塗布現像方法であって、前記塗布処理及び前記現像処理のうち少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる待機工程を備えることを特徴とする。   The coating and developing method according to the present invention is a coating and developing method in which a coating process is performed on a substrate (W) and the substrate after the coating process is supplied to the outside, and the developing process is performed on the substrate on which the exposure process has been performed outside. In accordance with information on at least one of the coating process and the development process, an exposure position (PL) at which the exposure process is performed and a substrate processing position (PSU, 114A) located upstream of the exposure position. ) At least one of the above, a standby process for waiting the substrate until the start of the exposure process is provided.

本発明によれば、塗布処理及び前記現像処理のうち少なくとも一方に関する情報に基づいて、露光処理の行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で露光処理の開始まで基板（Ｗ）が待機することになる。露光処理が行われた後で基板を待機させるのではなく、露光処理が行われる前に基板を待機させるため、基板に露光処理が行われてから外部に供給されるまでの時間を均一にすることができる。   According to the present invention, based on information relating to at least one of the coating process and the development process, the exposure position (PL) at which the exposure process is performed and the substrate processing position (PSU, 114A) located upstream of the exposure position. At least one of the substrates (W) waits until the exposure process starts. Rather than waiting the substrate after the exposure processing is performed, the substrate is waited before the exposure processing is performed, so that the time from the exposure processing to the substrate being supplied to the outside is made uniform. be able to.

本発明に係るデバイス製造方法は、先に記載の物体処理方法又は露光方法を用いることを特徴とすることを特徴とするものである。
従って、本発明のデバイス製造方法では、物体に第２処理が行われてから第１処理装置に供給されるまでの時間を均一にすることができるので、物体に均一なパターンを形成することができ、高品質のデバイスを製造できる。 A device manufacturing method according to the present invention is characterized by using the object processing method or the exposure method described above.
Therefore, in the device manufacturing method of the present invention, the time from when the second process is performed on the object until it is supplied to the first processing apparatus can be made uniform, so that a uniform pattern can be formed on the object. High quality devices.

なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。   In order to explain the present invention in an easy-to-understand manner, the description has been made in association with the reference numerals of the drawings showing one embodiment, but it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiment.

本発明では、均一なパターンを形成することができる。   In the present invention, a uniform pattern can be formed.

以下、図面を参照して本発明の物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法の実施の形態を説明する。   Embodiments of an object processing system, an object processing method, an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

本実施形態では、物体処理システムを構成する第１処理装置としてコータ・デベロッパ装置（以下、「Ｃ／Ｄ装置」という）を用い、第２処理装置として露光装置を用いる場合を説明する。なお、Ｃ／Ｄ装置は、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ（物体、基板）に対する感光材塗布処理を行うとともに露光処理が施されたウエハに現像処理を施す装置である。露光装置は、Ｃ／Ｄ装置から搬送されたウエハに対して露光処理（第２処理）を施す装置である。以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。   In the present embodiment, a case will be described in which a coater / developer apparatus (hereinafter referred to as “C / D apparatus”) is used as the first processing apparatus constituting the object processing system, and an exposure apparatus is used as the second processing apparatus. The C / D apparatus is an apparatus that performs a photosensitive material coating process on a semiconductor wafer (object, substrate) for manufacturing a semiconductor device and performs a development process on the wafer that has been subjected to an exposure process. The exposure apparatus is an apparatus that performs an exposure process (second process) on the wafer transferred from the C / D apparatus. In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed in order to make each member a recognizable size.

図１には、本発明に係る露光装置及びＣ／Ｄ装置を含んで構成された第１実施形態に係るリソグラフィシステムの構成が、平面図にて示されている。
この図１に示されるリソグラフィシステム（物体処理システム）１００は、クリーンルーム内に設置されている。このリソグラフィシステム１００は、クリーンルームの床面上に設置された露光装置（第２処理装置）１０と、該露光装置１０の−Ｙ側（図１における紙面左側）に、インライン・インタフェース部（以下、「インラインＩ／Ｆ部」と呼ぶ）１１０を介して接続された第１処理装置としてのＣ／Ｄ装置５０とを備えている。 FIG. 1 is a plan view showing the configuration of a lithography system according to the first embodiment configured to include an exposure apparatus and a C / D apparatus according to the present invention.
A lithography system (object processing system) 100 shown in FIG. 1 is installed in a clean room. The lithography system 100 includes an exposure apparatus (second processing apparatus) 10 installed on the floor surface of a clean room, and an inline interface unit (hereinafter, referred to as “left side” in FIG. 1) of the exposure apparatus 10. And a C / D device 50 serving as a first processing device connected via a 110) (referred to as an “inline I / F unit”).

露光装置１０は、図１におけるＹ軸方向の中央やや−Ｙ側寄りの位置に仕切り壁１４が設けられたチャンバ１６と、該チャンバ１６内部の仕切り壁１４によって区画されたＸ軸方向一側（−Ｘ側）の大部屋１２Ａの内部に収容された露光装置本体１０Ａ（図１では、ウエハステージＷＳＴ及び投影光学系ＰＬ以外の部分は図示省略）と、チャンバ１６内部の仕切り壁１４によって区画されたＸ軸方向他側（＋Ｘ側）の小部屋１２Ｂの内部にその大部分が収容された基板搬送系としてのウエハローダ系４０とを備えている。ウエハローダ系４０は、搬送アームＨ１〜Ｈ４を備えており、Ｙ軸方向に延びるＹガイド１８と、該Ｙガイド１８の上方（図１における紙面手前側）に位置しＸ軸方向に延びるＸガイド２０とを搬送ガイドとして備えている。露光装置本体１０Ａには、チャンバ１６の外部に配置された光源としてのレーザ装置１が、引き回し光学系ＢＭＵを介して接続されている。   The exposure apparatus 10 includes a chamber 16 in which a partition wall 14 is provided at a position slightly closer to the center in the Y-axis direction in FIG. 1 and the X-axis direction on one side defined by the partition wall 14 inside the chamber 16 ( -X side) is divided by an exposure apparatus main body 10A (not shown in FIG. 1 except for the wafer stage WST and projection optical system PL) and a partition wall 14 inside the chamber 16 accommodated in the large room 12A. In addition, a wafer loader system 40 as a substrate transfer system in which most of the small chamber 12B on the other side in the X-axis direction (+ X side) is accommodated is provided. The wafer loader system 40 includes transfer arms H1 to H4, a Y guide 18 extending in the Y-axis direction, and an X guide 20 positioned above the Y guide 18 (front side in FIG. 1) and extending in the X-axis direction. As a conveyance guide. A laser apparatus 1 as a light source disposed outside the chamber 16 is connected to the exposure apparatus main body 10A via a routing optical system BMU.

図２には、露光装置１０の構成が正面図にて概略的に示されている。但し、この図２では、チャンバ１６が仮想線（二点鎖線）にて示されている。この露光装置１０は、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置、すなわちいわゆるスキャナ（スキャニング・ステッパとも呼ばれる）である。   FIG. 2 schematically shows the configuration of the exposure apparatus 10 in a front view. However, in FIG. 2, the chamber 16 is indicated by a virtual line (two-dot chain line). The exposure apparatus 10 is a step-and-scan type scanning projection exposure apparatus, that is, a so-called scanner (also called a scanning stepper).

