JP2009068599A - 仕切弁及び処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】仕切弁の構造のコンパクト化を図るとともに、弁体の開閉動作を単純化する。
【解決手段】開口部63を開閉する弁体51と、開口部63を有する弁座60と、を備える。弁体51には、弁座60に当接される第1シール面部56が設けられている。弁座60には、弁体51の第1シール面部56が当接される第2シール面部57が、開口部63を通過する基板の搬送方向にほぼ平行に設けられている。
【選択図】図1
【解決手段】開口部63を開閉する弁体51と、開口部63を有する弁座60と、を備える。弁体51には、弁座60に当接される第1シール面部56が設けられている。弁座60には、弁体51の第1シール面部56が当接される第2シール面部57が、開口部63を通過する基板の搬送方向にほぼ平行に設けられている。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば、半導体製造装置等で用いられて、処理室等を気密に閉じるための仕切弁、及びこの仕切弁を備える処理装置に関する。
半導体製造装置等の処理装置は、処理対象物としての基板を処理する処理室と、この処理室に基板を搬送するための搬送室又は処理室を真空に保つための真空室(ロードロック室)と、処理室と搬送室や真空室との間で基板を搬送する基板搬送機構とを備えている。このような半導体製造装置等では、基板搬送機構による搬送動作の前後で、各室の間を仕切弁としてのゲートバルブで密閉する機構が、各室の内部を大気等から隔離する技術として広く用いられている。
特に、ガス処理装置やプラズマ処理装置では、処理室内でデポジションガスやエッチングガスを用いるので、処理前及び処理後のガスが処理室の外部に流れ出して、外部にガスが付着して汚染を引き起こすのを防ぐ必要がある。また同様に、処理室の外部から不純ガスが処理室内に流れ込み、デポジションやエッチングに悪影響を及ぼしたりするのを防ぐ必要がある。このため、一般に、処理室には、内部を密閉するためのゲートバルブが設けられている。
この種のゲートバルブでは、弁駆動機構による弁体の移動動作として、例えば弁体で開口部を閉じるとき、まず、弁体を、開口部近傍のシール面部と平行な方向に移動させることで、弁体をシール面部に対応する位置に移動させる。次に、弁駆動機構は、弁体を、シール面部に対して垂直な方向に移動させて、弁体を開口部近傍のシール面部に当接させることで、開口部をシール(密閉)している。すなわち、ゲートバルブでは、弁体によって開口部を開閉するときに、弁体が、直交する2つの方向にそれぞれ駆動される構成が採られている(特許文献1参照)。
特開2005−098492号公報
上述したように、処理室や搬送室が大気に開放されたときに、大気に開放されていない処理室内を真空に保つためのゲートバルブは、弁体が、開口部近傍のシール面部に対して充分な押圧力をもって押し付けられている必要がある。このため、ゲートバルブは、弁体がシール面部で気密に閉じた状態で、シール面部に対して垂直な方向に押圧力が加わっている。
しかしながら、半導体製造装置等では、処理室に対する基板の搬送方向も同様に、開口部近傍のシール面部に対して垂直な方向にされている。このため、シール面部に対して移動される弁体の移動方向と、開口部を通過する基板の搬送方向とが同一方向となり、基板搬送機構と、弁体の移動機構とを両立するように構成することが難しいという問題がある。
また、上述したように、特許文献1に開示されたゲートバルブでは、弁体によって開口部を開閉するときに、弁体が2つの方向にそれぞれ駆動されている。このため、特許文献1の構成では、ゲートバルブの開閉動作が複雑になるだけでなく、弁駆動機構の構成が複雑化してしまう問題がある。
したがって、一般的な真空処理装置では、基板の搬送方向に平行な方向である、ゲートバルブの厚みが100mm程度にもなり、真空処理装置全体のコンパクト化を図ることを妨げている。
そこで、本発明は、上述した課題を解決し、仕切弁の構造のコンパクト化を図り、弁体の開閉動作も単純化することができる仕切弁及びこの仕切弁を用いる処理装置を提供することを目的としている。
上述した目的を達成するため、本発明に係る仕切弁は、開口部を開閉する弁体と、開口部を有する弁座と、を備える。弁体には、弁座に当接される第1シール面部が設けられている。弁座には、弁体の第1シール面部が当接される第2シール面部が、開口部を通過する搬送物の搬送方向にほぼ平行に設けられている。
本発明によれば、搬送物の搬送方向に対する厚みを小さくでき、処理装置全体をコンパクトに構成することができる。また、この発明によれば、弁体を一方向の動作だけで開口部を開閉することが可能になり、仕切弁の構造を簡素化できる。さらに、本発明によれば、弁体に逆圧がかかった場合であっても、その圧力によって密閉状態が損なわれることを防ぐことができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
