JP2009074855A - 光検出装置 - Google Patents

光検出装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2009074855A
JP2009074855A JP2007242470A JP2007242470A JP2009074855A JP 2009074855 A JP2009074855 A JP 2009074855A JP 2007242470 A JP2007242470 A JP 2007242470A JP 2007242470 A JP2007242470 A JP 2007242470A JP 2009074855 A JP2009074855 A JP 2009074855A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light receiving
light
receiving element
receiving elements
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007242470A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Chiba
正 千葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lapis Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Oki Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Semiconductor Co Ltd filed Critical Oki Semiconductor Co Ltd
Priority to JP2007242470A priority Critical patent/JP2009074855A/ja
Priority to KR1020080043242A priority patent/KR20090030197A/ko
Priority to CNA2008101269626A priority patent/CN101393051A/zh
Priority to US12/211,298 priority patent/US20090146048A1/en
Publication of JP2009074855A publication Critical patent/JP2009074855A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/10Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void
    • G01J1/16Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void using electric radiation detectors
    • G01J1/1626Arrangements with two photodetectors, the signals of which are compared
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44Electric circuits
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02Details
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/10Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void
    • G01J1/20Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void intensity of the measured or reference value being varied to equalise their effects at the detectors, e.g. by varying incidence angle
    • G01J1/28Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void intensity of the measured or reference value being varied to equalise their effects at the detectors, e.g. by varying incidence angle using variation of intensity or distance of source
    • G01J1/30Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void intensity of the measured or reference value being varied to equalise their effects at the detectors, e.g. by varying incidence angle using variation of intensity or distance of source using electric radiation detectors
    • G01J1/32Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void intensity of the measured or reference value being varied to equalise their effects at the detectors, e.g. by varying incidence angle using variation of intensity or distance of source using electric radiation detectors adapted for automatic variation of the measured or reference value
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02016Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

【課題】電子機器の筐体に照射された照射光を検出する小型で消費電力が少ない光検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】互いに異なる受光波長特性を有して、中間点を介して直列接続され且つ電子機器の筐体の開口に臨んで配置された2つの受光素子を含み、当該受光素子の直列回路の両端を基準電位に維持しつつ当該中間点から抽出される電流を表す信号を検出信号とする光検出装置。
【選択図】図4

