JP2009058565A - 電気光学装置の製造装置、及び製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】大型基板に反りが発生していても、この大型基板に貼り合わされている対向基板
に対し、接着不良や配向ムラを発生させることなく防塵ガラス基板の圧着を可能とする。
【解決手段】TFT基板10が多数枚取り可能に形成されている大型基板110に複数の対向基板
20が貼り合わされており、この各対向基板20の外表面に、防塵ガラス基板31を圧着させる
に際し、各対向基板20から基準位置Lhまでの離間距離hmを読込み(S11)、この離間距離hm
に基づき基準位置Lhから対向基板20上の近接距離hoまでの降下距離heを求め(S12)、この
降下距離heに達するまで圧着ヘッド47を速い移動速度で降下させる(S13〜S15)。そして近
接距離hoに達した後、圧縮ヘッド47を微速降下させ(S17)、圧着ヘッド47による防塵ガラ
ス基板31の対向基板20に対する押圧力Pが設定圧Poに達したとき圧着ヘッドの微速移動を
停止させる(S20)。
【選択図】図４

Description

本発明は、大型基板に貼り合わされている第２の基板に対し、常に一定の近接距離から
ガラス基板を微速移動させて圧着させることのできる電気光学装置の製造装置、及び製造
方法に関する。

従来、各種の電気光学装置のうち、液晶等の電気光学物質を用いた表示パネルは、投射
型表示装置のライトバルブ、各種電子機器の表示装置等として広い分野にわたって使用さ
れている。ここで、表示パネルは、対向基板と電極基板としての素子基板との間に液晶等
の電気光学物質を挟持して構成される。対向基板は、基板上に対向電極が配置されて構成
され、一方、素子基板は、基板上に、互いに交差する複数の走査線と複数のデータ線が配
設されていると共に、これらの走査線とデータ線との交差部毎に、スイッチング素子及び
画素電極とが配置されて構成される。

又、投射型表示装置では、表示パネルの表面付近に塵埃等が付着すると、それが投射レ
ンズ等により拡大されてスクリーン上に投射され、表示品質を著しく低下させてしまうこ
とになる。この対策として、例えば特許文献１（特開２００３−１４０１２５号公報）に
開示されているように、表示パネルの外表面に防塵機能を有する透明なガラス基板を貼り
合わせるようにしている。

表示パネルの外表面をガラス基板で保護することで、表示パネル面に対する塵埃等の付
着が防止できる。更に、ガラス基板外表面に塵埃等が付着しても、この塵埃等と液晶等の
電気光学物質との間の距離がガラス基板の厚み分だけ長くなり、塵埃等の像がデフォーカ
スされ、スクリーン上に大きくぼやけて表示されるので目立たなくなる。

このガラス基板を表示パネル表面に貼り合わせるに際しては、例えば特許文献２(特開
２００６−１１３５３号公報)に開示されているように、素子基板を多数枚取り可能に形
成されている大型基板の段階（いわゆる前工程）で、この大型基板の素子基板の形成され
ている領域に、チッブ状に切り出された対向基板を貼り合わせておき、この対向基板の外
表面にガラス基板を圧着させる技術が知られている。
特開２００３−１４０１２５号公報 特開２００６−１１３５３号公報

ところで、素子基板は多数枚取り可能な大型基板において一括して製造される。素子基
板は片面にのみ、絶縁膜と金属膜とが交互に積層されて形成されている。絶縁膜は平坦化
するために約９００℃前後の温度下でアニール処理が施されている。大型基板と絶縁膜と
金属膜とはそれぞれ膨張係数が異なっているため、アニール処理により応力のバランスに
崩れが生じ、大型基板に反りが発生する。

又、電気光学物質として液晶が採用されている場合、この液晶を滴下注入法(ＯＤＦ：O
ne Drop Filling)により注入する場合、大型基板を複数の素子基板に切り出す前に、大型
基板と、この大型基板に貼り合わされる対向基板との間に液晶が注入される。従って、液
晶配向のばらつきを解消するための等方処理も大型基板の状態で行われる。等方処理は液
晶を一旦等方相まで加熱し、次いでネマチック相に急冷することで液晶の再配列を行うも
のであり、この等方処理によっても大型基板に反りが発生する。大型基板の反りの量は数
μｍ〜数百μｍの間でバラツキがあり、又、反りの方向も一定していない。

