JP2009069063A - 計測方法、形状計測方法、計測装置及び形状計測装置 - Google Patents

計測方法、形状計測方法、計測装置及び形状計測装置 Download PDF

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Abstract

【課題】容易に計測を行うことができ、計測時間を短縮化できる計測方法、形状計測方法、計測装置及び形状計測装置を提供すること。
【解決手段】第1光量で前記被検物に光を照射する工程と、前記被検物上で散乱された第1散乱光の第1画像を画像取得装置によって取得する工程と、前記第1画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記第1散乱光の光量が小さい第1領域を検出する工程とを含み、前記第1光量は、前記被検物のうち前記他の領域において、前記第1散乱光の光量が前記画像取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような光量である。
【選択図】図1

Description

本発明は、計測方法、形状計測方法、計測装置及び形状計測装置に関するものである。
工業製品の形状の欠陥の有無を検出したり、当該製品が正確な部品形状であるか否か(設計値どおりに出来ているか否か)を計測したりすることは、工業製品の検査において重要になっている。例えば部品形状の計測は、光切断法、パターン投影法、SFF(Shape From Focus)法等の手法による三次元計測法や、二次元計測法などによって行われることが多い。
米国特許第6,075,605号明細書
しかしながら、工業製品が金属部品の場合、金属材料自体の反射率や、不特定の模様(様々なテクスチャ)、周辺光源に対する反射などのため、形状の欠陥検出結果、形状の計測結果に悪影響を及ぼすことがある。
例えば金属部品に溶接箇所がある場合、当該溶接箇所に形成されるブローホールやフラックスなどが形成されることがある。このうち、ブローホールについては、内部まで光が到達しないことが多く、形状の計測が困難となる。また、フラックスについて、反射光が散乱しないため、三次元計測のための像を取得しにくいという問題がある。
二次元計測法の結果のみによってブローホールやフラックス部分を検出する事も考えられるが、被検物が金属である場合、不特定のテクスチャを持つ、周辺光源の反射光、被検物の形状に起因する反射光などにより、非常に複雑な画像となるため、困難もしくは非常に多くの処理時間を必要とする。
このような事情に鑑み、本発明の目的は、容易に計測を行うことができ、計測時間を短縮化できる計測方法、形状計測方法、計測装置及び形状計測装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明を例示する各態様として実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
本発明を例示する第1の態様に従えば、第1光量で前記被検物(M)に光を照射する工程と、前記被検物上で散乱された第1散乱光の第1画像(P1)を画像取得装置によって取得する工程と、前記第1画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記第1散乱光の光量が小さい第1領域(B1)を検出する工程とを含み、前記第1光量は、前記被検物のうち前記他の領域において、前記第1散乱光の光量が前記画像取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような光量であることを特徴とする計測方法が提供される。
本発明を例示する第1の態様によれば、第1光量で被検物に光を照射したときの第1散乱光の第1画像を画像取得装置によって取得し、その第1画像に基づいて、被検物のうち他の領域に比べて第1散乱光の光量が小さい第1領域を検出する。このとき、第1光量は、被検物のうち他の領域において、第1散乱光の光量が画像取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような光量とされているので、不特定のテクスチャを持つ、周辺光源の反射光、被検物の形状に起因する反射光といった画像を複雑にする要素を考慮せずに第1領域を検出することができる。これにより、当該第1領域を容易に検出することができる。
本発明を例示する第2の態様に従えば、第1光量で前記被検物(M)に光を照射する工程と、前記被検物上で散乱された第1散乱光の第1画像(P1)を画像取得装置によって取得する工程と、前記第1画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記第1散乱光の光量が大きい第1領域(B1)を検出する工程とを含み、前記第1光量は、前記第1領域において、前記第1散乱光の光量が前記画像取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような光量であることを特徴とする計測方法が提供される。