この露光装置１０は、露光光ＩＬによりレチクルＲを照明する照明光学系ＩＬＵと、レチクルＲを保持して移動可能なレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲから射出される露光光ＩＬをウエハＷ上に投射する投影光学系ＰＬと、ウエハＷを保持して移動可能なウエハステージＷＳＴと、投影光学系ＰＬ等を保持すると共にウエハステージＷＳＴが搭載される本体コラムＣＬとを有しており、露光装置１０を統括的に制御する主制御装置１２０等を有している。   The exposure apparatus 10 projects an illumination optical system ILU that illuminates the reticle R with exposure light IL, a reticle stage RST that can move while holding the reticle R, and exposure light IL emitted from the reticle R onto the wafer W. A projection optical system PL, a wafer stage WST that is movable while holding the wafer W, and a main body column CL that holds the projection optical system PL and the like and is mounted with the wafer stage WST. The main control device 120 and the like for overall control.

照明光学系ＩＬＵは、レチクルステージＲＳＴに支持されているレチクルＲを露光光ＩＬで照明する光学系である。この照明光学系ＩＬＵは、レーザ装置１から射出された露光光ＩＬの照度を均一化するオプティカルインテグレータ、コンデンサレンズ、リレーレンズ系、レチクルＲ上の露光光ＩＬによる照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等（いずれも不図示）を有しており、レチクルＲ上の所定の照明領域をより均一な照度分布の露光光ＩＬで照明可能となっている。レーザ装置１から射出される露光光ＩＬとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）等の紫外光が用いられる。   The illumination optical system ILU is an optical system that illuminates the reticle R supported by the reticle stage RST with the exposure light IL. The illumination optical system ILU is a variable that sets the illumination area by the exposure light IL on the optical integrator, condenser lens, relay lens system, and reticle R to equalize the illuminance of the exposure light IL emitted from the laser device 1 in a slit shape. A field stop or the like (both not shown) is provided, and a predetermined illumination area on the reticle R can be illuminated with the exposure light IL having a more uniform illuminance distribution. The exposure light IL emitted from the laser device 1 includes, for example, ultraviolet emission lines (g-line, h-line, i-line) emitted from a mercury lamp, KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), ArF excimer laser light (wavelength). Ultraviolet light such as 193 nm) is used.

レチクルステージＲＳＴは、レチクルＲを支持しつつ、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内の２次元移動及び微小回転を行うステージ装置である。レチクルステージＲＳＴ上のレチクルＲの２次元方向の位置及び回転角は、レーザ干渉計１３によりリアルタイムで測定され、その測定結果は主制御装置１２０に出力されるようになっている。レチクルステージＲＳＴ上には、このレーザ干渉計１３からのレーザビームを反射する移動鏡１５が設けられている。また、レチクルステージＲＳＴには不図示のリニアモータが設けられており、主制御装置１２０がレーザ干渉計１３の測定結果に基づいて当該リニアモータを駆動することで、レチクルステージＲＳＴに支持されているレチクルＲの位置決めが行われるようになっている。   Reticle stage RST is a stage device that supports reticle R and performs two-dimensional movement and fine rotation in a plane perpendicular to optical axis AX of projection optical system PL. The position and rotation angle of the reticle R on the reticle stage RST in the two-dimensional direction are measured in real time by the laser interferometer 13, and the measurement result is output to the main controller 120. A movable mirror 15 that reflects the laser beam from the laser interferometer 13 is provided on the reticle stage RST. The reticle stage RST is provided with a linear motor (not shown), and the main controller 120 drives the linear motor based on the measurement result of the laser interferometer 13 so that the reticle stage RST is supported by the reticle stage RST. The reticle R is positioned.

投影光学系ＰＬは、レチクルＲに形成されたパターンを所定の投影倍率でウエハＷに投影露光する光学系であり、複数の光学素子が鏡筒内に収容された構成になっている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４あるいは１／５の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。この投影光学系ＰＬの鏡筒には、フランジＦＬＧが設けられ、該フランジＦＬＧを介して投影光学系ＰＬが鏡筒定盤１３８によって支持されている。   The projection optical system PL is an optical system that projects and exposes a pattern formed on the reticle R onto the wafer W at a predetermined projection magnification, and has a configuration in which a plurality of optical elements are accommodated in a lens barrel. In the present embodiment, the projection optical system PL is a reduction system having a projection magnification β of, for example, 1/4 or 1/5. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. The lens barrel of the projection optical system PL is provided with a flange FLG, and the projection optical system PL is supported by the lens barrel surface plate 138 via the flange FLG.

前記ウエハステージＷＳＴは、リニアモータあるいは平面モータ等の不図示の駆動系によってＸＹ二次元面内（θｚ回転を含む）でステージベースＳＢ上面に沿って自在に駆動されるＸＹステージ１４１と、該ＸＹステージ１４１上に搭載されたウエハテーブルＴＢとを含んで構成されている。前記ステージベースＳＢは、不図示の防振ユニットを介して床面に支持されている。ウエハテーブルＴＢ上には、レーザ干渉計３１からのレーザビームを反射する移動鏡２７が固定されている。レーザ干渉計３１により、ウエハテーブルＴＢのＸＹ面内の位置が常時検出されている。ウエハテーブルＴＢの位置情報は主制御装置１２０に送られ、主制御装置１２０では前記位置情報に基づいてウエハテーブルＴＢを制御する。   Wafer stage WST includes XY stage 141 that is freely driven along the upper surface of stage base SB within an XY two-dimensional plane (including θz rotation) by a drive system (not shown) such as a linear motor or a planar motor, and XY And a wafer table TB mounted on a stage 141. The stage base SB is supported on the floor surface via a vibration isolation unit (not shown). A movable mirror 27 that reflects the laser beam from the laser interferometer 31 is fixed on the wafer table TB. The position in the XY plane of the wafer table TB is always detected by the laser interferometer 31. The position information of the wafer table TB is sent to the main controller 120, and the main controller 120 controls the wafer table TB based on the position information.

また、図１に戻って、ローダ室１２Ｂ内には、温調・アライメントユニット（第２温調部）ＰＳＵが設けられている。温調・アライメントユニットＰＳＵには、不図示のウエハエッジセンサ及びターンテーブルが配置されていると共に、ウエハステージＷＳＴに搬送されるウエハＷに対して当該ウエハステージＷＳＴの温度（露光装置本体１０Ａの雰囲気温度）に温度調整する例えばクールプレートなどの温調ユニットが設けられている。また、ローダ室１２Ｂ内には、ウエハローダ系４０の各部を制御するとともに、後述するＣ／Ｄ側の制御装置との間で通信回線を介して搬送中のウエハに関する情報の交換、すなわち通信を行うローダ制御装置３４が設けられている。   Returning to FIG. 1, a temperature control / alignment unit (second temperature control unit) PSU is provided in the loader chamber 12B. The temperature adjustment / alignment unit PSU is provided with a wafer edge sensor (not shown) and a turntable, and the temperature of the wafer stage WST (atmosphere of the exposure apparatus main body 10A) with respect to the wafer W transferred to the wafer stage WST. For example, a temperature control unit such as a cool plate is provided. Also, in the loader chamber 12B, each part of the wafer loader system 40 is controlled, and information exchange, that is, communication with respect to the wafer being transferred is performed with a C / D-side control device described later via a communication line. A loader control device 34 is provided.

インラインＩ／Ｆ部１１０は、インライン受け渡し部１１４、キャリア台１１８及び水平多関節型ロボット１１６等を備えている。なお、インライン受け渡し部１１４には、供給用テーブル（搬入部）１１４Ａと回収用テーブル１１４Ｂとが設けられている。   The inline I / F unit 110 includes an inline delivery unit 114, a carrier table 118, a horizontal articulated robot 116, and the like. The inline delivery unit 114 is provided with a supply table (carry-in unit) 114A and a collection table 114B.