この大型基板に貼り合わされている対向基板の外表面に防塵ガラス基板を実装する工程
では、先ず、対向基板の外表面中央に透明接着剤を点描し、次いで、防塵ガラス基板を対
向基板の外表面に押圧し、透明接着剤を気泡を混入させることなく押し広げて圧着させる
。

透明接着剤を押し広げさせるためには、防塵ガラス基板に充分な荷重を印加する必要が
あるが、必要以上に大きな荷重を印加してしまうと対向基板が変形し、対向基板と大型基
板との間に充填されている電気光学物質が押圧されて配向ムラが生じてしまう。

しかし、上述したように、大型基板に反りが発生していると、防塵ガラス基板に印加す
る荷重が一定せず、荷重不足の場合は気泡の混入などによる接着不良が発生し、過荷重の
場合は配向ムラが発生してしまう。

この対策として防塵ガラス基板を対向基板に対し、圧力を徐々に増加させ、比較的長い
時間をかけて圧着することも考えられるが、サイクルタイムが長くなり生産性が低下する
問題がある。

本発明は、上記事情に鑑み、大型基板に反りが発生していても、この大型基板に貼り合
わされている基板に対してガラス基板を、接着不良や配向ムラを発生させることなく圧着
させることが可能で、ガラス基板の圧着に要するサイクルタイムの短縮による生産性の向
上を実現することのできる電気光学装置の製造装置、及び製造方法を提供することを目的
とする。

上記目的を達成するため第１発明は、第１の基板が多数枚取り可能に形成されている大
型基板の、該各第１の基板が形成されている領域に第２の基板が貼り合わされており、該
第２の基板の外表面に、圧着ヘッドに支持されているガラス基板を押圧して圧着させる電
気光学装置の製造装置において、前記大型基板に貼り合わされている前記各第２の基板か
ら基準位置までの離間距離を計測する測距手段と、前記測距手段で計測した前記離間距離
に基づき、前記圧着ヘッドに支持されている前記ガラス基板を前記第２の基板に対して予
め設定した近接距離まで速い移動速度で移動させた後、微速移動させる移動制御手段と、
前記圧着ヘッドによる前記ガラス基板の前記第２の基板に対する押圧力を計測する圧力検
出手段と、前記圧力検出手段で検出した押圧力が設定圧力に達したとき前記圧着ヘッドの
微速移動を停止させる移動停止制御手段とを備えることを特徴とする。

このような構成では、大型基板に貼り合わされている各第２の基板から基準位置までの
離間距離を測距手段で計測し、この離間距離に基づき圧着ヘッドに支持されているガラス
基板と第２の基板との近接距離を求め、この近接距離に達するまで圧着ヘッドを速い移動
速度で移動させ、この近接距離に達した後は微速移動させるようにしたので、大型基板に
反りが発生していても、この大型基板に貼り合わされている第２の基板に対し、ガラス基
板を接着不良や配向ムラを発生させることなく圧着させることができる。又、近接距離に
達するまでは圧着ヘッドを高速で移動させることができるので、ガラス基板の圧着に要す
るサイクルタイムを短縮することが可能となり、生産性の向上を実現することができる。

第２発明は、第１発明において、前記測距手段は非接触式センサであることを特徴とす
る。

このような構成では、測距手段を非接触式センサとしたので、第２の基板の表面を傷付
けたり、汚損させたすることが無く、製品不良の発生を低減させることができる。

第３発明は、第１或いは第２発明において、前記移動制御手段は、前記近接距離に達す
る前の設定移動距離間では前記移動速度を減速することを特徴とする。

このような構成では、近接距離に達する前の設定移動距離間では圧着ヘッドの移動速度
を減速するようにしたので、設定移動距離間に達する前の移動速度をより速く設定するこ
とができ、ガラス基板の圧着に要するサイクルタイムをより短縮することができる。

