JP2009059536A - Cold cathode electron emission device and video device - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cold cathode electron emission device of which the inside can be maintained in a high vacuum and moreover in which deterioration of emission characteristics due to a getter flash can be prevented. <P>SOLUTION: The vacuum container 1 is provided with a first chamber 11 composed at least of a first substrate 111 on which an electron source structure body 200 with a field emission cold cathode is arranged and a transparent substrate 110 facing the first substrate, a second chamber 12 in which a getter 230 is arranged, and at least one third chamber 13. The first chamber and at least the one third chamber and the second chamber are combined in this order by holes 21, 22 made on barrier walls of neighboring chambers. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子源として電界放出型冷陰極を備えた冷陰極型電子放出装置に関する。また、本発明はこの冷陰極型電子放出装置を備えた映像装置に関する。   The present invention relates to a cold cathode type electron emission apparatus including a field emission type cold cathode as an electron source. The present invention also relates to a video apparatus provided with this cold cathode electron emission device.

図５は、電界放出型冷陰極を備えた従来の電子源構体２００の概略構成を示した部分拡大断面図である（例えば特許文献１、特許文献２参照）。シリコン基板等の絶縁基板２０１上にストライプ状のエミッタ電極２０２が形成され、エミッタ電極２０２上に微小な円錐形状を有する複数の冷陰極（以下、「エミッタ」という）２０３が形成されている。各エミッタ２０３を取り囲むような開口が形成された絶縁層２０４が絶縁基板２０１及びエミッタ電極２０２上に形成され、絶縁層２０４上にストライプ状のゲート電極２０５が形成されている。ゲート電極２０５には、各エミッタ２０３に対応する位置に開口２０５ａが形成されている。上方から見たとき、開口２０５ａの開口形状は半径がサブミクロン程度の略円形であり、その中心にエミッタ２０３の先端が位置している。エミッタ電極２０２に対してゲート電極２０５に相対的に高電位を印加すると、エミッタ２０３の先端に電界が集中し、エミッタ２０３の先端から電子が放出される。   FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view showing a schematic configuration of a conventional electron source assembly 200 provided with a field emission cold cathode (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2). A striped emitter electrode 202 is formed on an insulating substrate 201 such as a silicon substrate, and a plurality of cold cathodes (hereinafter referred to as “emitters”) 203 having a minute conical shape are formed on the emitter electrode 202. An insulating layer 204 in which an opening surrounding each emitter 203 is formed is formed on the insulating substrate 201 and the emitter electrode 202, and a striped gate electrode 205 is formed on the insulating layer 204. An opening 205 a is formed in the gate electrode 205 at a position corresponding to each emitter 203. When viewed from above, the opening shape of the opening 205a is a substantially circular shape with a radius of about submicron, and the tip of the emitter 203 is located at the center thereof. When a relatively high potential is applied to the gate electrode 205 with respect to the emitter electrode 202, the electric field concentrates on the tip of the emitter 203, and electrons are emitted from the tip of the emitter 203.

このような電子源構体２００は例えば通常の半導体製造工程を利用して以下のようにして製造される（例えば特許文献２参照）。シリコン基板の表面を熱酸化して、その表面にＳｉＯ₂からなる熱酸化膜を形成する。この熱酸化膜上に無機レジスト膜及び有機レジスト膜を順に形成し、有機レジスト膜を円形にパターニングして無機レジスト膜をエッチングする。そして、無機レジスト膜をマスクとして熱酸化膜を円形にエッチングする。次いで、円形の熱酸化膜をマスクとしてシリコン基板をエッチングして、熱酸化膜の下に略円錐台形状を形成する。このエッチングは、ＳＦ₆＋Ｏ₂ガスを用いた反応性イオンエッチング、あるいは、ＫＯＨ水溶液等を用いた異方性ウェットエッチングなどにより行うことが出来る。次いで、シリコン基板を再度熱酸化し、その表面にＳｉＯ₂からなる熱酸化膜を形成する。次いで、絶縁層とゲート電極となる金属層（Ｎｂ、シリコン）とを順に堆積する。最後に、ＢＨＦを用いたリフトオフ法により熱酸化膜を除去する。かくして電子源構体２００が得られる。 Such an electron source assembly 200 is manufactured as follows using, for example, a normal semiconductor manufacturing process (see, for example, Patent Document 2). The surface of the silicon substrate is thermally oxidized to form a thermal oxide film made of SiO _{2 on the} surface. An inorganic resist film and an organic resist film are sequentially formed on the thermal oxide film, the organic resist film is patterned into a circular shape, and the inorganic resist film is etched. Then, the thermal oxide film is etched into a circular shape using the inorganic resist film as a mask. Next, the silicon substrate is etched using the circular thermal oxide film as a mask to form a substantially truncated cone shape under the thermal oxide film. This etching can be performed by reactive ion etching using SF ₆ + O ₂ gas or anisotropic wet etching using KOH aqueous solution or the like. Next, the silicon substrate is thermally oxidized again, and a thermal oxide film made of SiO ₂ is formed on the surface thereof. Next, an insulating layer and a metal layer (Nb, silicon) to be a gate electrode are sequentially deposited. Finally, the thermal oxide film is removed by a lift-off method using BHF. Thus, the electron source structure 200 is obtained.

図６は、従来の電子源構体２００の概略構成を示した平面図である。絶縁基板２０１上に、複数のストライプ状のエミッタ電極２０２がＸ軸と平行に形成され、複数のストライプ状のゲート電極２０５がＸ軸と直交するＹ軸と平行に形成されている。エミッタ電極２０２上には絶縁層２０４及びゲート電極２０５が形成されるため、実際にはエミッタ電極２０２は見えないが、図６ではエミッタ電極２０２及びゲート電極２０５の配置が分かるようにこれらを透視して描いている。複数のエミッタ電極２０２と複数のゲート電極２０５との交点がマトリクス状（または格子点状）に配置され、各交点上の円形の領域内に数百から数千のエミッタ２０３からなるエミッタ群２０７が形成されている。   FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional electron source assembly 200. On the insulating substrate 201, a plurality of stripe-shaped emitter electrodes 202 are formed in parallel with the X-axis, and a plurality of stripe-shaped gate electrodes 205 are formed in parallel with the Y-axis orthogonal to the X-axis. Since the insulating layer 204 and the gate electrode 205 are formed on the emitter electrode 202, the emitter electrode 202 cannot actually be seen, but in FIG. 6, these are seen through so that the arrangement of the emitter electrode 202 and the gate electrode 205 can be seen. I draw. The intersections of the plurality of emitter electrodes 202 and the plurality of gate electrodes 205 are arranged in a matrix (or lattice), and an emitter group 207 composed of several hundred to several thousand emitters 203 is formed in a circular area on each intersection. Is formed.