Description

本発明は、電子機器の筐体に照射される照射光の強さを検出する光検出装置に関する。
従来から、携帯電話等の電子機器が用いられる環境の明るさを検知するために、その筐体(ケース)に照射される照射光の強さを検出する光検出装置が知られている。かかる光検出装置においては、筐体に設けられた開口を経た入射光に感応する受光素子によって得られる光信号によって照射光の強さを検出している。
ところで、当該受光素子は、電子機器の筐体の内壁等からの反射・散乱若しくは電子機器の筐体表面からの反射・散乱によって生じた迷光によって発生する暗電流も同時に検出している。
また、上述した迷光による暗電流以外にも受光素子の熱や逆バイアス変動によって暗電流が発生する。更に、受光素子の1例としてのフォトダイオードにおいては、フォトダイオードの周囲温度変化によって暗電流が変化する。
かかる暗電流の発生やその変動によって、電子機器への照射光の強さを正確に検出することが出来ないという問題点があり、また、これによって、光検出装置からの光検出信号出力によって駆動する駆動装置における誤作動の原因ともなっていた。
上述した問題点を解決する方法として、暗電流をキャンセルしつつ、照射光の強さを検出する方法が、特許文献1乃至3に開示されている。
特許文献1は、光軸上に配置されていないキャンセル用受光素子による迷光の受光により発生した電流を任意の電圧に変換し、当該変換した任意の電圧を基準電圧として光軸上に配置された受光素子からの信号光及び迷光によって生じた電流を電圧に変換することが開示されている。
特許文献2は、光軸上に配置されていないキャンセル用受光素子から発生した熱や逆バイアスの変動による暗電流を任意の電圧に変換し、当該変換した任意の電圧を基準電圧として光軸上に配置された受光素子からの信号光によって生じた電流を電圧に変換することが開示されている。
特許文献3には、光源からの信号光の光軸上に設けられた受光素子と、光軸上以外に設けられて信号光を受光しないキャンセル用受光素子とを接続点を介して直列接続されて、当該接続点と接地電位との間に設けられた抵抗に流れる電流を測定することが開示されている。
特開2007−52842号公報 特開平6−5888号公報 特開平10−300574号公報
特許文献1乃至3に記載されている光検出装置は、キャンセル用の受光素子を光軸上とは異なる位置に配置し又は遮光のための構造によって信号光を遮光することによって暗電流のみを測定し、光軸上にある受光素子から発生する光電流をかかる暗電流を基準に電圧への変換又は光電流からかかる暗電流を差し引いた電流を電圧へ変換することにより、暗電流の影響を抑制可能としている。
しかしながら、キャンセル用の受光素子を光軸上とは異なる位置に設けることによって、受光素子と変換器や基準電位との配線又は受光素子同士の配線が複雑且つ長くなることによって、光検出装置の消費電力が大きくなるという問題点があった。
また、遮光のための構造によって低コスト化が困難となることや、受光素子の配置上の制約によって光検出装置の小型化が困難になる問題点もあった。
本発明は、以上の如き事情に鑑みてなされたものであり、外部光を遮光することなく、暗電流の影響を抑制して小型で消費電力が少ない光検出装置を提供することを目的としている。
上述した課題を解決するために、本発明は、電子機器の筐体に照射される照射光の強さを検出する光検出装置であって、互いに異なる受光波長特性を有して中間点を介して互いに直列接続され且つ前記筐体の開口に臨んで配置された2つの受光素子と、前記受光素子の直列接続回路の両端を基準電位に維持する基準電位回路と、前記中間点から抽出される電流の大きさに応じた光検出信号を生成する信号生成回路と、を含む光検出装置を提供する。
更に、前記筐体の開口を経た入射光を前記2つの受光素子に中継する光学系を含んでいても良い。
また、前記受光素子のうち一方の高感度受光波長領域が他方のそれよりも広くても良い。
また、前記基準電位回路の基準電位は接地電位若しくは定電圧電位であっても良い。
本発明の光検出装置においては、互いに異なる受光波長特性を有して、中間点を介して接続され且つ電子機器の筐体の開口に臨んで配置された2つの受光素子を含み、当該受光素子の直列回路の両端を基準電位に維持しつつ当該中間点から抽出される電流の大きさを検出する構成としたので、消費電力の低減及び光検出装置自体の小型化を実現することが出来る。
発明を実施するための形態
以下、本発明の実施例について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図1は、本発明の実施例としての光検出装置を備える携帯電話を示す斜視図である。
図1に示されているように、携帯電話10の筐体11には複数の開口12a、12b、12cが設けられている。開口12aは、筐体10の主面上方に設けられており、開口12aには、表示部13が収められている。筐体10の主面下方に設けられた複数の開口12bには、ボタン操作部の各ボタン14aが収められている。表示部13とボタン14aとの間に位置するように設けられた開口12cは、受光用であり、これを介して入射する外部光に応答する2つの受光波長特性の互いに異なる受光素子15a、15bが収められている。受光素子15a、15bはいずれも遮光されずに開口12cに臨んで設けられている。受光素子15a、15bは例えば、フォトダイオードである。筐体11の上方の側面部分にはアンテナ16aが設けられている。なお、筐体11の少なくとも開口12cの周縁近傍は不透明である方が望ましい。
なお、光検出装置を備える装置として本実施例では携帯電話としているが、携帯電話に限られることなく、PDA、ノート型パソコン、腕時計若しくはデジタルカメラ等の移動若しくは携帯自在な電子機器であっても良い。また、外部光は太陽光に限らずレーザ光等の光であっても良い。
図2は、受光素子15a、15bの波長λ[nm]に対する受光感度[A/W]の関係すなわち受光波長特性を示したグラフである。グラフの横軸が波長であり、グラフの縦軸が受光感度を示している。受光素子15aの受光波長特性を破線21によって示し、受光素子15bの受光波長特性を実線22によって示している