図３は、Ｃ／Ｄ装置５０の概略構成を示す平面図である。同図に示すように、Ｃ／Ｄ装置５０は、カセットステーション３０と、処理ステーション３１と、インターフェース部３２とを一体に接続した構成を有している。
カセットステーション３０は、カセット載置台２１上の突起２１ａの位置に複数個のウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション３１側に向けてＸ方向一列に載置された構成になっており、カセット配列方向（Ｘ方向）およびウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２２が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。さらに、このウエハ搬送体２２は、θ方向に回転可能に構成されている。 FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of the C / D device 50. As shown in the figure, the C / D device 50 has a configuration in which a cassette station 30, a processing station 31, and an interface unit 32 are integrally connected.
The cassette station 30 has a configuration in which a plurality of wafer cassettes CR are placed in a line in the X direction at the position of the protrusion 21a on the cassette placing table 21 with the respective wafer entrances and entrances facing the processing station 31 side. A wafer transfer body 22 movable in the arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction (Z direction) of the wafers stored in the wafer cassette CR selectively accesses each wafer cassette CR. Further, the wafer transfer body 22 is configured to be rotatable in the θ direction.

処理ステーション３１は、装置背面側（図中上方）において、カセットステーション３０側から処理ユニット部Ｇ３、処理ユニット部Ｇ４及び処理ユニット部Ｇ５がそれぞれ配置され、これら処理ユニット部Ｇ３と処理ユニット部Ｇ４との間には、主ウエハ搬送部Ａ１が設けられている。主ウエハ搬送部Ａ１は、ロボットアーム６８ａが処理ユニット部Ｇ１、処理ユニット部Ｇ３及び処理ユニット部Ｇ４等に選択的にアクセスできるように設置されている。また、処理ユニット部Ｇ４と処理ユニット部Ｇ５との間には主ウエハ搬送部Ａ２が設けられ、主ウエハ搬送部Ａ２は、ロボットアーム６８ｂが処理ユニット部Ｇ２、処理ユニット部Ｇ４及び処理ユニット部Ｇ５等に選択的にアクセスできるように設置されている。   The processing station 31 includes a processing unit unit G3, a processing unit unit G4, and a processing unit unit G5 arranged from the cassette station 30 side on the back side of the apparatus (upper side in the drawing), and the processing unit unit G3 and the processing unit unit G4. Between the two, a main wafer transfer unit A1 is provided. The main wafer transfer unit A1 is installed so that the robot arm 68a can selectively access the processing unit unit G1, the processing unit unit G3, the processing unit unit G4, and the like. In addition, a main wafer transfer unit A2 is provided between the processing unit unit G4 and the processing unit unit G5. The main wafer transfer unit A2 includes a processing unit unit G2, a processing unit unit G4, and a processing unit unit G5. It is installed so that it can be selectively accessed.

主ウエハ搬送部Ａ１の背面側には熱処理ユニットが設置されており、例えばウエハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット（ＡＤ）１１０、ウエハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）１１３が下方から順に複数段ずつ重ねられている。アドヒージョンユニット（ＡＤ）はウエハＷを温調する機構を更に有する構成にしてもよい。主ウエハ搬送部Ａ２の背面側には、ウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置（ＷＥＥ）１２０及びウエハＷに塗布されたレジスト膜厚を検査する検査装置が設けられている。これら周辺露光装置（ＷＥＥ）１２０や検査装置は多段に配置しても構わない。   A heat treatment unit is installed on the back side of the main wafer transfer unit A1, for example, an adhesion unit (AD) 110 for hydrophobizing the wafer W and a heating unit (HP) 113 for heating the wafer W are provided below. Multiple layers are stacked in order. The adhesion unit (AD) may further include a mechanism for adjusting the temperature of the wafer W. On the back side of the main wafer transfer unit A2, a peripheral exposure device (WEE) 120 that selectively exposes only the edge portion of the wafer W and an inspection device that inspects the resist film thickness applied to the wafer W are provided. . These peripheral exposure apparatuses (WEE) 120 and inspection apparatuses may be arranged in multiple stages.

処理ユニット部Ｇ３では、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えばウエハＷに所定の加熱処理を施す第１の熱処理ユニットである高温度熱処理ユニット、ウエハＷに精度の良い温度管理化で加熱処理を施す高精度温調ユニット、ウエハ搬送体２２からロボットアーム６８ａへのウエハＷの受け渡し部となるトランジションユニット、温調ユニットが上から順に重ねられている。処理ユニット部Ｇ４では、例えば熱処理ユニットとしてプリベークユニット、レジスト塗布後のウエハＷに加熱処理を施すポストベークユニットＰＢＵ、高精度温調ユニットが上から順に重ねられている。処理ユニット部Ｇ５では、例えば露光後のウエハＷに加熱処理を施すポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥベーキングユニット）ＰＢＵ、高精度温調ユニットが例えば上から順に重ねられている。   In the processing unit G3, an oven-type processing unit that performs predetermined processing by placing the wafer W on a mounting table, for example, a high-temperature heat processing unit that is a first heat processing unit that performs predetermined heat processing on the wafer W, A high-precision temperature control unit that performs heat treatment with high-precision temperature management, a transition unit that serves as a transfer unit of the wafer W from the wafer transfer body 22 to the robot arm 68a, and a temperature control unit are stacked in order from the top. In the processing unit G4, for example, a pre-bake unit as a heat treatment unit, a post-bake unit PBU for performing heat treatment on the resist-coated wafer W, and a high-precision temperature control unit are stacked in order from the top. In the processing unit G5, for example, a post-exposure baking unit (PE baking unit) PBU that performs heat treatment on the wafer W after exposure, and a high-precision temperature control unit are stacked in order from the top, for example.

処理ステーション３１の装置正面側（図中下方）には、処理ユニット部Ｇ１と処理ユニット部Ｇ２とがＹ方向に併設されている。この処理ユニット部Ｇ１とカセットステーション３０との間、及び処理ユニット部Ｇ２とインターフェース部３２との間には、各処理ユニット部Ｇ１及びＧ２に供給する処理液の温調に使用される液温調ポンプ２４、２５がそれぞれ設けられており、この処理システム外に設けられた不図示の空調器からの清浄な空気を各処理ユニット部Ｇ１〜Ｇ５内部に供給するためのダクトＤ１、Ｄ２が設けられている。   A processing unit part G1 and a processing unit part G2 are provided side by side in the Y direction on the apparatus front side of the processing station 31 (downward in the drawing). Between the processing unit part G1 and the cassette station 30 and between the processing unit part G2 and the interface part 32, liquid temperature control used for temperature control of the processing liquid supplied to the processing unit parts G1 and G2. Pumps 24 and 25 are provided, respectively, and ducts D1 and D2 are provided for supplying clean air from an air conditioner (not shown) provided outside the processing system into the processing units G1 to G5. ing.

処理ユニット部Ｇ１では、カップＣＰ内で半導体ウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行うレジスト塗布ユニット、露光時の光の反射を防止するために反射防止膜を形成するボトムコーティングユニットが下方から順に重ねられている。処理ユニット部Ｇ２では、例えば現像ユニットが下方から順に複数段重ねられている。   In the processing unit G1, a resist coating unit that performs predetermined processing by placing the semiconductor wafer W on a spin chuck in the cup CP, and a bottom coating unit that forms an antireflection film to prevent reflection of light during exposure are provided below. Are stacked in order. In the processing unit section G2, for example, a plurality of development units are stacked in order from below.

なお、カセットステーション３０の下方部にはこのＣ／Ｄ装置５０のシステム全体を制御する塗布・現像制御装置６２が設けられている。   A coating / developing control device 62 for controlling the entire system of the C / D device 50 is provided below the cassette station 30.