各エミッタ電極２０２の一端にはエミッタ電極パッド２１２が形成され、各ゲート電極２０５の一端にはゲート電極パッド２１５が形成されている。エミッタ電極パッド２１２及びゲート電極パッド２１５は、絶縁基板２０１のエミッタ２０３等が形成された側の面に形成されている。互いに隣り合うエミッタ電極２０２同士及び互いに隣り合うゲート電極２０５同士は、絶縁基板２０１上にて分離され絶縁されている。   An emitter electrode pad 212 is formed at one end of each emitter electrode 202, and a gate electrode pad 215 is formed at one end of each gate electrode 205. The emitter electrode pad 212 and the gate electrode pad 215 are formed on the surface of the insulating substrate 201 on which the emitter 203 and the like are formed. The emitter electrodes 202 adjacent to each other and the gate electrodes 205 adjacent to each other are separated and insulated on the insulating substrate 201.

複数のエミッタ電極２０２のうちの１つにエミッタ電極パッド２１２を介して負電位を印加し、複数のゲート電極２０５の１つにゲート電極パッド２１５を介して正電位を印加する。負電位が印加されたエミッタ電極２０２と正電位が印加されたゲート電極２０５との交点に位置するエミッタ群２０７の各エミッタから電子が放出される。負電位を印加するエミッタ電極２０２と正電位を印加するゲート電極２０５とを時間的に順次切り替えることにより、電子を放出するエミッタ群２０７をいわゆる点順次走査にて順次切り替える。このようにして、電子源構体２００をマトリクス駆動することができる。   A negative potential is applied to one of the plurality of emitter electrodes 202 via the emitter electrode pad 212, and a positive potential is applied to one of the plurality of gate electrodes 205 via the gate electrode pad 215. Electrons are emitted from each emitter of the emitter group 207 located at the intersection of the emitter electrode 202 to which a negative potential is applied and the gate electrode 205 to which a positive potential is applied. By sequentially switching the emitter electrode 202 to which the negative potential is applied and the gate electrode 205 to which the positive potential is applied, the emitter group 207 that emits electrons is sequentially switched by so-called dot sequential scanning. In this way, the electron source assembly 200 can be driven in a matrix.

このような電子源構体２００を備えた冷陰極型電子放出装置は例えば映像装置として利用される。   A cold cathode electron emission device including such an electron source assembly 200 is used as, for example, an image device.

映像装置の一例として平面ディスプレイ（Field Emission Display）が知られている（例えば特許文献２参照）。真空容器内に電子源構体２００を配置し、電子源構体２００に対向する透明基板上に、アノード電極と蛍光体層とを順に形成する。電子源構体２００のゲート電極２０５を順次走査しながら、各エミッタ電極２０２に画像信号を供給する。一方、アノード電極にはアノード電圧を印加しておく。これによりエミッタ群２０７から放出された電子が蛍光体層に衝突して蛍光体を発光させることで、表示動作が行われる。   A flat display (Field Emission Display) is known as an example of a video apparatus (see, for example, Patent Document 2). An electron source assembly 200 is disposed in a vacuum container, and an anode electrode and a phosphor layer are sequentially formed on a transparent substrate facing the electron source assembly 200. An image signal is supplied to each emitter electrode 202 while sequentially scanning the gate electrode 205 of the electron source assembly 200. On the other hand, an anode voltage is applied to the anode electrode. As a result, the electrons emitted from the emitter group 207 collide with the phosphor layer to cause the phosphor to emit light, whereby a display operation is performed.

また、映像装置の別の例として撮像装置が知られている（例えば特許文献１参照）。真空容器内に電子源構体２００を配置し、電子源構体２００に対向する透明基板上に、アノード電極と光電変換膜とを順に形成する。負電位を印加するエミッタ電極２０２と正電位を印加するゲート電極２０５とを時間的に順次切り替えることにより、電子を放出するエミッタ群２０７を順次切り替える。一方、アノード電極にはアノード電圧を印加しておく。これにより、光電変換膜が電子で走査され、光電変化膜に蓄積された電荷が時系列信号として読み出されることで、撮像動作が行われる。   An imaging apparatus is known as another example of the video apparatus (see, for example, Patent Document 1). An electron source assembly 200 is disposed in a vacuum vessel, and an anode electrode and a photoelectric conversion film are sequentially formed on a transparent substrate facing the electron source assembly 200. By sequentially switching the emitter electrode 202 to which a negative potential is applied and the gate electrode 205 to which a positive potential is applied, the emitter group 207 that emits electrons is sequentially switched. On the other hand, an anode voltage is applied to the anode electrode. Thereby, the photoelectric conversion film is scanned with electrons, and the charge accumulated in the photoelectric change film is read out as a time-series signal, so that an imaging operation is performed.

以上の冷陰極型電子放出装置では、エミッタ２０３から電子を安定的に効率良く放出させるために、電子源構体２００は真空容器内に配置され真空環境で用いられる。例えば、上記の映像装置では、電子源構体２００とこれに対向するアノード電極が形成される透明基板との間の微小な間隔の空間は高真空に維持される必要がある。そのために、ゲッターが用いられる。ゲッターは電子源構体２００が配置された部屋と繋がった部屋内に配置される（例えば特許文献１、特許文献３、特許文献４参照）。   In the above-described cold cathode electron emission device, the electron source assembly 200 is disposed in a vacuum vessel and used in a vacuum environment in order to stably and efficiently emit electrons from the emitter 203. For example, in the above-described video apparatus, it is necessary to maintain a minute space between the electron source assembly 200 and the transparent substrate on which the anode electrode facing the electron source structure 200 is formed in a high vacuum. For this purpose, a getter is used. The getter is disposed in a room connected to the room in which the electron source structure 200 is disposed (see, for example, Patent Document 1, Patent Document 3, and Patent Document 4).

真空容器内の排気（排気工程）を行った後、真空容器を封止する。次いで、ゲッターを外部から高周波電磁誘導加熱又は通電加熱してゲッター材料を蒸発させ（ゲッターフラッシュ）、ゲッターが配置された部屋の壁面にゲッター材料からなる蒸着膜（以下、「ゲッターミラー」という）を形成する。ゲッターミラーは、真空容器内に残存しているガスや、その後、真空容器内の各種電子材料や壁面から放出されるガスを吸着して真空容器内を高真空に維持する。ゲッターミラーの形成面積が大きいほどガスの吸着能力が向上するので、通常、ゲッターミラーはゲッターが配置された部屋の壁面に広範囲にわたって形成される。
特開２０００−４８７４３号公報 特開平９−２７４８４５号公報 特開平１１−２１３９２０号公報 特許第３４９２２９９号明細書 After exhausting the vacuum container (exhaust process), the vacuum container is sealed. Next, the getter is evaporated from the outside by high frequency electromagnetic induction heating or energization heating (getter flash), and a deposited film made of getter material (hereinafter referred to as “getter mirror”) is formed on the wall surface of the room where the getter is disposed. Form. The getter mirror adsorbs the gas remaining in the vacuum vessel, and then the various electronic materials in the vacuum vessel and the gas released from the wall surface to maintain the vacuum vessel in a high vacuum. As the getter mirror is formed in a larger area, the gas adsorption ability is improved. Therefore, the getter mirror is usually formed over a wide range of the wall surface of the room where the getter is arranged.
JP 2000-48743 A Japanese Patent Laid-Open No. 9-274845 JP-A-11-213920 Japanese Patent No. 3492299