図2に示されたグラフから判るように、受光素子15aは、約320nmから約400nmまでの波長範囲において高い受光感度を有している(例えば、かかる高受光感度を有する領域を紫外線領域Aとする)。これに対して、受光素子15bは、約280nmから約400nmまでの波長範囲において高い受光感度を有している(例えば、かかる高受光感度を有する領域を紫外線領域Bとする)。従って、受光素子15a、15bは、異なる受光波長特性を有する。受光素子15aが紫外線領域Aに高受光感度を有する狭域受光素子であり、受光素子15bが紫外線領域Aよりも広い紫外線領域Bに高受光感度を有する広域受光素子である。
なお、受光素子15a、15bの受光波長特性は、図2で示されているような紫外線領域において高い受光感度を有する特性に限定されることなく、例えば、可視光領域や赤外線領域において高い受光感度を有していても良い。
図3は、本発明の実施例としての光検出装置を備える携帯電話10の回路構成を示している。
図3に示されているように、制御部31は、表示部13を構成する液晶パネル等の表示パネル13aが接続されている。制御部31は、アンテナ16aを備える通信部16をボタン操作部14からの制御入力に応じて制御する。制御部31には、光検出装置32が更に接続されている。光検出装置32は、筐体11の受光用の開口12cに臨み互いに直列接続された受光素子15a、15b及び受光素子15a、15bの接続点に接続された電流−電圧変換増幅器33を含んでいる。
制御部31は、アンテナ16aからの受信する電波信号に応じた受信番号を表示パネル13aに表示し、ボタン操作部14からの制御入力に応じた操作画面を表示パネル13aに表示する。また、制御部31は、電流−電圧変換増幅器33にて受光素子15a、15bの受光によって発生した光電流の差に応じた電圧に変換された光検出信号を受信し、かかる光検出信号を演算して照射光の紫外線の強さを示す紫外線指数を表示部13に表示する。紫外線指数は、例えば、紫外線の防止効果を示す数値のSPF(Sun Protection Factor:紫外線防止指数)であっても良い。
図4は、本発明の第1の実施例としての光検出装置を示している。図4に示されているように、光検出装置32は、互いに異なる受光波長特性を有する受光素子15a、15bを含む。例えば、受光素子15a、15bは、図2に示した受光波長特性を有する。受光素子15a、15bは、中間点T1を介して互いに直列に接続され、中間点T1は、電流−電圧変換増幅器33の入力端に接続されている。電流−電圧変換増幅器33は、オペアンプ41、フィードバック抵抗42から構成されている。
受光素子15aのアノードと受光素子15bのカソードとが接続され、受光素子15aのカソードと受光素子15bのアノードとが接地電位に接続されている。すなわち、受光素子15a、15bの直列回路の両端が接地電位の基準電位に維持されている。また、受光素子15aのアノードと受光素子15bのカソードとの接続の中間点T1は、オペアンプ41の負入力端子に接続されている。
オペアンプ41の正入力端子及び負電源端子は、接地電位に接続されている。また、オペアンプ41の正電源端子は、電源Vddに接続されている。更に、オペアンプ41の負入力端子とオペアンプ41の出力とがフィードバック抵抗42を介して接続されている。
次に、本実施例の光検出装置の動作について説明する。紫外線が破線矢印にて示すように照射された場合に、受光素子15aには紫外線領域Aの波長の紫外線を受光すると、矢印IAの方向に向かって受光量に応じた光電流Iaが流れる。また、受光素子15bが紫外線領域Bの波長の紫外線を受光すると、矢印IBの方向に向かって受光量に応じた光電流Ibが流れる。中間点T1には、光電流Ibから光電流Iaを差し引いた差分電流Icが矢印ICの方向に向かって電流−電圧変換増幅器33から抽出されることになる。差分電流Icは、出力点T2に出力電圧Vとして出力される。更に、出力電圧Vは、出力Voutから光検出装置32の外部に出力される。
上述したように、光電流Iaは紫外線領域Aの紫外線光に対応した光電流であり、光電流Ibは紫外線領域Bの紫外線光に対応した光電流である故、中間点T1に流れる差分電流Icは、紫外線の波長が約280nmから320nm(例えば、紫外線領域Cとする)の紫外線光に対応する光電流の電流量となり、紫外線領域Cのみの紫外光量を測定したこととなる。
また、受光素子15a、15bからそれぞれ受光素子の熱による暗電流が発生していても、光電流Ibから光電流Iaを差し引く差分電流Icにおいては、かかる暗電流も相殺されることとなる。
従って、本実施例における光検出装置においては、フィルタを設けることなく特定の波長領域(本例においては紫外線領域C)の紫外線光に対応した光検出信号を出力することが出来、かかる光検出信号に応じた表示データを表示部13に表示することが出来る。
以上のように、本実施例による光検出装置によれば、互いに異なる受光波長特性を有して、中間点を介して接続され且つ電子機器の筐体の開口に臨んで配置された2つの受光素子を含み、当該中間点から抽出される電流の大きさに応じた光検出信号を生成する故、照射光を遮光することなく、暗電流の影響を抑制して所望の波長領域に属する外光の光量を検出することが出来る。
図5は、本発明の第2の実施例としての光検出装置を示している。ここで、第1の実施例と同様部分については同じ符号を使用する。
図5に示されているように、光検出装置32は、図2に示した受光波長特性を各々が有して互いに中間点T1において直列接続された受光素子15a、15bを含んでいる。電流−電圧変換増幅器33は、中間点T1から抽出される電流を電圧に変換する。電圧増幅器52は、外部電源51から加えられた参照電圧Vr1を2倍に増幅する。
電流−電圧変換増幅器33は、オペアンプ41及びフィードバック抵抗42から構成されている。また、電圧増幅器52は、オペアンプ53、フィードバック抵抗54及びフィードバック抵抗55から構成されている。
受光素子15aのアノードと受光素子15bのカソードとが接続され、受光素子15bのアノードが接地電位に接続され、受光素子15aのカソードが電圧増幅器52に接続されている。すなわち、受光素子15a、15bの直列回路の両端が接地電位若しくは定電圧電位の基準電位に維持されている。また、受光素子15aのアノードと受光素子15bのカソードとの接続の中間点T1は、オペアンプ41の負入力端子に接続されている。