本発明に係る仕切弁を備える処理装置を、プラズマ処理装置の一例としてのエッチング装置に適用した構成について説明する。なお、本発明に係る処理装置は、プラズマ処理装置に限定されるものではなく、ガス処理装置としても同様に適用可能である。図1は、本実施形態の仕切弁の全体構造を示す斜視図である。図2Aから図2Eは、仕切弁の構成例を模式的に示す断面図である。図3Aから図3Fは、弁体及び弁座の各シール面部の構成例を示す断面図である。
本実施形態のエッチング装置は、処理対象物としての基板をエッチングするための処理室を備えている。この処理室は、図示しないが、対向電極、基板載置手段としての基板載置電極、基板を静電吸着して保持するための静電チャック、基板載置電極の基板にガスを放出するガス放出手段としてのガス放出部を備えている。また、この処理室は、対向電極に電力を供給する対向電極用電源、基板載置電極に電力を供給する基板載置電極用電源、各電極を絶縁する絶縁体等を備えている。また、このエッチング装置は、処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段としてのガス供給系と、処理室内を真空に排気するための排気手段としての、バックポンプ及びターボポンプとを備えている。また、このエッチング装置は、処理室に隣接して配置された搬送室又は真空室を備えている。
このエッチング装置によって基板をエッチング処理する際には、まず、バックポンプとターボポンプによって処理室の内部を真空に排気した後、ゲートバルブである仕切弁を開き、基板搬送機構(不図示)によって搬送室から処理室内に基板を搬送する。続いて、エッチング装置は、処理室内に搬送された基板を、基板載置電極が有する突き上げピン駆動機構によって突き上げピンを駆動させて受け取り、静電チャック上に載置する。次に、高周波カットフィルタを備えた静電チャック電源によって、静電チャックの電極に電圧を印加して、基板載置電極に基板を吸着固定する。この搬入動作に並行して、基板搬送機構を搬送室に戻し、仕切弁を閉じて、処理室を密閉する。そして、ガス供給系から対向電極に処理ガスを送り、処理室の内部を一定圧力にする。
その後、対向電極用電源からVHF帯(例えば60MHz)の高周波電力を対向電極に供給し、基板載置電極に基板載置電極用電源からHF帯(例えば1.6MHz)の高周波電力を供給する。これによって、VHF帯の高周波電力によって比較的高密度のプラズマ及びエッチャント(混合ガス)が生成され、HF帯の高周波電力によってイオン衝撃エネルギがプラズマ密度とは独立に制御されて、所望のエッチング処理が行われる。
以上のように構成された本実施形態のエッチング装置には、処理室の内部を密閉するためのゲートバルブである仕切弁が、処理室を構成する壁に設けられている。
以下、本実施形態の主要部分である仕切弁の構成、弁体及び弁座の各シール面部の構造について、図1、及び図2Aから図2Eを参照して説明する。
図1は、実施形態の仕切弁を示す斜視図である。図1に示すように、本実施形態における仕切弁50は、開口部63を開閉する弁体51と、開口部63を有する弁座60と、弁体51を駆動する弁駆動機構(不図示)とを備えて構成されている。
弁体51には、弁座60に当接される第1シール面部56が形成されている。また、弁体51には、弁駆動機構による駆動力が伝えられる駆動軸53が固定されて設けられており、弁体51が、弁座60の後述する第2シール面部57に垂直な一方向のみに移動されて開口部63を開閉するように構成されている。
弁座60には、基板等の処理対象物(搬送物)が搬送されて通過される搬送用の開口部63が設けられている。また、弁座60には、弁体51の第1シール面部56が当接される第2シール面部57が、開口部63の周方向に沿って形成されている。換言すれば、第2シール面部57には、中央を通る分割線を有し、この分割線を間に挟んで両側(少なくとも一方側)の外周部の一部が、弁体51の移動方向(上下方向)に曲げられることによって開口部63が形成されている。したがって、第2シール面部57には、弁体51の移動方向と平行に上方側に曲げられた***当接面61と、弁体51の移動方向と平行に下方側に曲げられた沈下当接面62とを有している。また、これら各当接面61,62の位置が、開口部63の周方向に沿って、弁体51の移動方向に変化するように形成されている。また、この第2シール面部57の形状と同様に、弁体51側の第1シール面部56も、中央を通る分割線を有し、この分割線を間に挟んで両側の外周部の一部が、弁体51の移動方向(上下方向)に曲げられて、第2シール面部57に対応する形状に形成されている。