しかしながら、真空容器内において、ゲッターが配置された部屋と、電子源構体が配置された部屋とが１つの空孔のみを通じて繋がっている場合、ゲッターフラッシュ時に蒸発したゲッター材料が空孔を通って電子源構体が配置された部屋へ移動し、エミッタに付着することがある。エミッタにゲッター材料が付着すると、所定の電圧を印加してもエミッタから電子放出がされなかったり、電子放出が不安定になったりするなどのエミッション特性の劣化が生じることがある。   However, in the vacuum vessel, when the room in which the getter is arranged and the room in which the electron source structure is arranged are connected through only one hole, the getter material evaporated during the getter flash passes through the hole and becomes an electron. It may move to the room where the source structure is located and adhere to the emitter. If the getter material adheres to the emitter, emission characteristics may be deteriorated such that electrons are not emitted from the emitter even when a predetermined voltage is applied, or the electron emission becomes unstable.

本発明は、上記の従来の問題を解決し、真空容器内を高真空に維持することができ、且つ、ゲッターフラッシュによってエミッション特性の劣化が生じない冷陰極型電界放出装置及び映像装置を提供することを目的とする。   The present invention provides a cold cathode field emission device and an imaging device that solve the above-described conventional problems, can maintain the inside of a vacuum vessel at a high vacuum, and do not cause deterioration of emission characteristics due to getter flash. For the purpose.

本発明の冷陰極型電界放出装置は、電界放出型冷陰極を備えた電子源構体が配置された第１基板、及び前記第１基板と対向する透明基板とにより形成された第１部屋と、ゲッターが配置された第２部屋と、少なくとも１つの第３部屋とを真空容器内に備える。前記第１部屋と、前記少なくとも１つの第３部屋と、前記第２部屋とが、隣り合う部屋間の隔壁に設けられた空孔を介してこの順に繋がっている。   The cold cathode field emission device of the present invention includes a first chamber formed by a first substrate on which an electron source structure including a field emission cold cathode is disposed, and a transparent substrate facing the first substrate; A vacuum chamber is provided with a second chamber in which a getter is arranged and at least one third chamber. The first room, the at least one third room, and the second room are connected in this order via holes provided in a partition wall between adjacent rooms.

本発明の映像装置は、上記の本発明の冷陰極型電界放出装置を備える。   The video device of the present invention includes the cold cathode field emission device of the present invention.

本発明によれば、ゲッターミラーの形成面積を増やすことができるので真空容器内を高真空に維持することができ、また、ゲッターフラッシュによってエミッション特性が劣化するのを抑制できる。従って、高品位で高信頼性の冷陰極型電界放出装置及び映像装置を提供することができる。   According to the present invention, the formation area of the getter mirror can be increased, so that the inside of the vacuum vessel can be maintained at a high vacuum, and deterioration of emission characteristics due to the getter flash can be suppressed. Therefore, it is possible to provide a high-quality and high-reliability cold cathode field emission device and video device.

以下本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る冷陰極型電子放出装置を用いた撮像装置の概略構成を示した側面断面図である。 (Embodiment 1)
FIG. 1 is a side sectional view showing a schematic configuration of an imaging apparatus using a cold cathode electron emission apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.

図１に示すように、この撮像装置は、上から順に、第１部屋１１、第３部屋１３、第２部屋１２を備えた真空容器１を有する。円板状の透明基板（フェースプレート）１１０の下面に、インジウムなどの封着材料１０１を介して円筒状の第１スペーサ１２１の上端が気密に接合され、第１スペーサ１２１の下端に円板状の第１ベース基板１１１の上面がフリットガラス１０２を介して気密に接合されている。第１ベース基板１１１の下面側には、円筒状の第３スペーサ１２３、円板状の第２ベース基板１１２、円筒状の第２スペーサ１２２、円板状の最終ベース基板１１９が、この順にそれぞれフリットガラス１０２を介して気密に接合されている。透明基板１１０と第１スペーサ１２１と第１ベース基板１１１とで第１部屋１１が形成され、第１ベース基板１１１と第３スペーサ１２３と第２ベース基板１１２とで第３部屋１３が形成され、第２ベース基板１１２と第２スペーサ１２２と最終ベース基板１１９とで第２部屋１２が形成される。透明基板１１０、第１ベース基板１１１、第２ベース基板１１２、最終ベース基板１１９は互いに平行である。１ａは真空容器１の中心軸であり、円板状の透明基板１１０、第１ベース基板１１１、第２ベース基板１１２、及び最終ベース基板１１９の中心を通り、且つ、円筒状の第１スペーサ１２１、第２スペーサ１２２、及び第３スペーサ１２３の中心軸と一致する。   As illustrated in FIG. 1, the imaging apparatus includes a vacuum container 1 including a first room 11, a third room 13, and a second room 12 in order from the top. The upper end of the cylindrical first spacer 121 is hermetically joined to the lower surface of the disc-shaped transparent substrate (face plate) 110 via a sealing material 101 such as indium, and the lower end of the first spacer 121 is disc-shaped. The upper surface of the first base substrate 111 is hermetically bonded via the frit glass 102. On the lower surface side of the first base substrate 111, a cylindrical third spacer 123, a disk-shaped second base substrate 112, a cylindrical second spacer 122, and a disk-shaped final base substrate 119 are arranged in this order. The frit glass 102 is joined in an airtight manner. The first chamber 11 is formed by the transparent substrate 110, the first spacer 121, and the first base substrate 111, and the third chamber 13 is formed by the first base substrate 111, the third spacer 123, and the second base substrate 112, The second chamber 12 is formed by the second base substrate 112, the second spacer 122, and the final base substrate 119. The transparent substrate 110, the first base substrate 111, the second base substrate 112, and the final base substrate 119 are parallel to each other. A central axis 1a of the vacuum vessel 1 passes through the centers of the disk-shaped transparent substrate 110, the first base substrate 111, the second base substrate 112, and the final base substrate 119, and is a cylindrical first spacer 121. , Coincide with the central axes of the second spacer 122 and the third spacer 123.