オペアンプ41及びオペアンプ53の正入力端子は、外部電源51に接続されている。オペアンプ41及びオペアンプ53の負電源端子は接地電位に接続され、正電源端子は電源Vdd1、Vdd2に接続されている。オペアンプ41の負入力端子とオペアンプ41の出力とがフィードバック抵抗42を介して接続されている。オペアンプ53の正入力端子とオペアンプ53の出力とがフィードバック抵抗54を介して接続されている。更に、オペアンプ53の正入力端子はフィードバック抵抗55を介して接地電位とも接続されている。また、オペアンプ53の負入力端子も接地電位に接続されている。
次に、本実施例の光検出装置の動作について説明する。外部電源51によって加えられた参照電圧Vr1は、オペアンプ41及びオペアンプ53の正入力端子に入力される。オペアンプ53から参照電圧Vr1の2倍の電圧2Vr1が出力され、受光素子15a、15bのそれぞれに−Vr1の逆バイアス電圧が加えられることとなる。
紫外線が破線矢印にて示すように照射されると、第1の実施例と同様に受光素子15aには矢印IAの方向に向かって光電流Iaが流れ、受光素子15bには矢印IBの方向に向かって光電流Ibが流れる。また、中間点T1には、光電流Ibから光電流Iaを差し引いた差分電流Icが矢印ICの方向に向かって電流−電圧変換増幅器33から抽出されることになる。差分電流Icは、電圧に変換された後、出力点T2を介して出力Voutより出力される。
従って、第1の実施例と同様に、特定の波長領域(すなわち、紫外線領域C)に対応する光検出信号を出力することが出来、かかる光検出信号に応じた表示データを表示パネル13aに表示することが出来る。
また、上述したように、受光素子15a及び15bの各々に逆バイアス電圧を加えると、第1の実施例のように受光素子15a及び15bの直列回路の両端が接地電位に接続された場合よりも受光素子15a、15bの動作特性が安定する利点がある。
以上のように、本実施例による光検出装置によれば、互いに異なる受光波長特性を有して、中間点を介して接続され且つ電子機器の筐体の開口に臨んで配置された2つの受光素子を含み、当該受光素子の直列回路を基準電位に維持されつつ各受光素子に逆バイアス電圧を加えつつ当該中間点から電流を抽出する故、照射光を遮光することなく、受光素子を安定させつつ暗電流の影響を除去して所望の波長領域内の外光の光量を検出することが出来る。
図6は、本発明の第3の実施例としての光検出装置を示している。ここで、第1及び2の実施例と同様部分については同じ符号を使用する。
図6に示されているように、光検出装置32は、図2に示した受光波長特性を各々が有して互いに中間点T1において直列接続された受光素子15a、15bを含んでいる。電流−電圧変換増幅器33は、中間点T1から抽出される電流を電圧に変換する。バンドギャップリファレンス回路61は、所定の電圧2Vr2を生成する。電流−電圧変換増幅器33は、オペアンプ41、フィードバック抵抗42から構成されている。
受光素子15aのアノードと受光素子15bのカソードとが接続されている。受光素子15bのアノードが接地電位に接続され、受光素子15aのカソードがバンドギャップリファレンス回路61に接続されている。すなわち、すなわち、受光素子15a、15bの直列回路の両端が接地電位若しくは定電圧電位の基準電位に維持されている。また、受光素子15aのアノードと受光素子15bのカソードとの接続の中間点T1は、オペアンプ41の負入力端子に接続されている。
オペアンプ41の正入力端子は、抵抗62、63の接続部分の中間点T3に接続され、抵抗63を介して接地電位に接続されている。オペアンプ41の負電源端子は接地電位に接続され、正電源端子は電源Vdd1に接続されている。オペアンプ41の負入力端子とオペアンプ41の出力とがフィードバック抵抗42を介して接続されている。また、バンドギャップリファレンス回路61は、抵抗62、電源Vdd3及び接地電位に接続されている。
次に、本実施例の光検出装置の動作について説明する。バンドギャップリファレンス回路61によって生成された電圧2Vr2は、受光素子15aのカソードに加わることとなり、受光素子15a、15bのそれぞれに−Vr2の逆バイアス電圧が加えられることとなる。また、抵抗62、63は抵抗値が等しいため、電圧2Vr2の半分の電圧Vr2がオペアンプ41の正入力端子に入力される。
紫外線が破線矢印にて示すように照射されると、第1及び2の実施例と同様に受光素子15aには矢印IAの方向に向かって光電流Iaが流れ、受光素子15bには矢印IBの方向に向かって光電流Ibが流れる。また、中間点T1には、光電流Ibから光電流Iaを差し引いた差分電流Icが矢印ICの方向に向かって電流−電圧変換増幅器33から抽出されることになる。差分電流Icは、電圧に変換された後、出力点T2を介して出力Voutより出力される。
従って、第1及び2の実施例と同様に、特定の波長領域(すなわち、紫外線領域C)内の紫外線光の受光による光検出信号を出力することが出来、かかる光検出信号に応じた表示データを表示パネル13aに表示することが出来る。
また、本実施例においては第2の実施例とは異なり、バンドギャップリファレンス回路61によって生成した電圧を2倍にすることなく受光素子15a、15bに加え、抵抗62、63による抵抗分割を利用するため回路の増大がなく、第2の実施例よりも更に消費電流の増大を抑えられる利点がある。
以上のように、本実施例による光検出装置によれば、互いに異なる受光波長特性を有して、中間点を介して接続され且つ電子機器の筐体の開口に臨んで配置された2つの受光素子を含み、当該受光素子の直列回路を基準電位に維持されつつ各受光素子に逆バイアス電圧を加えつつ当該中間点から電流を抽出する故、照射光を遮光することなく、受光素子を安定させつつ暗電流の影響を除去して特定の波長領域の受光量を検出することが出来る。
本発明の実施例としての光検出装置を備える携帯電話を示す斜視図である。 2つ受光素子の受光波長特性を実線及び破線によって示すグラフである。 本発明の実施例としての光検出装置を備える携帯電話の回路構成を示すブロック図である。 本発明の第1の実施例としての光検出装置の回路図である。 本発明の第2の実施例としての光検出装置の回路図である。 本発明の第3の実施例としての光検出装置の回路図である。
符号の説明
10 携帯電話
12a、12b、12c 開口
15a、15b 受光素子
32 光検出装置
33 電流−電圧変換増幅器
41 オペアンプ
42 フィードバック抵抗