第４発明は、第１の基板が多数枚取り可能に形成されている大型基板の、該各第１の基
板が形成されている領域に第２の基板が貼り合わされており、該第２の基板の外表面に、
圧着ヘッドに支持されているガラス基板を押圧して圧着させる電気光学装置の製造方法に
おいて、前記大型基板に貼り合わされている前記各第２の基板から基準位置までの離間距
離を計測する第１のステップと、前記離間距離に基づき、前記圧着ヘッドに支持されてい
る前記ガラス基板を前記第２の基板に対して予め設定した近接距離まで速い移動速度で移
動させる第２のステップと、前記近接距離から前記圧着ヘッドを微速移動させる第３のス
テップと、前記圧着ヘッドによる前記ガラス基板の前記第２の基板に対する押圧力を計測
する第４のステップと、前記押圧力が設定圧力に達したとき前記圧着ヘッドの微速移動を
停止させる第５のステップとを経ることを特徴とする。

このような構成では、大型基板に貼り合わされている各第２の基板から基準位置までの
離間距離を計測し、この離間距離に基づき圧着ヘッドに支持されているガラス基板と第２
の基板との近接距離を求め、この近接距離に達するまで圧着ヘッドを速い移動速度で移動
させ、この近接距離に達した後は微速移動させるようにしたので、大型基板に反りが発生
していても、この大型基板に貼り合わされている第２の基板に対し、ガラス基板を接着不
良や配向ムラを発生させることなく圧着させることができる。又、近接距離に達するまで
は圧着ヘッドを高速で移動させることができるので、ガラス基板の圧着に要するサイクル
タイムを短縮することが可能となり、生産性の向上を実現することができる。

第５発明は、第４発明において、前記第２のステップは、前記近接距離に達する前の設
定移動距離間では前記移動速度を減速することを特徴とする。

このような構成では、近接距離に達する前の設定移動距離間では圧着ヘッドの移動速度
を減速するようにしたので、設定移動距離間に達する前の移動速度をより速く設定するこ
とができ、ガラス基板の圧着に要するサイクルタイムをより短縮することができる。

以下、図面に基づいて本発明の一実施形態を説明する。図１は液晶表示装置の概略断面
図、図２は液晶パネルの外表面に防塵ガラス基板を実装する工程を示す工程図である。

先ず、図１を参照して液晶表示装置の全体構成について簡単に説明する。尚、図１には
駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置が示されている。

図１の符号１は、電気光学装置の代表である液晶表示装置であり、表示パネルとしての
液晶パネル１２０と、この液晶パネル１２０の両外表面に貼り合わされている、防塵機能
を有する透明なガラス基板（以下「防塵ガラス基板」と称する）３０，３１とを備えてい
る。

液晶パネル１２０は、第１の基板としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Tran
sistor）基板１０と、これに対向配置される第２の基板としての対向基板２０とがシール
材５２を介して貼り合わされて液晶パネル１２０が形成されており、このシール材５２に
よって形成された両基板１０，２０の対向面間の空隙に、電気光学物質としての液晶５０
が封入されている。

ＴＦＴ基板１０上には画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ等がマトリクス状に配置
され、又、対向基板２０上には全面に対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられている。更に、
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上、及び対向基板２０上の全面に渡って、ラビング処理が
施された配向膜１６，２２が各々形成されている。尚、各配向膜１６，２２は、ポリイミ
ド膜等の透明な有機膜で構成されている。又、ＴＦＴ基板１０のシール材５２が形成され
た領域の外側の一辺に、データ線駆動回路１０１、及び外部接続端子１０２が形成されて
いる。尚、図示しないが、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路が設けられ、
更に、残る一辺に、走査線駆動回路間をつなぐ配線パターンが形成されている。

又、防塵ガラス基板３０，３１は、塵埃等が液晶パネル１２０の表面に付着することを
防止すると共に、塵埃等が液晶表示面から離間させてデフォーカスすることで、塵埃等の
像を目立たなくさせる機能を有する。このような機能を実現するために、防塵ガラス基板
３０，３１は、板厚が1〜３ｍｍ程度と比較的厚く形成されており、その材質は、ＴＦＴ
基板３０や対向基板２０と同一のものが使用されている。又、防塵ガラス基板３０，３１
は、液晶パネル１２０の表面に対し、ＴＦＴ基板３０や対向基板２０（及び防塵ガラス基
板３０，３１）と同じ屈折率に調整されたシリコン系接着剤やアクリル系接着剤等からな
る熱硬化型或いは光硬化型等の透明接着剤を用いて、ＴＦＴ基板３０と対向基板２０の外
表面に対し気泡を除去した状態で接着されている。

ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、前工程において、それぞれ多数枚取りできる大型
基板の状態で製造される。そして、先ず、対向基板２０のみが大型基板からチッブ状に切
り出される。大型基板から切り出された対向基板２０は、ＴＦＴ基板１０を多数枚取りで
きる大型基板１１０のＴＦＴ基板１０が形成されている領域に各々貼り合わされる（図５
参照）。尚、大型基板１１０と対向基板２０との間には液晶が滴下注入法（ＯＤＦ）によ
り充填されている。又、１枚の大型基板１１０から切り出すことのできるチップ状のＴＦ
Ｔ基板１０の枚数は、この大型基板１１０の大きさ、及び製造する液晶パネルのサイズに
より決定される。従って、図５に記載されているＴＦＴ基板１０の切り出し枚数（１２枚
）は一例に過ぎない。更に、本実施形態による大型基板１１０は円板状に形成されている
が、形状はこれに限定されるものではなく矩形状であっても良い。

その後、対向基板２０と大型基板１１０との外表面に防塵ガラス基板３１，３００を貼
り合わせる。図２に両基板２０，１１０の外表面に防塵ガラス基板３１，３００をそれぞ
れ実装する工程を示す。尚、この作業はクリーンルーム内で行われる。

工程（ａ）：先ず、大型基板１１０のＴＦＴ基板１０が形成されている領域上に対向基
板２０を所定に位置決めして貼り合わせた後、動作状態等の検査を行う。

工程（ｂ）：次いで、各対向基板２０の外表面に対向基板２０とほぼ同一形状の防塵ガ
ラス基板３１を貼り合わせる。この防塵ガラス基板３１は圧着ヘッド４７（図７参照）の
下端面に吸着支持されており、この圧着ヘッド４７を下降させることにより対向基板２０
に圧着される（図８参照）。尚、この圧着ヘッド４７は、サーボ機構（図示せず）により
下降速度が制御される。

工程（ｃ）：その後、全体を洗浄した後、大型基板１１０の、対向基板２０が貼り合わ
されている面と反対側の面である外表面に、大型基板１１０とほぼ同一かやや小さい形状
の大型防塵ガラス基板３００を貼付する。

工程（ｄ）：大型基板１１０の対向基板２０が張り合わされている側の面の、対向基板
２０間にスクライブラインを形成し、このスクライブラインに沿って大型基板１１０を分
割し、チップ状の液晶装置１００を切り出す。このとき大型防塵ガラス基板３００も、チ
ップ状の防塵ガラス基板３０に切り出される。

尚、防塵ガラス基板３０，３１の実装工程においては、工程（ｂ）と工程（ｃ）とを入
れ換え、対向基板２０に対して防塵ガラス基板３１を貼付する前に、大型基板１１０に大
型防塵ガラス基板３００を貼り合わせるようにしても良い。

次に、図２（ｂ）に示す防塵ガラス基板（以下、「小型防塵ガラス基板」と称する）３
１の実装工程について、図３、図４のフローチャートに従って、更に詳しく説明する。尚
、この小型防塵ガラス基板３１の貼り合わせは常圧下で行われる。又、以下に説明する各
制御は、図示しない制御装置において行われる。

先ず、図３に示す基板距離計測ルーチンが実行される。このルーチンでは、ステップＳ
１において、図５に示すような、ＴＦＴ基板１０が形成されている領域に対向基板２０が
所定に貼り合わされている大型基板１１０を、図６に示すステージ２００に、所定に位置
決めした状態で載置すると、ステップＳ２において、測距手段としての測距センサ２０１
が大型基板１１０上をＸ−Ｙ方向（水平方向）にスキャンする（図５参照）。