第１ベース基板１１１の透明基板１１０側の面に、電界放出型冷陰極を備えた電子源構体が配置されている。本発明において使用可能な電子源構体としては特に制限はなく、公知の任意の電子源構体を適宜選択して使用することができる。ここでは、図５及び図６に示した従来の電子源構体２００を使用する場合を説明する。第１ベース基板１１１上に電子源構体２００の絶縁基板２０１が固定される。電子源構体２００のエミッタ電極２０２及びゲート電極２０５に所定の電圧を印加するために、第１ベース基板１１１上に所定パターンの複数の配線が形成されている。複数の配線の真空容器内の各端には電極パッドが形成されており、これらは絶縁基板２０１上に形成されたエミッタ電極パッド２１２及びゲート電極パッド２１５とワイヤボンディングにより接続される。複数の配線の真空容器外の端は図示しないＦＰＣ（フレキシブル・プリンティッド・サーキット）を介して外部駆動回路と接続される。第１ベース基板１１１としては、一実施例ではコーニング社製の１７３７を用いた。但し、もちろんこれに限定されず、例えば青板ガラスと呼ばれるガラス材を用いることができる。   An electron source structure including a field emission cold cathode is disposed on the surface of the first base substrate 111 on the transparent substrate 110 side. The electron source structure usable in the present invention is not particularly limited, and any known electron source structure can be appropriately selected and used. Here, the case where the conventional electron source assembly 200 shown in FIGS. 5 and 6 is used will be described. The insulating substrate 201 of the electron source assembly 200 is fixed on the first base substrate 111. In order to apply a predetermined voltage to the emitter electrode 202 and the gate electrode 205 of the electron source assembly 200, a plurality of wirings having a predetermined pattern are formed on the first base substrate 111. Electrode pads are formed at each end in the vacuum container of the plurality of wirings, and these are connected to the emitter electrode pad 212 and the gate electrode pad 215 formed on the insulating substrate 201 by wire bonding. The ends of the plurality of wires outside the vacuum container are connected to an external drive circuit via an FPC (flexible printed circuit) (not shown). As the first base substrate 111, 1737 manufactured by Corning Inc. was used in one example. However, it is of course not limited to this, and for example, a glass material called blue plate glass can be used.

透明基板１１０の第１ベース基板１１１側の面には、スパッタリングや真空蒸着法などによって形成された、アノード電極及び光電変換膜を含む光電変換ターゲット２２０が設けられている。一実施例では、透明基板１１０上に、アノード電極として約１０ｎｍ厚さのＳｎを含む光透過性のＩｎ₂Ｏ₃膜をスパッタリング法により形成した。この上に、光電変換膜として、厚さ約１５ｎｍのＣｅＯ₂からなる正孔注入阻止層と、厚さ約５μｍの非結晶Ｓｅからなる光導電膜とを真空蒸着法により形成し、更に、厚さ約１００ｎｍのＳｂ₂Ｓ₃多孔質膜からなる電子ビームランディング層を低Ａｒガス雰囲気で蒸着法により形成した。アノード電極には、透明基板１１０を貫通する棒状電極（図示せず）を介して真空容器外の電源装置に接続されて、所定のアノード電圧が印加される。 A photoelectric conversion target 220 including an anode electrode and a photoelectric conversion film, which is formed by sputtering, vacuum deposition, or the like, is provided on the surface of the transparent substrate 110 on the first base substrate 111 side. In one example, a light-transmitting In ₂ O ₃ film containing Sn having a thickness of about 10 nm was formed as an anode electrode on the transparent substrate 110 by a sputtering method. On top of this, as a photoelectric conversion film, a hole injection blocking layer made of CeO ₂ having a thickness of about 15 nm and a photoconductive film made of amorphous Se having a thickness of about 5 μm are formed by a vacuum deposition method. An electron beam landing layer made of an Sb ₂ S ₃ porous film having a thickness of about 100 nm was formed by vapor deposition in a low Ar gas atmosphere. A predetermined anode voltage is applied to the anode electrode through a rod-like electrode (not shown) penetrating the transparent substrate 110 and connected to a power supply device outside the vacuum vessel.

第２部屋１２内には、ゲッター２３０が一対のリード２３１，２３２により支持されて配置されている。ゲッター２３０に接続された一対のリード２３１，２３２はフリットガラス１０２を貫通して真空容器外に導出されている。   A getter 230 is supported in the second chamber 12 by a pair of leads 231 and 232. A pair of leads 231 and 232 connected to the getter 230 penetrates the frit glass 102 and is led out of the vacuum vessel.

第１ベース基板１１１は、互いに隣り合う第１部屋１１と第３部屋１３との間に設けられており、両者を隔てる隔壁として機能する。この第１ベース基板１１１には第１空孔２１が形成されており、この第１空孔２１を介して第１部屋１１と第３部屋１３とが繋がっている。第２ベース基板１１２は、互いに隣り合う第３部屋１３と第２部屋１２との間に設けられており、両者を隔てる隔壁として機能する。この第２ベース基板１１２には第２空孔２２が形成されており、この第２空孔２２を介して第３部屋１３と第２部屋１２とが繋がっている。最終ベース基板１１９には排気孔２９が形成されており、排気孔２９に排気管２４０が接続されている。   The first base substrate 111 is provided between the first chamber 11 and the third chamber 13 that are adjacent to each other, and functions as a partition wall that separates the two. A first hole 21 is formed in the first base substrate 111, and the first room 11 and the third room 13 are connected via the first hole 21. The second base substrate 112 is provided between the third chamber 13 and the second chamber 12 adjacent to each other, and functions as a partition wall that separates the two. A second hole 22 is formed in the second base substrate 112, and the third room 13 and the second room 12 are connected via the second hole 22. An exhaust hole 29 is formed in the final base substrate 119, and an exhaust pipe 240 is connected to the exhaust hole 29.

このような真空容器１内は以下の手順を経て真空にされる。排気管２４０の開放端を油拡散ポンプ等の真空ポンプに接続し、真空容器１内を排気し（排気工程）、真空容器１内が所定の真空度に達すると排気管２４０の一部をヒータ等で局所的に加熱し、排気管２４０を溶融させ封止切りする（チップオフ工程）。次いで、一対のリード２３１，２３２を介してゲッター２３０に通電して加熱し、ゲッター２３０の材料を蒸発させて、第３部屋１３を構成する壁面全面に蒸着させてゲッターミラーを形成する（ゲッターフラッシュ工程）。ゲッターミラーは、真空容器１内に残存しているガスや、その後、真空容器１内の各種電子材料や壁面から放出されるガスを吸着する。   The inside of the vacuum vessel 1 is evacuated through the following procedure. The open end of the exhaust pipe 240 is connected to a vacuum pump such as an oil diffusion pump, the inside of the vacuum container 1 is exhausted (exhaust process), and when the inside of the vacuum container 1 reaches a predetermined degree of vacuum, a part of the exhaust pipe 240 is heated. Then, the exhaust pipe 240 is melted and sealed off (chip-off process). Next, the getter 230 is energized and heated through a pair of leads 231 and 232 to evaporate the material of the getter 230 and deposit it on the entire wall surface constituting the third chamber 13 to form a getter mirror (getter flash). Process). The getter mirror adsorbs the gas remaining in the vacuum container 1 and then the various electronic materials in the vacuum container 1 and the gas released from the wall surface.