本発明を例示する第3の態様に従えば、被検物(M)の形状を計測するための形状計測用画像を取得し、前記計測用画像に基づいて前記被検物の形状を計測する形状計測方法であって、第1光量で前記被検物に光を照射する工程と、前記被検物上で散乱された第1散乱光の第1画像(P1)を画像取得装置によって取得する工程と、前記第1画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記第1散乱光の光量が小さい第1領域(B1)を検出する工程と、前記検出の結果に基づいて、前記形状計測用画像を補正する工程とを含み、前記第1光量は、前記被検物のうち前記他の領域において、前記第1散乱光の光量が前記画像取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような光量であることを特徴とする形状計測方法が提供される。
本発明を例示する第3の態様によれば、第1光量で被検物に光を照射したときの第1散乱光の第1画像を画像取得装置によって取得し、その第1画像に基づいて他の領域に比べて第1散乱光の光量が小さい第1領域を検出し、この検出の結果に基づいて被検物の形状を計測ための形状計測用画像を補正する。このとき、第1光量は、被検物のうち他の領域において、第1散乱光の光量が画像取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような光量とされているので、形状計測用画像として取得しにくい箇所が被検物に形成されている場合でも当該被検物の形状を適切かつ容易に計測することができる。
本発明を例示する第4の態様に従えば、被検物(M)の形状を計測するための形状計測用画像を取得し、前記計測用画像に基づいて前記被検物の形状を計測する形状計測方法であって、第1光量で前記被検物に光を照射する工程と、前記被検物上で散乱された第1散乱光の第1画像(P1)を画像取得装置によって取得する工程と、前記第1画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記第1散乱光の光量が大きい第1領域(B1)を検出する工程と、前記検出の結果に基づいて、前記形状計測用画像を補正する工程とを含み、前記第1光量は、前記第1領域において、前記第1散乱光の光量が前記画像取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような光量であることを特徴とする形状計測方法が提供される。
本発明を例示する第5の態様に従えば、光を被検物(M)へ向けて射出する光源(10)と、前記被検物上で散乱された散乱光の画像(P1)を取得する取得装置(11)と、前記散乱光の画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記散乱光の光量が小さい所定の領域を検出する制御装置(12)とを備え、前記光源は、前記散乱光の光量が前記取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような第1光量の光を射出可能であることを特徴とする計測装置(1)が提供される。
本発明を例示する第5の態様によれば、散乱光の光量が取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような第1光量の光で被検物に光を照射したときの当該散乱光の画像を取得し、その散乱光の画像に基づいて、被検物のうち他の領域に比べて散乱光の光量が小さい所定の領域を検出することができるので、被検物の画像内において不特定のテクスチャを持つ、周辺光源の反射光、被検物の形状に起因する反射光といった画像内を複雑にする要素を考慮せずに当該所定の領域を検出することができる。これにより、所定の領域を容易に検出することができる。
本発明を例示する第6の態様に従えば、光を被検物(M)へ向けて射出する光源(10)と、前記被検物上で散乱された散乱光の画像(P1)を取得する取得装置(11)と、前記散乱光の画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記散乱光の光量が大きい所定の領域を検出する制御装置(12)とを備え、前記光源は、前記散乱光の光量が前記取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような第1光量の光を射出可能であることを特徴とする計測装置(1)が提供される。
本発明を例示する第7の態様に従えば、被検物(M)の形状を計測するための形状計測用画像を取得し、前記形状計測用画像に基づいて前記被検物の形状を計測する形状計測装置であって、光を被検物へ向けて射出する光源(130)と、前記被検物上で散乱された散乱光の画像を取得する取得装置(131)と、前記散乱光の画像に基づいて前記被検物のうち他の領域に比べて前記散乱光の光量が小さい所定の領域を検出すると共に、前記検出の結果に基づいて前記形状計測用画像を補正する制御装置(132)とを備え、前記光源は、前記散乱光の光量が前記取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような第1光量の光を射出可能であることを特徴とする形状計測装置(101)が提供される。