図６に示すように、測距センサ２０１は、測定媒体を光や超音波とする非接触式であり
、計測ヘッド２０１ａの先端と対向基板２０の上面との離間距離ｈｍを計測する。この測
距センサ２０１の計測ヘッド２０１ａの先端高さＬｈはステージ２００の載置面を基準に
設定されている。尚、以下においては、この先端高さＬｈを基準位置Ｌｈと読み換えて説
明する。

そして、測距センサ２０１にて大型基板１１０上をスキャンして、全ての対向基板２０
の離間距離ｈｍを計測する。ところで、上述したように、大型基板１１０は、アニール処
理、等方処理等の熱処理の影響を受けて反りが発生しており、しかも、反りの量にはバラ
ツキがあり、又、反り方向も一定していない。従って、測距センサ２０１で計測される離
間距離ｈｍは、１つの対向基板２０においても計測位置によって異なる値が示される。

そして、全ての対向基板２０の計測が終了すると、ステップＳ３へ進み、対向基板２０
毎に計測された離間距離ｈｍのうち最短の値を、その対向基板２０の離間距離ｈｍとして
記憶し、ルーチンを終了する。

次いで、各対向基板２０の外表面中央に透明接着剤を点描する。そして、全ての対向基
板２０に対して透明接着剤の点描が終了すると、図４に示す防塵ガラス貼り合わせルーチ
ンが実行される。

このルーチンでは、先ず、ステップＳ１１で、貼り合わせ対象となる対向基板２０の離
間距離ｈｍを読込み、次いで、ステップＳ１２で、予め設定されている、圧着ヘッド４７
の下端面に吸着されている小型防塵ガラス基板３１の下端面と対向基板２０の上端面との
近接距離ｈｏと、当該対向基板２０の離間距離ｈｍとに基づき、次式から小型防塵ガラス
基板３１の下端面の降下距離ｈｅ、すなわち基準位置Ｌｈから近接距離ｈｏまでの設定移
動距離を算出する。この近接距離ｈｏは、圧着ヘッド４７の下端面に吸着されている小型
防塵ガラス基板３１が対向基板２０の最上端に接触する直前の距離（例えば、10[μm]程
度）であり、圧着ヘッド４７の下端面に吸着されている小型防塵ガラス基板３１を、この
近接距離ｈｏに達するまで比較的速い移動速度で降下させる。

ｈｅ←ｈｍ−ｈｏ
図７に示すように、この降下距離ｈｅは計測ヘッド２０１ａの先端高さ（基準位置）Ｌ
ｈを基準とする距離であり、圧着ヘッド４７に吸着されている小型防塵ガラス基板３１の
下端面が近接距離ｈｏに到達するまでを逆算する際に読込まれる。

次いで、ステップＳ１３へ進み、図示しないサーボ機構へ駆動信号を出力して圧着ヘッ
ド４７の降下を開始させる。このときの降下速度は比較的速い移動速度（例えば、100〜1
50[mm/sec]）に設定されており、この降下速度を速くすることで、サイクルタイムが短縮
され生産性の向上を実現することができる。

その後、ステップＳ１４へ進み、圧着ヘッド４７の下端に吸着されている小型防塵ガラ
ス基板３１の下端が基準位置Ｌｈに到達したか否かを調べ、基準位置Ｌｈに到達するまで
、圧着ヘッド４７を比較的速い速度で降下させる。尚、基準位置Ｌｈに到達したか否かは
、圧着ヘッド４７の移動量から割り出す。

そして、圧着ヘッド４７の下端に吸着されている小型防塵ガラス基板３１の下端が基準
位置Ｌｈに到達すると、ステップＳ１５へ進み、降下速度を減速させる（例えば50〜70[m
m/sec]）。次いで、ステップＳ１６へ進み、減速された降下速度にて、圧着ヘッド４７を
基準位置Ｌｈから降下距離ｈｅまで降下させる。