インターフェース部３２の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、中央部にはロボットアーム４７が設けられている。このロボットアーム４７は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲにアクセスすると共に、インラインＩ／Ｆ部１１０にアクセス可能になっている。   A portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are arranged in two stages on the front part of the interface part 32, and a robot arm 47 is provided in the center part. The robot arm 47 moves in the X and Z directions to access both cassettes CR and BR and can access the inline I / F unit 110.

図４には、本発明に係る露光装置及びＣ／Ｄ装置を含んで構成されたリソグラフィシステムの搬送系の概略構成が示されている。
図１及び図４に示すように、当該ウエハローダ系４０には、インラインＩ／Ｆ部１１０における供給用テーブル１１４Ａから温調・アライメントユニットＰＳＵにウエハＷを搬送する搬送アームＨ１と、温調・アライメントユニットＰＳＵからから露光装置本体１０Ａ（ウエハステージＷＳＴ）にＸガイド２０に沿って搬入する搬送アームＨ２と、露光処理が終了したウエハＷを露光装置本体１０ＡからＸガイド２０に沿って搬出する搬送アームＨ３と、搬送アームＨ３からウエハＷを受け取ってインラインＩ／Ｆ部１１０における回収用テーブル１１４Ｂに搬送する搬送アームＨ４とを備えている。なお、仕切り壁１４には、搬送アームＨ２及び搬送アームＨ３がそれぞれ通過可能な開口が形成されている。 FIG. 4 shows a schematic configuration of a transport system of a lithography system that includes the exposure apparatus and the C / D apparatus according to the present invention.
As shown in FIGS. 1 and 4, the wafer loader system 40 includes a transfer arm H1 for transferring the wafer W from the supply table 114A in the inline I / F unit 110 to the temperature adjustment / alignment unit PSU, and a temperature adjustment / alignment. A transfer arm H2 that carries in along the X guide 20 from the unit PSU to the exposure apparatus main body 10A (wafer stage WST), and a transfer arm that carries out the wafer W that has undergone the exposure process along the X guide 20 from the exposure apparatus main body 10A. H3 and a transfer arm H4 that receives the wafer W from the transfer arm H3 and transfers it to the collection table 114B in the inline I / F unit 110. The partition wall 14 has openings through which the transfer arm H2 and the transfer arm H3 can pass.

本実施形態では、露光装置１０側のローダ制御装置３４とＣ／Ｄ装置５０の塗布・現像制御装置６２との間、及び主制御装置１２０と塗布・現像制御装置６２との間で、それぞれに接続された通信装置ＣＳを介してそれぞれデータ通信が可能な構成となっている。この場合、ローダ制御装置３４と塗布・現像制御装置６２との間では、主として搬送中のウエハに関する情報のやり取りが行われる。また、主制御装置１２０と塗布・現像制御装置６２との間では、露光装置１０とＣ／Ｄ装置５０との間のウエハＷの供給に関する情報等の種々の情報のやり取りが行われる。   In the present embodiment, the loader control device 34 on the exposure apparatus 10 side and the coating / development control device 62 of the C / D device 50, and between the main control device 120 and the coating / development control device 62, respectively. Data communication is possible via each connected communication device CS. In this case, information relating to the wafer being transferred is mainly exchanged between the loader control device 34 and the coating / developing control device 62. Various information such as information relating to the supply of the wafer W between the exposure apparatus 10 and the C / D apparatus 50 is exchanged between the main controller 120 and the coating / development controller 62.

また、本実施形態では、露光装置１０の主制御装置１２０に表示装置２００が接続されている。この表示装置２００は、露光装置１０における処理状況及びＣ／Ｄ装置５０における処理状況を表示可能になっている。露光装置１０における処理状況の情報は、例えば主制御装置１２０を介して表示装置２００に供給されるようになっている。また、Ｃ／Ｄ装置５０における処理状況の情報は、例えば塗布・現像制御装置６２から通信装置ＣＳ及び主制御装置１２０を介して表示装置２００に供給されるようになっている。この表示装置２００は、塗布・現像制御装置６２に接続されていても良いし、主制御装置１２０及び塗布・現像制御装置６２の両方にそれぞれ接続されていても良い。また、露光装置１０における処理状況及びＣ／Ｄ装置５０における処理状況のいずれか一方のみを表示可能になっている構成であっても構わない。   In the present embodiment, the display device 200 is connected to the main control device 120 of the exposure apparatus 10. The display device 200 can display the processing status in the exposure apparatus 10 and the processing status in the C / D device 50. Information on the processing status in the exposure apparatus 10 is supplied to the display device 200 via the main control device 120, for example. Information on the processing status in the C / D device 50 is supplied from the coating / developing control device 62 to the display device 200 via the communication device CS and the main control device 120, for example. The display device 200 may be connected to the coating / development control device 62, or may be connected to both the main control device 120 and the coating / development control device 62. Further, only one of the processing status in the exposure apparatus 10 and the processing status in the C / D apparatus 50 may be displayed.

次に、リソグラフィシステム１００によるウエハの処理動作について説明する。
ここでは、基板（物体）としての第１枚目のウエハＷがカセット載置台２１上に載置されているものとする。そこで、ロボット２２は、カセット載置台２１上からウエハＷを例えば処理ユニットＧ１内に搬入する。処理ユニットＧ１のレジスト塗布ユニット内でレジスト（感光材）の塗布が開始される。そして、ウエハＷのレジスト塗布が終了すると、ロボット６８ａは、ウエハＷをレジスト塗布ユニットからポストベークユニットに移動させ、ポストベーキング処理を行う。 Next, a wafer processing operation by the lithography system 100 will be described.
Here, it is assumed that the first wafer W as a substrate (object) is mounted on the cassette mounting table 21. Therefore, the robot 22 carries the wafer W from the cassette mounting table 21 into, for example, the processing unit G1. Application of resist (photosensitive material) is started in the resist application unit of the processing unit G1. When the resist coating of the wafer W is completed, the robot 68a moves the wafer W from the resist coating unit to the post bake unit, and performs a post baking process.

ポストベーキング処理を行ったウエハＷを例えば２０〜２５℃の範囲で定められた温度に冷却した後、当該ウエハＷは、ロボット６８ｂ及びロボット４７を介してロボット１１６に受け渡され、ロボット１１６によってインライン受け渡し部１１４の供給用テーブル１１４Ａ上に載置される。   After the post-baking wafer W is cooled to a temperature set within a range of 20 to 25 ° C., for example, the wafer W is transferred to the robot 116 via the robot 68b and the robot 47, and inline by the robot 116. It is placed on the supply table 114A of the delivery unit 114.

一方、露光装置１０側では、まず、搬送アームＨ１が、供給用テーブル１１４ＡからウエハＷを受け取り、温調・アライメントユニットＰＳＵのターンテーブル上に載置する。ここでウエハエッジセンサによってウエハエッジの検出が行われ、その検出信号に基づいてローダ制御装置３４によってターンテーブルを回転させてウエハＷのノッチ部の方向を所定方向に合わせる。また、ウエハステージＷＳＴに搬送されるウエハＷが当該ウエハステージＷＳＴの温度に温度調整される。温度調整が終了したら、搬送アームＨ２によってウエハＷをウエハステージＷＳＴに搬送する。   On the other hand, on the exposure apparatus 10 side, first, the transfer arm H1 receives the wafer W from the supply table 114A and places it on the turntable of the temperature adjustment / alignment unit PSU. Here, the wafer edge is detected by the wafer edge sensor, and based on the detection signal, the load table is rotated by the loader controller 34 so that the direction of the notch portion of the wafer W is adjusted to a predetermined direction. Further, the temperature of wafer W transferred to wafer stage WST is adjusted to the temperature of wafer stage WST. When the temperature adjustment is completed, the wafer W is transferred to the wafer stage WST by the transfer arm H2.