Claims (4)

  1. 電子機器の筐体に照射される照射光の強さを検出する光検出装置であって、
    互いに異なる受光波長特性を有して中間点を介して互いに直列接続され且つ前記筐体の開口に臨んで配置された2つの受光素子と、
    前記受光素子の直列接続回路の両端を基準電位に維持する基準電位回路と、
    前記中間点から抽出される電流の大きさに応じた光検出信号を生成する信号生成回路と、を含む光検出装置。
  2. 前記筐体の開口を経た入射光を前記2つの受光素子に中継する光学系を含む請求項1記載の光検出装置。
  3. 前記受光素子のうち一方の高感度受光波長領域が他方のそれよりも広いことを特徴とする請求項1又は2記載の光検出装置。
  4. 前記基準電位回路の基準電位は接地電位若しくは定電圧電位であることを特徴とする請求項3記載の光検出装置。
JP2007242470A 2007-09-19 2007-09-19 光検出装置 Pending JP2009074855A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007242470A JP2009074855A (ja) 2007-09-19 2007-09-19 光検出装置
KR1020080043242A KR20090030197A (ko) 2007-09-19 2008-05-09 광 검출장치
CNA2008101269626A CN101393051A (zh) 2007-09-19 2008-06-20 光检测装置
US12/211,298 US20090146048A1 (en) 2007-09-19 2008-09-16 Photo detecting apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007242470A JP2009074855A (ja) 2007-09-19 2007-09-19 光検出装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009074855A true JP2009074855A (ja) 2009-04-09

