JP2009071140A - 面発光型デバイス - Google Patents
面発光型デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009071140A JP2009071140A JP2007239440A JP2007239440A JP2009071140A JP 2009071140 A JP2009071140 A JP 2009071140A JP 2007239440 A JP2007239440 A JP 2007239440A JP 2007239440 A JP2007239440 A JP 2007239440A JP 2009071140 A JP2009071140 A JP 2009071140A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting
- substrate
- light
- electrode
- wiring pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】表面に配線パターンを有する基板2000に面発光型素子1000が設けられて構成されている面発光型デバイスであって、面発光型素子の光放射面には、面発光型素子の発光部から光を放射するための窓を有する放射側電極が形成されており、且つ、面発光型デバイスの基板側電極10と基板2000の配線パターン13とは、発光部の直下以外の部分で、電気的に接続されている。
【選択図】図1
Description
表面に配線パターンを有する基板に面発光型素子が設けられて構成されている面発光型デバイスであって、
前記面発光型素子の光放射面には、前記面発光型素子の発光部から光を放射するための窓を有する放射側電極が形成されており、且つ、前記面発光型素子の基板側電極と前記基板の前記配線パターンとは、前記発光部の直下以外の部分で、電気的に接続されていることを特徴とする。
(b)前記半導体層に面発光型デバイスを形成する工程
(c)配線パターンを有する基板を接合し、前記面発光型デバイスの接合される側の電極は、発光部の直下以外の部分で、前記配線パターンに電気的に接続する工程
(d)前記化合物半導体基板を除去し、除去した面の発光部に対応した位置に窓の開いた光放射側電極を形成する工程
面発光型素子として面発光型ダイオードを用いた具体的な実施形態を、図面を参照してその製造方法を説明する。
n-Al0.2Ga0.8As 層3:〜0.5μm;〜1018/cm3
n-Al0.35Ga0.65As層4:〜0.5μm;〜1018/cm3
p-Al0.13Ga0.87As層5:〜0.1μm;〜1017/cm3
p-Al0.35Ga0.65As層6:〜0.5μm;〜1017/cm3
p-Al0.2Ga0.8As層7:〜0.5μm;〜1017/cm3
続いて、このエピタキシャル層に、公知技術である半導体プロセスにより面発光型ダイオードを形成する。面発光型ダイオードの一方の電極まで形成するが、このとき、面発光型ダイオードの発光部と離れた位置に接続のための領域を設けておく。
2…分離層
3…n-AlzGa1-zAs層
4…n-AlxGa1-xAs層
5…活性層(n-AlyGa1-yAs層)
6…p-AlxGa1-xAs層
7…p-AlzGa1-zAs層
8…絶縁層
9…コンタクト用の窓
10…一方の電極(基板側電極)
11…溝
12…シリコン基板
13…配線パターン
14…他方の電極(光放射側電極)
15…光放射用の窓
16…発光領域
17…熱伝導性パッド
Claims (8)
- 表面に配線パターンを有する基板に面発光型素子が設けられて構成されている面発光型デバイスであって、
前記面発光型素子の光放射面には、前記面発光型素子の発光部から光を放射するための窓を有する放射側電極が形成されており、且つ、前記面発光型素子の基板側電極と前記基板の前記配線パターンとは、前記発光部の直下以外の部分で、電気的に接続されていることを特徴とする面発光型デバイス。 - 前記面発光型素子の発光部と前記基板とは、前記発光部の直下で、電気的には接続していないが、熱的には接触している部分があることを特徴とする請求項1に記載の面発光型デバイス。
- 前記面発光型素子の基板側電極と、前記基板の配線パターンとの電気的な接続は、金属同士の直接接合で行われていることを特徴とする請求項1に記載の面発光型デバイス。
- 前記面発光型素子が列状に複数個配置され、面発光型ダイオードアレイを構成しており、該面発光型ダイオードの基板側電極が個別電極であり、且つ前記放射側電極が複数の面発光型ダイオードの共通電極となっていることを特徴とする請求項1に記載の面発光型デバイス。
- 前記面発光型素子が、面発光レーザであることを特徴とする請求項1に記載の面発光型デバイス。
- 請求項1乃至5に記載の面発光型デバイスを構成要素として含むことを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至5に記載の面発光型デバイスを構成要素として含むことを特徴とするLEDプリンタヘッド。
- 請求項7に記載のLEDプリンタヘッドを搭載したことを特徴とするプリンタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007239440A JP2009071140A (ja) | 2007-09-14 | 2007-09-14 | 面発光型デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007239440A JP2009071140A (ja) | 2007-09-14 | 2007-09-14 | 面発光型デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009071140A true JP2009071140A (ja) | 2009-04-02 |
Family
ID=40607067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007239440A Pending JP2009071140A (ja) | 2007-09-14 | 2007-09-14 | 面発光型デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009071140A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3028667A1 (fr) * | 2014-11-17 | 2016-05-20 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif emissif comportant des premier et deuxieme pixels adjacents partageant un meme empilement emissif de semi-conducteurs |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07335976A (ja) * | 1994-06-15 | 1995-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 受光素子付き面発光レーザ装置 |
JPH10335383A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2000049414A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Canon Inc | 光機能素子装置、これを用いた光送受信装置、光インターコネクション装置および光記録装置 |
-
2007
- 2007-09-14 JP JP2007239440A patent/JP2009071140A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07335976A (ja) * | 1994-06-15 | 1995-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 受光素子付き面発光レーザ装置 |
JPH10335383A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2000049414A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Canon Inc | 光機能素子装置、これを用いた光送受信装置、光インターコネクション装置および光記録装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3028667A1 (fr) * | 2014-11-17 | 2016-05-20 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif emissif comportant des premier et deuxieme pixels adjacents partageant un meme empilement emissif de semi-conducteurs |
US9825089B2 (en) | 2014-11-17 | 2017-11-21 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Emissive device including first and second adjacent pixels sharing the same semiconductor light-emitting stack |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106505410B (zh) | 垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法 | |
JP4160597B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP5012187B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4116587B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JPH11168262A (ja) | 面型光デバイス、その製造方法、および表示装置 | |
KR20050000197A (ko) | 플립-칩 본딩용 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
JP6083194B2 (ja) | 面発光型半導体レーザアレイ装置、光源および光源モジュール | |
JP5236924B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP5326957B2 (ja) | 発光素子の製造方法及び発光素子 | |
JP2000049414A (ja) | 光機能素子装置、これを用いた光送受信装置、光インターコネクション装置および光記録装置 | |
JP2010040752A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP5959484B2 (ja) | 半導体レーザ素子、及び半導体レーザ装置 | |
JP6252222B2 (ja) | 面発光レーザアレイ及びレーザ装置 | |
JP2007027572A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP5151758B2 (ja) | 発光素子 | |
JP5277066B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP5151764B2 (ja) | 発光素子及び発光素子の製造方法 | |
JP2009071140A (ja) | 面発光型デバイス | |
US8748918B2 (en) | Semiconductor device and optical print head | |
JP2010010509A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP4969120B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2013179210A (ja) | アレイ型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP2012054474A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP6037484B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
JP4235530B2 (ja) | 面発光型ダイオード、面発光型ダイオードアレイ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20090324 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100201 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100630 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120417 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120418 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120918 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130129 |