ウエハステージＷＳＴ上に搬送されたウエハＷに対しては、レチクルＲ（レチクルステージＲＳＴ）とウエハＷ（ウエハステージＷＳＴ）とを各ショット領域の露光のための走査開始位置へ位置決めする動作と、レチクルＲとウエハＷとを同期移動しつつレチクルＲ上のスリット状の照明領域を露光用照明光により照明して、レチクルＲのパターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の各ショット領域に逐次転写する走査露光動作とを、繰り返すことにより露光処理が行われる。上記の露光処理が終了すると、搬送アームＨ３が、露光済みのウエハＷを受け取り、搬送アームＨ４に渡す。搬送アームＨ４は、ウエハＷを受け取った後、当該ウエハＷをインライン受け渡し部１１４の回収用テーブル１１４Ｂに搬送する。   For wafer W transferred onto wafer stage WST, an operation for positioning reticle R (reticle stage RST) and wafer W (wafer stage WST) to a scanning start position for exposure of each shot area, and reticle The slit-shaped illumination area on the reticle R is illuminated with exposure illumination light while the R and the wafer W are moved synchronously, and the pattern of the reticle R is sequentially applied to each shot area on the wafer W via the projection optical system PL. The exposure process is performed by repeating the scanning exposure operation for transferring. When the exposure process is completed, the transfer arm H3 receives the exposed wafer W and passes it to the transfer arm H4. After receiving the wafer W, the transfer arm H4 transfers the wafer W to the collection table 114B of the in-line delivery unit 114.

この後、露光済みのウエハＷは、ロボット１１６により回収用テーブル１１４Ｂからロボット４７に受け渡され、さらにロボット４７及びロボット６８ｂにより処理ユニットＧ５のＰＥベーキングユニット内に搬入され、ＰＥベーキングユニットＰＢＵ内でポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）が行われる。   Thereafter, the exposed wafer W is transferred from the collection table 114B to the robot 47 by the robot 116, and is further loaded into the PE baking unit of the processing unit G5 by the robot 47 and the robot 68b, and in the PE baking unit PBU. Post exposure bake (PEB) is performed.

一方、ＰＥＢが終了したウエハＷは、ロボット６８ｂによりＰＥベーキングユニットＰＢＵから取り出され、例えば処理ユニットＧ４の現像ユニット内に搬入され、現像処理される。現像が終了したウエハＷは、ロボット６８ａ及びロボット２２を介してカセット載置台２１上に載置される。
このように、リソグラフィシステム１００における一連の処理が完了する。 On the other hand, the wafer W for which PEB has been completed is taken out of the PE baking unit PBU by the robot 68b, and is carried into, for example, the developing unit of the processing unit G4 and developed. The developed wafer W is placed on the cassette placing table 21 via the robot 68a and the robot 22.
In this way, a series of processes in the lithography system 100 is completed.

ところで、リソグラフィシステム１００においては、上記の一連の処理をロットごとに行うことが多く、露光処理後にＰＥＢを行う際にはロットごとにＰＥベーキングユニットＰＢＵの加熱温度の変更処理（第１処理）を行う場合もある。ＰＥベーキングユニットＰＢＵの加熱温度を変更する場合、ＰＥベーキングユニットＰＢＵ内が変更後の温度になるまでＰＥＢ処理を行うことができない。   By the way, in the lithography system 100, the above-described series of processes is often performed for each lot, and when performing the PEB after the exposure process, the heating temperature changing process (first process) of the PE baking unit PBU is performed for each lot. Sometimes it is done. When changing the heating temperature of the PE baking unit PBU, the PEB treatment cannot be performed until the temperature in the PE baking unit PBU reaches the changed temperature.

そこで、本実施形態では、Ｃ／Ｄ装置５０においてＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度を変更する際には、当該ＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変更に関する情報を通信装置ＣＳを介して主制御装置１２０に送信する（通知工程）。この情報には、例えばＰＥベーキングユニットＰＢＵにて温度変更を行う時間に関する情報や、ＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変更が完了するまでの時間に関する情報などが含まれている。   Therefore, in the present embodiment, when the temperature of the PE baking unit PBU is changed in the C / D device 50, information related to the temperature change of the PE baking unit PBU is transmitted to the main controller 120 via the communication device CS. (Notification process). This information includes, for example, information about the time for changing the temperature in the PE baking unit PBU, information about the time until the temperature change of the PE baking unit PBU is completed, and the like.

塗布・現像制御装置６２からＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変更に関する情報を受信した主制御装置１２０は、当該情報に基づいて、ＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変更が完了するまでの間、露光処理が行われる位置（図１における符号ＰＬの位置：第２処理位置）よりも上流側の位置（第３処理位置、基板処理位置）にウエハＷを待機させる（待機工程）。   The main control device 120 that has received the information related to the temperature change of the PE baking unit PBU from the coating / development control device 62 performs the exposure process until the temperature change of the PE baking unit PBU is completed based on the information. The wafer W is put on standby at a position (third processing position, substrate processing position) on the upstream side of the position (position of the symbol PL in FIG. 1: second processing position) (standby process).

ウエハＷを待機させる位置としては、例えば温調・アライメントユニットＰＳＵなど露光装置１０内の位置であっても良いし、インラインＩ／Ｆ部１１０内の供給用テーブル１１４Ａなど露光装置１０の外部であっても良い。また、ウエハＷを待機させる位置が露光位置ＰＬであっても構わない。この場合には、ウエハＷを露光位置ＰＬへ搬送した後、露光処理を行わずに待機させることになる。また、ウエハＷをウエハステージＷＳＴに載置した状態で、露光位置ＰＬの上流側に待機させておいても構わない。また、複数のウエハＷを待機させる場合には、上記各位置のそれぞれに待機させておいても構わないし、上記各位置のうち複数の位置に待機させておいても構わない。   The position for waiting the wafer W may be a position in the exposure apparatus 10 such as the temperature adjustment / alignment unit PSU, or outside the exposure apparatus 10 such as the supply table 114A in the inline I / F unit 110. May be. Further, the position where the wafer W is waited may be the exposure position PL. In this case, after the wafer W is transferred to the exposure position PL, it is put on standby without performing exposure processing. Alternatively, the wafer W may be placed on the upstream side of the exposure position PL with the wafer W placed on the wafer stage WST. Further, when waiting for a plurality of wafers W, they may be kept waiting at each of the above positions, or may be kept at a plurality of positions among the above positions.

この待機工程において、主制御装置１２０は、ＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変更に関する情報に基づいて、当該ＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変化が完了するタイミングを計算する。ＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度調整が完了したと判断したら、ウエハＷを現在の待機位置から露光位置ＰＬへと搬送させ、露光処理を行わせる。   In this standby step, main controller 120 calculates the timing at which the temperature change of PE baking unit PBU is completed based on information related to the temperature change of PE baking unit PBU. If it is determined that the temperature adjustment of the PE baking unit PBU has been completed, the wafer W is transferred from the current standby position to the exposure position PL, and exposure processing is performed.

ＰＥベーキングユニットＰＢＵにおいては温度変化が完了しており、ウエハＷを収容可能な状態になっているため、露光終了後にはウエハＷを待機させること無くスムーズに搬出させることができる。このため、露光処理が完了してからウエハＷがＰＥベーキングユニットＰＢＵに供給されてＰＥＢが行われるまでの時間（ＰＥＤ時間）は、各ウエハＷについて均一になる。   Since the temperature change is completed in the PE baking unit PBU and the wafer W can be accommodated, the wafer W can be smoothly unloaded after the exposure is completed without waiting. For this reason, the time (PED time) from the completion of the exposure processing to the time when the wafer W is supplied to the PE baking unit PBU and PEB is performed is uniform for each wafer W.