Family

ID=40493459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007242470A Pending JP2009074855A (ja) 2007-09-19 2007-09-19 光検出装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20090146048A1 (ja)
JP (1) JP2009074855A (ja)
KR (1) KR20090030197A (ja)
CN (1) CN101393051A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010078423A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Toshiba Corp 固体撮像素子
JP2019215316A (ja) * 2018-06-13 2019-12-19 エー・ウント・エー・エレクトロニック・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング 電子装置、そのような電子装置を備えた光ガスセンサー及びそのような電子装置を用いて光電流と温度を組み合せて測定する方法
WO2020209079A1 (ja) * 2019-04-09 2020-10-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 測距センサ、信号処理方法、および、測距モジュール

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7838811B2 (en) * 2007-12-03 2010-11-23 Rohm Co., Ltd. Ambient light sensor
CN102739304A (zh) * 2011-04-06 2012-10-17 北京同方微电子有限公司 一种用于芯片安全防护的光检测电路
CN102937479A (zh) * 2012-11-15 2013-02-20 北京昆腾微电子有限公司 光强检测电路和方法
TWI484464B (zh) * 2013-02-22 2015-05-11 Au Optronics Corp 光感測裝置
CN104539857B (zh) * 2014-12-26 2018-02-27 电子科技大学 光电流读出电路及自适应光强成像阵列电路及其控制方法
CN108829171A (zh) * 2018-07-24 2018-11-16 烽火通信科技股份有限公司 一种消除监控光电二极管暗电流的装置及方法
CN113447052A (zh) * 2021-06-07 2021-09-28 武汉光迅科技股份有限公司 一种光接收组件及光传感设备
CN118129918A (zh) * 2024-01-30 2024-06-04 北京邮电大学 抑制暗电流的分时共享红外读出电路、装置和红外成像仪

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6365325A (ja) * 1986-09-05 1988-03-23 Sharp Corp 光量検出回路
JPH01292220A (ja) * 1988-05-19 1989-11-24 Hamamatsu Photonics Kk 半導体光検出装置
JPH0295824U (ja) * 1989-01-18 1990-07-31
JPH04235424A (ja) * 1991-01-10 1992-08-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 光による情報伝達のための受光装置
JPH04310829A (ja) * 1991-04-09 1992-11-02 Japan Electron Control Syst Co Ltd 筒内温度センサ
JP2006222868A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Murata Mfg Co Ltd 光送受信モジュールおよびそれを備えた光送受信装置
JP2006329892A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Mitsumi Electric Co Ltd 受光装置
JP2006349625A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Mitsubishi Electric Corp 紫外線量測定装置および携帯電話機および紫外線量測定方法
JP2007205902A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Epson Imaging Devices Corp 光検知回路、電気光学装置および電子機器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4243879A (en) * 1978-04-24 1981-01-06 Carroll Manufacturing Corporation Touch panel with ambient light sampling
CH684971A5 (de) * 1989-03-16 1995-02-15 Landis & Gyr Tech Innovat Ultraviolettlicht-Sensor.
US5117099A (en) * 1989-09-01 1992-05-26 Schmidt Terrence C Ambient light rejecting quad photodiode sensor
US5650608A (en) * 1991-12-05 1997-07-22 Tv Interactive Data Corporation Method and apparatus for generating ratiometric control signals
JP2686036B2 (ja) * 1993-07-09 1997-12-08 浜松ホトニクス株式会社 アバランシェフォトダイオードのバイアス回路
CN1091302C (zh) * 1995-04-05 2002-09-18 松下电器产业株式会社 光检测装置及其制造方法
WO1999012469A1 (fr) * 1997-09-05 1999-03-18 Seiko Epson Corporation Photodetecteur a reflexion et instrument de mesure de donnees biologiques
US6756578B1 (en) * 2002-01-17 2004-06-29 Trimble Navigation Limited Photocell bias circuit
JP4353224B2 (ja) * 2006-09-25 2009-10-28 エプソンイメージングデバイス株式会社 光検出装置、電気光学装置、および電子機器