上述のように、第１部屋１１と第３部屋１３とが第１空孔２１を介して繋がっており、第３部屋１３と第２部屋１２とが第２空孔２２を介して繋がっているので、第１，第２，第３部屋１１，１２，１３は均一な真空度に維持される。また、撮像装置を動作させることにより、第１部屋１１内の電子源構体２００や光電変換ターゲット２２０等から発生したガスは第１空孔２１、第３部屋１３、第２空孔２２を順に通って第２部屋１２に移動してゲッターミラーに吸着される。ゲッターミラーは第２部屋１２を形成する壁面全面に広範囲に形成することができ、第２部屋１２の寸法（容積等）を適切に設定してゲッターミラーの面積を増やすこともできる。従って、高いガス吸着能力を有するゲッターミラーを形成できる。よって、真空容器１内は常に高真空に維持されるので、エミッション特性が長期に安定する。   As described above, the first room 11 and the third room 13 are connected via the first hole 21, and the third room 13 and the second room 12 are connected via the second hole 22. Therefore, the first, second, and third chambers 11, 12, and 13 are maintained at a uniform degree of vacuum. Further, by operating the imaging apparatus, the gas generated from the electron source structure 200, the photoelectric conversion target 220, etc. in the first room 11 passes through the first hole 21, the third room 13, and the second hole 22 in order. Then, it moves to the second room 12 and is attracted to the getter mirror. The getter mirror can be formed over a wide range of the entire wall surface forming the second chamber 12, and the area (volume, etc.) of the second chamber 12 can be appropriately set to increase the area of the getter mirror. Therefore, a getter mirror having a high gas adsorption capability can be formed. Therefore, since the inside of the vacuum vessel 1 is always maintained at a high vacuum, the emission characteristics are stabilized for a long time.

また、ゲッター２３０が配置された第２部屋１２と、電子源構体２００及び光電変換ターゲット２２０が配置された第１部屋１１との間に第３部屋１３が設けられ、隣り合う部屋間が隔壁に設けられた空孔２１，２２を介して繋がっているので、ゲッターフラッシュ工程時に第２部屋１２内で発生したゲッター２３０の材料の蒸気の飛散に対して、第３部屋１３は緩衝層として機能する。従って、第２部屋１２内で発生したゲッター２３０の材料の蒸気が第１部屋１１にまで飛散して、電子源構体２００のエミッタ等に付着するのを防止できる。その結果、ゲッターフラッシュによってエミッション特性が劣化することがない。   In addition, a third room 13 is provided between the second room 12 in which the getter 230 is arranged and the first room 11 in which the electron source assembly 200 and the photoelectric conversion target 220 are arranged. The third chamber 13 functions as a buffer layer against the scattering of the vapor of the material of the getter 230 generated in the second chamber 12 during the getter flash process because it is connected through the holes 21 and 22 provided. . Accordingly, it is possible to prevent the vapor of the material of the getter 230 generated in the second chamber 12 from scattering to the first chamber 11 and adhering to the emitter or the like of the electron source assembly 200. As a result, the emission characteristics are not deteriorated by the getter flash.

図２は、図１の撮像装置の空孔２１，２２及びゲッター２３０の平面配置を透視して示した透視平面図である。図２に示すように、第３部屋１３を形成する第１ベース基板１１１及び第２ベース基板１１２にそれぞれ形成された空孔２１と空孔２２とは互いに対向して配置されていないことが好ましい。「２つの空孔が対向して配置されている」とは、一方の空孔の開口方向の延長線上に他方の空孔が存在し、その逆の関係も成立することをいう。空孔２１と空孔２２とをこのように上下に重ならない位置に形成することにより、ゲッターフラッシュ工程時に第２部屋１２内で発生したゲッター２３０の材料の蒸気が第１部屋１１にまで飛散するのを更に抑制することができる。   FIG. 2 is a perspective plan view showing the planar arrangement of the holes 21 and 22 and the getter 230 of the imaging apparatus of FIG. As shown in FIG. 2, it is preferable that the holes 21 and 22 formed in the first base substrate 111 and the second base substrate 112 forming the third chamber 13 are not arranged to face each other. . “Two holes are arranged opposite to each other” means that the other hole exists on an extension line in the opening direction of one hole and the reverse relationship is also established. By forming the hole 21 and the hole 22 in such a position that does not overlap vertically, the vapor of the material of the getter 230 generated in the second chamber 12 at the time of the getter flash process is scattered to the first chamber 11. Can be further suppressed.

特に、図２に示すように平面視したときに、空孔２１と空孔２２とが真空容器１の中心軸１ａに対してなす角度θが１７０度以上１９０度以下であることが好ましい（本実施の形態１ではθ＝１８０度である）。これにより、ゲッターフラッシュ工程時に第２部屋１２内で発生したゲッター２３０の材料の蒸気が第１部屋１１にまで飛散するのを一層抑制することができる。   In particular, when viewed in plan as shown in FIG. 2, it is preferable that the angle θ formed between the hole 21 and the hole 22 with respect to the central axis 1a of the vacuum vessel 1 is not less than 170 degrees and not more than 190 degrees (this book In the first embodiment, θ = 180 degrees). Thereby, it is possible to further suppress the vapor of the material of the getter 230 generated in the second chamber 12 during the getter flash process from scattering to the first chamber 11.

また、ゲッター２３０が配置された第２部屋１２とこれに隣接する第３部屋１３との間の第２ベース基板１１２に形成された空孔２２がゲッター２３０に対向して配置されていないことが好ましい。これにより、ゲッターフラッシュ工程時に第２部屋１２内で発生したゲッター２３０の材料の蒸気が空孔２２を通過する可能性を低減できるので、該蒸気が第１部屋１１にまで飛散するのを更に抑制することができる。   Further, the holes 22 formed in the second base substrate 112 between the second chamber 12 in which the getter 230 is disposed and the third chamber 13 adjacent thereto are not disposed to face the getter 230. preferable. As a result, it is possible to reduce the possibility that the vapor of the material of the getter 230 generated in the second chamber 12 during the getter flash process will pass through the holes 22, and thus further suppress the vapor from scattering to the first chamber 11. can do.

以上のように本実施の形態１によれば、ゲッターミラーの形成面積を増やすことができるので真空容器１内を高真空に維持することができ、また、ゲッターフラッシュによってエミッション特性が劣化するのを抑制できる。従って、高品位で高信頼性の撮像装置を提供することができる。   As described above, according to the first embodiment, since the formation area of the getter mirror can be increased, the inside of the vacuum vessel 1 can be maintained at a high vacuum, and the emission characteristics are deteriorated by the getter flash. Can be suppressed. Therefore, it is possible to provide a high-quality and highly reliable imaging apparatus.