また、この仕切弁50が取り付けられる処理室等の壁70には、弁座60の開口部63に対応する開口(不図示)が形成されている。第2シール面部57には、開口部63を気密に閉じるためのOリング65が固定されている。したがって、弁体51の第1シール面部56が、第2シール面部57のOリング65に当接されることで開口部63が密閉(シール)される。
***当接面61及び沈下当接面62は、弁体51の移動方向に対してそれぞれ曲げられたが、これら当接面61,62の一方又は両方の一部が平面状に形成されていてもよい。図1に示すG−G断面における矢視図が図2Dである。
図2Aから図2Eは、仕切弁における弁体と弁座の周辺を模式的に示す断面図である。図2Aから図2Eには、壁70、壁用のOリング65a、弁体51、仕切弁用のOリング65、駆動軸53、駆動用のOリング65bを示している。図2Aに示すように、処理室側の壁70と、搬送室側の壁70との間には、仕切弁50が組み込まれた仕切弁壁54が設けられている。図2Aから図2Cに示す構成例の仕切弁では、処理室側や搬送室側の壁70に一体に設けられた弁座60の部分と弁体51との間で、Oリング65を介してシールを行っている。
一方、図2D及び図2Eに示す構成例の仕切弁では、シール動作が、処理室側等の壁70に取り付けられた弁座60と、弁体51との間で仕切弁用のOリング65を介してシールが行われる。このため、図2D及び図2Eに示す構成例の仕切弁50は、仕切弁50の故障時等の際に、仕切弁の交換作業を容易に行うことができる。
本実施形態では、図2Dに示す構成例を、代表的な基本構成として挙げたが、図2の他の構成例のいずれを基本構成としてもよく、これらの構成以外の形態であっても実施可能である。なお、これら図2Dや図2Cに示す構成例では、第2シール面部57の***当接面61と沈下当接面62や、これら各当接面61,62を密閉するOリング65を延ばして、開口部63の周方向に沿って、1つの輪をなす環状に形成する必要がある。各当接面61,62を延ばしていくとき、どちらか一方の当接面を左か右(処理室側と搬送室側のいずれかの側に)に曲げる必要がある。また、両方の各当接面61,62を上述した構成とは逆方向に曲げて構成されてもよい。
以上のように構成された仕切弁50では、駆動軸53によって弁体51が一方向のみに移動されることで、弁座60の開口部63が開閉される。このため、弁体51の駆動機構の簡素化が図られ、弁体51の厚みを30mm程度に低減することができる。また、仕切弁50の駆動方向が、処理室等の部屋を構成する壁に沿っているため、弁体の弁駆動機構と、基板載置機構や基板搬送機構とを支障なく両立することができ、仕切弁50の開閉動作を1つの動作のみで行うことが可能にされている。
図3Aから図3Fは、弁体51の第1シール面部56及び弁座60の第2シール面部57の構成、Oリング65の断面形状を模式的に示す断面図である。図3Aから図3Fに示すように、これらの構成例では、第1シール面部56及び第2シール面部57に、弁体51の厚み方向の断面において、互いに係合する凹部及び凸部がそれぞれ形成されている。
これら図3Aから図3Fに示すように、第2シール面部57に形成される凹部、Oリング65の形状、弁体51の下端の凸部の各断面形状が、例えば、長方形状、三角形状、台形状、楕円形状、逆台形状等の曲率を有する形状に形成されてもよい。また、例えば図3Eに示すように、第2シール面部57に形成される凹部には、Oリング65が2つに分割されて配置される構成が採られてもよい。また、Oリング65の断面形状も同様に、凹部や凸部の形状に応じて、良好な密閉状態が得られるように適宜設定されている。また、本実施形態では、Oリング65が、弁座60の第2シール面部57側に配置されて構成されたが、Oリングやガスケットが弁体51側に配置されて構成されてもよい。また、弁体51の第1シール面部56側に凹部形状が形成され、弁座60の第2シール面部57側に凸部形状が形成されてもよい。
このように、第1シール面部56及び第2シール面部57に、互いに係合する凹部及び凸部がそれぞれ形成されることで、弁体51の厚み方向に圧力がかかったときに、圧力を受けた方向と反対側に位置する、凹部の内壁面で良好に係合される。このため、弁体51の厚み方向に圧力がかかったときであっても、各シール面部56,57による密閉状態が良好に保たれる。
次に、本実施形態の仕切弁50について、処理室や搬送室を大気圧に開放した場合に弁体51に圧力がかかる状態を、図2Aから図2Cを参照して説明する。図2Aから図2Cにおいて、壁70の図中右側が大気に開放された場合、圧力は弁体51に対して水平方向に力F1で働く。この力F1は、例えば図3Aに示したように、壁70に形成された弁座60の第2シール面部57を構成する凹部の図中左側の壁面部分で受け止められる。この圧力によって、弁体51の下面aには下向きの力が作用するとともに、弁体51の上面bには上向きの力が作用する。その結果、この下面aと上面bにそれぞれ作用する各力の差分、すなわち、下向きの力F2が弁体51に働くことになる。この力F2は、弁体51を下側の第2シール面部57に押し付ける力であるので、弁体51のシール力を増すように作用する。