本発明を例示する第7の態様によれば、散乱光の光量が取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような第1光量の光で被検物に光を照射したときの当該散乱光の画像を取得し、その散乱光の画像に基づいて、被検物のうち他の領域に比べて散乱光の光量が小さい所定の領域を検出し、この検出の結果に基づいて被検物の形状を計測するための形状計測用画像を補正するので、被検物に形状計測用画像として取得しにくい箇所がある場合でも被検物の形状を適切かつ容易に計測することができる。
本発明を例示する第8の態様に従えば、被検物(M)の形状を計測するための形状計測用画像を取得し、前記形状計測用画像に基づいて前記被検物の形状を計測する形状計測装置であって、光を被検物へ向けて射出する光源(130)と、前記被検物上で散乱された散乱光の画像を取得する取得装置(131)と、前記散乱光の画像に基づいて前記被検物のうち他の領域に比べて前記散乱光の光量が大きい所定の領域を検出すると共に、前記検出の結果に基づいて前記形状計測用画像を補正する制御装置(132)とを備え、前記光源は、前記散乱光の光量が前記取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような第1光量の光を射出可能であることを特徴とする形状計測装置(101)が提供される。
本発明によれば、容易に計測を行うことができ、計測時間を短縮化できる計測方法、形状計測方法、計測装置及び形状計測装置を得ることができる。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
[第1実施形態]
図1は、本実施形態に係る計測装置1の構成を模式的に示す正面図である。図2は、計測装置1の構成を模式的に示す平面図である。図3は、計測装置1で計測する被検物Mの構成を示す平面図である。
図1に示すように、計測装置1は、ステージS1上の被検物Mの表面を非接触で計測する装置であり、光源10と、画像取得装置11と、制御装置12とを備えている。被検物Mは、例えば金属部材M1と金属部材M2とが溶接された金属部品である。被検物Mのうち図中上側には溶接部M3が形成されている。図3に示すように、金属部材M1及び金属部材M2の表面には、不特定の模様20が形成されている。溶接部M3には、溶接時に発生したブローホール21やフラックス22が形成されている。
光源10は、被検物Mへ向けて光を射出するものであり、図2に示すように、画像取得装置11の周囲に複数、例えば4つ配置されている。なお、図1では、図中左右方向に配置されている光源10のみを図示し、残りの2つについては図示を省略している。また、光源10は、被検物Mに対して真上から一様な光を射出するものであることが好ましい。
図1に戻って、画像取得装置11は、被検物Mで散乱する散乱光の画像を撮像する装置であり、例えばCCDカメラやCMOSセンサなどによって構成されている。この画像取得装置11は、画像を画素単位で撮像可能になっており、画素ごとに撮像素子が設けられている。各撮像素子は、検出可能な光量が例えば0〜255の256段階で設定されている。また、当該画像取得装置11には、検出光の強度を調節する絞り部(不図示)が設けられている。
制御装置12は、計測装置1を統括的に制御するものであり、例えば光源10の光量や光射出時間の調整、画像取得装置11に設けられる不図示の絞り部の状態や、撮像時間などを制御する。当該制御装置12は、画像取得装置11によって取得された画像に対して二値化処理などの処理を施す画像処理回路(不図示)を有している。
次に、上記のように構成された計測装置1の動作を説明する。本実施形態では、図3に示す被検物Mの表面を計測する場合を例に挙げて説明する。
被検物Mを照射すると、被検物M上で散乱光が発生する。本実施形態では、当該散乱光の光量が画像取得装置11によって検出可能な光量よりも大きくなるような第1光量の光L1を光源10から射出する。例えば図3に示される金属部材M1、金属部材M2及び溶接部M3の表面上や、金属部材M1及び金属部材M2の表面に形成された模様20上、金属部材M1及び金属部材M2と溶接部M3との境界上、フラックス22上などに光L1が照射される。一方、ブローホール21の内部には光L1がほとんど照射されない。
被検物Mのうち光L1が照射された領域では、当該被検物Mの表面で散乱光D1が発生する。なお、光L1がほとんど照射されないブローホール21においては、散乱光D1はほとんど発生しない。また、フラックス22では光L1が反射されるため、散乱光D1がほとんど発生しない。画像取得装置11では、この被検物M上で発生した散乱光D1の画像(第1画像)P1を取得する。
図4は、このときに取得される画像P1を模式的に示す図である。
光源10から射出される光Lの光量は、上記散乱光D1の光量が画像取得装置11によって検出可能な光量よりも大きくなるような第1光量であるため、金属部材M1及び金属部材M2の表面や当該表面の模様20、金属部材M1及び金属部材M2と溶接部M3との境界などにおける散乱光D1の光量が大きい領域の画像は、その光量値が各撮像素子の検出可能な最大の光量値(例えば255)として検出される。したがって、図4に示すように、画像P1においては、当該領域は全体が均一に白く表示(W1)される。