（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２に係る冷陰極型電子放出装置を用いた撮像装置の概略構成を示した側面断面図である。図３において図１と同一の機能、作用を有する部材には同一の符号を付して、それらについての詳細な説明を省略する。以下、実施の形態１と相違する点を中心に本実施の形態２を説明する。 (Embodiment 2)
FIG. 3 is a side sectional view showing a schematic configuration of an imaging apparatus using the cold cathode electron emission apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. 3, members having the same functions and operations as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. Hereinafter, the second embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment.

図３に示すように、本実施の形態の撮像装置の真空容器２は、第１部屋１１と第２部屋１２との間に２つの第３部屋１３ａ，１３ｂを有する点で、実施の形態１の真空容器１と異なる。   As shown in FIG. 3, the vacuum container 2 of the imaging apparatus according to the present embodiment is a first embodiment in that two third rooms 13 a and 13 b are provided between a first room 11 and a second room 12. Different from the vacuum container 1 of FIG.

円板状の透明基板１１０の下面に、インジウムなどの封着材料１０１を介して円筒状の第１スペーサ１２１の上端が気密に接合され、第１スペーサ１２１の下端に円板状の第１ベース基板１１１の上面がフリットガラス１０２を介して気密に接合されている。第１ベース基板１１１の下面側には、円筒状の第３スペーサ１２３、円板状の第３ベース基板１１３、円筒状の第４スペーサ１２４、円板状の第２ベース基板１１２、円筒状の第２スペーサ１２２、円板状の最終ベース基板１１９が、この順にそれぞれフリットガラス１０２を介して気密に接合されている。透明基板１１０と第１スペーサ１２１と第１ベース基板１１１とで第１部屋１１が形成され、第１ベース基板１１１と第３スペーサ１２３と第３ベース基板１１３とで第３部屋１３ａが形成され、第３ベース基板１１３と第４スペーサ１２４と第２ベース基板１１２とで第３部屋１３ｂが形成され、第２ベース基板１１２と第２スペーサ１２２と最終ベース基板１１９とで第２部屋が形成される。透明基板１１０、第１ベース基板１１１、第２ベース基板１１２、第３ベース基板１１３、最終ベース基板１１９は互いに平行である。２ａは真空容器２の中心軸であり、円板状の透明基板１１０、第１ベース基板１１１、第２ベース基板１１２、第３ベース基板１１３、及び最終ベース基板１１９の中心を通り、且つ、円筒状の第１スペーサ１２１、第２スペーサ１２２、第３スペーサ１２３、及び第４スペーサ１２４の中心軸と一致する。   The upper end of the cylindrical first spacer 121 is hermetically bonded to the lower surface of the disc-shaped transparent substrate 110 via a sealing material 101 such as indium, and the disc-shaped first base is connected to the lower end of the first spacer 121. The upper surface of the substrate 111 is hermetically bonded via the frit glass 102. On the lower surface side of the first base substrate 111, a cylindrical third spacer 123, a disk-shaped third base substrate 113, a cylindrical fourth spacer 124, a disk-shaped second base substrate 112, a cylindrical shape The second spacer 122 and the disc-shaped final base substrate 119 are hermetically bonded through the frit glass 102 in this order. The first chamber 11 is formed by the transparent substrate 110, the first spacer 121, and the first base substrate 111, and the third chamber 13a is formed by the first base substrate 111, the third spacer 123, and the third base substrate 113, The third chamber 13b is formed by the third base substrate 113, the fourth spacer 124, and the second base substrate 112, and the second chamber is formed by the second base substrate 112, the second spacer 122, and the final base substrate 119. . The transparent substrate 110, the first base substrate 111, the second base substrate 112, the third base substrate 113, and the final base substrate 119 are parallel to each other. Reference numeral 2a denotes a central axis of the vacuum vessel 2, which passes through the centers of the disk-shaped transparent substrate 110, the first base substrate 111, the second base substrate 112, the third base substrate 113, and the final base substrate 119, and is a cylinder. This coincides with the central axes of the first spacer 121, the second spacer 122, the third spacer 123, and the fourth spacer 124.

第１ベース基板１１１は、互いに隣り合う第１部屋１１と第３部屋１３ａとの間に設けられており、両者を隔てる隔壁として機能する。この第１ベース基板１１１には第１空孔２１が形成されており、この第１空孔２１を介して第１部屋１１と第３部屋１３ａとが繋がっている。第３ベース基板１１３は、互いに隣り合う第３部屋１３ａと第３部屋１３ｂとの間に設けられており、両者を隔てる隔壁として機能する。この第３ベース基板１１３には第３空孔２３が形成されており、この第３空孔２３を介して第３部屋１３ａと第３部屋１３ｂとが繋がっている。第２ベース基板１１２は、互いに隣り合う第３部屋１３ｂと第２部屋１２との間に設けられており、両者を隔てる隔壁として機能する。この第２ベース基板１１２には第２空孔２２が形成されており、この第２空孔２２を介して第３部屋１３ｂと第２部屋１２とが繋がっている。最終ベース基板１１９には排気孔２９が形成されており、排気孔２９に排気管２４０が接続されている。   The first base substrate 111 is provided between the first chamber 11 and the third chamber 13a adjacent to each other, and functions as a partition wall that separates them. A first hole 21 is formed in the first base substrate 111, and the first room 11 and the third room 13 a are connected via the first hole 21. The third base substrate 113 is provided between the third chamber 13a and the third chamber 13b adjacent to each other, and functions as a partition wall that separates them. A third hole 23 is formed in the third base substrate 113, and the third room 13 a and the third room 13 b are connected via the third hole 23. The second base substrate 112 is provided between the third chamber 13b and the second chamber 12 adjacent to each other, and functions as a partition wall that separates the two. A second hole 22 is formed in the second base substrate 112, and the third room 13 b and the second room 12 are connected via the second hole 22. An exhaust hole 29 is formed in the final base substrate 119, and an exhaust pipe 240 is connected to the exhaust hole 29.

上述のように、第１部屋１１と第３部屋１３ａとが第１空孔２１を介して繋がっており、第３部屋１３ａと第３部屋１３ｂとが第３空孔２３を介して繋がっており、第３部屋１３ｂと第２部屋１２とが第２空孔２２を介して繋がっているので、第１，第２，第３部屋１１，１２，１３ａ，１３ｂは均一な真空度に維持される。また、撮像装置を動作させることにより、第１部屋１１内の電子源構体２００や光電変換ターゲット２２０等から発生したガスは第１空孔２１、第３部屋１３ａ，１３ｂ、第２空孔２２を順に通って第２部屋１２に移動してゲッターミラーに吸着される。ゲッターミラーは第２部屋１２を形成する壁面全面に広範囲に形成することができ、第２部屋１２の寸法（容積等）を適切に設定してゲッターミラーの面積を増やすこともできる。従って、高いガス吸着能力を有するゲッターミラーを形成できる。よって、実施の形態１と同様に、真空容器２内は常に高真空に維持されるので、エミッション特性が長期に安定する。   As described above, the first room 11 and the third room 13 a are connected via the first hole 21, and the third room 13 a and the third room 13 b are connected via the third hole 23. Since the third room 13b and the second room 12 are connected via the second hole 22, the first, second, and third rooms 11, 12, 13a, and 13b are maintained at a uniform degree of vacuum. . Further, by operating the imaging device, the gas generated from the electron source assembly 200, the photoelectric conversion target 220, etc. in the first room 11 passes through the first hole 21, the third rooms 13a, 13b, and the second hole 22. It passes through in order and moves to the second room 12 and is attracted to the getter mirror. The getter mirror can be formed over a wide range of the entire wall surface forming the second chamber 12, and the area (volume, etc.) of the second chamber 12 can be appropriately set to increase the area of the getter mirror. Therefore, a getter mirror having a high gas adsorption capability can be formed. Therefore, as in the first embodiment, the inside of the vacuum vessel 2 is always maintained at a high vacuum, so that the emission characteristics are stable for a long time.