なお、この場合、主制御装置１２０は、露光時間及び露光位置ＰＬからＰＥベーキングユニットＰＢＵまでの搬送時間の合計時間を計算し、ＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変化が完了するタイミングに対して当該合計時間だけ早いタイミングで露光処理を行わせるようにしても良い。この制御により、露光処理が終了したウエハＷを当該合計時間だけ早いタイミングでＰＥベーキングユニットＰＢＵに供給することができるので、スループットの向上につながる。   In this case, main controller 120 calculates the total time of the exposure time and the transport time from exposure position PL to PE baking unit PBU, and the total time with respect to the timing at which the temperature change of PE baking unit PBU is completed. The exposure process may be performed as early as possible. With this control, the wafer W that has been subjected to the exposure process can be supplied to the PE baking unit PBU at an earlier timing by the total time, leading to an improvement in throughput.

また、主制御装置１２０は、ウエハＷの上記各待機位置から露光位置ＰＬまでの搬送時間を上記合計時間に加え、当該搬送時間も含めた時間だけ早いタイミングで露光処理を行わせるようにしても構わない。この制御により、露光処理が終了したウエハＷをＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変化が完了した直後に当該ＰＥベーキングユニットＰＢＵに供給することができるため、スループットの一層の向上につながることになる。   Further, main controller 120 adds the transfer time from each standby position to exposure position PL of wafer W to the total time, and causes the exposure process to be performed at an earlier timing by the time including the transfer time. I do not care. With this control, the wafer W that has been subjected to the exposure process can be supplied to the PE baking unit PBU immediately after the temperature change of the PE baking unit PBU is completed, which leads to a further improvement in throughput.

なお、上記通知工程及び処理工程を含めた一連のリソグラフィシステム１００によるウエハの処理動作は、露光装置１０における処理状況、Ｃ／Ｄ装置５０における処理状況を表示装置２００によって表示しながら行う。また、上記通知工程及び処理工程を含めた一連の動作を塗布・現像制御装置６２によって行うようにしても構わない。   A series of wafer processing operations by the lithography system 100 including the notification step and the processing step are performed while displaying the processing status in the exposure apparatus 10 and the processing status in the C / D apparatus 50 on the display device 200. Further, a series of operations including the notification step and the processing step may be performed by the coating / developing control device 62.

このように、本実施形態では、Ｃ／Ｄ装置５０から露光装置１０にＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変更処理に関する情報が通知されると、主制御装置１２０は露光処理が行われる露光位置ＰＬ及び当該露光位置ＰＬの上流側の位置のうち少なくとも一方で露光処理の開始までウエハＷを待機させる。露光処理が行われた後でウエハＷを待機させるのではなく、露光処理が行われる前にウエハＷを待機させるため、ウエハＷに露光処理が行われてからＣ／Ｄ装置５０のＰＥベーキングユニットＰＢＵに供給されるまでの時間（ＰＥＤ時間）を均一にすることができる。   As described above, in the present embodiment, when the C / D apparatus 50 notifies the exposure apparatus 10 of the information related to the temperature change process of the PE baking unit PBU, the main controller 120 determines the exposure position PL where the exposure process is performed and the exposure position PL. At least one of the positions upstream of the exposure position PL waits for the wafer W until the exposure process starts. Instead of waiting the wafer W after the exposure processing is performed, the wafer W is waited before the exposure processing is performed. Therefore, the PE baking unit of the C / D apparatus 50 after the exposure processing is performed on the wafer W is performed. The time until the PBU is supplied (PED time) can be made uniform.

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。   As described above, the preferred embodiments according to the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to the examples. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention.

例えば、上記各実施形態の基板（物体）としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。   For example, the substrate (object) in each of the above embodiments includes not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or a mask or reticle used in an exposure apparatus. The original plate (synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.

露光装置１０としては、レチクルＲとウエハＷとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、レチクルＲとウエハＷとを静止した状態でレチクルＲのパターンを一括露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明はウエハＷ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。   As the exposure apparatus 10, in addition to a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the reticle R by synchronously moving the reticle R and the wafer W, the reticle R and the wafer W It can also be applied to a step-and-repeat projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the reticle R is collectively exposed while the wafer is stationary and the wafer W is sequentially moved stepwise. The present invention can also be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus that partially transfers at least two patterns on the wafer W.

露光装置１０の種類としては、ウエハＷに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。   The type of the exposure apparatus 10 is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern onto the wafer W, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). ) Or an exposure apparatus for manufacturing reticles or masks.

また、本発明が適用される露光装置の光源には、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）等のみならず、ｇ線（４３６ｎｍ）及びｉ線（３６５ｎｍ）を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、反射屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではなく、投影光学系の光軸（レチクル中心）と投影領域の中心とが異なる位置に設定される屈折型の投影光学系にも適用可能である。   The light source of the exposure apparatus to which the present invention is applied includes not only KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F2 laser (157 nm), but also g-line (436 nm) and i-line (365 nm). Can be used. Further, the magnification of the projection optical system may be not only a reduction system but also an equal magnification or an enlargement system. In the above embodiment, the catadioptric projection optical system is exemplified, but the present invention is not limited to this, and the optical axis (reticle center) of the projection optical system and the center of the projection area are set at different positions. It can also be applied to a refraction type projection optical system.

また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置についても適用可能である。液浸露光装置については、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。   The present invention is also applicable to a so-called immersion exposure apparatus that locally fills a liquid between the projection optical system and the substrate and exposes the substrate through the liquid. The immersion exposure apparatus is disclosed in International Publication No. 99/49504 pamphlet. Further, in the present invention, the entire surface of the substrate to be exposed as disclosed in JP-A-6-124873, JP-A-10-303114, US Pat. No. 5,825,043 and the like is in the liquid. The present invention is also applicable to an immersion exposure apparatus that performs exposure while being immersed.

また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウエハステージに適用してもよい。   The present invention can also be applied to a twin stage type exposure apparatus provided with a plurality of substrate stages (wafer stages). The structure and exposure operation of a twin stage type exposure apparatus are described in, for example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 10-163099 and 10-214783 (corresponding US Pat. Nos. 6,341,007, 6,400,441, 6,549). , 269 and 6,590,634), JP 2000-505958 (corresponding US Pat. No. 5,969,441) or US Pat. No. 6,208,407. Furthermore, the present invention may be applied to the wafer stage disclosed in Japanese Patent Application No. 2004-168482 filed earlier by the present applicant.

また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。   An exposure apparatus to which the present invention is applied assembles various subsystems including the constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. It is manufactured by. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図５は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。   Next, an embodiment of a manufacturing method of a micro device using the exposure apparatus and the exposure method according to the embodiment of the present invention in the lithography process will be described. FIG. 5 is a flowchart showing a manufacturing example of a micro device (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micro machine, etc.).

まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。   First, in step S10 (design step), function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) of a micro device is performed, and pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S11 (mask manufacturing step), a mask (reticle) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S12 (wafer manufacturing step), a wafer is manufactured using a material such as silicon.

次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。   Next, in step S13 (wafer processing step), using the mask and wafer prepared in steps S10 to S12, an actual circuit or the like is formed on the wafer by lithography or the like, as will be described later. Next, in step S14 (device assembly step), device assembly is performed using the wafer processed in step S13. This step S14 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary. Finally, in step S15 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice manufactured in step S14 are performed. After these steps, the microdevice is completed and shipped.

図６は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の第１工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。 FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a detailed process of step S13 in the case of a semiconductor device.
In step S21 (oxidation step), the surface of the wafer is oxidized. In step S22 (CVD step), an insulating film is formed on the wafer surface. In step S23 (electrode formation step), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition. In step S24 (ion implantation step), ions are implanted into the wafer. Each of the above steps S21 to S24 constitutes a first process in each stage of wafer processing, and is selected and executed according to a necessary process in each stage.