逆に、図2Aから図2Cにおいて図中左側から圧力がかかる場合、圧力は弁体51に対して水平方向に力F3で働く。この力F3は、例えば図3Aに示したように、壁70に形成された弁座60の第2シール面部57を構成する凹部の図中右側の壁面部分で受け止められる。この圧力によって、弁体51の下面cには上向きの力が作用するとともに、弁体51の上面dには下向きの力が作用する。その結果、弁体51の下面cと上面dにそれぞれ作用する各力の差分が、上下方向の力として弁体51に作用する。図2A及び図2Bに示す構成例では、弁体51の下面cと上面dにそれぞれ作用する各力の大きさがほぼ等しいので、上下方向に働く力が打ち消され、弁体51に対して上下方向の力が作用しない。
しかしながら、図2Cに示す構成例では、弁体51の上面dの厚みが、下面cの厚みよりも大きいので、全体としては下向きの力が弁体51に作用する。この下向きの力は、弁体51を下側の第2シール面部57に押し付ける力であるので、シール力を増すように作用する。このように、図2Cに示す構成例では、弁体51に対して図中右側及び図中左側のいずれから水平方向に圧力がかかる場合であっても、この圧力に伴って弁体51の上下方向に作用する力が、弁体51によるシール力を増す方向に働く。なお、本実施形態では、便宜上、弁体51の1つの断面においてのみ説明したが、実際の仕切弁においては、弁体の全てにかかる力の総和に基づいて設定する必要がある。
上述したように、本実施形態の仕切弁50は、弁体51の厚み方向のいずれの方向から弁体51に圧力がかかった場合であっても、この圧力によって第1シール面部56を第2シール面部57に押圧する力が生じるように構成されている。本実施形態では、弁体51の厚み方向にかかった圧力が、第1シール面部56を第2シール面部57に押圧する力として作用するように、弁体51の移動方向の両端部、つまり上端部及び下端部における弁体51の厚み方向の長さがそれぞれ設定されている。
また、図示しないが、仕切弁50は、弁体51の第1シール面部56及び弁座60の第2シール面部57が、処理室を構成する壁70の曲率と等しい曲率を有し、壁70に沿って曲げられて構成されてもよい。このように構成することで、仕切弁50の機械的強度を保ったままで、弁体51の中心部近傍の厚みを薄くして、弁体51の外周部近傍の厚みを厚く形成することが可能になるので、処理室と搬送室の距離を更に短縮することができる。なお、この構成の場合には、弁体の両端側に2本の駆動軸をそれぞれ設ける必要がある。
また、上述した実施形態では、弁体51が弁座60の開口部63を開閉する際に、弁座60の第2シール面部57に対して弁体51が平行移動するように構成されたが、弁体51が回転移動するように構成されてもよい。
本実施形態の仕切弁50によれば、基板の搬送方向に対する厚みを小さくでき、エッチング装置全体をコンパクトに構成することができる。また、本実施形態によれば、弁体51を一方向の動作だけで開口部63を開閉することが可能になり、仕切弁50の構造を簡素化できる。さらに、本実施形態によれば、弁体51に逆圧がかかった場合であっても、その圧力によって密閉状態が損なわれることを防ぐことができる。
加えて、図示しないが、本実施形態の仕切弁50は、例えば基板の搬送室や真空室等に設けられる構成や、例えばガス供給系、バックポンプ及びターボポンプや、真空ポンプのメインバルブとしても用いられて好適である。
なお、本発明に係る処理装置は、処理室又は処理室とは異なるプラズマ生成室にプラズマを発生させて、基板を処理するように構成されてもよい。また、実施形態のエッチング装置を一例として挙げて説明したが、例えば、プラズマ処理装置、熱CVD装置等や、真空処理装置や高圧処理装置に用いられても同様の効果が得られることは勿論である。
また、本発明に係る仕切弁は、各処理室を分離して、例えば、処理対象物を洗浄、加熱、薬液加工、露光、機械やレーザー加工等の各種の処理や、化学反応処理等をする処理装置のゲートバルブとして適用されて好適である。
50 仕切弁
51 弁体
53 駆動軸
54 仕切弁壁
56 第1シール面部
57 第2シール面部
60 弁座
61 沈下当接面
62 ***当接面
63 開口部
65 Oリング
70 壁
51 弁体
53 駆動軸
54 仕切弁壁
56 第1シール面部
57 第2シール面部
60 弁座
61 沈下当接面
62 ***当接面
63 開口部
65 Oリング
70 壁
Claims (13)