また、ゲッター２３０が配置された第２部屋１２と、電子源構体２００及び光電変換ターゲット２２０が配置された第１部屋１１との間に２つの第３部屋１３ａ，１３ｂが設けられ、隣り合う部屋間が隔壁に設けられた空孔２１，２２，２３を介して繋がっているので、ゲッターフラッシュ工程時に第２部屋１２内で発生したゲッター２３０の材料の蒸気の飛散に対して、２つの第３部屋１３ａ，１３ｂは緩衝層として機能する。実施の形態１に比べて緩衝層が多いので、第２部屋１２内で発生したゲッター２３０の材料の蒸気が第１部屋１１にまで飛散して、電子源構体２００のエミッタ等に付着するのを一層防止できる。その結果、ゲッターフラッシュによってエミッション特性が劣化することがない。   Two third rooms 13a and 13b are provided between the second room 12 in which the getter 230 is arranged and the first room 11 in which the electron source assembly 200 and the photoelectric conversion target 220 are arranged, and adjacent rooms. Since the gaps are connected through the holes 21, 22, and 23 provided in the partition wall, the two third thirds are prevented against the vapor of the material of the getter 230 generated in the second chamber 12 during the getter flash process. The rooms 13a and 13b function as a buffer layer. Since there are more buffer layers than in the first embodiment, the vapor of the material of the getter 230 generated in the second chamber 12 scatters to the first chamber 11 and adheres to the emitter and the like of the electron source assembly 200. This can be further prevented. As a result, the emission characteristics are not deteriorated by the getter flash.

図４は、図３の撮像装置の空孔２１，２２，２３及びゲッター２３０の平面配置を透視して示した透視平面図である。図４に示すように、第３部屋１３ａを形成する第１ベース基板１１１及び第３ベース基板１１３にそれぞれ形成された空孔２１と空孔２３とは互いに対向して配置されていないことが好ましい。また、第３部屋１３ｂを形成する第３ベース基板１１３及び第２ベース基板１１２にそれぞれ形成された空孔２３と空孔２２とは互いに対向して配置されていないことが好ましい。空孔２１と空孔２３、空孔２３と空孔２２とを、それぞれこのように上下に重ならない位置に形成することにより、ゲッターフラッシュ工程時に第２部屋１２内で発生したゲッター２３０の材料の蒸気が第１部屋１１にまで飛散するのを更に抑制することができる。   FIG. 4 is a perspective plan view showing the planar arrangement of the holes 21, 22, 23 and the getter 230 of the imaging device of FIG. 3. As shown in FIG. 4, it is preferable that the holes 21 and 23 formed in the first base substrate 111 and the third base substrate 113 forming the third chamber 13 a are not arranged to face each other. . Further, it is preferable that the holes 23 and 22 formed in the third base substrate 113 and the second base substrate 112 that form the third chamber 13b are not arranged to face each other. By forming the holes 21 and 23 and the holes 23 and 22 in such positions that do not overlap each other, the material of the getter 230 generated in the second chamber 12 during the getter flash process is formed. It is possible to further suppress the vapor from being scattered to the first room 11.

本実施の形態では、図４に示すように平面視したときに、空孔２１と空孔２３とが真空容器２の中心軸２ａに対してなす角度θ１及び空孔２３と空孔２２とが真空容器２の中心軸２ａに対してなす角度θ２はいずれも１２０度である。但し、実施の形態１で説明したのと同様に、角度θ１，θ２がいずれも１７０度以上１９０度以下であることが好ましい（この場合、空孔２１と空孔２２とが上下方向にほぼ重なり合う）。これにより、ゲッターフラッシュ工程時に第２部屋１２内で発生したゲッター２３０の材料の蒸気が第１部屋１１にまで飛散するのを一層抑制することができる。   In the present embodiment, when viewed in plan as shown in FIG. 4, the angle θ <b> 1 formed between the hole 21 and the hole 23 with respect to the central axis 2 a of the vacuum vessel 2 and the hole 23 and the hole 22 are The angle θ2 formed with respect to the central axis 2a of the vacuum vessel 2 is 120 degrees. However, as described in the first embodiment, it is preferable that the angles θ1 and θ2 are both 170 degrees or more and 190 degrees or less (in this case, the holes 21 and the holes 22 substantially overlap in the vertical direction). ). Thereby, it is possible to further suppress the vapor of the material of the getter 230 generated in the second chamber 12 during the getter flash process from scattering to the first chamber 11.

以上のように本実施の形態２によれば、ゲッターミラーの形成面積を増やすことができるので真空容器１内を高真空に維持することができ、また、第１部屋１１と第２部屋１２との間に２つの第３部屋１３ａ，１３ｂが設けられているので、ゲッターフラッシュによってエミッション特性が劣化するのを実施の形態１よりも更に抑制できる。従って、高品位で高信頼性の撮像装置を提供することができる。   As described above, according to the second embodiment, since the formation area of the getter mirror can be increased, the inside of the vacuum vessel 1 can be maintained at a high vacuum, and the first chamber 11, the second chamber 12, Since the two third rooms 13a and 13b are provided between the two, the deterioration of the emission characteristics due to the getter flash can be further suppressed as compared with the first embodiment. Therefore, it is possible to provide a high-quality and highly reliable imaging apparatus.

第１部屋１１と第２部屋１２との間に第３部屋を、実施の形態１では１つ設け、実施の形態２では２つ設ける例を示したが、第３部屋の数はこれに限定されず、３以上であっても良い。第３部屋の数にかかわらず、第１部屋１１と、少なくとも１つの第３部屋と、第２部屋１２とが、隣り合う部屋間の隔壁に設けられた空孔を介してこの順に繋がっていれば、ゲッターフラッシュによってエミッション特性が劣化するのを抑制することができる。   Although an example in which one third room is provided between the first room 11 and the second room 12 in the first embodiment and two in the second embodiment is shown, the number of the third rooms is limited to this. It may be 3 or more. Regardless of the number of the third rooms, the first room 11, at least one third room, and the second room 12 are connected in this order via holes provided in the partition between adjacent rooms. For example, it is possible to suppress the emission characteristics from being deteriorated by the getter flash.