ウエハプロセスの各段階において、上述の第１工程が終了すると、以下のようにして第２工程が実行される。この第２工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの第１工程と第２工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。   When the first process is completed at each stage of the wafer process, the second process is executed as follows. In this second step, first, in step S25 (resist formation step), a photosensitive agent is applied to the wafer. Subsequently, in step S26 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the wafer by the lithography system (exposure apparatus) and the exposure method described above. Next, in step S27 (development step), the exposed wafer is developed, and in step S28 (etching step), exposed members other than the portion where the resist remains are removed by etching. In step S29 (resist removal step), the resist that has become unnecessary after the etching is removed. By repeatedly performing these first and second steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。   Further, in order to manufacture reticles or masks used in not only microdevices such as semiconductor elements but also light exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, etc., from mother reticles to glass substrates and The present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern to a silicon wafer or the like. Here, in an exposure apparatus using DUV (deep ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet) light, or the like, a transmission type reticle is generally used. As a reticle substrate, quartz glass, fluorine-doped quartz glass, fluorite, Magnesium fluoride or quartz is used. In proximity-type X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, and the like, a transmissive mask (stencil mask, membrane mask) is used, and a silicon wafer or the like is used as a mask substrate. Such an exposure apparatus is disclosed in WO99 / 34255, WO99 / 50712, WO99 / 66370, JP-A-11-194479, JP-A2000-12453, JP-A-2000-29202, and the like. .

本発明の実施の形態に係るリソグラフィシステムの概略構成示す平面図。1 is a plan view showing a schematic configuration of a lithography system according to an embodiment of the present invention. 本実施形態に係る露光装置の構成を示す図。1 is a diagram showing the configuration of an exposure apparatus according to the present embodiment. 本実施形態に係る塗布現像装置（Ｃ／Ｄ装置）の構成を示す図。1 is a diagram illustrating a configuration of a coating and developing apparatus (C / D apparatus) according to an embodiment. 本実施形態に係るリソグラフィシステムの搬送系の概略構成を示す図。1 is a diagram showing a schematic configuration of a transport system of a lithography system according to the present embodiment. マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図。The flowchart figure which shows an example of the manufacturing process of a microdevice. 図５におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図。The figure which shows an example of the detailed process of step S13 in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１０…露光装置（第２処理装置）、 ５０…Ｃ／Ｄ装置（第１処理装置）、 ＰＢＵ…ポストベークユニット（第１温調部）、 ６２…塗布・現像制御装置（制御装置） １００…リソグラフィシステム（物体処理システム）、 １１４Ａ…供給用テーブル（搬入部）、１２０…主制御装置（制御装置）、 ＣＳ…通信装置、 Ｗ…ウエハ（基板、物体）、ＰＬ…露光位置（第２処理位置、基板処理位置）、 ＰＳＵ…温調・アライメントユニット（第２温調部）   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Exposure apparatus (2nd processing apparatus), 50 ... C / D apparatus (1st processing apparatus), PBU ... Post-baking unit (1st temperature control part), 62 ... Coating / development control apparatus (control apparatus) 100 ... Lithography system (object processing system), 114A ... supply table (carry-in unit), 120 ... main control device (control device), CS ... communication device, W ... wafer (substrate, object), PL ... exposure position (second processing) Position, substrate processing position), PSU ... temperature control / alignment unit (second temperature control unit)

Claims (27)