一方、被検物Mに形成されたブローホール21では光Lがほとんど照射されず散乱光D1がほとんど発生しないため、画像取得装置11によって検出される光量値は小さな値(例えば40程度)になる。フラックス22においては光Lが照射されるものの散乱光D1がほとんど発生しないため、画像取得装置11によって検出される光量値は小さな値(例えば40程度)になる。この光量値はブローホール21及びフラックス22の大きさや形状などによって異なるが、各撮像素子の検出可能な最大の光量値に比べると、極めて小さな値となる。したがって、図4に示すように、画像P1においては、ブローホール21及びフラックス22が形成された領域は黒く表示(B1)される。
さらに、被検物Mに照射する光の光量を大きくすることにより、フラックス22においても散乱光が発生するようになる。そこで、次に、上記光L1の第1光量よりも大きくフラックス22において十分に散乱光D2が発生するような第2光量の光L2を光源10から射出して被検物Mを照射し、被検物M上で発生した散乱光D2の画像を取得する。
図5は、このときに取得される画像P2を模式的に示す図である。
同図に示すように、例えば金属部材M1及び金属部材M2の表面や当該表面の模様20、金属部材M1及び金属部材M2と溶接部M3との境界など散乱光D2の光量が大きい領域については、その光量値が各撮像素子の検出可能な最大の光量値(例えば255)として検出され、図5に示すように、当該領域は全体が均一に白く表示(W2)される。また、フラックス22においても散乱光D2の光量が十分大きいため、その光量値が各撮像素子の検出可能な最大の光量値(例えば255)として検出される。したがって、図5に示すように、当該領域は全体が均一に白く表示(W2)される。
これに対して、光源10からの光量の大きい光L2を射出した場合でも、ブローホール21内に照射される光がわずかに増加する程度であり、依然として散乱光D2がほとんど発生しない状態となる。すなわち、ブローホール21においては、被検物Mに照射する光の光量が変化する度合いに比べて、散乱光の光量が変化する度合いが少なくなっている。したがって、ブローホール21においては、画像取得装置11によって検出される光量値はわずかに増加した値(例えば60程度)になる。この光量値は各撮像素子の検出可能な最大の光量値に比べると、極めて小さな値となる。したがって、図5に示すように、ブローホール21が形成された領域は依然として黒く表示(B1)されたままとなる。
画像P1と画像P2とを比較すると、画像P1にはブローホール21の形成された領域とフラックス22の形成された領域とが黒く表示されているが、画像P2にはブローホール21の形成された領域のみが黒く表示されておりフラックス22の形成された領域は白く表示されていることがわかる。したがって、この2つの画像を比較することで、ブローホール21の形成領域とフラックス22の形成領域とが識別される。
なお、第1光量及び第2光量については、上記計測を行うに際して予め最適値を求めておき、その最適値をもとに上記画像P1及び画像P2を得るようにしても構わない。また、例えば画像取得装置11の不図示の絞り、光源10からの光L1又は光L2の照射時間を変更することにより第1光量及び第2光量を変化させるようにしても構わない。
このように、本実施形態によれば、第1光量で被検物Mに光を照射したときの散乱光D1の画像P1を取得し、その画像P1に基づいて、被検物Mのうち他の領域に比べて散乱光の光量が小さい領域(黒色で表示された領域)B1を検出するので、不特定のテクスチャを持つ、周辺光源の反射光、被検物の形状に起因する反射光といった画像P1を複雑にする要素を考慮せずに当該領域B1を検出することができる。これにより、領域B1を容易に検出することができる。
また、本実施形態によれば、光L1の第1光量よりも大きくフラックス22において十分に散乱光D2が発生するような第2光量の光L2を光源10から射出して被検物Mを照射し、被検物M上で発生した散乱光D2の画像P2を取得して、当該画像P2に基づいて、例えばブローホール21とフラックス22とを識別するので、より正確な計測を行うことができ、計測の信頼性を向上させることができる。
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態を説明する。図6は、本実施形態に係る形状計測装置101の構成を模式的に示す図である。
同図に示すように、形状計測装置101は、位相シフト法(パターン投影法の一種)とよばれる手法によってステージS2上の被検物Nの三次元形状を非接触で計測すると共に当該被検物Nの表面を非接触で計測する装置であり、パターン投影装置102と、計測装置103と、制御装置104とを備えている。また、被検物Nについては、第1実施形態の被検物Mと同一構成の金属部品であり、第1実施形態と同様の模様、ブローホール及びフラックスが形成されているものとする。
パターン投影装置102は、発光部120と、投影部121とを有しており、投影部121には、コリメータレンズ122と、パターン発生素子123と、投影レンズ124とが設けられている。