実施の形態１，２では、ゲッターとして、一対のリード２３１，２３２を介して通電することで加熱される通電型のゲッター２３０を用いる場合を示しているが、本発明はこれに限定されず、例えば真空容器外から高周波電磁誘導等の方法により加熱されるゲッターを用いることもできる。   In the first and second embodiments, the case where an energization type getter 230 heated by energization through a pair of leads 231 and 232 is used as a getter is shown, but the present invention is not limited to this, For example, a getter heated from the outside of the vacuum vessel by a method such as high frequency electromagnetic induction can be used.

実施の形態１，２では、本発明の冷陰極型電子放出装置を撮像装置として使用する場合を説明したが、本発明の冷陰極型電子放出装置の用途はこれに限定されず、例えば表示装置（平面ディスプレイ）として使用することも可能である。この場合、光電変換ターゲット２２０に代えて、第１ベース基板１１１上に、光透過性のアノード電極と、３色に発光する蛍光体が規則正しく配列された蛍光体層とを順に形成すれば良い。   In the first and second embodiments, the case where the cold cathode electron emission device of the present invention is used as an imaging device has been described. However, the use of the cold cathode electron emission device of the present invention is not limited to this, for example, a display device It can also be used as a (flat display). In this case, instead of the photoelectric conversion target 220, a light-transmitting anode electrode and a phosphor layer in which phosphors emitting three colors are regularly arranged may be formed in order on the first base substrate 111.

本発明の利用分野は特に制限はなく、高品位で高信頼性の撮像装置や表示装置として広範囲に利用することができる。   The field of application of the present invention is not particularly limited, and can be widely used as a high-quality and high-reliability imaging device or display device.

図１は、本発明の実施の形態１に係る冷陰極型電子放出装置を用いた撮像装置の概略構成を示した側面断面図である。FIG. 1 is a side sectional view showing a schematic configuration of an imaging apparatus using a cold cathode electron emission apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 図２は、図１の撮像装置の空孔及びゲッターの平面配置を示した透視平面図である。FIG. 2 is a perspective plan view showing a planar arrangement of holes and getters of the imaging apparatus of FIG. 図３は、本発明の実施の形態２に係る冷陰極型電子放出装置を用いた撮像装置の概略構成を示した側面断面図である。FIG. 3 is a side sectional view showing a schematic configuration of an imaging apparatus using the cold cathode electron emission apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. 図４は、図３の撮像装置の空孔及びゲッターの平面配置を示した透視平面図である。4 is a perspective plan view showing a planar arrangement of holes and getters of the imaging apparatus of FIG. 図５は、電界放出型冷陰極を備えた従来の電子源構体の概略構成を示した部分拡大断面図である。FIG. 5 is a partial enlarged cross-sectional view showing a schematic configuration of a conventional electron source assembly including a field emission cold cathode. 図６は、電界放出型冷陰極を備えた従来の電子源構体の概略構成を示した平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional electron source assembly including a field emission cold cathode.

符号の説明Explanation of symbols

１，２ 真空容器
１ａ，２ａ 真空容器の中心軸
１１ 第１部屋
１２ 第２部屋
１３，１３ａ，１３ｂ 第３部屋
２１ 第１空孔
２２ 第２空孔
２３ 第３空孔
２９ 排気孔
１０１ 封着材料
１０２ フリットガラス
１１０ 透明基板
１１１ 第１ベース基板
１１２ 第２ベース基板
１１３ 第３ベース基板
１１９ 最終ベース基板
１２１ 第１スペーサ
１２２ 第２スペーサ
１２３ 第３スペーサ
１２４ 第４スペーサ
２００ 電子源構体
２０１ 絶縁基板
２０２ エミッタ電極
２０３ エミッタ
２０４ 絶縁層
２０５ ゲート電極
２０５ａ ゲート電極の開口
２０７ エミッタ群
２１２ エミッタ電極パッド
２１５ ゲート電極パッド
２２０ 光電変換ターゲット
２３０ ゲッター
２３１，２３２ リード
２４０ 排気管 1, 2 Vacuum vessel 1a, 2a Central axis 11 of vacuum vessel 11 First chamber 12 Second chamber 13, 13a, 13b Third chamber 21 First hole 22 Second hole 23 Third hole 29 Exhaust hole 101 Sealing Material 102 Frit glass 110 Transparent substrate 111 First base substrate 112 Second base substrate 113 Third base substrate 119 Final base substrate 121 First spacer 122 Second spacer 123 Third spacer 124 Fourth spacer 200 Electron source structure 201 Insulating substrate 202 Emitter electrode 203 Emitter 204 Insulating layer 205 Gate electrode 205a Gate electrode opening 207 Emitter group 212 Emitter electrode pad 215 Gate electrode pad 220 Photoelectric conversion target 230 Getter 231, 232 Lead 240 Exhaust pipe

Claims (4)

電界放出型冷陰極を備えた電子源構体が配置された第１基板、及び前記第１基板と対向する透明基板とにより形成された第１部屋と、ゲッターが配置された第２部屋と、少なくとも１つの第３部屋とを真空容器内に備えた冷陰極型電子放出装置であって、
前記第１部屋と、前記少なくとも１つの第３部屋と、前記第２部屋とが、隣り合う部屋間の隔壁に設けられた空孔を介してこの順に繋がっていることを特徴とする冷陰極型電子放出装置。 A first chamber formed by a first substrate on which an electron source structure including a field emission cold cathode is disposed, a transparent substrate facing the first substrate, a second chamber in which a getter is disposed, and at least A cold cathode type electron emission device comprising one third chamber in a vacuum vessel,
The cold cathode type, wherein the first room, the at least one third room, and the second room are connected in this order through holes provided in a partition wall between adjacent rooms. Electron emission device. 前記第３部屋を形成する２つの前記隔壁にそれぞれ形成された２つの前記空孔は互いに対向して配置されていない請求項１に記載の冷陰極型電子放出装置。   2. The cold cathode electron emission device according to claim 1, wherein the two holes respectively formed in the two partition walls forming the third chamber are not arranged to face each other. 前記第３部屋を形成する前記２つの隔壁にそれぞれ形成された前記２つの空孔が前記真空容器の中心軸に対してなす角度が１７０度以上１９０度以下である請求項２に記載の冷陰極型電子放出装置。   3. The cold cathode according to claim 2, wherein an angle formed by the two holes respectively formed in the two partition walls forming the third chamber with respect to a central axis of the vacuum vessel is 170 degrees or more and 190 degrees or less. Type electron emission device. 請求項１〜３のいずれかに記載の冷陰極型電子放出装置を備えた映像装置。   A video apparatus comprising the cold cathode electron emission device according to claim 1.

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