そして、圧着ヘッド４７が降下距離ｈｅに達したとき（図７の状態）、ステップＳ１７
へ進み、降下速度を微少速度（例えば、1〜5[mm/sec]）に設定し、圧着ヘッド４７を微速
降下させる。図７に示すように、圧着ヘッド４７を基準位置Ｌｈから降下距離ｈｅまで移
動させると、この圧着ヘッド４７の下端面に吸着されている小型防塵ガラス基板３１と対
向基板２０の最上面との距離が近接距離ｈｏ（例えば、10［μm］）となり、ここから圧
着ヘッド４７を微速降下させることで、小型防塵ガラス基板３１を、対向基板２０に衝撃
を与えることなく接触させることができる。尚、ステップＳ１３〜Ｓ１７での処理が、本
発明の移動制御手段に相当する。

次いで、ステップＳ１８へ進み、圧着ヘッド４７から対向基板２０に印加されている押
圧力Ｐを読込む。この押圧力Ｐは、例えば圧着ヘッド４７の下端面に備えられた、圧力検
出手段としての圧電センサ（図示せず）からの信号に基づいて検出する。そして、ステッ
プＳ１９で、押圧力Ｐが予め設定した圧力（設定圧）Ｐｏ（例えば、4[Kgf]）に達したか
否かを調べる。この設定圧Ｐｏは、小型防塵ガラス基板３１に対して上方から緩やかに荷
重を印加した際に、この小型防塵ガラス基板３１と対向基板２０との間に点描されている
透明接着剤が、気泡を混入させることなく押し広げることのできる圧力であり、貼り合わ
せる小型防塵ガラス基板３１と対向基板２０間の接合面の面積に応じて予め設定されてい
る。尚、図８に示すように、圧着ヘッド４７に吸着されている小型防塵ガラス基板３１を
対向基板２０に押し当てると、大型基板１１０がステージ２００から離間する方向へ反っ
ている場合、圧着ヘッド４７からの押圧力Ｐにより反りが戻されて、圧着ヘッド４７に吸
着されている小型防塵ガラス基板３１と対向基板２０との間の接合面が互いに平行になり
、接合面全体に等分布な荷重が印加される。

そして、押圧力Ｐが設定圧Ｐｏに達したときステップＳ２０へ進み、サーボ機構に対し
て圧着ヘッド４７の降下を停止する信号を出力すると共に、この停止状態を一定時間保持
させる。この保持時間は、透明接着剤が接合面全体に押し広がるのに必要な時間であり、
予め実験などから求めて設定されている。

その後、保持時間が経過したら、サーボ機構に対して圧着ヘッド４７を上昇させる駆動
信号を出力し、この圧着ヘッド４７を上昇させて、１つの対向基板２０に対する小型防塵
ガラス基板３１の貼り合わせを終了し、ルーチンを抜ける。尚、ステップＳ１８〜Ｓ２０
での処理が、本発明の移動停止制御手段に対応している。

そして、１つの対向基板２０に対する小型防塵ガラス基板３１の貼り合わせが終了した
ら、図９に示すように、隣の小型基板２０に対して、上述した図４に示す防塵ガラス貼り
合わせルーチンを実行させて、小型防塵ガラス基板３１の貼り合わせを行う。これを、全
ての対向基板２０に対して繰り返し実行して、全ての対向基板２０に小型防塵ガラス基板
３１を貼り合わせる。

このように、本実施形態では、大型基板１１０に貼り合わされているチッブ状の対向基
板２０に対して小型防塵ガラス基板３１を貼り合わせるに際し、各対向基板２０と基準位
置Ｌｈとの距離を個別に計測したので、大型基板１１０に反りが発生していても、各対向
基板２０に対して常に一定の近接距離ｈｏに達するまで、小型防塵ガラス基板３１を吸着
する圧着ヘッド４７を比較的高速で降下させることができる。その結果、小型防塵ガラス
基板３１の貼り付けに要するサイクルタイムが短縮され、生産性を向上させることができ
る。

又、対向基板２０に対して近接距離ｈｏに達した後は、降下速度を微少速度に設定し、
この小型防塵ガラス基板３１を対向基板２０に貼り合わせるようにしたので、圧着ヘッド
４７からの押圧力に荷重不足や過荷重が発生せず、接着不良や配向ムラの発生を有効に回
避することができる。

尚、測距センサ２０１は接触式であっても良いが、非接触式を採用することで、対向基
板２０の表面を傷付けたり、汚損させたりすることが無くなり、製品不良の発生を低減さ
せることができる。