第１処理を行う第１処理装置と、物体に第２処理を行い前記第２処理後の前記物体を前記第１処理装置に供給する第２処理装置とを備えた物体処理システムであって、
前記第１処理装置と前記第２処理装置とを接続し、前記第１処理装置と前記第２処理装置との間で情報を通信させる通信装置と、
前記第１処理装置から前記第２処理装置へ前記通信装置を介して通知された前記第１処理に関する情報に基づいて、前記第２処理が行われる第２処理位置及び当該第２処理位置の上流側に位置する第３処理位置のうち少なくとも一方で前記第２処理の開始まで前記物体を待機させる制御装置と
を備えることを特徴とする物体処理システム。 An object processing system comprising: a first processing device that performs a first processing; and a second processing device that performs a second processing on an object and supplies the object after the second processing to the first processing device,
A communication device for connecting the first processing device and the second processing device and communicating information between the first processing device and the second processing device;
Based on information related to the first process notified from the first processing apparatus to the second processing apparatus via the communication apparatus, a second processing position where the second process is performed and upstream of the second processing position And a control device that causes the object to stand by until at least one of the third processing positions positioned on the side starts the second processing. 前記制御装置は、前記物体に対する前記第２処理が開始されてから前記第２処理を完了した前記物体が前記第１処理装置に供給されるまでの時間に基づいて、前記物体を待機させる
ことを特徴とする請求項１に記載の物体処理システム。 The control device causes the object to stand by based on a time from when the second processing for the object is started to when the object that has completed the second processing is supplied to the first processing device. The object processing system according to claim 1, wherein: 前記制御装置は、前記第２処理が可能となったときに、前記物体が前記第３処理位置を移動してから前記第１処理装置に供給されるまでの時間に基づいて、前記物体を待機させる
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の物体処理システム。 The control device waits for the object based on a time from when the object moves from the third processing position to when it is supplied to the first processing device when the second processing is enabled. The object processing system according to claim 1 or 2, wherein: 前記第１処理は、前記第１処理装置に設けられ前記物体の温度を調節する第１温調部の温度変更処理であり、
前記第２処理は、前記物体を露光する露光処理である
ことを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の物体処理システム。 The first process is a temperature change process of a first temperature adjustment unit that is provided in the first processing apparatus and adjusts the temperature of the object,
The object processing system according to any one of claims 1 to 3, wherein the second process is an exposure process that exposes the object. 前記第３処理位置は、前記第２処理装置に設けられ前記物体の温度を調節する第２温調部である
ことを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の物体処理システム。 The said 3rd processing position is a 2nd temperature control part which is provided in the said 2nd processing apparatus and adjusts the temperature of the said object. The Claim 1 characterized by the above-mentioned. Object processing system. 前記第３処理位置は、前記第２処理装置に設けられ前記物体を搬入する搬入部である
ことを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の物体処理システム。 The object processing system according to any one of claims 1 to 5, wherein the third processing position is a loading unit that is provided in the second processing apparatus and loads the object. 第１処理装置にて第１処理を行い、第２処理装置にて物体に第２処理を行い前記第２処理後の前記物体を前記第１処理装置に供給する物体処理方法であって、
前記第１処理装置から前記第２処理装置へ前記第１処理に関する情報を通知する通知工程と、
前記第１処理に関する情報に基づいて、前記第２処理が行われる第２処理位置及び当該第２処理位置の上流側に位置する第３処理位置のうち少なくとも一方で前記第２処理の開始まで前記物体を待機させる待機工程と
を備えることを特徴とする物体処理方法。 An object processing method for performing a first process in a first processing device, performing a second process on an object in a second processing device, and supplying the object after the second processing to the first processing device,
A notification step of notifying the second processing device of information related to the first processing from the first processing device;
Based on the information about the first process, at least one of the second process position where the second process is performed and the third process position located upstream of the second process position until the start of the second process An object processing method comprising: a standby step of waiting for an object. 前記待機工程では、前記物体に対する前記第２処理が開始されてから前記第２処理を完了した前記物体が前記第１処理装置に供給されるまでの時間に基づいて、前記物体を待機させる
ことを特徴とする請求項７に記載の物体処理方法。 In the standby step, the object is made to wait based on a time from when the second process for the object is started until the object that has completed the second process is supplied to the first processing apparatus. The object processing method according to claim 7, wherein: 前記待機工程では、前記第２処理が可能となったときに、前記物体が前記第３処理位置を移動してから前記第１処理装置に供給されるまでの時間に基づいて、前記物体を待機させる
ことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の物体処理方法。 In the standby step, when the second process is enabled, the object is standby based on a time from when the object moves from the third processing position to when the object is supplied to the first processing apparatus. The object processing method according to claim 7 or 8, wherein: 前記第１処理は、前記第１処理装置内の前記物体の温度を調節する第１温調部の温度変更処理であり、
前記第２処理は、前記物体を露光する露光処理である
ことを特徴とする請求項７から請求項９のうちいずれか一項に記載の物体処理方法。 The first process is a temperature change process of a first temperature adjustment unit that adjusts the temperature of the object in the first processing apparatus;
The object processing method according to any one of claims 7 to 9, wherein the second process is an exposure process for exposing the object. 前記第３処理位置は、前記第２処理装置に設けられ前記物体の温度を調節する第２温調部である
ことを特徴とする請求項７から請求項１０のうちいずれか一項に記載の物体処理方法。 The said 3rd processing position is a 2nd temperature control part which is provided in the said 2nd processing apparatus and adjusts the temperature of the said object. The Claim 1 characterized by the above-mentioned. Object processing method. 前記第３処理位置は、前記第２処理装置に設けられ前記物体を搬入する搬入部である
ことを特徴とする請求項７から請求項１１のうちいずれか一項に記載の物体処理方法。 The object processing method according to any one of claims 7 to 11, wherein the third processing position is a loading unit that is provided in the second processing apparatus and loads the object. 基板に露光処理を行い前記露光処理後の前記基板を外部に供給する露光装置であって、
前記外部から通知される所定の処理に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる制御装置を備える
ことを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that performs an exposure process on a substrate and supplies the substrate after the exposure process to the outside,
Based on the information about the predetermined process notified from the outside, the substrate is held until the exposure process starts at least one of the exposure position where the exposure process is performed and the substrate processing position located on the upstream side of the exposure position. An exposure apparatus comprising a control device for waiting. 前記制御装置は、前記基板に対する前記露光処理が開始されてから前記露光処理終了後外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項１３に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 13, wherein the control device causes the substrate to stand by based on a time from when the exposure processing on the substrate is started to when the substrate is supplied to the outside after the exposure processing is completed. apparatus. 前記制御装置は、前記露光処理が可能となったときに、前記基板が前記基板処理位置を移動してから前記外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の露光装置。 The control device makes the substrate stand by based on a time from when the substrate moves from the substrate processing position to when the substrate is supplied to the outside when the exposure processing is enabled. The exposure apparatus according to claim 13 or 14. 前記基板処理位置は、前記基板の温度を調節する温調部である
ことを特徴とする請求項１３から請求項１５のうちいずれか一項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 13, wherein the substrate processing position is a temperature adjustment unit that adjusts a temperature of the substrate. 露光装置によって基板に露光処理を行い前記露光処理後の前記基板を外部に供給する露光方法であって、
外部から通知される所定の処理に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる待機工程を備える
ことを特徴とする露光方法。 An exposure method for performing an exposure process on a substrate by an exposure apparatus and supplying the substrate after the exposure process to the outside,
Based on information relating to a predetermined process notified from the outside, at least one of an exposure position where the exposure process is performed and a substrate processing position located upstream of the exposure position, the substrate waits until the start of the exposure process An exposure method comprising: a standby step for causing the exposure. 前記待機工程では、前記基板に対する前記露光処理が開始されてから前記露光処理終了後外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項１７に記載の露光方法。 18. The exposure according to claim 17, wherein in the standby step, the substrate is made to wait based on a time from when the exposure processing on the substrate is started to when the substrate is supplied to the outside after the exposure processing is completed. Method. 前記待機工程では、前記露光処理が可能となったときに、前記基板が前記基板処理位置を移動してから前記外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項１７又は請求項１８に記載の露光方法。 In the standby step, when the exposure process becomes possible, the substrate is made to wait based on a time from when the substrate moves from the substrate processing position to when the substrate is supplied to the outside. The exposure method according to claim 17 or 18. 前記基板処理位置は、前記基板の温度を調節する温調部である
ことを特徴とする請求項１７から請求項１９のうちいずれか一項に記載の露光方法。 The exposure method according to any one of claims 17 to 19, wherein the substrate processing position is a temperature adjustment unit that adjusts a temperature of the substrate. 基板に塗布処理を行い前記塗布処理後の前記基板を外部に供給すると共に、前記外部において露光処理が行われた前記基板に現像処理を行う塗布現像装置であって、
前記塗布処理及び前記現像処理のうち少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる制御装置を備える
ことを特徴とする塗布現像装置。 A coating and developing apparatus that performs a coating process on a substrate and supplies the substrate after the coating process to the outside, and performs a developing process on the substrate that has been exposed to the outside.
Based on information on at least one of the coating process and the development process, until at least one of the exposure position where the exposure process is performed and the substrate processing position located upstream of the exposure position until the start of the exposure process A coating and developing apparatus comprising a control device for waiting a substrate. 前記制御装置は、前記基板に対する前記露光処理が開始されてから前記露光処理終了後外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項２１に記載の塗布現像装置。 The coating apparatus according to claim 21, wherein the control device causes the substrate to stand by based on a time from when the exposure processing to the substrate is started to when the substrate is supplied to the outside after the exposure processing is completed. Development device. 前記制御装置は、前記露光処理が可能となったときに、前記基板が前記基板処理位置を移動してから前記外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項２１又は請求項２２に記載の塗布現像装置。 The control device makes the substrate stand by based on a time from when the substrate moves from the substrate processing position to when the substrate is supplied to the outside when the exposure processing becomes possible. The coating and developing apparatus according to claim 21 or 22. 基板に塗布処理を行い前記塗布処理後の前記基板を外部に供給すると共に、前記外部において露光処理が行われた前記基板に現像処理を行う塗布現像方法であって、
前記塗布処理及び前記現像処理のうち少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる待機工程を備える
ことを特徴とする塗布現像方法。 A coating and developing method for performing a coating process on a substrate and supplying the substrate after the coating process to the outside, and performing a developing process on the substrate that has been subjected to an exposure process on the outside,
Based on information on at least one of the coating process and the development process, until at least one of the exposure position where the exposure process is performed and the substrate processing position located upstream of the exposure position until the start of the exposure process A coating and developing method comprising: a standby step for waiting the substrate. 前記待機工程では、前記基板に対する前記露光処理が開始されてから前記露光処理終了後外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項２４に記載の塗布現像方法。 25. The coating according to claim 24, wherein, in the standby step, the substrate is caused to wait based on a time from when the exposure processing on the substrate is started to when the substrate is supplied to the outside after completion of the exposure processing. Development method. 前記待機工程では、前記露光処理が可能となったときに、前記基板が前記基板処理位置を移動してから前記外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項２４又は請求項２５に記載の塗布現像方法。 In the standby step, when the exposure processing becomes possible, the substrate is made to wait based on a time from when the substrate moves from the substrate processing position to when the substrate is supplied to the outside. The coating and developing method according to claim 24 or 25. 請求項７から請求項１２のうちいずれか一項に記載の物体処理方法又は請求項１７から請求項２０のうちいずれか一項に記載の露光方法又は請求項２４から請求項２５のいずれか一項に記載の塗布現像方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。   The object processing method according to any one of claims 7 to 12, the exposure method according to any one of claims 17 to 20, or any one of claims 24 to 25. A device manufacturing method comprising manufacturing a device using the coating and developing method according to the item.

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