- 開口部を開閉する弁体と、前記開口部を有する弁座と、を備える仕切弁において、
前記弁体には、前記弁座に当接される第1シール面部が設けられ、
前記弁座には、前記弁体の前記第1シール面部が当接される第2シール面部が、前記開口部を通過する搬送物の搬送方向に平行に設けられていることを特徴とする仕切弁。 - 前記弁体は、前記弁座の前記第2シール面部に垂直な一方向のみに移動されて前記開口部を開閉するように設けられている請求項1に記載の仕切弁。
- 前記弁座は、処理対象物を処理する処理室の壁に一体に形成されている、請求項1又は2に記載の仕切弁。
- 前記第1シール面部及び前記第2シール面部は、処理対象物を処理する処理室の、前記仕切弁が取り付けられる壁の曲率と等しい曲率を有してしている、請求項1又は2に記載の仕切弁。
- 前記弁座の前記第2シール面部は、中央を通る分割線を有し、該分割線を間に挟んで少なくとも一方側の外周部の一部が、前記弁体の移動方向に曲げられることによって前記開口部が形成されている、請求項1ないし4のいずれか1項に記載の仕切弁。
- 前記第1シール面部及び前記第2シール面部には、前記弁体と前記弁座が当接する当接面が、前記開口部の周方向に沿って形成され、前記当接面の位置が、前記周方向に沿って、前記弁体の移動方向に変化するように形成されている、請求項1ないし5のいずれか1項に記載の仕切弁。
- 前記第1シール面部及び前記第2シール面部には、前記弁体の厚み方向の断面において、互いに係合する凹部及び凸部がそれぞれ形成されている、請求項1ないし6のいずれか1項に記載の仕切弁。
- 前記弁体は、回転移動されて前記弁座の前記開口部を開閉するように設けられている、請求項1ないし7のいずれか1項に記載の仕切弁。
- 前記弁体の厚み方向のいずれの方向から前記弁体に圧力がかかった場合であっても、該圧力によって前記第1シール面部を第2シール面部に押圧する力が生じるように、前記弁体の移動方向の両端部における前記弁体の厚み方向の長さがそれぞれ設定されている請求項1ないし8のいずれか1項に記載の仕切弁。
- 請求項1ないし9のいずれか1項に記載の仕切弁と、前記仕切弁が設けられ処理対象物を処理する処理装置。
- 内部を真空に排気する排気手段と、内部に処理ガスを供給するガス供給手段と、基板が載置される基板載置手段と、該基板載置手段に載置された基板にガスを放出するガス放出手段とを有する処理室と、
前記処理室に隣接して配置された搬送室又は真空室と、を備える処理装置において、
請求項1ないし9のいずれか1項に記載の仕切弁が、前記各室の間又は前記各室と外部との間に配置されていることを特徴とする処理装置。 - 内部を真空に排気する排気手段と、内部に処理ガスを供給するガス供給手段と、基板が載置される基板載置手段と、該基板載置手段に載置された基板に処理ガスを放出するガス放出手段とを有する処理室と、
前記処理室に隣接して配置された搬送室又は真空室と、を備える処理装置において、
請求項1ないし9いずれか1項に記載の仕切弁がバルブとして用いられたポンプを備えることを特徴とする処理装置。 - 前記処理室又は前記処理室とは異なるプラズマ生成室にプラズマを発生させて、処理対象物を処理する、請求項11又は12に記載の処理装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011127763A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Vat Holding Ag | 真空バルブ |
-
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- 2007-09-13 JP JP2007237667A patent/JP2009068599A/ja active Pending
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KR101758374B1 (ko) | 2009-12-15 | 2017-07-14 | 배트 홀딩 아게 | 진공밸브 |
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Legal Events
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Effective date: 20090220 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 |
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Effective date: 20090309 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 |