本発明における電気光学装置は、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置以外
に、パッシブマトリックス型の液晶装置、ＴＦＤ（薄型ダイオード）をスイッチング素子
として備えた液晶装置であっても良く、更に、液晶装置に限らず、エレクトロルミネッセ
ンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動デ
ィスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display、及びSurface-Co
nductin Electron-Emitter Display）、更には、ＤＬＰ（Digital Light Processing）や
ＤＭＤ（Digital Micromirror Device）、半導体基板に素子を形成するＬＣＯＳ(Liquid
Crystal On Silicon)等であって、表示面に防塵機能等を有するガラス基板が貼り付けら
れている各種の電気光学装置に適用することができる。

液晶表示装置の概略断面図 液晶パネルの外表面に防塵ガラス基板を実装する工程を示す工程図 基板距離計測ルーチンを示すフローチャート 防塵ガラス貼り合わせルーチンを示すフローチャート チップ状の対向基板が貼り合わされた大型基板上を測距センサでスキャンする状態を示す斜視図 チップ状の対向基板が貼り合わされた大型基板上を測距センサでスキャンする状態を示す側面図 大型基板に貼り合わされている対向基板に対し防塵ガラス基板を貼り合わせる状態を示す側面図 図７の別状態の側面図 図７の更に別状態の側面図

符号の説明

１０…ＴＦＴ基板、２０…対向基板、３０，３１…防塵ガラス基板、４７…圧着ヘッド、
１１０…大型基板、２００…ステージ、２０１…測距センサ、２０１ａ…計測ヘッド、Ｌ
ｈ…基準位置、Ｐ…押圧力、Ｐｏ…設定圧、ｈｅ…降下距離、ｈｍ…離間距離、ｈｏ…近
接距離

Claims (5)

1. 第１の基板が多数枚取り可能に形成されている大型基板の、該各第１の基板が形成され
   ている領域に第２の基板が貼り合わされており、該第２の基板の外表面に、圧着ヘッドに
   支持されているガラス基板を押圧して圧着させる電気光学装置の製造装置において、
   前記大型基板に貼り合わされている前記各第２の基板から基準位置までの離間距離を計
   測する測距手段と、
   前記測距手段で計測した前記離間距離に基づき、前記圧着ヘッドに支持されている前記
   ガラス基板を前記第２の基板に対して予め設定した近接距離まで速い移動速度で移動させ
   た後、微速移動させる移動制御手段と、
   前記圧着ヘッドによる前記ガラス基板の前記第２の基板に対する押圧力を計測する圧力
   検出手段と、
   前記圧力検出手段で検出した押圧力が設定圧力に達したとき前記圧着ヘッドの微速移動
   を停止させる移動停止制御手段と
   を備えることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
2. 前記測距手段は非接触式センサ
   であることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の製造装置。
3. 前記移動制御手段は、前記近接距離に達する前の設定移動距離間では前記移動速度を減
   速させる
   ことを特徴とする請求項１或いは２記載の電気光学装置の製造装置。
4. 第１の基板が多数枚取り可能に形成されている大型基板の、該各第１の基板が形成され
   ている領域に第２の基板が貼り合わされており、該第２の基板の外表面に、圧着ヘッドに
   支持されているガラス基板を押圧して圧着させる電気光学装置の製造方法において、
   前記大型基板に貼り合わされている前記各第２の基板から基準位置までの離間距離を計
   測する第１のステップと、
   前記離間距離に基づき、前記圧着ヘッドに支持されている前記ガラス基板を前記第２の
   基板に対して予め設定した近接距離まで速い移動速度で移動させる第２のステップと、
   前記近接距離から前記圧着ヘッドを微速移動させる第３のステップと、
   前記圧着ヘッドによる前記ガラス基板の前記第２の基板に対する押圧力を計測する第４
   のステップと、
   前記押圧力が設定圧力に達したとき前記圧着ヘッドの微速移動を停止させる第５のステ
   ップと
   を経ることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. 前記第２のステップは、前記近接距離に達する前の設定移動距離間では前記移動速度を
   減速する
   ことを特徴とする請求項４記載の電気光学装置の製造方法。

Images