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6365325A (ja) * 1986-09-05 1988-03-23 Sharp Corp 光量検出回路
JPH01292220A (ja) * 1988-05-19 1989-11-24 Hamamatsu Photonics Kk 半導体光検出装置
JPH0295824U (ja) * 1989-01-18 1990-07-31
JPH04235424A (ja) * 1991-01-10 1992-08-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 光による情報伝達のための受光装置
JPH04310829A (ja) * 1991-04-09 1992-11-02 Japan Electron Control Syst Co Ltd 筒内温度センサ
JP2006222868A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Murata Mfg Co Ltd 光送受信モジュールおよびそれを備えた光送受信装置
JP2006329892A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Mitsumi Electric Co Ltd 受光装置
JP2006349625A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Mitsubishi Electric Corp 紫外線量測定装置および携帯電話機および紫外線量測定方法
JP2007205902A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Epson Imaging Devices Corp 光検知回路、電気光学装置および電子機器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010078423A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Toshiba Corp 固体撮像素子
JP2019215316A (ja) * 2018-06-13 2019-12-19 エー・ウント・エー・エレクトロニック・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング 電子装置、そのような電子装置を備えた光ガスセンサー及びそのような電子装置を用いて光電流と温度を組み合せて測定する方法
JP7266436B2 (ja) 2018-06-13 2023-04-28 エー・ウント・エー・エレクトロニック・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング 電子装置を備えた光ガスセンサー及びそのような電子装置を用いて光電流と温度を組み合せて測定する方法
WO2020209079A1 (ja) * 2019-04-09 2020-10-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 測距センサ、信号処理方法、および、測距モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US20090146048A1 (en) 2009-06-11
CN101393051A (zh) 2009-03-25
KR20090030197A (ko) 2009-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009074855A (ja) 光検出装置
JP5305387B2 (ja) 光検出装置、及び画像表示装置
US5410145A (en) Light detector using reverse biased photodiodes with dark current compensation
US9310247B2 (en) Dark current calibration for a photosensitive device
US8138463B2 (en) Photosensor and ambient light sensor with constant bias voltage
CN108627243B (zh) 具光二极管漏电流补偿功能的环境光感测电路
JP2009158569A (ja) 光検出半導体装置、光検出装置、及び画像表示装置
US9188482B2 (en) Optical sensor with special discrimination
JP6072978B2 (ja) 受光器及び携帯型電子機器
JP2009158570A (ja) 光検出半導体装置、光検出装置、及び画像表示装置
CN101593786A (zh) 用于雪崩光电二极管的温度补偿电路
WO2009081971A1 (ja) 光検出装置、及び画像表示装置
US11761817B2 (en) Optical sensor arrangement including a dummy photodiode with a well that surrounds a well of a photodiode
WO2016143178A1 (ja) 受光器および携帯型電子機器
JP4608329B2 (ja) 光検出器
JP2015165184A (ja) 紫外線検出装置および電子機器
JP2011228590A (ja) 照度センサ
Woods et al. Wideband infrared trap detector based upon doped silicon photocurrent devices
JP2009109288A (ja) 光検出回路
US6787757B2 (en) Apparatus and methods for generating an electronic signal responsive to selected light
JP7288838B2 (ja) 光センサ
US11754443B2 (en) Photoconductor readout circuit
JPS6388871A (ja) 光混成集積回路装置
Aguilar et al. Front-end and slow control electronics for large area SiPMs used for the single mirror Small Size Telescope (SST-1M) of the Cherenkov Telescope Array (CTA)
Calarco et al. Programmable gain CMOS photodetector array for a non-diffractive beam optical encoder II

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20081224

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20090127

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090316

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090729

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091006

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100525

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100723

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100811

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101124