発光部120は、所定の波長の光を発光する、例えば発光ダイオードなどの発光素子からなる。コリメータレンズ122は、発光部120で発光された拡散光を平行光に変換する光学素子である。パターン発生素子123は、例えば液晶装置及び透過拡散板を有する光変調素子であり、入射光を正弦波によって生成された明暗の平行な縞模様のパターン光に変換する。投影レンズ124は、パターン光を被検物M上に投影する光学素子である。
計測装置103は、光源130と、画像取得装置131とを有している。
光源130及び画像取得装置131の構成は、第1実施形態における光源10及び画像取得装置11(図1参照)と同一の構成になっている。
制御装置104は、パターン投影装置102及び計測装置103を統括的に制御するものであり、例えば発光部120及び光源130の光量や光射出時間を調整する光源調整回路、パターン発生素子123を制御するパターン制御回路、画像取得装置131によって取得された画像に基づいて被検物の三次元形状を計測する三次元形状計測回路、当該画像に基づいて被検物の表面形状を計測する表面形状計測回路、画像取得装置131に設けられる不図示の絞り部の状態や撮像時間などを制御する画像取得制御回路などを有している。
次に、上記のように構成された形状計測装置101を用いて被検物Mの三次元形状を計測する動作を説明する。
まず、第1実施形態と同一の手法によって、被検物Nに第1光量の光及び第2光量の光を照射し、被検物N上で散乱する散乱光の画像(第1実施形態における画像P1及び画像P2に相当する画像)を取得する。この取得した画像に基づいて、ブローホール及びフラックスの位置及び形状を検出する。
次に、被検物Nにパターン光を照射し、形状計測用画像を取得する。まず、発光部120において光を発光させる。この光は、コリメータレンズ122において平行光となり、パターン発生素子123に入射する。パターン発生素子123では、液晶素子によって正弦波によって生成された明暗の平行な縞模様のパターン光に変換され、透過拡散板によって散乱される。当該パターン光は、投影レンズ124によって被検物N上に投影される。被検物N上にパターン光の像が投影されたら、画像取得装置131によって当該像を撮像し、パターン光の画像を取得する。このパターン光の画像が形状計測用画像に相当する。
一方、パターン光は被検物Nに形成されたブローホール内には照射されないため、ブローホールが形成された領域の画像を得ることが困難である。また、パターン光は被検物Nに形成されたフラックス上で反射するため、当該フラックスが形成された領域の画像を得ることも困難である。
そこで、次に、被検物N上での散乱光の画像から検出したブローホール及びフラックスの位置及び形状に基づいて、形状計測用画像を補間する。具体的には、ブローホール及びフラックスの位置及び形状に基づいて、線形補間と呼ばれる手法や最近傍補間と呼ばれる手法などによって形状計測用画像にブローホール及びフラックスの形状を書き込むようにする。
また、例えば形状計測用画像を不図示の表示装置に表示させた上で、当該表示装置に表示された形状計測用画像のうちブローホール及びフラックスが形成されている領域を表示するようにする(所定の情報の追加)。また、この領域が計測結果の信頼性の低い領域である旨の表示を行っても構わない(所定の情報の追加)。さらに、ブローホール及びフラックスが形成されている領域については、発光部120の光量を大きくして形状計測用画像を再度取得するようにしても構わない(形状計測用画像の更新)。
このように、本実施形態によれば、被検物Nに光を照射したときの散乱光の画像を取得し、その散乱光の画像に基づいて、被検物Nのうち他の領域に比べて散乱光の光量が小さい領域を検出し、この検出の結果に基づいて被検物Nの形状を計測するための形状計測用画像を補間するので、被検物Nに形状計測用画像として取得しにくい箇所がある場合でも被検物Nの形状を適切かつ容易に計測することができる。
[第3実施形態]
次に、本発明の第3実施形態を説明する。図7は、本実施形態に係る形状計測装置201の構成を模式的に示す図である。
同図に示すように、形状計測装置201は、移動するステージS3上の被検物Qの三次元形状を光切断法とよばれる手法によって非接触で計測すると共に当該被検物Qの表面を非接触で計測する装置であり、レーザ光投影装置202と、計測装置203と、不図示の制御装置とを備えている。計測装置203の構成は、第2実施形態における計測装置103の構成と同一であるため、説明を省略する。
レーザ光投影装置202は、レーザ光源220と、シリンドリカルレンズ221とを有している。レーザ光源220から射出された光がシリンドリカルレンズ221によってライン状にされ、当該ライン状の光が被検物Qに投影されるようになっている。ステージS3を所定の方向(図7では図中右下の方向)に移動させながら被検物Qに投影されたライン上の光を別の角度から撮像することで、被検物Qの形状計測用画像を取得できるようになっている。
本実施形態においても、被検物Qに計測装置203によって光を照射したときの散乱光の画像を取得し、その散乱光の画像に基づいて、被検物Qのうち他の領域に比べて散乱光の光量が小さい領域を検出し、この検出の結果に基づいて被検物Qの形状を計測するための形状計測用画像を補間することができる。このため、被検物Qに形状計測用画像として取得しにくい箇所がある場合でも被検物Qの形状を適切かつ容易に計測することができる。
[第4実施形態]
次に、本発明の第4実施形態を説明する。図8は、本実施形態に係る形状計測装置301の構成を模式的に示す図である。なお、本実施形態では、図中の方向をXYZ座標系を用いて説明する。ステージS4の表面に平行な方向に互いに直交するX軸及びY軸が設定されており、ステージS4の表面に垂直な方向にZ軸が設定されているものとする。
同図に示すように、形状計測装置301は、移動するステージS4上の被検物Rの三次元形状をSFF(Shape From Focus)法とよばれる手法によって非接触で計測すると共に当該被検物Rの表面を非接触で計測する装置であり、合焦測度検出装置302と、計測装置303と、不図示の制御装置とを備えている。
合焦測度検出装置302は、ステージS4上の領域をマトリクス状に分割した画素ごとに合焦測度を演算し、画素ごとに合焦測度が最大となる焦点位置を検出することで物体の表面位置を特定する装置である。なお、計測装置303の構成については、第2実施形態における計測装置103の構成と同一であるため、説明を省略する。
形状計測装置301による計測を行う場合、例えば被検物Rを載置したステージS4を+Z方向に移動させながら、当該被検物Rの焦点位置が少しずつ異なる画像列を取得する。この画像列の1つ1つが被検物Rの形状を計測するための形状計測用画像である。次に、取得した全画像列について、画像内の画素ごとに合焦測度を演算し、画像列の各画像の同一座標(XY座標)における合焦測度の変化を検出する。当該同一座標における合焦測度のうち最大値を含む画像のZ距離が合焦位置となり、当該合焦位置が被検物Rの表面位置として計測される。
本実施形態においても、被検物Rに計測装置303によって光を照射したときの散乱光の画像を取得し、その散乱光の画像に基づいて、被検物Rのうち他の領域に比べて散乱光の光量が小さい領域を検出し、この検出の結果に基づいて被検物Rの形状を計測するための形状計測用画像を補間することができる。
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、計測装置によって散乱光の画像を取得する際に、光源から第1光量及び第2光量の光を射出する場合を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば第2光量よりも大きな光量の第3光量の光によって散乱光の画像を取得するようにしても構わないし、さらに大きな光量の光によって散乱光の画像を複数段階取得するようにしても構わない。
また、上記実施形態では、撮像素子の検出可能な最大の光量値が256段階のうち255である場合を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば所定の閾値を設定してこの閾値を検出可能な最大の光量値としても構わない。
また、上記実施形態では、被検物のうち他の領域に比べて散乱光の光量が小さい所定の領域を検出する場合を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば被検物のうち他の領域に比べて散乱光の光量が大きい所定の領域を検出しても構わない。
本発明の第1実施形態に係る計測装置の概略構成を示す正面図である。 本実施形態に係る計測装置の概略構成を示す平面図である。 本実施形態に係る計測装置の対象である被検物の構成を示す平面図である。 本実施形態に係る計測装置によって取得される画像を示す図である。 同、画像を示す図である。 本発明の第2実施形態に係る計測装置の概略構成を示す正面図である。 本発明の第3実施形態に係る計測装置の概略構成を示す図である。 本発明の第4実施形態に係る計測装置の概略構成を示す図である。
符号の説明
M、N、Q、R…被検物 1…計測装置 10…光源 11…画像取得装置 12…制御装置 20…模様 21…ブローホール 22…フラックス 101、201、301…形状計測装置 102…パターン投影装置 103、203、303…計測装置

Claims (32)

  1. 第1光量で被検物に光を照射する工程と、
    前記被検物上で散乱された第1散乱光の第1画像を画像取得装置によって取得する工程と、
    前記第1画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記第1散乱光の光量が小さい第1領域を検出する工程と
    を含み、
    前記第1光量は、前記被検物のうち前記他の領域において、前記第1散乱光の光量が前記画像取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような光量である
    ことを特徴とする計測方法。
  2. 前記被検物のうち前記他の領域における前記第1散乱光の光量に基づいて、前記第1光量を予め設定する
    ことを特徴とする請求項1に記載の計測方法。
  3. 前記第1領域の検出結果を表示する
    ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の計測方法。
  4. 前記第1光量よりも大きい第2光量で前記被検物に光を照射する工程と、
    前記被検物上で散乱された第2散乱光の第2画像を取得する工程と、
    前記第2画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記第2散乱光の光量が小さい第2領域を検出する工程と
    を含むことを特徴とする請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の計測方法。
  5. 前記被検物のうち前記他の領域における前記第2散乱光の光量に基づいて、前記第2光量を予め設定する
    ことを特徴とする請求項4に記載の計測方法。
  6. 前記第2領域の検出結果を表示する
    ことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の計測方法。
  7. 前記第1領域と前記第2領域とが共通する領域を抽出する
    ことを特徴とする請求項4から請求項6のうちいずれか一項に記載の計測方法。
  8. 前記共通する領域の抽出結果を表示する
    ことを特徴とする請求項7に記載の計測方法。
  9. 前記被検物は、金属によって構成されており、
    前記第1領域は、フラックスとブローホールとを含み、
    前記第2領域は、ブローホールを含む
    ことを特徴とする請求項4から請求項8のうちいずれか一項に記載の計測方法。
  10. 前記被検物は、金属によって構成されており、
    前記共通する領域は、ブローホールを含む
    ことを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の計測方法。
  11. 第1光量で被検物に光を照射する工程と、
    前記被検物上で散乱された第1散乱光の第1画像を画像取得装置によって取得する工程と、
    前記第1画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記第1散乱光の光量が大きい第1領域を検出する工程と
    を含み、
    前記第1光量は、前記第1領域において、前記第1散乱光の光量が前記画像取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような光量である
    ことを特徴とする計測方法。
  12. 被検物の形状を計測するための形状計測用画像を取得し、前記形状計測用画像に基づいて前記被検物の形状を計測する形状計測方法であって、
    第1光量で前記被検物に光を照射する工程と、
    前記被検物上で散乱された第1散乱光の第1画像を画像取得装置によって取得する工程と、
    前記第1画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記第1散乱光の光量が小さい第1領域を検出する工程と、
    前記検出の結果に基づいて、前記形状計測用画像を補正する工程と
    を含み、
    前記第1光量は、前記被検物のうち前記他の領域において、前記第1散乱光の光量が前記画像取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような光量である
    ことを特徴とする形状計測方法。
  13. 前記第1光量よりも大きい第2光量で前記被検物に光を照射する工程と、
    前記被検物上で散乱された第2散乱光の第2画像を取得する工程と、
    前記第2画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記第2散乱光の光量が小さい第2領域を検出する工程と、
    前記検出の結果に基づいて、前記形状計測用画像を補正する工程と
    を含むことを特徴とする請求項12に記載の形状計測方法。
  14. 前記第1光量よりも大きい第2光量で前記被検物に光を照射する工程と、
    前記被検物上で散乱された第2散乱光の第2画像を取得する工程と、
    前記第2画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記第2散乱光の光量が小さい第2領域を検出する工程と、
    前記第1領域と前記第2領域とが共通する領域を抽出する工程と、
    前記抽出の結果に基づいて、前記形状計測用画像を補正する工程と
    を含むことを特徴とする請求項12に記載の形状計測方法。
  15. 前記補正は、前記形状計測用画像の補間である
    ことを特徴とする請求項12から請求項14のうちいずれか一項に記載の形状計測方法。
  16. 前記補正は、前記形状計測用画像に対する所定情報の追加である
    ことを特徴とする請求項12から請求項14のうちいずれか一項に記載の形状計測方法。
  17. 前記補正は、前記形状計測用画像の更新である
    ことを特徴とする請求項12から請求項14のうちいずれか一項に記載の形状計測方法。
  18. 光切断法、パターン投影法又はSFF法のいずれか手法によって前記形状計測用画像を取得する
    ことを特徴とする請求項12から請求項17のうちいずれか一項に記載の形状計測方法。
  19. 被検物の形状を計測するための形状計測用画像を取得し、前記形状計測用画像に基づいて前記被検物の形状を計測する形状計測方法であって、
    第1光量で前記被検物に光を照射する工程と、
    前記被検物上で散乱された第1散乱光の第1画像を画像取得装置によって取得する工程と、
    前記第1画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記第1散乱光の光量が大きい第1領域を検出する工程と、
    前記検出の結果に基づいて、前記形状計測用画像を補正する工程と
    を含み、
    前記第1光量は、前記第1領域において、前記第1散乱光の光量が前記画像取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような光量である
    ことを特徴とする形状計測方法。
  20. 光を被検物へ向けて射出する光源と、
    前記被検物上で散乱された散乱光の画像を取得する取得装置と、
    前記散乱光の画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記散乱光の光量が小さい所定の領域を検出する制御装置と
    を備え、
    前記光源は、前記散乱光の光量が前記取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような第1光量の光を射出可能である
    ことを特徴とする計測装置。
  21. 前記光源は、前記第1光量よりも大きい第2光量の光を射出可能である
    ことを特徴とする請求項20に記載の計測装置。
  22. 前記第1光量の光を射出して前記制御装置によって検出された第1領域と、前記第2光量の光を射出して前記制御装置によって検出された第2領域とが共通する領域を抽出する抽出部を備える
    ことを特徴とする請求項21に記載の計測装置。
  23. 光を被検物へ向けて射出する光源と、
    前記被検物上で散乱された散乱光の画像を取得する取得装置と、
    前記散乱光の画像に基づいて、前記被検物のうち他の領域に比べて前記散乱光の光量が大きい所定の領域を検出する制御装置と
    を備え、
    前記光源は、前記散乱光の光量が前記取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような第1光量の光を射出可能である
    ことを特徴とする計測装置。
  24. 被検物の形状を計測するための形状計測用画像を取得し、前記形状計測用画像に基づいて前記被検物の形状を計測する形状計測装置であって、
    光を被検物へ向けて射出する光源と、
    前記被検物上で散乱された散乱光の画像を取得する取得装置と、
    前記散乱光の画像に基づいて前記被検物のうち他の領域に比べて前記散乱光の光量が小さい所定の領域を検出すると共に、前記検出の結果に基づいて前記形状計測用画像を補正する制御装置と
    を備え、
    前記光源は、前記散乱光の光量が前記取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような第1光量の光を射出可能である
    ことを特徴とする形状計測装置。
  25. 前記光源は、前記第1光量よりも大きい第2光量の光を射出可能である
    ことを特徴とする請求項24に記載の形状計測装置。
  26. 前記第1光量の光を射出して前記制御装置によって検出された第1領域と、前記第2光量の光を射出して前記制御装置によって検出された第2領域とが共通する領域を抽出する抽出部を備える
    ことを特徴とする請求項25に記載の形状計測装置。
  27. 前記制御装置は、前記抽出の結果に基づいて前記形状計測用画像を補正する
    ことを特徴とする請求項26に記載の形状計測装置。
  28. 前記補正は、前記形状計測用画像の補間である
    ことを特徴とする請求項24から請求項27のうちいずれか一項に記載の形状計測装置。
  29. 前記補正は、前記形状計測用画像に対する所定情報の追加である
    ことを特徴とする請求項24から請求項27のうちいずれか一項に記載の形状計測装置。
  30. 前記補正は、前記形状計測用画像の更新である
    ことを特徴とする請求項24から請求項27のうちいずれか一項に記載の形状計測装置。
  31. 光切断法、パターン投影法又はSFF法のいずれか手法によって前記形状計測用画像を取得する
    ことを特徴とする請求項24から請求項30のうちいずれか一項に記載の形状計測装置。
  32. 被検物の形状を計測するための形状計測用画像を取得し、前記形状計測用画像に基づいて前記被検物の形状を計測する形状計測装置であって、
    光を被検物へ向けて射出する光源と、
    前記被検物上で散乱された散乱光の画像を取得する取得装置と、
    前記散乱光の画像に基づいて前記被検物のうち他の領域に比べて前記散乱光の光量が大きい所定の領域を検出すると共に、前記検出の結果に基づいて前記形状計測用画像を補正する制御装置と
    を備え、
    前記光源は、前記散乱光の光量が前記取得装置の検出可能な光量よりも大きくなるような第1光量の光を射出可能である
    ことを特徴とする形状計測装置。
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